JPH11176912A - 半導体基板処理装置及びその制御方法 - Google Patents
半導体基板処理装置及びその制御方法Info
- Publication number
- JPH11176912A JPH11176912A JP9336773A JP33677397A JPH11176912A JP H11176912 A JPH11176912 A JP H11176912A JP 9336773 A JP9336773 A JP 9336773A JP 33677397 A JP33677397 A JP 33677397A JP H11176912 A JPH11176912 A JP H11176912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- semiconductor
- number counter
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多槽式でバッチ/ディップ式の半導体基板処
理装置において、基板の欠落や破損のトラブルを迅速に
あるいは瞬時に検知する。また、後続ロットに対してイ
ンターロックを設けることで、後続ロットに対する２次
災害を防ぐ。 【解決手段】 複数の処理槽で半導体基板を順次処理す
る半導体基板処理装置のローダー部、複数の処理槽及び
アンローダー部にそれぞれ半導体基板の枚数カウンター
を備え、基板の欠落が発見されたとき、警報を発する。
また、欠落が発見された処理槽の処理を停止し、下流側
の処理槽では処理を継続するが、ローダー部へのロット
投入を阻止し、上流側の処理槽では処理中の薬液処理を
完了後に停止するインターロック機能を備える。
理装置において、基板の欠落や破損のトラブルを迅速に
あるいは瞬時に検知する。また、後続ロットに対してイ
ンターロックを設けることで、後続ロットに対する２次
災害を防ぐ。 【解決手段】 複数の処理槽で半導体基板を順次処理す
る半導体基板処理装置のローダー部、複数の処理槽及び
アンローダー部にそれぞれ半導体基板の枚数カウンター
を備え、基板の欠落が発見されたとき、警報を発する。
また、欠落が発見された処理槽の処理を停止し、下流側
の処理槽では処理を継続するが、ローダー部へのロット
投入を阻止し、上流側の処理槽では処理中の薬液処理を
完了後に停止するインターロック機能を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造プロ
セスにおいて半導体基板（ウェーハ）を処理するための
半導体基板処理装置及びその制御方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、半導体基板を処理する多槽型でバ
ッチ/ディップ式のラインにおいて、半導体基板の薬液
処理・洗浄処理・乾燥処理等を行う処理装置及びその制
御方法に関するものである。
セスにおいて半導体基板（ウェーハ）を処理するための
半導体基板処理装置及びその制御方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、半導体基板を処理する多槽型でバ
ッチ/ディップ式のラインにおいて、半導体基板の薬液
処理・洗浄処理・乾燥処理等を行う処理装置及びその制
御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板を処理するための多槽式のバ
ッチ/ディップ式装置は、1台の装置で多種類の薬液によ
り半導体基板を連続処理するため用いられ、同時期に複
数バッチの処理が可能である。量産工場ではタクトでバ
ッチが投入され、常時、数バッチが同時に1台の装置で
処理されている。
ッチ/ディップ式装置は、1台の装置で多種類の薬液によ
り半導体基板を連続処理するため用いられ、同時期に複
数バッチの処理が可能である。量産工場ではタクトでバ
ッチが投入され、常時、数バッチが同時に1台の装置で
処理されている。
【０００３】また、そういった多槽式のバッチ/ディッ
プ式の装置の場合、基板の欠落や破損を検知するため
に、基板枚数カウンタがロット投入部（ローダ部）およ
びロット払出部（アンローダ部）に設置されており、投
入時と払出時のカウント数が異なった場合に、基板の欠
落もしくは破損が起こったと判断することができる。
プ式の装置の場合、基板の欠落や破損を検知するため
に、基板枚数カウンタがロット投入部（ローダ部）およ
びロット払出部（アンローダ部）に設置されており、投
入時と払出時のカウント数が異なった場合に、基板の欠
落もしくは破損が起こったと判断することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】もし、数バッチが処理
されている時に、いずれかのバッチで基板が破損や欠落
を起こしてトラブルが発生したら、トラブルロットはア
ンローダ部で払い出されるまで基板の破損や欠落を検知
されず、それまでの間、後続のバッチがトラブルが起こ
った槽に入り、破片などで２次汚染されるだけでなく、
搬送系のトラブルなどの場合は同一のトラブルが後続ロ
ットに及ぶことも考えられ、被害が拡大する。
されている時に、いずれかのバッチで基板が破損や欠落
を起こしてトラブルが発生したら、トラブルロットはア
ンローダ部で払い出されるまで基板の破損や欠落を検知
されず、それまでの間、後続のバッチがトラブルが起こ
った槽に入り、破片などで２次汚染されるだけでなく、
搬送系のトラブルなどの場合は同一のトラブルが後続ロ
ットに及ぶことも考えられ、被害が拡大する。
【０００５】この発明は、このような従来の課題を解決
するためになされたもので、多槽式でバッチ/ディップ
式の半導体基板処理装置において、基板の欠落や破損の
トラブルを迅速にあるいは瞬時に検知しようとするもの
である。また、その検知により、後続ロットに対してイ
ンターロックを設けることで、後続ロットに対する２次
災害を防ぐことができる処理装置を提供しようとするも
のである。
するためになされたもので、多槽式でバッチ/ディップ
式の半導体基板処理装置において、基板の欠落や破損の
トラブルを迅速にあるいは瞬時に検知しようとするもの
である。また、その検知により、後続ロットに対してイ
ンターロックを設けることで、後続ロットに対する２次
災害を防ぐことができる処理装置を提供しようとするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体基板処
理装置は、半導体基板をバッチ式で順次処理する複数の
処理槽と、最初の処理槽に半導体基板を投入するための
ローダ部と、最後の処理槽から半導体基板を払出しする
ためのアンローダ部とを備え、上記ローダ部により投入
する半導体基板の枚数を計数する投入基板枚数カウンタ
と、上記複数の処理槽の少なくとも選択された処理槽を
通過する半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カウ
ンタと、上記アンローダ部から払い出しする払出基板枚
数カウンタとを設置したことを特徴とするものである。
理装置は、半導体基板をバッチ式で順次処理する複数の
処理槽と、最初の処理槽に半導体基板を投入するための
ローダ部と、最後の処理槽から半導体基板を払出しする
ためのアンローダ部とを備え、上記ローダ部により投入
する半導体基板の枚数を計数する投入基板枚数カウンタ
と、上記複数の処理槽の少なくとも選択された処理槽を
通過する半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カウ
ンタと、上記アンローダ部から払い出しする払出基板枚
数カウンタとを設置したことを特徴とするものである。
【０００７】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記投入基板枚数カウンタを上記ローダ部に設置し、上
記通過基板枚数カウンタを上記複数の処理槽の間に設置
し、上記払出基板枚数カウンタを上記アンローダ部に設
置したことを特徴とするものである。
上記投入基板枚数カウンタを上記ローダ部に設置し、上
記通過基板枚数カウンタを上記複数の処理槽の間に設置
し、上記払出基板枚数カウンタを上記アンローダ部に設
置したことを特徴とするものである。
【０００８】また、この発明の半導体基板処理装置は、
バッチごとに複数の半導体基板をその面が搬送方向に垂
直になるようにして搬送方向に順次ならべて搬送し、上
記通過基板枚数カウンタが上記半導体基板の外径方向か
らその枚数を計数するようにしたことを特徴とするもの
である。
バッチごとに複数の半導体基板をその面が搬送方向に垂
直になるようにして搬送方向に順次ならべて搬送し、上
記通過基板枚数カウンタが上記半導体基板の外径方向か
らその枚数を計数するようにしたことを特徴とするもの
である。
【０００９】また、この発明の半導体基板処理装置は、
バッチごとに複数の半導体基板をその面が搬送方向に平
行になるようにして搬送方向に対して並列にならべて搬
送し、上記通過基板枚数カウンタが半導体基板の面方向
からその枚数を計数することを特徴とするものである。
バッチごとに複数の半導体基板をその面が搬送方向に平
行になるようにして搬送方向に対して並列にならべて搬
送し、上記通過基板枚数カウンタが半導体基板の面方向
からその枚数を計数することを特徴とするものである。
【００１０】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記通過基板枚数カウンタを洗浄する洗浄手段を設けた
ことを特徴とするものである。
上記通過基板枚数カウンタを洗浄する洗浄手段を設けた
ことを特徴とするものである。
【００１１】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記投入基板枚数カウンタを上記ローダ部に設置し、上
記通過基板枚数カウンタを上記選択された処理槽の内部
に設置し、上記払出基板枚数カウンタを上記アンローダ
部に設置したことを特徴とするものである。
上記投入基板枚数カウンタを上記ローダ部に設置し、上
記通過基板枚数カウンタを上記選択された処理槽の内部
に設置し、上記払出基板枚数カウンタを上記アンローダ
部に設置したことを特徴とするものである。
【００１２】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記通過基板枚数カウンタを、上記複数の処理槽内の基
板搬送用治具に設置したことを特徴とするものである。
上記通過基板枚数カウンタを、上記複数の処理槽内の基
板搬送用治具に設置したことを特徴とするものである。
【００１３】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記基板搬送用治具が半導体基板を外径方向から保持
し、上記通過基板枚数カウンタが半導体基板の外径方向
からその枚数を計数することを特徴とするものである。
上記基板搬送用治具が半導体基板を外径方向から保持
し、上記通過基板枚数カウンタが半導体基板の外径方向
からその枚数を計数することを特徴とするものである。
【００１４】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記基板搬送用治具が半導体基板を面方向から保持し、
上記通過基板枚数カウンタが半導体基板の面方向からそ
の枚数を計数することを特徴とするものである。
上記基板搬送用治具が半導体基板を面方向から保持し、
上記通過基板枚数カウンタが半導体基板の面方向からそ
の枚数を計数することを特徴とするものである。
【００１５】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記通過基板枚数カウンタは半導体基板処理用薬液に対
する耐薬液処理が施されていることを特徴とするもので
ある。
上記通過基板枚数カウンタは半導体基板処理用薬液に対
する耐薬液処理が施されていることを特徴とするもので
ある。
【００１６】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記通過基板枚数カウンタ又は上記払出基板枚数カウン
タの基板検出枚数が上記投入基板枚数カウンタの基板検
出枚数と異なるとき、警報を発する警報手段を設けたこ
とを特徴とするものである。
上記通過基板枚数カウンタ又は上記払出基板枚数カウン
タの基板検出枚数が上記投入基板枚数カウンタの基板検
出枚数と異なるとき、警報を発する警報手段を設けたこ
とを特徴とするものである。
【００１７】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記通過基板枚数カウンタのいずれかが警報を発したと
き、対応する処理槽の処理を停止し、上記ローダ部への
ロット投入を阻止し、上流側の処理槽では処理中の薬液
処理を完了後に停止し、下流側の処理槽では処理を継続
するようにしたインターロック手段を備えたことを特徴
とするものである。
上記通過基板枚数カウンタのいずれかが警報を発したと
き、対応する処理槽の処理を停止し、上記ローダ部への
ロット投入を阻止し、上流側の処理槽では処理中の薬液
処理を完了後に停止し、下流側の処理槽では処理を継続
するようにしたインターロック手段を備えたことを特徴
とするものである。
【００１８】また、この発明の半導体基板処理装置は、
上記インターロック手段は、上記警報に対応する処理槽
のトラブルが解除されたとき、待機していた後続ロット
の処理を自動的に継続する自動復帰機能を有することを
特徴とするものである。
上記インターロック手段は、上記警報に対応する処理槽
のトラブルが解除されたとき、待機していた後続ロット
の処理を自動的に継続する自動復帰機能を有することを
特徴とするものである。
【００１９】また、この発明の半導体基板処理装置の制
御方法は、上記いずれかの半導体処理装置において、上
記通過基板枚数カウンタのいずれかが警報を発したと
き、対応する処理槽の処理を停止し、上記ローダ部への
ロット投入を阻止し、上流側の処理槽では処理中の薬液
処理を完了後に停止し、下流側の処理槽では処理を継続
するように制御することを特徴とするものである。
御方法は、上記いずれかの半導体処理装置において、上
記通過基板枚数カウンタのいずれかが警報を発したと
き、対応する処理槽の処理を停止し、上記ローダ部への
ロット投入を阻止し、上流側の処理槽では処理中の薬液
処理を完了後に停止し、下流側の処理槽では処理を継続
するように制御することを特徴とするものである。
【００２０】また、この発明の半導体基板処理装置の制
御方法は、上記警報に対応する処理槽のトラブルが解除
されたとき、待機していた後続ロットの処理を自動的に
継続するように制御することを特徴とするものである。
御方法は、上記警報に対応する処理槽のトラブルが解除
されたとき、待機していた後続ロットの処理を自動的に
継続するように制御することを特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施の形態1．図１は、この発明
の実施の形態1による、多槽型でバッチ/ディップ式の半
導体基板処理装置の構成を示す図である。図１（ａ）
は、複数の処理槽が配置された状態を示す図、図１
（ｂ）は図１（ａ）の装置の一部を拡大して示す斜視図
である。
の実施の形態1による、多槽型でバッチ/ディップ式の半
導体基板処理装置の構成を示す図である。図１（ａ）
は、複数の処理槽が配置された状態を示す図、図１
（ｂ）は図１（ａ）の装置の一部を拡大して示す斜視図
である。
【００２２】図１の半導体基板処理装置において、１は
ローダ部である。２〜１１は処理槽であり、そのうち、
２，４，６，８は第一，第二，第三，第四の薬液処理
槽、３，５，７，９，１０はそれぞれ第一，第二，第
三，第四，第五（最終）の水洗槽、１１はＩＰＡ蒸気に
よる乾燥槽である。また、１２はアンローダ部を示す。
ローダ部である。２〜１１は処理槽であり、そのうち、
２，４，６，８は第一，第二，第三，第四の薬液処理
槽、３，５，７，９，１０はそれぞれ第一，第二，第
三，第四，第五（最終）の水洗槽、１１はＩＰＡ蒸気に
よる乾燥槽である。また、１２はアンローダ部を示す。
【００２３】さらに、１３〜２３は、ローダ部１及びア
ンローダ部１２に、また各処理槽２〜１１のすべての間
に設置された基板枚数カウンタを示す。このうち、１３
はローダ部１に投入される半導体基板の枚数を計数する
投入基板枚数カウンタ、１４〜２２は各処理槽２〜１０
を通過する半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カ
ウンタ、２３はアンローダ部１２から払い出す半導体基
板の枚数を計数する払出基板枚数カウンタである。な
お、通過基板枚数カウンタは、選択された処理槽の間に
必要に応じて配置されていればよい。その選択は、望ま
しくはこの例のようにすべての処理槽の間であるが、必
要に応じて一部の処理槽の間であってもよい。
ンローダ部１２に、また各処理槽２〜１１のすべての間
に設置された基板枚数カウンタを示す。このうち、１３
はローダ部１に投入される半導体基板の枚数を計数する
投入基板枚数カウンタ、１４〜２２は各処理槽２〜１０
を通過する半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カ
ウンタ、２３はアンローダ部１２から払い出す半導体基
板の枚数を計数する払出基板枚数カウンタである。な
お、通過基板枚数カウンタは、選択された処理槽の間に
必要に応じて配置されていればよい。その選択は、望ま
しくはこの例のようにすべての処理槽の間であるが、必
要に応じて一部の処理槽の間であってもよい。
【００２４】図２は、図１の基板枚数カウンタの構造を
模式的に示すとともに、警報及びインターロック手段の
構成を示す図である。図２において、２４はセンサー発
光部、２５はセンサー受光部であり、両者が向かい合っ
ている間に半導体基板が通過することによって、基板の
有無を検知することができる。
模式的に示すとともに、警報及びインターロック手段の
構成を示す図である。図２において、２４はセンサー発
光部、２５はセンサー受光部であり、両者が向かい合っ
ている間に半導体基板が通過することによって、基板の
有無を検知することができる。
【００２５】また、それぞれ第一薬液槽２と第一水洗槽
３の間、第二薬液槽４と第二水洗槽５の間、第三薬液槽
６と第三水洗槽７の間、第四薬液槽８と第四水洗槽９の
間に設置された通過基板枚数カウンタ１４，１６，１
８，２０は、前槽が薬液槽であるために薬液が付着する
可能性がある。このため、図１（ｂ）に示すように、バ
ッチ通過後に洗浄（水洗）するための洗浄手段（水洗手
段、シャワー）２６および乾燥させるための乾燥手段
（窒素ブロー）２７が設置されている。
３の間、第二薬液槽４と第二水洗槽５の間、第三薬液槽
６と第三水洗槽７の間、第四薬液槽８と第四水洗槽９の
間に設置された通過基板枚数カウンタ１４，１６，１
８，２０は、前槽が薬液槽であるために薬液が付着する
可能性がある。このため、図１（ｂ）に示すように、バ
ッチ通過後に洗浄（水洗）するための洗浄手段（水洗手
段、シャワー）２６および乾燥させるための乾燥手段
（窒素ブロー）２７が設置されている。
【００２６】次に、図３（ａ）は、図１の処理装置にお
いて基板枚数カウンタを通過して行く半導体基板の搬送
状態を示すための拡大図である。ローダ部１に投入され
た半導体基板のバッチは、図３（ａ）のように半導体基
板の面が搬送方向に対して垂直になるようにして順次並
べられて搬送されていく。この搬送中、半導体基板のバ
ッチが基板枚数カウンタを通過するときに、基板枚数カ
ウンタが半導体基板の外径方向からその枚数をカウント
する。具体的には、この基板枚数カウンタは、たて型で
ある。これにより、基板枚数をカウントするための時間
を要さずに枚数をカウントすることができる。
いて基板枚数カウンタを通過して行く半導体基板の搬送
状態を示すための拡大図である。ローダ部１に投入され
た半導体基板のバッチは、図３（ａ）のように半導体基
板の面が搬送方向に対して垂直になるようにして順次並
べられて搬送されていく。この搬送中、半導体基板のバ
ッチが基板枚数カウンタを通過するときに、基板枚数カ
ウンタが半導体基板の外径方向からその枚数をカウント
する。具体的には、この基板枚数カウンタは、たて型で
ある。これにより、基板枚数をカウントするための時間
を要さずに枚数をカウントすることができる。
【００２７】次に、図３（ｂ）は、基板枚数カウンタの
他の構造例と、半導体基板の搬送状態の他の例を示す図
である。ローダ部１に投入された半導体基板のバッチ
は、図３（ｂ）のように半導体基板の面が搬送方向に対
して並行になるようにして、搬送方向に対して並列にな
らべて搬送されていく。この搬送中、半導体基板のバッ
チが基板枚数カウンタを通過するときに、半導体基板を
その面方向から検知し枚数をカウントする。具体的に
は、この基板枚数カウンタは、くし型センサータイプで
あり、半導体基板がくし型のスリットを通過する時点で
基板有無を検知する。これにより、基板枚数をカウント
するための時間を要さずに枚数をカウントすることがで
きる。
他の構造例と、半導体基板の搬送状態の他の例を示す図
である。ローダ部１に投入された半導体基板のバッチ
は、図３（ｂ）のように半導体基板の面が搬送方向に対
して並行になるようにして、搬送方向に対して並列にな
らべて搬送されていく。この搬送中、半導体基板のバッ
チが基板枚数カウンタを通過するときに、半導体基板を
その面方向から検知し枚数をカウントする。具体的に
は、この基板枚数カウンタは、くし型センサータイプで
あり、半導体基板がくし型のスリットを通過する時点で
基板有無を検知する。これにより、基板枚数をカウント
するための時間を要さずに枚数をカウントすることがで
きる。
【００２８】もしも、基板の破損や欠落によって、通過
基板枚数カウンタ１４〜２２のいずれか、または、払出
基板枚数カウンタ２３でカウントした基板枚数が、ロー
ダ部１でバッチ投入時にカウントした基板枚数と異なっ
た場合には、警報検知システムによって瞬時に警報を発
生させるとともに、基板が欠落、破損したバッチをその
場で停止させるなど、この半導体基板処理装置をインタ
ーロックする。
基板枚数カウンタ１４〜２２のいずれか、または、払出
基板枚数カウンタ２３でカウントした基板枚数が、ロー
ダ部１でバッチ投入時にカウントした基板枚数と異なっ
た場合には、警報検知システムによって瞬時に警報を発
生させるとともに、基板が欠落、破損したバッチをその
場で停止させるなど、この半導体基板処理装置をインタ
ーロックする。
【００２９】図２に、それぞれの基板枚数カウンタ１４
〜２３から警報を出す警報及びインターロック手段１０
０の構成を示す。図２において、１０１はウェーハ枚数
演算部、１０２はウェーハ枚数一致不一致検出部、１０
３は装置ＣＰＵ、１０４は警報発報部、１０５は表示
部、１０６はインターロック部を示す。
〜２３から警報を出す警報及びインターロック手段１０
０の構成を示す。図２において、１０１はウェーハ枚数
演算部、１０２はウェーハ枚数一致不一致検出部、１０
３は装置ＣＰＵ、１０４は警報発報部、１０５は表示
部、１０６はインターロック部を示す。
【００３０】図２に示す警報及びインターロック手段１
００の動作について説明する。基板枚数カウンタのセン
サーによって、半導体基板の有無を検出し、ウェーハ枚
数演算部１０１で枚数をカウントし、その枚数がローダ
部でカウントされたものと一致しているかいないかをウ
ェーハ枚数一致不一致検出部１０２ で検出して装置Ｃ
ＰＵ１０３に出力し、一致していなければ、装置ＣＰＵ
１０３より警報発報部１０４に警報信号を出力する。ま
た、この警報信号を表示部１０５で表示する。さらに、
装置ＣＰＵ１０３からインターロック部１０６にインタ
ーロック信号を出力する。
００の動作について説明する。基板枚数カウンタのセン
サーによって、半導体基板の有無を検出し、ウェーハ枚
数演算部１０１で枚数をカウントし、その枚数がローダ
部でカウントされたものと一致しているかいないかをウ
ェーハ枚数一致不一致検出部１０２ で検出して装置Ｃ
ＰＵ１０３に出力し、一致していなければ、装置ＣＰＵ
１０３より警報発報部１０４に警報信号を出力する。ま
た、この警報信号を表示部１０５で表示する。さらに、
装置ＣＰＵ１０３からインターロック部１０６にインタ
ーロック信号を出力する。
【００３１】次に、インターロックの内容を説明する。
トラブル発生時、トラブルが発生した処理槽ではその処
理を停止する。トラブルが発生した処理槽より下流側の
処理槽では通常どおり処理を継続する。言い換えれば、
トラブルが発生したバッチよりも先行しているバッチ
（アンローダ部１２側にあるバッチ）については通常通
り処理を行い、アンローダ部１２に払い出す。乾燥槽１
１にあるものは所定時間の乾燥後、乾燥槽１１から引き
上げ、アンローダ部１２に払い出す。
トラブル発生時、トラブルが発生した処理槽ではその処
理を停止する。トラブルが発生した処理槽より下流側の
処理槽では通常どおり処理を継続する。言い換えれば、
トラブルが発生したバッチよりも先行しているバッチ
（アンローダ部１２側にあるバッチ）については通常通
り処理を行い、アンローダ部１２に払い出す。乾燥槽１
１にあるものは所定時間の乾燥後、乾燥槽１１から引き
上げ、アンローダ部１２に払い出す。
【００３２】また、トラブルが発生した処理槽より上流
側の処理槽では、処理中の薬液処理を完了後に停止す
る。具体的に言い換えれば、トラブルが発生した場所よ
りも後続のバッチ（ローダ部１側にあるバッチ）につい
ては、第一薬液槽２にあるものは所望の時間浸漬後、す
なわち計画どおりの処理をした後、第一水洗槽３で水洗
しながら待機させる。第二薬液槽４にあるものは所望の
時間浸漬後、第二水洗槽５で水洗しながら待機させる。
第三薬液槽６にあるものは所望の時間浸漬後、第三水洗
槽７で水洗しながら待機させる。第四薬液槽８にあるも
のは所望の時間浸漬後、第四水洗槽９で水洗しながら待
機させる。このように、いずれもトラブル発生した場所
手前の待機できる位置で待機させる。
側の処理槽では、処理中の薬液処理を完了後に停止す
る。具体的に言い換えれば、トラブルが発生した場所よ
りも後続のバッチ（ローダ部１側にあるバッチ）につい
ては、第一薬液槽２にあるものは所望の時間浸漬後、す
なわち計画どおりの処理をした後、第一水洗槽３で水洗
しながら待機させる。第二薬液槽４にあるものは所望の
時間浸漬後、第二水洗槽５で水洗しながら待機させる。
第三薬液槽６にあるものは所望の時間浸漬後、第三水洗
槽７で水洗しながら待機させる。第四薬液槽８にあるも
のは所望の時間浸漬後、第四水洗槽９で水洗しながら待
機させる。このように、いずれもトラブル発生した場所
手前の待機できる位置で待機させる。
【００３３】また、上記基板枚数カウンタのいずれかが
警報を発したとき、インターロック手段１００により、
ローダ部１へのロット投入を阻止する。すなわち、トラ
ブルロットに対して何らかの処置が行われ、トラブルが
解除されるまで、ローダ部１にロットが投入できなくな
るようなインターロックを設ける。したがって、警報発
生以後は、新規バッチを投入することはできない。これ
により、後続バッチが２次災害を被ることは無い。
警報を発したとき、インターロック手段１００により、
ローダ部１へのロット投入を阻止する。すなわち、トラ
ブルロットに対して何らかの処置が行われ、トラブルが
解除されるまで、ローダ部１にロットが投入できなくな
るようなインターロックを設ける。したがって、警報発
生以後は、新規バッチを投入することはできない。これ
により、後続バッチが２次災害を被ることは無い。
【００３４】次に、警報発生によりオペレーターがトラ
ブルを解決し、警報が解除になれば、インターロック手
段１００により、警報解除信号とともに待機中のバッチ
は一斉に処理が再開、継続される。その際、水洗槽で待
機しているバッチは所定の水洗時間に達していない場合
は所定の水洗時間に達してから、次の処理に進むよう、
処理続行される。また、所定の水洗時間に達しており待
機していたものはすぐに、次の処理に進むよう処理続行
される。なお、乾燥槽１２以降で待機していた場合は所
定時間終了している場合は払出し、所定時間終了してい
ない場合は所定時間終了後払い出すようにする。このよ
うにインターロック手段１００は、トラブルが解除され
たとき、待機していた後続ロットの処理を自動的に継続
する自動復帰機能を有する。
ブルを解決し、警報が解除になれば、インターロック手
段１００により、警報解除信号とともに待機中のバッチ
は一斉に処理が再開、継続される。その際、水洗槽で待
機しているバッチは所定の水洗時間に達していない場合
は所定の水洗時間に達してから、次の処理に進むよう、
処理続行される。また、所定の水洗時間に達しており待
機していたものはすぐに、次の処理に進むよう処理続行
される。なお、乾燥槽１２以降で待機していた場合は所
定時間終了している場合は払出し、所定時間終了してい
ない場合は所定時間終了後払い出すようにする。このよ
うにインターロック手段１００は、トラブルが解除され
たとき、待機していた後続ロットの処理を自動的に継続
する自動復帰機能を有する。
【００３５】以上、インターロックの内容をこの半導体
基板処理装置の動作として説明した。しかし、この実施
の形態は、以上の内容を、この半導体基板処理装置の制
御方法としても提供するものである。以上のように、こ
の実施の形態によれば、被処理基板が破損や欠落した場
合、迅速にあるいは瞬時に検知して警報を発することが
でき、また、インターロック動作により、後続バッチや
先行バッチに悪影響を及ぼさず、被害を最小限にとどめ
ることができる。
基板処理装置の動作として説明した。しかし、この実施
の形態は、以上の内容を、この半導体基板処理装置の制
御方法としても提供するものである。以上のように、こ
の実施の形態によれば、被処理基板が破損や欠落した場
合、迅速にあるいは瞬時に検知して警報を発することが
でき、また、インターロック動作により、後続バッチや
先行バッチに悪影響を及ぼさず、被害を最小限にとどめ
ることができる。
【００３６】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２による、多槽型でバッチ/ディップ式の半導体基
板処理装置の構成を示す図である。図４（ａ）は、複数
の処理槽が配置された状態を示す図、図４（ｂ）は図４
（ａ）の処理装置の一部を拡大して示す斜視図、図４
（ｃ）は図４（ｂ）の処理槽の一部を拡大して示す斜視
図と制御手段の構成を示す図である。
形態２による、多槽型でバッチ/ディップ式の半導体基
板処理装置の構成を示す図である。図４（ａ）は、複数
の処理槽が配置された状態を示す図、図４（ｂ）は図４
（ａ）の処理装置の一部を拡大して示す斜視図、図４
（ｃ）は図４（ｂ）の処理槽の一部を拡大して示す斜視
図と制御手段の構成を示す図である。
【００３７】図４の半導体基板処理装置において、２８
はローダ部である。２９〜３８は処理槽であり、そのう
ち、２９，３１，３３，３５はそれぞれ第一，第二，第
三，第四の薬液処理槽、３０，３２，３４，３６，３７
はそれぞれ第一，第二，第三，第四，第五（最終）の水
洗槽、３８はＩＰＡ蒸気による乾燥槽である。また、３
９はアンローダ部を示す。さらに、４０〜５１は、それ
ぞれローダ部２８に、また各処理槽２９〜３８の内部
に、さらにアンローダ部３９に設置された基板枚数カウ
ンタを示す。このうち、４０はローダ部２８に投入され
る半導体基板の枚数を計数する投入基板枚数カウンタ、
４１〜５０はそれぞれ処理槽２９〜３８の中で処理され
る半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カウンタ、
３９はアンローダ部３９から払い出す半導体基板の枚数
を計数する払出基板枚数カウンタである。
はローダ部である。２９〜３８は処理槽であり、そのう
ち、２９，３１，３３，３５はそれぞれ第一，第二，第
三，第四の薬液処理槽、３０，３２，３４，３６，３７
はそれぞれ第一，第二，第三，第四，第五（最終）の水
洗槽、３８はＩＰＡ蒸気による乾燥槽である。また、３
９はアンローダ部を示す。さらに、４０〜５１は、それ
ぞれローダ部２８に、また各処理槽２９〜３８の内部
に、さらにアンローダ部３９に設置された基板枚数カウ
ンタを示す。このうち、４０はローダ部２８に投入され
る半導体基板の枚数を計数する投入基板枚数カウンタ、
４１〜５０はそれぞれ処理槽２９〜３８の中で処理され
る半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カウンタ、
３９はアンローダ部３９から払い出す半導体基板の枚数
を計数する払出基板枚数カウンタである。
【００３８】図４（ｂ）は、図４（ａ）のローダ部２８
と第一の薬液処理槽２９の部分を示す拡大図であり、ロ
ーダ部２８から第一の薬液処理槽２９へ半導体基板のロ
ットを搬送している状態を示している。図４（ｂ）にお
いて、４１は基板枚数カウンタを示す。また、図４
（ｃ）は、基板枚数カウンタ４１の構造を模式的に示す
とともに、警報及びインターロック手段１００の構成を
示す図である。
と第一の薬液処理槽２９の部分を示す拡大図であり、ロ
ーダ部２８から第一の薬液処理槽２９へ半導体基板のロ
ットを搬送している状態を示している。図４（ｂ）にお
いて、４１は基板枚数カウンタを示す。また、図４
（ｃ）は、基板枚数カウンタ４１の構造を模式的に示す
とともに、警報及びインターロック手段１００の構成を
示す図である。
【００３９】この実施の形態２において、ローダ部２８
及びアンローダ部３９の基板枚数カウンタ４０，５１
は、図５（ａ）に示すように、処理槽内の基板搬送用治
具に設置されている。この基板搬送用治具が半導体基板
を面方向から保持し、基板枚数カウンタが半導体基板を
面方向から検知して枚数をカウントする。具体的には、
この基板枚数カウンタは、櫛形センサー構造になってい
る。
及びアンローダ部３９の基板枚数カウンタ４０，５１
は、図５（ａ）に示すように、処理槽内の基板搬送用治
具に設置されている。この基板搬送用治具が半導体基板
を面方向から保持し、基板枚数カウンタが半導体基板を
面方向から検知して枚数をカウントする。具体的には、
この基板枚数カウンタは、櫛形センサー構造になってい
る。
【００４０】また、各処理槽２９〜３８内の基板枚数カ
ウンタ４１〜５０は、図５（ｂ）に示すように、基板搬
送アームに設置されている。この基板搬送アームが半導
体基板を外径方向から保持し、基板枚数カウンタが半導
体基板を外径方向から検知して枚数をカウントする。具
体的には、この基板枚数カウンタは、基板搬送アームの
チャッキング位置にセンサーを取り付けた構造になって
いる。これにより、投入または払い出しする半導体基板
の枚数をカウントする。
ウンタ４１〜５０は、図５（ｂ）に示すように、基板搬
送アームに設置されている。この基板搬送アームが半導
体基板を外径方向から保持し、基板枚数カウンタが半導
体基板を外径方向から検知して枚数をカウントする。具
体的には、この基板枚数カウンタは、基板搬送アームの
チャッキング位置にセンサーを取り付けた構造になって
いる。これにより、投入または払い出しする半導体基板
の枚数をカウントする。
【００４１】また、薬液槽や水洗槽などの各処理槽２９
〜３８内に設置されている基板枚数カウンタ４１〜５０
のセンサーについては、薬液の付着による腐食の可能性
があるため、耐薬品性の材料でコーティングが施されて
いる。
〜３８内に設置されている基板枚数カウンタ４１〜５０
のセンサーについては、薬液の付着による腐食の可能性
があるため、耐薬品性の材料でコーティングが施されて
いる。
【００４２】もしも、基板の破損や欠落によって、通過
基板枚数カウンタ４１〜５０のいずれか、または、払出
基板枚数カウンタ５１でカウントした基板枚数が、ロー
ダ部２８でバッチ投入時にカウントした基板枚数と異な
った場合には、警報及びインターロックシステムによっ
て瞬時に警報を発生させるとともに、基板が欠落、破損
したバッチをその場で停止させる。
基板枚数カウンタ４１〜５０のいずれか、または、払出
基板枚数カウンタ５１でカウントした基板枚数が、ロー
ダ部２８でバッチ投入時にカウントした基板枚数と異な
った場合には、警報及びインターロックシステムによっ
て瞬時に警報を発生させるとともに、基板が欠落、破損
したバッチをその場で停止させる。
【００４３】具体的には、図４（ｃ）に示す警報及びイ
ンターロック手段１００において、基板枚数カウンタの
センサーにより半導体基板（ウェーハ）の有無を検出
し、ウェーハ枚数演算部１０１で枚数をカウントし、そ
の枚数がローダ部２８でカウントされたものと一致して
いるかいないかをウェーハ枚数一致不一致検出部１０２
で検出して装置ＣＰＵ１０３に出力し、一致していなけ
れば、装置ＣＰＵ１０３よりインターロック部１０６に
インターロック信号を出力するとともに、警報発報部１
０４に警報信号を出力する。また、警報出力が警報発報
部１０４に入力されると、警報が表示部１０５に表示さ
れるような機能を持つ。この動作は実施の形態１と同様
である。
ンターロック手段１００において、基板枚数カウンタの
センサーにより半導体基板（ウェーハ）の有無を検出
し、ウェーハ枚数演算部１０１で枚数をカウントし、そ
の枚数がローダ部２８でカウントされたものと一致して
いるかいないかをウェーハ枚数一致不一致検出部１０２
で検出して装置ＣＰＵ１０３に出力し、一致していなけ
れば、装置ＣＰＵ１０３よりインターロック部１０６に
インターロック信号を出力するとともに、警報発報部１
０４に警報信号を出力する。また、警報出力が警報発報
部１０４に入力されると、警報が表示部１０５に表示さ
れるような機能を持つ。この動作は実施の形態１と同様
である。
【００４４】次に、インターロックの内容を説明する。
トラブル発生時、トラブルが発生した場所よりも先行し
ているバッチ（アンローダ部３９側にあるバッチ）につ
いては通常通り処理を行い、アンローダ部３９に払い出
す。また、トラブルが発生した場所よりも後続のバッチ
（ローダ部２８側にあるバッチ）については、薬液処理
中の処理を完了させた後、次の水洗槽で水洗しながら待
機させる。また、乾燥槽がある場合で、乾燥槽にあるも
のは所定時間の乾燥後、乾燥槽から引き上げ、トラブル
発生した場所手前の待機できる位置で待機させる。ま
た、警報発生以後は、新規バッチを投入することはでき
ない。これにより、後続バッチが２次災害を被ることは
無い。以上の動作も実施の形態１の場合と同様である。
トラブル発生時、トラブルが発生した場所よりも先行し
ているバッチ（アンローダ部３９側にあるバッチ）につ
いては通常通り処理を行い、アンローダ部３９に払い出
す。また、トラブルが発生した場所よりも後続のバッチ
（ローダ部２８側にあるバッチ）については、薬液処理
中の処理を完了させた後、次の水洗槽で水洗しながら待
機させる。また、乾燥槽がある場合で、乾燥槽にあるも
のは所定時間の乾燥後、乾燥槽から引き上げ、トラブル
発生した場所手前の待機できる位置で待機させる。ま
た、警報発生以後は、新規バッチを投入することはでき
ない。これにより、後続バッチが２次災害を被ることは
無い。以上の動作も実施の形態１の場合と同様である。
【００４５】次に、警報発生によりオペレーターがトラ
ブルを解決し、警報が解除になれば、警報解除信号とと
もに待機中のバッチは一斉に処理が続行される。その
際、水洗槽で待機しているバッチは所定の水洗時間に達
していない場合は所定の水洗時間に達してから、所定の
水洗時間に達しており待機していたものはすぐに、次の
処理に進むよう、処理続行される。なお、乾燥槽以降で
待機していた場合は所定時間終了している場合は払出
し、所定時間終了していない場合は所定時間終了後払い
出すようにする。以上の動作も実施の形態１と同様であ
る。
ブルを解決し、警報が解除になれば、警報解除信号とと
もに待機中のバッチは一斉に処理が続行される。その
際、水洗槽で待機しているバッチは所定の水洗時間に達
していない場合は所定の水洗時間に達してから、所定の
水洗時間に達しており待機していたものはすぐに、次の
処理に進むよう、処理続行される。なお、乾燥槽以降で
待機していた場合は所定時間終了している場合は払出
し、所定時間終了していない場合は所定時間終了後払い
出すようにする。以上の動作も実施の形態１と同様であ
る。
【００４６】以上、インターロックの内容をこの半導体
基板処理装置の動作として説明した。しかし、この実施
の形態は、以上の内容を、この半導体基板処理装置の制
御方法としても提供するものである。以上のように、こ
の実施の形態によれば、被処理基板が破損や欠落した場
合、瞬時に警報を発し、後続バッチや先行バッチに悪影
響を及ぼさず、被害を最小限にとどめることができる。
基板処理装置の動作として説明した。しかし、この実施
の形態は、以上の内容を、この半導体基板処理装置の制
御方法としても提供するものである。以上のように、こ
の実施の形態によれば、被処理基板が破損や欠落した場
合、瞬時に警報を発し、後続バッチや先行バッチに悪影
響を及ぼさず、被害を最小限にとどめることができる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、多槽式でバッチ/ディップ式の半導体基板処理装置
において、基板の欠落や破損のトラブルを迅速にあるい
は瞬時に検知することができる。また、その検知によ
り、警報を発し、また後続ロットに対してインターロッ
クを設けることにより、後続ロットに対する２次災害を
防ぐことができる。また、トラブル解消後、速やかに処
理を続行することができる。
ば、多槽式でバッチ/ディップ式の半導体基板処理装置
において、基板の欠落や破損のトラブルを迅速にあるい
は瞬時に検知することができる。また、その検知によ
り、警報を発し、また後続ロットに対してインターロッ
クを設けることにより、後続ロットに対する２次災害を
防ぐことができる。また、トラブル解消後、速やかに処
理を続行することができる。
【図１】 この発明の実施の形態1による半導体基板処
理装置の構成を示す図である。
理装置の構成を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態1による半導体基板処
理装置における基板枚数カウンタの構造模式図である。
理装置における基板枚数カウンタの構造模式図である。
【図３】 この発明の実施の形態1による半導体基板処
理装置における基板搬送状態を示す模式図である。
理装置における基板搬送状態を示す模式図である。
【図４】 この発明の実施の形態２による半導体基板処
理装置の構成を示す図である。
理装置の構成を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態２による半導体基板処
理装置における基板センサーの例を示す斜視図である。
理装置における基板センサーの例を示す斜視図である。
１ ローダ部、 ２〜１１ 処理槽（２，４，６，８，
１０ 薬液処理槽、３，５，７，９ 水洗槽、１１ Ｉ
ＰＡ蒸気乾燥槽）、 １２ アンローダ部、１３ 投入
基板枚数カウンタ、 １４〜２２ 通過基板枚数カウン
タ、 ２３払出基板枚数カウンタ、 ２４ センサー発
光部、 ２５ センサー受光部、２６ シャワー、 ２
７ 窒素ブロー、 ２８ ローダ部、 ２９〜３８ 処
理槽（２９，３１，３３，３５ 薬液処理槽、 ３０，
３２，３４，３６，３７水洗槽、 ３８ ＩＰＡ蒸気乾
燥槽）、 ３９ アンローダ部、 ４０ 投入基板枚数
カウンタ、 ４１〜５０ 通過基板枚数カウンタ、 ５
１ 払出基板枚数カウンタ、 １００ 警報及びインタ
ーロック手段、 １０１ ウェーハ枚数演算部、 １０
２ ウェーハ枚数一致不一致検出部、 １０３ 装置Ｃ
ＰＵ、１０４ 警報発報部、 １０５ 表示部、 １０
６ インターロック部。
１０ 薬液処理槽、３，５，７，９ 水洗槽、１１ Ｉ
ＰＡ蒸気乾燥槽）、 １２ アンローダ部、１３ 投入
基板枚数カウンタ、 １４〜２２ 通過基板枚数カウン
タ、 ２３払出基板枚数カウンタ、 ２４ センサー発
光部、 ２５ センサー受光部、２６ シャワー、 ２
７ 窒素ブロー、 ２８ ローダ部、 ２９〜３８ 処
理槽（２９，３１，３３，３５ 薬液処理槽、 ３０，
３２，３４，３６，３７水洗槽、 ３８ ＩＰＡ蒸気乾
燥槽）、 ３９ アンローダ部、 ４０ 投入基板枚数
カウンタ、 ４１〜５０ 通過基板枚数カウンタ、 ５
１ 払出基板枚数カウンタ、 １００ 警報及びインタ
ーロック手段、 １０１ ウェーハ枚数演算部、 １０
２ ウェーハ枚数一致不一致検出部、 １０３ 装置Ｃ
ＰＵ、１０４ 警報発報部、 １０５ 表示部、 １０
６ インターロック部。
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体基板をバッチ式で順次処理する複
数の処理槽と、最初の処理槽に半導体基板を投入するた
めのローダ部と、最後の処理槽から半導体基板を払い出
しするためのアンローダ部とを備え、上記ローダ部によ
り投入する半導体基板の枚数を計数する投入基板枚数カ
ウンタと、上記複数の処理槽の少なくとも選択された処
理槽を通過する半導体基板の枚数を計数する通過基板枚
数カウンタと、上記アンローダ部から払い出しする払出
基板枚数カウンタとを設置したことを特徴とする半導体
基板処理装置。 - 【請求項２】 上記投入基板枚数カウンタを上記ローダ
部に設置し、上記通過基板枚数カウンタを上記複数の処
理槽の間に設置し、上記払出基板枚数カウンタを上記ア
ンローダ部に設置したことを特徴とする請求項１に記載
の半導体基板処理装置。 - 【請求項３】 バッチごとに複数の半導体基板をその面
が搬送方向に垂直になるようにして搬送方向に順次なら
べて搬送し、上記通過基板枚数カウンタが上記半導体基
板の外径方向からその枚数を計数するようにしたことを
特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板処理装
置。 - 【請求項４】 バッチごとに複数の半導体基板をその面
が搬送方向に平行になるようにして搬送方向に対して並
列にならべて搬送し、上記通過基板枚数カウンタが半導
体基板の面方向からその枚数を計数することを特徴とす
る請求項１又は２に記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項５】 上記通過基板枚数カウンタに近接して上
記通過基板枚数カウンタを洗浄する洗浄手段を設けたこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体
基板処理装置。 - 【請求項６】 上記投入基板枚数カウンタを上記ローダ
部に設置し、上記通過基板枚数カウンタを上記選択され
た処理槽の内部に設置し、上記払出基板枚数カウンタを
上記アンローダ部に設置したことを特徴とする請求項１
に記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項７】 上記通過基板枚数カウンタを、上記複数
の処理槽内の基板搬送用治具に設置したことを特徴とす
る請求項１又は６に記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項８】 上記基板搬送用治具が半導体基板を外径
方向から保持し、上記通過基板枚数カウンタが半導体基
板の外径方向からその枚数を計数することを特徴とする
請求項７に記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項９】 上記基板搬送用治具が半導体基板を面方
向から保持し、上記通過基板枚数カウンタが半導体基板
の面方向からその枚数を計数することを特徴とする請求
項７に記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項１０】 上記通過基板枚数カウンタは半導体基
板処理用薬液に対する耐薬液処理が施されているを特徴
とする請求項６〜９のいずれかに記載の半導体基板処理
装置。 - 【請求項１１】 上記通過基板枚数カウンタ又は上記払
出基板枚数カウンタの基板検出枚数が上記投入基板枚数
カウンタの基板検出枚数と異なるとき、警報を発する警
報手段を設けたことを特徴とする請求項１〜１０のいず
れかに記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項１２】 上記通過基板枚数カウンタのいずれか
が警報を発したとき、対応する処理槽の処理を停止し、
上記ローダ部へのロット投入を阻止し、上流側の処理槽
では処理中の薬液処理を完了後に停止し、下流側の処理
槽では処理を継続するようにしたインターロック手段を
備えたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体基板
処理装置。 - 【請求項１３】 上記インターロック手段は、上記警報
に対応する処理槽のトラブルが解除されたとき、待機し
ていた後続ロットの処理を自動的に継続する自動復帰機
能を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体
基板処理装置。 - 【請求項１４】 半導体基板をバッチ式で順次処理する
複数の処理槽と、最初の処理槽に半導体基板を投入する
ためのローダ部と、最後の処理槽から半導体基板を払い
出しするためのアンローダ部と、上記ローダ部により投
入する半導体基板の枚数を計数する投入基板枚数カウン
タと、上記複数の処理槽の少なくとも選択された処理槽
を通過する半導体基板の枚数を計数する通過基板枚数カ
ウンタと、上記アンローダ部から払い出しする払出基板
枚数カウンタとを備えた半導体基板処理装置において、
上記通過基板枚数カウンタ又は上記払出基板枚数カウン
タの基板検出枚数が上記投入基板枚数カウンタの基板検
出枚数と異なるとき、警報を発し、対応する処理槽の処
理を停止し、上記ローダ部へのロット投入を阻止し、上
流側の処理槽では処理中の薬液処理を完了後に停止し、
下流側の処理槽では処理を継続するように制御すること
を特徴とする半導体基板処理装置の制御方法。 - 【請求項１５】 上記警報に対応する処理槽のトラブル
が解除されたとき、待機していた後続ロットの処理を自
動的に継続するように制御することを特徴とする請求項
１４に記載の半導体基板処理装置の制御方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9336773A JPH11176912A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 半導体基板処理装置及びその制御方法 |
| US09/088,701 US6391113B1 (en) | 1997-12-08 | 1998-06-02 | Semiconductor wafer processing apparatus and method of controlling the same |
| DE19831757A DE19831757A1 (de) | 1997-12-08 | 1998-07-15 | Halbleiterwaferbearbeitungsgerät und Verfahren des Steuerns eines Halbleiterwaferbearbeitungsgerätes |
| CN98116229A CN1219757A (zh) | 1997-12-08 | 1998-08-07 | 半导体衬底处理装置及其控制方法 |
| KR10-1998-0032308A KR100363528B1 (ko) | 1997-12-08 | 1998-08-08 | 반도체기판처리장치및그제어방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9336773A JPH11176912A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 半導体基板処理装置及びその制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176912A true JPH11176912A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18302570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9336773A Pending JPH11176912A (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 半導体基板処理装置及びその制御方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6391113B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11176912A (ja) |
| KR (1) | KR100363528B1 (ja) |
| CN (1) | CN1219757A (ja) |
| DE (1) | DE19831757A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223199A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US6808589B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Wafer transfer robot having wafer blades equipped with sensors |
| CN100452341C (zh) * | 2006-08-11 | 2009-01-14 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 中电流注入设备与标准机械接口的通讯和控制方法 |
| JP2009032829A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板検出装置および基板処理装置 |
| JP2018509751A (ja) * | 2015-01-22 | 2018-04-05 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | ウエハー移送装置 |
| CN110223944A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-10 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆清洗机台及其晶圆清洗方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4342921B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置 |
| JP4399452B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2010-01-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4401879B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2010-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の回収方法及び基板処理装置 |
| KR101101290B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2012-01-04 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 레이저 비아 드릴링 동안 형성되는 결함을 가지는 표본에의 추적 및 표시 |
| KR100772846B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2007-11-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조를 위한 종형 확산로의 웨이퍼 검출장치와방법 |
| CN102867761B (zh) * | 2012-09-17 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法及系统 |
| SG2013069430A (en) * | 2013-09-12 | 2015-04-29 | Rokko Systems Pte Ltd | Integrated circuit singulation method and system |
| CN104651808B (zh) * | 2013-11-18 | 2018-01-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种装载器缺片的处理方法和装置 |
| CN104030037B (zh) * | 2014-06-19 | 2016-02-24 | 南昌大学 | 一种mocvd石墨盘自动传递机构 |
| CN107993963B (zh) * | 2017-11-21 | 2020-07-10 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于晶圆检测的机械手臂 |
| JP7109287B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2022-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法、および制御プログラム |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0177589B1 (en) * | 1987-02-13 | 1999-04-15 | Tokyo Electron Ltd | Wafer accounting and processing system |
| JPH0691152B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1994-11-14 | 富士電機株式会社 | 半導体ウエハ計数装置 |
| KR970011658B1 (ko) * | 1988-02-29 | 1997-07-12 | 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 | 웨이퍼 지지장치 |
| JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| JPH0697673B2 (ja) | 1990-02-15 | 1994-11-30 | 国際電気株式会社 | ウェーハ枚数計数装置 |
| JP3131751B2 (ja) | 1992-11-05 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体検出装置 |
| JP3060394B2 (ja) | 1991-08-30 | 2000-07-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 表面処理装置 |
| JP3131750B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体検出装置及び方法 |
| JP3194209B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
| JPH08191056A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Fujitsu Ltd | 基板処理方法及び装置、並びに基板キャリア |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP9336773A patent/JPH11176912A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-02 US US09/088,701 patent/US6391113B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-15 DE DE19831757A patent/DE19831757A1/de not_active Ceased
- 1998-08-07 CN CN98116229A patent/CN1219757A/zh active Pending
- 1998-08-08 KR KR10-1998-0032308A patent/KR100363528B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223199A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US6808589B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Wafer transfer robot having wafer blades equipped with sensors |
| CN100452341C (zh) * | 2006-08-11 | 2009-01-14 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 中电流注入设备与标准机械接口的通讯和控制方法 |
| JP2009032829A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板検出装置および基板処理装置 |
| JP2018509751A (ja) * | 2015-01-22 | 2018-04-05 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | ウエハー移送装置 |
| US10192794B2 (en) | 2015-01-22 | 2019-01-29 | Sk Siltron Co., Ltd. | Wafer transfer device |
| CN110223944A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-10 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆清洗机台及其晶圆清洗方法 |
| CN110223944B (zh) * | 2019-06-13 | 2021-08-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆清洗机台及其晶圆清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6391113B1 (en) | 2002-05-21 |
| KR19990062478A (ko) | 1999-07-26 |
| CN1219757A (zh) | 1999-06-16 |
| DE19831757A1 (de) | 1999-06-17 |
| KR100363528B1 (ko) | 2003-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11176912A (ja) | 半導体基板処理装置及びその制御方法 | |
| US8534936B2 (en) | Coating and developing apparatus | |
| US9417529B2 (en) | Coating and developing apparatus and method | |
| US8888387B2 (en) | Coating and developing apparatus and method | |
| JP2004260129A (ja) | 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法 | |
| KR101663753B1 (ko) | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 | |
| KR101449117B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
| KR101980508B1 (ko) | 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억 매체 | |
| JP3294023B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2016207838A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2006019622A (ja) | 基板処理装置 | |
| US20020036002A1 (en) | Cleaning processing method and cleaning processing apparatus | |
| JP3592077B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004288746A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR20140040662A (ko) | 도포막 형성 장치, 도포막 형성 방법, 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 | |
| TWI806104B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| TW379382B (en) | Semiconductor wafer processing apparatus and method of controlling the same | |
| JP2000191136A (ja) | 基板処理装置およびその保守方法 | |
| JPH05109680A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPS5957447A (ja) | ウエハ搬送装置 | |
| JPS63258014A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0697019A (ja) | 半導体製造管理システム | |
| JPH11265923A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001054769A (ja) | 磁気ディスク基板等のワークの洗浄・検査装置 | |
| JPH11185624A (ja) | 陰極線管用パネルの搬送方法およびその装置 |