TWI306234B - Driving circuit including shift register and flat panel display device using the same - Google Patents

Description

1306234 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種平面顯示裝置之驅動電路，尤其關於具有 . 移位暫存器之驅動電路以及使用該驅動電路之平面顯示装置。 . 【先前技術】 陰極射線管(CRT)已經廣泛應用於如電視機和監視器等顯示 裝置。然而，陰極射線管有一些缺點，例如，隨著顯示面積的增 φ 大，其重量增大，體積變大而且驅動電壓也增高。因此，具有重 ‘ 量輕、功耗低等優良特性的平面顯示(FPD)裝置，例如液晶顯示 (LCD)裝置’電漿顯示面板(PDP)裝置以及電激發光顯示氏ld)裝置 是最近一段時間研究的主題。 一般’液晶齡裝置包含有兩個基板，其各自的電極彼此相 對。液晶層位於各電極之間。當電壓加載到兩個電極上時即產生 一個電場。電場透過重新定触晶分子來調製液晶層的光傳輸， φ 從而在液晶顯示裝置中顯示圖像。 平面顯不裝置，如液晶顯示裝置包含有一個電路單元，用以 將RGB(Red、G職、Blue)f料和外部驅動祕的控制信號轉換 為相應的電信號，以及-個使用電信號顯示圖像的顯示面板。通 常，電路單元形成於—個與顯示面板不㈣基板上，且其還包含 有一個閘極驅動器和一個資料驅動器。 最近’-種主動矩陣型顯示面板正被廣泛使用，其複數個晝 素區域排列成矩降，且其開關單元如薄膜電晶體()在每個畫素 1306234 區域處形成。薄膜電晶體透過重覆光刻製程來製造。當晝素區域 的薄膜電晶職造出來後’軸電路的—部分即可以在晝素的外 圍區域形成。由於·鶴電路可叫分形成麵軸板上而不需要 ·.增加光刻製程，因此可以降低製造成本。特別是，—個有相對較 -低驅_率的酿驅動s可以麵示面板上職並具有較高可靠 性。 第1圖為先驗術中主動矩陣型液晶顯示裝置的示意圖。在 _ 第1圖中’主動矩陣型液晶顯示裝置包含有―個液晶面板3，一個 資料驅動積體電路(IC)1和-個閘極驅動積體電路2。液晶面板3 包含有兩塊基板和位於二者之間的液晶層。複數條資料線“DL1，， 到“DLn”和複數條閘極線“GL1”到“GLm”在液晶面板3上形成以定 義複數個畫素區域，並且每個晝素區域處的薄膜電晶體(TFr)與閘 極線和資料線相連。資料驅動積體電路1將資料信號透過複數條 資料線“DL1”到“DLn”加載到薄膜電晶體上，同時閘極驅動積體電 .· 路2依序將閘極信號透過複數條閘極線“GL1”至“GLm”加載到薄 膜電晶體上。薄膜電晶體依照閘極信號將資料信號加載到各晝素 區域。 包含有移位暫存器和閂鎖器的資料驅動積體電路1依照一個 資料移位時脈來移動一個資料位流，並同時依照一個資料輪出有 效信號將與一條閘極線相對應的資料信號加載到複數條資料線 “DU”至“DLn”。包含有複數級的閘極驅動積體電路2依照一個閘 1306234 極起始脈衝(GSP)將閘極信號順序的加載到複數條閘極線“Gl〗，,到 “GLm” 〇 第2圖所示為先前技術中主動矩陣型液晶顯示裝置的閘極信 „ 號的時序示意圖。在第2圖中，當一個閘極起始脈衝(Gps)加載到 ·、 一個閘極驅動積體電路2(於第1圖中)後，閘極驅動積體電路2(第 Ϊ圖中)開始依序向複數條閘極線“GLm_2，，、‘‘GLm_l”和“GLm，，(第i ，圖中)加載閘極信號“VGLm-2，，、“VGLm-r，和“VGLm ”。相對應地， • 與複數條閘極線相連的複數個薄膜電晶體(TFT)依序開啓，而與_ 條閘極線相對應的資料信號被同時加載到與所選·線相連的晝 素區域。 閘極驅動賴電路2(第i圖)包含有複數轉位暫存器用以依 序輪出閘極信號。當複數個移位暫存器包含有一個非晶石夕㈣骑 膜電晶體時’非祕薄膜電晶體會因為受到長時間的高直流(DC) 偏壓而損電晶體的損壞可能會導致_驅動積體 電路2(第1圖)的故障。 第3圖所示為先前技術中液晶顯示裝置的移位暫存器第N級 ^路示意圖，而第4 _示為驅動第3财移位暫存器的信號 的^3序示意圖。 在第3圖和第4财，移位暫存器的第N級包含有第一到第 a^(TFT) ： ； £tcLKr，fij CLK4’ ’且一起始信號“VsW，被輸入到第n級。各個薄膜電晶 1306234 體均為非晶矽(a-Si)薄膜電晶體(TFT)。 起始信號“V罐，和第四時脈“CLK4”被分聽人到第一薄膜 電曰曰體T1和第—薄膜電晶體“T2,，。移位暫存器第阳)級的輸出 ' Ν 信HN”。當起始信號“Vst-N”的 '同電壓和第mxA“CLK4”被加載到第一薄膜電晶體“ΤΓ，和第二 薄膜電晶體“T2”時，第一薄膜電晶體“T1，，和第二薄膜電晶體“T2” _破開啓，且-個Q節點依照起始信號“Vst_N”被充電。因此，起始 ，信號“Vst-N”的高電壓使Q節點自舉。起始信號“Vst_N，，和第四時 脈“CLK4”互相同步。相應地’當第一時脈“CLK1，，的高電壓輸入到 第六薄膜電晶體“T6”時，Q節點產生高電壓以開啓第六薄膜電晶 體“T6，，，而且第-時脈“CLK1，，的高電壓被作為第N級的輸出信號 ‘Vout-Ν”輸出。第N級的輸出信號7〇亦怀，可以被用作第(N+1)級 的起始信號“Vst-(N+iy，。 -然後.富第一¥脈‘CLK2”的南電塵輸入到第四薄膜電晶體 • T4 4，弟四薄膜電晶體“T4”被開啓，並且源電壓“vpD”的高電 壓被加載到QB節點。結果，第三薄膜電晶體“T3”被開啓同時Q 節點放電。 在移位暫存器中，第一到第七薄膜電晶體“T1，，到“Τ7，，有不同 的偏壓應力。由於偏壓應力引起臨界電壓的漂移，所以第一到第 七薄膜電晶體“Τ1”到“Τ7”有不同的臨界電壓。臨界電壓的不一致 性降低了薄膜電晶體的可靠性。特別是，由於依照qB節點的電 10 1306234 壓‘尊，開啓和關閉的第三和第七個薄膜電晶 ^下拉單喊树，所以，姐了輪_ j Tr被用 的過程中，在第三和第七薄膜電晶㈣，，和的-個框 壓應力.。結果，在第三和第七薄 處4了單向偏 界電壓的漂她使綱咖現了臨 =的可靠性’_晶體特性的變化如臨界電壓的漂： -丨小两无則衩術中包含有一個下拉 的第四薄膜電晶體及其信號的示意圖。 、夕立暫存器 ^ 5 , +，.-«f ,^G，,, 从-個諸‘D”。-個第三時脈“CLK3，，和—個源電壓“窗, 被竭口載到閑極“G，，和汲極“D，，上。源減qb節點相連。當第

-e^CLKB^ - f , ^ t^t£VDD„ffQB 即點電l‘‘VQB”的高電舰分別加_嫩‘D,,和源極“S”上。相 應地’在祕“G”和雜“S”u爾駐物他‘g，，祕極▼ ^間的電1差被最小化。這樣，由於電駐引起的應力相對較小， 這狀態可以被稱為低偏壓應力情況。 【發明内容】 鑒於以上的問題，本發明的主要目的在於提供一種具有改進 的對比度和改進的色澤再現性的連續模式液晶顯示裝置及其驅動 方法，這觀麵裝置在相雜低的溫度下可以獲得 11 1306234 更好的顯示品質。 因此，為達上述目的，本發明所揭露之一平面顯示裝置之驅 動電路包含有複數級的移位暫存器，其包含有：一第〜薄膜電曰 體，其用來接收前一級之一輸出電壓，且其與一 Q節點相連，該 第—薄膜電晶體具有一二極體結構使該第一薄膜電晶體之一閘= 與-沒極相連；-第二薄膜電晶體’其位於該Q節點和一供給電 壓終端之間’該第二_電晶體係賴τ—級之—知電壓吨 行開關’一第二奇數薄膜電晶體，其位於一奇數源電壓終端和一 ,〇節點之間，該第三奇數薄膜電晶體有一二極體結構使該第三 可數薄膜電晶體之-閘極與一及極相連；一第三偶數薄膜電晶 體，=位於-偶數源電壓終端和_ QB_e節點之間，該第三偶數薄 膜電晶體有—二極體結構使該第三偶數薄膜電晶體之1極與— =極相連’―第四薄膜電晶體，其位於—第—時脈終端和本級— /出電壓終端之間’該第四薄膜電晶體係依照該q節點之一電壓 以執行開關；—第五奇數薄膜電晶體，其位於該QB-。節點和雜 終端之間，該第五奇數薄膜電晶||係依照該Q節點的該電 供仏忠仃開關，—第五偶數_電晶體，其位於該QB_e節點和該 終端之間，該第五偶數薄膜電晶體係依照該Q節點的該 該^諸订開關，一第六奇數薄膜電晶體，其位於該QB-〇節點和 二:”屋終端之間’該第六奇數薄膜電晶體係依照該奇數源電 k端以執行咖；—第六偶數_電跡其位於該QB_e節點 12 1306234 和該供給電壓終端之間，該第六偶數薄膜電晶體係依照該偶數源 電壓終端以執行開關；1七奇數義電晶體，其位於該Q節點 ^供給電祕端之間，該第七奇數薄膜電晶體係依照該 :點的餘以執订開關；_第七偶數薄膜電晶體，其位於該卩 :㈣餅電壓終端之間，該第七偶數薄膜電晶體係依照該 即點的電壓以執行開關；一第八奇數薄膜電晶體，其位於 該本級的該輸出電壓終端和該供給電壓終端之間，該第八奇數薄 ^體係依照該QB_G節點的該電壓以執行_ ;及—第八偶數 ,膜電曰曰體’其位於該本級的該輸出電屋終端和該供響 =該第八偶數__依照QB___‘

本發明所财之平确稍H 的移位暫存器’其包含有：十薄膜侧， 級之-輸出電壓，曰甘跑。… 、用來接收前〜 體結構使Π、〜、 連’該薄膜電晶體有〜二招 _ 。_電晶體之—閘極與-沒極相連；—當—° 電曰曰體其位於該Q節點和一供給電墨終端之間，該第…薄螟 晶體係依照該下一級的一輸出電壓以執行開關；一第一 ^_電 薄膜電晶體’其位於—奇數_終端和_ ^數第- ，_電晶體有一二極體結構使該;三：第，第 曰日體之一閘極邀—^ , 薄輿雷 於該奇數源電壓:第^奇數第二薄膜電晶體，其位 、、，、端和該QB-o卽點之間，該第三奇數 从 木〜缚輿電 13 1306234 晶體係依職ϋ·_―電壓以執行開關.一 薄膜電晶體，其位於該第—節點和該供给電壓第二奇數第三 奇數第二薄膜電晶體係依照該Q節點的—電题、之間’該第三 ..三奇數第四薄膜電晶體，其位於該第關；一第 .間，該第三奇數第四薄膜電晶體係依照該前―级: 之 執行開關；-第三偶數第—薄膜電晶體；J該輪出電壓以 端和一 Q心節點之間，該第三偶數第—薄膜:2數源響終 構使該第三偶數第-_電晶體之、=有—二極體結 偶數第二_電，其位於顧_電^^^目連；一第三 開關，·-第第三薄膜電晶體，其位^_以執行 =之間’該第三偶數第 執仃開闕；一第三偶數第四薄膜電晶體，h 的一 點和該供給電壓終端之門，_ θ /、位於該第二節 一該輸咖_行:=3=_照該 弟-時脈終麵本級—細電_ /、4’其位於- 依照該Q節點的―電塵以執、:該第四薄膜電晶體係 位於娜，和該供工數薄膜電晶體，其 係依照該Q節點的該魏錢行開關二f五奇數薄模電晶體 其赌該QB-e節點和該供給 弟：數薄联電晶題’ 體係依照該Q節點的該電屋以執=，該第五偶數薄膜電晶 執仃開闕’―第六奇數薄獏電晶 14 1306234 體，其位於該QB_。節點和該供給電壓終端之間，該帛六奇數薄膜 電晶體係依照該前級的雜出電屢域行卩·;—第六偶數薄膜 電晶體，其位於該QB_e節點和該供給電壓終端之間，料六偶數 薄膜電晶體係依照該前級的該輸出縣以執行開闕，·一第^奇數 薄膜電晶體’其位於該q節點和該供給電壓終端之間，該第七奇 數薄膜電晶體係依照該QB_〇節點的一碰以執行開關二第七偶 數薄膜電晶體，其位於該Q節點和該供給賴終端之間七 偶數薄膜電晶體係依照該QB_e _，以執行開關^第八 奇數_晶體，其位於本級的該輸出電墨終端和該 端之間，鶴騎數_電晶體係健該QB_q__以執 ===^咖咖，纟辑_繼電壓終 端之間’該第八偶數薄膜電晶趙係依照該 即點的該電壓以執行開關。 本發明所揭露之另—平面顯示裝 •:r 其一第 - -極料鹿 連，該第—薄膜電晶體有 二薄_體，其位科Q節極與，相連；一第 薄膜電晶體係依昭下壓終端之間，該第二 第-箄㈣曰 纟輪出電壓以執行開關；一第三奇數 第雜電曰曰體，其位於一奇數源 只从 奇數弟一薄臈電晶體有—二極體結構使該第三奇數第一薄 15 1306234 ^電曰日體之-雜與1極相連；—第三奇 其位於該奇數麵终端和該QB_。節點之間，該第體 膜電晶體係依照一第—節點的以執行開關.f # :電晶體’其位於該第-節點和，^ 薄膜㈣係依照該Q節點的，以執行開關Γ: 可數弟四薄膜電晶體，其位於該第一節點和該供 山弟― Ϊ第四薄_體係依照該偶數源電壓以執行:關:-第二偶數苐一薄膜電晶體，其位於一偶數源終辦 # 點之間1第三偶數第-薄膜電晶體有—二極體結構使該Q第三: 數第-薄膜電晶體之-閘極與_汲極相連； 二+ 電晶體，其位於該偶數源電壓終端和該QB-e節點 =數第:溥膜 數第二_電晶體係依照-第二節點的電壓以執^該第三偶 :數第，電晶體’其位於該第二節點和該供 θ該第二可數第二薄膜電晶體係依照該^節點— 開關；-第三偶數第四薄膜電晶體，其位於該第二—顧以執行 電壓終端之㈣第三偶鄕___依;^和該供給 以執行開關；-第四薄膜電晶體，其位於—第」、Γ可數源電壓 —輸出電壓終端之間，該第四薄膜電晶體係依照端和本級 壓以執仃開關；-第五奇數薄膜電晶體，其位於p點的-電 供電壓終端之間，該第五奇數2節點和該 節點和Ί 堡以執行開關；一第五偶數薄膜電晶體，其位於該QBsep點的該電 16 1306234 供電祕端之間，該第五偶數薄祺電晶體係依照該Q節點的該電 壓以執行關；—第六奇數薄膜電晶體，其位於該QB·。節點和該 供給電壓終端之間’該第六奇_膜電晶體係依_前級的該輸 出電壓以執行開關；-第六偶數薄膜電晶體，其位於該咖節點 =該供電壓終端之間，該第六偶數薄膜電晶體係依照該前級的該 輸出電壓以執行開關；一第七奇數薄膜電晶體，其位於該Q節點 和該供電壓終端之間，該第七奇數薄膜電晶體係依照該颂〇節點 y域行開關；一第七偶數_電日日日體，Q _ 電壓終端之間，該第七偶數薄膜電晶體係依照該QB_e節點 =崎测;-第八奇數薄膜電晶體，其位於本峨 輸出電壓終端和該供給賴終端之間，該第 依照該QB-〇節點的該賴以執 #膜電曰曰體係 體，其位於本級的該輸出電壓==膜=曰 節二：=該# 本發明所揭露之一平面顧 器，其包含有··-第一薄膜電％ T動電路之複數級移位暫存 點充電；—第二薄臈電晶體=昭t照—起始频對1節 電壓對該(3_放電. 、餘暫存錢的-輪出 a —上拉單元，其依照該Q節點之-雷靨描 加本級移位暫存器之一輪出電I· -奇數下拉單i魏增 QB-o節點之一電壓 下拉早7C，其依照— 電屢；一偶數下拉單元，特日”降低該本級移位暫存器的該輪出 其依照一啦節點之一電塵在一偶框中 17 1306234 降低該本級移位暫存器的 一〜 其與該QB-o節點相連，_ 〜弟二奇數薄膜電晶體， 々逆孩弟三奇數薄膜電晶體 收,帽極 即點相連，該第三偶數薄膜 …該QB-e -偶數源電壓。 θθ體的閘極和-汲極相連並接收 =明_露之-平_示裝置之购電路之移存 =有.一第一薄膜電晶體，其有一閘極和-及極，均盘一^ :端相連；—第二_電晶體’其有—閘極和-祕，鱗 :奇3電壓終端相連…第三薄膜電晶體，其有—閘極和二 Π 源電壓終端相連;及-第四薄膜電晶體，其連接 曰％脈終端和該移位暫存器級之—輪出節點之間，該第一薄膜 電晶體之i極與該第四薄膜電晶體之一閑極相連。 、 明如=本發侧植與實作’賊合圖式作最佳實施例詳細說 【實施方式】 以下將依照附圖詳細説明本發明之最佳實施例。 卜==有_卿拉單蝴位物的職，建_ 用個移^子器辛包含有兩個下拉單元，其中薄模電晶體特性 的差異如界電壓漂移被降低。 單元的第移6位 1所力示為本發明實施例中液晶顯示裝置包含有兩個下拉 料的移位暫存器的第『級的電路示意圖，而第7圖為驅動第6 18 圖中移位歸 在第6陶、 薄膜電晶體(TFTm,，* 個移位暫存器的第N級包含有第一 體“T3o”、第：俚“第—薄膜電晶體“T2”、第三奇數薄膜電晶 “Τ4〇”、第四偶數薄^電晶體“况、第四奇數薄膜電晶體 第五偶數薄膜電晶體‘、‘T5晶體“T4e，，、第五奇數薄膜電晶體“ T5〇”、 電晶體“T7e”和第七“/、第六薄膜電晶體“Τ6，，、第七偶數薄膜 六薄膜電晶物此外’—個Q節點在第 膜電晶體“Β。，，和第七而一個QB_〇節點在第三奇數薄 OBe 1 _電晶體“T7。，，關極處形成，-個 晶體“❿，，和第七偶數薄膜 T7e的閘極處形成。 =一到第叫脈“CLK1”耽LK4”和-個起始信號“v祕”輸 =?。每一個薄膜電晶體都是非晶鱗薄膜電晶體 ._。此外’移位暫存器的第N級包含有一個奇數下拉單元，其 摩包含有第三奇數薄膜電晶體“T3〇”和第七奇數薄膜電晶體“丁 7〇”， 乂及侧禺數下拉單元，其包含有第三偶數薄膜電晶體“祝，和第 七偶數薄膜電晶體“T7e，，。相應地，由多個框使其交替具 的奇數源徘‘卿_。，，和偶數源輕“VDD-e”被加_奇數和偶 數下拉單元。例如’奇數源糕“VDD_。，，在奇框_財高電麼 而偶數源電“VDD-e”在偶框期間具有高電塵。第一到第四時脈 “CLK1”到“CLK4”以及起始信號“Vst_N，，有著與第4圖相同的波 19 1306234 形。 起始信號“Vst-N”以及第四時脈“⑽，，分別被輸入到第一薄 _晶體“ΤΓ和第二薄膜電晶體“T2，，。移位暫存器(圖未示出出) 的第㈣級的輸出信號被用作第Ν級的起始信號H，。當起始 k t‘vst-N”和第四時脈“CLK4”的高電壓被加载到第—薄膜電晶 體“T1”和第二薄膜電晶體“T2，，時，第一薄膜電晶體“τι，，和第二薄 .膜電晶體Τ’，被開啓，並且Q節點依照起始信號“Vst_N”被充電。 •結果’起始信號“V耐，的高電壓自舉Q節點。起始信號“Vst-N” 與第四時脈“CLK4”相互同步。相應地，當第一時脈“CLK1„的高電 壓輸入到第六薄膜電晶體“T6”時，Q節點的高電壓開啓薄膜電晶 體Τ6 ’並且第一時脈“CLKr’的高電壓作為第ν級的輸出信號 V〇Ut-N”被輸出。第N級的輸出信號‘Vout-N，，被用作第(N+1)級(圖 未示出出）的起始信號“Vst_(N+i)，，。 然後’當第三時脈“(XK3，，的高電壓被輸入到第四奇數和偶數 鲁薄膜電晶體“T4o”和“T4e”時，第四奇數和偶數薄膜電晶體“丁4〇”和 T4e被開啓’且奇數和偶數源電壓“VDD-〇”和“VDD-e”分別被加 載到QB-o和QB_e節點。由於奇數和偶數源電壓“和 “VDD-e”按框交替出現一個高電壓，第三奇數和偶數薄膜電晶體 “T3o”和“T3e”被交替開啓。結果，q節點在奇框期間和偶框期間 分別透過第三奇數薄膜電晶體“T3〇”和第三偶數薄膜電晶體，，T3e，， 放電。 20 1306234 “Τ7ο”在ί 2 一可數薄膜電晶體“T3〇”和第七奇數薄膜電晶體 + Μ間和偶框期間交替被高偏壓和低偏壓偏置。此外， 、-偶數;I _a體“况和第七偶數薄膜電晶m”在奇框期 間和偶«_被低偏壓和高偏壓偏置。相應地，由於奇數和 拉單疋的薄膜電晶體上的高偏壓所引起的偏置被低偏壓補 償。

$然而，即使奇數和偶數下拉單元的薄膜電晶體的偏置被補 仏，移位暫存器長時間的運行降低了第四奇數薄膜電晶體“Τ4〇”和 ‘第四偶數薄膜電晶體“T4e”的特性。例如，第四奇數薄膜電晶體 。和第四偶數薄膜電晶體“T4e，，_界電壓^現漂移，同時臨 界電1的漂移改變了 QB_。節點和QB_e節點的有效電壓。 第8 ®所示為本發明實施例中第四奇數薄膜電晶體、第四偶 數薄膜電晶體以及包含有兩個下拉單元_位暫存器的信號示意 圖。 在第8圖中，每一個第四奇數薄膜電晶體‘？4〇，，和第四偶數薄 膜電晶體“T4e”都有-個間極“G”，一個源極“s，，和一個沒極“d”。 第二％脈“CLK3”被加載到第四奇數薄膜電晶體“T4〇”和第四偶數 薄模電晶體“T4e”的閘極。奇數源電塵“奶〇_〇，，和偶數源電壓 分別被加載到第四奇數薄膜電晶體“T4〇，，和第四偶數薄膜 電晶體“T4e，，的汲極。奇數源電壓‘£VDD_〇，，在奇框期間冑高電壓而 在偶框期間有低霞。反之，偶數源餘“VDD.e”在奇框期間有低 21 丄3〇6234 數薄膜電晶e ”有低電壓，低電壓被加载到第四偶 “CLK3，，W e _“S，’以及汲極“D”。然後，當第三時脈 、阿電壓加載到第四偶數薄膜電晶體4 時，第四偶數的閑極G” 、B曰體4e的閘極“G”和源極“S，，之間的電壓差 甲極“G，，和及極“D，，之間的電壓差被最大化。由於電壓差 的偏置相對較高，這一情況被稱為高偏壓狀態，且偏置引起第 :偶：_晶體“一 ^ =咖，第四奇數薄膜電晶體“T4。她^ 弟四可數薄膜電晶體“Τ4〇”的特性發生改變。 2減小祕喊則拉單元巾薄膜電晶料性的變 匕^議制_f晶體具有·和汲極相連的二極體 位暫存器。 第9圖所不為本發明另—實施例中平面顯示裝置的移位暫存 盗的弟Μ級的電路示意圖。 在第9圖巾移位暫存器的第Μ級包含有第一薄膜電晶體 TFirn^ a ^.T2„ ^ ^ 二偶數薄膜電晶體“T3e”、第四薄膜電晶體“τ4,，、第五奇數薄膜 電晶體“况’、第五偶數_晶體“ T5e ”、第六奇數細電、 取，、第六偶數薄膜電晶體“ T6e ”、第七偶數薄膜電晶體“ π,、 弟七奇數涛膜電晶體“Πο”、第八奇數薄膜電晶體‘‘衡，和第八偶 22 1306234 數薄膜電晶體T8e”。q節點紐第四薄膜電晶體“T4，，的閘極處， 而QB-o gP點位於第七奇數薄膜電晶體‘‘丁7。，，和第八奇數薄膜電晶 體T8〇的閘極處，且QB_e節點位於第七偶數薄膜電晶體“丁>，， 矛苐偶數薄膜電曰曰體W’的閘極處。N〇ut亂點位於第四薄膜電 bb體#第A可數薄膜電晶體“T8。”之間以及第四薄膜電晶體 “Τ4”和第八偶數薄臈電晶體“T8e，，之間。

第-到第―脈“CLK1”到“ CLK4”和起始魏“ Vs· ’可以輸 入到第M級。每—個_電晶》可以是非晶雜_Si)薄膜電晶體 (TFT)。此外’移位暫存器的第M級包含有—個奇數下拉單元，其 包含有第七奇數薄膜電晶體“T7。，，和“奇數賴電晶體“τ8〇”， 以及個偶數下拉單元’其包含有第七偶數薄膜電晶體“乃e，，和第 八偶數薄膜電晶體“T8e”。相應地，按框交替出現高電壓的奇數源 電壓‘〇，，和聽_壓“響e，，齡_於奇數和偶數下拉 單元。例如，魏源龍“VDD·。，，在奇框_有高賴而偶數源 電壓“彻#在偶框_有高電壓。第_^ “CLK4”以及起始信號“v蝴”有著與第4圖_的波形。 起始信號“Vst_M”被輸人到第-薄膜電晶體“τι”。移位暫存 的第則級(圖未示出）的輸出信號被用作第μ級的起始作: “Vst-M”。當起始信號“Vst_M”的高電壓被加_第〜薄膜電曰° 時，、第—薄輯㈣“T1，，娜，同B#Q軸依照起始= Vst-M”被充電。結果’起始信號“Vst_M，，的高電壓自舉q節氣 23 1306234 第四薄膜電晶體“T4”的閘極。相應地，當第一時脈“CLK1，，的高電 壓輸入到第四_電晶體“T4”時’ Q節點有高電壓以開啓第四薄 膜電晶體“Τ4，，，並且第一時脈“CLK1”的高電壓作為第μ級的輸出 ^ 信號‘，被輸出。第Μ級的輸出信號‘vout_M，，被用作第_1} • 級(圖未示出）的起始信號“Vs_+1)”。第四薄膜電晶體“T4”可被 用作輸出兩電壓的上拉單元。 癱在第一時脈“CLK1”後移位暫存器的第(M+1)級(圖未示出）的 ，輸出信號‘VouHM+l)”被輸入到第二薄膜電晶體“T2”以將Q節點 放，。奇數源電壓“VDD-o”和錄源電壓“分別被輸入到第 二可數薄膜電晶體“丁3〇”以及第三偶數薄膜電晶體“Μ。每個第 二奇數薄職晶體“ T3。”以及第三偶數薄膜電晶m”都有問極 ‘和沒極相連的二極體結構。相應地，在奇框中，奇數源電壓 VDD 〇的冋電壓被加載到第三奇數薄膜電晶體叮的閉極和 癱源極，而偶數源電壓“VDD-e的低電壓被加載到第三偶數薄膜電晶 '體“T3e”的閘極和没極。此外，在健中，奇數源電壓‘‘狐〇,，的 低電壓被加載到第三奇數薄膜電晶體“况的閘極和沒極，而偶數 、’、電（VDDe的同電壓被加载到第三偶數薄膜電m”的閑 極和汲極。 在奇框期間，由於奇數源電壓“卿_〇”透過qb_〇節點加載到 第八奇數薄膜電晶體“W,的問極，第八奇數薄膜電晶體“T8〇”被 開啓，同時Nout節點被放電。例如，當起始信號W,即移 24 1306234 位暫存器第(M‘ 1)級的輸出信號‘v〇ut(M·!)，，，透過第—薄膜電晶體 “τι”輸入到第五奇數薄膜電晶體“T5o，，時，具有奇數源電壓 VDD-o”高電壓的qb-o節點被放電。由於第五奇數薄膜電晶體 “T5o”被起始信號“Vst_M，，開啓，QB_〇節點被放電。由於奇數源電 壓VDD-〇”的高電壓也加載到第六偶數薄膜電晶體的閘 極，第六偶數薄膜電晶體“T6e”被開啓，同時QB-e節點被放電。 相應地，第八偶數薄膜電晶體“ T8e”在奇框期間被關閉，從而也就 避免了高偏壓的情況。 在偶框期間，由於偶數源電壓VDD-e”的高電壓被透過QB_e 郎點加載到第八偶數薄膜電晶體“T8e”的閘極，第八偶數薄膜電晶 體“T8e”被開啓，同時Nout節點被放電。例如，當起始俨號 “Vst-JVT ’即移位暫存器第(M-1)級的輸出信號、加⑷)”，被透 過第一薄膜電晶體“T1”輸入到第五奇數薄膜電晶體“T5〇”時，具有 偶數源電壓VDD-e”高電壓的QB-e節點被放電。由於第五奇數薄 臈電晶體“T5o”被起始信號“Vst-M”開啓，QB_〇節點被放電。由於 偶數源電壓VDD-e”的高電壓也加載到第六奇數薄膜電晶體“T6〇，， 的閘極，第六奇數薄膜電晶體“Τ6ο”被開啓，同時QB_〇節點被放 電。相應地’第八奇數薄膜電晶體“T8〇，，在偶框期間被關閉，從而 也就避免了高偏壓的情況。在移位暫存器的工作中，由於包含有 第七奇數薄膜電晶體“T7。，’和第八奇數薄膜電晶體“T8。，，的奇數 下拉單元以及包含有第七偶數薄膜電晶體“ T7e，，和第八偶數薄膜 25 1306234 電晶體‘w的偶數下拉單元按框交替運行，在奇數和偶數下拉單 元上由於高電1所產生的偏置被低電壓釋放。 再次提及-個奇框，偶數源電塵“獅_e的低電壓被加裁到第 三偶數_晶體‘取’，的_和沒極。此外，由於奇數源電厚 “VDD-。，，的高電壓開啓了第六偶數薄膜電晶體“旅，，從而導^ QB_e節點放電，e _有低電壓，且脱節點的低簡被加 載到第三偶數薄膜電晶體“T3e，，的源極。結果在奇框期間，低電壓 被加載到第三偶數薄膜電晶體“仏，，的閘極、祕和源極。類似 地，在偶框期間，低電壓被加載到第三奇數薄膜電晶體“T3o，，的閘 桎及極和源極。由於只有低電壓分別在偶框加载到第三奇數薄 膜電曰曰體Τ3ο、在奇框期間加載第三偶數薄膜電晶體‘奴”，言 ，在第三奇數薄膜電晶體“T3〇”和第三偶薄膜電晶體‘‘丁心 使用壽命。 因此’ k向了移位暫存器的穩定性和 弟10圖所示為本發明另—實 _ ^ 器的第Μ級的電路示意圖。B例中千面顯不裝置的移位暫存 翁暫存剛Μ晰有第—薄膜電晶體 )1 —賴電晶體“Τ2,，、第三薄膜電晶體、第 膜電晶體“Τ5。，，、第五偶數薄 第七偶膜電晶體“Τ6。,，、第六偶數薄膜電晶體“T6e”、 涛膜笔晶體“T7e”、第七奇數薄膜電晶體“Τ7〇”、第八奇 26 1306234 數薄膜電晶體“Τ8ο”和第八偶數薄膜電晶體“T8e”。第三薄膜電晶 體可包含有第三奇數第一薄膜電晶體“T3〇1，，到第三奇數第四薄膜 電晶體“13〇4”以及第三偶數第一薄膜電晶體“T3el，，到第三偶數第 ^ 四薄膜電晶體“T3e4”°Q節點位於第四薄膜電晶體“T4”的閘極處， 而QB-o節點位於第七奇數薄膜電晶體“T7〇”和第八奇數薄膜電晶 體Τ8ο的閘極處，且QB_e節點位於第七偶數薄膜電晶體 •和第八偶數薄膜電晶體“T8e”的閘極處。Ncmt f點位於第四賴電 _曰曰曰體“T4”和第八奇數薄膜電晶體“T8o”之間以及第四薄膜電晶體 “Τ4”和第八偶數薄膜電晶體“ T8e，，之間。 第-到第四時脈“CLK1，，到“CLK4，，和起始信號n，可以被 用於第M、級。每-個薄膜電晶體都可以是非晶石夕㈣)薄膜電晶體 (TFT)。此外’移位暫存器的第M級包含有一個奇數下拉單元，其 包含有第七可數薄膜電晶體“T7〇”和第八奇數薄膜電晶體“丁8〇”， •以及-個爐下料元，其包含有第七減細電aBa^“T7e”和第 ,·八偶數薄膜電晶體“T8e”。相應地，按框交替具有高電壓的奇數源 電壓“VDD·。”和偶數源顏“獅<”被分_騎數和偶數下拉 單元。例如，奇數源電壓“奶〜”在奇框期間有高健而偶數源 電£ VDDe在偶框期間有高電屢。第一到第四時脈“〔匕幻，，到 “CLK4”以及起始信號“Vst_M，，有著與第4圖相同的波形。 起始信號“Vst智，被輸入到第一薄膜電晶體“τι”。移位暫存界 的第(關糊未示_輸出信號被用作第Μ級的起始信二 27 1306234 田起始仏號Vst-M”的高電塵被加載到第一薄膜電晶體 ‘‘T1”時，、第—_電晶體“T1”被開啓，同時Q節點依照起始信號 Μ被充f ^果，起始信號“Vst_M”的高電壓自舉Q節點及 •第四_晶體“仰，的閘極。相應地，當第—時脈“CLK1，，的高電 '壓輸入到第四薄膜電晶體“T4”時，Q節點有高電壓以開啓第四薄 膜電‘曰曰體T4 ’並且第一時脈“CLK1，，的高電壓作為第m級的輸出 信號、痛”被輸出。第M級的輸出信號‘v〇u财，被用作第_) 着級(圖未示出)的起始信號“Vst_(M+1)，,。 在第-時脈“CLK1”後移位暫存器第_)級(圖未示出）的輸 ά信輸人到第二薄膜電晶體“T2，’以將Q節點放 電。奇數源電壓“卿_0，，和偶數源電壓分別被輸入到第三 可數第一薄膜電晶體“ Τ3ο1，，以及第三偶數第一薄膜電晶體 T3el °每個第二奇數第一薄膜電晶體“丁3〇1 ”以及第三偶數第一 .雜電M“T3el”都有閘極和&極树的二極體結構。相應地， _在可框期間’奇數源電堡“VDD-o”的高電麗被加載到第三奇數第 -薄膜電晶體“13〇1”關極和汲極，而偶數源電壓的低電 壓被加載到第三偶數第一薄膜電晶體“乃^，，的閘極和汲極。此 外，在偶框期間，奇數源電壓“VDD—o”的低電壓被加載到第三奇 數弟一薄膜電晶體“T3ol”的閘極和汲極，而偶數源電壓的 咼電壓被加載到第三偶數第一薄膜電晶體“T3el，，的閘極和汲極。 起始信號“Vst-M”也加載到第三奇數第四薄膜電晶體“T3〇4，， 28 1306234 和第三偶數細_a赠3e4，，的閘極以開啓第三 膜電晶體™，，和第三偶數第四薄膜電晶體·。相應地，:! 起始枱唬Vswvr有高電壓時 … 田 第三偶數第二薄膜電曰曰體“T3 2可賴電晶體“T302，，和 寬曰曰體T3e2的閘極被放電。此外，由於起始 信號‘，’也透過第一薄膜電晶體‘‘τι，，加載到第三奇數㈣ 膜電晶體伽”和第三偶數第三薄膜電晶體“加,，的閘極，第三 奇數第二薄膜電晶體“T3〇3” 弟—偶數弟二溥膜電晶體“T3e3”被 開啓’且弟三奇數第二薄膜電晶體‘‘T3。純^ 晶體嘗，的閘極更在起始信號“输，有高_時被放電專、電 1框躺，奇數源電壓“伽_。，，的_被加翻第三奇 “T3ol” ’且奇數源電壓“卿_〇”的古 薄膜電曰曰體 〇的同電壓被加载到第三奇數第二 薄膜電晶體“Τ3〇2”的閘極以開啓第三奇數 y 了矛 ^ > 弟一薄膜電晶體 “Τ3〇2。相應地，________ 被充電到奇數源電屋“VDD-o”的高電屋。纟士要 、、'°衣’第八奇數薄膜電 晶體“Τ8。，，侧啓，料NGUt _放電。鉍•號“_，:被 輸入到第五奇數薄膜電晶體叮5〇”時，具有奇數源電屢概高

電壓的㈣節點被放電。由於起始信號“⑽，，的高㈣被加Z !；第六偶數綱·T6e，，娜娜^㈣膜電晶體 T6e ’ QB-〇節點被放電。同時，偶數源“处知，的低電壓被 加載到第三偶數第-薄膜電晶體“加，，輪，侧第三偶數 29 1306234 第一薄膜電晶體“T3el”以及第三偶數第二薄膜電晶體“T3e2”。相 應地，QB-e節點沒有被充電，且第八偶薄膜電晶體“T8e，，在奇框 期間被關閉。結果，在奇框綱，第簡數義電晶體“T8e，，中的 咼偏壓情況也被避免。 在偶框期間，由於偶數源電壓VDD-e”的高電壓被加载到第三 偶數第-相電晶體“加，，的閘極以開啓第三偶數第_薄膜電晶 體“T3el”’從而將偶數源電壓“，，的高電壓加綱帛三偶數第 二薄膜電晶體“T3e2”的閘極以開啓第三偶數第二薄膜電晶體 T3e2。相應地，qB_〇節點被充電到偶數源電壓“的高電 [同時’第八偶數薄膜電晶體“T8e，，被開啓從而將N〇ut節點放 電。當起始信號“Vst-M”被輸入到第五偶數薄膜電晶體“仏”時， 具有奇數源電壓“VDD_e，，高電壓的QB_e節點被放電。由於起始信 號[的南電壓被加載到第六奇數薄膜電晶體“T如，，的閘極以 開啓第/、可數_電晶體“t6q”，QB_G節點被放電。同時，奇數 源電£ VDD·。’的低電壓被加載到第三奇數第—薄膜電晶體 T301的閘極’以關閉第三奇數第—薄膜電晶體“T3g1”以及第三 可數第_；!膜電晶體“T3q2”。相應地，在偶框躺qb_。節點沒有 被充電第A奇薄膜電晶體“T8。，’被關閉。結果，在偶框期間， 第八奇數薄膜電晶體“ Τ8〇，，中的高偏屋情況也被避免。 “”暫存器的操作中，由於包含有第七奇數薄膜電晶體 Γ7ο和第八可數薄膜電晶體“丁8〇”的奇數下拉單元和包含有第七 30 1306234 偶數薄膜電晶體“T7e”和第八偶數薄膜電晶體“ T8e，，的偶下拉單元 按框交替林’由於高電壓在奇數和偶數下拉單元咐起的偏^ 在相反框期間被低電壓釋放。 再次提及奇框，偶數源電壓“VDD-e”的低電壓被透過開啓的第 三偶數第-薄膜電晶體“T3el，，加載到第三偶數第二薄膜；晶體 “❿2’’的閘極和汲極。此外，由於起始信號“Vst_M”的高電壓開戌 了第六偶數薄膜電晶體“T6e”導叫如節點放電，⑧力節點^ 電壓且QB-e節點的低電壓被加載到第三偶數第二薄膜電晶體 “T3e2”的源極。結果在奇框_，低賴被加载卿三偶數=二 薄膜電晶體“T3e2”的閘極、沒極和源極。類似地，在偶框期間^ 低電壓被加載到第三奇數第二薄膜電晶體“T3〇2，，的間極、祕和 源極。由於在偶框和奇框_只有低賴分別域· 二薄膜電晶體“T3o2”和第三數偶第二薄膜電晶體“T3 =二第生二薄_體“ Τ3。2她 的穩定性和線纖。目此，提高了移位暫存器 „…第11圖卿為本發明另—實施射平面_裝置中移位暫存 态的弟Μ級的電路示意圖。 存 在第η圖中，移位暫存器的第Μ、級包含有第 (ΤΡΤΓΤΓ，' ^ 晶體“T4”、第五奇數薄膜電晶體叮5。 弟四電 乐五偶數溥膜電晶體 31 1306234 “T5e”、帛六奇數薄膜電晶體“Τ6〇”、第六偶數薄膜電晶體“T6e”、 第七偶數薄膜f晶體“T7e，，、帛七奇數薄膜電晶體“T7〇，，、第八奇 數薄膜電晶體“Τ8ο”和第八偶數薄膜電晶體“T8e”。第三薄膜電晶 . 體可包含有第三奇數第一薄膜電晶體“ T3〇1，，到第三奇數第四薄膜 • 電晶體Τ3〇4’以及第三偶數第一薄膜電晶體“T3el”到第三偶數第 四薄膜電晶體T3e4” ’ Q節點位於第四細電晶體“T4，，的閘極 處，而QB-o節點位於第七奇數薄膜電晶體“Τ7ο”和第八奇數薄膜 •電晶體“Τ8〇”的閘極處，且QB_e節點位於第七偶數薄膜電晶體 “T7e”和第八偶數薄膜電晶體“T8e，，的閘極處。价也冑點位於第四 薄膜電晶體“T4”和第八奇數薄膜電晶體“T8〇”以&第四薄膜電晶 體“Τ4”和第八偶數薄膜電晶體“ T8e，，之間。 第-到第四時脈“CLK1，，到“CLK4,，和起始信號“細从’可以被 用於第Μ級。每一個薄膜電晶體都可以是負⑼型非晶石夕㈣)薄 .膜電晶體(TFT)。此外，移位暫存器的第Μ級包含有一個奇數下拉 •單元，其包含有第七奇數薄膜電晶體“ Τ7〇，，和第八奇數薄膜電晶體 Τ8ο，以及-個偶數下拉單元，其包含有第七偶數薄膜電晶體 “T7e”和第八偶輯膜tM“T8e”。減地，麵交#的具有高 電壓的奇數源電壓“VDD-o”和偶麟電壓“仰心”被分別用於奇 數和偶數下拉單元。例如，奇數源電壓“奶〇_〇”在奇框期間有高 電壓而偶賴電壓“VDD_e”在偶框_有高賴。$ _到第四時脈 “CLK1”到“CLK4”以及起始信號“Vst_M，，有著與第4圖相同的波 32 1306234 形。 起始信號“Vst-M”被輸入到第一薄膜電晶體“T1，，。移位暫存器 的第(Μ-1)級(圖未示出）的輸出信號被用作第Μ級的起始信號 ^ “Vst-M”。當起始信號“Vst-M”的高電壓被加載到第一薄膜電晶體 • “T1”時’第一薄膜電晶體“T1”被開啓，同時Q節點依照起始信號 “Vst-IVT被充電。結果，起始信號“Vst-ϊνΓ的高電壓自舉q節點及 . 弟四薄膜電晶體“T4”的閘極。相應地’當第一時脈“CLK1”的高電 ，壓輸入到第四薄膜電晶體“T4”B夺，Q節點有高電壓以開啓第四薄 膜電晶體“T4”’並且第一時脈“CLK1”的高電壓作為第M級的輸出 信號‘Vout-M”被輸出。第Μ級的輸出信號‘Vout-M，，被用作第(M+1) 級(圖未示出)的起始信號“Vst-(M+1)”。 在第一時脈“CLK1”後移位暫存器第(M+1)級(圖未示出）的輪 出信號4eVout-(M+l)”被輸入到第二薄膜電晶體“T2”以將q節點放 • 電。奇數源電壓“VDD-o”和偶數源電壓“VDD-e”分別被輸入到第三 ® 奇數第一薄膜電晶體“Τ3ο1”以及第三偶數第一薄膜電晶體 “T3el”。每個第三奇數第一薄膜電晶體“Τ3ο1”以及第三偶數第— 薄膜電晶體“T3el”有閘極和没極相連的二極體結構。相應地，在 奇框期間’奇數源電壓“VDD-o”的高電壓被加載到第三奇數第一 薄膜電晶體T3ol”的閘極和沒極，而偶數源電壓“VDD-e的低電壓 被加載到第三偶數第一薄膜電晶體“T3el”的閘極和汲極。此外， 在偶框期間，奇數源電壓“VDD-o”的低電壓被加載到第三奇數第 33 1306234 薄膜電晶體“Τ3οΓ的閘極和沒極，而偶數源電塵“y^e的高電 £被加载到第二偶數第—_電晶體“加，，的間極和汲極。 與第9圖中移位暫存器的第Μ級相反，偶數源電壓“VDD-e” 也被加载到第二奇數第四薄膜電晶體“T3〇4，，的間極，且奇數源電 £ VDD-〇被加載到第三偶數第四薄膜電晶體“τ3β4，，的閘極。相應 地’第三偶數第二薄膜電晶體“T3e2，，的閘極在一個奇框期間被透 過第二偶數第四薄膜電晶體“T3e4”放電，且第三奇數第二薄膜電 晶體“T3 〇2”的閘極在偶框細被透過第三奇數第四薄膜電晶體 T3o4放電。結果，第三偶數第二薄膜電晶體“T3e2，，在奇框期間 被關閉且帛三奇數f二細冑晶體“T3q2，，在麻_被關閉。此 外，由於起始信號“Vst-Μ+Γ被透過第一薄膜電晶體“T1，，加載到第 二奇數第三薄膜電晶體“T3 〇3 ’’以及第三偶數第三薄膜電晶體 “T3e3”的閘極，第三奇數第三薄膜電晶體“T3〇3，，以及第三偶數第 二薄膜電晶體“T3e3”被開啓，而當移位暫存器的第(Μ+1)級(圖未 示出)的輸出信號‘VouKM+l)，，有高電壓時，第三奇數第二薄膜電 晶體“T3o2”以及第三偶數第二薄膜電晶體“ T3e2”的閘極被放電。 在奇框期間，奇數源電壓“VDD_0，，的高電壓被加載到第三奇 數第一薄膜電晶體“Τ3〇Γ的閘極以開啓第三奇數第一薄膜電晶體 T3ol，且奇數源電麼“VDD-o”的高電屢被加載到第三奇數第二 薄膜電晶體“Τ3〇2”的閘極以開啓第三奇數第二薄膜電晶體 “Τ3ο2”。相應地’ QB-o節點和第八奇數薄膜電晶體“Τ8〇”的閑極 34 1306234 被充電到奇數源電壓“VDD-o”的高電壓。結果，第八奇數薄膜電 晶體“TSo”被開啓同時Nmit節點被放電。當起始信號“ν_，，被透 過第-薄膜電晶體“τι”輸人到第五奇數薄膜電晶體“ T5〇，，時，具有 奇數源電壓“VDD-o”高電壓的QB_0節點被放電。由於起始錢 _ Vst_M”的南電麵加制第六偶數_電晶體“T6e，，的閘極以開 啓第六偶數薄膜電晶體“T6e，，，QB-〇氣點被放電。同時，偶源電 .壓“谓的低電壓被加載到第三偶數第-薄膜電晶體“加，，的 鲁職，以關閉第三偶數第-薄膜電晶體“丁Μ”以及第三偶數第二 薄膜電晶體“T3e2，，。相應地，QB_e節點沒有被充電，且第八偶數 薄膜電晶體“T8e”在奇框期間被關閉。結果，在奇框期間，也避免 了第八偶數薄膜電晶體“ T8e”中的高偏壓情況。 麵框跡由於偶數源輕“卿<的高f壓被加載到第三 偶數第-薄膜電晶體“T3el，，的閘極以開啓第三偶數第一薄膜電晶 體因此可將偶數源賴“尊e，，的高賴加載到第三偶數 ‘第二，電晶體“T3e2”的閘極以開啓第三偶數第二薄膜電晶體 、相應地，QB-〇節點被充電到偶數源電壓“犯&，，的高電 壓，並且第八偶數薄媒電晶體“T8e，，被開啓從而將N⑽節點放電。 f起始錢“V賴，，透過第—細電晶體“Tl，，被輸人到第五偶數 薄膜電晶體“T5e，，時，具有偶數源電壓“嫌e，，高電壓的QB_e節 點被放電。由於起始信號“Vst_M”的高電壓被加載到第六奇數薄膜 電晶體“Τ6ο”的閉極以開啓第六奇數薄膜電晶體“τ6〇”，讲。節點 35 1306234 被放電。同時，奇數源電壓“VDD_〇，，的低電塵被加载到第三奇數 第-薄膜電晶體“T3〇l”的間極，以關閉第三奇數第一薄膜電晶體 “T3〇l”以及苐三奇數第二薄膜電晶體“Τ3()2，、相應地，節點 * 沒有被充電，且第八奇數薄膜電晶體“T8〇”在偶框期間被關閉1 ' 果’在偶框期間，也避免了第八奇數薄膜電晶體“T8〇”中的高偏^ 情況。 ° 癱 在移位暫存器的操作中，由於包含有第七奇數薄膜電晶體 •叮7〇”和第八奇數薄膜電晶體“TS〇”的奇數下拉單元和包含有第曰七 偶數薄膜電晶體“ 77e，，和第八偶數薄膜電晶體“取”的偶數下拉單 元按框交替工作，高電壓在奇數和偶數下拉單元所引起的偏置^ 相反框期間被低電壓釋放。 一再次提及奇框，偶數源電壓“VDD-e”的低電壓被透過開啓的第 偶數第帛膜電晶體“T3el”加載到第三偶數第二薄膜電晶體 鲁_極和汲極。此外，由於触錢，，的高電壓開啓 ^第“偶薄膜電晶體“T6e”導致QB_e節點放電’㈣節點有低電 壓且QB-e節點的低電壓被加載到第三偶數第二薄膜電晶體 的雜。結果在奇框姻’低電壓被加制第三偶數第二 專膜電曰曰體丁3e2”的閘極、没極和源極。類似地，在偶框期間， I:壓被加载到第三奇數第二薄膜電晶體 “T3o2,’的閘極、汲極和 j ΐ於在偶框和奇框期間只有低賴分別加制第三奇數第 +▲膜電日日體13。2”和第三偶數第二薄膜電晶體“T3e2，，，高電壓 36 1306234 彻二薄膜電晶體“T3。2,術 e2上所產生的應力龍霞釋放。因此，提高了移 的穩定性和使用壽命。 瞀存°。 -個雜暫存奸含有錢工麵—㈣數下拉單元和 固偶數下拉早元，且當奇數下拉單元和偶數下拉單元中的 不運作時’逆向偏壓或地線偏壓將被加& 單:Γ數了拉單元。相應地，構成奇數下拉單元和偶:下拉單 凡、m體的應力被釋放l由於用於控制奇數 元和偶數下鱗元料元由—對錢獅料 = 對薄膜電晶體上的應力也被釋放。因此，改善了移位‘二 定性和使用壽命。 予為的穩 =本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 疋本u，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明 :::::許:更動細，本發明之專二 本說月胃卿之t請專概騎界枝鱗。 【圖式簡單說明】 第1圖所不為先前技術中絲矩陣型液晶顯示裝置示音圖· 號時為先前技術中主動矩陣型_示裝“極信 :第j圖所不為先前技術中液晶顯示農置的移位暫存器第N級 的電路示意圖； 37 l3〇6234 rf 5圖所4先前技術中包含有_個下技單元:圖’ 的第四薄膜電晶體及其信號的示意圖； 位暫存器 第6圖所福本發明實_情關吨 第N級的電路示意圖； 移位暫存器的 第7圖所示為驅動第6圖中移位暫存器的信號 第8圖所示為本發明實施例中第四奇 和思圖， 圖 數薄膜雷曰俨及勹人亡'膜電日日體、第四偶 ^膜電4及包含有兩個下拉單元的移位暫存器的信號示意 第9圖所示為本發明另一實施例中平面顯 器的第Μ級的電路示意圖 示裝置的移位暫存 口。第1G圖所示為本發明另—實施例中平面顯示裝置的移位暫存 益的第IV[級的電路示意圖；及 第11圖所示為本發明另-實施射平面顯示裝置的移位暫存 益的第]VI級的電路示意圖。 【主要元件符號說明】 1 2 3 DL1 DL2 資料驅動積體電路 閘極驅動積體電路 液晶面板 資料線 資料線 38 1306234

DL3 資料線 DLn-2 資料線 DLn-1 資料線 DLn 資料線 GL1 閘極線 GL2 閘極線 GL3 閘極線 GLm-2 閘極線 GLm-1 閘極線 GLm 閘極線 GPS 閘極起始脈衝 VGLm-2 閘極信號 VGLm-1 閘極信號 VGLm 閘極信號 CLK1 第一時脈 CLK2 第二時脈 CLK3 第三時脈 CLK4 第四時脈 T1 第一薄膜電晶體 T2 第二薄膜電晶體 T3 第三薄膜電晶體 39 1306234

T4 第四薄膜電晶體 Τ5 第五薄膜電晶體 Τ6 第六薄膜電晶體 Τ7 第七薄膜電晶體 Τ3ο 第三奇數薄膜電晶體 Τ4ο 第四奇數薄膜電晶體 Τ5ο 第五奇數薄膜電晶體 Τ6ο 第六奇數薄膜電晶體 Τ7ο 第七奇數薄膜電晶體 Τ8ο 第八奇數薄膜電晶體 T3e 第三偶數薄膜電晶體 T4e 第四偶數薄膜電晶體 T5e 第五偶數薄膜電晶體 T6e 第六偶數薄膜電晶體 T7e 第七偶數薄膜電晶體 T8e 第八偶數薄膜電晶體 T3ol 第三奇數第一薄膜電晶體 T3o2 第三奇數第二薄膜電晶體 T3o3 第三奇數第三薄膜電晶體 T3o4 第三奇數第四薄膜電晶體 T3el 第三偶數第一薄膜電晶體 40 1306234

T3e2 第三偶數第二薄膜電晶體 T3e3 第三偶數第三薄膜電晶體 T3e4 第三偶數第四薄膜電晶體 Vst-N 起始信號 Vst-(N+1) 起始信號 Vst-M 起始信號 Q 節點 QB 節點 QB-o 節點 QB-e 節點 Nout 節點 Vout-N 輸出信號 Vout-M 輸出信號 Vout-(M+l)輸出信號 VDD 源電壓 VQ Q節點電壓 VQB QB節點電壓 VQB-o QB-o節點電壓 VQB-e QB-e節點電壓 G 閘極 S 源極 41 1306234 D 汲極 VDD-o 奇數源電壓 VDD-e 偶數源電壓 Vss 最低電壓

Claims (1)

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十、申請專利範圍： 以' fα 1. 一種平面顯示裝置之驅動電路之移位暫存窸，係具有複數級， 其包含有： 一第一薄膜電晶體，其用來接收前一級之一輸出電壓，且 其與一 Q節點相連，該第一薄膜電晶體具有一二極體結構使該 哲第一薄膜電晶體之一閘極與一汲極相連； Μ —第二薄膜電晶體，其位於該Q節點和一供給電壓終端之 ΐί間，該第二薄膜電晶體係依照下一級之一輸出電壓以執行開 ·)亡關；

J又 一第三奇數薄膜電晶體，其位於一奇數源電壓終端和一 QB-o節點之間，該第三奇數薄膜電晶體有一二極體結構使該 ^第三奇數薄膜電晶體之一閘極與一汲極相連； g —第三偶數薄膜電晶體，其位於一偶數源電壓終端和一 I QB-e節點之間，該第三偶數薄膜電晶體有一二極體結構使該 第三偶數薄膜電晶體之一閘極與一汲極相連； 一第四薄膜電晶體，其位於一第一時脈終端和本級一輸出 電壓終端之間，該第四薄膜電晶體係依照該Q節點之一電壓以 執行開關； 一第五奇數薄膜電晶體，其位於該QB-o節點和該供給電 壓終端之間，該第五奇數薄膜電晶體係依照該Q節點的該電壓 以執行開關； 一第五偶數薄膜電晶體，其位於該QB-e節點和該供給電

43 1306234 I、^之間’該第五偶數薄膜電晶體係依照該Q節點的該電壓 以執行開關； Λ β 7第六奇數薄膜電晶體’其位於該QB_0節點和該供給電 壓終端之間，該第六奇數薄膜電晶體係依照該奇數源賴線端 以執行開關； 、 一第六偶數薄膜電晶體，其位於該QB-e節點和該供給電 壓終端之間，該第六偶數薄膜電晶體係依照該偶數源電壓終 以執行開關； * —第七奇數賊電晶體’其位於該Q節點和該供給電壓終 端之間，該第七奇數_電晶織依照該QB_q節點的一電壓 以執行開關； 第七偶數薄膜電晶體，其位於該Q節點和該供給電壓終 端之間，4第七偶數薄膜電晶體係依照該卩心節點的一電壓 以執行開關； 第八奇數薄膜電晶體，其位於該本級的該輪出電壓終难 I玄供給電壓終端之間，該第八奇數薄膜電晶 与 QB-0節點的該電壓以執行開關；及 — 電晶體，其位於該本級的該 和該供電壓終端之n 點龄㈣ 第八偶數薄膜電晶體係依照QB-e I 2 』的5亥電_執行開關。 如申請專利範_ j 厅述之平面顯示裝置之驅動電路之移七 44 Ϊ306234 暫存器，其中該奇數源電壓和該偶數源電壓包含有具有相同週 期及相反相位的脈衝。 3.如申料娜圍第2項所粒平_示裝置之购電路之移位 暫存器，其中該脈衝之該週期比—單框之週期長。 4·如申請專纖圍第1賴述之平置之轉電路之移位 暫存器，其中該第-到第八偶數薄膜電晶體包含有1型非晶 矽薄膜電晶體。 5·如申請專利範圍第i項所述之平面顯奸置之驅動電路之移位 暫存器，其中提供給複數級之第-級之前—級_輸出電壓包 芑有一起始信號。 6·如申請專纖圍第1項所述之平面顯謂置之驅動電路之移位 暫存器，其中該供電電壓終端有一地線電壓或一低電壓。 7.—種平面顯示裝置之驅動電路之移位暫存器，係具有複數級， 其包含有： 一第一薄膜電晶體，其用來接收前—級之一輪出電壓，且 、與Q $點相連，該薄膜電晶體有一二極體結構使該第—薄 膜電晶體之一閘極與一汲極相連； -第二薄膜電晶體’其位於該Q節點和—供給電壓終端之 間’該第二薄膜電晶體係依照該下一級的一輸出電壓以執行開 關； 第二奇數第-薄膜電晶體，其位於—奇數源電壓終端和 45 ^u〇234 一 QB-o節點之間， 構使該第三奇數第L二奇數第一薄膜電晶體有一二極體結 -第三奇數第_ )膜電晶體之—雜與—汲極相連； 該QB-o節點之間3電晶體，其位於該奇數源電壓終端和 —節點的—缝㈣奇料二薄難㈣舰照該一第 一第三奇數第=键 電堡終端之間，該第二^faa體’其位⑽第—節點和該供給 -龍以執行開關；二可數第三薄膜電晶體係依照該Q節點的 一第三奇數第寺 電塵終端之間，該第曰體其位於5亥第一節點和該供給 該輸出電>1喊行開關讀第四細電晶難依照該前一級的 —第三偶數第— —QB-e節點之間，該晶體’其位於一偶數源電麗終端和 構使該第三偶數第—^二_第—薄膜電晶體有-二極體結 -第三偶數第二薄=電，體之—閘極與—汲極相連； 該QB-e節點之門1 、電日日體，其位於該偶數源電壓終端和 節點的電壓以執行門闕 歎弟一溥膜電晶體係依照一第二 一第三偶數第三 ^ 麵終端之間，今楚〜膜電晶體’其位於該第二節點和該供給 %乐三偶翁筮一 p 一電麗以執行開關； 項膜電晶體係依照該Q節點的 —第三偶數第四 、電晶體’其位於該第二節點和該供給 46 i 州6234 -偶數第四薄膜電晶體係依照該前 ‘級的 關 電壓終端之間，該第 該輪出電堡以執行開 :第四_電晶體，其位於第—時脈終端和本級 、Ά之間，該第四薄膜電晶體係依照 别電 行開關； ^即點的一電髮以執 —第五奇數薄膜電晶體，細於該你。節點和該供 =間，第五奇數薄膜電嶋依照該Q—: :第五偶數薄膜電晶體，其位_ ^ ^點和該供給電 4之間，該第五偶㈣臈電晶體係依照 以執行開關; 一第六奇數薄膜電晶體，其位於該.節點和該供 轉端之間，該第六奇數薄臈電晶體係依照該前級 1 壓以執行開關； 出電 一第六偶數薄膜電晶體，其位於該孤e _和該供 壓終端之間，該第六偶數薄膜電晶體係依照該前級 = 壓以執行開關； 出電 -第七奇數薄膜電晶體，其位於該Q節點和該供給電_ &之間’該第七奇數薄膜電晶體係依照該Qb_〇節點的壓 以執行開關； 一第七偶數薄膜電晶體，其位於該Q節點和該供給電壓終 1306234 端之間，該第七偶數_電晶體魏_孤 以執行開關； ^ -第八奇數薄膜電晶體，其位於本 郎點的該電壓以執行開關；及 Q 一第人偶數薄膜電晶體，其位於本級的該線 该供給電壓終端之間，該第八偶數薄、、為和 節點的該電壓以執行開關。 、s - ’、d玄QB-e 8.:Γ=7〜__—_ 期及相反她St權__繼物有相同週 A 項所述之平面顯示裝置—之移位 其中顧衝之該週期比單框之调齡。 】〇.如申請專利範圍第7項所述之平 、 暫存器，其中該第-㈣ 顯示裝置之驅動電路之移位 矽薄膜電晶體。1八偶數薄膜電晶體包含有一η型非晶 η.如申請專利範圍第7項所述之 暫存器，其中提供給複數 如裝置之驅動電路之移位 含有一起始信號。 弟—級之前-級的該輸出賴包 12·如申請專利範園第7項所述 暫存器，其_供示裝置之驅動電路之移位 、响有一地線電壓或一低電壓。

48 1306234 13.Γ包2顯对置之_树之移㈣存器，係具有複數級， -第-薄臈電晶體，其用來接收前一級之一輸出電 其與- Q節點相連’該第-薄膜電晶體有—二極體結構使 —薄膜電晶體之一閘極與一汲極相連； :第二薄膜電晶體，其位於該Q節點和—供給電壓終端之 =4第二_電晶體係依照下—級的—輪出電壓以執行開 第-奇數第-薄膜電晶體，其位於—奇數源 節點之間，料三奇數第—賴電晶體有—虽= 構使該^奇數第晶體之-閘極與-祕相連 該二薄膜電晶體’其位於該奇數源電壓終端和 「‘， 該第三奇數第二薄膜電晶體係依照-第- 即點的電壓以執行開關； 第 壓終端之間= 弟二薄膜電晶體’其位於該第一節點和該供給 電壓以執行開關奇數第三薄膜電晶體係依照該Q節點的- 壓終端之間^第四_電晶體，其位於該第—節點和該供給 以執行開關.第—可數第四薄臈電晶體係依照該偶數源電壓 一第三偶數笛+ 一缚膜電晶體，其位於一偶數源電壓終端和 49 1306234 一 QB-e節點之間，該第三偶數第一薄膜電晶體有一二極體結 構使該第三偶數第一薄膜電晶體之一閘極與一汲極相連； 一第三偶數第二薄膜電晶體，其位於該偶數源電壓終端和 該QB-e節點之間，該第三偶數第二薄膜電晶體係依照一第二 節點的電壓以執行開關； 一第三偶數第三薄膜電晶體，其位於該第二節點和該供給 電壓終端之間，該第三奇數第三薄膜電晶體係依照該Q節點的 一電壓以執行開關； 一第三偶數第四薄膜電晶體，其位於該第二節點和該供給 電壓終端之間，該第三偶數第四薄膜電晶體係依照該奇數源電 壓以執行開關； 一第四薄膜電晶體，其位於一第一時脈終端和本級一輸出 電壓終端之間，該第四薄膜電晶體係依照該Q節點的一電壓以 執行開關； 一第五奇數薄膜電晶體，其位於該QB-o節點和該供電壓 終端之間，該第五奇數薄膜電晶體係依照該Q節點的該電壓以 執行開關； 一第五偶數薄膜電晶體，其位於該QB-e節點和該供電壓 終端之間，該第五偶數薄膜電晶體係依照該Q節點的該電壓以 執行開關； 、 一第六奇數薄膜電晶體，其位於該QB-o節點和該供給電 50 1306234 輪出電 度終端之間’該第六奇數薄膜電晶體係依照該前級的該 壓以執行開關； 以執行開關； 一第六偶數薄膜電晶體，其位於該Q如節點和該供 終端ϋ該第六偶數薄膜電晶體係依照該前級的該輪出電Μ 一第七奇數薄膜電晶體，其位於該Q節點和該供電孰妒 •=開Γ奇數論嶋依照轉。節點的—電壓: ·— —第七偶數_電晶體，其位於該Q節點和該供電壓終端 之間，该第七偶數薄膜電晶體係依照該節點的—電屢以 執行開關； 神體，其位於本級_輸_終端和 雜給電祕端之間，該第八奇數薄模電_依照該qb_。 郎點的該電壓以執行開關；及 一第八偶數薄膜電晶體，其位於本級的該輸出電壓終端和 ，供給電壓終端之間，該第八偶數薄膜電晶體係依照該QB_e 郎點的該電壓以執行開關。 14.如申請翻麵第13賴述之平_科置之鶴電路之移 位暫存器’其中該奇數源電壓和該偶數源電壓包含有具有相同 週期及相反相位的脈衝期。 顯示裝置之驅動電路之移 15.如申請專利範圍第14項所述之平面 51 1306234 位暫存器’其中該脈衝之該週期比單框之週期長。 .如申叫專利範圍第13項所述之平面顯示裝置之驅動電路之移 位暫存器，其中該第一到第八偶數薄膜電晶體包含有一η型非 晶矽薄膜電晶體。 17. 如申請專·㈣U 述之平_示裝置之義電路之移 位暫存益’其中提供給複數級之第一級之前一級的該輪出 包含有一起始信號。 18. 如申料利顧第13項所述之平賴示裝置之_電路之移 位暫存器’其中該供給電壓終端有-地線電壓或-低電壓。 9.—種平_稀置之_魏之魏峨轉存H，其包含有： 第薄膜電晶體’其依照一起始信號對一 Q節點充電； -第二_電晶體，其依照下—移位 電 壓對該Q節點放電； ％出電 &一 早&其依縣Q節點之—缝增加本級移位暫存 态之一輸出電壓； -奇數下拉單元，其依照—qb 中降低該本級移位暫存器的該輪出電壓；’°框 中_==^軸—糾節狀―職在一偶框 干降低δ亥本級移位暫存器的該輪出電壓； -第三奇數薄膜電晶體 奇數薄膜電晶體之-間極和〜郎點相連，該第三 及極相連並接收一奇數源電壓； 52 1306234 及 -第二俩数缚膜電晶體，其與該㈣節點相連，該第三 偶數薄膜電晶和—祕相連並接收—偶數源電壓。 20.如申請專利範圍第19項所述之平面顯示裝置之驅動電路 數級移位暫存器，其中該起始信號包含有前-級的-輪出電 壓。 电 2!.如申料利範圍第19項所述之平蝴示裝置之驅動電路之複 數級移位暫存器，其中該奇數源電壓在該奇框期間具有—高電 壓、在該偶框期間具有一低電壓，且該偶數源電壓在該奇框期 間具有-低電壓、在該偶框期間具有—高電歷。 =申請專利範圍第19項所述之平面顯示裝置之驅動電路之複 ^移位暫柿，針料_对置包含有—面板和該驅動 電路，其中該複數級移位暫存器形成在該面板上。 23_如申請專利範圍第19 數級紛—斤攻之千面顯示裝置之驅動電路之複 Μ ’其中該上拉單元包含有—第四_電晶體， 〃依，、▽、該Q節點的該電壓開關。 24'mtr_23項所述之平面顯示裝置之._電路之複 數級移位暫存H，其更包含有： 該膜電晶體’其位於該第三奇數薄膜電晶體和 一第五偶數薄膜電晶體，其位於該第三偶數薄膜電晶體和 53 1306234 該QB-e節點之間； 一第六奇數薄膜電晶體，其與該第三奇數薄膜電晶體相 連，並依照該Q節點的該電壓開關； 一第六偶數薄膜電晶體，其與該第三偶數薄膜電晶體相 連，並依照該Q節點的該電壓開關； 一第七奇數薄膜電晶體，其與該第三奇數薄膜電晶體相 連，並依照該起始信號開關；及 j| 一第七偶數薄膜電晶體，其與該第三偶數薄膜電晶體相 連，並依照該起始信號開關。 25.如申請專利範圍第23項所述之平面顯示裝置之驅動電路之複 數級移位暫存器，其更包含有： 一第五奇數薄膜電晶體，其位於該第三奇數薄膜電晶體和 該QB-o節點之間， 一第五偶數薄膜電晶體，其位於該第三偶數薄膜電晶體和 φ 該QB-e節點之間； 一第六奇數薄膜電晶體，其與該第三奇數薄膜電晶體相 連，並依照該Q節點的該電壓開關； 一第六偶數薄膜電晶體，其與該第三偶數薄膜電晶體相 連，並依照該Q節點的該電壓開關； 一第七奇數薄膜電晶體，其與該第三奇數薄膜電晶體相 連，並依照該偶數源電壓開關；及 54 1306234 -第七偶數薄膜電晶體’其與該第三偶數薄膜電晶體相 連’並依照該奇數源電壓開關。 26·一種平面顯示裝置之驅動電路之一級移位暫存器，包含有： 一第一薄膜電晶體，其有一閘極和一汲極，均與一起始作 號終端相連； Q。 -第二薄膜電晶體’其有-閘極和一汲極，均與一奇數源 電壓終端相連； ， -第三薄膜電晶體，其有一閘極和—汲極，均與一 電壓終端相連；及 ' —第四薄膜電晶體，其連接在，脈終端和該移位暫存器 級之一輪出_之間’該第-_電日日日體之—源極與該第四薄 膜電晶體之一閘極相連。 27. 如申請專·圍第26項所述之平面_裝置之驅動電路之一 級移位暫存器，其中該移位暫存 〖電日Mm、 Μ中僅有4第二和該第三薄膜 28 峨輸蝴__糧接相連。 28. 如申吻專利範圍第26項所述之平 級移位暫存器，其中更包含有 4置之驅動電路之一 第四薄膜電晶體之該閘極與一 ^電晶體’其連接在該 體具有-與下—級之輸出相連的^屢之間，該第五薄膜電晶 29.如申請專利範圍第28項所述之 級移位暫存器，其中該供給電 ^裝置之驅動電路之- 地線電壓或一低電壓。 55 1306234 3〇.如申請專利範圍第26項所述之平面顯示裝置之驅動電路之一 級移位暫存器，其中該時脈終端是唯1該移位暫存器級中的 •該薄膜電晶體提供時脈信號之終端。 31. 如申請專利範圍第26項所述之平面顯示裝置之驅動電路之一 級移位暫存器，更包含有-第六薄臈電晶體，其與該奇數輕 終端相連，並有一與該第二薄獏電晶體之一源極相連的閘極， 和-第七薄臈電晶體，其與該偶數電壓終端相連，並有一與該 •第二薄膜電晶體一源極相連的閘極。 32. 如申請專利範圍第26項所述之平面顯示裝置之驅動電路之一 級移位暫存器，更包含有—第-對_電晶體，其連接在該第 二薄膜電晶體之-源極和-供給電壓之間，和—第二對薄膜電 晶體’其連接在該第三_電晶體之—源極和該供給電壓之 間，該第-對薄膜電晶體之第一薄膜電晶體和該第二對薄膜電 晶體之第-薄膜電晶體有—與該第四薄膜電晶體之該問極相 # _問極，並且該第-對薄膜電晶體之第二薄膜電晶體和該第 二對薄膜電晶體之第二薄膜電晶體有—與該起始信號終端相 連的閘極。 33. 如申請專利範圍第26項所述之平面顯示裝置之驅動電路之一 級移位暫存器’其中更包含有一第_對薄臈電晶體，其連接在 該第二薄膜電晶體之-源極和一供給電壓之間，和一第二對薄 膜電晶體，其連接在該第三薄膜電晶體之一源極和該供給電壓 56 1306234 之間，該第一對薄膜電晶體之第一薄膜電晶體和該第二對薄膜 電晶體之第一薄膜電晶體有一與該第四薄膜電晶體之該閘極 相連的閘極，該第一對薄膜電晶體之第二薄膜電晶體有一與該 奇數電壓終端相連的閘極，並且該第二對薄膜電晶體之第二薄 膜電晶體有一與該偶數電壓終端相連的閘極。 34.如申請專利範圍第26項所述之平面顯示裝置之驅動電路之一 級移位暫存器，其中該平面顯示裝置包含有一面板和該驅動電 路，且其中該一級移位暫存器形成在該面板上。 57