TWI278057B - Enclosed container lid opening/closing system and enclosed container lid opening/closing method - Google Patents

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TWI278057B
TWI278057B TW094137314A TW94137314A TWI278057B TW I278057 B TWI278057 B TW I278057B TW 094137314 A TW094137314 A TW 094137314A TW 94137314 A TW94137314 A TW 94137314A TW I278057 B TWI278057 B TW I278057B
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Hitoshi Suzuki
Hiroshi Igarashi
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Description

1278057 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於所謂的前開式界面機械標準(frontopening interface mechanical standard(FIMS))系統,其係 使用在固持在被稱爲晶圓盒(pod)的傳遞容器中的晶圓於 半導體製程或類似者中在多個半導體處理設備之間被傳遞 時。更明確地說,本發明相關於用來清潔FIMS系統中的 晶圓盒的內部的沖淨設備及沖淨方法,其中被稱爲前開式 統一晶圓盒(front-opening unified pod(FOUP))的容納晶圓 的晶圓盒被放置在FIMS系統中,且晶圓從晶圓盒被移去 及被移入晶圓盒。 【先前技術】 到目前爲止,半導體製程向來在所謂的清潔室中被執 行,其中處理半導體晶圓的處理室具有高清潔度。但是, 爲應付晶圓尺寸的增加及將處理室保持清潔所需的成本的 降低,近年來採用將處理設備的內部,晶圓盒(晶圓容器) ,及從晶圓盒傳遞至處理設備的基板所用的小型環境 (mini-environment)保持於高清潔度狀態的方法。 晶圓盒包含具有大致立方體形狀的主體部份及蓋子。 主體部份包含可將多個晶圓以晶圓互相平行地分開的狀態 固持在主體部份內的支.架,及設置在主體部份的一表面上 且用於晶圓傳遞的開口部份。開口部份是以蓋子關閉。形 成有開口部份的表面並非位在晶圓盒的直立向的下方而是 -5- (2) 1278057' 位在晶圓盒的側表面上(在小型環境的前方)的晶圓盒一般 被稱爲前開式統一晶圓盒(FOUP)。本發明主要用於使用 FOUP的配置。 上述的小型環境包含相對於晶圓盒的開口部份的第一 開口部份,用來關閉第一開口部份的門件,設置在半導體 處理設備側的第二開口部份,及從第一開口部份移動至晶 圓盒的內部以固持晶圓及通過第二開口部份以將晶圓傳遞 | 至半導體處理設備側的傳遞自動機。用來形成小型環境的 結構包含安裝底座,用來支撐晶圓盒以使得晶圓盒的開口 部份同時地相對於門件的前表面。 插入設置在晶圓盒的下表面上的定位孔以調節晶圓盒 的安裝位置的定位銷以及與設置在晶圓盒的下表面上的要 被夾緊的部份嚙合以將晶圓盒固持於安裝底座的夾鉗單元 被定位在安裝底座的上表面上。安裝底座在常態下可相對 於朝向門件的方向來回移動一段預定距離。當晶圓盒中的 p 晶圓要被傳遞至處理設備時,晶圓盒在晶圓盒被安裝的狀 態中移動,直到晶圓盒的蓋子與門件接觸。在此接觸之後 ,蓋子從關閉開口部份的位置被移去以打開晶圓盒。因此 ,晶圓盒的內部經由小型環境而連接於處理設備的內部。 隨後,晶圓傳遞操作被重複執行。包含安裝底座,門件, 第一開口部份,門件開/關機構,及包含第一開口部份的 成爲小型環境的一部份的壁部的系統一般被稱爲前開式界 面機械標準(FIMS)系統。 儲存晶圓及類似者的晶圓盒的內部在常態下充滿有被 -6 - (3) 1278057, 保持於高度清潔狀態的乾燥氮氣或類似者,因而防止污染 物’氧化氣體,或類似者進入晶圓盒的內部。但是,晶圓 盒儲存通過處理容室的晶圓,因此可能會有污染物或類似 者在處理容室或類似者中沈積在晶圓上且上面沈積有污染 物的晶圓被取入晶圓盒的情況。當上面沈積有污染物或類 似者的晶圓被取入後續的處理容室內時,在某些情況中會 無法執行在常態下藉著通過後續的處理容室而被實施的想 | 要的晶圓處理。因此,當晶圓從晶圓盒被傳遞至傳遞容室 時,必須移除污染物或類似者。 在傳統的FOUP中,爲滿足此要求,用來將沖淨氣體 引入晶圓盒內的氣體供應通口及用來從晶圓盒排空沖淨氣 體的氣體排空通口被設置於晶圓盒的底部部份。氣體供應 通口及氣體排空通口分別連接於被設置於供晶圓盒放置在 上面的支撐底座的沖淨氣體供應通口及沖淨氣體排空通口 。根據實際的操作,被保持於高度清潔狀態的高壓氣體從 p 支撐底座側經由氣體供應通口被引入至晶圓盒內。同時, 存在於晶圓盒的內部的氣體及污染物經由氣體排空通口被 抽至晶圓盒的外部。沈積在被取入晶圓盒的晶圓上的污染 物或類似者藉著上述的操作而被移除。 但是,當高壓氣體只是從晶圓盒的底部部份被引入時 ,氣體可能主要流經氣體易於流動通過的晶圓的圓周的附 近。因此,可能難以使具有充分流量的氣體流動通過在固 持於微小間隔處的晶圓的每一個的上方及下方的空間。污 染物或類似者主要沈積在晶圓的每一個的上表面上或其下 -7- (4) 1278057· 表面上,因此藉著傳統方法可能難以充分地移除污染物_ 類似者。此情況可能隨著晶圓尺寸的增加而變得更顯著。 因此,想要有更合適的移除方法。 JP2003-〇45933A中所揭示的方法被提出成爲確實移 除沈積在晶圓上的污染物的方法。根據此方法,設置有用 來儲存與傳遞容室分開的開啓器(opener)的空間。此空間 包含位在晶圓盒的開口部份的前表面上方的氣體供應通□ | 。清潔氣體經由氣體供應通口被供應至晶圓盒的內部且循 環通過晶圓盒的內部。從晶圓盒的下方部份流至上述空間 的清潔氣體從空間的下方部份被排空。當清潔氣體使用此 種結構循環通過晶圓盒的內部時,與傳統方法相比,污染 物或類似者可較爲確實地被移除。 JP1 1-251422A揭示一種將清潔氣體引入在固持於晶 圓盒的內部的相鄰晶圓之間的方法。根據此方法,與分別 用來儲存各晶圓的凹槽部份的每一個連通的氣體引入流動 _ 路徑及氣體排空流動路徑被設置於晶圓盒的內部。清潔氣 體經由氣體引入流動路徑被吹送至晶圓的每一個的表面, 並且含有污染物或類似者的清潔氣體經由氣體排空流動路 徑被排出,使得污染物可較爲確實地被移除。 根據JP2003-045933A中所揭示的方法,相關於晶圓 盒的內部的濕度及其氧化氣體量的降低以及有機污染的防 止可預期有某一程度的效果。但是’也可能難以對存在於 以微小空間被固持的相鄰晶圓之間的氣體或類似者實施有 效的置換。因此,類似地可能難以獲得沈積在晶圓的每一 -8- (5) 1278057" 個的上及下表面上的污染物被移除的效果。 根據JP1 1-251422A中所揭示的方法,沈積在晶圓的 上及下表面上的污染物可被移除。但是,鑑於實際結構可 能難以提供具有大內部直徑的氣體引入流動路徑。因此, 預期在此流動路徑的上游與其下游之間會造成被引至晶圓 的表面的氣體的壓力差或氣體於預定壓力被引入所用的時 間的差異,因此污染物移除效果根據晶圓被固持的位置而 | 變化。 支撐底座,晶圓盒的形狀,被設置用來沖淨晶圓盒的 內部的清潔氣體供應通口及氣體排空通口的配置,及類似 者在半導體製造工業中大致上被標準化。因此,問題在於 必須有與此標準不同的結構的JP2003-045933A中所揭示 的系統或JP1 1-25 1422A中所揭示的晶圓盒不能普遍地應 用於目前常態下使用的支撐底座及類似者。 | 【發明內容】 本發明鑑於上述情況而形成。本發明的目的爲提供一 種儲存容器的蓋子開/關系統,例如FIMS系統,其具有可 有效地移除沈積在晶圓上的污染物或類似者的設備,用來 沖淨前開式的被儲存物體的儲存容器例如FOUP的內部。 本發明的另一目的爲提供一種沖淨此種儲存容器的方法。 爲解決上述問題,根據本發明的密閉容器的蓋子開/ 關系統爲一種蓋子開/關系統,用來從包含主體及蓋子的 儲存容器移去蓋子,主體包含設置於水平方向的開口及配 (6) 1278057, 置於直立方向的多個擱板,而被儲存物體被放置在多個擱 板的每一個上,蓋子可從主體被移去且覆蓋開口以與主體 形成密閉空間,蓋子開/關系統從儲存容器移去蓋子以打 開開口,用來插入及移去被儲存物體。此系統的特徵在於 包含安裝底座,儲存容器被放置在安裝底座上;開口部份 ,位置相鄰於安裝底座且於水平方向相對於開口;門件, 可固持蓋子且可關閉開口部份,門件藉著固持蓋子而連接 _ 在開口與開口部份之間及打開開口部份;及氣體供應單元 ,在與開口部份中安裝底座被放置之側不同之側位在開口 部份的上方,用來在開口與開口部份互相連接的狀態中供 應預定氣體至儲存在儲存容器中的被儲存物體。 在蓋子開/關系統中,較佳的是氣體供應單元包含實 質上平行於被儲存物體的沖淨表面延伸的管件,且管件包 含狹縫,用來在開口與開口部份互相連接的狀態中朝向被 儲存物體所在的區域供應預定氣體。或者,較佳的是氣體 _ 供應單元被支撐在開口部份的上方成爲可繞實質上平行於 被儲存物體的沖淨表面的軸樞轉。根據此結構,可確實地 及有效率地移除存在於被儲存物體的沖淨表面上的污染物 或類似者。 另外,爲解決上述問題,根據本發明的儲存在密閉容 器中的被儲存物體的沖淨方法爲一種被儲存物體的沖淨方 法,用來從包含主體及蓋子的儲存容器移去蓋子,及藉著 將預定氣體吹送至儲存在儲存容器中的被儲存物體而實施 沖淨操作,其中主體包含設置於水平方向的開口及配置於 -10- (7) 1278057. 直立方向的多個擱板,而被儲存物體被放置在多個擱板的 每一個上,蓋子可從主體被移去且覆蓋開口以與主體形成 密閉空間,蓋子從儲存容器被移去以打開開□。此方法的 特徵在於包含將儲存容器放置在一蓋子開/關系統中的安 裝底座上,蓋子開/關系統包含相對於開口的開口部份, 且安裝底座位於開口部份的前表面;藉著蓋子開/關系統 的用來關閉開口部份的一門件在蓋子由門件固持之下將蓋 _ 子從主體移去;及藉著將來自位在開口部份的上方的一氣 體供應單元的預定氣體經由開口及開口部份吹送至儲存在 儲存容器中的被儲存物體而對被儲存物體實施沖淨。 在上述的沖淨方法中,較佳的是氣體供應單元包含實 質上平行於被儲存物體的沖淨表面延伸的管件,且管件包 含狹縫,用來在開口與開口部份互相連接的狀態中朝向被 儲存物體所在的區域供應預定氣體。或者,較佳的是氣體 供應單元被支撐在開口部份的上方成爲可繞實質上平行於 g 被儲存物體的沖淨表面的軸樞轉,並且預定氣體的供應及 以一預定角度的樞轉是在開口與開口部份互相連接的狀態 中被實施。根據此結構,可確實地及有效率地移除存在於 被儲存物體的沖淨表面上的污染物或類似者。 在上述的沖淨方法中,被儲存物體相應於用於半導體 製造的晶圓或在高度清潔環境中被處理的零件。相應於儲 存容器的晶圓盒包含成爲用來儲存半導體晶圓的晶圓盒的 例子的FOUP。晶圓盒在其儲存各種不同的零件時不特別 受限於FOUP。更明確地說,前開式容器可被使用成爲上 -11 - (8) 1278057 述的儲存容器。蓋子從主 放置在一裝載通口上且儲 口被傳遞至晶圓處理設備 /關系統的特定例子爲上劲 此處所述的沖淨操作 污染物例如灰塵,有機物 作。測繪(mapping)表示J | 的晶圓的存在或不存在且 聯的操作。供應至氣體供 ,亦即由乾燥氮氣爲代表 元爲用來供應清潔氣體至 管件或噴嘴的上位槪念的 根據本發明,污染物 如具有高清潔度的乾燥氮 效地及確實地移除。因此 B 持在具有高清潔度狀態的 應管件的狹縫或形成於氣 送角度被調整時,對晶圓 用被加壓的合適地傳布的 發明,可控制根據晶圓的 必須的氣體量,沖淨時間 在固定情況下被實施,使 中的所有晶圓的控制狀態 似者易於被裝附於現有的 體被移去的狀態相應於晶圓盒被 存在晶圓盒中的晶圓經由裝載通 的狀態。具有沖淨設備的蓋子開 ;的FIMS系統。 表示用來移除沈積在一零件上的 質,雜質元素,氧化氣體等的操 9來偵測儲存於支架的每一擱板 將偵測資訊與擱板位置資訊相關 應單元的氣體較佳地爲預定氣體 的高純度清潔氣體。氣體供應單 被儲存物體的結構例如氣體供應 名稱。 或類似者可藉著供應沖淨氣體例 氣至晶圓的每一個的表面而被有 ,與傳統情況相比,可將晶圓固 晶圓盒的內部。當形成於氣體供 體供應管件的氣體供應噴嘴的吹 的每一個的表面的沖淨操作可使 清潔氣體來實施。因此,根據本 每一個來移除污染物或類似者所 ,及類似者。因此,移除操作可 得可容易地且恆常地保持晶圓盒 。本發明中的氣體供應管件及類 FIMS系統,使得可抑制實施本 -12- 1278057 Ο) 發明所需的成本。 本發明的上述及其他目的,特徵,及有利點從以下連 同圖式的詳細敘述會更爲顯明。 【實施方式】 以下參考圖式敘述本發明的實施例。圖1爲顯示包含 根據本發明的一實施例的沖淨設備的FIM S系統的主要部 份的示意結構視圖,其顯示在從側面觀看固持以晶圓盒蓋 子打開的晶圓盒的FIMS系統的主要部份的截面時的狀態 。注意晶圓盒固有地包含各種不同構件,例如用來支撐晶 圓的支架,及位在晶圓盒蓋子與晶圓盒之間的密封構件。 另外,各種不同的構件裝附於門件。但是,這些構件並不 與本發明直接相關聯,因此省略詳細的顯示及敘述。 在圖1中,晶圓盒2的主體2a於其內部包含用來儲存 晶圓1的空間,其中晶圓1的每一個爲被處理的物體。主體 2a具有盒子形狀並且包含設置於位於水平方向的表面之 一的開口部份。晶圓盒2包含用來封閉主體2a的開口部份 的蓋子4。主體2a包含支架,其具有用來堆疊晶圓1的多 個擱板,其中晶圓1係於直立方向被水平地固持。放置在 擱板上的晶圓1的每一個於預定間隔處被儲存在晶圓盒2的 內部。晶圓盒2的開口部份側相對於且連接於被設置在裝 載通口部份51之側的傳遞容室52的開口部份10。蓋子4由 在常態下關閉開口部份10的通口門件6固持,並且由驅動 機構(未顯不)移動以使得連接被建E在晶圓盒2的開口 σβ -13· (10) (10)1278057 份與傳遞容室52之間。 氣體供應管件12在開口部份10的上方被安裝在傳遞容 室52的內壁上。圖2A顯示從下方觀看的被安裝的氣體供 應管件12。圖2B爲顯示沿著與圖1所示者大致相同的平面 剖切的被安裝的氣體供應管件12的剖面圖。氣體供應管件 12爲中空管件,其連接於用來供應清潔氣體例如加壓乾燥 氮氣的氣體源(未顯示)且於一方向(垂直於圖1的紙面的方 向)延伸。氣體供應管件12包含可供應清潔氣體至晶圓盒 的內部的狹縫12a。狹縫12a沿著氣體供應管件12延伸的 方向形成,使得氣體供應管件12的開口面向儲存在晶圓盒 2的內部的晶圓1的晶圓盒開口側端部部份。 經由氣體供應管件12的狹縫12a供應至晶圓1的清潔 氣體被用來移除沈積在晶圓1的表面上的污染物或類似者 。含有污染物或類似者的氣體通過由圖1中的箭頭所示的 路徑,以將污染物或類似者排出至FOUP的外部。污染物 或類似者落至傳遞容室52的下方部份且從設置於傳遞容室 5 2的下方部份的抽吸排出通口(未顯示)被抽吸及排出。一 般的氣體供應系統或類似者被用於用來供應加壓清潔氣體 至氣體供應管件12,用來開始及停止氣體供應的閥,及類 似者的氣體供應系統。因此,在此實施例中省略氣體供應 系統的敘述。較佳的是經由氣體供應管件供應清潔氣體至 每一晶圓的整個表面。因此,較佳的是氣體供應管件12及 狹縫12a的延伸方向大致平行於被儲存物體的被沖淨表面 ,亦即晶圓表面。 -14- (11) 1278057 經由氣體供應管件12供應至晶圓盒2的內部的氣體或 類似者可經由傳統上設置於晶圓盒2的排空通口而被排出 。沖淨操作是在蓋子4打開的狀態中被實施,因此氣體排 空可使用設置在傳遞容室中的排空系統(未顯示)來實施。 較佳的是防止從一晶圓暫時移除的污染物或類似者重新沈 積在另一晶圓或晶圓盒的內部上或是流入傳遞容室內。在 此情況中,爲有效率地排空用於污染物或類似者的移除操 作的清潔氣體,可於傳遞容室設置連接於晶圓盒的開口部 份的爲排空目的的廂室(booth)。 如上所述,較佳的是從晶圓的表面被暫時移除的污染 物或類似者被快速地移至晶圓盒的外部。因此,爲較有效 率地移除污染物,預期應相應於晶圓的每一個設置一額外 排空通口。但是,此種結構的附加必須對根據標準設定的 晶圓盒進行重大的標準改變。因此,當本發明要被應用於 包含目前所使用的F0UP的系統時,較佳的是不設置此種 排空通口。 污染物或類似者可能以例如灰塵形式沈積在晶圓上。 許多此種灰塵被認爲帶電而藉著靜電力沈積在晶圓上。灰 塵可藉著離子化氣體的吹送而非只是清潔氣體的吹送而更 有效率地被移除。因此,更佳的是用來將氣體離子化的所 謂的電離器(ionizer)或類似者被設置在氣體供應噴嘴中或 其附近,以在必要時供應離子化氣體。 在此實施例中,設置有單一狹縫的氣體供應管件被用 於氣體的供應。但是’本發明不受限於此種形式。例如, -15- (12) (12)1278057 爲從晶圓的表面均勻地移除污染物或類似者,考慮晶圓的 形狀,必須使在晶圓表面的中央部份上流動的氣體量大於 在晶圓表面的兩端部部份上流動的氣體量。因此,如在以 與圖2A相同的形式顯示氣體供應管件12的圖3中可見的, 大尺寸狹縫12a可被設置於氣體供應管件12的中央部份, 且小尺寸狹縫1 2b可被設置於氣體供應管件1 2的兩端部部 份。根據此結構,可更有效率地從晶圓的整個表面移除污 染物或類似者。 如從以與圖2B相同的形式顯示氣體供應管件1 2的圖4 可見,狹縫可平行地形成。在此情況中,假設原始狹縫 1 2a相應於放置在晶圓盒2的上方擱板上的晶圓,相應於 放置在較爲下方的晶圓的狹縫1 2c形成爲使得氣體可被有 效地供應至晶圓。在此情況中,狹縫形狀參數例如狹縫寬 度,狹縫形成角度,及狹縫長度可根據狹縫與晶圓之間的 距離來改變。在此實施例中,狹縫被設置於氣體供應管件 的結構被用於實際的氣體供應。但是’本發明不受限於此 結構。例如,可使用所謂的噴嘴被定位於內部或配置有多 個噴嘴的結構。此處所述的狹縫在槪念上包含例如長度等 於寬度的孔及具有所謂的針孔(Pin hole)的形狀的孔。 如圖5所示,氣體供應管件12可被設置成爲使得其可 繞平行於氣體供應管件的延伸方向的軸旋轉。圖5所示的 氣體供應管件12經由支撐軸14被可旋轉地支撐於傳遞容室 52的內壁。氣體供應管件12連接於步進馬達16,且可以預 定的旋轉速率旋轉。在此實施例中’經由氣體供應管件1 2 -16- (13) (13)1278057 的氣體供應在盍子4的打開時開始,且氣體供應管件丨2在 氣體供應期間旋轉。因此,可藉著使用清潔氣體從固持在 晶圓盒2的內部的所有晶圓1大致均勻地移除污染物或類似 者。在此實施例中,步進馬達被用來旋轉氣體供應管件i 2 。但是,本發明不受限於此。包含壓電元件的各種不同驅 動源可被使用及可與通口門件的操作相關聯。 其次,以下參考圖式敘述根據本發明的沖淨設備應用 於包含目前所使用的FOUP的系統的情況。圖6顯示相應 於所謂的小型環境系統的半導體晶圓處理設備5 0的整體結 構。半導體晶圓處理設備50主要包含裝載通口部份(FI MS 系統)51,傳遞容室52,及處理容室59。裝載通口部份51 與傳遞容室52藉著位在二者之間的連接部份處的裝載通口 側隔板5 5 a及裝載通口側護蓋5 8 a而互相分開。傳遞容室 5 2與處理容室59藉著位在二者之間的連接部份處的處理容 室側隔板55b及處理容室側護蓋58b而互相分開。爲將灰 塵從半導體晶圓處理設備5 0的傳遞容室5 2排空以保持高清 潔度,藉著設置於傳遞容室52的上方部份的風扇(未顯示) 來產生從傳遞容室52的上方部份流動至其下方部份的空氣 流。因此,灰塵被不斷地向下排出。 成爲用來儲存矽晶圓或類似者(下文只稱爲「晶圓」) 的儲存容器的晶圓盒2被安裝在位在裝載通口部份5 1上的 底座53上。如前所述,傳遞容室52的內部被保持於高清潔 度以處理晶圓1。另外,傳遞容室52包含自動臂54。晶圓 藉著自動臂54而在晶圓盒2與處理容室59之間被傳遞。處 -17- (14) 1278057 理容室59常態下包含用來在晶圓的表面上實施例如薄膜形 成及薄膜處理等處理的各種不同機構。但是,這些機構並 不與本發明直接相關聯,因此省略其敘述。 晶圓盒2於其內部具有用來儲存晶圓1的空間’而晶圓 1的每一個爲被處理物體。晶圓盒2包含具有設置於表面之 一的開口部份的盒主體2a,及用來密閉開口部份的蓋子4 。主體2a包含支架,其具有用來於一方向堆疊晶圓1的多 個擱板。放置在擱板上的晶圓1於預定間隔處被儲存在晶 圓盒2的內部。在此例子中,晶圓1堆疊的方向被設定爲直 立方向。傳遞容室52的開口部份10被設置在裝載通口部份 5 1側。當晶圓盒2要被定位在裝載通口部份5 1上成爲使得 晶圓盒2接近開口部份10時,開口部份1〇的位置相對於晶 圓盒2的開口部份。傳遞容室52包含於開口部份1〇的附近 設置在內側上的開啓器3(稍後敘述)。 圖7 A及7B爲顯示傳統設備中的開啓器3的放大剖面 側視圖及顯示從傳遞容室52側觀看的開啓器3的前視圖。 圖8爲顯示蓋子4藉著開啓器3而從晶圓盒2被移去的狀態的 示意剖面側視圖。開啓器3包含門件6及門臂42。門件6結 合於固定構件46。門件6經由固定構件46而連接於門臂42 的一端部以可繞門臂42的該端部樞轉。門臂42在其另一端 部處經由樞軸40而被支撐於爲空氣驅動缸筒3 1的一部份的 桿件37的梢端部份以可繞樞軸40樞轉。 一通孔被設置在門臂42的一端部與門臂42的另一端部 之間。一銷(未顯示)延伸通過上述通孔及被固定於用來上 -18- (15) 1278057, 下移動開啓器3的可移動部份5 6的支撐構件60的固定構件 3 9的孔,因而形成支撐點4 1。因此,門臂42可根據由於缸 筒3 1的驅動所造成的桿件37的伸出及退縮而繞支撐點41樞 轉。門臂42的支撐點41被固定於支撐構件60,而可於直立 向移動的可移動部份5 6被設置於支撐構件6 0。門件6包含 固持通口 11a及lib,因而可藉著真空接觸而固持晶圓盒2 的蓋子4。 φ 當要使用上述結構來處理晶圓1時,首先,上面供晶 圓盒2安裝的底座53的位置接近傳遞容室52的開口部份10 ’並且蓋子4由門件6固持。然後,缸筒31的桿件37退縮, 使得門臂42繞支撐點41樞轉而增加離開傳遞容室52的開口 部份10的距離。根據此操作,門件6與蓋子4一起樞轉以將 蓋子4從晶圓盒2移去。此狀態顯示在圖8中。然後,可移 動部份56向下移動,以將蓋子4轉移至預定等候位置。 本發明中的氣體供應管件12位在傳遞容室52的開口部 φ 份10的上方。在使用門件6移去蓋子4之後,氣體被供應通 過氣體供應管件12以移除污染物或類似者。爲防止由於清 潔氣體的供應所造成的傳遞容室52的內部壓力的重大變化 或類似者,較佳的是同時實施各種不同的排空操作,包括 根據氣體供應操作的傳遞容室的抽吸及排空。 在此實施例中,FOUP及FIMS系統被敘述成爲對象 。但是,本發明的應用例子不限於這些。根據本發明的用 來移除污染物或類似者的設備(沖淨設備)可應用於用來以 容器蓋子打開及關閉儲存多個要被儲存的物體的前開式容 '19- (16) (16)1278057 器的系統,以因而將要被儲存的物體插入容器內及從容器 移去。 根據本發明,高度清潔的氣體可被合適地且有效率地 吹送至晶圓的表面。傳布的清潔氣體可被供應於晶圓堆疊 的方向,使得氣體可被吹送至晶圓的每一個。因此,對於 固持在晶圓盒中的所有晶圓,可有效地且確實地移除沈積 在晶圓的表面上的污染物,例如灰塵及雜質。必要時,可 在晶圓處理期間使用氣體供應噴嘴在晶圓盒的內部實施沖 淨操作,以獲得可將晶圓保持在更爲高度清潔環境中的結 果。本發明可藉著在現有的FIMS系統中設置氣體供應管 件及類似者而被實施。氣體供應管件及類似者可用低成本 容易地裝附於標準系統。 因爲在不離開本發明的精神及範圍下可形成本發明的 許多明顯地廣泛不同的實施例,所以應瞭解本發明不受限 於其特定的實施例,而應由申請專利範圍來界定。 本案主張20〇4年10月26日申請的日本專利申請案第 2〇〇4-31〇327號的優先權,因此該案藉著參考而結合於此 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示根據本發明的一實施例的沖淨設備,晶圓 盒’晶圓盒蓋子,及開啓器的一部份在被垂直於晶圓盒的 開口的剖切平面剖切時的示意結構視圖。 圖2A爲顯示從下方觀看的圖1所示的氣體供應管件12 -20- (17) 1278057 的結構視圖。 圖2B爲顯示在被與圖1相同的平面剖切的狀態中的圖 1所示的氣體供應管件12的結構視圖。 圖3爲顯示根據本發明的實施例的氣體供應管件χ 2的 修改例子的結構視圖。 圖4爲顯示根據本發明的實施例的氣體供應管件12的 修改例子的結構視圖。 圖5爲顯示本發明的另一實施例中的沖淨設備,晶圓 盒’晶圓盒蓋子,及開啓器的一部份在被垂直於晶圓盒的 開口的剖切平面剖切時的示意結構視圖。 圖6爲顯示應用本發明的一般半導體晶圓處理設備的 示意結構的整體側視圖。 圖7 A爲顯示從側面觀看的圖6所示的設備中的傳統開 啓器及其附近的示意結構放大視圖。 圖7B爲顯示從傳遞容室側觀看的圖7A所示的結構的 示意結構視圖。 圖8爲顯示從側面觀看的在晶圓上實施沖淨操作的開 啓器及類似者的示意結構視圖,其顯示沖淨操作完成的狀 態。 【主要元件符號說明】 1 :晶圓 2 :晶圓盒 2a :主體 -21 - (18) (18)1278057 3 :開啓器 4 :蓋子 6 :通口門件 I 〇 :開口部份 II a :固持通口 11 b :固持通口 12 :氣體供應管件 1 2 a :狹縫 12b :小尺寸狹縫 12c :狹縫 14 :支撐軸 1 6 :步進馬達 3 1 :空氣驅動缸筒 3 7 :桿件 3 9 :固定構件 40 :樞軸 41 :支撐點 42 :門臂 46 :固定構件 50 :半導體晶圓處理設備 51 :裝載通口部份(FIMS系統) 5 2 :傳遞容室 53 :底座 54 :自動臂 -22 (19) (19)1278057 55a :裝載通口側隔板 55b :處理容室側隔板 5 6 :可移動部份 58a :裝載通口側護蓋 5 8b :處理容室側護蓋 5 9 :處理容室 60 :支撐構件
-23

Claims (1)

  1. (1) 1278057 十、申請專利範圍 1. 一種蓋子開/關系統,用來從包含主體及蓋子的儲 存容器移去該蓋子,該主體包含設置於水平方向的開口及 配置於直立方向的多個擱板,而被儲存物體被放置在該多 個擱板的每一個上,該蓋子可從該主體被移去且覆蓋該開 口以與該主體形成密閉空間,該蓋子開/關系統從該儲存 容器移去該蓋子以打開該開口,用來插入及移去該被儲存 物體,該蓋子開/關系統包含: 安裝底座,該儲存容器被放置在該安裝底座上; 開口部份,位置相鄰於該安裝底座且於水平方向相對 於該開口; 門件,可固持該蓋子且可關閉該開口部份,該門件藉 著固持該蓋子而連接在該開口與該開口部份之間及打開該 開口部份;及 氣體供應單元,在與該開口部份中該安裝底座被放置 之側不同之側位在該開口部份的上方,用來在該開口與該 開口部份互相連接的狀態中供應預定氣體至儲存在該儲存 容器中的該被儲存物體。 2·如申請專利範圍第1項所述的蓋子開/關系統,其中 該氣體供應單元包含實質上平行於該被儲存物體的沖 淨表面延伸的管件;且 該管件包含狹縫,用來在該開口與該開口部份互相連 接的狀態中朝向該被儲存物體所在的區域供應該預定氣體 -24- (2) 1278057 3·如申請專利範圍第1項所述的蓋子開/關系統,其中 該氣體供應單元被支撐在該開口部份的上方成爲可繞實質 上平行於該被儲存物體的沖淨表面的軸樞轉。 4.如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述的蓋 子開/關系統,其中該被儲存物體包含承受半導體製程的 晶圓,該儲存容器包含前開式統一晶圓盒(FOUP),並且 該蓋子開/關系統包含前開式界面機械標準(FIMS)系統。 5 . —種被儲存物體的沖淨方法,用來從包含主體及蓋 子的儲存容器移去該蓋子,及藉著將預定氣體吹送至儲存 在該儲存容器中的被儲存物體而實施沖淨操作,其中該主 體包含設置於水平方向的開口及配置於直立方向的多個擱 板,而該被儲存物體被放置在該多個擱板的每一個上,該 蓋子可從該主體被移去且覆蓋該開口以與該主體形成密閉 空間,該蓋子從該儲存容器被移去以打開該開口,該被儲 存物體的沖淨方法包含: 將該儲存容器放置在一蓋子開/關系統中的安裝底座 上,該蓋子開/關系統包含相對於該開口的開口部份,且 該安裝底座位於該開口部份的前表面; 藉著該蓋子開/關系統的用來關閉該開口部份的一門 件在該蓋子由該門件固持之下將該蓋子從該主體移去;及 藉著將來自位在該開口部份的上方的一氣體供應單元 的該預定氣體經由該開口及該開口部份吹送至儲存在該儲 存容器中的該被儲存物體而對該被儲存物體實施沖淨。 25- (3) 1278057 6 .如申請專利範圍第5項所述的被儲存物體的沖淨方 法,其中: 該氣體供應單元包含實質上平行於該被儲存物體的沖 淨表面延伸的管件;且 該管件包含狹縫,用來在該開口與該開口部份互相連 接的狀態中朝向該被儲存物體所在的區域供應該預定氣體 〇 | 7.如申請專利範圍第5項所述的被儲存物體的沖淨方 法,其中該氣體供應單元被支撐在該開口部份的上方成爲 可繞實質上平行於該被儲存物體的沖淨表面的軸樞轉,並 且該預定氣體的供應及以一預定角度的樞轉是在該開口與 該開口部份互相連接的狀態中被實施。 8.如申請專利範圍第5項至第7項中的任一項所述的 被儲存物體的沖淨方法,其中該被儲存物體包含用於半導 體製造的晶圓,並且該蓋子從該主體被移去的狀態爲一晶 p 圓盒被放置在一裝載通口上且儲存在該晶圓盒中的該晶圓 經由該裝載通口被傳遞至一晶圓處理設備的狀態。 •26-
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