JP2002219646A - 基板の研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板のスル−プット時間が短縮さ
れる研磨装置の提供。 【解決手段】 上方で回転軸に軸承されたインデ
ックスヘッド５に該回転軸を中心に同一円周上に等間隔
に設けられた４基のスピンドルに取り付けられた基板チ
ャック機構６、前記４基の基板チャック機構の下方に相
対向するように前記インデックスヘッドの回転軸の軸心
を同一とする中心点より同一円周上に等間隔に設けられ
た基板ロ−ディング／基板アンロ−ディング／チャック
洗浄ステ−ジｓ_１、第１ポリシングステ−ジｓ_２、第２
ポリシングステ−ジｓ_３および第３ポリシングステ−ジ
ｓ_４、上面に第１基板ロ−ディング／アンロ−ディング
ステ−ジ９ａ、基板チャック機構用洗浄ステ−ジ１３お
よび第２基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ
９ｂを同一円周上に等間隔に設けたインデックステ−ブ
ル９、とを含む基板の研磨装置３０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スル−プット時間
の短いインデックスヘッド型研磨装置に関する。研磨さ
れる基板としては、シリコンベアウエハ、シリコンデバ
イスウエハ、液晶基板、ＡｌＴｉＣ基板、樹脂基板、ガ
ラス基板等が利用できる。

【０００２】

【従来の技術】基板の研磨加工の生産性を向上させるた
めに、インデックスヘッド型研磨装置複数の基板を同一
の研磨プラテンで同時に研磨することは知られている
（特開平１２−１００８９９号、特開２０００−９４３
０５号、同２０００−９４３１７号、同２０００−１６
４５４３号）。特開２０００−９４３１７号公報には、
図６、図７および図８に示すように、３基の研磨プラテ
ン２ａ，２ｂ，２ｃおよび左右方向に往復移動可能な基
板ロ−ディング／アンロ−ディング用仮置台４を同一の
円周上Ｃに配置した基台１と、この基台の上方でそれぞ
れ別の４基のスピンドル２４，２４，２４，２４に軸承
されたヘッド２５に基板２枚ｗ_１，ｗ_２を保持する４基
のチャック機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを９０，９０，
９０，９０度づつ時計廻り方向に回動する回転軸１６に
回動自在に支持してなるインデックスヘッド５と、基板
ロ−ディングカセット７ａ，７ａ、該基板ロ−ディング
カセットから仮置台４上に基板ｗを搬送する搬送ア−ム
８ａ、およびチャック機構６ａより移送され、基板仮置
台４上に置かれた研磨後の基板を基板アンロ−ディング
カセット７ｂに移送する搬送ア−ム８ｂ、基板洗浄ノズ
ル９、研磨プラテンのドレッサ３、チャック洗浄機構１
３とを備えた研磨装置が記載されている。

【０００３】該研磨装置を用いて基板を研磨するには、
次ぎの工程を経て行われる。 （１）基板ロ−ディングカセットから仮置台４上に基板
ｗを搬送ア−ム８ａで搬送し、仮置台４を右方向に移動
させチャック機構６ａの下方に位置させ、チャック機構
６ａを下降させて仮置台４上の基板に吸着板２６を当接
させ、管２１を減圧して基板をチャック機構の吸着板に
吸着させ、ついでチャック機構６ａを上昇させる。

【０００４】（２）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを下降させ、第１研磨プラテンに押圧し、基板と第１
プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板
と第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を粗研磨し、
研磨終了後、チャック機構６ａを上昇させる。その間、
仮置台４は左方向に移動して元の位置に戻り、新たな基
板ｗが基板ロ−ディングカセットから仮置台４上に搬送
ア−ム８ａで搬送され、ついで仮置台４を右方向に移動
させチャック機構６ｂの下方に位置させ、チャック機構
６ｂを下降させて仮置台４上の基板に吸着板２６を当接
させ、管２１を減圧して基板をチャック機構の吸着板に
吸着させ、ついでチャック機構６ｂを上昇させる。

【０００５】（３）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを下降させ、第２研磨プラテン２ｂに押圧し、基板と
第２プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、
基板と第２研磨プラテンを摺動させて基板表面を中仕上
研磨する。その間、仮置台４は左方向に移動して元の位
置に戻り、新たな基板ｗが基板ロ−ディングカセットか
ら仮置台４上に搬送ア−ム８ａで搬送され、ついで仮置
台４を右方向に移動させチャック機構６ｃの下方に位置
させ、チャック機構６ｃを下降させて仮置台４上の基板
に吸着板２６を当接させ、管２１を減圧して基板をチャ
ック機構の吸着板に吸着させ、ついでチャック機構６ｃ
を上昇させる。また、チャック機構６ｂを下降させ、第
１研磨プラテン２ａに押圧し、基板と第１プラテンとの
間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第１研磨プ
ラテンを摺動させて基板表面を粗研磨し、研磨終了後、
チャック機構６ｂを上昇させる。

【０００６】（４）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを下降させ、第３研磨プラテン２ｃに押圧し、基板と
第３プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、
基板と第３研磨プラテンを摺動させて基板表面を仕上研
磨する。その間、仮置台４は左方向に移動して元の位置
に戻り、新たな基板ｗが基板ロ−ディングカセットから
仮置台４上に搬送ア−ム８ａで搬送され、ついで仮置台
４を右方向に移動させチャック機構６ｄの下方に位置さ
せ、チャック機構６ｄを下降させて仮置台４上の基板に
吸着板２６を当接させ、管２１を減圧して基板をチャッ
ク機構の吸着板に吸着させ、ついでチャック機構６ｄを
上昇させる。また、チャック機構６ｂを下降させ、第２
研磨プラテンに押圧し、基板と第２プラテンとの間に研
磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２研磨プラテン
を摺動させて基板表面を中仕上研磨し、研磨終了後、チ
ャック機構６ｂを上昇させる。一方、チャック機構６ｃ
を下降させ、第１研磨プラテン２ａに押圧し、基板と第
１プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基
板と第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を粗研磨
し、研磨終了後、チャック機構６ｃを上昇させる。

【０００７】（５）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを仮置台４上に下降させ、管２１ａの減圧を止め、基
板を仮置台４上に置いた後、チャック機構６ａは上昇す
る。仮置台４の基板に洗浄液が吹き付けられた後、仮置
台４は右方向に移動し、仮置台４上の仕上研磨された基
板は搬送ア−ム８ｂにより基板アンロ−ディングカセッ
ト７ｂ内に表面が濡れた状態で収納される。ついで、仮
置台４は左方向に移動して元の位置に戻り、新たな基板
ｗが基板ロ−ディングカセットから仮置台４上に搬送ア
−ム８ａで搬送され、ついで仮置台４を右方向に移動さ
せチャック機構６ａの下方に位置させ、チャック機構６
ａを下降させて仮置台４上の基板に吸着板２６を当接さ
せ、管２１を減圧して基板をチャック機構の吸着板に吸
着させ、ついでチャック機構６ａを上昇させる。その間
に、チャック機構６ｂを第３研磨プラテン２ｃに押圧
し、基板と第３プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在
させつつ、基板と第３研磨プラテンを摺動させて基板表
面を仕上研磨する。一方、チャック機構６ｃを下降さ
せ、第２研磨プラテンに押圧し、基板と第２プラテンと
の間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２研磨
プラテンを摺動させて基板表面を中仕上研磨し、研磨終
了後、チャック機構６ｃを上昇させる。および、チャッ
ク機構６ｄを下降させ、第１研磨プラテン２ａに押圧
し、基板と第１プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在
させつつ、基板と第１研磨プラテンを摺動させて基板表
面を粗研磨し、研磨終了後、チャック機構６ｄを上昇さ
せる。

【０００８】（６）以下、前記（５）の工程、即ち、イ
ンデックスヘッド５の回転軸１６を時計廻り方向に９０
度回動させ、基板のアンロ−ディング／ロ−ディング、
仕上研磨、中仕上研磨、粗研磨の工程を繰り返す。

【０００９】上記例では、１ステ−ジ毎に２枚の基板が
加工されたが、１ステ−ジ毎に１枚の基板が加工される
ようにチャック機構を変更してもよい。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】これら３基の研磨プラ
テンを用いるインデックスヘッド型研磨装置は、基板研
磨のスル−プット時間を２〜４分／枚と短縮できる利点
を有している。しかし、基板研磨のスル−プット時間を
更に０．５〜１分／枚と短縮することが半導体デバイス
メ−カ−より要求されている。本発明者等は、スル−プ
ット時間１〜３分／枚を目標とするには、従前のインデ
ックスヘッド型研磨装置では、基板洗浄、基板のアンロ
−ディング、チャック機構洗浄、基板のロ−ディングの
一連の作業を行うアンロ−ディング／ロ−ディングステ
−ジでの作業時間が律速であることを見出し、アンロ−
ディング／ロ−ディングステ−ジでの前記作業を他の機
構に割り振ることでスル−プット時間をより短縮できる
研磨装置が提供できることを見出した。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の１は、上方で回
転軸に軸承されたインデックスヘッドに該回転軸を中心
に同一円周上に等間隔に設けられた４基のスピンドルに
取り付けられた基板チャック機構、前記インデックスヘ
ッドの回転軸を時計廻り方向に９０度、９０度、９０
度、９０度づつ、もしくは９０度、９０度、９０度、−
２７０度づつ回動させる回動機構、前記基板チャック機
構のスピンドルを昇降させる昇降機構およびスピンドル
を水平方向に回転させる機構、前記４基の基板チャック
機構の下方に相対向するように前記インデックスヘッド
の回転軸の軸心を同一とする中心点より同一円周上に等
間隔に設けられた基板ロ−ディング／基板アンロ−ディ
ング／チャック洗浄ステ−ジ、第１ポリシングステ−
ジ、第２ポリシングステ−ジおよび第３ポリシングステ
−ジ、上面に第１基板ロ−ディング／アンロ−ディング
ステ−ジ、基板チャック機構用洗浄ステ−ジおよび第２
基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジを同一円
周上に等間隔に設けたインデックステ−ブル（但し、こ
れら３つのステ−ジは、インデックステ−ブルの回転に
より移動して前記基板ロ−ディング／基板アンロ−ディ
ング／チャック洗浄ステ−ジを構成する。）、前記イン
デックステ−ブルを時計廻り方向に１２０度、１２０
度、１２０度づつ、もしくは１２０度、１２０度、−２
４０度づつ回動させる回動機構、および、前記インデッ
クステ−ブルの手前の左右に設けられた、基板ロ−ディ
ングカセットと基板ロ−ディング搬送ロボットよりなる
基板供給機構と、基板アンロ−ディングカセットと基板
アンロ−ディング搬送ロボットよりなる基板排出機構、
とを含む基板の研磨装置を提供するものである。

【００１２】従前の研磨装置の基板ロ−ディング／アン
ロ−ディングステ−ジを、インデックステ−ブル上に割
り振り、このインデックステ−ブルに第１および第２ロ
−ディング／アンロ−ディングステ−ジおよびチャック
機構洗浄ステ−ジを設けることにより基板のアンロ−デ
ィングおよびロ−ディングを１分以下で行うことが可能
となった。（第１ポリシングステ−ジが律速となる。）

【００１３】本発明の請求項２は、前記研磨装置におい
て、基板アンロ−ディングカセットが水槽内を昇降可能
に設けられることを特徴とする。

【００１４】第３研磨された基板を収納する基板アンロ
−ディングカセットは、水槽内に一旦浸漬されるので、
基板が濡れた状態となり、基板表面に砥粒が固着するの
が妨げられる。

【００１５】本発明の請求項３は、前記研磨装置におい
て、インデックステ−ブルに設けられた第１および第２
基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジは、基板
位置決め機構の上に剛性の樹脂製プレ−トの表面に緩衝
材樹脂シ−トを積層した仮置台を設けた構造を採ること
を特徴とする。

【００１６】インデックステ−ブル上で基板の位置出し
（センタリング）をすることにより、インデックスヘッ
ド下で基板をチャック機構に保持させる位置が正確に割
り出される。また、仮置台の表面を構成する緩衝材樹脂
シ−トにより、基板に傷が付きにくい。

【００１７】

【発明の実施の形態】

【実施例】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。なお、各図において、研磨装置の各々のステ−ジで
は、２枚の基板が同時に加工処理、洗浄処理できるよう
にインデックスヘッド下のチャック機構は、４の倍数で
ある８基のスピンドルに軸承されたチャック機構を備え
る研磨装置を例に採る。図１は、本発明の研磨装置の平
面図（但し、インデックステ−ブル上の基板ロ−ディン
グ／アンロ−ディングステ−ジの一方の樹脂プレ−ト
は、省略してある。）、図２は図１における研磨装置の
第１ポリシングステ−ジ部分の正面図、図３は図１にお
けるインデックステ−ブル部分の基板ロ−ディング／ア
ンロ−ディングステ−ジ部分の断面図、図４は図１にお
けるインデックステ−ブルのチャック機構洗浄ステ−ジ
部分の断面図、図５は図４のチャック機構洗浄ステ−ジ
のブラシと洗浄液供給ノズル部の拡大図である。

【００１８】本発明の研磨装置３０を示す図１におい
て、１は基台、２ａは第１研磨プラテン、２ｂは第２研
磨プラテン、２ｃは第３プラテン、３，３，３は研磨プ
ラテンのドレッサ、３ａ，３ａ，３ａは回転軸、４は基
板ロ−ディング／アンロ−ディング用仮置台、５はイン
デックスヘッド、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄはチャック機
構、７ａはロ−ディングカセット、７ｂはアンロ−ディ
ングカセット、７ｃは水槽、８ａはロ−ディング搬送ロ
ボット、８ｂはアンロ−ディング搬送ロボット、９はイ
ンデックステ−ブル、９ａは第１基板ロ−ディング／ア
ンロ−ディングステ−ジの仮置台、９ｂは第２基板ロ−
ディング／アンロ−ディングステ−ジの仮置台である。
９ａ'，９ｂ'は樹脂製プレ−トが取り除かれた基板位置
決め機構を示す。図１では、インデックスヘッド５下の
基板ロ−ディング／基板アンロ−ディング／チャック洗
浄ステ−ジ６ａ，６ａに、インデックステ−ブル９に設
けた洗浄機構１３，１３が位置している状態を示してい
る。

【００１９】インデックスヘッド５下は、４つの壁１
ｗ、２ｗ、３ｗ，４ｗにより仕切られ、基台１に４つの
ステ−ジ、即ち、基板ロ−ディング／基板アンロ−ディ
ング／チャック洗浄ステ−ジｓ_１、第１ポリシングステ
−ジｓ_２、第２ポリシングステ−ジｓ_３および第３ポリ
シングステ−ジｓ_４に割り振る。

【００２０】前記洗浄機構１３は、チャック機構６ａ，
６ｂ，６ｃ，６ｄに洗浄液を吹き付けるノズル１３ａ，
１３ａ、チャック機構底面洗浄ブラシ１３ｂ，１３ｂ、
チャック機構側面洗浄ブラシ１３ｃ、ブラシ３ｂに洗浄
液を吹き付けるノズル１３ｄを備える（図４および図５
参照）。

【００２１】図２において、１０は研磨プラテン２を軸
承するスピンドル、Ｍ_４はモ−タで研磨プラテンを水平
方向に回転する駆動力を与える。１１は研磨布、１３は
チャック洗浄器である。チャック機構６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄは１対のスピンドルで組みとなり、回転軸１６
に軸承されたインデックスヘッド５に回転軸１６の軸心
Ｏを中心として同一の円周上Ｃに配置され、基台１の上
方でそれぞれ８基のスピンドル２４に軸承されたヘッド
２５を備えている。回転軸１６をモ−タ（図示されてい
ない）により時計廻り方向に９０，９０，９０，９０度
づつ回動するか、時計廻り方向に９０，９０，９０，−
２７０度づつ回動することによりインデックスヘッド
５、および基板２枚ｗ_１，ｗ_２を保持する８基のチャッ
ク機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが９０，９０，９０，９
０度づつ、または９０，９０，９０，−２７０度づつ時
計廻り方向に回動する。インデックスヘッド５下の８基
のチャック機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは、インデック
スヘッドの前記回転により、基板ロ−ディング／アンロ
−ディング／チャック機構洗浄ステ−ジｓ１、第１ポリ
シングステ−ジｓ２、第２ポリシングステ−ジｓ３およ
び第３ポリシングステ−ジｓ４に振り分けられる

【００２２】基台１側には、前記８基のチャック機構の
下方に相対向するように前記インデックスヘッド５の回
転軸１６の軸心と同一とする中心点Ｏより同一円周上Ｃ
に等間隔に設けられた基板ロ−ディング／アンロ−ディ
ング／チャック機構洗浄ステ−ジｓ_１、第１ポリシング
ステ−ジｓ_２、第２ポリシングステ−ジｓ_３および第３
ポリシングステ−ジｓ_４が設けられる。基板ロ−ディン
グ／アンロ−ディング／チャック機構洗浄ステ−ジｓ_１
には、図１ではチャック洗浄ステ−ジ１３，１３が、第
１ポリシングステ−ジｓ₂には回転テ−ブル表面に研磨
布が貼付された第１プラテン２ａとこの研磨プラテン表
面に砥粒を含有する研磨剤スラリ−供給管５０が、第２
ポリシングステ−ジｓ₃には回転テ−ブル表面に研磨布
が貼付された第２プラテン２ｂとこの研磨プラテン表面
に砥粒を含有する研磨剤スラリ−供給管５０が、第３ポ
リシングステ−ジｓ₄には回転テ−ブル表面に研磨布が
貼付された第３プラテン２ｃとこの研磨プラテン表面に
砥粒を含有する研磨剤スラリ−供給管５０が設けられて
いる。

【００２３】研磨プラテンの研磨布としては、硬質発泡
ウレタンシ−ト、ポリ弗化エチレンシ−ト、ポリエステ
ル繊維不織布、フェルト、ポリビニ−ルアルコ−ル繊維
不織布、ナイロン繊維不織布、これら不織布上に発泡性
ウレタン樹脂溶液を流延させ、ついで発泡・硬化させた
もの等が使用される。通常、第１プラテンの研磨布は第
２プラテンおよび第３プラテンの研磨布よりも硬くて表
面が粗いものが使用される。

【００２４】インデックステ−ブル９は、その上面に軸
芯Ｏ_１を中心として同心円上に等間隔に第１ロ−ディン
グ／アンロ−ディングステ−ジ９ａ，９ａ、第２ロ−デ
ィング／アンロ−ディングステ−ジ９ｂ，９ｂおよびチ
ャック機構洗浄ステ−ジ１３，１３を備える。図３に示
すようにスピンドル９１に軸承されたインデックステ−
ブル９は、ＡＣサ−ボアクチエ−タＭ_５により水平方向
に１２０度づつ時計廻り方向に回動されるか、１２０
度、１２０度、−２４０度づつ回動される。

【００２５】第１および第２ロ−ディング／アンロ−デ
ィングステ−ジ９ａ，９ａ，９ｂ，９ｂは、基板位置決
め機構９２の上に剛性の樹脂製プレ−ト９３の表面に緩
衝材樹脂シ−ト９４を積層した仮置台を設けた構造を採
る。９６は緩衝材樹脂シ−トを剛性の樹脂製プレ−ト９
３に固定させるのを容易とするために用いた介在プレ−
トで、緩衝材樹脂シ−ト９４は接着剤９５で介在プレ−
ト９６に積層され、ビス９７を用いて剛性の樹脂製プレ
−ト９３に螺子止めされる。樹脂製プレ−ト９３は、イ
ンデックステ−ブル９の中央より放射状に延びる支持具
９００にボルト９０１により固定されている。

【００２６】剛性の樹脂製プレ−ト９３としては、ポリ
塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリメチルメタクリレ−ト、エポ
キシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の剛性の高い樹脂製板が使
用される。介在プレ−ト９６としては、樹脂製プレ−ト
９３の素材と同一のものか、アルミニウム板が使用され
る。緩衝材樹脂シ−ト９４としては、ポリビニルアルコ
−ルゲル、ポリシリコンゲル、ポリビニルピロリドンヒ
ドロゲル、キサンタンガムヒドロゲル、コラ−ゲンヒド
ロゲル、ポリビニルアルコ−ル系多孔質シ−ト（例え
ば、カネボウ株式会社のベルクリンの商品名で販売され
ているスポンジ）等の軟質の樹脂シ−トが好適に使用さ
れる。この緩衝材樹脂シ−ト９４の表面は平滑でもよい
し、エンボス模様９４ａが施されたものの方が基板の離
れ易さの面から好ましい。エンボス模様としては、梨地
模様、格子模様、直径３〜１０ｍｍの円柱のエンボス模
様、千鳥模様等が挙げられる。

【００２７】基板位置決め機構９２は、インデックステ
−ブル９の空所に備えられたエアシリンダ９８、ア−ム
９９、ピン９９ａ、板バネ９９ｂおよびセンサ１００を
備える。エアシリンダ９８のロッドが下降するとピン９
９ａを支点としてア−ム９９の外端は上昇し、基板位置
決め機構９２の中心点に基板の中心点が一致するよう基
板のセンタリングを行う。また、エアシリンダ９８のロ
ッドが上昇するとピン９９ａを支点としてア−ム９９の
外端は下降し、ア−ム９９の外端は基板より離れる。ま
た、仮置台９ａ，９ｂ上の基板に後述する図９で示され
るチャック機構の下端面に設けた環状保持リング６０８
が当接した際、板バネ９９ｂ，９９ｂが押し下げられ、
ア−ム９９の外端が基板より離れる構造となっている。
センサ１００は、仮置台９ａ，９ｂ上に基板が存在する
か否か確認し、制御装置に伝達する役目をなす。

【００２８】図１、図４および図５に示すように、チャ
ック機構洗浄器１３はインデックステ−ブル９の空所に
設けられ、チャック機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄに洗浄
液を吹き付けるノズル１３ａ，１３ａ、チャック機構底
面洗浄ブラシ１３ｂ，１３ｂ、チャック機構側面洗浄ブ
ラシ１３ｃ、ブラシ１３ｂに洗浄液を吹き付けるノズル
１３ｄ、チャック機構底面洗浄ブラシ１３ｂを回転させ
るインダクションモ−タＭ_６およびチャック機構側面洗
浄ブラシ１３ｃを回転させるインダクションモ−タＭ_７
を備える。

【００２９】インデックステ−ブルのロ−ディングゾ−
ンＺ_１では、ロ−ディングカセット７ａよりロ−ディン
グ搬送ロボット８ａが基板を取り出し、ア−ムを反転
後、仮置台９ａ上に搬送し、仮置台に基板を載せた後、
位置決め装置９２のエア−シリンダを下降させることに
より位置合わせ（センタリング）をする。アンロ−ディ
ングゾ−ンＺ_２では、Ｈ字型把持具を備えるアンロ−デ
ィング搬送ロボット８ｂが研磨された基板を仮置台９ｂ
より受け取り、アンロ−ディングカセット７ｂ内に基板
を搬送する。

【００３０】アンロ−ディングカセット７ｂは、水槽７
ｃ内を昇降可能に設けられ（特開２０００−１００９０
０号）、カセット７ｂを水槽に浸漬することにより常
時、研磨された基板を湿った状態に保つ。

【００３１】図２に示す基板のチャック機構は、研磨装
置のスピンドル２４，２４に軸承されたヘッド２５，２
５を水平方向に往復移動可能な揺動機構を備える。それ
ぞれ別々のスピンドル２４，２４に軸承されたヘッド２
５，２５には、吸着または接着材で貼付された基板２枚
ｗ_１，ｗ_２が保持される。スピンドル２４，２４の回転
は、モ−タＭ₁，Ｍ₂の駆動力をプ−リ３１，３１で受
け、これをベルト３２，３２を介してプ−リ３３，３３
に伝えることで行なわれる。３４，３４はエア−シリン
ダでスピンドル２４，２４を昇降する。２つのスピンド
ル２４，２４は、揺動フレ−ム３５で連結されており、
サ−ボモ−タＭ_３の駆動をプ−リ３６が受け、ベルト３
７を介してプ−リ３８に伝え、ボ−ルネジ３９を時計廻
り方向または逆廻り方向に回転させる。揺動時のスピン
ドルまたは研磨プラテンの反転は、制御装置の指令を受
け、サ−ボモ−タＭ_３が行う。

【００３２】ボ−ルネジ３９には、前記揺動フレ−ム３
５を係止する函体４０が螺合され、フレ−ム３５の側面
の上下に取り付けられたガイド４１，４１がレ−ル４２
上を走行することによりスピンドル２４，２４は同時に
同一方向であって水平方向に移動する。函体の左右に分
けてリミットスイッチＬＳ_１，ＬＳ_２が設けられ、図示
されていないドッグがリミットスイッチＬＳ_１，ＬＳ_２
のいずれかに当接するとストロ−クエンドの指令が発信
される。

【００３３】５０は研磨液の供給ノズルである。前記基
板２枚ｗ_１，ｗ_２の中心点を結ぶ直線Ｌは、研磨プラテ
ンの中心点ｏを含む鉛直面内にある。スピンドル２４，
２４に軸承されたチャック機構のヘッド２５，２５は前
記鉛直面に対し垂直な水平面方向（矢印の方向）に往復
移動可能となっている。往復移動の幅は１〜５５ｍｍ、
好ましくは２０〜４０ｍｍである。

【００３４】該研磨装置３０を用いてそれぞれ別々のス
ピンドル２４，２４に軸承されたヘッド２５，２５に保
持された基板２枚ｗ_１，ｗ_２を、同一の研磨プラテン２
に押し当て、基板と研磨プラテンとの間に研磨液５１を
介在させつつ、基板と研磨プラテンを摺動させて同時に
２枚の基板表面を研磨する。スピンドル２４，２４の回
転数は３０〜１００ｒｐｍ、研磨プラテンの回転数は３
０〜１００ｒｐｍ、基板の研磨プラテンに対する押圧５
０〜４００ｇ／ｃｍ^２である。

【００３５】この際、チャック機構のヘッド２５を水平
方向に往復揺動させるのが好ましい。研磨中、ヘッドま
たは研磨プラテンを水平方向に往復揺動させることは、
平坦度の良好な、かつ、鏡面の研磨基板を得るに有用で
ある。研磨中の揺動フレ−ムの左右方向往復揺動の距離
は、１〜５５ｍｍ幅、好ましくは２５〜５０ｍｍであ
る。揺動フレ−ムの左右水平方向の往復移動により揺動
フレ−ムに備え付けられている基板を保持しているスピ
ンドル２４，２４が左右水平方向に往復移動することと
なるので、このスピンドルに軸承されたヘッドに保持さ
れた基板も左右水平方向に往復移動する。

【００３６】研磨液の例としては、基板の種類により異
なるが、コロイダルアルミナ、フ−ムドシリカ、酸化セ
リウム、チタニア、コロイダルシリカ等の砥粒を０．０
１〜２０重量％、界面活性剤０．３〜３重量％、ｐＨ調
整剤、防腐剤、分散溶媒などを含有するスラリ−が使用
される。シリコンベアウエハにはシリカ系の砥粒を含有
する研磨剤スラリ−が一般に用いられる。

【００３７】第１ポリシングステ−ジで用いる研磨剤ス
ラリ−中の砥粒は、第２ポリシングステ−ジおよび第３
ポリシングステ−ジで用いる研磨剤スラリ−中の砥粒よ
りも粒径が粗いものが使用される。粗い粒径の砥粒は研
磨基速度が速いが基板に傷をつけるので、第２，第３ポ
リシングでは粒径が細かい砥粒を含有する研磨剤スラリ
−が使用される。

【００３８】図１で示す研磨装置を用いて基板を研磨す
るには、次ぎの工程を経る。 １）インデックステ−ブル９上での工程： （１）基板ロ−ディングカセット７ａから基板ｗを搬送
ロボット８ａで把持し、ア−ムを後退させた後にア−ム
を反転させ、ついでインデックステ−ブル９上のゾ−ン
Ｚ_１に位置する第１基板ロ−ディング／アンロ−ディン
グステ−ジを構成する仮置台９ａ，９ａ上に基板を載せ
た後、位置決め機構９２でセンタリングを行う。

【００３９】この間に、インデックステ−ブル９上のゾ
−ンＺ₂に位置する第２基板ロ−ディング／アンロ−デ
ィングステ−ジを構成する仮置台９ｂ，９ｂ上の研磨加
工基板は、アンロ−ディング搬送ロボット８ｂにより把
持または吸着され、ア−ムを反転後、アンロ−ディング
カセット７ｂ内に搬送される。また、インデックステ−
ブル９上のゾ−ンＺ₃では、ノズル１３ａ，１３ｄより
洗浄液を噴射するとともにブラシを回転させることによ
り基板を保持していないチャック機構の表面および側面
を洗浄器１３で洗浄する。

【００４０】（２）インデックステ−ブル９を時計廻り
方向に１２０度回転させ、洗浄器をゾ−ンＺ_２へ、基板
が取り去られた仮置台９ｂ，９ｂをゾ−ンＺ_１へ、基板
を載せた仮置台９ａ，９ａをゾ−ンＺ_３へ移動する。つ
いで、ゾ−ンＺ_３では、チャック機構６ａを下降させて
仮置台９ａ，９ａ上の基板ｗ_１，ｗ_２に吸着板２６を当
接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気体通路
部６０３）供給を減圧して基板をチャック機構の下端面
に吸着させ、ついでチャック機構６ａ，６ａを上昇さ
せ、インデックスヘッドのスピンドル１６が時計廻り方
向に９０度又は−２７０度回動され、ゾ−ンＺ_３へ研磨
基板を保持したチャック機構６ｄ，６ｄを導き、チャッ
ク機構６ｄ，６ｄを下降させ、仮置台９ａ，９ａ上に研
磨基板を載せた後、チャック機構６ｄ，６ｄを上昇させ
る。

【００４１】ゾ−ンＺ_１では、基板ロ−ディングカセッ
ト７ａから新たな基板ｗを搬送ロボット８ａが把持し、
ア−ムを後退させた後にア−ムを反転させ、ついでイン
デックステ−ブル９上のゾ−ンＺ_１に位置する仮置台９
ｂ，９ｂ上に基板を載せた後、位置決め機構でセンタリ
ングが行なわれる。ゾ−ンＺ_２では何も行われない。

【００４２】（３）インデックステ−ブル９を時計廻り
方向に１２０度回転させ、洗浄器をゾ−ンＺ₁へ、基板
が取り去られた仮置台９ａ，９ａをゾ−ンＺ_２へ、基板
を載せた仮置台９ｂ，９ｂをゾ−ンＺ_３へ移動する。つ
いで、ゾ−ンＺ_３では、チャック機構６ａを下降させて
仮置台９ｂ，９ｂ上の基板ｗ_１，ｗ_２に吸着板２６を当
接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気体通路
部６０３）を減圧して基板をチャック機構の下端面に吸
着させ、ついでチャック機構６ｄ，６ｄを上昇させ、イ
ンデックスヘッドのスピンドル１６が時計廻り方向に９
０度又は−２７０度回動され、ゾ−ンＺ_３へ研磨基板を
保持したチャック機構６ｃ，６ｃを導き、チャック機構
６ｃ，６ｃを下降させ、管２１（図９に示すチャック機
構では気体通路部６０３）の減圧を止め、管２１（図９
に示すチャック機構では気体通路部６０３）に圧空を供
給して仮置台９ａ，９ａ上に研磨基板を載せた後、チャ
ック機構６ｃ，６ｃを上昇させる。ゾ−ンＺ_１では、何
も行われない。

【００４３】（４）インデックステ−ブル９を時計廻り
方向に−２４０度回転させ、洗浄器をゾ−ンＺ₃へ、研
磨基板が載せられた仮置台９ｂ，９ｂをゾ−ンＺ_２へ、
基板が取り去られた仮置台９ａ，９ａをゾ−ンＺ₁へ移
動する。ついで、前記（１）の工程に戻り、（１）から
（４）の工程を繰返す。

【００４４】この例において、インデックステ−ブル９
の回動は、時計廻り方向に１２０度、１２０度、−２４
０度の繰返しの例を示したが、インデックステ−ブル９
の回動は、時計廻り方向に１２０度、１２０度、１２０
度の繰返しであってもよい。

【００４５】２）インデックスヘッドでの工程： （１）チャック機構６ａ，６ａを下降させてインデック
ステ−ブル９上の仮置台９ａ，９ａ上の基板に吸着板２
６を当接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気
体通路部６０３）を減圧して基板をチャック機構の下端
面に吸着させ、ついでチャック機構６ａ，６ａを上昇さ
せる。その後、インデックステ−ブル９を時計廻り方向
に１２０度または−２４０度回転させ、チャック機構６
ａ，６ａ下にインデックステ−ブル９上の仮置台９ａ，
９ａ上の基板を位置させる。

【００４６】（２）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａ，６ａを下降させ、第１研磨プラテン２ａに押圧し、
基板と第１プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させ
つつ、基板と第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を
粗研磨し、研磨終了後、チャック機構６ａ，６ａを上昇
させる。その間にチャック機構６ｄ，６ｄを下降させて
インデックステ−ブル９上の仮置台９ｂ，９ｂ上の新た
な基板に吸着板２６を当接させ、管２１（図９に示すチ
ャック機構では気体通路部６０３）を減圧して基板をチ
ャック機構の下端面に吸着させ、ついでチャック機構６
ｄ，６ｄを上昇させる。その後、インデックステ−ブル
９を時計廻り方向に１２０度または−２４０度回動さ
せ、チャック機構６ｄ，６ｄ下にインデックステ−ブル
９上の仮置台９ｂ，９ｂ上の基板を位置させる。

【００４７】（３）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａ，６ａを下降させ、第２研磨プラテン２ｂに押圧し、
基板と第２プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させ
つつ、基板と第２研磨プラテンを摺動させて基板表面を
中仕上研磨し、研磨終了後、チャック機構６ａ，６ａを
上昇させる。また、チャック機構６ｄ，６ｄを下降さ
せ、第１研磨プラテンに押圧し、基板と第１研磨プラテ
ン２ａとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と
第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を粗研磨し、研
磨終了後、チャック機構６ｂを上昇させる。その間にチ
ャック機構６ｃ，６ｃを下降させてインデックステ−ブ
ル９上の仮置台９ａ，９ａ上の新たな基板に吸着板２６
を当接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気体
通路部６０３）を減圧して基板をチャック機構の下端面
に吸着させ、ついでチャック機構６ｃ，６ｃを上昇させ
る。その後、インデックステ−ブル９を時計廻り方向に
１２０度または−２４０度回動させ、チャック機構６
ｂ，６ｂ下にインデックステ−ブル９上の仮置台９ｂ，
９ｂ上の基板を位置させる。

【００４８】（４）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａ，６ａを下降させ、第３研磨プラテン２ｃに押圧し、
基板と第３研磨プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在
させつつ、基板と第３研磨プラテンを摺動させて基板表
面を仕上研磨し、仕上研磨終了後、チャック機構６ａを
上昇させる。また、チャック機構６ｄ，６ｄを下降さ
せ、第２研磨プラテン２ｂに押圧し、基板と第２プラテ
ンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２
研磨プラテンを摺動させて基板表面を中仕上研磨し、研
磨終了後、チャック機構６ｄ，６ｄを上昇させる。およ
び、チャック機構６ｃ，６ｃを下降させ、第１研磨プラ
テン２ａに押圧し、基板と第１研磨プラテンとの間に研
磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第１研磨プラテン
を摺動させて基板表面を粗研磨し、研磨終了後、チャッ
ク機構６ｃ，６ｃを上昇させる。

【００４９】その間にチャック機構６ｂ，６ｂを下降さ
せてインデックステ−ブル９上の仮置台９ｂ，９ｂ上の
新たな基板に吸着板２６を当接させ、管２１（図９に示
すチャック機構では気体通路部６０３）を減圧して基板
をチャック機構の下端面に吸着させ、ついでチャック機
構６ｂ，６ｂを上昇させる。その後、インデックステ−
ブル９を時計廻り方向に１２０度または−２４０度回動
させ、チャック機構６ｂ，６ｂ下にインデックステ−ブ
ル９上の仮置台９ａ，９ａ上に位置させる。この仮置台
には、基板は載っていない。

【００５０】（５）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に−２７０度回動させた後、チャック機
構６ａ，６ａをインデックステ−ブル９上の仮置台９
ａ，９ａ上に下降させ、管２１ａ（図９に示すチャック
機構では気体通路部６０３）の減圧を止め、ついで管２
１ａ（図９に示すチャック機構では気体通路部６０３）
に圧空を供給して研磨基板を仮置台９ａ，９ａ上に置い
た後、チャック機構６ａ，６ａを上昇させる。上昇した
チャック機構６ａ，６ａの下端面２５（図９では６０
７）および側面に、洗浄器１３のノズル１３ａ，１３ｄ
より洗浄液を吹きつけ、ブラシ１３ｂ，１３ｃの回動に
よりチャック機構を洗浄する。ついで、インデックステ
−ブル９を１２０度時計廻り方向に回転させ、チャック
機構６ａ，６ａ下にインデックステ−ブル９上の仮置台
９ｂ，９ｂ上の基板を位置させる。なお、仕上研磨され
た基板は、既述したようにインデックステ−ブル９が１
２０度回転してインデックステ−ブルのゾ−ンＺ_２に移
行された後、搬送ロボット８ｂによりアンロ−ディング
収納カセット８ｂ内に搬送される。

【００５１】その間に、チャック機構６ｄ，６ｄを下降
させ、第３研磨プラテン２ｃに押圧し、基板と第３研磨
プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板
と第３研磨プラテンを摺動させて基板表面を仕上研磨
し、仕上研磨終了後、チャック機構６ｄ，６ｄを上昇さ
せる。また、チャック機構６ｃ，６ｃを下降させ、第２
研磨プラテン２ｂに押圧し、基板と第２研磨プラテンと
の間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２研磨
プラテンを摺動させて基板表面を中仕上研磨し、中仕上
研磨終了後、チャック機構６ｃ，６ｃを上昇させる。お
よび、チャック機構６ｂ，６ｂを下降させ、第１研磨プ
ラテン２ａに押圧し、基板と第１研磨プラテンとの間に
研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第１研磨プラテ
ンを摺動させて基板表面を粗研磨し、研磨終了後、チャ
ック機構６ｂ，６ｂを上昇させる。

【００５２】（６）以下、上記（５）の工程に記載の、
インデックスヘッド５の回転軸１６の回動させ、基板の
アンロ−ディング／ロ−ディング、粗研磨、中仕上研
磨、仕上研磨およびチャック機構の洗浄の工程を繰り返
す。なお、研磨装置の研磨プラテン２ａ，２ｂ，２ｃの
研磨布１１は、ドレッサ３を回転軸３ａ中心に回転駆動
させることにより目立てが修復される。

【００５３】上記例において、インデックスヘッド５の
回動は、インデックスヘッド５の回動およびインデック
ステ−ブル９の回動に逆方向にの回動する機会を挿入さ
せることにより用役管や電気ケ−ブルの捩れが防止さ
れ、これらの破損が防止されることを目的に、時計廻り
方向に９０度、９０度、９０度、−２７０度の繰返しの
例を示したが、インデックスヘッド５の回動は、時計廻
り方向に９０度、９０度、９０度、９０度の繰り返しで
あってもよい。

【００５４】本発明の別の実施態様として、基板の研磨
中、チャック機構を左右方向に１〜５５ｍｍ往復移動さ
せてもよい。また、上記実施例では１ステ−ジ毎に２枚
の基板が加工される例を示したが、１ステ−ジ毎に１枚
の基板が加工されるようにチャック機構を変更してもよ
い。更に、チャック機構６の構造を、図９に示すような
特願平１１−２８３６６６号明細書に記載の、中空スピ
ンドル軸に軸承されたお椀状主体部６０１、該お椀状主
体部の下端部に水平方向に固定された可撓性材よりなる
ダイヤフラム６０２、該ダイヤフラムに固定された中央
部に鉛直方向に気体通路６０３が設けられ、下面の前記
気体通路部に通じて形成された凹部６０４を有する剛体
製支持板６０５、前記気体通路の気体を給排出できる手
段、お椀状主体部の内側とダイヤフラムの上面側とで形
成される加圧室６０６に気体を供給する手段、該剛体製
支持板の下面にゴム等の可撓性膜６０７を該剛体製支持
板と該可撓性膜で隙間が０．１〜０．３ｍｍの機密性の
高い空間が形成されるように可撓性膜を取り付けた基板
キャリア部、該可撓性膜の下面よりは突出して前記剛体
製支持板の下部外周縁に取り付けられた環状保持リング
６０８、前記環状保持リングの側壁と該可撓性膜の下面
とで形成された基板収納ポケット部６０９および高さ位
置調整機構６１０を備える基板キャリアのヘッド構造と
してもよい。

【００５５】この基板キャリアのヘッドは、気体通路部
６０３を減圧すると基板と可撓性膜６０７間が負圧とな
り、基板が可撓性膜に保持（チャック）される。また、
基板の保持時および研磨時は、基板の裏面は常に可撓性
膜にバッキングされているので基板に傷がつかない。基
板の研磨時は、気体通路部６０３に加圧空気を供給し、
基板の研磨プラテンへの押圧を高めることができる。

【００５６】更に、研磨される基板の径が小さい、ある
いは研磨量が少なく、研磨プラテンが粗研磨プラテン２
ａと仕上研磨プラテン２ｃの２基で充分のときは、チャ
ック機構も第１と第２のチャック機構とすることがで
き、研磨装置の構造を、上方で回転軸に軸承されたイン
デックスヘッド５に該回転軸１６を中心に同一円周上に
等間隔に設けられた３基のスピンドル６ａ，６ｂ，６ｃ
に取り付けられた基板チャック機構６、前記インデック
スヘッドの回転軸１６を時計廻り方向に１２０度、１２
０度、１２０度づつ、もしくは１２０度、１２０度、−
２４０度づつ回動させる回動機構、前記基板チャック機
構のスピンドルを昇降させる昇降機構３４およびスピン
ドルを水平方向に回転させる機構Ｍ_１，Ｍ_２、前記３基
の基板チャック機構の下方に相対向するように前記イン
デックスヘッドの回転軸の軸心を同一とする中心点より
同一円周上に等間隔に設けられた基板ロ−ディング／基
板アンロ−ディング／チャック洗浄ステ−ジｓ_１、第１
ポリシングステ−ジｓ_２および第２ポリシングステ−ジ
ｓ_３、上面に第１基板ロ−ディング／アンロ−ディング
ステ−ジ９ａ、基板チャック機構用洗浄ステ−ジ１３お
よび第２基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ
９ｂを同一円周上に等間隔に設けたインデックステ−ブ
ル９（但し、これら３つのステ−ジは、インデックステ
−ブルの回転により移動して前記基板ロ−ディング／基
板アンロ−ディング／チャック洗浄ステ−ジを構成す
る。）、前記インデックステ−ブルを時計廻り方向に１
２０度、１２０度、１２０度づつ、もしくは１２０度、
１２０度、−２４０度づつ回動させる回動機構Ｍ_５、お
よび、前記インデックステ−ブル９の手前の左右に設け
られた、基板ロ−ディングカセット７ａと基板ロ−ディ
ング搬送ロボット８ａよりなる基板供給機構と、基板ア
ンロ−ディングカセット７ｂと基板アンロ−ディング搬
送ロボット８ｂよりなる基板排出機構、とを含む基板の
研磨装置３０としてもよい。

【００５７】

【発明の効果】本発明の基板ロ−ディング／アンロ−デ
ィング／チャック機構洗浄ステ−ジ、第１ポリッシュス
テ−ジ、第２ポリッシュステ−ジおよび第３ポリッシュ
ステ−ジを設けたインデックスヘッドと、第１ロ−ディ
ング／アンロ−ディングステ−ジと第２ロ−ディング／
アンロ−ディングステ−ジを設けたインデックステ−ブ
ルを備える研磨装置は、基板のスル−プット時間が１〜
２．５分／枚と短く、かつ、研磨装置のフットプリント
を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の研磨装置の平面図である。

【図２】 図１における研磨装置の第１ポリシングステ
−ジ部分の正面図である。

【図３】 図１におけるインデックステ−ブル部分の基
板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ部分の断面
図である。

【図４】 図１におけるインデックステ−ブルのチャッ
ク機構洗浄ステ−ジ部分の断面図である。

【図５】 図４のチャック機構洗浄ステ−ジのブラシと
洗浄液供給ノズル部の拡大図である。

【図６】 公知の研磨装置の平面図である。

【図７】 図６の研磨装置の略断面図である。

【図８】 図６の基板を保持するヘッド機構の構成を示
す部分断面図である。

【図９】 研磨装置に使用される別の態様を示すチャッ
ク機構の部分断面図である。

【符号の説明】

１ 基台 ｗ 基板 ２ 研磨プラテン ５ インデックスヘッド ｓ_１ ロ−ディング／アンロ−ディング／チャ
ック機構洗浄ステ−ジ ｓ_２ 第１研磨ステ−ジ ｓ_３ 第２研磨ステ−ジ ｓ_４ 第３研磨ステ−ジ ６ チャック機構 ７ａ ロ−ディングカセット ７ｂ アンロ−ディングカセット ８ａ，８ｂ 搬送ロボット ９ インデックステ−ブル ９ａ 第１ロ−ディング／アンロ−ディングステ
−ジ ９ｂ 第２ロ−ディング／アンロ−ディングステ
−ジ １１ 研磨布 １３ チャック機構洗浄器 Ｚ_１ ロ−ディングゾ−ン Ｚ_２ アンロ−ディングゾ−ン Ｚ_３ ロ−ディング／アンロ−ディング／チ
ャック機構洗浄ゾ−ン ３０ 研磨装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 富美夫 神奈川県厚木市上依知3009番地 株式会社 岡本工作機械製作所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 AA14 AA18 AB01 AB03 AB04 AB06 AB08 AC04 CB03 DA17

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上方で回転軸に軸承されたインデックス
   ヘッドに該回転軸を中心に同一円周上に等間隔に設けら
   れた４基のスピンドルに取り付けられた基板チャック機
   構、 前記インデックスヘッドの回転軸を時計廻り方向に９０
   度、９０度、９０度、９０度づつ、もしくは９０度、９
   ０度、９０度、−２７０度づつ回動させる回動機構、 前記基板チャック機構のスピンドルを昇降させる昇降機
   構およびスピンドルを水平方向に回転させる機構、 前記４基の基板チャック機構の下方に相対向するように
   前記インデックスヘッドの回転軸の軸心を同一とする中
   心点より同一円周上に等間隔に設けられた基板ロ−ディ
   ング／基板アンロ−ディング／チャック洗浄ステ−ジ、
   第１ポリシングステ−ジ、第２ポリシングステ−ジおよ
   び第３ポリシングステ−ジ、 上面に第１基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−
   ジ、基板チャック機構用洗浄ステ−ジおよび第２基板ロ
   −ディング／アンロ−ディングステ−ジを同一円周上に
   等間隔に設けたインデックステ−ブル（但し、これら３
   つのステ−ジは、インデックステ−ブルの回転により移
   動して前記基板ロ−ディング／基板アンロ−ディング／
   チャック洗浄ステ−ジを構成する。）、 前記インデックステ−ブルを時計廻り方向に１２０度、
   １２０度、１２０度づつ、もしくは１２０度、１２０
   度、−２４０度づつ回動させる回動機構、および、 前記インデックステ−ブルの手前の左右に設けられた、
   基板ロ−ディングカセットと基板ロ−ディング搬送ロボ
   ットよりなる基板供給機構と、基板アンロ−ディングカ
   セットと基板アンロ−ディング搬送ロボットよりなる基
   板排出機構、とを含む基板の研磨装置。
2. 【請求項２】 基板アンロ−ディングカセットは、水槽
   内を昇降可能に設けられたことを特徴とする、請求項１
   に記載の基板の研磨装置。
3. 【請求項３】 インデックステ−ブルに設けられた第１
   基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジおよび第
   ２基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジは、基
   板位置決め機構の上に剛性の樹脂製プレ−トの表面に緩
   衝材樹脂シ−トを積層した仮置台を設けた構造を採るこ
   とを特徴とする、請求項１に記載の基板の研磨装置。
4. 【請求項４】 上方で回転軸に軸承されたインデックス
   ヘッドに該回転軸を中心に同一円周上に等間隔に設けら
   れた３基のスピンドルに取り付けられた基板チャック機
   構、 前記インデックスヘッドの回転軸を時計廻り方向に１２
   ０度、１２０度、１２０度づつ、もしくは１２０度、１
   ２０度、−２４０度づつ回動させる回動機構、 前記基板チャック機構のスピンドルを昇降させる昇降機
   構およびスピンドルを水平方向に回転させる機構、 前記３基の基板チャック機構の下方に相対向するように
   前記インデックスヘッドの回転軸の軸心を同一とする中
   心点より同一円周上に等間隔に設けられた基板ロ−ディ
   ング／基板アンロ−ディング／チャック洗浄ステ−ジ、
   第１ポリシングステ−ジおよび第２ポリシングステ−
   ジ、 上面に第１基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−
   ジ、基板チャック機構用洗浄ステ−ジおよび第２基板ロ
   −ディング／アンロ−ディングステ−ジを同一円周上に
   等間隔に設けたインデックステ−ブル（但し、これら３
   つのステ−ジは、インデックステ−ブルの回転により移
   動して前記基板ロ−ディング／基板アンロ−ディング／
   チャック洗浄ステ−ジを構成する。）、 前記インデックステ−ブルを時計廻り方向に１２０度、
   １２０度、１２０度づつ、もしくは１２０度、１２０
   度、−２４０度づつ回動させる回動機構、および、 前記インデックステ−ブルの手前の左右に設けられた、
   基板ロ−ディングカセットと基板ロ−ディング搬送ロボ
   ットよりなる基板供給機構と、基板アンロ−ディングカ
   セットと基板アンロ−ディング搬送ロボットよりなる基
   板排出機構、とを含む基板の研磨装置。