TWI288455B - Substrate recovery method and substrate processing apparatus - Google Patents

Description

1288455 Ο) 存取。 處理站3如第1圖所示，多段配置有複數個處理單元 ’例如具備有7個處理單元群G1至G7。在處理站3的正 面側即X方向負方向（第1圖中的下方向）側，從卡匣站 2側依序配置有第1處理單元群G1、第2處理單元群G2 。在處理站3的中央部從卡匣站2側依序配置有第3處理 單元群G3、第4處理單元群G4、第5處理單元群G5。在 處理站3的背面側即X方向正方向（第1圖中的上方向） 側’從卡匣站2側依序配置有第6處理單元群G6、第7 處理單元群G7。 在第3處理單元群G3、第4處理單元群G4之間，設 置有第1搬運單元30。第1搬運單元30例如可在0方向 上旋轉，且具備在水平方向與上下方向上可移動的搬運臂 3〇a。第1搬運單元30，係藉由與相鄰接的第1處理單元 群G1、第3處理單元群G3、第4處理單元群G4、及第6 處理單元群G6內的各單元相對，使搬運臂30a進退，在 該各處理單元群Gl、G3、G4及G6內的各單元間內可搬 運晶圓W。 在第4處理單元群G4、第5處理單元群G5之間，設 置有第2搬運單元31。第2搬運單元31具備：與第1搬 運單元30相同的搬運臂31a，與第2處理單元群G2、第 4處理單元群G4、第5處理單元群（J5、及第7處理單元 群G7內的各單元相對，可選擇性地存取並搬運晶圓W。 如弟2圖所示，在第1處理單元群G1係對晶圓供給 -13- (10) 1288455 特定的液體，並進行處理的液體處理單元，例如從下方依 序5段重疊有在晶圓W塗抹抗蝕劑液，並形成抗蝕劑膜 的抗蝕劑塗抹單元40至44。在第2處理單元群G2係液 體處理單元，例如從下方依序5段重疊有顯影處理晶圓W 的顯影單元50至54。又’在第1處理單元群G1及第2 處理單元群G2的最下段，分別設置有對各處理單元群G 1 及G2內的前述液體處理單元供給各種處理液的化學室60 、61° 例如第3圖所示，在第3處理單元群G3從下方依據 9段重疊有：用來進行晶圓W的收受的過渡單元70、7 1 ;在精確度高的溫度管理下，冷卻晶圓W的冷卻單元72 至74 ;以及以高溫加熱處理晶圓W的高溫度熱處理單元 7 5至7 8。例如，過渡單元7 0、7 1係在Y方向兩側具備晶 圓W的搬運口，俾使可存取與Y方向的兩側鄰接的晶圓 搬運單元7與第1搬運單元30兩者。因而，過渡單元70 、7 1具有晶圓搬運單元7與第1搬運單元3 0之間的晶圓 W的收受功能。 在第4處理單元群G4中，例如從下方依序1〇段重疊 有··冷卻單元80、8 1 ;加熱處理抗蝕劑塗抹處理後之晶圓 W的預先烘烤單元82至86 ;以及加熱處理顯影處理後的 晶圓W之事後烘烤單元87至89。例如，第4處理單元群 G4內全部的單元，係在Y方向的兩側具有晶圓w的搬運 口，俾使以可存取與Y方向的兩側鄰接的第1搬運單元 30與第2搬運單元31兩者。因而，第4處理單元群G4 -14 - (13) 1288455 搬運晶圓w，對晶圓W進行特定的處理。 又，控制部1 60例如處理單元故障時，在塗抹顯影處 理裝置1設定有當產生問題時，回收塗抹顯影處理裝置1 內的晶圓W的晶圓回收功能。控制部1 6 0藉由使晶圓回 收功能動作，例如對塗抹顯影處理裝置1內的搬運單元7 、3 0、3 1、1 22、1 5 1等，輸出晶圓回收命令，控制各搬運 單元的動作，可使位於塗抹顯影處理裝置1內的全部晶圓 W ’朝向卡匣站2的方向加以回收。此時，控制部1 60使 用各搬運單元，例如藉由卡匣站2將晶圓W搬運到接近 之空的單元。控制部160係在空的單元爲複數時，可從其 位置將晶圓W搬運到位於最短距離的單元。又，控制部 1 60係在產生問題時，於各處理單元中，對於處理中的晶 圓W，結束該處理單元的處理之後加以回收。 在此，說明以如上方式構成的塗抹顯影處理裝置1進 行的晶圓處理的一例。例如，當收容複數未處理的晶圓W 的卡匣C載置於卡匣站2的載置台6上時，該卡匣C內的 晶圓W依據預先設定於每批單位的特定搬運路徑，加以 搬運處理。第4圖係表示晶圓W的搬運路徑的一例。 例如，首先，當晶圓W從卡匣C取出時，藉由晶圓 搬運單元7，搬運到第3處理單元群G3的過渡單元70。 搬運到過渡單元70的晶圓W，藉由第1搬運單元30，搬 運到第6處理單元群G6的黏著力促進膜塗抹單元100, 在晶圓W上例如塗抹有HMDS，提升晶圓W與抗蝕劑液 的密接性。然後，晶圓W係藉由第1搬運單元3 0，搬運 -17- (14) 1288455 到第3處理單元群G3的過渡單元70並加以冷卻之後，藉 由第1搬運單元30，搬運到第1處理單元群G1的抗鈾劑 塗抹單元40，進行抗蝕劑塗抹處理。 已進行抗蝕劑塗抹處理的晶圓W，藉由第1搬運單元 30，搬運到第4處理單元群G4的預先烘烤單元82，予以 加熱並使之乾燥後，藉由第2搬運單元3 1，搬運到第5處 理單元群G5的冷卻單元90並加以冷卻。然後，晶圓W 藉由第1介面部121的第1晶圓搬運單元122，搬運到單 元群H1的周邊曝光單元132，在進行周邊曝光處理之後 ，收容在緩衝卡匣單元1 3 〇。然後，藉由第1晶圓搬運單 元122，單送到單元群H2的冷卻單元140藉由第2介面 部121的第2晶圓搬運單元151，搬運到未圖示的曝光裝 置。在曝光裝置中，曝光處理結束的晶圓W’藉由第2晶 圓搬運單元151，搬運到第1介面部120的過渡單元142 ，然後，藉由第1晶圓搬運單元122,搬運到第5處理單 元群G5的事後曝光單元94。在事後曝光單元94中被加 熱的晶圓W，藉由第2搬運單元31’搬運到第4處理單 元群G4的冷卻單元8 0加以冷卻後，搬運到第2處理單元 群G2的顯影單元5 0，並予以顯影。 顯影處理結束的晶圓W，藉由第2搬運單兀31’搬 運到第7處理單元群G 7的事後烘烤單兀1 1 0 ’在進行加 熱處理之後，搬運到第4處理單元群G4的冷卻單元81加 以冷卻。然後，晶圓W藉由第1搬運單元3 0 ’搬運到第 3處理單元群G3的過渡單元7 1，然後，藉由晶圓搬運單 -18- (15) 1288455 元7返回到卡匣站2的卡匣C內。如此，結束與晶圓W 相對的一連串之微影製程。 在塗抹顯影處理裝置1中，卡匣C內的複數片晶圓W 依序搬運到處理站3側，依據上述搬運路徑，各晶圓W 以單片式進行連續處理。 在塗抹顯影處理裝置1中，產生問題時，藉由控制部 1 60使回收功能動作。該晶圓回收功能的動作，係在通知 問題產生的警報器輸出時自動進行亦可，藉由作業員操作 亦可。當晶圓回收功能動作時，例如第5圖所示，位於塗 抹顯影裝置1內的全部晶圓W朝向卡匣站2搬運。此時 ，例如，在處理站3或介面部4內的處理單元處理中的晶 圓W，係在結束該處理之後被搬運。例如，在問題產生時 ，在顯影單元5 0中，在顯影中，顯影液溢出的晶圓w， 係結束靜止現象，甩掉顯影液到乾燥爲止，繼續顯影處理 ，在顯影處理結束之後，朝向卡匣站2搬運。又，在問題 產生時，於冷卻單元72、80、81等冷卻中的晶圓W，使 溫度下降至設定溫度爲止，繼續冷卻處理，在冷卻處理結 束之後，朝向卡匣站2搬運。 在此，說明藉由上述晶圓回收功能而回收的晶圓 W 的回收路徑。 首先，說明問題產生時，位於介面部4的單元群H1 或H2內的晶圓W的回收路徑。在問題產生時，例如，收 容在單元群H1內的周邊曝光單元132的晶圓W，不依據 正常時的搬運路徑，首先，藉由第1晶圓搬運單元122， -19- (16) 1288455 藉由卡匣站2搬運到具有接近的第5處理單元群G5之 受的功能的處理單元90至99中任一個。此時，晶圓 係搬運到在處理單元90至99中空著的處理單元。若沒 空著的處理單元時，則可搬運到處理單元90至99中任 個空的處理單元。又，當空的處理單元爲複數個時，例 從周邊曝光單元1 32搬運到最短距離的單元，例如位於 同程度的高度的預先設定的處理單元。 例如，從周邊曝光單元1 3 2搬運晶圓W至第5處 單元G5中任一個的處理單元90至99時，晶圓W係藉 第2搬運單元31，藉由卡匣站2搬運到近的第4處理單 群G4具有收受功能的處理單元80至89中任一個。此 ，若沒有空的處理單元時，則可搬運到下一個空的處理 元，當空的處理單元爲複數時，則搬運到位於最短距離 處理單元。 同樣地，搬運到第4處理單元G4內的任一個處理 元80至89的晶圓W，係藉由第1搬運單元30，藉由 匣站2搬運到近的第3處理單元群G3具有收受功能的 渡單元70、71中任一個。此時，在過渡單元70、71兩 有其他晶圓時，搬出其他晶圓，並搬運到空的下一個過 單元，當兩方的過渡單元70、7 1空著時，搬運到位於 短距離的處理單元。搬運到第3處理單元的過渡單元70 7 1中任一個的晶圓W，藉由晶圓搬運單元7搬運並回 到卡匣C。 在問題產生時，位於處理單元群G3至G5內的晶 收 W 有 如 相 理 由 元 時 單 的 單 卡 過 方 渡 最 收 圓 -20- (17) 1288455 W，係沿著上述單元Η 1、H2的晶圓W的回收路徑而回收 。又，在問題產生時，位於處理單元群G2或G7內的晶 圓W，係藉由第2搬運單元31搬運到第4處理單元G4內 空著的處理單元80至89中任一個，然後沿著上述回收路 徑加以回收。再者’在問題產生時，位於處理單元群G1 或G6內的晶圓W，係藉由第1搬運單元30搬運到第3處 理單元G3內空著的擴張單元70、71中任一個’然後沿著 上述回收路徑加以回收。 如以上所述，在問題產生時，位於塗抹顯影處理裝置 1內的晶圓W，使用各種搬運單元，從此時的位置藉由卡 匣站2依序搬運到接近的單元，朝向卡匣2直線搬運。如 此，藉由晶圓回收功能，回收塗抹顯影處理裝置1內全部 的晶圓W。 根據以上的實施形態，由於在塗抹顯影處理裝置1設 置有晶圓回收功能，因此即使產生問題，可迅速回收塗抹 顯影處理裝置1內全部的晶圓W。又，在顯影單元50或 冷卻單元72、80、81等的處理單元中，處理中的晶圓W 係在結束處理之後，加以回收，因此各搬運單元不搬運未 預定狀態的晶圓W，例如藉由顯影液污染搬運單元或其搬 運處的單元，可抑制受到熱的不良影響。因而’隨著晶圓 W的回收，不需進行搬運單元或處理單元的維修，可早期 再開始塗抹顯影處理裝置1的晶圓處理。結果’可提升晶 圓W的生產效率。 在以上的實施形態中，殘留在塗抹顯影處理裝置1內 -21 - (18) 1288455 的晶圓W，由於不依據正常時的搬運路徑，而是朝向卡匣 站2的方向搬運並回收，因此可在短時間內進行晶圓 W 的回收。又，各搬運單元係在搬運處的單元爲空的下一個 單元，來搬運晶圓，又當空的單元爲複數時，由於在位於 最短距離的單元搬運晶圓W，因此可在更短的時間內進行 晶圓W的回收。 在以上的實施形態中，在問題產生時，即使晶圓 W 在顯影處理中，在顯影單元5 0中進行至晶圓W乾燥爲止 ，在結束液處理之後，回收晶圓W，但例如抗蝕劑塗抹單 元般，在其他的處理單元進行晶圓W的乾燥之液體處理 單元，將晶圓W搬運到該其他的處理單元，在該處理單 元中，在使晶圓W乾燥之後，回收晶圓W亦可。例如， 對於在抗蝕劑塗抹單元40進行抗蝕劑塗抹處理中的晶圓 W，搬運到預先烘烤單元82，使之乾燥之後再回收亦可。 又，在上述實施形態中，雖在冷卻單元72等中，冷 卻晶圓W至設定溫度爲止後回收晶圓W，但例如在加熱 晶圓W的熱處理單元82、94、1 1〇等中，亦可加熱至特 定的設定溫度之後再予以回收。此時，不需搬運未預定溫 度的晶圓W，在搬運單元或搬運處的單元可抑制供給熱的 不良影響。又，在熱處理單元中必須冷卻被加熱的晶圓W 並加以回收。此時，可將對於搬運單元或搬運處的單元之 熱的不良影響抑制在最小限度。在冷卻被加熱的晶圓W 之後回收時，具有加熱功能與冷卻功能的兩方的熱處理單 元，在相同的熱處理單元內進行加熱與冷卻亦可。又’在 -22- (19) 1288455 不具有冷卻功能的熱處理單元中，將晶圓W搬運到冷卻 單元，在冷卻之後回收晶圓w亦可。 在以上的實施形態中，當產生問題時，以與正常時的 搬運路徑無關係的回收路徑，回收晶圓w的晶圓回收功 能雖然設定在控制部1 6 0，但是縮短正常時的搬運路徑， 亦可設定回收晶圓W的晶圓回收功能。此時，藉由控制 部1 6 0的晶圓回收功能的動作，在正常時沿著搬運路徑， 且飛越該搬運路徑的特定之單元，來搬運晶圓W。例如， 在上述搬運路徑中，可省略第5圖所示的處理單元群G1 、G2、G6及G7的單元之晶圓的搬運，例如抗蝕劑塗抹單 元40、顯影單元50、黏著力促進膜塗抹單元1〇〇及事後 烘烤單元1 10的晶圓W之搬運。因而，例如第6圖所示 ，在問題產生時的晶圓W，例如係搬運到過渡單元70之 後的過渡單元72，再搬運到過渡單元72之後的預先烘烤 單元82，再搬運到過渡單元80之後的冷卻單元81。根據 該例，由於沿著正常時的搬運路徑回收晶圓W，因此可更 簡單進行與該回收時的晶圓搬運有關的控制。又，在回收 塗抹顯影處理裝置1內的全部晶圓 W結束之前，其他的 晶圓流入至塗抹顯影處理裝置1內，可開始之後的晶圓之 處理。再者，在上述例中，省略搬運到處理單元群G1、 G2、G6及G7的單元之搬運，由於使用直線狀並列的處理 單元群G3至G5來回收晶圓W，因此使回收路徑成爲直 線，可縮短回收時間。 此外，在前述例中，省略晶圓W的搬運單元，係不 -23- (20) !288455 限定於上述例子。例如，在問題產生的時刻，亦可省 一批的先行晶圓W不通過搬運路徑上的特定區間的 之搬運。此時，例如，先行晶圓W於問題產生時， 第4圖所示的搬運路徑，到達第5處理單元群G5的 單元90爲止時，亦可全部省略從正常時的搬運路徑 冷卻單元90到相同的第5處理單元群G5的事後曝光 單元94爲止的單元。該每一批的晶圓W，從冷卻單: 依據如第6圖所示的回收路徑，經過冷卻單元8 0、冷 元81、過渡單元71，再返回卡匣C亦可。 又，在問題產生而回收晶圓W時，不依據上述 時的搬運路徑，而可選擇直線回收晶圓W至卡匣站 晶圓回收功能、以及沿著正常時的搬運路徑，縮短路 並回收晶圓W的晶圓回收功能中任一個。 在以上的實施形態所記載的控制部1 60，在問題 時，不回收成爲該問題產生原因的處理單元內剩下的 W，而進行其他晶圓W的回收’在問題解除之後，設 回收該處理單元內的晶圓之晶圓回收功能亦可。此時 如在抗蝕劑塗抹單元40產生問題，當該抗鈾劑塗抹 40內收容有晶圓W時’藉由控制部1 60使晶圓回收 動作時，回收抗蝕劑塗抹單元4 0內的晶圓W以外的 W。此時，與抗蝕劑塗抹單元4 0相對’藉由作業員 修復作業。然後’在恢復抗鈾劑塗抹單元4 0之後， 藉由控制部1 6 0使晶圓回收功能動作時，可將抗鈾劑 單元4 0內剩下的晶圓w回收到卡匣站2。此時’成 略每 單元 沿著 冷卻 上的 烘烤 ti 90 卻單 正常 2的 徑， 產生 晶圓 定可 ，例 單元 功能 晶圓 進行 再度 塗抹 爲問 -24- (21) 1288455 題的產生原因的處理單元內的晶圓W，在解除問題後，亦 可使用塗抹顯影處理裝置1的晶圓回收功能回收。又，由 於可早期回收成爲問題產生原因的處理單元以外的晶圓w ，因此例如使用除了成爲該問題產生原因的處理單元的其 他處理單元，可再開始晶圓處理。 以上，雖說明本發明之實施形態的一例，但本發明不 限定於此，可採用各種樣態。例如，在本實施形態所記載 的塗抹顯影處理裝置1內的搬運單元或處理單元等的單元 之種類、數量、配置，係不限定於此。又，本發明係不限 定於塗抹顯影處理裝置1，例如亦適用於蝕刻裝置、成膜 裝置、洗淨裝置等其他基板處理裝置。再者，本發明係除 了半導體以外，亦可應用在FPD (平面顯示器）用基板、 光掩模用的玻璃基板等的其他基板處理裝置。 〔產業上利用的可能性〕 根據本發明，在基板處理裝置產生問題時，對於早期 再開始基板處理甚爲有用。 【圖式簡單說明】 第1圖係本實施形態之塗抹顯影處理裝置的槪略之平 面圖。 第2圖係第1圖的塗抹顯影處理裝置的正面圖。 第3圖係第1圖的塗抹顯影處理裝置的背面圖。 第4圖係處理時的晶圓搬運路徑的說明圖。 -25- (22) 1288455 第5圖係用來顯示晶圓的回收路徑之塗抹顯影處理裝 置的平面圖。 第6圖係表示已縮短的搬運路徑之說明圖。 【主要元件符號說明】 1 :基板處理裝置 2 :卡匣站 3 :處理站 30 :第1搬運單元 3 1 :第2搬運單元 1 6 0 :控制部 W :晶圓

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Claims (1)

1288455 - (1) 十、申請專利範圍 第94 1 230 1 5號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年2月2日修正 ^ 1 · 一種基板之回收方法，屬於將基板處理裝置內之 基板回收至搬入出部之基板之回收方法，前述基板處理裝 # 置係具備有：用來搬入出基板的搬入出部；具有處理基板 的複數個處理單元之處理部；以及可以將從前述搬入出部 所搬入的基板，依序搬運到前述處理部的處理單元，並將 在前述處理部中進行特定的處理之基板，返回到前述搬入 出部之基板搬運手段，其特徵爲： 在前述基板處理裝置發生問題時，藉由前述基板搬運 手段，將位於基板處理裝置內的全部基板，回收到前述搬 入出部， • 前述所回收的基板中，針對在前述處理單元內處理中 的基板，係結束該處理單元的處理之後，再予以回收。 : 2.如申請專利範圍第1項的基板之回收方法，其中 ； ，對於在前述處理部所具備的液體處理單元中進行液體處 理的基板，係結束該液體處理之後乾燥該基板，再予以回 收。 3 .如申請專利範圍第1項的基板之回收方法，其中 ，對於在前述處理部所具備的熱處理單元中進行加熱處理 的基板，係結束該加熱處理之後冷卻該基板’再予以回收 (2) (2)1288455 4. 如申請專利範圍第1項的基板之回收方法，其中 ，正常時，藉由前述基板搬運手段，依照特定的搬運路徑 ，搬運已被搬入至前述搬入出部的基板到前述複數個處理 單元， 在前述基板處理裝置發生問題時，藉由前述基板搬運 手段，沿著前述特定的搬運路徑，搬運基板處理裝置內的 基板，但省略該特定的搬運路徑之特定的處理單元。 5. 如申請專利範圍第1項的基板之回收方法，其中 ，正常時，藉由前述基板搬運手段，依據特定的搬運路徑 ，搬運已被搬入到前述搬入出部的基板到前述複數個處理 單元， 在前述基板處理裝置中發生問題時，不依據前述特定 的搬運路徑’而藉由前述基板搬運手段，從前述問題發生 時的各基板的位置朝向前述搬入出部的方向，搬運基板處 理裝置內的基板。 6·如申請專利範圍第5項的基板之回收方法，其中 ，在前述基板處理裝置發生問題時，藉由前述基板搬運手 段將位於前述處理部的處理單元內的基板，搬運到接近前 述搬入出部的空的處理單元。 7 ·如申請專利範圍第6項的基板之回收方法，其中 ，在前述空的處理單元具有複數個時，將基板搬運到離基 板最近的空的處理單元。 8 ·如申請專利範圍第1項的基板之回收方法，其中 -2- (3) (3)1288455 ，在前述基板處理裝置的問題發生時，不回收位於成爲該 問題發生的原因之處理單元內的基板，而回收其他全部的 基板， 對位於成爲該問題發生的原因之處理單元內的基板’ 在解決問題之後，使用前述基板搬運手段予以回收。 9. 一種基板處理裝置，係在筐體內具備有：用來搬 入出基板的搬入出部；具備處理基板的複數個處理單元之 處理部；將從前述搬入出部所搬入的基板依序搬運到前述 處理部的處理單元，並可以將在前述處理部中進行特定處 理的基板，返回到前述搬入出部之基板搬運手段的基板處 理裝置，其特徵爲= 具備有基板回收控制部，係控制前述基板搬運手段， 使在基板處理裝置發生問題時，以藉由前述基板搬運手段 將筐體內全部的基板回收到前述搬入出部，並且對於前述 被回收的基板中在前述處理單元內前述問題發生時在處理 中的基板，結束該處理單元的處理之後，再予以回收。 10·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中， 前述處理部具有對基板進行液體處理的液體處理單元， 前述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手段，使 在問題發生時，將在前述液體處理單元進行液體處理的基 板，於結束該液體處理後，予以乾燥後再回收。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中， 前述處理部具有對基板進行加熱處理的熱處理單元， 前述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手段，使 -3 - (4) 1288455 在問題發生時，將在前述熱處理單元中進行加熱處 板，於結束該加熱處理後，予以冷卻後再回收。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置， 前述基板搬運手段，在正常時，係依據特定的搬運 基板搬運到前述複數個處理單元， 上述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手 在發生問題時，沿著前述特定的搬運路徑，並藉由 板搬運手段搬運前述筐體內的基板，而省略前述特 運路徑之特定的處理單元。 1 3 ·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置， 前述基板搬運手段，在正常時，係沿著特定的搬運 基板搬運到前述複數個處理單元， 上述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手 在發生問題時，不依據前述特定的搬運路徑，藉由 板搬運手段，從各基板的位置朝向前述搬入出部的 搬運前述筐體內的基板。 14.如申請專利範圍第13項之基板處理裝置 ，前述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手段 發生問題時，藉由前述基板搬運手段，搬運位於前 部的處理單元內的基板，到比該處理單元更接近前 出部的空的處理單元。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之基板處理裝置 ，前述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手段 前述空的處理單元具有複數個時，藉由前述基板搬 理的基 其中， 路徑將 段，使 前述基 定的搬 其中， 路徑將 段，使 前述基 方向， ，其中 ，使在 述處理 述搬入 ，其中 ，使在 運手段 -4 - 1288455 . (5) * ’將前述基板搬運到離該基板最近的空的處理單元。 16·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中， 前述基板回收控制部，係控制前述基板搬運手段，使在發 生問題時，不回收位於引發該問題產生的原因之處理單元 • 內的基板，而回收其他全部的基板，並且針對位於引發該 ， 問題產生的原因之處理單元內的基板，係於解決問題之後 ，藉由前述基板搬運手段予以回收。

-5- 1288455第94123015號專利申請案 民國96年2月2曰修正 757927