TWI292633B - - Google Patents

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TWI292633B TW094123935A TW94123935A TWI292633B TW I292633 B TWI292633 B TW I292633B TW 094123935 A TW094123935 A TW 094123935A TW 94123935 A TW94123935 A TW 94123935A TW I292633 B TWI292633 B TW I292633B
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Description

1292633 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種場效型電晶體（FET )，詳而言之 ，係關於一種通道區域由有機半導體材料層所構成之場效 型電晶體，更詳言而之，係關於一種通道區域由有機半導 體材料層所構成之薄膜電晶體（TFT)。 _ 【先前技術】 在習知場效型電晶體（FET )的一種即薄膜電晶體（ TFT)中，係可使用Si或GaAs、InGaAs等之無機半導體 材料作爲構成通道區域之半導體層，但在使用此等無機半 導體材料之TFT的製造步驟中必須爲400°C以上之高溫製 程。因此，要使用無機半導體材料之TFT製作成於塑膠 等柔軟、不易破裂、質輕的支撐體（基板）上乃極困難。 另外，從有機半導體材料層構成通道區域之TFT (以 φ下稱爲有機TFT)，係可以低於塑膠之耐熱溫度的溫度來 製造。又’可依能塗布之材料來製造，故被期待成爲一成 本低、大面積取向之半導體元件。 在習知之有機TFT中，爲形成與有機半導體材料層 良好的歐姆接觸，源極/汲極電極係由所謂金（Au )、 鈾（Pt )、鈀（Pd )之金屬材料所構成，或，由聚（3， 4 -乙烯基二氧噻吩）/聚苯乙烯磺酸[Ped〇T/PSS]或摻 雜有摻雜材料之聚苯胺，或奈米碳管所構成。 [專利文獻1]特開2003-229579 (2) 1292633 [專利文獻2]特開2004- 1 03 905 【發明內容】 (發明欲解決之課題） 可形成與P型有機半導體材料層良好之歐姆接觸的金 屬材料即金、鉑、鈀係很昂貴，蒸鍍此等而形成源極/汲 極電極或配線係不利於有機薄膜電晶體之低成本化。另外 ’即使爲有機導電體材料而可形成與有機半導體材料良好 之歐姆接觸者，其比電阻較金屬材料之比電阻還大，甚至 構成源極/汲極電極或配線之材料亦難謂爲可滿足之材料 〇 具有由金屬材料所構成之源極/汲極電極、與構成通 道區域之有機半導體材料層不直接接觸的構造之有機薄膜 電晶體，從例如特開2003-229579或特開2004-103905已 爲人知。 在特開2003 -2295 79所揭示之技術中，源極/汲極電 極係由金屬所構成之部.份、與構成通道區域之有機導電性 化合物層接觸之金屬化合物的部份所構成。此處，金屬化 合物係可舉例如含有從周期表第6族至1 1族之金屬原子 的化合物，其中宜爲銥、铑、釕、鉑、金、銀、釤、餓、 鈀、鎳、鈷、銪等之金屬化合物，或宜爲此等之金屬鹽， 或可選自此等金屬之鍺合物（參照特開2003-2295 79之段 落編號[0023 ])。 特開2 0 0 4 - 1 0 3 9 0 5所揭示之技術中，係於源極/汲極 1292633 · (3) 電極與構成通道區域之有機半導體層之間，形成由ITO或 ΪΖΟ、氧化錫、氧化鋅等之金屬氧化物或氮化物或氧化物 、金屬或合金，有機化合物所構成之緩衝層（參照特開 2 004- 1 03 9 05 之段落編號[0012])。 然而，在於此等專利公開公報所揭示之金屬化合物或 緩衝層，難謂依其導電型（η型或ρ型）或電阻値等之材 料的選擇幅度非常廣泛。亦即，有關構成有機薄膜電晶體 中之源極/汲極電極的材料之設計自由度低。 因此，本發明之目在於提供一種場效型電晶體，其係 可形成與構成通道區域之有機半導體材料層良好的歐姆接 觸，而且，不須由所謂金、鉑、鈀之昂貴材料構成，進一 常 J1L TTV ο 度極 幅電 擇極 選汲 的 \ 料極 材源 之之 等 ) 値高 阻常 fch 霄 TV 或度 型由 電自 導計 依設 1 ， 有即 備亦 具C ， 泛 步廣 (用以解決課題之手段） 爲達成上述目的之本發明第1態樣之場效型電晶體， 其係具備閘極電極、閘極絕緣層、源極/汲極電極、與具 有構成通道區域之有機半導體材料層，其特徵在於：源極 /汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b )至少部分地被覆導體部，且摻雜有摻雜材料之 有機導電材料層 所構成，通道區域係由位於源極/汲極電極與源極/ 汲極電極之間的有機半導體材料層之部分所構成’ (4) 1292633 介由有機導電材料層而形成通道區域與導體部之間的 電氣連接。 爲達成上述目的之本發明第2態樣之場效型電晶體’ 其係所謂頂閘極/底接觸型之薄膜電晶體，由 (A)形成於支撐體上之源極/汲極電極、 (B )位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 支撐體部分之上及源極/汲極電極之上所形成的有機半導 p 體材料層、 (C)形成於有機半導體材料層上之閘極絕緣層，及 (D )形成於閘極絕緣層上之閘極電極 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b)摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 φ 、與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面對向的 導體部之側面，及導體部之頂面之任一者。 本發明之第2態樣之場效型電晶體，係可舉例如下之 7種形態作爲有機導電材料層之形成形態； (1 )形成於導體部之底面之形態、 (2 )形成於與構成另一者之源極/汲極電極的導體 部側面對向的導體部之側面（稱爲對向側面）的形態、 (3 )形成於導體部之頂面之形態、 (4 )形成於導體部之底面及對向側面之形態、 -7- (5) 1292633 (5 )形成於導體部之底面及頂面之形態、 (6 )形成於導體部之頂面及對向側面之形態、 (7 )形成於導體部之頂面、對向側面及底面之形態 〇 有機導電材料層係可形成於導體部之各面之全面、亦 可形成於各面之一部分、亦可呈島狀形成於各面。 爲達成上述目的之本發明第3態樣之場效型電晶體， _ 其係所謂頂閘極/底接觸型之薄膜電晶體，由 (A) 形成於支撐體上之有機半導體材料層、 (B) 形成於有機半導體材料層上之源極/汲極電極 (C )位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 有機半導體材料層部分之上及源極/汲極電極之上所形成 的閘極絕緣層，及 (D )形成於閘極絕緣層上之閘極電極 φ所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b)摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 ，及與構成至少一者之源極/汲極電極的導體部之側面對 向的導體部之側面之任一者。 本發明之第3態樣之場效型電晶體，係可舉例如下之 5種形態作爲有機導電材料層之形成形態； (6) 1292633 (1 )形成於導體部之底面之形態、 (2 )形成於導體部之對向側面之形態、 (3 )形成於導體部之底面及對向側面之形態、 (4 )形成於導體部之頂面及對向側面之形態、 (5 )形成於導體部之頂面、對向側面及底面之形態 〇 有機導電材料層係可形成於導體部之各面之全面、亦 _ 可形成於各面之一部分、亦可呈島狀形成於各面。 爲達成上述目的之本發明第4態樣之場效型電晶體， 其係所謂頂閘極/底接觸型之薄膜電晶體，由 (A )形成於支撐體上之閘極電極、 (B )形成於閘極電極之上及支撐體之上的閘極絕緣 層、 (C)形成於閘極絕緣層上之源極/汲極電極，及 (D )位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 φ閘極絕緣層部分之上及源極/汲極電極之上所形成的有機 半導電材料層 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b)摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 ，及與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面相向 的導體部之側面及導體部之頂面之任一者。 -9- (7) 1292633 本發明之第4態樣之場效型電晶體，係可舉例如下之 7種形態作爲有機導電材料層之形成形態； (1 )形成於導體部之底面之形態、 (2 )形成於導體部之對向側面的形態、 (3 )形成於導體部之頂面之形態、 (4 )形成於導體部之底面及對向側面之形態、 (5 )形成於導體部之底面及頂面之形態、 (6 )形成於導體部之頂面及對向側面之形態、 (7 )形成於導體部之頂面、對向側面及底面之形態 〇 有機導電材料層係可形成於導體部之各面之全面、亦 可形成於各面之一部分、亦可呈島狀形成於各面。 爲達成上述目的之本發明第5態樣之場效型電晶體， 其係所謂頂閘極/底接觸型之薄膜電晶體，由 (A) 形成於支撐體上之有機半導體材料層、 (B) 形成於有機半導體材料層上之源極/汲極電極 (C) 位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 有機半導體材料層部分之上及源極/汲極電極之上所形成 的閘極絕緣層，及 (D )形成於閘極絕緣層上之閘極電極 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b )摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 -10- (8) 1292633 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 ，及與構成至少一者之源極/汲極電極的導體部之側面對 向的導體部之側面之任一者。 本發明之第5態樣之場效型電晶體，係可舉例如下之 5種形態作爲有機導電材料層之形成形態； (6 )形成於導體部之底面之形態、 p ( 7 )形成於導體部之對向側面之形態、 (8 )形成於導體部之底面及對向側面之形態、 (9 )形成於導體部之頂面及對向側面之形態、 (1 〇 )形成於導體部之頂面、對向側面及底面之形態 〇 有機導電材料層係可形成於導體部之各面之全面、亦 可形成於各面之一部分、亦可呈島狀形成於各面。 本發明之第2態樣〜第5態樣之場效型電晶體，通道 φ區域係由位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的有 機半導體材料層之部分所構成，且 介由有機導電材料層而形成通道區域與導體部之間的 電氣連接。 在含有上述較佳之構成、形態的本發明之第1態樣〜 第5態樣之場效型電晶體（以下，總稱此等而有時僅稱爲 本發明之場效型電晶體）中，構成有機導電材料層之材料 係宜於至少一種選自由聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔 、聚苯、聚呋喃、聚哂吩（selenophene)、聚異噻萘吩（ -11 - 1292633
♦ isothianaphthene )、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚噻嗯乙烯' .聚蔡、聚恩、聚ΪΕ、聚甘菊藍（azulene)、酿菁、戊省 (Pentacene )、半花青染料（merocyanine )、及聚乙烯 二氧噻吩所構成之群中的有機材料中，摻雜至少一種選自 由碘、過氯酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、四氟化硼、五 氟化砷、六氟化磷酸、烷基磺酸、全氟烷基磺酸、聚丙烯 酸、聚苯乙烯磺酸、及十二碳烷基苯磺酸的摻雜材料所得 φ 到之材料。又，只有選自上述作爲有機材料之19種材料 與上述作爲摻雜材料（摻雜物）之14種材料之266種的 組合之一種作爲構成有機導電材料層之材料即可，但其中 ’構成有機導電材料層之材料之具體例係後述，但（構成 有機導電材料層之材料、有機材料、摻雜材料）之較佳組 合可舉例：（戊省、聚乙烯二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸）、 (聚噻吩、聚乙烯二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸）、（聚富勒 烯、聚乙烯二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸）、（戊省、聚苯胺 φ 、十二碳烷基苯磺酸）、（聚噻吩、聚苯胺、十二碳烷基 苯磺酸）、（聚富勒烯、聚苯胺、十二碳烷基苯磺酸）。 進一步’此時’構成有機導電材料層之材料係亦可形成混 入奈米碳管及/或富勒烯（Fullerene)之形態。 又’有機半導體材料層之導電型與有機導電材料層之 導電型宜爲相同。亦即，有機半導體材料層之導電型爲η 型時’有機導電材料層之導電型宜爲^型，又，有機半導 體材料層之導電型爲ρ型時，有機導電材料層之導電型宜 爲Ρ型。 -12- (10) 1292633 ，對構成有機導電材料層之材料的摻雜材料之摻雜係可 藉由例如構成有機導電材料層之材料的合成時，可藉由於 構成有機導電材料層之材料的原料中添加摻雜材料而達成 。或又，摻雜材料對構成有機導電材料層之材料的摻雜， 係藉由構成有機導電材料層之材料與摻雜材料之反應亦可 達成。或又，摻雜材料對構成有機導電材料層之材料的摻 雜，係藉由使構成有機導電材料層之材料浸漬於電解質溶 p 液中而電化學地摻雜電解質離子（摻雜材料、摻雜物）之 電化學摻雜法亦可達成。 在含有以上說明之各種較佳的構成之本發明中，構成 導體部之材料係宜爲銅（Cu )、銀（Ag )、鋁（A1 )、 鉻（Cr )、鎳（Ni )、鉬（Mo )、鈮（Nb )、鈸（Nd ) 、铷（Rb )、铑（Rh )、鉬（Ta )、鎢（W )、鈦（Ti ) 、銦（In )、或錫（Sn )等之金屬、或含有此等金屬元素 之合金、錫氧化物、氧化銦、銦/錫氧化物（ITO )、石 馨墨、金微粒子、鈾微粒子、鈀微粒子、銀微粒子、銅微粒 子’含有此等複數之層。此處，導體部亦可由此等之金屬 或合金所構成的薄膜所構成，亦可由此等之金屬或合金所 構成的微粒子所構成。 在本發明中，作爲有機導電材料層之形成方法，雖亦 依構成有機導電材料層之材料而定，但可舉例：真空蒸鑛 法或濺鍍法所例示之物理氣相成長法（PVD法）；各種之 化學氣相成長法（CVD法）；旋塗法；網版印刷法或噴 墨印刷法、平版印刷法、凹版印刷法之各種印刷法；氣刀 -13- (11) 1292633 • 塗布機法、刮刀塗布機法、棒式塗布機法、刀式塗布機法 ·、擠壓塗布機法，反向輥塗布機法、軋輥機法、凹版塗布 機法、吻合式塗布機法、澆鑄塗布機法、噴霧塗布機法、 縫口塗布機法、輾壓塗布機法、浸漬法之各種塗布法；及 噴塗法之中的任一者。 又’導體部之形成方法，亦依構成導體部之材料而定 ’但可舉例：真空蒸鍍法或濺鍍法所例示之PVD法；含 Φ有M0CVD法之各種CVD法；旋塗法；使用各種導電性 糊劑之上述各種印刷法；上述各種塗布法；脫膜（lift off )法；蔭罩法；及，電解電鍍法或無電解電鍍法或此等之 組合的電鍍法中之任一者，或進一步依需要而與圖案化技 術之組合。又，就P V D法可舉例：（a )電子束加熱法、 電阻加熱法、沖流蒸鍍等之各種真空蒸鍍法，（b )電漿 蒸鍍法’ （c ) 2極濺鍍法、直流濺鍍法、直流磁子濺鍍 法、高周波濺鍍法、磁子濺鍍法、離子束濺鍍法、偏壓濺 φ鍍法等之各種濺鍍法，（d ) DC ( direct currect )法、RF 法、多陰極法、活性化反應法、電場蒸鍍法、高周波離子 披覆法（Ion plating )、反應性離子披覆法等之各種離子 披覆法。 進一步’藉由脫膜法亦可同時形成導體部與有機導電 材料層。亦即，依場效型電晶體的構造而定，但於支撐體 或有機半導體材料層，閘極絕緣層（權宜上，總稱此等而 稱爲基底層）上，於形成源極/汲極電極之部份形成一設 有開口之光阻劑材料層後，使構成導體部之層與有機導電 -14· (12) 1292633 材料層依序形成於基底層及光阻劑材料層上，然後，除去 光阻劑材料層、以及構成其上之導體部之層及有機導電材 料層，可得到由導體部與有機導電材料層所構成之源極/ 汲極電極。此處，爲形成源極/汲極電極之部份在基底層 上形成一設有開口之光阻劑材料層後，進行光阻劑材料層 之表面處理，或又，以光阻劑材料層作爲2層構成，或又 ’形成由負型光阻劑材料所構成之光阻劑材料層，可較設 p 於光阻劑材料層之開口的上方之部份尺寸，更增大開口之 下方的部份之尺寸，以使構成導體部之層的形成條件與有 機導電材料層之形成條件最適化，即使藉由脫膜法，亦可 於導體部之對向側面形成有機導電材料層。 在本發明中，構成有機半導體材料層之材料，具體上 可舉例：2’ 3，6，7-二苯並菌（亦稱爲戊省）、C9Ss>( 苯[1，2— c; 3，4一 C，； 5，6-C”]三[1，2]二硫醇一 1，4 ，7-三硫酮）、C24H14S6(ck —倍半噻吩）、銅酞菁所代 φ表之酞菁、富勒烯（C6G)、四硫四環素（C18H8S4)、四 硒四環素（C18H8Se4)、四碲四環素（C18H8Te4)、聚（ 3—己基噻吩）、聚芴（0：131^())、聚（3，4一乙嫌二氧噻 吩）/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]。又，將聚（3，4 — 乙烯二氧噻吩）之構造式（1)、聚苯乙烯磺酸之構造式 (2 )表示於圖7中。 或又，就有機半導體材料層可使用例如以如下所例示 之雜環式共軛系導電性高分子及含雜原子共軛系導電性高 分子。又，構造式中，「R」、「R’」意指烷基（CnH2n + 1 -15- (13) 1292633 [雜環式共軛系導電性高分子] 聚吡咯[參照圖7之構造式（3 )] 聚呋喃[參照圖7之構造式（4)] 聚噻吩[參照圖7之構造式（5 )] 聚硒吩[參照圖7之構造式（6 )] 聚碲吩[參照圖7之構造式（7 )] 聚（3 -烷基噻吩）[參照圖7之構造式（8 )] 聚（3 —嚷吩—々一乙院擴酸）[參照圖7之構造式（ 9)] 聚（N -烷基吡咯）[參照圖8之構造式（1 〇 )] 聚（3 —烷基吡咯）[參照圖8之構造式（1 1 )] 聚（3，4 一二烷基吡咯）[參照圖8之構造式（1 2 )] 聚（2，2’一噻吩基吡咯）[參照圖8之構造式（13 )] [含雜原子共軛系導電高分子] 聚苯胺[參照圖8之構造式（14)] 聚（二苯並噻吩硫醚）[參照圖8之構造式（15)] 或’構成有機半導體材料層之有機半導體分子係宜具 有共軛鍵之有機半導體分子，而於分子之兩端具有氫硫基 (SH )、胺基（一 Nh2 )、異氰基（一 NC)、硫乙醯基 (―SCOCH3)、或羧基（一 COOH)，更具體地，可例示 以下之材料作爲有機半導體分子。 -16- (14) 1292633 / 4 ’ 4’一聯苯基二硫醇[參照圖9之構造式（16 )] 4 ’ 4’一二異氰基聯苯基[參照圖9之構造式（17 )] 4，4’一二異氰基一 p —三聯苯基[參照圖9之構造式 (18 )] 2，5—雙（5’一硫乙醯基一2’一硫苯基）噻吩[參照圖 9之構造式（1 9 )] 有機半導體材料層之形成方法依構成有機半導體材料 p 層之材料而定，但可舉例與在上述有機導電材料層之形成 方法中所說明相同的形成方法。 構成閘極電極之材料，可學例： 鉻（Cr )、鎳（Ni )、鉬（Mo )、鈮（Nb )、鈸（ Nd)、铷（Rb)、铑（Rh)、鋁（A1)、銀（Ag)、鉅 (Ta)、鎢（W)、鈦（Ti)、銅（Cu)、銦（In)、錫 (Sn)等之金屬、或含有此等金屬元素之合金、由此等金 屬所構成之導電性粒子、含有此等金屬之合金之導電性粒 鲁子、錫氧化物、氧化銦、銦/錫氧化物（I TO )，亦可形 成一含有此等元素的層之層疊構造。進一步，構成閘極電 極之材料，亦可舉例所謂聚（3，4 一乙烯二氧噻吩）/聚 苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]的有機材料。 閘極電極之形成方法，亦依構成閘極電極之材料而定 ，但可舉例與在導體部之形成方法中所說明相同的形成方 法或噴塗法。 就構成閘極絕緣層之材料，不僅爲氧化矽系材料、氮 化矽（SiNy ) 、AI2〇3、Hf02、金屬氧化物高介電絕緣膜 -17- (15) 1292633 • 所例示的無機系絕緣材料，亦可例示以聚甲苯丙烯酸甲酯 • (PMMA)或聚乙烯基酚（pvp)、聚乙烯醇（PVA)、 聚對苯二甲酸乙二酯（PET)、聚氧甲烯（POM)、聚氯 化乙嫌、聚偏氟乙烯、聚颯、聚碳酸酯（PC)、聚醯亞 胺所例示之有機系絕緣材料，亦可使用此等之組合。又， 就氧化矽系材料係可例示：二氧化矽（Si〇x ) 、BPSG、 PSG、BSG、AsSG、PbSG、氧氮化矽（SiON) 、SOG (旋 φ 塗玻璃）、低介電率Si〇2系材料（例如，聚芳基醚、環 全氟碳聚合物及苯並環丁烯、環狀氟樹脂、聚四氟乙烯、 氟化芳基醚、氟化聚醯亞胺、非晶碳、有機S0G)。就闊 極絕緣層之形成方法，可舉例真空蒸鍍法或濺鍍法所例示 之PVD法、各種CVD法；旋塗法；上述各種印刷法；上 述各種塗布法；浸漬法；澆鑄法；噴塗法之中的任一者。 支撐體係可舉例各種之玻璃基板，或於表面形成絕緣 層之各種玻璃基板、石英基板、於表面形成絕緣層之石英 φ基板、於表面形成絕緣層之矽基板。進一步，就支撐體係 可舉例：聚醚颯（PES )或聚醯亞胺、聚碳酸酯（PC )、 聚對苯二甲酸乙二酯（PET )、聚甲苯丙烯酸甲酯（ PMMA )或聚乙烯醇（PVA )、聚乙烯酚（PVP )所例示 之高分子材料所構成的塑膠/薄膜或塑膠/薄片、塑膠基 板，若使用具有如此之可撓性之高分子材料所構成的支撐 體，則例如具有曲面形狀之顯示器裝置或電子機器的場效 型電晶體組裝成一體化成爲可能。就支撐體其他可舉例導 電性基板（金等之金屬、由高配向性石墨所構成之基板） -18- (16) 1292633 。又’依場效型電晶體之構成、構造係場效型電晶體被設 於支撐構件上，但此支撐構件亦可由上述之材料構成。亦 可以樹脂密封電子裝置或場效型電晶體。 將本發明之場效型電晶體適用/使用於顯示裝置或各 種之電子機器時，亦可形成一於支撐體上積體多數場效型 電晶體之單石積體電路，或亦可切割各場效型電晶體而個 別化’使用來作爲離散零件。又，亦可以樹脂密封場效型 電晶體。 [發明之效果] 在本發明中，源極/汲極電極係由金屬所構成之導體 部及摻雜有摻雜材料之有機導電材料層所構成，藉適當選 擇構成有機導電材料層之材料，在由有機半導體材料層所 構成之通道區域與源極/汲極電極之間，可形成良好的歐 姆接觸。繼而因不須由所謂金、鉑、鈀之昂貴的金屬構成 φ導體部，故可謀求場效型電晶體之製造成本的降低。而且 ，由金屬構成導體部，故可得到高的電氣傳導度，且有機 導電材料層因摻雜有摻雜材料，故可得到高的電氣傳導度 ，進一步，亦可降低有機導電材料層與導體部之間的電阻 値。 【實施方式】 [用以實施發明之最佳形態] 以下，參照圖面，而依實施例說明本發明。 -19- (17) 1292633 [實施例1] 實施例1係關於本發明之第1態樣及第2態樣的場效 型電晶體。 於圖1 ( A)模式性表示一部份剖面圖之實施例1的 場效型電晶體，係具備閘極電極1 2、閘極絕緣層1 3、源 極/汲極電極21、與構成通道區域15之有機半導體材料 層14。繼而，源極/汲極電極21係由金屬所構成之導體 部22及至少部份地被覆導體部22，且摻雜有摻雜材料之 有機導電材料層23所構成。 通道區域1 5係由位於源極/汲極電極2 1與源極/汲 極電極2 1之間的有機半導體材料層1 4之部份所構成。繼 而，介由有機導電材料層23而形成通道區域15與導體部 22之間的電氣連接。 或，實施例1之場效型電晶體係所謂頂閘極/底接觸 型之TFT ，且由 (A)形成於支撐體11上之源極/汲極電極21、 (B )位於源極/汲極電極2 1與源極/汲極電極2 1 之間的支撐體1 1部分之上及源極/汲極電極2 1之上所形 成的有機半導體材料層14、 (C )形成於有機半導體材料層1 4上之閘極絕緣層 13，及 (D)形成於閘極絕緣層1 3上之閘極電極1 2 所構成。繼而，源極/汲極電極2 1係由 -20- (18) 1292633 (a)由金屬所構成之導體部22，及 (b )摻雜有摻雜材料之有機導電材料層23 所構成，且 有機導電材料層2 3係至少部分地被覆至少導體部之 底面、與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面對 向的導體部之側面，及導體部之頂面之任一者。具體上， 在實施例1中，有機導電材料層23係形成於導體部22之 p 底面以外的面。亦即，有機導電材料層23係形成於導體 部22之頂面及對向側面。 在實施例1中，支撐體1 1係由於表面形成Si02層（ 未圖示）之玻璃基板。又，閘極電極12係由銅（更具體 地係銅微粒子之集合體）所構成，閘極絕緣層13係由 Si02所構成，進一步有機半導體材料層14由戊省所構成 。構成導體部22之金屬係銅（更具體地係銅微粒子之集 合體）。進而，構成有機導電材料層23之材料係在聚乙 φ烯二氧噻吩[更正確地係聚（3，4 一乙烯二氧噻吩）、 PEDOT]之有機材料中，摻雜聚苯乙烯磺酸[pss]之摻雜材 料（摻雜物）所得到的材料。 以下’說明實施例1之頂閘極/底接觸型之TFT的 製造方法槪略。 [步驟一 1 00] 首先’於表面形成Si〇2層（未圖示）之玻璃基板所 構成之支撐體Π上，依使用銅糊劑之網版印刷法，形成 -21 - (19) 1292633 一構成源極/汲極電極2 1之導體部22。 [步驟一 1 10] 其次，使在聚乙烯二氧噻吩中摻雜聚苯乙烯磺酸所得 到的材料依網版印刷法以被覆導體部22之方式進行印刷 ，可形成有機導電材料層23。又，有機導電材料層23係 以被覆導體部22全面的方式形成。 或又，亦可使構成有機導電材料層2 3之材料，作爲 一於聚苯胺摻雜十二碳烷基苯磺酸所得到的材料。或又， 可於構成有機導電材料層2 3之材料中混入奈米碳管，亦 可混入富勒烯，亦可混入奈米碳管與富勒烯。使構成有機 導電材料層23之材料作爲1〇〇重量份時，奈米碳管及/ 或富勒烯之混入比率宜爲1〇重量份。 [步驟一 120] 其後，於全面形成有機半導體材料層14。具體上’ 將由戊省所構成之有機半導體材料層1 4以例示於以下表 1之真空蒸鍍法，形成於源極/汲極電極21之上（更具 體地，有機導電材料層23之上）及支撐體11上’進行有 機半導體材料層1 4的成膜時，藉由以硬光罩被覆源極/ 汲極電極2 1及支撐體1 1之一部份’而無光微影蝕刻製程 即可形成有機半導體材料層1 4 ° -22- (20) 1292633 、 [表 1 ] .支撐體溫度：60°c 成膜速度 ：3nm/分 壓力 ：5x1 CT4Pa 或又，亦可使例如由聚噻吩或聚芴所構成的有機半導 體材料層1 4，依網版印刷法或旋塗法，形成於源極/汲 極電極21之上（更具體地係有機導電材料層23之上）及 φ 支撐體1 1之上。 [步驟一 130] 然後全面地形成閘極絕緣層1 3。具體地，係依濺鍍 法全面地（具體地係於有機半導體材料層1 4之上）形成 由Si02所構成之閘極絕緣層13。 [步驟-140] φ 其後，依使用銅糊劑之網版印刷法，於閘極絕緣層 1 3上形成閘極電極1 2。 [步驟-150] 最後，於全面形成被動膜即絕緣層（未圖示），於源 極/汲極電極21之上方的絕緣層形成開口部，再於含有 開口部內之全面形成配線材料層後，藉由使配線材料層圖 案化，而可完成一連接於源極/汲極電極2 1之配線（未 圖示）形成於絕緣層上之實施例1的場效型電晶體。 -23- (21) 1292633 於圖1之（B)、圖2之（A) 、（B)中，模式地表 示實施例1之場效型電晶體（頂閘極/底接觸型之薄膜電 晶體）的變形例之一部份剖面圖。此處，在圖1之（B ) 所示之變形例中，有機導電材料層23係形成於與構成另 一者之源極/汲極電極2 1的導體部22之側面對向之導體 部22的側面（對向側面）。又，於圖2之（A )所示之 變形例中，有機導電材料層23係形成於導體部22之頂面 。進而，於圖2之（B )所示之變形例中，有機導電材料 層23係形成於導體部22之底面。又，雖未圖示，但，有 機導電材料層23係亦可形成於導體部22之底面及對向側 面，亦可形成於導體部22之底面及頂面，亦可形成於導 體部22之頂面、對向側面及底面。進一步，有機導電材 料層23係形成於導體部22之各面的全面，亦可形成於各 面的一部分，亦可呈島狀形成於各面。 φ [實施例2] 實施例2係關於本發明之第1態樣及第3態樣的場效 型電晶體。 於圖3 ( A )模式性表示一部份剖面圖之實施例2的 場效型電晶體，係具備閘極電極1 2、閘極絕緣層1 3、源 極/汲極電極21、與構成通道區域15之有機半導體材料 層14。繼而，源極/汲極電極21係由金屬所構成之導體 部22及至少部份地被覆導體部22且摻雜有摻雜材料之有 機導電材料層23所構成。 • 24 · (22) 1292633 通道區域1 5係由位於源極/汲極電極2 1與源極/汲 極電極之間的有機半導體材料層1 4之部份所構成。繼而 ，介由有機導電材料層23而形成通道區域15與導體部 22之間的電氣連接。 或又，實施例2之場效型電晶體係所謂頂閘極/底接 觸型之TFT，且由 (A) 形成於支撐體11上之有機半導體材料層14、 (B) 形成於有機半導體材料層14上之源極/汲極電 極21、 (C) 位於源極/汲極電極2 1與源極/汲極電極21 之間的有機半導體材料層1 4部分之上及源極/汲極電極 2 1之上所形成的閘極絕緣層1 3，及 (D )形成於閘極絕緣層1 3上之閘極電極1 2 所構成。 繼而，源極/汲極電極21係由 (a) 由金屬所構成之導體部22，及 (b) 摻雜有摻雜材料之有機導電材料層23 所構成，且 有機導電材料層23係至少部分地被覆至少導體部22 之底面、與構成另一者之源極/汲極電極21的導體部22 之側面對向的導體部2 2之側面之任一者。具體上，在實 施例2中，有機導電材料層23係形成於導體部22之底面 以外的面。亦即，有機導電材料層2 3係形成於導體部2 2 之對向側面及頂面。 -25- (23) 1292633 在實施例2中，支撐體η、閘極電極12、閘極絕緣 層13、有機半導體材料層14、構成導體部22之金屬，構 成有機導電材料層2 3之材料，係由與實施例1相同的材 料所構成。 以下，說明實施例2之頂閘極/頂接觸型之TFT的 製造方法槪略。 B [步驟—2 0 0 ] 首先，於表面形成Si 02層（未圖示）之玻璃基板所 構成之支撐體1 1上，與實施例1之[步驟〜120]相同做法 ’形成有機半導體材料層1 4。 [步驟一 210] 然後，與實施例1之[步驟一 100]相同做法，依使用 銅糊劑之網版印刷法，於有機半導體材料層1 4上形成構 φ成源極/汲極電極21之導體部22。 [步驟—220] 其次，與實施例1之[步驟- 1 1 〇]相同做法’使在有 機材料中摻雜有摻雜材料所得到之材料依網版印刷法以被 覆導體部2 2之方式進行印刷’可形成有機導電材料層2 3 。又，有機導電材料層2 3係以被覆導體部2 2全面的方式 形成。 -26- (24) 1292633 - [歩驟一 23 0] •然後，與實施例1之[步驟- 130]相同做法，於全面 (具體地係於有機半導體材料層1 4之上及源極/汲極電 〜21之上）依濺鍍法形成由Si〇2所構成之閘極絕緣層13 [歩驟-240] | 其後’依使用銅糊劑之網版印刷法，於閘極絕緣層 1 3上形成閘極電極1 2。 [歩驟—2 5 0 ] 最後，實施與實施例1之[步驟一 1 5 0]相同的步驟， 可完成實施例2的場效型電晶體。 於圖3之（B ) 、（ C )中，模式地表示實施例2之 場效型電晶體（頂閘極/頂接觸型之薄膜電晶體）的變形 鲁例之一部份剖面圖。此處，在圖3之（B )所示之變形例 中，有機導電材料層23係形成於與構成另一者之源極/ 汲極電極2 1的導體部22之側面對向之導體部22的側面 (對向側面）。又，於圖3之（C )所示之變形例中，有 機導電材料層23係形成於導體部22之底面。又，雖未圖 示，但，有機導電材料層23係可形成於導體部22之底面 及對向側面，亦可形成於導體部22之頂面、對向側面及 底面。進一步，有機導電材料層23係可形成於導體部22 之各面的全面，亦可形成於各面的一部分，亦可呈島狀形 -27- (25) 1292633 成於各面。 [實施例3] 實施例3係關於本發明之第1態樣及第4態樣的場效 型電晶體。 於圖4 ( A )模式性表示一部份剖面圖之實施例3的 場效型電晶體，係具備閘極電極1 2、閘極絕緣層1 3、源 極/汲極電極21、與構成通道區域15之有機半導體材料 層14。繼而，源極/汲極電極21係由金屬所構成之導體 部22及至少部份地被覆導體部22且摻雜有摻雜材料之有 機導電材料層23所構成。 通道區域1 5係由位於源極/汲極電極2 1與源極/汲 極電極2 1之間的有機半導體材料層1 4之部份所構成。繼 而，介由有機導電材料層23而形成通道區域15與導體部 22之間的電氣連接。 或又，實施例3之場效型電晶體係所謂底閘極/底接 觸型之TFT，且由 (A )形成於支撐體1 1上之閘極電極1 2、 (B )形成於閘極電極1 2上及支撐體1 1上之閘極絕 緣層1 3、 (C )形成於閘極絕緣層1 3上之源極/汲極電極2 1 ，及 (D)位於源極/汲極電極21與源極/汲極電極21 之間的閘極絕緣層1 3部分之上及源極/汲極電極2 1之上 -28- (26) 1292633 所形成的有機半導體材料層1 4 所構成。 繼而，源極/汲極電極2 1係由 (a) 由金屬所構成之導體部22，及 (b) 摻雜有摻雜材料之有機導電材料層23 所構成，且 有機導電材料層23係至少部分地被覆至少導體部22 p 之底面、與構成另一者之源極/汲極電極21的導體部22 之側面對向的導體部22之側面、及導體部22之頂面之任 一者。具體上，在實施例3中，有機導電材料層23係形 成於導體部22之底面以外的面。亦即，有機導電材料層 23係形成於導體部22之頂面及對向側面。 在實施例3中，支撐體1 1、閘極電極1 2、閘極絕緣 層13、有機半導體材料層14、構成導體部22之金屬，構 成有機導電材料層2 3之材料，係由與實施例1相同的材 •料所構成。 以下，說明實施例3之底閘極/底接觸型之TFT的 製造方法槪略。 [步驟一300] 首先，於表面形成Si〇2層（未圖示）之玻璃基板所 構成之支撐體1 1上，依使用銅糊劑之網版印刷法，形成 閘極電極1 2。 -29- (27) 1292633 • [步驟一 3 1 0] ‘然後，依濺鍍法，於閘極電極1 2之上及支撑體丨丨之 上’形成由S i Ο 2所構成之閘極絕緣層1 3。 [步驟一 320] 其次’與實施例1之[步驟一 1 〇 〇 ]相同做法，依使用 銅糊劑之網版印刷法，於閘極絕緣層1 3上形成構成源極 φ /汲極電極21之導體部22。 [步驟一 33 0] 其次’與貫施例1之[步驟- 1 1 0 ]相同做法，使在有 機材料中摻雜有摻雜材料所得到之材料依網版印刷法以被 覆導體部22之方式進行印刷，可形成有機導電材料層23 。又，有機導電材料層23係以被覆導體部22全面的方式 形成。 [步驟一340] 然後，與實施例1之[步驟-120]相同做法，於全面 (具體地係於源極/汲極電極2 1之上及閘極絕緣層1 3之 上）形成有機半導體材料層14° [步驟一3 5 0] 最後，實施與實施例1之[步驟一 1 5 0]相同的步驟’ 可完成實施例3的場效型電晶體。 -30- (28) I292633 於圖4之（B)、圖5之（A) 、 （B)中，模式地表 v 不實施例3之場效型電晶體（底閘極/底接觸型之薄膜電 晶體）的變形例之一部份剖面圖。此處，在圖4之（B ) 所示之變形例中，有機導電材料層2 3係形成於與構成另 〜者之源極/汲極電極21的導體部22之側面對向之導體 部2 2的側面（對向側面）。又，於圖5之（a )所示之 變形例中，有機導電材料層2 3係形成於導體部2 2之頂面 ^ 。進一步，於圖5之（B)所示之變形例中，有機導電材 料層23係形成於導體部22之底面。又，雖未圖示，但， 有機導電材料層23係可形成於導體部22之底面及對向側 面’亦可形成於導體部22之底面及頂面，亦可形成於導 體部22之頂面、對向側面及底面。進一步，有機導電材 料層2 3係可形成於導體部2 2之各面的全面，亦可形成於 各面的一部分，亦可呈島狀形成於各面。 •[實施例4] 實施例4係關於本發明之第1態樣及第5態樣的場效 型電晶體。 於圖6 ( A )模式性表示一部份剖面圖之實施例4的 場效型電晶體，係具備閘極電極1 2、閘極絕緣層1 3、源 極/汲極電極21、與構成通道區域15之有機半導體材料 層14。繼而，源極/汲極電極21係由金屬所構成之導體 部22及至少部份地被覆導體部22且摻雜有摻雜材料之有 機導電材料層23所構成。 -31 - (29) 1292633 通道區域1 5係由位於源極/汲極電極2 1與源極/汲 極電極2 1之間的有機半導體材料層1 4之部份所構成。繼 而，介由有機導電材料層23而形成通道區域15與導體部 2 2之間的電氣連接。 或又，實施例4之場效型電晶體係所謂底閘極/頂接 觸型之TFT，且由 (A )形成於支撐體1 1上之閘極電極1 2、 (B)形成於閘極電極1 2上及支撐體1 1上之閘極絕 緣層1 3、 (C )形成於閘極絕緣層1 3上之有機半導體材料層 14，及 (D)形成於有機半導體材料層14上之源極/汲極 電極21 所構成。 繼而，源極/汲極電極21係由 (a )由金屬所構成之導體部22，及 (b )摻雜有摻雜材料之有機導電材料層23 所構成，且 有機導電材料層2 3係至少部分地被覆至少導體部22 之底面，及與構成另一者之源極/汲極電極21的導體部 22之側面對向的導體部22之側面之任一者。具體上，在 實施例4中，有機導電材料層2 3係形成於導體部2 2之底 面以外的面。亦即，有機導電材料層23係形成於導體部 22之對向側面及頂面。 -32- (30) 1292633 在實施例4中，支撐體1 1、閘極電極1 2、閘極絕緣 層13、有機半導體材料層14、構成導體部22之金屬，構 成有機導電材料層23之材料，係由與實施例1相同的材 料所構成。 以下，說明實施例4之底閘極/頂接觸型之TFT的 製造方法槪略。 [步驟—4 0 0 ] 首先，於表面形成Si〇2層（未圖示）之玻璃基板所 構成之支撐體1 1上，依使用銅糊劑之網版印刷法，形成 閘極電極1 2。 [步驟一 4 1 0 ] 然後，依濺鍍法，於閘極電極1 2之上及支撐體丨丨之 上’形成由Si 02所構成之閘極絕緣層13。 [步驟一 4 2 0 ] 其後，與實施例1之[步驟一 120]相同做法，全面地 (具體地係於閘極絕緣層1 3之上）形成有機半導體材料 層14。 [步驟一 4 3 0 ] 繼而，與實施例1之[步驟-100]相同做法，依使用 銅糊劑之網版印刷法，於有機半導體材料層1 4上形成構 -33- (31) 1292633 成源極/汲極電極21之導體部22。 [步驟-440] 其次，與實施例1之[步驟-11 〇 ]相同做法，使在有 機材料中摻雜有摻雜材料所得到之材料依網版印刷法以被 覆導體部22之方式進行印刷，可形成有機導電材料層23 。又，有機導電材料層23係以被覆導體部22全面的方式 p 形成。 [步驟—450] 最後，實施與實施例1之[步驟一 150]相同的步驟， 可完成實施例4的場效型電晶體。 於圖6之（B ) 、（ C )中，模式地表示實施例4之 場效型電晶體（底閘極/頂接觸型之薄膜電晶體）的變形 例之一部份剖面圖。此處，在圖6之（B )所示之變形例 中，有機導電材料層23係形成於與構成另一者之源極/ 汲極電極2 1的導體部22之側面對向之導體部22的側面 (對向側面）。又，於圖6之（C )所示之變形例中，有 機導電材料層23係形成於導體部22之底面。又，雖未圖 示，但，有機導電材料層23係可形成於導體部22之底面 及對向側面，亦可形成於導體部2 2之頂面、對向側面及 底面。進一步’有機導電材料層23係可形成於導體部22 之各面的全面，亦可形成於各面的一部分，亦可呈島狀形 成於各面。 -34- (32) 1292633 ，以上，依較佳之實施例說明本發明，但本發明不受此 等實施例所限定。場效型電晶體之構造或構成、製造條件 、所使用之條件係例示’並可適當變更。使依本發明所得 到之場效型電晶體（TFT )適用/使用於顯示裝置或各種 之電子機器時，亦可形成一於支撐體上積體多數場效型電 晶體之單石積體電路，或亦可切割各場效型電晶體而個別 化，使用來作爲離散零件。 【圖式簡單說明】 圖1之（A )及（B )係實施例1及其變形例之場效 型電晶體的模式性一部份剖面圖。 圖2之（A )及（B )係實施例1之另一變形例之場 效型電晶體的模式性一部份剖面圖。 圖3之（A ) 、（ B )及（C )係實施例2及其變形例 之場效型電晶體的模式性一部份剖面圖。 φ 圖4之（A )及（B )係實施例3及其變形例之場效 型電晶體的模式性一部份剖面圖。 圖5之（A )及（B )係實施例3之另一變形例之場 效型電晶體的模式性一部份剖面圖。 圖6之（A ) 、（ B )及（C )係實施例4及其變形例 之場效型電晶體的模式性一部份剖面圖。 圖7係例示可適用於本發明中使用之有機半導體材料 的構造式者。 圖8係例示可適用於本發明中使用之有機半導體材料 -35- (33) 1292633 的構造式者。 圖9係例示可適用於本發明中使用之有機半導體材料 的構造式者。 【主要元件符號說明】 11…支撐體 1 2…聞極電極 1 3…閘極絕緣層 14…有機半導體材料層 15···通道區域 2 1…源極/汲極電極 22…導體部 23…有機導電材料層
-36-

Claims (1)

  1. (1) 1292633 十、申請專利範圍 1 · 一種場效型電晶體，其係具備閘極電極、閘極絕 緣層、源極/汲極電極、與具有構成通道區域之有機半導 ~體材料層，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b )至少部分地被覆導體部，且摻雜有摻雜材料之 有機導電材料層 p 所構成，通道區域係由位於源極/汲極電極與源極/ 汲極電極之間的有機半導體材料層之部分所構成， 介由有機導電材料層而形成通道區域與導體部之間的 電氣連接。 2. —種場效型電晶體，其係由 (A)形成於支撐體上之源極/汲極電極、 (B )位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 支撐體部分之上及源極/汲極電極之上所形成的有機半導 φ體材料層、 (C )形成於有機半導體材料層上之閘極絕緣層、及 (D )形成於閘極絕緣層上之閘極電極 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b)摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 、與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面相向的 -37- (2) 1292633 導體部之側面，及導體部之頂面之任一者。 3. 一種場效型電晶體，其係由 (A )形成於支撐體上之有機半導體材料層、 (B )形成於有機半導體材料層上之源極/汲極電極 (C )位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 有機半導體材料層部分之上及源極/汲極電極之上所形成 | 的閘極絕緣層，及 (D )形成於閘極絕緣層上之閫極電極 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b )摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 ，及與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面相向 φ的導體部之側面之任一者。 4. 一種場效型電晶體，其係由 (A )形成於支撐體上之閘極電極、 (B )形成於閘極電極之上及支撐體之上的閘極絕緣 層、 (C )形成於閘極絕緣層上之源極/汲極電極，及 (D )位於源極/汲極電極與源極/汲極電極之間的 閘極絕緣層部分之上及源極/汲極電極之上所形成的有機 半導電材料層 -38- (3) 1292633 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b)摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底面 ，及與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面相向 的導體部之側面及導體部之頂面之任一者。 5 . —種場效型電晶體，其係由 (A)形成於支撐體上之閘極電極、 (B )形成於閘極電極之上及支撐體之上的閘極絕緣 層、 (C )形成於閘極絕緣層上之有機半導體材料層’及 (D)形成於有機半導體材料層上的源極/汲極電極 所構成，其特徵在於：源極/汲極電極係由 (a )由金屬所構成之導體部，及 (b )摻雜有摻雜材料之有機導電材料層 所構成， 有機導電材料層係至少部分地被覆至少導體部之底® ，及與構成另一者之源極/汲極電極的導體部之側面相向 的導體部之側面之任一者。 6.如申請專利範圍第2乃至5項之中任一項之場效 型電晶體，其中通道區域係由位於源極/汲極電極與源極 /汲極電極之間的有機半導體材料層之部分所構成’ 介由有機導電材料層而形成通道區域與導體部之間白勺 -39- (4) 1292633 電氣連接。 7.如申請專利範圍第1乃至5項之中任一項之場效 型電晶體，其中構成有機導電材料層之材料係於至少一種 選自由聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚苯、聚呋喃 、聚哂吩（selenophene)、聚異噻蔡吩（ isothianaphthene)、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚噻嗯乙烯、 聚萘、聚蔥、聚芘、聚甘菊藍（azulene )、酞菁、戊省 (Pentacene )、半花青染料（merocyanine )、及聚乙嫌 二氧噻吩所構成之群中的有機材料中，摻雜至少一種選自 由碘、過氯酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、四氟化硼、五 氟化砷、六氟化磷酸、烷基磺酸、全氟烷基磺酸、聚丙烯 酸、聚苯乙烯磺酸、及十二碳烷基苯磺酸的摻雜材料所得 到之材料。 8 ·如申請專利範圍第7項之場效型電晶體，其中構 成有機導電材料層之材料係混入奈米碳管及/或富勒烯（ Fullerene ) 〇 9 ·如申請專利範圍第1乃至5項之中任一項之場效 型電晶體，其中有機半導電材料層之導電型與有機導電材 料層之導電型係相同。 1 0.如申請專利範圍第1乃至5項之中任一項之場效型 電晶體，其中構成導電部之材料係銅、銀、鋁、金微粒子 、鉑微粒子或鈀微粒子。 -40-
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