JP2002224951A - 基板用仮置台 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨装置の仮置台に基板を載せ
る、または仮置台より基板を受け取る際に、基板表面を
傷つけない仮置台の提供。 【解決手段】 仮置台９ａは、剛性のあるＰＶＣ
樹脂製プレ−ト９３の表面にポリビニルアルコ−ル多孔
質体よりなる緩衝材シ−ト９４を積層した積層物を素材
としている。仮置台の緩衝材シ−ト９４のクッション性
により基板表面に傷が付かない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨加工または研
削加工前に、前もって定められた位置に加工に付される
基板を待機させる仮置台、もしくは研磨加工または研削
加工後に、前もって定められた位置に待機させられ、加
工された基板を載せる仮置台に関する。この仮置台は、
基板を傷つけない。なお、基板としては、シリコンベア
ウエハ、シリコンデバイスウエハ、液晶基板、ＡｌＴｉ
Ｃ基板、樹脂基板、ガラス基板等が対象とされる。

【０００２】

【従来の技術】基板の研磨加工の生産性を向上（基板の
スル−プット時間を短縮）させるために、インデックス
ヘッド型研磨装置複数の基板を同一の研磨プラテンで同
時に研磨することは知られている（特開平１２−１００
８９９号、特開２０００−９４３０５号、同２０００−
９４３１７号、同２０００−１６４５４３号）。

【０００３】特開２０００−９４３１７号公報には、図
６、図７および図８に示すように、３基の研磨プラテン
２ａ，２ｂ，２ｃおよび左右方向に往復移動可能な基板
ロ−ディング／アンロ−ディング用仮置台４を同一の円
周上Ｃに配置した基台１と、この基台の上方でそれぞれ
別の４基のスピンドル２４，２４，２４，２４に軸承さ
れたヘッド２５に基板２枚ｗ_１，ｗ_２を保持する４基の
チャック機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを９０，９０，９
０，９０度づつ時計廻り方向に回動する回転軸１６に回
動自在に支持してなるインデックスヘッド５と、基板ロ
−ディングカセット７ａ，７ａ、該基板ロ−ディングカ
セットから仮置台４上に基板ｗを搬送する搬送ア−ム８
ａ、およびチャック機構６ａより移送され、基板仮置台
４上に置かれた研磨後の基板を基板アンロ−ディングカ
セット７ｂに移送する搬送ア−ム８ｂ、基板洗浄ノズル
９、研磨プラテンのドレッサ３、チャック洗浄機構１３
とを備えた研磨装置が記載されている。

【０００４】該研磨装置を用いて基板を研磨するには、
次ぎの工程を経て行われる。 （１）基板ロ−ディングカセットから仮置台４上に基板
ｗを搬送ア−ム８ａで搬送し、仮置台４を右方向に移動
させチャック機構６ａの下方に位置させ、チャック機構
６ａを下降させて仮置台４上の基板に吸着板２６を当接
させ、管２１を減圧して基板をチャック機構の吸着板に
吸着させ、ついでチャック機構６ａを上昇させる。

【０００５】（２）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを下降させ、第１研磨プラテンに押圧し、基板と第１
プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板
と第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を粗研磨し、
研磨終了後、チャック機構６ａを上昇させる。その間、
仮置台４は左方向に移動して元の位置に戻り、新たな基
板ｗが基板ロ−ディングカセットから仮置台４上に搬送
ア−ム８ａで搬送され、ついで仮置台４を右方向に移動
させチャック機構６ｂの下方に位置させ、チャック機構
６ｂを下降させて仮置台４上の基板に吸着板２６を当接
させ、管２１を減圧して基板をチャック機構の吸着板に
吸着させ、ついでチャック機構６ｂを上昇させる。

【０００６】（３）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを下降させ、第２研磨プラテン２ｂに押圧し、基板と
第２プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、
基板と第２研磨プラテンを摺動させて基板表面を中仕上
研磨する。その間、仮置台４は左方向に移動して元の位
置に戻り、新たな基板ｗが基板ロ−ディングカセットか
ら仮置台４上に搬送ア−ム８ａで搬送され、ついで仮置
台４を右方向に移動させチャック機構６ｃの下方に位置
させ、チャック機構６ｃを下降させて仮置台４上の基板
に吸着板２６を当接させ、管２１を減圧して基板をチャ
ック機構の吸着板に吸着させ、ついでチャック機構６ｃ
を上昇させる。また、チャック機構６ｂを下降させ、第
１研磨プラテン２ａに押圧し、基板と第１プラテンとの
間に研磨剤スラリ−を介在させつつ基板と第１研磨プラ
テンを摺動させて基板表面を粗研磨し、研磨終了後、チ
ャック機構６ｂを上昇させる。

【０００７】（４）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを下降させ、第３研磨プラテン２ｃに押圧し、基板と
第３プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、
基板と第３研磨プラテンを摺動させて基板表面を仕上研
磨する。その間、仮置台４は左方向に移動して元の位置
に戻り、新たな基板ｗが基板ロ−ディングカセットから
仮置台４上に搬送ア−ム８ａで搬送され、ついで仮置台
４を右方向に移動させチャック機構６ｄの下方に位置さ
せ、チャック機構６ｄを下降させて仮置台４上の基板に
吸着板２６を当接させ、管２１を減圧して基板をチャッ
ク機構の吸着板に吸着させ、ついでチャック機構６ｄを
上昇させる。また、チャック機構６ｂを下降させ、第２
研磨プラテンに押圧し、基板と第２プラテンとの間に研
磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２研磨プラテン
を摺動させて基板表面を中仕上研磨し、研磨終了後、チ
ャック機構６ｂを上昇させる。一方、チャック機構６ｃ
を下降させ、第１研磨プラテン２ａに押圧し、基板と第
１プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基
板と第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を粗研磨
し、研磨終了後、チャック機構６ｃを上昇させる。

【０００８】（５）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａを仮置台４上に下降させ、管２１ａの減圧を止め、基
板を仮置台４上に置いた後、チャック機構６ａは上昇す
る。仮置台４の基板に洗浄液が吹き付けられた後、仮置
台４は右方向に移動し、仮置台４上の仕上研磨された基
板は搬送ア−ム８ｂにより基板アンロ−ディングカセッ
ト７ｂ内に表面が濡れた状態で収納される。ついで、仮
置台４は左方向に移動して元の位置に戻り、新たな基板
ｗが基板ロ−ディングカセットから仮置台４上に搬送ア
−ム８ａで搬送され、ついで仮置台４を右方向に移動さ
せチャック機構６ａの下方に位置させ、チャック機構６
ａを下降させて仮置台４上の基板に吸着板２６を当接さ
せ、管２１を減圧して基板をチャック機構の吸着板に吸
着させ、ついでチャック機構６ａを上昇させる。その間
に、チャック機構６ｂを第３研磨プラテン２ｃに押圧
し、基板と第３プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在
させつつ、基板と第３研磨プラテンを摺動させて基板表
面を仕上研磨する。一方、チャック機構６ｃを下降さ
せ、第２研磨プラテンに押圧し、基板と第２プラテンと
の間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２研磨
プラテンを摺動させて基板表面を中仕上研磨し、研磨終
了後、チャック機構６ｃを上昇させる。および、チャッ
ク機構６ｄを下降させ、第１研磨プラテン２ａに押圧
し、基板と第１プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在
させつつ、基板と第１研磨プラテンを摺動させて基板表
面を粗研磨し、研磨終了後、チャック機構６ｄを上昇さ
せる。

【０００９】（６）以下、前記（５）の工程、即ち、イ
ンデックスヘッド５の回転軸１６を時計廻り方向に９０
度回動させ、基板のアンロ−ディング／ロ−ディング、
仕上研磨、中仕上研磨、粗研磨の工程を繰り返す。

【００１０】これら３基の研磨プラテンを用いるインデ
ックスヘッド型研磨装置は、基板研磨のスル−プット時
間を２〜４分／枚と短縮できる利点を有している。しか
し、基板研磨のスル−プット時間を更に０．５〜１分／
枚と短縮することが半導体デバイスメ−カ−より要求さ
れている。

【００１１】本発明者等は、スル−プット時間１〜３分
／枚を目標とするには、従前のインデックスヘッド型研
磨装置では、基板洗浄、基板のアンロ−ディング、チャ
ック機構洗浄、基板のロ−ディングの一連の作業を行う
アンロ−ディング／ロ−ディングステ−ジでの作業時間
が律速であることを見出し、アンロ−ディング／ロ−デ
ィングステ−ジでの前記作業を仮置台を備えたインデッ
クステ−ブルに割り振ることでスル−プット時間をより
短縮できる研磨装置が提供できることを見出した（特願
２０００−２８９７１０号）。

【００１２】また、基板の研磨加工または研削加工前
に、前もって定められた位置に加工に付される基板を待
機させる仮置台、もしくは研磨加工または研削加工後
に、前もって定められた位置に待機させられ、加工され
た基板を載せる、センタリング位置合わせ機構を備えた
仮置台自身も知られている（特公昭６０−２２５００
号、同７−２２８８０号、特開平１０−３０３１５２
号）。

【発明が解決しようとする課題】従来の水流で基板のセ
ンタリングを行う仮置台においては、水流が仮置台の表
面より吹き出すように仮置台の素材としてポ−ラスセラ
ミック板を用いていた。また、ア−ムで基板のセンタリ
ングを行う仮置台においては、基板をバキュ−ム吸着す
るため、同じく仮置台の素材としてポ−ラスセラミック
板を用いていた。それゆえ、仮置台上に基板を載せる
際、もしくは、仮置台上から基板を収納カセットに搬送
する、あるいは仮置台上から基板を研削装置又は研磨装
置のチャック機構もしくはホルダ−に移転させる際、基
板表面とポ−ラスセラミック板が擦れ合って基板表面に
傷が付かないようにポ−ラスセラミック板表面に水膜を
形成させたり、チャック機構で基板を保持する際に基板
にかかる圧力を極力小さくしており、仮置台上に基板を
載せるあるいは仮置台上から基板を外す作業に手間がか
かる。本発明は、基板に傷を付けることなく、かつ、基
板に異物を付着させない仮置台を提供する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の１は、基板の研
磨加工または研削加工前に、前もって定められた位置に
加工に付される基板を待機させる仮置台、もしくは研磨
加工または研削加工後に、前もって定められた位置に待
機させられ、加工された基板を載せる仮置台であって、
該仮置台は、剛性の樹脂製プレ−トの表面にポリビニル
アルコ−ル多孔質体または高分子ヒドロゲルよりなる緩
衝材シ−トを積層した積層物を素材とし、緩衝材シ−ト
面に基板が載せられることを特徴とする、基板用仮置台
を提供するものである。

【００１４】高分子ヒドロゲルまたは基板の洗浄ブラシ
に使用されているポリビニルアルコ−ル多孔質体（スポ
ンジ）の親水性緩衝材シ−トを用いることにより、基板
に傷を付けることなく、かつ、基板に異物を付着させる
ことがない。

【００１５】本発明の請求項２は、前記基板用仮置台に
おいて、緩衝材シ−ト面に円柱状の突起物が多数設けら
れていることを特徴とする。

【００１６】円柱状の突起物の存在により、仮置台から
の基板の離型が容易となる。

【００１７】本発明の請求項３は、前記基板用仮置台に
おいて、仮置台はフレ−ムに支持され、仮置台の外周は
該仮置台上に載せられた基板を仮置台のセンタ−に寄せ
る位置決め機構の複数のア−ムの外端に起立した爪に囲
まれていることを特徴とする。

【００１８】仮置台がセンタリング機構を備えるので、
基板のチャック機構または収納カセットへの移送が容易
となる。

【００１９】本発明の請求項４は、上記基板用仮置台に
おいて、位置決め機構は、フレ−ムの空所に設置された
エアシリンダのピストンロッド上端に設けられた環状フ
ランジより放射状に延びた複数の内側ア−ムと、該内側
ア−ムの上部を押さえるスプリングコイルと、該内側ア
−ムの支点ピンと、該内側ア−ムと上下一対の板バネを
係止する係止具と、起立した爪を外端に有する外側ア−
ムと、前記内側ア−ムと外側ア−ムを連結する前記一対
の板バネと、該外側ア−ムと前記上下一対の板バネを係
止する係止具を備えることを特徴とする。

【００２０】エアシリンダのピストンロッドが下降する
と外側ア−ムが上昇し、爪が基板を仮置台のセンタ−へ
と寄せる。エアシリンダのピストンロッドが上昇する、
または基板を保持するチャック機構により前記爪が下側
に押されたときに外側ア−ムが下降し、基板より爪が離
れる。また、Ｈ字型把持ア−ムを有する搬送ロボットの
Ｈ字型把持ア−ムが基板端を把持した際、爪がＨ字型把
持ア−ムにより外側に押し拡げられ、その応力が板バネ
に伝わって基板がア−ムの爪から開放され、搬送ロボッ
トによる加工された基板の収納カセットへの移送が容易
となる。

【００２１】

【発明の実施の形態】

【実施例】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。なお、各図において、研磨装置の各々のステ−ジで
は、２枚の基板が同時に加工処理、洗浄処理できるよう
にインデックスヘッド下のチャック機構は、４の倍数で
ある８基のスピンドルに軸承されたチャック機構を備え
る研磨装置を例に採る。図１は、研磨装置の平面図（但
し、インデックステ−ブル上の基板ロ−ディング／アン
ロ−ディングステ−ジを構成する仮置台の一方の樹脂プ
レ−トは、省略してある。）、図２は図１における研磨
装置の第１ポリシングステ−ジ部分の正面図、図３は図
１におけるインデックステ−ブルの仮置台部分の断面
図、図４は図１におけるインデックステ−ブルのチャッ
ク機構洗浄ステ−ジ部分の断面図、図５は図４のチャッ
ク機構洗浄ステ−ジのブラシと洗浄液供給ノズル部の拡
大図、図１０は図１の部分拡大図、図１１は図３の部分
拡大図である。

【００２２】図１に示す研磨装置は、上方で回転軸に軸
承されたインデックスヘッドに該回転軸を中心に同一円
周上に等間隔に設けられた４基のスピンドルに取り付け
られた基板チャック機構、前記インデックスヘッドの回
転軸を時計廻り方向に９０度、９０度、９０度、９０度
づつ、もしくは９０度、９０度、９０度、−２７０度づ
つ回動させる回動機構、前記基板チャック機構のスピン
ドルを昇降させる昇降機構およびスピンドルを水平方向
に回転させる機構、前記４基の基板チャック機構の下方
に相対向するように前記インデックスヘッドの回転軸の
軸心を同一とする中心点より同一円周上に等間隔に設け
られた基板ロ−ディング／基板アンロ−ディング／チャ
ック洗浄ステ−ジ、第１ポリシングステ−ジ、第２ポリ
シングステ−ジおよび第３ポリシングステ−ジ、上面に
第１基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ、基
板チャック機構用洗浄ステ−ジおよび第２基板ロ−ディ
ング／アンロ−ディングステ−ジを同一円周上に等間隔
に設けたインデックステ−ブル（但し、これら３つのス
テ−ジは、インデックステ−ブルの回転により移動して
前記基板ロ−ディング／基板アンロ−ディング／チャッ
ク洗浄ステ−ジを構成する。）、前記インデックステ−
ブルを時計廻り方向に１２０度、１２０度、１２０度づ
つ、もしくは１２０度、１２０度、−２４０度づつ回動
させる回動機構、および、前記インデックステ−ブルの
手前の左右に設けられた、基板ロ−ディングカセットと
基板ロ−ディング搬送ロボットよりなる基板供給機構
と、基板アンロ−ディングカセットと基板アンロ−ディ
ング搬送ロボットよりなる基板排出機構、とを含む基板
の研磨装置を示す。

【００２３】本発明の仮置台９ａ，９ｂを備える研磨装
置３０を示す図１において、１は基台、２ａは第１研磨
プラテン、２ｂは第２研磨プラテン、２ｃは第３プラテ
ン、３，３，３は研磨プラテンのドレッサ、３ａ，３
ａ，３ａは回転軸、４は基板ロ−ディング／アンロ−デ
ィング用仮置台、５はインデックスヘッド、６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄはチャック機構、７ａはロ−ディングカ
セット、７ｂはアンロ−ディングカセット、７ｃは水
槽、８ａはロ−ディング搬送ロボット、８ｂはアンロ−
ディング搬送ロボット、９はインデックステ−ブル、９
ａは第１基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ
の仮置台、９ｂは第２基板ロ−ディング／アンロ−ディ
ングステ−ジの仮置台である。９ａ'，９ｂ'は樹脂製プ
レ−トが取り除かれた基板センタリング機構を示す。図
１では、インデックスヘッド５下の基板ロ−ディング／
基板アンロ−ディング／チャック洗浄ステ−ジ６ａ，６
ａに、インデックステ−ブル９に設けた洗浄機構１３，
１３が位置している状態を示している。

【００２４】インデックスヘッド５下は、４つの壁１
ｗ、２ｗ、３ｗ，４ｗにより仕切られ、基台１に４つの
ステ−ジ、即ち、基板ロ−ディング／基板アンロ−ディ
ング／チャック洗浄ステ−ジｓ_１、第１ポリシングステ
−ジｓ_２、第２ポリシングステ−ジｓ_３および第３ポリ
シングステ−ジｓ_４に割り振る。

【００２５】前記洗浄機構１３は、チャック機構６ａ，
６ｂ，６ｃ，６ｄに洗浄液を吹き付けるノズル１３ａ，
１３ａ、チャック機構底面洗浄ブラシ１３ｂ，１３ｂ、
チャック機構側面洗浄ブラシ１３ｃ、ブラシ３ｂに洗浄
液を吹き付けるノズル１３ｄを備える（図４、図５およ
び図１０参照）。

【００２６】図２において、１０は研磨プラテン２を軸
承するスピンドル、Ｍ_４はモ−タで研磨プラテンを水平
方向に回転する駆動力を与える。１１は研磨布、１３は
チャック洗浄器である。チャック機構６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄは一対のスピンドルで組みとなり、回転軸１６
に軸承されたインデックスヘッド５に回転軸１６の軸心
Ｏを中心として同一の円周上Ｃに配置され、基台１の上
方でそれぞれ８基のスピンドル２４に軸承されたヘッド
２５を備えている。回転軸１６をモ−タ（図示されてい
ない）により時計廻り方向に９０，９０，９０，９０度
づつ回動するか、時計廻り方向に９０，９０，９０，−
２７０度づつ回動することによりインデックスヘッド
５、および基板２枚ｗ_１，ｗ_２を保持する８基のチャッ
ク機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが９０，９０，９０，９
０度づつ、または９０，９０，９０，−２７０度づつ時
計廻り方向に回動する。

【００２７】インデックスヘッド５下の８基のチャック
機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは、インデックスヘッドの
前記回転により、基板ロ−ディング／アンロ−ディング
／チャック機構洗浄ステ−ジｓ１、第１ポリシングステ
−ジｓ２、第２ポリシングステ−ジｓ３および第３ポリ
シングステ−ジｓ４に振り分けられる

【００２８】基台１側には、前記８基のチャック機構の
下方に相対向するように前記インデックスヘッド５の回
転軸１６の軸心と同一とする中心点Ｏより同一円周上Ｃ
に等間隔に設けられた基板ロ−ディング／アンロ−ディ
ング／チャック機構洗浄ステ−ジｓ_１、第１ポリシング
ステ−ジｓ_２、第２ポリシングステ−ジｓ_３および第３
ポリシングステ−ジｓ_４が設けられる。基板ロ−ディン
グ／アンロ−ディング／チャック機構洗浄ステ−ジｓ_１
には、図１ではチャック洗浄ステ−ジ１３，１３が、第
１ポリシングステ−ジｓ₂には回転テ−ブル表面に研磨
布が貼付された第１プラテン２ａとこの研磨プラテン表
面に砥粒を含有する研磨剤スラリ−供給管５０が、第２
ポリシングステ−ジｓ₃には回転テ−ブル表面に研磨布
が貼付された第２プラテン２ｂとこの研磨プラテン表面
に砥粒を含有する研磨剤スラリ−供給管５０が、第３ポ
リシングステ−ジｓ₄には回転テ−ブル表面に研磨布が
貼付された第３プラテン２ｃとこの研磨プラテン表面に
砥粒を含有する研磨剤スラリ−供給管５０が設けられて
いる。

【００２９】研磨プラテンの研磨布としては、硬質発泡
ウレタンシ−ト、ポリ弗化エチレンシ−ト、ポリエステ
ル繊維不織布、フェルト、ポリビニ−ルアルコ−ル繊維
不織布、ナイロン繊維不織布、これら不織布上に発泡性
ウレタン樹脂溶液を流延させ、ついで発泡・硬化させた
もの等が使用される。通常、第１プラテンの研磨布は第
２プラテンおよび第３プラテンの研磨布よりも硬くて表
面が粗いものが使用される。

【００３０】インデックステ−ブル９は、その上面に軸
芯Ｏ_１を中心として同心円上に等間隔に第１ロ−ディン
グ／アンロ−ディングステ−ジ（仮置台）９ａ，９ａ、
第２ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ（仮置
台）９ｂ，９ｂおよびチャック機構洗浄ステ−ジ１３，
１３を備える（図１および図１１参照）。図３に示すよ
うにスピンドル９１に軸承されたインデックステ−ブル
９はＡＣサ−ボアクチエ−タＭ_５により水平方向に１２
０度づつ時計廻り方向に回動されるか、１２０度、１２
０度、−２４０度づつ回動される。

【００３１】本発明の仮置台である第１および第２ロ−
ディング／アンロ−ディングステ−ジ９ａ，９ａ，９
ｂ，９ｂは、基板位置決め機構９２の上に剛性の樹脂製
プレ−ト９３の表面に緩衝材シ−ト９４を積層した仮置
台を設けた構造を採る。９６は緩衝材シ−トを剛性の樹
脂製プレ−ト９３に固定させるのを容易とするために用
いた介在プレ−トで、緩衝材シ−ト９４は接着剤９５で
介在プレ−ト９６に積層され、ビス９７を用いて剛性の
樹脂製プレ−ト９３に螺子止めされる。樹脂製プレ−ト
９３は、インデックステ−ブル９の中央より放射状に延
びる支持具９００にボルト９０１により固定されてい
る。

【００３２】剛性の樹脂製プレ−ト９３の素材として
は、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリメチルメタクリレ−
ト、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の剛性の高い樹脂
製板が使用される。介在プレ−ト９６としては、樹脂製
プレ−ト９３の素材と同一のものか、アルミニウム板が
使用される。剛性の樹脂製プレ−ト厚みは、平坦な部分
で８〜３５ｍｍで充分である。

【００３３】親水性の緩衝材シ−ト９４としては、ポリ
シリコンヒドロゲル（例えば株式会社シ−ゲルよりＧＥ
Ｌシ−トの商品名で販売されるヒドロゲル）、ポリビニ
ルピロリドンヒドロゲル、キサンタンガムヒドロゲル、
コラ−ゲンヒドロゲル、寒天、デキストランヒドロゲ
ル、カラギ−ナンヒドロゲル、トラガカントガムヒドロ
ゲル、グリコサミノグリカンヒドロゲル等の親水性高分
子ゲル等の高分子ヒドロゲルおよびポリビニルアルコ−
ル系多孔質シ−ト（例えば、カネボウ株式会社よりベル
クリンの商品名で販売されているスポンジ）等の柔軟
性、弾力性のある高分子シ−トが使用される。なかで
も、ポリビニルアルコ−ル系多孔質シ−トがチャック機
構と基板が当接した際の衝撃吸収性の面で好ましい。

【００３４】ポリビニルアルコ−ル系多孔質シ−トは、
重合度２００〜３０００の部分または完全鹸化したポリ
ビニルアルコ−ルに酸を触媒としてホルムアルデヒドを
稀有号させるホルマ−ル化反応によりポリビニルホルマ
−ルを生成し、その際、気泡発生剤を加えて気泡形成を
行い、水に不溶性の多孔質体を型内で形成させた後、
酸、気泡発生剤および未反応のホルムアルデヒドを抽出
することにより製造される気泡径が８０〜３００μｍ、
気泡率８５〜９８容量％の連続気泡体である。そのポリ
ビニルアルコ−ル系多孔質シ−トの製造方法は、特開平
５−２３０２７０号、同８−２３１７５４号、同１０−
３３８７６５号、同１１−３５７３２号、特開２０００
−２０４１９０号公報に記載されているので、ここでは
説明を省く。

【００３５】この緩衝材シ−ト９４の表面は平滑でもよ
いが、突起物９４ａのエンボス模様が施されたものの方
が基板の離型し易さの面および不純物が突起物と突起物
の谷間９４ｂに落ち、基板に傷が付きにくい面から好ま
しい。エンボス模様としては、直径３〜１０ｍｍ、高さ
２〜８ｍｍの円柱のエンボス模様、台錘模様、格子模
様、千鳥模様、ピラミッド模様等が挙げられる。円柱エ
ンボス模様の場合、緩衝材シ−ト表面積に占める円柱エ
ンボス模様の突起物の面積割合は、２５〜６０％が好ま
しい。緩衝材シ−トの厚みは、５〜１５ｍｍが好まし
い。

【００３６】基板のセンタリング機構９２は、インデッ
クステ−ブル９を構成するフレ−ムの空所に設置された
エアシリンダ９８のピストンロッド９８ａ上端に設けら
れた環状フランジ９８ｂより放射状に延びた複数の内側
ア−ム９９と、該内側ア−ムの上部を押さえるスプリン
グコイル９９ｃと、該内側ア−ム９９の支点ピン９９ａ
と、該内側ア−ムと上下一対の板バネ９９ｂ，９９ｂを
係止するボルト９９ｄとナット９９ｅよりなる係止具
と、起立した爪９９ｆを外端に有する外側ア−ム９９ｇ
と、前記内側ア−ム９９と外側ア−ム９９ｇを連結する
前記一対の板バネ９９ｂ，９９ｂと、該外側ア−ムと前
記上下一対の板バネを係止するボルト９９ｈとナット９
９ｉよりなる係止具を備える。前記内側ア−ム９の上部
の窪みより起立させられているスプリングコイル９９ｃ
の上端は、剛性の樹脂製プレ−ト９３の底面の窪みに接
する。

【００３７】エアシリンダ９８のピストンロッドが下降
するとピン９９ａを支点として外側ア−ム９９ｇが上昇
し、仮置台９ａ，９ｂの中心点に基板の中心点が一致す
るよう爪９９ｆが基板を仮置台のセンタ−へと寄せられ
基板がア−ム外端より起立する爪に把持される（図１１
において実線で示す）。エアシリンダ９８のピストンロ
ッドが上昇するとピン９９ａを支点としてア−ム外端は
下降し、ア−ム外端より起立する爪９９ｆは基板の外周
より離れる。、また、仮置台９ａ，９ｂ上の基板に後述
する図９で示されるチャック機構の下端面に設けた環状
保持リング６０８が当接した際、前記爪９９ｆが下側に
押されて外側ア−ム９９ｇが下降し、板バネ９９ｂ，９
９ｂが押し下げられ、爪９９ｆが基板より離れる構造と
なっている（図１１で、仮想線で示す）。センサ１００
は、仮置台９ａ，９ｂ上に基板が存在するか否か確認
し、制御装置に伝達する役目をなす。

【００３８】図１、図４および図５に示すように、チャ
ック機構洗浄器１３はインデックステ−ブル９の空所に
設けられ、チャック機構６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄに洗浄
液を吹き付けるノズル１３ａ，１３ａ、チャック機構底
面洗浄ブラシ１３ｂ，１３ｂ、チャック機構側面洗浄ブ
ラシ１３ｃ、ブラシ１３ｂに洗浄液を吹き付けるノズル
１３ｄ、チャック機構底面洗浄ブラシ１３ｂを回転させ
るインダクションモ−タＭ_６およびチャック機構側面洗
浄ブラシ１３ｃを回転させるインダクションモ−タＭ_７
を備える。

【００３９】インデックステ−ブルのロ−ディングゾ−
ンＺ_１では、ロ−ディングカセット７ａよりロ−ディン
グ搬送ロボット８ａが基板を取り出し、ア−ムを反転
後、仮置台９ａ上に搬送し、仮置台に基板を載せた後、
位置決め装置９２のエア−シリンダを下降させることに
より位置合わせ（センタリング）をする。アンロ−ディ
ングゾ−ンＺ_２では、Ｈ字型把持具を備えるアンロ−デ
ィング搬送ロボット８ｂが研磨された基板を仮置台９ｂ
より受け取り、アンロ−ディングカセット７ｂ内に基板
を搬送する。

【００４０】アンロ−ディングカセット７ｂは、水槽７
ｃ内を昇降可能に設けられ（特開２０００−１００９０
０号）、カセット７ｂを水槽に浸漬することにより常
時、研磨された基板を湿った状態に保つ。

【００４１】図２に示す基板のチャック機構は、研磨装
置のスピンドル２４，２４に軸承されたヘッド２５，２
５を水平方向に往復移動可能な揺動機構を備える。それ
ぞれ別々のスピンドル２４，２４に軸承されたヘッド２
５，２５には、吸着または接着材で貼付された基板２枚
ｗ_１，ｗ_２が保持される。スピンドル２４，２４の回転
は、モ−タＭ₁，Ｍ₂の駆動力をプ−リ３１，３１で受
け、これをベルト３２，３２を介してプ−リ３３，３３
に伝えることで行なわれる。３４，３４はエア−シリン
ダでスピンドル２４，２４を昇降する。２つのスピンド
ル２４，２４は、揺動フレ−ム３５で連結されており、
サ−ボモ−タＭ_３の駆動をプ−リ３６が受け、ベルト３
７を介してプ−リ３８に伝え、ボ−ルネジ３９を時計廻
り方向または逆廻り方向に回転させる。揺動時のスピン
ドルまたは研磨プラテンの反転は、制御装置の指令を受
け、サ−ボモ−タＭ_３が行う。

【００４２】ボ−ルネジ３９には、前記揺動フレ−ム３
５を係止する函体４０が螺合され、フレ−ム３５の側面
の上下に取り付けられたガイド４１，４１がレ−ル４２
上を走行することによりスピンドル２４，２４は同時に
同一方向であって水平方向に移動する。函体の左右に分
けてリミットスイッチＬＳ_１，ＬＳ_２が設けられ、図示
されていないドッグがリミットスイッチＬＳ_１，ＬＳ_２
のいずれかに当接するとストロ−クエンドの指令が発信
される。

【００４３】５０は研磨液の供給ノズルである。前記基
板２枚ｗ_１，ｗ_２の中心点を結ぶ直線Ｌは、研磨プラテ
ンの中心点ｏを含む鉛直面内にある。スピンドル２４，
２４に軸承されたチャック機構のヘッド２５，２５は前
記鉛直面に対し垂直な水平面方向（矢印の方向）に往復
移動可能となっている。往復移動の幅は１〜５５ｍｍ、
好ましくは２０〜４０ｍｍである。

【００４４】該研磨装置３０を用いてそれぞれ別々のス
ピンドル２４，２４に軸承されたヘッド２５，２５に保
持された基板２枚ｗ_１，ｗ_２を、同一の研磨プラテン２
に押し当て、基板と研磨プラテンとの間に研磨液５１を
介在させつつ、基板と研磨プラテンを摺動させて同時に
２枚の基板表面を研磨する。スピンドル２４，２４の回
転数は３０〜１００ｒｐｍ、研磨プラテンの回転数は３
０〜１００ｒｐｍ、基板の研磨プラテンに対する押圧５
０〜４００ｇ／ｃｍ^２である。

【００４５】この際、チャック機構のヘッド２５を水平
方向に往復揺動させるのが好ましい。研磨中、ヘッドま
たは研磨プラテンを水平方向に往復揺動させることは、
平坦度の良好な、かつ、鏡面の研磨基板を得るに有用で
ある。研磨中の揺動フレ−ムの左右方向往復揺動の距離
は、１〜５５ｍｍ幅、好ましくは２５〜５０ｍｍであ
る。揺動フレ−ムの左右水平方向の往復移動により揺動
フレ−ムに備え付けられている基板を保持しているスピ
ンドル２４，２４が左右水平方向に往復移動することと
なるので、このスピンドルに軸承されたヘッドに保持さ
れた基板も左右水平方向に往復移動する。

【００４６】研磨液の例としては、基板の種類により異
なるが、コロイダルアルミナ、フ−ムドシリカ、酸化セ
リウム、チタニア、コロイダルシリカ等の砥粒を０．０
１〜２０重量％、界面活性剤０．３〜３重量％、ｐＨ調
整剤、防腐剤、分散溶媒などを含有するスラリ−が使用
される。シリコンベアウエハにはシリカ系の砥粒を含有
する研磨剤スラリ−が一般に用いられる。

【００４７】第１ポリシングステ−ジで用いる研磨剤ス
ラリ−中の砥粒は、第２ポリシングステ−ジおよび第３
ポリシングステ−ジで用いる研磨剤スラリ−中の砥粒よ
りも粒径が粗いものが使用される。粗い粒径の砥粒は研
磨基速度が速いが基板に傷をつけるので、第２，第３ポ
リシングでは粒径が細かい砥粒を含有する研磨剤スラリ
−が使用される。

【００４８】図１で示す研磨装置を用いて基板を研磨す
るには、次ぎの工程を経る。 １）インデックステ−ブル９上での工程： （１）基板ロ−ディングカセット７ａから基板ｗを搬送
ロボット８ａで把持し、ア−ムを後退させた後にア−ム
を反転させ、ついでインデックステ−ブル９上のゾ−ン
Ｚ_１に位置する第１基板ロ−ディング／アンロ−ディン
グステ−ジを構成する仮置台９ａ，９ａ上に基板を載せ
た後、位置決め機構９２でセンタリングを行う。

【００４９】この間に、インデックステ−ブル９上のゾ
−ンＺ₂に位置する第２基板ロ−ディング／アンロ−デ
ィングステ−ジを構成する仮置台９ｂ，９ｂ上の研磨加
工基板は、アンロ−ディング搬送ロボット８ｂにより把
持または吸着され、ア−ムを反転後、アンロ−ディング
カセット７ｂ内に搬送される。また、インデックステ−
ブル９上のゾ−ンＺ₃では、ノズル１３ａ，１３ｄより
洗浄液を噴射するとともにブラシを回転させることによ
り基板を保持していないチャック機構の表面および側面
を洗浄器１３で洗浄する。

【００５０】（２）インデックステ−ブル９を時計廻り
方向に１２０度回転させ、洗浄器をゾ−ンＺ_２へ、基板
が取り去られた仮置台９ｂ，９ｂをゾ−ンＺ_１へ、基板
を載せた仮置台９ａ，９ａをゾ−ンＺ_３へ移動する。つ
いで、ゾ−ンＺ_３では、チャック機構６ａを下降させて
仮置台９ａ，９ａ上の基板ｗ_１，ｗ_２に吸着板２６を当
接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気体通路
部６０３）供給を減圧して基板をチャック機構の下端面
に吸着させ、ついでチャック機構６ａ，６ａを上昇さ
せ、インデックスヘッドのスピンドル１６が時計廻り方
向に９０度又は−２７０度回動され、ゾ−ンＺ_３へ研磨
基板を保持したチャック機構６ｄ，６ｄを導き、チャッ
ク機構６ｄ，６ｄを下降させ、仮置台９ａ，９ａ上に研
磨基板を載せた後、チャック機構６ｄ，６ｄを上昇させ
る。

【００５１】ゾ−ンＺ_１では、基板ロ−ディングカセッ
ト７ａから新たな基板ｗを搬送ロボット８ａが把持し、
ア−ムを後退させた後にア−ムを反転させ、ついでイン
デックステ−ブル９上のゾ−ンＺ_１に位置する仮置台９
ｂ，９ｂ上に基板を載せた後、位置決め機構９２でセン
タリングが行なわれる。ゾ−ンＺ_２では何も作業は行わ
れない。

【００５２】（３）インデックステ−ブル９を時計廻り
方向に１２０度回転させ、洗浄器をゾ−ンＺ₁へ、基板
が取り去られた仮置台９ａ，９ａをゾ−ンＺ_２へ、基板
を載せた仮置台９ｂ，９ｂをゾ−ンＺ_３へ移動する。つ
いで、ゾ−ンＺ_３では、チャック機構６ａを下降させて
仮置台９ｂ，９ｂ上の基板ｗ_１，ｗ_２に吸着板２６を当
接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気体通路
部６０３）を減圧して基板をチャック機構の下端面に吸
着させ、ついでチャック機構６ｄ，６ｄを上昇させ、イ
ンデックスヘッドのスピンドル１６が時計廻り方向に９
０度又は−２７０度回動され、ゾ−ンＺ_３へ研磨基板を
保持したチャック機構６ｃ，６ｃを導き、チャック機構
６ｃ，６ｃを下降させ、管２１（図９に示すチャック機
構では気体通路部６０３）の減圧を止め、管２１（図９
に示すチャック機構では気体通路部６０３）に圧空を供
給して仮置台９ａ，９ａ上に研磨基板を載せた後、チャ
ック機構６ｃ，６ｃを上昇させる。ゾ−ンＺ_１では、何
も作業は行われない。

【００５３】（４）インデックステ−ブル９を時計廻り
方向に−２４０度回転させ、洗浄器をゾ−ンＺ₃へ、研
磨基板が載せられた仮置台９ｂ，９ｂをゾ−ンＺ_２へ、
基板が取り去られた仮置台９ａ，９ａをゾ−ンＺ₁へ移
動する。ついで、前記（１）の工程に戻り、（１）から
（４）の工程を繰返す。

【００５４】この例において、インデックステ−ブル９
の回動は、時計廻り方向に１２０度、１２０度、−２４
０度の繰返しの例を示したが、インデックステ−ブル９
の回動は、時計廻り方向に１２０度、１２０度、１２０
度の繰返しであってもよい。

【００５５】２）インデックスヘッドでの工程： （１）チャック機構６ａ，６ａを下降させてインデック
ステ−ブル９上の仮置台９ａ，９ａ上の基板に吸着板２
６を当接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気
体通路部６０３）を減圧して基板をチャック機構の下端
面に吸着させ、ついでチャック機構６ａ，６ａを上昇さ
せる。その後、インデックステ−ブル９を時計廻り方向
に１２０度または−２４０度回転させ、チャック機構６
ａ，６ａ下にインデックステ−ブル９上の仮置台９ａ，
９ａ上の基板を位置させる。

【００５６】（２）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａ，６ａを下降させ、第１研磨プラテン２ａに押圧し、
基板と第１プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させ
つつ、基板と第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を
粗研磨し、研磨終了後、チャック機構６ａ，６ａを上昇
させる。その間にチャック機構６ｄ，６ｄを下降させて
インデックステ−ブル９上の仮置台９ｂ，９ｂ上の新た
な基板に吸着板２６を当接させ、管２１（図９に示すチ
ャック機構では気体通路部６０３）を減圧して基板をチ
ャック機構の下端面に吸着させ、ついでチャック機構６
ｄ，６ｄを上昇させる。その後、インデックステ−ブル
９を時計廻り方向に１２０度または−２４０度回動さ
せ、チャック機構６ｄ，６ｄ下にインデックステ−ブル
９上の仮置台９ｂ，９ｂ上の基板を位置させる。

【００５７】（３）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａ，６ａを下降させ、第２研磨プラテン２ｂに押圧し、
基板と第２プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させ
つつ、基板と第２研磨プラテンを摺動させて基板表面を
中仕上研磨し、研磨終了後、チャック機構６ａ，６ａを
上昇させる。また、チャック機構６ｄ，６ｄを下降さ
せ、第１研磨プラテンに押圧し、基板と第１研磨プラテ
ン２ａとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と
第１研磨プラテンを摺動させて基板表面を粗研磨し、研
磨終了後、チャック機構６ｂを上昇させる。その間にチ
ャック機構６ｃ，６ｃを下降させてインデックステ−ブ
ル９上の仮置台９ａ，９ａ上の新たな基板に吸着板２６
を当接させ、管２１（図９に示すチャック機構では気体
通路部６０３）を減圧して基板をチャック機構の下端面
に吸着させ、ついでチャック機構６ｃ，６ｃを上昇させ
る。その後、インデックステ−ブル９を時計廻り方向に
１２０度または−２４０度回動させ、チャック機構６
ｂ，６ｂ下にインデックステ−ブル９上の仮置台９ｂ，
９ｂ上の基板を位置させる。

【００５８】（４）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に９０度回動させた後、チャック機構６
ａ，６ａを下降させ、第３研磨プラテン２ｃに押圧し、
基板と第３研磨プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在
させつつ、基板と第３研磨プラテンを摺動させて基板表
面を仕上研磨し、仕上研磨終了後、チャック機構６ａを
上昇させる。また、チャック機構６ｄ，６ｄを下降さ
せ、第２研磨プラテン２ｂに押圧し、基板と第２プラテ
ンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２
研磨プラテンを摺動させて基板表面を中仕上研磨し、研
磨終了後、チャック機構６ｄ，６ｄを上昇させる。およ
び、チャック機構６ｃ，６ｃを下降させ、第１研磨プラ
テン２ａに押圧し、基板と第１研磨プラテンとの間に研
磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第１研磨プラテン
を摺動させて基板表面を粗研磨し、研磨終了後、チャッ
ク機構６ｃ，６ｃを上昇させる。

【００５９】その間にチャック機構６ｂ，６ｂを下降さ
せてインデックステ−ブル９上の仮置台９ｂ，９ｂ上の
新たな基板に吸着板２６を当接させ、管２１（図９に示
すチャック機構では気体通路部６０３）を減圧して基板
をチャック機構の下端面に吸着させ、ついでチャック機
構６ｂ，６ｂを上昇させる。その後、インデックステ−
ブル９を時計廻り方向に１２０度または−２４０度回動
させ、チャック機構６ｂ，６ｂ下にインデックステ−ブ
ル９上の仮置台９ａ，９ａ上に位置させる。この仮置台
には、基板は載っていない。

【００６０】（５）インデックスヘッド５の回転軸１６
を時計廻り方向に−２７０度回動させた後、チャック機
構６ａ，６ａをインデックステ−ブル９上の仮置台９
ａ，９ａ上に下降させ、管２１ａ（図９に示すチャック
機構では気体通路部６０３）の減圧を止め、ついで管２
１ａ（図９に示すチャック機構では気体通路部６０３）
に圧空を供給して研磨基板を仮置台９ａ，９ａ上に置い
た後、チャック機構６ａ，６ａを上昇させる。上昇した
チャック機構６ａ，６ａの下端面２５（図９では６０
７）および側面に、洗浄器１３のノズル１３ａ，１３ｄ
より洗浄液を吹きつけ、ブラシ１３ｂ，１３ｃの回動に
よりチャック機構を洗浄する。ついで、インデックステ
−ブル９を１２０度時計廻り方向に回転させ、チャック
機構６ａ，６ａ下にインデックステ−ブル９上の仮置台
９ｂ，９ｂ上の基板を位置させる。なお、仕上研磨され
た基板は、既述したようにインデックステ−ブル９が１
２０度回転してインデックステ−ブルのゾ−ンＺ_２に移
行された後、搬送ロボット８ｂによりアンロ−ディング
収納カセット８ｂ内に搬送される。

【００６１】その間に、チャック機構６ｄ，６ｄを下降
させ、第３研磨プラテン２ｃに押圧し、基板と第３研磨
プラテンとの間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板
と第３研磨プラテンを摺動させて基板表面を仕上研磨
し、仕上研磨終了後、チャック機構６ｄ，６ｄを上昇さ
せる。また、チャック機構６ｃ，６ｃを下降させ、第２
研磨プラテン２ｂに押圧し、基板と第２研磨プラテンと
の間に研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第２研磨
プラテンを摺動させて基板表面を中仕上研磨し、中仕上
研磨終了後、チャック機構６ｃ，６ｃを上昇させる。お
よび、チャック機構６ｂ，６ｂを下降させ、第１研磨プ
ラテン２ａに押圧し、基板と第１研磨プラテンとの間に
研磨剤スラリ−を介在させつつ、基板と第１研磨プラテ
ンを摺動させて基板表面を粗研磨し、研磨終了後、チャ
ック機構６ｂ，６ｂを上昇させる。

【００６２】（６）以下、上記（５）の工程に記載の、
インデックスヘッド５の回転軸１６の回動させ、基板の
アンロ−ディング／ロ−ディング、粗研磨、中仕上研
磨、仕上研磨およびチャック機構の洗浄の工程を繰り返
す。なお、研磨装置の研磨プラテン２ａ，２ｂ，２ｃの
研磨布１１は、ドレッサ３を回転軸３ａ中心に回転駆動
させることにより目立てが修復される。

【００６３】上記例において、インデックスヘッド５の
回動は、インデックスヘッド５の回動およびインデック
ステ−ブル９の回動に逆方向にの回動する機会を挿入さ
せることにより用役管や電気ケ−ブルの捩れが防止さ
れ、これらの破損が防止されることを目的に、時計廻り
方向に９０度、９０度、９０度、−２７０度の繰返しの
例を示したが、インデックスヘッド５の回動は、時計廻
り方向に９０度、９０度、９０度、９０度の繰り返しで
あってもよい。

【００６４】本発明の別の実施態様として、上記実施例
では１ステ−ジ毎に２枚の基板が加工される例を示した
が、１ステ−ジ毎に１枚の基板が加工されるようにチャ
ック機構を変更してもよい。

【００６５】更に、チャック機構６の構造を、図９に示
すような特願平１１−２８３６６６号明細書に記載の、
中空スピンドル軸に軸承されたお椀状主体部６０１、該
お椀状主体部の下端部に水平方向に固定された可撓性材
よりなるダイヤフラム６０２、該ダイヤフラムに固定さ
れた中央部に鉛直方向に気体通路６０３が設けられ、下
面の前記気体通路部に通じて形成された凹部６０４を有
する剛体製支持板６０５、前記気体通路の気体を給排出
できる手段、お椀状主体部の内側とダイヤフラムの上面
側とで形成される加圧室６０６に気体を供給する手段、
該剛体製支持板の下面にゴム等の可撓性膜６０７を該剛
体製支持板と該可撓性膜で隙間が０．１〜０．３ｍｍの
機密性の高い空間が形成されるように可撓性膜を取り付
けた基板キャリア部、該可撓性膜の下面よりは突出して
前記剛体製支持板の下部外周縁に取り付けられた環状保
持リング６０８、前記環状保持リングの側壁と該可撓性
膜の下面とで形成された基板収納ポケット部６０９およ
び高さ位置調整機構６１０を備える基板キャリアのヘッ
ド構造としてもよい。

【００６６】この基板キャリアのヘッドは、気体通路部
６０３を減圧すると基板と可撓性膜６０７間が負圧とな
り、基板が可撓性膜に保持（チャック）される。また、
基板の保持時および研磨時は、基板の裏面は常に可撓性
膜にバッキングされているので基板に傷がつかない。基
板の研磨時は、気体通路部６０３に加圧空気を供給し、
基板の研磨プラテンへの押圧を高めることができる。

【００６７】本発明の基板用仮置台は、研磨装置に限ら
ず、、研削装置の基板用仮置台として利用できることは
勿論である。

【００６８】

【発明の効果】本発明の基板用仮置台は、高分子緩衝材
シ−トの存在により基板に傷が付きにくい。また、仮置
台はセンタリング機構を備えるので基板の移送が容易と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の研磨装置の平面図である。

【図２】 図１における研磨装置の第１ポリシングステ
−ジ部分の正面図である。

【図３】 図１におけるインデックステ−ブル部分の基
板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジ部分の断面
図である。

【図４】 図１におけるインデックステ−ブルのチャッ
ク機構洗浄ステ−ジ部分の断面図である。

【図５】 図４のチャック機構洗浄ステ−ジのブラシと
洗浄液供給ノズル部の拡大図である。

【図６】 公知の研磨装置の平面図である。

【図７】 図６の研磨装置の略断面図である。

【図８】 図６の基板を保持するヘッド機構の構成を示
す部分断面図である。

【図９】 研磨装置に使用される別の態様を示すチャッ
ク機構の部分断面図である。

【図１０】 図１の部分拡大図である。

【図１１】 図３の部分拡大図である。

【符号の説明】

１ 基台 ｗ 基板 ２ 研磨プラテン ５ インデックスヘッド ｓ_１ ロ−ディング／アンロ−ディング／チャ
ック機構洗浄ステ−ジ ｓ_２ 第１研磨ステ−ジ ｓ_３ 第２研磨ステ−ジ ｓ_４ 第３研磨ステ−ジ ６ チャック機構 ７ａ ロ−ディングカセット ７ｂ アンロ−ディングカセット ８ａ，８ｂ 搬送ロボット ９ インデックステ−ブル ９ａ 第１仮置台 ９ｂ 第２仮置台 １１ 研磨布 １３ チャック機構洗浄器 Ｚ_１ ロ−ディングゾ−ン Ｚ_２ アンロ−ディングゾ−ン Ｚ_３ ロ−ディング／アンロ−ディング／チ
ャック機構洗浄ゾ−ン ３０ 研磨装置 ９２ 基板センタリング機構 ９３ 剛性のある樹脂製プレ−ト ９４ 緩衝材シ−ト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 一雄 神奈川県厚木市上依知3009番地 株式会社 岡本工作機械製作所内 Ｆターム(参考） 3C016 BA03 3C058 AA04 AA07 AB03 CB06

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の研磨加工または研削加工前に、前
   もって定められた位置に加工に付される基板を待機させ
   る仮置台、もしくは研磨加工または研削加工後に、前も
   って定められた位置に待機させられ、加工された基板を
   載せる仮置台であって、該仮置台は、剛性の樹脂製プレ
   −トの表面にポリビニルアルコ−ル多孔質体または高分
   子ヒドロゲルよりなる緩衝材シ−トを積層した積層物を
   素材とし、緩衝材シ−ト面に基板が載せられることを特
   徴とする、基板用仮置台。
2. 【請求項２】 基板用仮置台は、その緩衝材シ−ト面に
   円柱状の突起物が多数設けられていることを特徴とす
   る、請求項１に記載の基板用仮置台。
3. 【請求項３】 基板用仮置台は、フレ−ムに支持され、
   仮置台の外周は該仮置台上に載せられた基板を仮置台の
   センタ−に寄せる位置決め機構の複数のア−ムの外端に
   起立した爪に囲まれていることを特徴とする、請求項１
   に記載の基板用仮置台。
4. 【請求項４】 位置決め機構は、フレ−ムの空所に設置
   されたエアシリンダのピストンロッド上端に設けられた
   環状フランジより放射状に延びた複数の内側ア−ムと、
   該内側ア−ムの上部を押さえるスプリングコイルと、該
   内側ア−ムの支点ピンと、該内側ア−ムと上下一対の板
   バネを係止する係止具と、起立した爪を外端に有する外
   側ア−ムと、前記内側ア−ムと外側ア−ムを連結する前
   記一対の板バネと、該外側ア−ムと前記上下一対の板バ
   ネを係止する係止具を備え、エアシリンダのピストンロ
   ッドが下降すると外側ア−ムが上昇し、爪が基板を仮置
   台のセンタ−へと寄せ、エアシリンダのピストンロッド
   が上昇する、または基板を保持するチャック機構により
   前記爪が下側に押されたときに外側ア−ムが下降し、基
   板より爪が離れる構造を採ることを特徴とする、請求項
   ３に記載の基板用仮置台。