TWI321974B - Copper clad laminate for chip on film - Google Patents

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TWI321974B
TWI321974B TW96104044A TW96104044A TWI321974B TW I321974 B TWI321974 B TW I321974B TW 96104044 A TW96104044 A TW 96104044A TW 96104044 A TW96104044 A TW 96104044A TW I321974 B TWI321974 B TW I321974B
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Byung-Nam Kim
Heon-Sik Song
Soon-Yong Park
Jung-Jin Shim
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Lg Chemical Ltd
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Description

1321974 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種用於覆晶薄膜之銅落積層板，尤指 覆晶薄膜之銅箔積層板中，包含銅箔與至少—聚醯亞胺膜 5 (P〇lyimide layer)層疊於銅箔上’其中聚醯亞胺膜與銅猪之 接觸包含至少一添加劑選自於由氮唑基（az〇ie_based)化合 物、聚發氧烧基（polysiloxane-based)化合物、與聚碟酸其 (polyphosphate-based)化合物組成之群組。 10 15
20 【先前技術】 在傳統印刷電路板之大型顯示基板中使用覆晶薄膜 (chip on a film，C0F)之銅箔積層板（c〇pper clad CCL)，其製作是由鍍錫（Sn)的銅導線利用熱黏著於丨匸晶粒 上的捲帶與金凸塊22〇上，以為了黏著IC晶粒（積體電路晶 粒）210至晶粒組裝品上。_積層板則是㈣錢或缚造法 製作。 ，'鍍的形況下，因熱黏著所施加的高溫（高於4〇〇。〇) 與壓力會造成介於銅箔23〇與聚醯亞胺膜24〇之間的分層問 題’使得f鑛溶液滲透進去且劣化了它的外觀。曰 此外在鑄造的形況下，具優良熱塑性的聚酿亞胺膜使 用作為聚ϋ亞胺膜與銅料接觸，為了在高溫下防止内引 腳在以粒接合上下陷。此熱塑性聚醯亞胺膜為可挽性以 有效改善黏著性。麸 '、，、而此會產生聚醯亞胺膜下壓印刷電路 之銅.消圖樣（請參考圖1 )的門印 π圃1)的問碭。為了解決此問題熱熔性 5 1321974 來si亞胺膜取代了熱塑性聚醢亞胺膜。熱熔性聚醯亞胺膜 較硬且不會下壓印刷電路之銅箔圖樣。然而它的黏著性卻 明顯的劣化。一般在ic晶粒接合上，施加的壓力為每秒1〇 至15Kg。 基於上述的問題，用於覆晶薄膜之銅箔積層板的黏著 性會在高溫（高於4CKTC)下劣化。
C 10 15
C 20 【發明内容】 本發明之發明人已研究出用於覆晶薄膜之銅箔積層板 如何於高溫下具有良好的黏著性。發明人確認聚醒亞胺膜 包^至少一添加劑選自於*氮唾基（az〇le_based)化合物、聚 矽氧烧基（P〇lyS1l〇xane_based)化合物、與聚磷酸基 polyphosphate-based)化合物組成之群組，而層狀排列於銅 〃仏為基層#可防止介於鋼箔與聚醯亞胺膜之間的 分層問題，且改善在高溫下鐘錫之銅羯的黏著性。最終士 成本發明。 70 本發明提供之用於覆晶薄膜之銅落積 時優良的黏著性。 H1 此外，本發明提供-製作用於覆晶薄膜之銅落積層板 的方法。 s 更進-步來說，本發明還提供一包含用於覆晶薄 銅箔積層板的印刷電路板。 、 依據本發明之用於覆晶薄膜之㈣積層板 排列於做為-基層的聚酿亞胺膜上，此基層包括至;^ 加4選自於由氮唾基（az〇le_based)化合物、聚石夕氧規基 6 25 1321974 (polysiloxane-based)化合物、與聚磷酸基 (P〇lyph〇Sphate-based)化合物組成之群组。因此在上有_ 的銅羯與接合1C晶粒之間’不會有分層產生於銅箔與聚醯 亞胺膜之間，且高溫下的黏著性獲得改善。 5 c 10 本發明提供-種用於覆晶薄膜之銅绪積層板，其包括 銅治與至少一聚醢亞胺膜層疊於銅箔上，其中聚醯亞胺 膜與銅箔之接觸包含至少一添加劑選自於由氮唑基 (azole-based)化合物、聚矽氧烷基（p〇lysil〇xanebase…化合 物人眾石兵酉义基（P〇Iyphosphate-based)化合物組成之群組。 此外，本發明提供一製作用於覆晶薄膜之銅箔積層板 的方法。 更進一步來說，本發明還提供一包含用於覆晶薄膜之 銅箔積層板的印刷電路板。 在此之後，本發明將做詳敘地描述。 15 c 在本發明之銅箔積層板’聚醯亞胺膜與銅箔之接觸特 徵在於包含至少一化合物選自於由氮唑基（azole-based)化 合物、聚矽氧烷基（P〇lysiloxane-based)化合物、與聚磷酸基 (polyphosphate-based)化合物組成之群組。 使用在本發明之聚醯亞胺可由熟之此項技藝者所知的 20 方法以一胺（diamine)和二針（dianhydride)備製，但非限制於 此。 在本發明中備製的聚醯亞胺中，二胺化合物的例子為 至化合物選自於對苯二胺（para-phenylene diamine p-PDA)、間本二胺(m_phenyieiie diamine，m-PDA)、4,4'-二 7 1321974 氦基二苯醚（4,4’-〇乂丫(^31^11116,4,4|-00八）、3,4'-二氨基二笨 醚（3,4，-oxydianiline，3,4，-ODA)、2,2-雙（4-[4-氨基苯氧基] 笨基）丙烧（2,2-bis (4-[4-aminophenoxy]-phenyl) propane， BAPP)、2,2，- 一曱基-4,4’-二氣基二苯（ZJ'-Dimethyl 5 -4,4'-diamino biphenyl , m-TB-HG)、（1,3-雙（4-胺苯氧基）苯 (1，3-1^(4-31111110卩1^110：^片61126116，丁？丑11)、4,4'-二氨基苯曱 • 臨笨胺（4,4’-diamino benzanilide，DABA)、與 4,4'-雙（4-胺 ^ 苯氧基）二苯（4,4'-bis (4-aminophenoxy)biphenyl，BAPB)所 組成之群組。 10 在本發明中備製的聚醯亞胺中，二酐化合物的例子可 包括至少一化合物選自於苯均四羧基二酸酐（Pyr0mellitic dianhydride , PMDA)、3,3’，4,4'-聯苯四缓酸二酐（3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride , BPDA)' 3,3丨,4,4，-四缓 基一本酉同酉 f (3,3',4,4'-benzo phenonetetracarboxilic 15 dianhydride, BTDA)、與二苯醚四酸二酐（4,4'-〇xydiphthalic anhydride, 0DPA)所組成之群組。 C· 在本發明中，如需要，少量的其他二胺、其他二gf、 或其他不為上述化合物之化合物可加入。 在本發明中製備聚醯胺酸（polyamic acid)作為聚醯亞 20 胺的前驅物，較佳的有機溶劑例子包括至少一化合物選自 於 N-曱基-2-四氫〇比0各酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、 Ν,Ν-二曱基乙胺（Ν,Ν-dimethyl acetamide, DMAc)、N，N-二 曱基曱醯胺（N，N-dimethylformamide，DMA)、四氫。夫 〇南 (tetrahydrofuran，THF)、Ν，Ν-二甲基曱醯胺（Ν,Ν-dimethyl 8 1321974 formamide，DMF)、二甲基亞砜（dimethyl sulf0xide， DMSO)、環己烧（CyCi〇hexane)、乙腈（acetonitrile)、與上述 混合物所組成之群組，但非限制於此》 較佳地’聚醯胺酸（polyamic acid)在整個溶液中佔重量 5 之1 〇至30%。若聚醯胺酸的含量小於1 〇%重，不必要的溶劑 會被使用。若聚醯胺酸的含量大於3〇%重，溶液黏度會太高 而難以塗佈均勻。 聚醯胺酸溶液可備製為不規則共聚合物（rand〇m copolymer)或塊狀共聚物（block copolymer)。反應温度較佳 ίο 範圍為〇至1 〇〇 C。在製造銅箔積層板製程中聚醯胺酸溶液 的黏度較佳為2,000至50,000 cps。 做為添加劑之氮哇基化合物的功能為抗氧化劑，亦增 加黏著性。特別之例子包括3,5-二胺基-1，2,4-三氮唑 (3,5-diamino-l，2,4-triazole)、3-胺基-1，2,4-三氮唑（3-15 amino-1，2,4-triazole)、5-胺基-1，2,4-三氮唑-5-羧酸 (5-amino-l，2,4-triazole-5-carboxylic acid)、3-胺基-5-硫基-1，2,4·三氮唆（3-amino-5-mercapto-l,2,4-triazole)、5-胺基-1H-四氮 °坐（5-amino-lH-tetrazole)、3-疏基-1，2,4-三氮 唑（3-mercapto-l，2,4-triazole) 、5-苯基-1H-四氮 〇坐 20 (5-phenyl-lH-tetrazole)、與 2-氫氧基-η-1Η-1，2,4-三氮唑-3-苯甲醜胺（2-hydroxy-n-lH-l，2,4-triazole-3-ylbenzamide， ADK)。較佳地具有胺基之氮唾基化合物基於整個二酐和二 胺的含量為1.5至5莫耳％。較佳地不具有胺基之氮唑基化合 物基於整個固態聚醯胺酸的重量為0.5至5%。當具有胺基之 9 1321974 氮唑基化合物基於整個二酐和二胺的含量小於1.5莫耳％或 不具有胺基之氮唑基化合物基於重量小於0.5%時，它很難 在高溫與室溫下顯示黏著性。當具有胺基之氮唑基化合物 基於整個二酐和二胺的含量大於5莫耳％或不具有胺基之氮 5 唑基化合物基於重量大於5%時，聚醯亞胺的基本性質有可 能會改變。 聚矽氧烷基化合物或聚磷酸基作為添加劑具有 優良的抗熱性。聚矽氧烷基化合物的例子包括羥基端聚二 曱基石夕氧燒（hydroxy terminated poly(dimethylsiloxane))(分 10 子量：500至3,000)與羥基端聚二曱基矽氧烷（hydroxy terminated poly (dimethyl siloxane))(分子量:3000 至 10,000)。此外，聚磷酸基化合物的例子包括聚磷酸 (polyphosphoric acid，H3PO4)，其在石粦酸中包含？2〇5 為 7〇 至71%重或更多、或聚填酸（polyphosphoricacid,H3P〇4)， 15 其在磷酸中包含P2〇5為82.5至83.5%重或更多。較佳地聚矽 氧烷基化合物或聚磷酸基化合物在基於整個固態聚醯胺酸 的重量，分別具有重量0.5至5%。在具有含量超過5%重的 聚矽氧烷基化合物情況下，對於黏著性不會改變。在具有 含量超過5%重的聚磷酸基化合物情況下，聚磷酸基化合物 20 可能會因它的腐钱性而腐姓銅箔。 在本發明中的聚醯亞胺可更包括添加劑，例如為抗泡 劑、抗凝勝劑、與固化加速劑，以使得塗佈或固化更為容 易且改善其他性質。 10 1321974 此外，本發明提供製作用於覆晶薄膜之銅箔積層板的 方法，其步驟包括： 1) 塗佈聚醯胺酸溶液至銅箔的一面或兩面上，其中聚 醯胺酸溶液包含至少一添加劑選自於由氮唑基（azole_based) 5 化合物、聚石夕氧炫基（p〇〗ysiloxane-based)化合物、與聚鱗酸 基（polyphosphate-based)化合物組成之群組，並乾燥它；以 及 2) 塗佈聚醯胺酸溶液至由步驟所乾燥的銅箔的一面 或兩面上，其中聚醯胺酸溶液不包含一或多個添加劑選自 10於由氮唑基化合物、聚矽氧烷基化合物、與聚磷酸基化合 物組成之群組，並乾燥它；隨後固化它。 用擠壓式塗佈機（die coater)、 反間歇塗佈機塗佈、凹版塗句 在步驟1)中，銅箔上塗佈有聚醯胺酸溶液的方法可使 、間歇塗佈機（comma c〇ater)、
在步驟2)中’銅箔的—面 15 器。不 塗佈溫度為50至350。(：，其低於一 至250°C之間。 面或兩面塗佈有聚醯胺酸溶
入高溫。 20 液，其； 矽氧烷j 390°C 乾 漸加熱 ( 11 1321974
如此用於覆晶薄膜《具有無泡珠聚酿亞胺的銷 板可由本發明製作。 S 5 c 10 15 c 20 依據本發明之用於覆晶薄膜之銅箔積層板中，其特徵 在於聚醯亞胺膜110由-基層m和一固化控制層㈣ control layer)丨30組合，且基層為與銅络〗4〇接觸的聚^亞 膜（請參考圖2)。 依據本發明，用於覆晶薄膜之銅辖積層板包含聚酿亞 胺膜做為基層，其層狀排列於銅箔上，其 聚酿亞胺膜包括至少-添加劑選_由氮絲 化合物、聚矽氧烷基（polysiloxane_based)化合物、與聚磷酸 基（polyphosphate-based)化合物組成之群組。隨後在高溫下 鍍錫於銅箔上，故介於銅箔與聚醯亞胺膜之間的分層可避 免，且黏著性可改善。 _不包括至少一化合物選自於由氮唑基化合物、聚矽氧 '元土化s物與聚鱗酸基化合物組成之群組的聚醯亞胺膜 層狀排列於基層上，以達到固化控制的目的。 依據本發明之銅箔積層板中，聚醯亞胺膜組成之基層 與固化控制層較佳具有之厚度為30至50# m之間。在其間， 較佳為基層具有厚度為整個聚醯亞胺膜厚度的8〇%或更大。 此外本發明提供包含此用於覆晶薄膜之銅箔積層板的 印刷電路板。 此印刷電路板可由傳統相關技藝之方法製作，除了其 包含依據本發明之用於覆晶薄膜之銅箔積層板。 12 1321974 【實施方式】 在此之後，提供了較佳實施例以使本發明更能夠被清 楚的了解。因此提供之實施例僅為說明但非限至本發明之 範_。 .5 〈預備實施例1> • 、5.65 § 對苯二胺（P-PDA)與 0.27 g3,5_ 二胺基],2,4_ 三氣 唑洛解於1 62ml的N-〒基吡咯烷酮（N_methylpyrr〇lidin〇n) C :。在溶液中加入8.09g的3,3,，4,4，·聯苯四羧酸二酐（BPDA) ]〇 ^6.00 g的苯均四羧基二酸酐（PMDA)，聚合化並攪拌24小 I在此同時，聚合化溫度為VC，且聚醯胺酸被製作為聚 酿亞胺前驅物。 <預備實施例2至16> 作為聚醯亞胺前驅物的聚酿胺酸與預備實施例1相同 15 、方去備製，其組成相同，而比例如表1所示。 5 [表 1] 二酐（Dianhydride) L (g) 二胺（Diamine )(g) 添加劑 (g) BPDA PMDA p-PDA 4,4，-ODA 預備實 三氣。坐 施例1 8.09 6.00 5.65 - 化合物 0.27 預借實 施例2 7.88 5.84 5.21 1.07 - c _ _________ 13 1321974 預備實 施例3 8.08 5.99 5.76 - 三氮唑 化合物 0.16 預備實 施例4 8.08 5.99 5.82 - 三氮唑 化合物 0.11 預備實 施例5 8.08 5.99 5.94 - ADK 0.10 預備實 施例6 13.04_ - 5.94 - ADK 0.06 預備實 施例7 8.08 5.99 5.94 A-型 0.10 預備實 施例8 8.08 5.99 5.94 - A-型 0.06 預備實 施例9 8.08 5.99 5.94 - B-型 0.10 預備實 施例10 8.08 5.99 5.94 - B-型 0.06 預備實 施例11 7.17 5.32 2.63 4.88 - 14 1321974 預備實 施例12 8.08 5.99 5.94 - C-型 0.10 預備實 施例13 8.08 5.99 5.94 - C-型 0.06 預備實 施例14 8.08 5.99 5.94 - D-型 0.10 預備實 施例15 8.08 5.99 5.94 - D-型 0.06 預備實 施例16 7.13 5.29 2.63 4.88 - X BPDA : 3,3，,4,4，-聯苯四羧酸二酐， PMDA :苯均四羧基二酸酐， p-PDA :對苯二胺， 4,4'-ODA : 4,4匕二氨基二苯醚， 5 三氮唑化合物：3,5-二胺基-1,2,4-三氮唑， 八0尺：2-氫氧基-11-111-1,2,4-三氮唑-3-笨曱酰胺， A-型：羥基端聚二曱基矽氧烷（分子量：500至3,000 Aldrich 產品型號48，193-9)， B-型：聚磷酸（H3PO4;在磷酸中包含P2〇5為70至 10 71%重或更多）， C-型：羥基端聚二甲基矽氧烷（分子量3,000 to 10,000, CAS No.156327-07-0) » 15 i32l974 D-型：聚磷酸（H3P04;在磷酸中包含p2〇5為825 至83.5%重或更多）。 <實施例1>銅箔積層板結構 銅羯積層板塗佈有由預備實施例丨所備製的聚醯胺 ,5酸，然後固化使其具有厚度32# m。隨後產物於14〇t乾燥， 、 銅络再塗佈由預備實施例11以相同方法所備製的聚酿胺 酸，使得銅箔接觸溶液，然後固化使其具有厚度。銅 C 箔以施加熱至350°c固化。 銅箔積層板剪裁成尺寸25Cmx25cm，且檢查出現在聚 川2亞胺膜表面上的泡沫。在泡沐出現於聚酿亞胺膜表面為 零的情況下’可結論為沒有產生泡沫。 /又有泡洙產生於固化聚醯亞胺膜表面。 <實施例2至7與對照實施例1至8> 銅备積層板的製造為使用在預備實施例2至16中的聚 15酿胺酸，其方法與實施例i相同。此外檢查出現在聚酸亞胺 〔· 膜表面上的泡泳。 在銅羯積層板中，聚醯胺酸、聚醯胺酸厚度、與在聚 醯亞胺骐中的泡沫出現狀況顯示於如下表2中。 [表2]
16 1321974 實施例1 預備實 施例1 32 預備實 施例11 8 實施例2 預備實 施例3 32 預備實 施例11 8 無 實施例3 預備實 施例5 32 預備實 施例11 8 1 *«> 實施例4 預備實 施例7 32 預備實 施例11 8 實施例5 預備實 施例9 32 預備實 施例11 8 實施例6 預備實 施例12 32 預備實 施例11 8 實施例7 預備實 施例14 32 預備實 施例11 8 無 對照實施 例1 預備實 施例2 32 預備實 施例11 8 無 對照實施 例2 預備實 施例4 32 預備實 施例11 8 對照實施 例3 預備實 施例6 32 預備實 施例11 8 益 17 1321974 預備實 施例16 32 預備實 施例11 8 32 -------- 預備實 施例11 — 8 -—--- 無 32 預備實 施例11 8 — 1 »»> 32 -——________-— 預備實 施例11 8 ----- 32 預備實 施例11 8 — 出現過 多的泡 珠 曰 & ％巾六咖暖芘胺膜間的黏著性 為了里測在依據本發明之銅箔積層板中介於銅箔盘取 醯亞胺膜間的黏著性’其方法如下所述。 對照實施 例4 對照實施 例5 對照實施 例6 對照實施 例7 對照實施 例8
C .由實施例1至7與對照實施例1至7所備製的銅箔積層板 剪裁成15CmXl5cm。測試樣品放置於烤箱中在420°C下加熱 10秒。隨後在室溫下量測黏著性。甚至試著量測由對照實 施例8所備製的鋼箔積層板，其在固化後仍有許多泡沫出 現。但匕的黏著性無法量出。 用來測量黏著性的實驗裝置如電力驅動測試機器（十 子"1自動 >..日圖型專定速驅動機器cr〇sshead aut〇graphic type， equivalent constant speed drive machine)、Thwing Albert樣 18 丄以iy/4 :剪裁器（Model N〇, JDC_5〇)、測試設備（無輪滾動鼓、滑 加參考配件為152.4 nm (6 in)的輪滾動鼓）與焊錫爐（電子 樣I其溫度可自動控制，適合2.25Κ，Ν6。焊料與測試 其黏著性量測之結果如下面的表3與圖3所示。 [表3]
19 1321974 對照實施例6 335 對照實施例7 350 如表3與圖3所示，依據本發明之銅箔積層板（實施例1 至7)包含具有胺基之氮唑基化合物基於整個二酐和二胺的 含量為1.5莫耳。/〇或更多、或不具有胺基之氮唑基化合物聚 石夕氧貌基化合物、或聚破酸基化合物基於整個固態聚醯胺 酸的重量為0.5%，在備製聚醯亞胺膜時。因此在高溫下鍍 錫於銅箔時’介於銅箔與聚醯亞胺膜的分層現象可防止且 黏著性改善至1000至14〇〇g/cni。 10
反之在聚醯亞胺膜於銅箔積層板上（對照實施例丨至 的情況下，備製聚醯亞胺膜並不包括氮唑基化合物、聚石夕 氧烧基化5物、或聚填酸基化合物、或包含它們在低於特 定比例的比例，他們的黏著性明顯地劣化至2〇〇至4〇〇g/cm。 雖然本發明已以近來認為之最常使用與較佳實施例揭 露’然其並非用以限^本發明。目前之教示可容易地實施 在其他型態的裝置上。但須了解本發明之敘述與圖示僅作 為說明而非限錄護範圍之標的。任何熟習此料者，在 :脫離本發日狀精朴範#可作各社更動盘潤 ^者^本發明之保護範圍當視後附之中請專利範圍料 【圖式簡單說明】 和優點能更明 為讓本發明之上述與其他目的、特徵 顯易懂，配合所附圖式，加以說明如下， 20 20 1321974 圖1係說明傳統㈣積層板在IC晶粒的接合製程示意圖 圖2係說明依據本發明之銅箔積層板剖視圖。 圖3係說明依據本發明之銅箔積層板黏著性示意圖。 【主要元件符號說明】 • 110聚醯亞胺膜 _ 130固化控制層 210 1C晶粒 C 230銅箔 120基層 140銅箔 220金凸塊 240聚醯亞胺膜 21

Claims (1)

1321974 96104044 * 98 11 月 . ««r·^··»·*·^-^·1··—..--, ,—,, ——— —~·^ '^3修(更.)正替換d srtl· ίί·^«Ι* » .’ ♦ - »»^»4 Ι·Μ >_*丨丨···*·'11**^ —·_< ΡΆ J * ’ 十、申請專利範圍： 1. 一種用於覆晶薄膜之銅箔積層板，其包括一銅箔與 至少一聚醯亞胺膜層疊於該銅箔上，其中該聚醯亞胺膜與 該銅箔之接觸包含至少一添加劑選自於由氮唑基化合物、 .5 聚碎氧院基化合物、與聚填酸基化合物組成之群組； 其中，該聚矽氧烷基化合物為羥基端聚二曱基矽氧烷 (分子量：500至3,000之間）或羥基端聚二甲基矽氧烷（分子 量：3,000至 10,000之間）。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之用於覆晶薄膜之銅箔 10 積層板，其中該聚醯亞胺膜之製備係由至少一二胺選自於 對苯二胺、間苯二胺、4,4'-二氨基二苯醚、3,4，-二氨基二苯 謎、2,2-雙（4-[4-氨基苯氧基]苯基）丙烧、2,2，-二甲基_4,4，_ 二氨基二苯、（1,3-雙（4-胺苯氧基）笨、4,4，_二氨基苯甲醯苯 胺、與4,4 -雙（4-胺苯氧基）二苯所組成之群組，與至少一二 15 酐選自於苯均四羧基二酸酐、3,3，,4,4，-聯苯四羧酸二酐、 二 3,3’，4,4’-四羧基二苯酮酐、與二苯醚四酸二酐所組成之群組 ^ 反應獲得。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之用於覆晶薄膜之銅箔 積層板，其中該氮唾基化合物為至少一化合物選自於3,5- 2〇二胺基_1，2,4-三氮唑、3-胺基-1·，2,4-三氮唑、5-胺基 _1，2,4-三氮唑_5_羧酸、3_胺基巧·巯基4,2,4三氮唑、^胺 基-1H-四氮唑、3_巯基_丨，2,4_三氮唑、5苯基]H,氮唑、 與2-氫氧基三氮唑_3_苯曱酰胺所組成之群組。 22 1321974 貧wi;i A修(更)正替換頁 __j 4·如申請專利範圍第2項所述之用於覆晶薄膜之銅箱 積層板，其中該氮唑基化合物係包括一具有胺基之氮唑基 化合物，且該具有胺基之氮唑基化合物基於該整個二胺和 二酐的含量為1.5至5莫耳％之間。 5 5·如申請專利範圍第1項所述之用於覆晶薄膜之銅箔 積層板，其中該聚磷酸基化合物為聚磷酸（Η3ρ〇4，在磷酸 中包含Ρ2〇5為7〇至71%重或更多）、或聚磷酸（Η3ρ〇4，在磷 酸中包含？2〇5為82.5至83.5%重或更多）。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之用於覆晶薄膜之銅箔 10積層板，其中該聚醯亞胺膜由一基層和一固化控制層組 合’且該基層為與該銅箔接觸的該聚醯亞胺膜。 7. 如申請專利範圍第1項所述之用於覆晶薄膜之銅箔 積層板，其中該聚醯亞胺膜具有之厚度為3〇至5〇以出之間。 8·—種製造用於覆晶薄膜之銅箔積層板的方法，其包 15 括步驟： 1)塗佈一聚醯胺酸溶液至一銅箔的一面或兩面上，其 中该聚醯胺酸溶液包含至少一添加劑選自於由氮唑基化合 物、聚矽氧烷基化合物、與聚磷酸基化合物組成之群組， 並乾燥它；以及 20 2)塗佈一聚醯胺酸溶液至由該步騾1)所乾燥的該銅箔 的一面或兩面上，其中該聚醯胺酸溶液不包含一或多個添 加劑選自於由氮唑基化合物、聚矽氧烷基化合物、與聚磷 酸基化合物組成之群組，乾燥它，且隨後固化它； 23 u( G日修(更>正替換頁 其中，該氮唑基化合物為至少一化合物選自於3,5_二胺 基·1，2,4_三氮唑、3-胺基-丨，2，心三氮唑' 5_胺基4,2,4-三氮唑·5-羧酸、3-胺基·％巯基_丨，2,4_三氮唑、5_胺基_1H_ =氮唑、3-巯基-I，2,4-三氮唑、5_笨基_1H_四氮唑、與2_氫 氧基-η-1Η-1，2,4-三氮唑-3-苯曱酰胺（ADK)所組成之群組。 一 9. 一種印刷電路板，其包含由申請專利範圍第丨項至 第7項中任一項所定義之該鋼箔積層板。 a 10.如申請專利範圍第8項所述製造用於覆晶薄膜之銅 箔積層板的方法，其中該氮唑基化合物係包括一不具有一 胺基之氮唑基化合物，且該不具有一胺基之氮唑基化合物 基於》亥王個固態聚酿胺酸的重量為〇. 5至5 %之間。 11·如申請專利範圍第8項所述製造用於覆晶薄膜之銅 箔積層板的方法，其中該聚矽氧烷基化合物成該聚磷酸基 化合物在基於該整個固態聚醯胺酸的重量，分別具有重量 為0.5至5%之間。
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