TWI316650B - Alkali cleaning agent - Google Patents

Alkali cleaning agent Download PDF

Info

Publication number
TWI316650B
TWI316650B TW094113060A TW94113060A TWI316650B TW I316650 B TWI316650 B TW I316650B TW 094113060 A TW094113060 A TW 094113060A TW 94113060 A TW94113060 A TW 94113060A TW I316650 B TWI316650 B TW I316650B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
alcohol
group
acid
weight
detergent
Prior art date
Application number
TW094113060A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200535574A (en
Inventor
Yasuhiro Yamada
Koji Kawaguchi
Original Assignee
Sanyo Chemical Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Chemical Ind Ltd filed Critical Sanyo Chemical Ind Ltd
Publication of TW200535574A publication Critical patent/TW200535574A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI316650B publication Critical patent/TWI316650B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2006—Monohydric alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2041—Dihydric alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2065—Polyhydric alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/06—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3227—Ethers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/16—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/18—Glass; Plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
    • C11D2111/46—Specific cleaning or washing processes applying energy, e.g. irradiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Description

1316650 16393pif.doc 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種用以去除附著於電子部件、金屬 牛及陶:£部件等部件上之油脂、_及微粒等的驗性洗 淨劑，更詳細地說，是關於—種用作液晶面板的垂直配向 ，㈣㈣(_是半誠和之_液，或是用作半導體元 件電路及液晶面板的半導體元件電路等電路製造時之光阻 'Φ 剝離液的鹼性洗淨劑。 【先前技術】 -直以來’驗性洗淨劑相較於中性洗淨劑，因為對於 » 趙、翻及微粒等的去除能力較為顯著，所以廣泛地使 在電子部件、金屬部件及_部解的生產現場。但是， 因為紹等非鐵金屬容易被驗性洗淨劑所腐姓，所以目前在 -部份或全部使射S之電子部料部件的洗淨方法，是不 會使用鹼性洗淨劑的。例如是電子部件，特別是液晶面板 ㈣亞胺配向膜’之前是水平配向型，隨著對廣視角之液 日日日面板的需求越來越強，垂直配向型的聚亞胺配向膜有增 •加的趨勢。如果是水平配向型的聚亞胺配向膜玻璃基板， • 在70全燒成(燒成溫度：約180艺）前的半燒成狀態，此時不 合格品可以N-曱基吡咯烷酮(N_methylpyrr〇lid〇ne)等溶劑 剝離其配向膜，且不會腐蝕鋁薄膜（内連線）。但是在配向 膜為垂直配向型的聚亞胺配向膜時，因為其在半燒成狀態 的時候，無法使用N-甲基吡咯烷酮等溶劑加以剝離，所以 須使用鹼性洗淨劑加以剝離，如日本專利申請案早期公開 5 1316650 16393pif.doc 第平6-306661號所述者。隹适调岈候，㈡砀敬喁丞販的鋁 薄膜（内連線）會被腐蝕，所以鋁薄膜的部分 行保護再進行洗淨，接著再以煙類溶劑等溶劑== 基板及鋁薄膜復原，或是將配向膜及鋁薄膜同時完全剝離 及溶解，而僅使基板復原。
此外，關於半導體元件電路等的製程，為了去除形成 時所產生的光阻殘留物，—直以來都是使用胺系剝 行。奸，胺㈣離劑具有腐錄板上的紹及鎮 2金屬内連線及金屬薄膜的問題。這個問題可以使用含 級銨氫氧化物、糖類的水溶液來解決，日本專利申 平Μ633 _述者’但是在光阻的剝離 =抑制金屬内連線的腐料兩方面，並無法同時完全滿 【發明内容】 部件。，先平方法及以此冼淨劑進行洗淨的電子 人1達成上述目的，積極研究而完成本發明。 ⑷、不含氮原子且數量平均劑’由驗性成分 多價醇類（B)、及選自不人氣 〜400的二〜八價之 62〜250的二價醇:含氮二數量平均分子量在 組成。 、子中至少一醇類(C)所 6 1316650 16393pif.doc 本發明提出一種洗淨方法，適用於 寺徵在於使用本發明的洗淨;:件以= 二洗淨、浸潰及浸 本發明提出一種電子部件、電器部件鋁 本發明的洗淨方法進行洗淨、沖洗後，乾u材’疋以
點洗淨劑具有蝴㈣是_賴性佳的優 ^如禮日日日©板㈣玻璃基板騎導體基板之紹内連 線、〉慮光部件不會受到破壞，且半燒成垂直配向聚亞胺膜、 ==在短時助被剝離及洗淨。因此，_配向_離 洗序製程(玻璃基板復原製程），不再是如習知般只能使玻 璃基板復原，還可以同時使!g内連線、濾光部材復原。
另外，本發明的洗淨劑在去除油份、指紋 粒的能力也是相當出色。 U ▲為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 明如下。 ' β 【實施方式】 在本發明中的鹼性成分(Α)’例如是(Α1)金屬氳氧化物 [鹼金屬氩氧化物（氫氧化鋰、氫氧化鈉及氫氧化鉀等）、鹼 土族金屬氫氧化物（氫氧化鈣、氫氧化鎂及氫氧化鋇等)]、 (Α2)碳酸鹽[鹼金屬碳酸鹽(碳酸鈉及碳酸钟等）、驗土族金 屬碳酸鹽(碳酸約、碳酸鎂及碳酸鋇等)]、（A3)填酸鹽[驗金 屬磷酸鹽（焦磷酸鈉、焦磷酸鉀、三聚磷酸鈉及三聚磷酸鉀 7 1316650 16393pif.doc Ϊ及ϊίΓ芳燒基(笨甲基及笨乙基等）、燒芳烴基(甲笨 土乙本基、壬苯基、甲萘基及乙蔡基等卜 及烯ί這些烴騎，以洗雜的難來看，較麵是烧基 / 以下同）。""數在24以下’會有較佳的洗淨性（或剝離性，
的炉^，m為烴基的時候，此烴基例如是與Ri相同 24以土下it白 也如同^若^^及^碳數在 4以下，會有良好的洗淨性。 山在舨式(2)中，R5例如是乙烯基、丙烯基及丁烯芙裳 石反數為2〜4的烯煙基。 土 若R5碳數在4以下，會有良好的洗淨性。p為卜6(較 為1〜3)的整數，若p在6以下，會有良好的洗淨性。 =驗(A7) ’例如是結合氮原子的下列⑴〜⑶的陽離 炽^氧氧化物陰離子的鹽及這些物質的混合物中至少一個 錢 錢 U)含有四個煙基的四級銨陽離子 含有四個碳數1〜6的烷基之四烴基銨，例如是四甲基 四乙基銨、四（正或異）丙基銨、四（正、異或三級）丁基 四戊基銨及四己基铵等。 含有二個碳數1〜6的烧基之四烴基銨，例如是三甲基 2基銨、三甲基辛基銨、三甲基癸基銨、三甲基十二烷基 銨、二甲基硬脂基(stearyl)録、三甲基笨曱基銨、三乙基己 基錄、二乙基辛基録、三乙基硬脂基銨、三乙基苯T基敍、 1316650 16393pif.doc 二丁基笨曱基銨、三丁基辛基銨及三己基硬脂基銨等。 含有二個碳數1〜6的烧基之四烴基敍，例如是二曱基 二辛基銨、二乙基二辛基銨及二甲基二苯甲基銨等。土
含有一個碳數1〜6的烷基之四烴基銨，例如是甲基三 辛基銨、乙基三辛基銨及曱基辛基二苯曱基銨等。土 (2)含有三個烴基的三級胺陽離子 一含有三個碳數1〜6的烷基之三烴基胺陽離子，例如是 三曱基胺陽離子、三乙基胺雜子及三了基胺陽離子等。 含有二個碳數1〜6的烷基之三烴基胺陽離子，例如是 二曱，辛基胺陽離子、三甲基硬脂基胺陽料、二乙基辛 基，陽離子、二了基辛基胺陽離子紅甲絲甲基胺陽離 子等。 含有一個碳數1〜6的烷基之三烴基胺陽離子，例如是 曱基二辛基胺陽離子、乙基二辛基胺雜子及曱 甲基胺陽離子等。 土 (3)含有二個烴基的二級胺陽離子 含有二個碳數1〜6眺基之二烴基輯離子，例如是 二曱基胺陽離子、二乙基胺陽離子、二丁基胺陽離子及二 己基胺陽離子等。 含有一個碳數1〜6的烷基之二烴基胺陽離子，例如是 曱基辛基胺陽離子、乙基辛基胺陽離子、T基辛基胺陽離 子、己基辛基胺陽離子、曱基硬脂基胺陽離子、甲基苯曱 基胺陽離子及乙基苯曱基胺陽離子等。 (4)含有一個烴基的一級胺陽離子 1316650 16393pif.doc 乙基炭數1〜Ο胺陽離子，例如是甲基胺陽離子、 土，=離子、丁基胺陽離子及己基胺陽離子等。 (有氧烯烴基的陽離子 胺陽^有：個氧烯烴基的陽離子，例如是經乙基三甲基 子、經丙基陽Γ、經丙基三曱基胺陽離 及經乙基二甲基辛基胺陽離子f基一甲基乙基胺陽離子 基胺子，㈣是二紅基二甲 脸陪雜工 一4乙基一乙基胺除離子、二羥丙基二甲基 胺_子、二經丙基二乙基胺陽離子、二經乙基甲美 =離子、二紅Μ基辛基輯料 = 辛基胺陽離子等。 w 含有三個氧_基的陽離子，例如是三經乙基ψ =陽離：'三經乙基乙基胺陽雜子、三經乙基丁基;： 基甲基胺陽離子、三經丙基乙基胺陽離子及 二搜乙基辛基胺陽離子等。 ^驗性成分⑷中，以洗淨性及沖洗的觀點來看，較 佳的是(A1)及(A7)。在(A1)中以洗淨性的觀點來看，較佳 的是驗金屬氫氧化物，更佳的是氫氧化納及氫氧化卸。在 (A7)中’以洗淨性及沖洗的觀點來看，較佳的是上述⑴及 (2)的鹽’更佳的是⑴的鹽’特別是含有四個碳數卜6的貌 基之四燒基錄氫氧化物’特佳的是四甲基錢氫氧化物及四 乙基銨氫氧化物。 上述的化合物，也可以混合使用。 1316650 16393pif.doc 在本發明中’不含氮原子且數量平均分子量為92〜4〇〇 [數量平均分子量以下略記為Mn，是以膠體透析層析儀 (Gel Permeation Chromatography ’ GPC)進行測定而得]的三 〜八價之多價醇類(B) ’例如是三〜八價的脂肪族多價醇類 (甘油、二髮曱基乙烧、三經甲基丙烧、二甘油、三甘油、 四甘油、五甘油、2-曱基甘油、丨，2, 4·丁三醇、甘蔗糖、 葡萄糖、果糖、核醣、麥芽糖、海藻糖、木糖 、丁四醇、 'φ 木糖醇、山梨糖醇、甘露醇、蔗糖等)及這些物質的氧化烯 基(碳數為2〜3)的附加物（附加之氧化烯基的數目為丨〜7個） 等。 在上述的物夤中，以洗淨性及沖洗的觀點來看，較佳 的是甘油、二甘油、三甘油及山梨糖醇。 在本發明中，不含氮原子且Μη為62〜250的二價醇 類(C1)，例如是二羥基烷類(碳數為2〜8的二羥基烷類：乙 一醇、1，2-丙烯乙一醇、1，3-丙稀乙二醇、1，4-丁二醇、 • 1，6-己二醇及新戊基乙二醇等）、脂環式二醇類（碳數為 6~15的二醇類.環己烧-1，2-、1，3-、1，4-二醇、環戊烧_1 . 2-、1，3-—醇及氫化雙紛Α等）、分子中含有一個峻基的二 醇類（二次乙基乙一醇及二丙烯乙二醇等）及這些物質的混 合物。(C1)的分子量較佳的是在62以上且未滿15〇的範圍^ 在本發明中，不含氮原子且Μη為32〜500的一價醇 類(C2) ’例如疋$厌數為1〜12的脂肪族醇類、此醇類中附力口 碳數為2〜4的烯烴基氧化物之化合物及這些物質的混人 物。碳數為1〜12的脂肪族醇類’具體來說，例如是曱醇α、 12 1316650 16393pif.doc ?醇、異丙醇及丁醇等。醇類中附加碳數為2〜4的 氧化物，化，例如是乙二醇單甲醚、二乙二醇單甲‘ 丙烯乙一醇單曱醚及乙二醇單丁謎等。 在(c)中’以洗淨性及耐腐躲雜點來看，較 (C1)'的乙二醇、丙稀乙二醇及二丙烯乙二醇、(C2)中的 乙二醇單甲喊、二乙二醇單甲越，更佳的是丙稀乙二醇及 二乙二醇單甲驗。
<關於本發明的洗淨劑，其中(A)、⑻及(c)的含量，以 洗淨性及耐腐錄的觀时看，以錄性成分⑷、⑻及 (C)的總重量為基準’（A)較佳的含量為〇.1〜25% (以下“％” 表示“重量V’），更佳為0.2〜15%，（B)較佳的含量為 1〜25%，更佳為2〜15%，（〇較佳的含量為60〜95〇/〇，更佳 為75〜93%。此外’（A)與出)的重量比，以洗淨性及耐腐蝕 性的觀點來看，較佳為10/90〜99A，更佳為20/80〜80/20。 在本發明的洗淨劑中，除了(A)、（B)及(C)以外，必要 時更可包括介面活性劑(D)、含有醯胺的親水性溶劑、 其他添加劑及/或水。 介面活性劑(D) ’例如是非離子介面活性劑(D1)、陰離 子介面活性劑(D2)、陽離子介面活性劑(D3)及兩性介面活 性劑(D4)及這些物質的混合物。但是，在(di)中，並不包 括(B)及(C)的範圍中之醇類。此外，在(D3)中，並不包括 一般式（1)所示的有機驗。 (D1) ’例如是烯烴基氧化物附加型非離子介面活性劑 [咼級醇類(碳數為8〜18)、烧基盼(碳數為1〇〜24)、高級脂 13 1316650 16393pif.doc
肪酸(碳數為12〜24)或高級烷基胺(碳數為8〜24)等中，直接 附加氧化烯基[碳數為2〜4 ’例如是氧化乙浠基(以下簡稱 EO)、氧化丙烯基、氧化丁烯基，以下同]的產物(Mn為 I58〜200,000);聚氧烯烴基乙二醇(Μη為150〜6,0〇〇)與高級 脂肪酸(碳數為12〜24)等反應的產物；於二醇類[上述(C1) ^所述的物質]或三〜八價的多價醇[上述(B)中所述的物質] 等含有羥基的化合物與高級脂肪酸(碳數為12〜24)反應所 得的酯化物上附加氧化烯基的產物(Μη為250〜30,〇〇〇)、 於高級脂肪酸(碳數為8〜24)_上附加氧化烯基的產物 (Μη為200〜30綱、在多價醇(上述的物質)烧基(碳數為 8〜60)醚上附加氧化稀基的產物(Μη $ 12〇〜处麵，及 3〜2G)型非料介多價醇脂肪酸 (厌數為8〜6_、多價脂肪酸烷基(碳數為8〜60)醚、脂肪 酸(碳數為8〜60)烷醇醯胺]等。 舳肪 例=_(碳數為8〜22的飽和或不飽和脂肪 ‘类ί及、的=基化合物㈣類[碳數為8〜16的脂肪族 物之心箄、]、附加物(附加數目1〜10)等的羧曱基化合 物之皿類朴硫酸自旨雜[高級醇硫酸酿 的脂肪族脂類之硫酸酯鹽類等）箄 Κ '、 ιολλ 寺）4]、咼級烷基醚硫酸酯鹽 類[妷數為8〜18的脂肪族脂類之£ ^ ： (# § K1〇) 續行硫酸化後再中和所得的鹽類;== (對不飽和脂肪酸的低級醇酯類'2 1曰 的鹽類）、硫酸化烯煙(對碳數為12τ^化後再中和所得 w㈣為12〜18 _烴類進行硫酸 1316650 16393pif.doc 化後再中和所得的_)、雜鹽[絲苯賴鹽 績酸鹽、續基琥#_型、α姻(碳數為12〜18)續酸土睡丁: 商^名)介面活_]及伽“旨鹽[高級醇(ΐ數 為8〜60)碟酸醋鹽、高級醇(碳數^ 8 =:垸_數朴爾^⑽加物的她 修例如是驗金屬（納、鉀等)鹽、驗土族金屬 ^ 2、= 錢鹽、烧基胺(碳數為1〜2〇)鹽及烧醇胺(碳 數為2〜12 ’例如是單 '二、三乙醇胺)鹽等。
(D3)，例如是第四級銨鹽型[四烷基(碳數為4〜 例如疋氯化十二烧基三甲基銨、氣化二癸基二甲基錢、 =化二辛基二甲基銨、漠化硬脂基三甲基銨；三絲(碳數 苯基錄鹽’例如是氣化十二烧基二甲基苯基辦氯 本？妙），院基(碳數為2〜6啊鹽’例如是氯化十六烧 定鹽’聚氧烯烴基(碳數為2〜4)三烴基錢鹽，例如是氯化 聚氧乙稀基二甲基銨；Sapamine型(商品名）四級銨鹽，例 如是硬脂醯胺乙基二乙基甲基錢的甲基硫酸鹽]、胺鹽型 [月曰肪無间級胺(石厌數為12〜6〇，例如是十二貌基胺、硬脂基 胺、十六烧基胺、硬化牛脂胺、松香胺等）的無機酸(鹽酸、 硫酸、硝酸及磷酸)鹽或有機酸(醋酸、丙酸、十二酸、油 酉夂、、安息香酸、琥ί白酸、己二酸、壬二酸)鹽；低級胺(碳 數為1〜11)的高級脂肪酸(碳數為12〜24，例如是硬脂酸、 油酸)鹽；脂肪族胺(碳數為1〜30)的ΕΟ附加物等的無機酸 (上述的無機酸)鹽或有機酸(上述的有機酸）鹽·，三級胺(三 15 1316650 16393pif.doc 乙醇胺單硬脂酸酯、硬脂醯胺乙基二乙基曱基乙醇胺等） 的無機酸(上述的無機酸)鹽或有機酸(上述的有機酸)鹽等] 等。 孤 ,(D4)，例如是氨基酸兩性界面活性劑[高級烷基胺(碳 數為12〜18)的丙酸鈉等]、甜菜鹼型兩性界面活性劑[烷基 (碳數為12〜18)二曱基甜菜鹼等、烷基(碳數為12〜18)二羥 乙基甜菜鹼等、椰子油脂肪酸醯胺丙基甜菜鹼等]、硫酸酯 # 冑型兩性界面活性劑[高級烧基(碳數為8〜1S)胺的硫酸g旨 鈉鹽、羥乙基咪唑啉硫酸酯鈉鹽等]、磺酸鹽型兩性界面活 I1 生劑（五癸基胺基乙績酸、咪唑琳績酸等）、填酸酯鹽型兩 • 性界面活性劑[甘油高級脂肪酸(碳數為8〜22)酯化物的磷 酸酯胺鹽]等。 在(D1)〜(D4)中，以洗淨性及耐腐蝕性的觀點來看，較 佳的是(D1)及(D2)，更佳的是(D1)。（D)的含量，以洗淨劑 的總重量為基準，較佳為1〜2〇%。 § 含有醯胺基的親水性溶劑（E)，在對水的溶解度 (g/l〇〇g的H20)在3以上，而分子中含有一個以上酿胺基 . 或水溶性醯胺，例如是2_吡咯烷酮及N-烷基（碳數為 1〜3)-2-鱗烧_等。在這些物質中，卩洗淨性及沖洗的觀 點來看’較佳的是N_曱基>比咯烷酮、N_乙基_2_吼咯烷 酮N-n-丙基-2-吼嘻烧酮及N-異丙基比洛烧酮，更佳 的是N-曱基-2-吡咯烷酮。（E)的含量，以洗淨劑的總重量 為基準，從洗淨性、清洗及耐腐餘性的觀點來看，較佳的 是在30%以下，更佳的是1〜2〇0/〇。 1316650pifd〇c 水的含量，以洗淨劑的總重量為基準，從洗淨性、、太 洗及耐腐蝕性的觀點來看，較佳的是在39。/。以下， '月 是1〜38%，特佳的是2〜30%。 ’更佳的 其他添加劑(F) ’例如是抗銹劑[胺(碳數為6〜3〇 是環己基胺、十二烷基胺、硬脂基胺等）的E〇附加例如 數目2〜10)、鉻酸鹽、亞硝酸鹽、胺(碳數為6〜3 脂肪酸(碳數為8〜30)鹽、二羧酸(碳數為12〜24)的浐=屬 (鈉、鉀等）鹽、銨鹽、或烷醇胺鹽(三乙醇胺鹽等卜二土酽 (碳數為12〜24)的烷醇醯胺(例如是十二烷基琥珀酸二乙醇 醯胺）、二羧酸(碳數為12〜24)的烷醇醯胺鹼金屬_(例如是 十二烧基琥珀酸二乙醇醯胺鈉鹽）等]、抗氧化劑&二 物(2, 6,-二+丁基-4-甲基酚等）、含硫化合物(雙十_产某硫 二苯胺丙酸鹽等）、胺化合物(辛基化二笨基^等)7二二二 物(三苯基亞構酸鹽等）等]、金屬離子螯合劑（乙歸四^ 酸鈉、擰檬酸鈉等）、有機酸(擰檬酸、乙醇酸、號拍酸、 酒石酸、乳酸、反丁烯二酸、蘋果酸、乙醯酸、丁^酸^吉 草酸、草酸、順丁烯二酸、杏仁酸等)及這些物質的：金; (鈉、鉀等）鹽、銨鹽或烷醇胺鹽(如三乙醇胺鹽）等。 (F)的含量，以洗淨劑的總重量為基準^銹劑通常在 20%以下，較佳的是〇.5〜10%，抗氧化劑通常在以下， 較佳的是0.1〜1%，金屬離子螯合劑通常在2〇%以下°，較隹 的是0.5〜10%，有機酸通常在20%以下，較佳的^ 〇 5二〇^〇。 以本發明洗淨劑的重量為基準’（D)、（e)&(f)合計的 含量，通常在40%以下，較佳的是在30%以下，更二的是 17 1316650 16393pif.doc 在20%以下。 本發明的洗淨劑在25°C時的黏度，通常在 2〜300mm2/s，從洗淨性及沖洗的觀點來看，較佳的是 3〜100mm2/s，更佳的是4〜5〇mm2/s。其中，黏度是以奥斯 瓦特(Ostwald)或烏貝路德（ubbelohde)等黏度劑進行測定。 本發明的洗淨劑，其適用的用途並無特別限定，可用 於各種t子部件及紹建材等進行洗淨，較佳的是用於電子 f 部件的洗淨’特別是廣泛地用在一部份或全部使用銘之電 子。卩件#。卩件的洗淨上^例如是液晶面板用的玻璃基板(配 向膜圖案化之前的洗淨、不符合配向膜的玻璃及洗淨）、半 ㈣基板、印刷電路板、㈣顯示玻璃基板、熱感應頭等 ρ子部件、空調冷卻膜、空氣清淨機的鋁電極板、電剃刀 =的，器部件、銘建材等。此外’洗淨的對象(汙垢）為油 分、指紋、樹脂、有機微粒等的有機物、無機微粒(例如是 玻，粉、陶瓷粉、金屬粉等）等的無機物。在本發明洗淨劑 馨 w這些洗淨對象中’特別適合用於液晶面板用的玻璃基板 軌淨(配向膜進行薄膜化前玻璃基板的洗淨，或配向膜為 不付合的玻璃基板的洗淨）。 本發明洗淨劑適用的使用方法，舉例來說，如液晶面 板用的玻璃基板的剝離及洗淨方法，為超音波洗淨、喷淋 (shower)洗淨、噴灑(Spray)洗淨、浸潰、浸潰搖動及這些方 法組合的洗淨方法。 進行洗淨時，本發明的洗淨劑在必要時以水進行稀釋 為佳，更佳的是水的含量在上述水的含量範圍内。 1316650 16393pif.doc 洗淨溫度，通常為10〜7〇t，較 淨時間通常是0.2〜120分，較佳的是〇5的是15〜60°C。洗 溫度通常是5〜9CTC，較佳的是1〇〜^〇。^〜30分。水的沖洗 述所適用的洗淨方法。沖洗後， ’沖洗的方法同上 中，較佳的是在60〜l〇〇°c的環境中吊、& 50〜15〇°C的環境 通常在1〜120分，較佳的是在3〜6〇，仃加，乾燥，時間
晶：板用的玻璃基板，如此即可使破:基乾淨的液 【實施例】 以下’以-實施例對本發明進行詳細說明，但此 例並不用以限^本發明。此外，關於以下的各部份，以質 量比(part by weight)表示。 、 〔實施例1〜8、比較例1〜4〕 表1中所記載的各部份(百分比表示）的各成分，在一 升的燒杯中，於室溫下充分地攪拌及混合，以製作出實施 例及比較例的洗淨劑。 表1中的代號說明如下： A-1 :氫氧化納 A-2 :四n-丁基銨氫氧化物 Α-3 :四乙基銨氫氧化物 Β-1 :甘油 Β-2 :二甘油 Β-3 :山梨糖醇 C-1 :丙稀乙二醇 C-2 .乙二醇 19 1316650 16393pif.doc 乙二醇單甲醚 C-3 示 實施例及比較例所得到的洗淨劑的評價方法如下所 評價結果如表1所示。 1. 配向骐剝離性
在預先行程ITO膜（銦錫氧化膜）的玻續基板 (25x25mm ’厚度為〇.75mm)上’塗佈聚亞胺樹脂。接著， 在80 C進行加熱黏附作業，重覆三次，即完成緊密黏附有 半燒性的垂直配向聚亞胺膜（膜厚5 μιη)的玻璃基板實驗 片。實驗片在洗淨劑(25。〇中，浸潰特定時間後，置於不 銹鋼網上，以離子交換水噴淋(shower)洗淨一分鐘後，對 1二面進行同樣的沖洗步驟。然後’實驗片在70。(：循環風 乾，機中乾燥十分鐘後，以顯微鏡觀察配向膜的韌離=， 接著給予五種等級的評價。 <評價基準> 玻璃基板表面的配向膜全部剝離。 4 玻璃基板表面的配向膜少部分殘留。 玻璃基板表面的配向膜一部分殘留。 玻璃基板表面的配向臈大部分殘留。 玻璃基板表面的配向膜全部殘留。 2. 光阻剝離性 醛-ίί英吋的矽晶片上’塗佈2陣厚的正光阻(可溶酚 、二脂）。接著，8(TC進行10分鐘的加熱黏附作-以\實驗片。實驗片在洗淨劑中，溫度為耽的^ ’ 下’浸漬特定時間後’以離子交換水喷淋(shQwer)洗= 20 1316650 16393pif.doc 分鐘。缝’實驗#在70 C的彳特風乾_巾乾燥十分鐘 後’以顯微鏡觀察光阻的剝離性，接著給予五種等級的 價。 。 <評價基準〉 5:晶片表面的光阻全部剝離。 4:晶片表面的光阻少部分殘留。 3:晶片表面的光阻一部分殘留。
2 :晶片表面的光阻大部分殘留。 1 ·晶片表面的光阻全部殘留。 3. 腐姓性 緊密黏附有鋁薄膜（膜厚Ο.ΐμπι)的玻璃基板實驗片 (25x25mm，厚度為〇.75mm)，在洗淨劑(40。〇中，浸潰特 定時間後，測定鋁薄膜完全消失而使實驗片變成透明的時 間’作為其腐蝕時間。 ' 4. 腐蝕性-2 銘實驗片（20><50mm，厚度為1mm)於洗淨劑中浸潰， 於5〇°c的環境中放置一週後，以純水沖洗。接著，在9〇t 的環境中，乾燥30分鐘後，測量其重量。腐蝕速度的算 以下式表示。 古 浸潰前的重量-浸潰厚的重量(mg) 腐蝕迷度(mdd)= -- 貫驗片浸潰部分的表面積X日數 1316650 16393pif.doc 【表1】 貫施 1 例 2 3 4 < C |比較 例 A A-1 4 / Ήτ- 2 4 3 4 A-2 - 3 - 4 4 2 爾 A-3 - - 3 - - - 3 6 4 4 B B-1 6 6 - 7 5 5 _ • 80 5 B-2 - - 3 - - _ _ . B-3 - - - - 2 5 5 C C-1 80 75 - - 85 _ 20 • • 80 C-2 - - - - - _ 40 C-3 - - 80 80 - 60 60 40 _ 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 其餘 分 析 值 L pH(10%水溶 液） 100 13.1 100 12.8 100 12.6 100 12.5 100 12.7 100 100 100 100 13.2 100 12.8 100 12.8 100 12.6 12.8 12.3 12.9 黏度（mm2 /ss25°C) 15 12 6 7 15 5 7 10 50 4 12 5 評 價 結 丨果 配向膜剝離性 (浸潰時間1 分） 5 4 5 4 5 4 5 5 3 2 2 2 (浸潰時間2 分） 5 5 5 5 5 5 5 5 3 2 2 2 (浸潰時間30 分） 5 5 5 5 5 5 5 5 5 4 4 4 光阻剝離性_ (浸潰時間1 分） 5 4 4 5 4 4 5 5 2 2 2 2 (浸潰時間2 分） 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 3 (浸潰時間30 分） 5 5 5 5 5 5 5 5 3 4 4 4 腐姓性（腐|虫 時間：hr) >36 >36 >36 >36 >36 >36 >36 >36 5 2 2 5 腐餘逑度 (mdd，50°C) 2 4 3 4 3 3 2 5 10 20 20 15 本發明的洗淨劑’因為具有較佳的鋁耐腐蝕性，且對 油分、指紋、樹脂及微粒有良好的去除能力，所以不僅可 22 1316650 16393pif.doc 、半導體用矽基板等電子部件的 部件、金屬部件及建材等的洗淨 用於液晶面板用玻壤 洗淨用途，也適用於電^ 用途，可利用性相當高。 然本發明已以較佳實露 蚊本發明，任何熟習此技藝者，在不脫料發 和輒圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之伴 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ’'嗖 【圖式簡單說明】 鼓。 【主要元件符號說明】 M. 〇 23

Claims (1)

1316650 16393pif.doc - 爲第94113060號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:98年8月21日 十、申請專利範圍： ^ ^ ^ 1.一種驗性洗淨劑，包括： ~~ 一驗性成分(A); 一多價醇類(B)，不含氮原子且數量平均分子量在 92〜400的三〜八價醇類；以及 至少一醇類(C)，選自不含氮原子且數量平均分子量在 62-250的二價醇類(C1)及不含氮原子且數量平均分子量在 32〜500的一價醇類(C2)所組成的族群，其中 該鹼性成分(A)為一般式⑴所表示的有機鹼，式中R1 為碳數1〜24的烴基，R2、R3及R4每一個為氫原子、碳數 1〜24的烴基或一般式(2)所表示的官能基，R5為碳數2~4 的烷撐基，p為1〜6的整數， R1 -R4 OH' (1) R2— N R3 (R5〇)p Ή (2) 以該鹼性成分(A)、該多價醇類(B)及該醇類(C)的總重 量為基準，該鹼性成分(A)為0.1〜25重量％，該多價醇類(B) 為1〜25重量％，該醇類(C)為60〜95重量％， 以該驗性洗淨劑的總重量為基準，水為2〜30重量％。 24 1316650 16393pif.doc 2. 如申請專利範圍第1頊戶斤述的驗性洗淨劑，其中該 鹼性成分(A)為烷基碳數為i成2的四烷基銨氫氧化物。 3. 如申請專利範圍第丨項所述的鹼性洗淨劑，更包括 下列物質中的至少一種：介面活性劑(D)、含有醯胺的親水 性溶劑(E)、抗錢劑、抗氧化劑、金屬離子螯合劑，以及水。 4. 如申請專利範圍第丄項所述的驗性洗淨劑，在50°C 時’鋁的腐蝕速度在lOmdd以下。 5. —種洗淨方法，適用於一電子部件、一電器部件或 一鋁建材，其特徵在於使用申請專利範圍第1項所述的鹼 性洗淨劑’以選自超音波洗淨、喷淋(shower)洗淨、喷麗 (spray)洗淨、浸潰及浸潰搖動中一種以上的方法進行洗淨。 6·如申請專利範圍第5項所述的洗淨方法，其中該電 子部件包括一玻璃基板或一石夕基板。 7·如申請專利範圍第6項所述的洗淨方法，其中該玻 璃基板或該矽基板為至少一部份使用鋁的基板。 25
TW094113060A 2004-04-30 2005-04-25 Alkali cleaning agent TWI316650B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004136096 2004-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200535574A TW200535574A (en) 2005-11-01
TWI316650B true TWI316650B (en) 2009-11-01

Family

ID=35187860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094113060A TWI316650B (en) 2004-04-30 2005-04-25 Alkali cleaning agent

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050245422A1 (zh)
KR (2) KR100617855B1 (zh)
CN (1) CN1693439A (zh)
TW (1) TWI316650B (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200732863A (en) * 2006-01-11 2007-09-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Detergent for lithography and method of forming resist pattern with the same
KR100768260B1 (ko) * 2006-05-12 2007-10-17 주식회사 휴나 목재 절삭용 수계 세정제 조성물
KR100928928B1 (ko) * 2006-06-30 2009-11-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 제조방법
JP5053592B2 (ja) * 2006-08-10 2012-10-17 関東化学株式会社 ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液
MY154929A (en) 2007-02-08 2015-08-28 Fontana Technology Particle removal method and composition
TWI446400B (zh) 2007-10-05 2014-07-21 Schott Ag Fluorescent lamp with lamp cleaning method
WO2009078123A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Sanyo Chemical Industries, Ltd. 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法
US8945316B2 (en) * 2008-02-07 2015-02-03 Fontana Technology Method for shaping and slicing ingots using an aqueous phosphate solution
KR20110018775A (ko) * 2009-08-18 2011-02-24 삼성전자주식회사 컬러 필터 박리용 조성물 및 이를 이용한 컬러 필터 재생 방법
US8119584B2 (en) 2010-07-19 2012-02-21 Rovcal, Inc. Universal aqueous cleaning solution for electric shavers
TWI457438B (zh) * 2010-09-06 2014-10-21 Chi Mei Corp Washing liquid composition and cleaning method
CN102443500B (zh) * 2010-09-30 2014-05-21 奇美实业股份有限公司 一种洗净液组成物及洗净方法
KR101269907B1 (ko) 2010-11-30 2013-05-31 주식회사 우진월드 전자기기 모니터용 피이티 필름의 재활용을 위한 박리제 조성물
JP5903228B2 (ja) * 2011-08-30 2016-04-13 東友ファインケム株式会社Ｄｏｎｇｗｏｏ Ｆｉｎｅ−Ｃｈｅｍ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 洗浄剤組成物及びそれを用いた液晶表示装置用アレイ基板の製造方法
KR101358448B1 (ko) * 2011-11-23 2014-02-06 극동제연공업 주식회사 음이온성 계면활성제 및 주석산을 포함하는 자동차 유리 세정액 조성물
KR101837780B1 (ko) * 2012-07-19 2018-03-12 동우 화인켐 주식회사 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물
KR101370983B1 (ko) * 2012-11-08 2014-03-07 하동균 Pet 기재 상의 ito 막으로 형성되는 터치센서패널의 세정제 조성물
CN104099193A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 东莞市剑鑫电子材料有限公司 水基型玻璃清洗剂、制备方法及其在手机镜片清洗中的应用
KR102028484B1 (ko) 2014-02-14 2019-10-04 동우 화인켐 주식회사 반응성 메소젠 유기배향막 제거용 조성물
KR102360224B1 (ko) 2015-02-16 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 세정용 조성물
US9404069B1 (en) 2015-06-12 2016-08-02 Crossford International, Llc Systems and methods for cooling tower fill cleaning with a chemical gel
US10030216B2 (en) 2015-06-12 2018-07-24 Crossford International, Llc Systems and methods for cooling tower fill cleaning with a chemical gel
CN105274543B (zh) * 2015-09-29 2017-11-07 惠州英乐威表面处理科技有限公司 一种碱性除蜡水
JP6813596B2 (ja) 2016-05-23 2021-01-13 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 半導体基板からフォトレジストを除去するための剥離組成物
CN106753844A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 芜湖乐普汽车科技有限公司 玻璃基板清洗剂的制备方法
CN106867694A (zh) * 2016-12-29 2017-06-20 芜湖乐普汽车科技有限公司 玻璃基板的清洗方法
CN108693717A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物
KR20220005037A (ko) 2019-04-24 2022-01-12 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 박리 조성물
CN110317489B (zh) * 2019-07-29 2022-06-24 蓝思科技（长沙）有限公司 一种褪镀液及褪镀工艺

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2906590B2 (ja) * 1990-06-14 1999-06-21 三菱瓦斯化学株式会社 アルミニウム配線半導体基板の表面処理剤
JPH05203926A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子
TW263531B (zh) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
JP3755776B2 (ja) * 1996-07-11 2006-03-15 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法
JP2001262384A (ja) * 2000-03-21 2001-09-26 Lion Corp 水性液体金属洗浄剤
TWI295076B (en) * 2002-09-19 2008-03-21 Dongwoo Fine Chem Co Ltd Washing liquid for semiconductor substrate and method of producing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200535574A (en) 2005-11-01
KR20050105105A (ko) 2005-11-03
KR100617855B1 (ko) 2006-08-28
KR100617854B1 (ko) 2006-08-28
KR20050105084A (ko) 2005-11-03
CN1693439A (zh) 2005-11-09
US20050245422A1 (en) 2005-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI316650B (en) Alkali cleaning agent
JP5428859B2 (ja) 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法
TWI513815B (zh) 供附有金屬佈線之半導體用清洗劑
TWI440711B (zh) 鹼性非離子型界面活性劑組合物
CN109135945A (zh) 环保中性除锈剂
JP5417095B2 (ja) 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法
EP0698660A2 (en) Detergent composition for hard surface
KR101087087B1 (ko) 수계 세정제 조성물
CN110158107A (zh) 一种用于金属抛光件的除蜡水及其制备工艺
KR101847208B1 (ko) 평판표시장치용 세정제 조성물
JP2009040828A (ja) ウエハ又は板状物の洗浄剤組成物
JP2010109329A (ja) 電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法
JP2013216832A (ja) カルシウムスケール用洗浄剤組成物
JP2004002778A (ja) アルカリ洗浄剤
JP4903242B2 (ja) 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
JP2010077342A (ja) 水溶性洗浄剤組成物
WO2012070308A1 (ja) 硬質表面用液体洗浄剤組成物
CN106191887A (zh) Cmp后清洗液组合物
TW200911981A (en) Semiconductor etch residue remover and cleansing compositions
TW201221638A (en) Hard surface liquid cleaner composition
JP2006008932A (ja) アルカリ洗浄剤
JP2012044118A (ja) 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
JP5203637B2 (ja) レジスト、エッチング残渣、及び金属酸化物をアルミニウム及びアルミニウム銅合金を有する基板から除去する方法及び組成物
JP5073266B2 (ja) 液体洗浄剤組成物
JPH10168493A (ja) 硬質表面用アルカリ性洗浄剤

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees