JP4521683B2 - ポリイミドフイルム - Google Patents
ポリイミドフイルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4521683B2 JP4521683B2 JP2002331194A JP2002331194A JP4521683B2 JP 4521683 B2 JP4521683 B2 JP 4521683B2 JP 2002331194 A JP2002331194 A JP 2002331194A JP 2002331194 A JP2002331194 A JP 2002331194A JP 4521683 B2 JP4521683 B2 JP 4521683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polyimide film
- polyimide
- silicon
- dianhydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はポリイミドフイルムに関するものであり、更に詳しくは、接着性に優れ、主として半導体や実装基板用途に適したポリイミドフイルムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ポリイミドは、耐熱性や絶縁性に優れていることから、半導体や実装回路基板用途に幅広く使用されているが、表面の接着性が乏しいことが問題となっている。 このようなポリイミドフィルムの表面改質技術の具体例としては、例えば、芳香族ポリイミドフイルムを低温プラズマ処理により改質する方法(例えば、特許文献1参照)、および少なくとも20モル%以上の希ガス類元素を含有する100〜1000Torrのガス雰囲気下において、高分子フイルムを支持する誘電体を被覆した電極とこれと対向するやはり誘電体で被覆した電極との間に印加された高電圧によって形成される放電によってポリイミドフイルムを処理する方法(例えば、特許文献2参照)などが提案されている。
【0003】
しかしながら、これらの方法によれば、ポリイミドフィルム表面の接着性はある程度は改善されるものの、依然として接着性は乏しいままである。とりわけ接着剤を介して銅箔と貼り合わせて実装基板用銅張り板にする場合には、銅をパターン加工して配線状にした際の接着性不足から配線が脱落するという問題を有している。この問題は配線の微細化が進むにつれて顕著となり、より一層深刻な問題となりつつある。
【0004】
【特許文献1】
特開昭61−141532号公報
【特許文献2】
特開平1−138242号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、かかるポリイミドフィルムの接着性不足を解決し、接着性に優れたポリイミドフィルムを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のポリイミドフィルムは、フィルムの少なくとも片面にシリコーンゴムロールを接触させることにより、シリコーンゴムから微量のケイ素をフィルム表面に転写してなるポリイミドフィルムであって、フィルムの少なくとも片面にケイ素が0.05〜0.6atomic%存在することを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の特徴は、フィルムの少なくとも片面にケイ素元素が0.05〜0.6atomic%存在することにより、ポリイミドの接着性を向上させることにある。 なお、ケイ素元素の存在量に関しては、ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)分析によって確認することができる。
【0008】
フィルムの少なくとも片面にケイ素元素が0.05〜0.6atomic%存在した場合には、ケイ素元素が存在しない場合と比較して、ポリイミドフィルム表面の接着性が飛躍的に向上する。
【0009】
ポリイミドは元来接着性に乏しい材料であるが、ケイ素元素が接着剤のような役割を果たすため、結果としてポリイミドフイルム全体の接着性が向上するものである。
【0010】
ポリイミドフィルム表面に存在するケイ素元素が0.05atomic%未満になると、接着性改良効果が乏しくなり、また0.6atomic%を越えて存在した場合には、ポリイミドの劣化が生じ、とりわけ長期に保存した場合などではポリイミドの劣化を引き起こすので、0.05〜0.6atomic%という量が重要である。長期保存でのポリイミドフィルムの安定性を考慮した場合には0.1〜0.6atomic%が好ましい。
【0011】
ポリイミドフィルム表面に存在するケイ素元素は単体で含まれていてもよく、また適当な化合物の形態で含まれていてもよい。化合物で含まれている場合の形態としては有機ケイ素および無機ケイ素などが挙げられる。有機ケイ素としては、ポリジメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリジメトキシシロキサンおよびポリジエトキシシロキサンなどが挙げられる。また無機ケイ素としては、テトラヒドロキシシラン、テトラヒドロキシジシラン、ポリシランおよびポリシロキサンなどが挙げられる。
【0012】
ポリイミドフィルムフイルムの少なくとも片面にケイ素元素を存在させる手段としては、フィルムの片面にシリコーンゴムロールを接触させることにより、シリコーンゴムから微量のケイ素をフィルム表面に転写する方法が採用される。
【0013】
本発明におけるポリイミドとしては特に限定されないが、好ましくは以下の酸二無水物とジアミンとから合成されるポリイミドである。
(1)酸二無水物
ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンジカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル、ピリジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−デカヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,5,6−ヘキサヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロ−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロ−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロ−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,8,9,10−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、および3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物など。
(2)ジアミン
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、3,4’−ジアミノジフェニルプロパン、3,3’−ジアミノジフェニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、ベンチジン、4,4’−ジアミノジフェニルサルファイド、3,4’−ジアミノジフェニルサルファイド、3,3’−ジアミノジフェニルサルファイド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、2,6−ジアミノピリジン、ビス−(4−アミノフェニル)ジエチルシラン、3,3’−ジクロロベンチジン、ビス−(4−アミノフェニル)エチルホスフィノキサイド、ビス−(4−アミノフェニル)フェニルホスフィノキサイド、ビス−(4−アミノフェニル)−N−フェニルアミン、ビス−(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン、1,5−ジアミノナフタレン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,4’−ジメチル−3’,4−ジアミノビフェニル3,3’−ジメトキシベンチジン、2,4−ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、p−ビス(2−メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス−(1,1−ジメチル−5−アミノペンチル)ベンゼン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、1,3−ジアミノアダマンタン、3,3’−ジアミノ−1,1’−ジアミノアダマンタン、3,3’−ジアミノメチル1,1’−ジアダマンタン、ビス(p−アミノシクロヘキシル)メタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3−メチルヘプタメチレンジアミン、4,4’−ジメチルヘプタメチレンジアミン、2,11−ジアミノドデカン、1,2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、2,2−ジメチルプロピレンジアミン、3−メトキシヘキサエチレンジアミン、2,5−ジメチルヘキサメチレンジアミン、2,5−ジメチルヘプタメチレンジアミン、5−メチルノナメチレンジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,12−ジアミノオクタデカン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキサジアゾール、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、N−(3−アミノフェニル)−4−アミノベンズアミド、および4−アミノフェニル−3−アミノベンゾエートなど。
【0014】
これらのポリイミドを合成する際に用いる溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルホルムアミド、およびジメチルスルホキシドなどが挙げられるが、これらに限定されない。また、ポリイミドを合成する際には、第三級アミン類に代表される各種触媒、有機カルボン酸無水物に代表される各種脱水剤などを適宜使用してもよい。
【0015】
本発明におけるポリイミドはフイルム状のものである。フイルムに成型する方法としては、例えばポリアミック酸などのポリイミド前駆体の状態でキャストしてフイルム状に成型し、その後に熱あるいは化学的に処理してイミド化する方法が挙げられるが、これらに限定されない。溶媒に可溶なポリイミドの場合には、イミド化されたポリイミドを適当な溶媒に溶解し、キャスト法によりフイルム成型することも可能である。また、熱可塑性ポリイミドの場合には、ポリイミドを溶融させた状態でフイルム成型させる方法も挙げられる。
【0016】
本発明のポリイミドフイルムの厚みとしては、1〜200μmが好ましく、より好ましくは5〜175μmである。フイルムは帯状の連続したものでもよく、適当な長さに裁断されたものでもよい。
【0017】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。なお、ケイ素元素の分析は次の方法により行った。
分析例(ESCA分析:X線光電子分析法)
分析装置としてはアルバックファイ製Quantum2000を用いた。測定条件としては、X線源AlKα、スポット径100μmφ、25W、スキャン面積250μm角で行った。検出された元素の組成比から、ケイ素のatomic%を算出した。
[実施例1]
ピロメリット酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを用い、ピロメリット酸二無水物218.1g(1mol)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル200.2g(1mol)とからなるポリイミドを、N,N−ジメチルアセトアミドを溶媒として、キャスト法により25μm厚のフイルムに成型した。この際、フイルムの片面をシリコーンゴムロールと接触させることにより、シリコーンゴムから微量のケイ素がフイルム表面に転写するようにした。得られたポリイミドフイルム表面のケイ素元素の含有量は0.6atomic%であった。
【0018】
このポリイミドフイルムを、デュポン(株)製“パイララックス”を用いて銅箔(三井金属鉱業(株)製電解銅箔3EC、厚さ35μm厚)とラミネートし、185℃×1時間で接着剤の硬化反応を行い、銅張り板を得た。得られた銅張り板から銅パターン幅が3mmとなるようにサンプルを切り出し、引張試験機(島津製作所(株)製S−100−C)により接着力試験を行った。接着力試験は、サンプル作製直後(初期)、及び150℃×14日間保存後について実施した。結果は表1に示す通りであり、良好な接着力を示した。
【0019】
【表1】
【0020】
[実施例2]
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを用い、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物294.2g(1mol)とパラフェニレンジアミン108.1g(1mol)とからなるポリイミドをN,N−ジメチルホルムアミドを溶媒としてキャスト法により25μm厚のフイルムに成型した。この際、フイルムの片面をシリコーンゴムロールと接触させることにより、シリコーンゴムから微量のケイ素がフイルム表面に転写するようにした。得られたポリイミドフイルム表面のケイ素元素の含有量は0.4atomic%であった。
【0021】
このポリイミドフィルムを実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、良好な接着力を示した。
【0023】
このポリイミドフイルムを実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、良好な接着力を示した。
[比較例1]
実施例1において、フイルムの片面をシリコーンゴムロールと接触させず、シリコーンゴムから微量のケイ素をフイルム表面に転写させない以外は、全て実施例1と同様にしてポリイミドフイルムを作製した。得られたポリイミド中にケイ素元素は含有しなかった。
【0024】
実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例2]
実施例2において、フイルムの片面をシリコーンゴムロールと接触させず、シリコーンゴムから微量のケイ素をフイルム表面に転写させない以外は、全て実施例2と同様にしてポリイミドフイルムを作製した。得られたポリイミドフイルム中にケイ素元素は含有されていなかった。
【0025】
実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例3]
実施例3において、フイルムの両面をシリカゲルを含有したゴムロールでスキージせず、微量のケイ素をフイルム表面に転写させない以外は全て実施例3と同様にしてポリイミドフイルムを作製した。得られたポリイミドフイルム中にケイ素元素は含有されていなかった。
【0026】
実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例4]
実施例4において、フイルムの両面をシリカゲルを含有したゴムロールでスキージせず、微量のケイ素をフイルム表面に転写させない以外は、全て実施例4と同様にしてポリイミドフイルムを作製した。得られたポリイミドフイルム中にケイ素元素は含有されていなかった。
【0027】
実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例5]
実施例1において、得られたポリイミドフイルム表面のケイ素元素の含有量を4.0atomic%にした以外は、全て実施例1と同様にポリイミドフイルムを作製した。
【0028】
実施例1と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例6]
実施例2において、得られたポリイミドフイルム表面のケイ素元素の含有量を5.0atomic%にした以外は、全て実施例2と同様にポリイミドフイルムを作製した。
【0029】
実施例2と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例7]
実施例3において、得られたポリイミドフイルム表面のケイ素元素の含有量を4.5atomic%にする以外は全て実施例3と同様にポリイミドフイルムを作製した。
【0030】
実施例3と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
[比較例8]
実施例4において、得られたポリイミドフイルム表面のケイ素元素の含有量を3.0atomic%にした以外は、全て実施例4と同様にポリイミドフイルムを作製した。
【0031】
実施例4と同様にして接着力試験を行った。結果は表1に示す通りであり、接着力は実用レベルではなかった。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のポリイミドフィルムは、少なくとも片面にケイ素元素が0.05〜0.6atomic%存在しているため、接着性に優れていることから、半導体や実装回路基板用途に幅広く使用することができる。
Claims (3)
- フィルムの少なくとも片面にシリコーンゴムロールを接触させることにより、シリコーンゴムから微量のケイ素をフィルム表面に転写してなるポリイミドフィルムであって、フィルムの少なくとも片面にケイ素元素が0.05〜0.6atomic%存在することを特徴とするポリイミドフィルム。
- フィルムの片面のみにケイ素元素が0.05〜0.6atomic%存在することを特徴とする請求項1記載のポリイミドフィルム。
- フィルムの両面にケイ素元素が0.05〜0.6atomic%存在することを特徴とする請求項1記載のポリイミドフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002331194A JP4521683B2 (ja) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | ポリイミドフイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002331194A JP4521683B2 (ja) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | ポリイミドフイルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004160897A JP2004160897A (ja) | 2004-06-10 |
JP4521683B2 true JP4521683B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=32808648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002331194A Expired - Fee Related JP4521683B2 (ja) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | ポリイミドフイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4521683B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100839760B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2008-06-19 | 주식회사 엘지화학 | 칩 온 필름용 동장 적층판 |
JP5167712B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-03-21 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド積層体の製造方法、ポリイミド積層体 |
JP5206310B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-06-12 | 東洋紡株式会社 | ポリイミドフィルム及びその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08120098A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-14 | Ube Ind Ltd | 改質ポリイミドフィルムおよび積層体 |
JPH08134234A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-05-28 | Ube Ind Ltd | 改質ポリイミドフィルムおよび積層体 |
JP2000085007A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-28 | Du Pont Toray Co Ltd | 二軸配向ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2000356713A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリイミド光波長板およびその製造方法 |
JP2001500552A (ja) * | 1996-09-13 | 2001-01-16 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー | 火炎処理方法 |
JP2001164006A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-19 | Du Pont Toray Co Ltd | ポリイミドフィルム |
JP2001233973A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-28 | Du Pont Toray Co Ltd | 粗面化芳香族ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2001247690A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 高分子フィルムシートの製造方法及びこれを用いた高分子フィルムシート |
-
2002
- 2002-11-14 JP JP2002331194A patent/JP4521683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08134234A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-05-28 | Ube Ind Ltd | 改質ポリイミドフィルムおよび積層体 |
JPH08120098A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-14 | Ube Ind Ltd | 改質ポリイミドフィルムおよび積層体 |
JP2001500552A (ja) * | 1996-09-13 | 2001-01-16 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー | 火炎処理方法 |
JP2000085007A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-28 | Du Pont Toray Co Ltd | 二軸配向ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2000356713A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリイミド光波長板およびその製造方法 |
JP2001164006A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-19 | Du Pont Toray Co Ltd | ポリイミドフィルム |
JP2001233973A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-28 | Du Pont Toray Co Ltd | 粗面化芳香族ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2001247690A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 高分子フィルムシートの製造方法及びこれを用いた高分子フィルムシート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004160897A (ja) | 2004-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4901125B2 (ja) | ポリイミド接着シート、その製造方法並びに該シートからなるポリイミド金属積層体 | |
TW201534462A (zh) | 金屬基板及其製作方法 | |
JPWO2008013288A1 (ja) | 耐熱性フィルム金属箔積層体、およびその製造方法 | |
KR101702128B1 (ko) | 금속화 폴리이미드 필름, 및 그것을 이용한 플렉서블 배선판 | |
JP2005067145A (ja) | 金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
JP4521683B2 (ja) | ポリイミドフイルム | |
JP2004130748A (ja) | 積層体 | |
JP2005142264A (ja) | 半導体実装用フィルムサブストレート | |
JP2008135759A (ja) | ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムを絶縁層として用いたプリント配線基板用ベース基板、多層プリント配線板 | |
KR102571970B1 (ko) | 금속 피복 적층판 및 회로 기판 | |
JP5129111B2 (ja) | 積層体の製造方法及び回路配線基板の製造方法 | |
JP2007141878A (ja) | 金属被覆ポリイミドフィルム | |
JP4721657B2 (ja) | ポリイミドベンゾオキサゾールフィルム | |
JP2011037157A (ja) | 金属箔ポリイミド積層体 | |
JP4821411B2 (ja) | 片面のみに熱融着性を有するポリイミドフィルム、片面銅張り積層板 | |
JP2008031470A (ja) | ポリイミド樹脂層の表面改質方法及び金属張積層板の製造方法 | |
JP2004237517A (ja) | プリント回路用基板及びそれを用いたプリント回路基板 | |
JP2004161937A (ja) | ポリイミド | |
JP2005125721A (ja) | 金属薄膜付きポリイミドフィルム | |
JP2007201442A (ja) | チップオンフィルム | |
JP2004107411A (ja) | ポリイミドおよびポリイミドフィルム | |
JP4126432B2 (ja) | ポリイミドフィルムの製造方法 | |
JP2004161938A (ja) | ポリイミド | |
JP4810984B2 (ja) | 金属被覆ポリイミドフィルム | |
JP2008211046A (ja) | チップオンフィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100301 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140604 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |