TWI285575B - Polishing method - Google Patents

Description

1285575 玖、發明說明 (發明說明應敘明··發明所屬之技術領域、先前技術、内 容、實施方式及圖式簡單說明） [發明所屬之技術領域] 本發明係有關抛光方法’尤其有關將表面形成有薄膜 之半導體晶圓等之研磨對象物研磨成平坦且鏡面狀之拋光 方法。 [先前技術] 近年來，由於半導體裝置愈微細化元件構造愈複雜， 且，隨邏輯系之多層配線之層數增加，半導體裝置之表面 之凹凸愈增加，以致段差有愈大之傾向。其原因在於，半 導體裝置之製造，需要反覆幾次，薄膜之形成、圖案形成 或開孔之微細加工、然後又形成其次之薄膜之製程。 當半導體裝置之表面之凹凸增加時，則或在薄膜形成 時出現段差部之膜厚變薄，或由於電路之斷線形成斷路或 由於配線層間的絕緣不良形成短路，所以有無法生產良品 或良率降低之傾向。而且，即使初期正常操作，但經長時 間使用後仍會發生信賴性之問題。並且，在微影製程之暖 光時，若被照射之表面有凹凸，則曝光系、統之透鏡焦: 會發生部分模糊，戶斤以，當半導體裝置之表面之凹凸辦夕 時，則微細®案之形成本身將發生難題。 曰夕 因而，在半導體衆置之製造製程中，半導體 之平坦化技術愈加會I α τ 直表面 # 重要。此平坦化技術之中，最為重要之 術為化學機械研磨(⑽(Chemical Mechanical 314622 6 1285575 P/lishing))。此化學機械研磨，係以拋光裝置，將含有二 氧化硅(Si02)等之磨石粒之研磨液一面供給給研磨二墊等 的研磨面上，同時將半導體晶圓等之基板滑接於；磨面進 行研磨者。 此種拋光裝置，具備由研磨台塾所形成具有研磨面之 研磨台與’用㈣定（hGld)半導體晶圓之頂環或承載頭 (camerhead)等。以這種拋光裝置研磨半導體晶圓時以 頂環邊固定半導體晶圓，邊將此半導體晶圓以所定之壓力 推麗於研磨台。此時’經使研磨台與頂環相對運動使半導 體晶圓滑接於研磨φ ’於是半導體晶圓之表面研磨坦 且為鏡面。 如此之拋光裝置，研磨中之半導體晶圓與研磨台塾之 ㈣面之間之相對推壓力，如未在整個半導體晶圓形成均 勾日則會按施加於半導體晶圓之各部分之推壓力而發生 研磨不足或過度研磨。因而，亦有將頂環之半導體晶圓之 =定面以橡膠等之由彈性材所構成的彈性膜加以形成，在 彈性膜之背面施加空翁愿笼 、、☆ 礼壓寺之抓體壓，以使施加於半導體 曰曰Η之推壓力達到全面均勻化。 上述研磨台墊因具有彈性’所以有可能形成施加於研 —之半導體晶圓之外周緣部之推壓力不均句，而僅半導 體晶圓之外周緣部受到多研磨之所謂「緣鈍」之情 :止如此之緣鈍，亦有，以導引環或扣環(retaine”㈣ 導體晶圓之外周緣之同時，採用導引環或扣環推壓 於半導體晶圓之外周緣側之研磨面之構造之頂環者。 314622 7 1285575 使用如此之頂環進行研磨時，需要將搬運過來之半導 體晶圓吸附並固定於頂環。而且，研磨終了後，需要再將 半導體晶圓吸附於頂環之後，在搬運位置使半導:晶圓由 頂環脫離。然而Μ吏用上述之彈性膜之頂環，由於彈性膜 之存在而會有半導體晶圓之吸附及脫離無法順暢之情形。 [發明内容] ^ 發明所欲解決之課韻 本發明係有鑑於如此之先前技術之問題點而為者。而 以提供，即使介由彈性膜固定研磨對象物以進行研磨時， 仍可確實吸附及脫離研磨對象物之拋光方法為其目的。 [用以解決課題之手段] ^ 為解決如此之先前技術之問題點，本發明之第丨態樣， 係，以頂環固定研磨對象物以將該研磨對象物推詩研磨 面以進行研磨之拋光方法之中，經在可上下移動之上下移 動零組件之下面安裝彈性腔^ U A p、+、 回文戒坪I·生Μ以在上述頂環内形成壓力室， 級將加壓流體供給於上述壓力室並以上述流體之流體壓將 上逑研磨對象物推壓於上述研磨面以進行研磨，經由形成 於上述上下移動零組件之中央部之開口噴射加壓流體以使 研磨後之研磨對象物由上述頂環脫離為特徵之拋光方法。 +如此，透過由形成於上下移動零組件之，央部之開口 贺射加壓流體，因加壓流體亦能送進彈性膜與研磨對象物 之緊貼之部分’所以’研磨對象物可確實脫離。 本發明之良好態樣係在形成上述星力室之彈性膜之盘 研磨對象物靠接之面形成孔’經由形成於上述上下移動文 314622 8 1285575 $件之中央部之開口，以及由上述彈性膜之孔亦喷射加壓 流體，以使研磨後之研磨對象物由上述頂環脫離為特徵。 如此，非但由形成於上下移動零組件之中央部之開口，且 由彈性膜之孔亦喷射加壓流體，使研磨對象物可更加確 脫離。 、 、六本發明之又-良好態樣係由上述彈性膜之孔喷射加壓 :體之後’由形成於上述上下移動零組件之中央部之開口 噴射加壓流體，為特徵。如此，則可消除彈性膜與研磨對 象物間之緊貼性，使研磨對象物能更加確實脫離。 本發明之第2態樣係以頂環固定研磨對象物以將該研 磨對象物推壓於研磨面以進行研磨之抛光方法之中，經在 可^下移動之上下移動零組件之下面安裝彈性膜以在上述 貝嶮内形成壓力冑’經將加壓流體供給於上述壓力室並以 上述流體之流體摩將上述研磨胃象物推壓於上述研磨面以 ^于研磨’於研磨終了日寺，使上述上下移動零組件往下方 '動以使上述研磨對象物靠接於設在上述上下移動零組件 之及附部’並藉由該吸附部將上述研磨對象物吸附固定於 上述頂環，為特徵之拋光方法。 研磨終了日夺，會有研磨對象物與上下移動零組件分離 二开:’而有欲以吸附部直接吸附研磨對象物亦無法吸附 月开少心生。根據本發明，則，因於研磨終了時，使上下 組Γ在下方移動以使研磨對象物靠接於吸附部以吸 疋研磨對象物，所以可使研磨對象物確實吸附。 本《月之第3恕樣係以頂環固定研磨對象物以將該研 314622 9 1285575 磨對象物推魔於研磨面以進行研磨之抛光方法之中，姐 可上下移動之上下移動零組件之下面安裝彈性膜以 = 料内形成壓力室，使上述上下移動零組件相對於用以： 疋上述研磨肖象物之外周緣之扣冑為位於上方位置之狀 態，將上述研磨對象物導引於上述頂環，並將被導引 述頂環之研磨對象物以設於上述上下移動零组件之寸 吸附固定於上述頂環，使被固定於上述頂環之研磨對= 移動至上述研磨面上，經由供給加麼流體於上述壓力室以 將上述研磨對象物以上述流體之流體堡推麼於上述研磨面 並加以研磨，為特徵之拋光方法。 作將研磨對象物交給頂環時，若上下移動零組件較扣環 、、；下方則，研磨對象物被吸附在偏離之位置時，由 於其後之上下移動零組件之上昇而使研磨對象物有可能鈎 到扣環’以致成為研磨對象物之脫落或破損之原因。根據 毛月則因預先使上下移動零組件位於較扣環為上方之 位置’故研磨對象物之外周部被扣環導引交給頂環。因而， 研：對象物不致於因上下移動零組件上昇而被扣環鈎到， 而得以防止研磨對象物脫落或破損。 [實施方式] 實施形熊： ^以下，有關對於本發明拋光方法之第1實施形態，參照 第1乃至第1 2圖§羊細說明。第J圖係，本發明第^實施形態中 有關拋光裝置之模式性顯示之俯視圖。如第丨圖所示，拋光 裝置’係在全體為長方形之台上之空間之一端側相向配置 314622 10 1285575 一對研磨部la、lb，他端側配置有各用以載置半導體晶圓 收納用盒2a、2b之一對裝卸單元。連接研磨部“、^與裝 卸單元之線上配置有2台用以搬運半導體晶圓之搬運機器 人4a、4b而形成搬運線。此搬運線之兩側各配置有工台之反 轉機5、6與失著此反轉機5、6之2台之潰洗機7a、7b、8a、 8b ° 兩個研磨部la、lb，基本上為同一規格之裝置對稱配 置於搬運線上，分別各具備，上面黏附有研磨台墊之研磨 台11與，將研磨對象物之半導體晶圓以真空吸附固定並將 其推壓在研磨台11上之研磨台墊而加以研磨之頂環單元12 與，用以修整（dressing)研磨台U上之研磨台墊之修整單元 研磨4 1 a 1 b，为別在搬運線側設有用以與頂環單元 1 2之間互相進行授受半導體晶圓之昇降機（push^)丨4。 ^搬運機器人4a、4b，具有可在水平面内彎曲自如之關 節臂，$別各具有上下2個把持部，分為乾爪與濕爪分開使 用本貝轭形悲因使用兩台機器人，故基本上第丨搬運機器 人4a負責由反轉機5、6至盒2a、孔側之區域，第2搬運機器 人4b負貝由反轉機5、6至研磨部1 a、1 b側之區域。 反轉機5、6係用以反轉半導體晶圓之上下面，配置於 搬運機H人4a' 4b之手臂可伸到之位置。本實施形態，將 兩台反轉機5、6分為用以反轉乾基板者與用以反轉濕基板 者。 立各清洗機7a、7b、8a、8b之型式為隨意，例如，研磨 部la、lb側為卩海綿；袞筒擦拭半導體晶圓之表|兩面之型 314622 11 1285575 式之仴洗機7a、7b ’盒2a、2b側為抓持半導體晶圓之邊緣 在水平面内，邊旋轉邊供給清洗液之型式之清洗機8a、8b。 後2複具備離心脫水並乾燥之乾燥機功能。清洗機以、几 可只施半導體晶圓之第！次清洗而清洗機h、8b則可實施第 1次清洗後之半導體晶圓之第2次清洗。 其次，對於上述之研磨部予以詳細說明。第2圖顯示第 1圖中之研磨部丨&之重要部分之縱剖視圖。以下，僅對於研 磨部la加以說明，至於研磨部lb，亦可視為與研磨部。相 同。 士第2圖所不，研磨部13具備，上面黏附有研磨台墊 之研磨台叫，將研磨對象物之半導體晶㈣以真空吸附 固定並將其推壓於研磨台n並加以研磨之頂環單㈣與， 用以修整研磨台n上之研磨台墊1G之修整單元13。研磨台 U，介由台車由11a連接在配置於其下方之馬達（未圖示），而 研磨台η如第2圖箭頭c所示，可在該台轴Ua之周圍旋 轉。研磨台η上之研磨台墊10之表面構成與研磨對象物之 半導體晶圓W滑接之研磨面。 在市面上可購到各種研磨台墊，例如羅德公司製之 SUBA800、ICM000、IC]〇〇〇/SUBA4〇〇(雙層布卜不二見 ^ t ^Surfin χχχ-5 ^ Surfin 000^ 〇 SUBA800 ^ Surfin XXP5、Surfin 〇〇〇係將纖維以氨酯樹脂固著之不織布、 IC-1_為硬質之發泡聚氨酯(單層）。發泡聚氨酯為多孔質 狀’其表面有多數之微細凹面或孔。 研磨台11之上方配置有研磨液供給噴嘴15及水供給噴 314622 12 1285575 ㈣，由研磨液供給喷嘴i5有純水或藥液等之研磨液，由 水供給喷嘴1 6有修整時使 之仏正液（例如、水），分別供 、、，口於研磨台1 1上之研磨面〗〇 槽溝1 7 a 研磨台11之周圍設有用以 回yw液與水之框體17，此框體17之下部則形成有 、單元12由，可旋轉之支軸20與，連接在支軸20 之頂％頭21與，由頂環頭21之自由端垂τ之頂環轴 ”連接於頂環軸22之下端之大致圓盤狀之頂環23所構 /頂％23，隨支軸2〇之旋轉所形成之頂環頭以搖動而 在水平方向移動，形成如第i圖中之箭頭A所示，可在昇降 機14與研磨面1〇上面之研磨位置之間往復運動。頂環23， ，|由頂壤軸22與設在頂環頭21之内部之未圖示之馬達及昇 降^目連結’由此’如第2圖之箭頭D、E所示可昇降且可 2環軸22之周圍旋轉。研磨對象之半導體晶圓w，以真 等吸附口疋於頂環23之下端面。由於此等機構，頂環23 可k自轉’邊將固定於其下面之半導體晶圓w以任意之壓 力推壓於研磨面丨〇。 夕正單元1 3，係用以使經研磨而劣化之研磨面1 〇之表 面再生’配置於以研磨台11為中心之頂環單元12之相反 側°修整單元13與上述頂環單元12同#，由可旋轉之支軸 30與，連接於支軸30之上端之修整頭31與，由修整頭31之 自由^下垂之修整軸32與，連接於修整軸32之下端之修整 2 33共，安裝於修整器33之下面之修整零組件34所構成。 ^ ^為3 3 ’ ^支軸3 0之旋轉所形成之修整頭3 1之搖動而往 13 314622 1285575 平方向私動形成如第1圖中之箭頭B所示，可在研磨面 10上之修正位置與研磨台i i之外側之等待位置之間進行往 復運動。 、第3圖係、將第2圖戶斤示研磨部之頂環單元12連同流路構 成力乂 /、同”、、頁示之概略圖，第4圖顯示第3圖中之頂環單元 U之頂環23之縱剖視圖。如第3及第4圖所示，頂環23介由 萬能接頭部40連接於頂環軸22，而頂環軸22則連接於固定 在頂ί衣頭2 1之頂環用空氣缸丨丨丨。頂環23，具備連接在頂環 軸22下端之大致圓盤狀之頂環本體“與，配置在頂環本體 42之外周部之扣環43。頂環本體42，由金屬或陶瓷等強度 及剛性強之材料所形成。扣環43則由剛性強之樹脂材料或 陶瓷等所形成。 頂環用空氣缸111介由調整器R1連接於壓力調整部 120。此壓力調整部丨2〇，由壓縮空氣源供給加壓空氣等之 加壓流體m等拉真空，以調整壓力。由於此壓力調 f部120，可將供給於頂環用空氣缸ln之加壓空氣之氣壓 等介由調整器R1予以調整。此頂環用空氣缸丨丨丨使頂環軸 22上下移動，可使頂環23全體昇降之同時，可將安裝於頂 環本體42之扣環43以所定之推壓力推壓在研磨台丨j。 頂裱軸22介由鍵（未圖示;)連接於旋轉筒丨12。此旋轉筒 Π2在其外周部具有時規帶輪113。頂環頭21固定有頂環用 馬達114 ’上述時規帶輪113介由時規帶丨15連接於設在頂環 用馬達114之時規帶輪116。因而，頂環用馬達114旋轉驅 動，則，介由時規帶輪116、時規帶115、及時規帶輪113 314622 14 1285575 而使旋轉筒H2及頂環軸22-體旋轉，而令頂㈣旋轉。至 ^環頭21，係由可旋轉地支撐於台架（未圖㈠之支轴Μ 所支撐。 如第4圖所示，頂環本體42，具備，圓筒容器狀之殼部 仏與’嵌合於殼部42a之圓筒部内側之環狀之加壓板支撲 部❾與，嵌合於殼部42a之上面之外周緣部之環狀之封部 仏。頂環本體42之殼部42a之下端固定有扣環Μ。此扣環 43之下部往内方突出。 頂環本體42之殼部❺之中央部之上方配設有上述之 頂環軸22,而頂環本體42與頂環_以萬能接頭部⑽連 =此萬能接頭部40’具有，可使頂環本體42與頂環軸22 互為傾動之球面轴承機構與，用以將頂環㈣之旋 ==體:2之旋轉傳達機構，由頂伽對於頂環本體 邊互為今許傾動邊傳達推壓及旋轉力。 球面軸承機構係由，形成於頂環軸22下面之中央之球 :狀凹部轉形成於頂環本體似上面之中央部之球面 y與，介裝於兩凹部仏，間之由陶究等高硬度 ㈣成之轴承球52所構成。如第4圖所示，頂環本體42 2核軸22之近傍安裝有連接螺㈣，在此連接螺检㈣ 权在頂環軸22之彈簧座22b之間介裝有螺旋彈簧仏由於如、 之構k頂％本體42對於頂環轴22可傾動地被固定住。 方面方疋轉傳達機構係&，固定在頂環 頂環㈣近傍之整合銷49與，形成在頂環㈣之繫合孔之 C所構成。因即使頂環本體42傾斜，繫合銷49仍可在繫 314622 15 1285575 。孔220内上下方向移動，所以繫合銷49係與繫合孔22(：偏 移接觸點黎人Η ^ ^ + , ’、口 ；疋，叙轉傳達機構可將頂環軸22之旋轉 矩確實傳達給頂環本體42。 在頂環本體42及扣環43之内部所隔成之空間内，收容 :’靠接於頂環23所固定之半導體晶圓w之彈性㈣與， 衣狀之固疋壞61與，可在頂環本體42内部之收容空間内上 下移動之大略圓盤狀之卡盤板Chuckplate(上下移動零組 牛）62 5單性墊60，其外周部夾在固定環61與固定在固定環 ο下端之卡盤板62之間，並覆蓋住卡盤板62之下面。由此， 彈f生墊6G與卡盤板62之間形成塵力室7()。彈性塾，由乙 丙橡膠（EPDM)、聚氨g旨橡膠、娃橡膠、氯丁橡膠等強度及 耐久性良好之橡料所形成。 々卡盤板62之中央部形成有開口仏。此開口 連通到 由管、接頭等所形成之流體路8〇,並介由配置在流體路8〇 上之調整器R2連接於屢力調整部12〇。亦即，位於彈性墊 6〇與卡盤板62之間之壓力室7〇，介由配置在流體路8〇上之 調整器R2連接於Μ力調整部㈣。彈性墊6()，在對應於開 口 62a之位置形成有大口徑（例如直徑2 2mm)i中央孔 60a ° 固定環61與頂環42之間張設有由彈性膜所形成之加壓 片63。此加壓片63之—端，由安裝於頂環本體町面之加 壓片固定部42b所夾撐。他端夾撐於固定環“之上端部 與阻擋部6ib之間。由頂環本體42、卡盤板62、固定環61、 及加壓片63，在頂環本體42之内部形成壓力室71。如第* 314622 16 1285575 、在此，彈性塾60之外周面與扣環43之間有細小之間 隙，所以，固定環61與卡盤板62等之零組件，相對於頂環 本體42及扣環43可上下方向移動而成可浮動構造。固定環 61之阻擋部611?，複數處設有由其外周緣部往外方突出之突 出部61C，此突出部61c繫合於突出在扣環43内方之部分2 圖所示，麼力室71連通由管、接頭等所形成之流體路I 並介由配置在流體路81上之調整龍3連接於|力調整部 12〇。加《片63’由乙丙橡膠（EpDM)、聚氨g旨橡膠、石圭橡 膠、氯丁橡膠等強度及耐久性良好之橡料，或含纖維之強 化橡膠’或非常薄之不銹鋼(例如厚〇 2叫等所形成。 上面’使上述固定環61等之零纟件 7、·丑彳千彺下方之移動受限於所 定之位置。 加廢片63為橡朦等之彈性體時，將加壓片。夾在扣環 43與頂環本體42之間並予㈣定時，由於彈性體加壓片ο 之彈性變形，導致在扣環43之下面無法取得妥適之平面。 因此為防止此狀況發生’本實施形態，以另外之零組件之 形態設置加㈣固^部42b，並將其夹在頂環本體42之殼部 42a與加壓片固定部42b之間並予以固定。此外，亦可將扣 環43形成對於頂環本體42為可上下移動，或使扣環43為獨 立於頂環本體42而可推壓之構造，在此情形則未必限定使 用上述之加壓片63之固定方法。 上述卡盤板62與彈性墊60之間之壓力室及卡盤板“上 方之壓力室71，可分別介由連通於壓力室7〇、71之流體路 80、81，供給加壓空氣等之加壓流體，或做成大氣壓或真 314622 17 1285575 空。亦即，如第3圖所示，經由配置於壓力室70、7 1之流體 路80、8 1上之調整器R2、R3，可分別調整供給於各壓力室 之加壓流體之壓力。由此，可各個獨立控制各壓力室7〇、 7 1内部之壓力或做成大氣壓或真空。 卡盤板62設有突出於下方之内側吸附部64及設於開口 62a之外側之外側吸附部65。内側吸附部64，形成有連通由 管、接頭等所形成之流體路（82)之連通孔64a，内側吸附部 6 4則介由配置在此流體路8 2上之調整器R 4，連揍於壓力調 整部120。同樣地，外側吸附部65，形成有連通由管，接頭 等所形成之流體路83之連通孔65a，外側吸附部65則介由配 置在此流體路83上之調整器R5，連接於壓力調整部12〇。 由於壓力調整部120而在吸附部64、65之連通孔64&、65a 之開口端形成負壓而可將半導體晶圓w吸附在吸附部64、 65:吸附部64、65之下端面貼有薄橡片或襯墊膜等所形成 之彈性片，以使吸附部64、65可將半導體晶圓貿柔軟吸附 固定。 頂環本體42之封部42(:之下面形成有由環狀之溝所構 成之清洗液路。此清洗液路91連通流體路84。而且，由 封部42C之清洗液路91延伸貫穿殼部仏，加虔片固定部 42b之連通孔92形成於複數處，而此連通孔％連通於彈性塾 面與扣環43之間之僅小之間隙。介由此清洗液路 91將 >月洗液（純水）供給於間隙。 、其次說明，如此構成之拋光裝置之動作。首先， 搬運機器人4a將半導體晶圓％由 由凰za或2b取出，以反轉機5 314622 18 1285575 或6反轉後，以第2搬運機器人仆搬運載置於昇降機i4上。 以此狀態搖動頂環單元12之頂環頭21，使頂環以移動到昇 降機1 4之上方。 第5圖，係顯示此時之狀態之縱剖視圖。如第5圖所示， 昇降機14具備，以空氣缸等可上下移動之導引台與，設 於此外周部之晶圓導引142與，配置於導引台i4i上方而與 導引台141為獨立可上下移動之推壓台143。晶圓導引Μ] 為具有上段部144與下段部145之2段之台階構造。晶圓導引 142之上段部144係與頂環23之扣環43之下面為對口部，而 下段部145為半導體晶圓w之求心用及支撐用。上段部144 之上方形成有用以導引扣環43推拔146，下段部之上方 形成有用以導引半導體晶圓w之推拔丨47。半導體晶圓w， 以晶圓導引142之推拔147求出心之狀態載置於晶圓導引 142之下段部145。 此時’於第5圖所示之狀態時，將頂環23内之壓力室7 1 介由流體路8 1連接在壓力調整部〗2〇，使壓力室7丨形成負 壓。由此，卡盤板62，如第5圖所示，對於扣環43形成處於 上方之位置。如此，則如後述，可確實吸附半導體晶圓w。 其次，如第6圖所示，使昇降機14之導引台141上昇， 以晶圓導引142之推拔146將扣環43導引至晶圓導引142之 上部144。晶圓導引142之上段部144與扣環43之下面接 觸’則導引台1 4 1之上昇終了。 以此狀態，如第7圖所示，昇降機14之推壓台143上昇， 支樓住載置於晶圓導引142之下段部145之半導體晶圓W之 19 314622 1285575 圖案面’使半導體晶圓w靠接於頂環23之彈性墊6〇。然後， 將吸附。卩64、65之連通孔64a、65a介由流體路82、83連接 ;[力调正部120，以此連通孔64a、65a之吸引作用將半導 體晶圓W真空吸附於吸附部64、65之下端面。 於此半導體晶圓w之授受時，如卡盤板62較扣環43突 出於下方時，則半導體晶圓w以偏離之位置被吸附的情況 下，由於其後之卡盤板62之上昇導致半導體晶圓w鈎到扣 裒3以致有形成晶圓脫落或破損之原因。按本實施形態， 則如上所述，使頂環23内之壓力室71形成負壓，使卡盤板 62預先對於扣環43處於上方之位置，所以半導體晶圓冒邊 被扣環43導引其外周部邊進行授受。因而，半導體晶圓％ 不致於因卡盤板62之上昇而鈎到扣環43，於是，可防止晶 圓之脫落或破損。 半導體晶圓W之吸附完了後，使昇降機14下降，並使 頂環頭2i水平搖動以吸附半導體晶圓评之狀態將頂環頭 2 1移動到研磨面i 〇之上方。此時，半導體晶圓^之外周緣 被才環43固疋住’以免半導體晶圓…脫離頂環。然後， 使頂環23邊旋轉邊下降’將半導體晶圓鄕旋轉中^研磨 台11上之研磨面10推壓。亦即’於研磨時解除吸附部㈣、 65對於半導體晶圓w之吸附，將半導體晶圓w固定於頂環 23之下面之同時，使連接在頂環軸。之頂環用空氣缸η = 進行操作，以將固定在頂環23之下端之扣環43以所定之 壓力推壓在研磨台U之研磨面1〇。以此狀態，以所定 供給加壓流體於塵力室70,以將半導體晶圓w推壓在： 314622 20 1285575 台11之研磨面。此時，由研磨液供給喷嘴丨5供給研磨液， 以半導體晶圓W之被研磨面（下面）與研磨面丨〇之間存在研 磨液之狀態，進行半導體晶圓w之研磨。 第4圖顯示，此研磨時之狀態。 如上述，扣環43被頂環用之空氣缸m推壓在研磨面1〇 之力里’與供給於壓力室70之加壓空氣將半導體晶圓界推 壓於研磨面10之力量，給予安適調整以進行半導體晶圓w 之研磨。此外，因供給加壓流體於壓力室7〇將使卡盤板62 受到往上方向之力量，所以本實施形態，在壓力室71介由 流體路8 1供給壓力流體，以防止壓力室7〇之力量將卡盤板 62往上方提起。 研磨終了後，如第8圖所示，停止對壓力室7〇之加壓流 體之供給，並經開放於大氣壓，使卡盤板62下降，以使吸 附部64、65之下端面靠接於半導體晶圓w。將壓力室内 之壓力開放於大氣壓，或形成負壓。這是因為如將壓力室 71之壓力放置於高壓狀態，則僅半導體晶圓w之與吸附部 64、65靠接之部分被強烈推壓於研磨面之故。然後，使半 導體晶圓w再真空吸附於吸附部M、65之下端面。如此， ^研磨終了時，使卡盤板62下降，則可將半導體晶圓财 貫吸附於吸附部64、65。 接著，以吸附半導體晶圓w之狀態，使頂環23移動到 外伸之位置，如第9圖所示，將壓力室71介由流路81連接壓 力調整部120以使頂環23内之壓力室71成為負壓，以使卡盤 板62對於扣環43為位於上方之位置。以此狀態使頂環a上 314622 21 1285575 昇，使頂環頭21水平搖動以使頂環23如第1〇圖所示，再移 動到昇降機14之上方。 其次，如第π圖所示，使昇降機14之導引台141上昇， 以晶圓導引142之推拔146將扣環43導引到晶圓導引142之 上段部144。然後，晶圓導引142之上段部144接觸到扣環43 之下面，則導引台1 4 1之上昇終了。 以此狀態，如第1 2圖所示，將卡盤板62之中央部之開 口 62a及吸附部64、65分別介由流體路8〇、82、以連接於壓 力凋整部120，由開口 62a及吸附部64、65將加壓流體（例 士 I ‘工氣或氮與純水之混合者）以例如〇、2MPa之壓力 往下方噴射（水柱噴射）。由於此流體喷射，半導體晶圓w 由彈性墊60之下面脫離，於是半導體晶圓w由於晶圓導引 142之推拔147而形成求心之狀態，被支撲於晶圓導引142 之下段部1 4 5。 如此’於本實施狀態，因由形成於卡盤板62之中央部 之大口徑之開口 62a及吸附部64、65噴射加壓流體，加壓流 體亦被送入彈性墊60與半導體晶圓W緊貼之部分，所以可 使半導體晶圓W更確實脫離。 如此，研磨後之半導體晶圓W由頂環23送交於昇降機 14 ’按需要而進行半導體晶圓W及頂環23之純水或清洗液 的清洗。然後，頂環23由昇降機1 4接受新送來之半導體晶 圓W往研磨台1 〇上面移動，以進行新的研磨。 將半導體晶圓W僅以所定之研磨量研磨完了之時刻則 為研磨處理完了，但在此研磨作業終了之時刻時，由於研 22 314622 1285575 磨而使研磨面1 〇之特性產生變化，對於下一研磨之研磨性 能已降低，所以，需以修整單元i 3進行研磨面丨〇之修整。 修整時，邊使修整器33及研磨台11分別獨立自轉，邊以修 整零組件3 4以所定之推壓力靠接於研磨面1 〇。此時，修整 零組件34接觸研磨面1〇之同時，或在接觸之前，由水供給 喷嗔1 6供給水於研磨面1 〇之上面，以將殘留在研磨面丨〇之 使用過之研磨液清洗掉。修整終了後之修整器33，由於修 整頭3 1之驅動而被送回待命位置，並以設於此待命位置之 修整器清洗裝置18(參照第1圖）予以清洗。 載置於昇降機14上面之研磨後之半導體晶圓w，由第2 搬運機器人搬運到例如具有兩面清洗功能之滾筒海綿之清 洗機7a或7b，以此清洗機〜或几洗淨基板…之兩面後，以 第2搬運機态人4b將其搬到反轉機5或6並予以反轉。然後， 以第1搬運機器人4a將反轉機5或6上面之半導體晶圓貿取 出，並搬到例如具有上面清洗之筆尖海綿與旋轉乾燥功能 之第2之清洗機仏或扑清洗·乾燥後，以第}搬運機器人乜 搬回盒2a、2b。 篇2實施形態：_ ^其次，對於有關本發明拋光方法之第2實施形態，參照 第13圖乃至第22圖詳細說明。與上述第(實施形態中之零組 件或元件具有同一之作用或功能之零組件或元件付予二 圖號，而未予特別說明之部分為與第i實施形態相同。除了 頂環以外之構成，基本上為與第1實施形態相同。 第13圖顯示本發明之第2實施形態之頂環之縱剖視 314622 23 1285575 2。於本實施形態中，在頂環本體42及與頂環本體竹為一 ，固定之扣環43之内部所隔成之空間β，收容有用以與頂 衣123所固定之半導體晶圓w之外周部靠接之外膜bo， 但’未設有第1實施形態中之彈性墊。 外膜160，其外周部夾在固定環61與固定在固定環q 下端之卡盤板62之間，並覆蓋卡盤板62之外緣近傍之、下 面。此外膜1 6 0之下端面接觸於拋光對象物之半導體晶圓w 之上面。外膜160 ’由乙丙橡膠（EpDM)、聚氨自旨橡膠、石圭 橡膠等強度及财久性優良之橡料所形成。半導體晶圓〜之 外緣設有所謂切口或定向扁平之用以認知（特定）半導體 晶圓之正反面之切口，外膜16〇’以延伸至卡盤板以之：周 側為止要較此等切口或定向扁平為佳。 卡盤板62與半導體晶圓W之間所形成空間之内部，μ 有f接於半導體晶圓w之靠接零組件之環管17〇。於本實: 形態中，如第u圖所示，環管170配置成圍繞卡盤板= 央部之開π 62a之態樣。本實施形態中，僅在環管之外 側設有外側吸附部65，但未設有内側吸附部。 環管m’由與半導體晶圓…之上面靠接之彈性膜m 與，可將彈性膜m裝㈣如地固定之環管支架（11〇1叫172 所構成，由此等彈性膜171與環管支架172而在環管i7〇之内 部形成壓力室72。形成於卡盤板62與半導體晶圓w之間之 空間’被上述環管170區隔成複數個空間，而分別在環管m 之内側亦即卡盤板62之中央部之開口 62a之周圍形成有壓 力至73’而於環管m之外側亦即吸附部65之周圍則形成有 314622 24 1285575 壓力室74。環管i 70之彈性膜丨7丨係由乙丙橡膠（EpDM)、聚 氨酯橡膠、硅橡膠等強度及耐久性優良之橡料所形成。 環管m之彈性膜171，在半導體晶㈣靠接之面形成 有孔171a。此孔171a，例如，亦可為第14@A及第“圖丑所 示之複數個橢圓或圓之組合之形狀，或亦可如第14圖〇所 示在橢圓切入三角形狀而形成者，亦或如第14圖〇所示之 大橢圓形狀者。又如第14圖E所示之正方形或菱形亦可， 如弟1 4圖F及第1 4圖G所示之單純之縫隙也可以。 環管170内之壓力室72,連通於由管、接頭等所形成之 流體路85，壓力室72則介由配置在此流體路以上之調整器 連接於壓力調整部12〇(參照第3圖）。壓力室73，連通於由 管、接頭等所形成之流體路86’壓力室73介由配置在此流 體路86上之調整器連接於壓力調整部12〇。 上述之在卡盤板62上方之壓力室71及上述壓力室72、 乃、74,可介由連通於各壓力室之流體路81、85、86、83 供給加壓空氣等之加壓流體，或可通大氣壓或做成真空。 亦即，可由配置在壓力室71至74之流體路81、85、80、83 上之調整器，分別調整供給於各壓力室之加壓流體之壓 力。由此，可將各壓力室71至74之内部壓力各個獨立控制， 或通大氣壓或做成真空。如此，往由調整器將各壓力室7 i 至74之内部壓力形成可變，可將半導體晶圓w推壓於研磨 墊1 〇之推壓力，按半導體晶圓w之每一部分予以調整。 在此情形，亦可將供給於各壓力室72至74之加壓流體 或大氣壓之溫度予以各個分別控制。如此，則可由半導體 314622 25 1285575 晶圓等之研磨對象物之被研磨面之背面直接控制研磨對象 物之溫度。尤其，將各壓力室之溫度予以獨立控制，則可 控制CMP中之化學研磨之化學反應速度。 其次說明本實施形態中之拋光裝置之動作。首先，以 第1搬運機器人4a將半導體晶圓w由盒2a或2b取出，以反轉 機5或6反轉後，以第2搬運機器人4b搬運載置於昇降機14 上。以此狀態搖動頂環單元12之頂環頭21，使頂環123移動 到昇降機1 4之上方。 第1 5圖係顯示此時之狀態之縱剖視圖。於第丨5圖所示 之狀態時，將頂環123内之壓力室71介由流體路81連接在壓 力調整部120,使壓力室71形成負壓。由此，卡盤板“，如 第15圖所示，對於扣環43形成處於上方之位置。與第1實施 形態相同’如此，則可確實吸附半導體晶圓w。 其次，如第1 6圖所示，使昇降機丨4之導引台i 4丨上昇， 以晶圓導引142之推拔ία將扣環μ導引至晶圓導引142之 上段部144。晶圓導引142之上段部144與扣環43之下面接 觸，則導引台1 4 1之上昇終了。 以此狀態’如第1 7圖所示，昇降機丨4之推壓台143上 昇，支撐住載置於晶圓導引142之下段部145之半導體晶圓 w之圖案面，使半導體晶圓冒靠接於頂環123之外膜16〇及 環管1 70。然後，將連接於環管i 7〇内之壓力室72，及壓力 至73、74之流體路85、86、83連接於壓力調整部120，使流 體路85、86、83成為負壓以真空吸附半導體晶圓w。例如， 將流體路83之壓力做成一 8〇kPa、流體路85、％之壓力做成 26 314622 1285575 一 20 kPa以真空吸附半導體晶圓w。 此時，如上所述，使頂環123内之壓力室71形成負壓， 使卡盤板62預先對於扣環43處於上方之位置，所以半導體 晶圓W，邊被扣環43導引其外周部，邊進行授受。因而， 半‘體曰曰圓W不致於因卡盤板62之上升而鈎到扣環43，於 是’可防止晶圓之脫落或破損。 半導體晶圓w之吸附完了後，使昇降機14下降，並使 頂環頭2丨水平搖動以吸附半導體晶圓w之狀態，將頂環頭 21移動到研磨面10之上方。半導體晶圓…之外周緣被扣環 43支撐住，以免半導體晶圓冒脫雅頂環1。然後，邊使頂 環123旋轉邊下降，將半導體晶圓貿往旋轉中之研磨台n 上之研磨面1 0推壓。亦即，於研磨時解除半導體晶圓w之 吸附，將半導體晶圓w固定於頂環i23之下面之同時，使連 接在頂環軸2 2之頂環用空氣缸i i i操作，以將固定在頂環 123下端之扣環43以所定之推壓力推壓在研磨台η之研磨 面1 〇以此狀悲，分別以所定壓力將加壓流體供給至壓力 室72、73、74，以將半導體晶圓w推壓在研磨台η之研磨 面。此時，由研磨液供給噴嘴15供給研磨液，以半導體晶 圓w之被研磨面（下面）與研磨面1〇之間存在研磨液之狀 態，進行半導體晶圓W之研磨。第13圖顯示此研磨時之狀 態。 如上述，扣環43被頂環用之空氣缸lu推壓在研磨面1〇 之力量，與供給於壓力室72至72之加壓空氣將半導體晶圓 W推壓於研磨面10之力量，給予妥適調整以進行半導體晶 314622 27 1285575 圓w之研磨。給予壓力室72至74供給加壓流體，將使卡盤 板62受到往上方向之力量，所以本實施形態，在壓力室7 1 介由流體路81供給壓力流體，以防止來自壓力室72之力量 將卡盤板62往上方提起。 研磨、冬了後’如第1 8圖所示，停止對壓力室7 2至7 4供 給加壓流體，並開放於大氣壓，使卡盤板62下降，以使吸 附部65之下端面靠接於半導體晶圓w。將壓力室了丨内之壓 力開放於大氣壓，或做成負壓。如此做，是因為如將壓力 至7 1之壓力放置於高壓，則僅半導體晶圓w之與吸附部65 罪接之σ卩刀將被強烈推壓於研磨面之故。然後，使半導體 晶圓W再真空吸附於吸附部65之下端面。研磨終了時，半 導體晶圓W與卡盤板62會有離開之情形，如此即使欲以吸 附邛65來吸附半導體晶圓w亦有無法吸附之情形。因而， 本實施形態，如上所述，於研磨終了時，使卡盤板62下降， 以使半導體晶圓W確實被吸附於吸附部6 5。 接著，以吸附半導體晶圓w之狀態，使頂環123移動到 外伸之位置，如第19圖所示，將壓力室71介由流路“連接 壓力調整部丨20以使頂環123内之壓力室71成為負壓，使卡 盤板62位於扣環43之上方之位置。以此狀態使頂環η]上 幵，亚使頂環頭21水平搖動以使頂環123如第2〇圖所示，再 移動到昇降機14之上方。此時，在環管17〇内之壓力室72 供給加壓流體以給予加壓為[如此則半導體晶圓w容易 由外膜160及環管170脫離。 其次，如第21圖所示，使昇降機14之導引台14丨上昇 314622 28 1285575 以晶圓導引142之推拔146將扣環43導引到晶圓導引工“之 上段部144。然後，晶圓導引142之上段部144接觸到扣環q 之下面，而終了導引台141之上昇0 义 以此狀態，如第22圖所示，將卡盤板62中央部之開口 62a及吸附部65分別介由流體路％、83連接於壓力調整^口 120,由開口 62a及吸附部65將加壓流體（例如，壓縮空氣或 氮與純水之混合者）往下方噴射（水柱噴射）。再者將環管 170内之壓力室72接於壓力調整部12〇，由形成在環管 之彈性膜171之孔171a(參照第13圖）將加壓流體（例如，壓 縮空氣或氮與純水之混合者）往下方喷射（水柱噴射）。由於 此等流體之喷射，半導體晶圓w由頂環123脫離，而由晶圓 導弓U42之推拔147使半導體晶圓…以求心之狀態，被 於晶圓導引I42之下段部丨45。例如，由開口Maw 〇.〇3MPa，由吸附部65以〇2MPa ’由環管17〇之孔以 〇·〇蕭a之壓力分別各喷射流體。在此情形，為使環管17〇 之弹性膜171與半導體晶圓w間之緊貼性容易消除，先由環 管170之孔171a噴射流體之後，才由開口 62a及吸附部“噴 射流體，為佳。 、 如此，按本實施形態，因由形成於卡盤板62中央部之 大口徑之開口 62a及吸附部65，以及形成於環管丨7〇之彈性 膜1 7 1之孔1 7 1 a分別喷射加壓流體，被將加壓流體亦送進外 =160及環管170之彈性膜171與半導體晶圓臀緊貼之部 刀，所以，使半導體晶圓w可更確實脫離。而且，如將形 成於環管170之彈性膜171之孔17u之形狀，形成如第"圖 314622 29 1285575 C或第14圖D之形狀，則半導體晶圓w脫離時不致於發出聲 音’而可使半導體晶圓w更順暢脫離。 知7上述之實施形態，係將流體路8 0至8 6各分別設置， 但’將此等流體路予以統合，或使各壓力室間互為連通等， 可按應於加於半導體晶圓界之推壓力之大小或給予施加之 位置’予以自由改變。上述實施形態中，說明了環管丨7〇 直接與半導體晶圓貿接觸之例，但，並非受限於此，例如， 亦可使彈性墊介存於環管17〇與半導體晶圓w之間，而令環 管1 70間接性接觸於半導體晶圓w。 再者，上述實施形態之中，係以研磨墊形成研磨面， 但，並非受限於此。例如，亦可以固定磨石粒形成研磨面。 所謂固定磨石粒，係將磨石粒固定於膠合劑中形成板狀 者〃使用固定磨石粒之研磨，係以固定磨石粒所自生之磨 石粒進行研磨。固疋磨石粒，係由磨石粒與膠合劑與氣孔 所構成，例如磨石粒為平均粒徑〇 5"m以下之氧化鈽 (Ce〇2)，膠合劑為使用環氧樹脂者。如此之固定磨石粒構 成硬質之研磨面。固定磨石粒，了上述之板狀者之外， 亦包含在薄固定磨石粒層下面黏貼具有彈性之研磨墊之雙 層構造之固定磨石粒塾。其他之硬質之研磨面，尚有上述 之 ICM〇〇〇 〇 以上說明了本發明之實施 於上述之實施形態，係，可在 種不同之形態實施者，當毋庸 如上所述，按本發明，則 形態，但，本發明並非受限 其技術性思想之範圍内以種 贅言。 ’因由形成於上下移動零組 314622 30 1285575 件之中央部之開口噴射加壓流體，使加壓流體亦送進彈性 膜與研磨對象物緊貼之部分，所以可使研磨對象物確實脫 離。而且，非但由形成於上下移動零組件之中央部之開口， /、在彈ϋ膜之與研磨對象物靠接之面形成孔，由此彈性膜 之孔亦贺射加Μ %體，則可更接實使研磨#象物脫離。 全再者按本發明，則，於研磨終了時，使上下移動零 ，往下方移動以使研磨對象物靠接吸附部之後，才吸附 固疋研磨對象物’所以，可使研磨對象物確實吸附。 可能性 晶 法 。士發明，可安適使用於’將表面形成有薄膜之半導體 圓寻之研磨對象物，研磨成平坦且為鏡面狀之，拋光方 [圖式簡單說明] 模式本發明之第1實施形態中有關拋光裝置之 耦式性顯不之俯視圖。 苐2圖·顯不弟1圖戶斤示抛

μ八> w尤装置之研磨部之重I 部分之縱剖視圖。 π化I <1罟 第3圖·第2圖中所示研磨部 — 構成一併顯示之概略圖。丨之頂糸早兀連同流路 早元中之頂環之縱剖 第4圖··顯示第3圖中之了貝環 視圖 八頂環與昇降機（pushe 第5圖：顯示第4圖所 之關係之縱剖視圖。 苐6圖·顯示第4圖所示頂 貝^與昇降機之關係之縱 314622 31 1285575 剖視圖。 τ貝環與昇降機之關係之縱 第7圖·顯帑第4圖所示 剖視圖。 第8圖：|§、 一 環研磨終了後之狀態 、>第4圖所示之； 之縱剖視圖。 、 条第4圖所不之頂環研磨終了後之 第9圖·· _ 狀態 之縱剖視圖。 顯示第4圖所示頂環與昇降機之關係之 _示第4圖所示頂環與昇降機之關係之 第10圖： 縱剖視圖。 第11圖： 縱剖視圖。 之 第12圖·顯示第4圖所示頂環與昇降機之關係 敗剖視圖。 ,第13圖：顯示本發明之第2實施形態有關頂環之 縱剖視圖。 ^第14人圖乃至第14(;圖：顯示第13圖所示頂環之環 I之形成於彈性膜之孔之形狀之概略圖。 第15圖：顯示第1 3圖所示頂環與昇降機之關係之 縱剖視圖。 第1 6圖：顯示第13圖所示頂環與昇降機之關係之 縱剖視圖。 第1 7圖：顯示第13圖所示頂環與昇降機之關係之 縱剖視圖。 第18圖：顯示第13圖所示頂環之研磨終了後之狀 314622 32 1285575 態之縱剖視圖。

At第19圖：顯示第13圖所示頂環之研磨終了後之狀 悲之縱剖視圖。 環與昇降機之關係之 弟20圖：顯示第13圖所示丁頁 縱剖視圖。 第21圖：顯示第13圖所示 縱剖視圖。 頂環與昇降機之關係 之 了員環與昇降機之關係之 第22圖：顯示第13圖所示 、縱剖視圖。 lb 4b 7b、 研磨部 2a、2b 搬運機器人 8a、8b 5、6 研磨台墊、研磨面 11 台軸 12 修整單元 14 研磨液供給喷嘴 16 框體 1 7a 清洗裝置 2〇、30 頂環頭 22 凹部 23 、 123 彈簧座 22c 修整頭 32 修整器 34 4a、 7a、 10 1 la 13 15 17 18 21 22a 22b 31 33 盒 反轉機 清洗機 研磨台 頂環單元 昇降機 水供給喷嘴 槽溝 支車由 頂環軸 頂環 繫合孔 修整軸 修整零組件 314622 33 1285575 40 萬能接頭部 42 頂環本 體 42a 殼部 42b 加壓片 支撐部 42c 封部 42d 凹部 43 扣環 47 連接螺 栓 48 螺旋彈簧 49 繫合銷 52 轴承球 60 彈性墊 60a 中央孑L 61 固定環 61a 上端部 61b 阻擋部 61c 突出部 62 卡盤板（上下移動零組件） 6 2a 開口 63 加壓片 64 内側吸附部 64a ^ 65a >92 連通孔 65 外側吸附部 70 ^ 7卜 72 、 73 、 74 壓力室 80 ^ 81、 82 、 83 、 84 、 85 、 86 流體路 91 清洗液路 111 頂環用 空氣缸 112 旋轉筒 120 壓力調 整部 113 、116 時規帶輪 114 頂環用馬達 115 時規帶 141 導引台 142 晶圓導 引 143 推壓台 144 上段部 145 下段部 146 、147 推拔 34 314622 1285575 160 外膜 170 環管 171a 171 彈性膜 172 環管支架 R1 、 R2 、 R3 、 R4 、 R5 調整器 W 半導體晶圓 35 314622

Claims (1)

1285575 拾、申請專利範圍 1 · 一種拋光方法，係，以頂環固定研磨對象物以將該研磨 對象物推壓於研磨面而進行研磨之拋光方法之中， 在可上下移動之上下移動零組件之下面安裝彈性 膜以在上述頂環内形成壓力室， 經由供給加壓流體於上述壓力室以將上述研磨對 象物透過上述流體之流體壓推壓於上述研磨面並加以 研磨， 經由形成於上述上下移動零組件之中央部之開口 噴射加壓流體以使研磨後之研磨對象物由上述頂環脫 離者。 2·如申請專利範圍第}項之拋光方法，其中，在形成上述 壓力室之彈性膜之與研磨對象物靠接之面形成孔，除經 由形成於上述上下移動零組件之中央部之開口外，複加 上由上述彈性膜之孔亦喷射加壓流體，以使研磨後之研 磨對象物由上述頂環脫離者。 3.如申請專利範圍第2項之拋光方法’其中，由上述彈性 膜之孔喷射加麼流體之後，由形成於上述上下移動零組 件之中央部之開口噴射加壓流體者。 —種拋光方法’係’以頂環^研磨對象物以將該研磨 對象物推壓於研磨面而進行研磨之拋光方法之中，在可 上下移動之上下移動零組件之下面安裝彈性膜以在上 述頂環内形成壓力室， 314622 36 1285575 經由供給加壓流體於上述壓力室以將上述研磨對 象物以上述流體之流體壓推壓於上述研磨面並加以研 磨， 於研磨終了時，使上述上下移動零組件往下方移動 以使上述研磨對象物靠接於設在上述上下移動零組件 之吸附部，而由該吸附部將上述研磨對象物吸附固定於 上述頂環者。 ' 5· —種拋光方法，係，以頂環固定研磨對象物以將該研磨 對象物推壓於研磨面而進行研磨之拋光方法之中，在可 上下移動之上下移動零組件之下面安裝彈性膜以在上 述頂環内形成壓力室， ，I…一，一"、川从凹疋上迷研 磨對象物之外周緣的扣環上方之狀態，將上述研磨 物導引於上述頂環， 將被導引於上述頂環之研磨對象物以設於上述上 下移動零組件之吸附部吸附固定於上述頂環， 使被固定於上述頂環之研磨對象物移動至上述研 、、工田供給加壓流體於上述壓力室以將上述研磨 2以上述4體之流體壓推壓於上述研磨面而進行研 314622 37