TWI267298B - Image pickup device and camera module - Google Patents
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!267298 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於諸如CMOS影像感應器及ccd影像感應器 之影像拾取裝置,其在視訊相機、數位靜態相機、具有相 • 機之仃動電話' 具有相機之攜帶型資訊終端裝置及其類似 、 物中用作影像拾取單元,以及本發明係關於包括此等影像 拾取裝置之相機模組。 0 【先前技術】 以下麥考圖式來描述此類型之一習知相機模組。 Θ 9 A為主要部件之橫截面視圖以展示習知相機模組之一 例不性組態。圖9B為圖9A中所示之相機模組的後側視 圖。圖9A為圖9B中之線A-A,處之橫截面視圖。 如圖9A及圖9B中所示,一相機模組〗〇包括:一鏡蓋 一透鏡2 ; 一鏡身3,其固持透鏡2 ; —IR(紅外線)截止濾光 #片4 ; 一相機箱5,其將此等元件固持在一起;一影像拾取 瞻裝置6,來自一物件之光經由透鏡2及爪截止濾光片4入射 至其上;電氣部件7 ; —基板8,影像拾取裝置6及電氣部 件7文裝於其上;及一 DSP(數位訊號處理器)9,其處理來 自影像拾取裝置6之訊號。 透鏡2為一諸如球面透鏡或非球面透鏡之凸透鏡,並被 組裝於鏡身3中,以便安置於影像拾取裝置6之光入射側 上。藉由透鏡2,來自外部之入射光(來自一物件之光)在影 像拾取裝置6上形成一影像。可在要拍攝影像時移除之鏡 盍1提供於透鏡2之光入射側上。應注意到,透鏡2可被組 102438.doc 1267298 圖9中說明單一凸 態為複數個諸如凸透鏡之透鏡;然而 透鏡,以便使描述保持簡單。 鏡身3附著於相機箱5之 在相機模組内之位置係由 中心部分中以固持透鏡2。透鏡2 鏡身3來固定。
IR(、.工外線)截止據光片4係藉由將一薄膜沈積於一玻璃 基底材料上而形成’或係藉由將特殊金屬放入一玻璃基底 材料中而%成’且其沈積於透鏡2與相機箱$之光學開口單 元之下側上的影像拾取裝置6之間。IR截止滤光片4在光入 射至影像拾取裝置6上之前將入射光(來自一物件之光)中之 紅外線截以將豸光調節至人類卩見範圍。 抑相機箱5具有透鏡2及1R截止滤光片4所具有之光學開口 早兀、及-容納影像拾取裝置6與電氣部件7之罩殼(或各 形構件)。相機箱5將透鏡2、職止瀘、光片4、影像拾取: 置6及DSP 9一體式地組裝在一起,且亦覆蓋所有此等元件 並保遵相機箱5之内部。 般而口 CCD影像感應器或CMOS影像感應器用作影 像拾取裝置6。影像拾取裝置6安裝於基板8上,並經由導 線而電連接至提供於基板8上之電極端子(結合襯墊)。 至於基板8 ’通常使用一印刷板,t亥印刷板係藉由以下 步驟來獲得:將用於在相機模組所需之影像拾取裝置6、 DSP 9及電氣部件7之間進行電連接之佈線沈積於一諸如陶 瓷基板或玻璃環氧基板之基板上。在本實例中,影像拾取 裝置6提供於基板8之中心部分中,且各種類型之電氣部件 7提供於影像拾取裝置6周圍,該等各種類型諸如電容器、 102438.doc 1267298 電p_於減少電源雜訊之電源雜訊截止滤光片、及其 類似物。另外,一外部連接端子u提供於自基板8之橫向 ▲面之下邛刀至下表面的區域中,以用於在一諸如行動電 主要主體的外部裝置與相機模組工〇之間進行電連接。 9為處理來自影像拾取裝置$之訊號的訊號處理裝 置。在本實例中,S P Q jtz里从 SP 9文置於-提供於基板8之後側上之 在其中心區域中的凹陷邮八 、 ]凹陷邠刀中。應注意到,在相機模組10 併入於一諸如行動電話之雷 之電子虞置中之狀況下,由於需要 相機模組1 0之高度15、Λα γ b 小因此可接受的是使基板8之尺寸 較大,使得DSP 9安置於影像拾取裝置㈣旁邊。 置C)疋銷12與相機箱5_體式地提供於基板8之四個角 上’並提供於影像拾取裝置6與電氣部件7之間的預定位置 處,以便相對於相機箱5决m〜甘』。 戍相5來固疋基板8之位置。相機箱5及 基板8彼此黏貼,以便一體式地組裝在一起。 在如上文所述而組態之習知相機模組1〇用於一具有相機 之行動電話中之狀況下,當相機模組1〇接收來自行動電节 主要主體而非相機部件之電訊號及來自電氣裝置而非行動 電話之電訊號時,會產生一些問題;例如,所攝影像之參 像品f變低及/或相機自身發生故障。另外,當來自相機 模組1〇(主要是來自影像拾取裝置單元)的電訊號到、 時^皮等電訊號可藉由導致雜訊而對其它電氣裝置施加不 良影響,且亦可導致該#電氣裝置發生故障。 作為此等問題的對策,專利文獻1(例如)提出了—稀用 於藉由使用電鏡方法或沈積方法而在相機箱上形成由電: 102438.doc 1267298 =料=成之屏蔽層來提供屏蔽以防外部雜訊之方法。 =卜’其提出了另—種用於藉由使用電傳導樹脂製造相機 相來屏蔽相機模組以防外部雜訊的方法。另外,其建議了 2種用於:改良的導電性來更安全地電屏蔽相機模組的 • 法,此係藉由使用沈積處理或電鍍處理而在電傳導樹脂 • 之表面上提供金屬層來實現。 [專利文獻1]日本專利特許公開中請案第2GG3-324660號 • T上文所述,在習知相機模組用於一諸如一具有相機 之行動電活的電子育訊裝置中之狀況下,可能會經受以下 問題(1)、(2)及(3): ⑴來自行動電話内部之電訊號及來自行動電話外部之 電訊號穿透相機模組10,並作為雜訊而添加至影像拾取裝 置6之電訊號,且因此,所攝影像之影像品質變低。特定 言之,在行動電話之狀況下,當來自高頻(RF)單元的訊號 穿透相機模組10時,影像品質傾向於容易變低。此原因在b _於行動電話之工作頻率高且亦在於輸出功率大。 (2) 產生於影像拾取裝置6中之訊號變成雜訊,並對行動 電話主要主體而非相機模組10的訊號施加不良影響。 (3) 產生於影像拾取裝置6中之訊號變成雜訊,並導致存 在於行動電話外部的其它電氣裝置發生故障。 當相機模組10接收來自行動電話主要主體之部分而非相 機模組10的雜訊及來自電氣裝置而非行動電話的雜訊時會 導致問題(1)。當來自相機模組10之雜訊在其它電子裝置中 導致發生故障時會導致問題(2)及(3)。 102438.doc 1267298 為了防止此等問題,專利文獻1提出了藉由使相機箱電 傳導來屏蔽相機模組以防電磁輻射;然而,根據此屏蔽方 法,僅屏蔽了用於相機模組之相機箱,而未屏蔽諸 單元之光學開口單元。因此,所攝影像可因經由透鏡單= 進入並退出的雜訊而接收到不良影響。 為了解決上述習知技術之問題,本發明旨在提供 拾取裝置,其藉由減少向苴鈐 ^ 得良好的所攝影像,以及提 +獲 像拾取裝置。 μ、相_組,其中使用該影 【發明内容】 為了達成前述目的’本發明提供—種影像拾取裝置,並 包括.一裝置主體單元,其包括一將入射光轉換為電訊號 的光接收單元;及一透射性 " 裝置主體單元之矣構件,其至少提供於該 忒罝芏體早兀之-表面之光接收單元側上。 另外’將較佳的》且古ν τ 7疋具有以下一配置··其中本發明 拾取裝置中之透射性電傳導構件電連接至-參考電料 元。 干 另外,將較佳的是具有以下一配 拾取裝置進一步包括·义声而· /、么明之影像 提供於襄置主體單元之表收早兀而 極,其提= =早70側上;後表面電 …“· 置主體早70之表面之光接收單元側相 、 ,及佈線圖案,其分別自节笙义本;& + 該等後表面電極。亥4別表面電極延伸至 另外’將較佳的是具有以下一配置:其中安置本發明之 102438.doc 1267298 影像拾取裝置中之透射性電傳導構件,以便覆蓋裝置主體 單元之光接收單元侧,且該透射性電傳導構件且有―或多 個開口,以便避免與-訊號佈線部分及一電源佈線部分相 接觸’該等佈線部分係來自包括箭矣 目包括則表面電極及佈線圖案之 參考電位單元之接地佈線部分、1觫 '77戒5虎佈線部分及電源佈線 部分。 另外,將較佳的是具有以下一 且冉甲本發明之影像 &取4置包括-透射性電絕緣構件,該構件被安置以 ;裝置主體單元之光接收單元側,且該構件具有一或多個 ,+ _ 接觸,该接地佈線部分 係來自包括前表面電極及佑飧岡安 你綠却ν * 及佈線圖案之參考電位單元的接地 佈線部分、訊號佈線部分及電源佈線部分,其中安 射性電傳導構件’以便覆蓋該透射性電絕緣構件。/ 另外,將較佳的以有以下-配置··其中本發明之影像 拾取裝置之裝置主體單元包括:一 提供於其上;及—基板保 2基板,光接收單元 側。 板制構件,其保護該裝置基板之後 另外,將較佳的是具有以下一配置:其中保 之透射性保護構件提供於本發 土板 基板的光接收單元側上。衫像拾取裝置中之裝置 另外,將較佳的是具有以τ__ 拾取農置中之透射性電傳導構#$,、中本务明之影像 之光接/ 提供Μ置主體單元 I九接收早兀側上及一與裝 對的側上。 主體早70之光接收單元側相 102438.doc 1267298 另外’將較佳的是具有以下-配置:其中本發明之影像 拾取震置中之透射性電傳導構件至少提供於裝 接收單元側上及一與裝置基板之光接收 v : 〜伐收早7L側相對的側 上。 .另外,可接受的是具有以下-配置:其中本發明之影像 .拾取裝置中之透射性電傳導構件為-附著至褒置主體單元 之光接收單元側上的透明電傳導膏樹脂,或為一提供於裝 •置主體單元之光接收單元側上的環氧樹脂,或為一形成於 裝置主體單元之表面上的透射性電傳導膜(或透射性電傳 導層)。 另外,可接受的是具有以下—配置:其中本發明之影像 拾取裝置中之透射性電傳導構件為一附著至裝置主體單元 之光接收單元側的透明電絕緣膏樹脂,或為一形成於裝置 主體單元之表面上的無機電絕緣膜(或無機電絕緣層),諸 如氧化物膜或氮化物膜。 • 為了達成前述目的,本發明提出-種影像拾取裝置,其 匕括.一裝置基板’一將入射光轉換為電訊號的光接收單 元提供於其上;-透射性保護構件,其經由—黏接單元而 黏接至該農置基板之光接收單元側,並被安置以便覆蓋該 先接收單元;及一透射性電傳導層,其係由該透射性保護 構件所覆蓋。 另外’可接受的是具有以下—配置:其中透射性電傳導 層安f於本發明之影像拾取褒置中以便面向光接收單元, 黏接早70之至少-部分係由電傳導構件製成,且透射性電 102438.doc
-12. 1267298 傳導層經由電傳導構件而電連接至一提供於裝置基板上的 參考電位單元。 為了達成前述目的,本發明提供一種相機模組,其中併 入如請求項1至11甲任一項之影像拾取裝置。 • 以下描述本發明如何使用上述組態來工作。 根據本發明’由於褒置主體單元或裝置基板的光接收單 元侧係由-透射性電傳導構件(此後簡單地稱為透射性導 ⑩電構件)覆蓋,因此影像拾取裝置自身被電屏蔽。另外, 為了穩定-磁屏蔽效應,將透射性導電構件電連接至接地 佈線部分,該接地佈線部分係由充當參考電位單元之接地 電極及/或其佈線圖案組成。藉由將該影像拾取裝置併入 於一相機模組中,則有可能防止自諸如行動電話之外部輸 入,該相機模組的電訊號藉由導致雜訊而對該影像拾取裝 ”加不良影響’以及防止來自該行動電話或其類似物之 一部件而非該相機模組的電訊號藉由導致雜訊而對該影像 _拾取裝置施加不良影響。另外,有可能防止來自相機模组 之電訊號對行動電話主要主體及存在於行動電話或其類似 物外部的其它電氣裝置的訊號施加不良影響。 另外斤,藉由具有以下一配置:其中諸如透射性電傳導層 (此後问單地稱為透射性導電層)的透射性導電構件至少在 f訊號電極部分中具有一開口,則有可能避免可與_諸如 提供於裝置主體單元之表面(影像拾取裝置基板)上之訊號 佈線部分的充電單元發生的短路。另外,藉由具有以下: 配置·其中提供一諸如透射性電絕緣層(此後簡單地稱作 】02438.doc 13 1267298 透射it絕緣層)之在接地佈線部分中具有一或多個開口的 、子丨電、、邑緣構件(此後簡單地稱作透射性絕緣構件),且 邊如透射性導電層之透射性導電構件進—步提供於透射 1、邑緣構件之上,則有可能避免可與諸如訊號佈線部分中 、電極的其匕電極及佈線圖案中之充電單元發生的短路, '及有可月b將諸如透射性導電層的透射性導電構件 至接地佈線部分。 =外’ ϋ由具有以下—配置:其中—透射性保護構件經 由黏接早兀而點接至裝置基板之光接收單元侧,並被安 、更覆蓋光接收單元,且另外,一透射性導電層覆蓋該 透射性,護構件’J•其中透射性導電層被安置以便面向該 光接收早70,且該黏接單元之至少一部分為電傳導的,使 得該透射性導電層經由黏接單元之導電部分而電連接至提 供於裝置基板上的參考電位單元,則有可能容易地達成屏 蔽效應。 如目前為止所解釋,根據本發明,由於影像拾取袭置自 身被電屏蔽’因此有可能防止自行動電話或其類似物外部 輸入至相機模組的電訊號藉由導致雜訊而對該影像拾取裝 置施加不良影響,以及防止來自行動電話或其類似物之一 部件而非相機模組的電訊號藉由導致雜訊而對影像拾取裳 置施加不良影響。 另外,有可能防止來自相機模組的電訊號對行動電話主 要主體或其類似物及其它電氣裝置與存在於行動電話或其 類似物外部的其它電子資訊裝置之訊號施加不良影響。因 102438.doc 1267298 像此品可機,在及將來具有大“素影 疋有了此霄現一具有不受雷1 4 At 電δίι唬雜訊影響之高 效此水平的相機模組。 f實施方式】 以:參考圖式來描述影像拾取裝置及相機模組之第一至 第四貫施例,在該相機模組中 取裝置。 根據本發明使用該影像拾 第一實施例 圖1A為展示根據本發明之第一實施例之影像拾取裝置之 例示性組態的上側視圖。圖1B為自圖1A之左側之側視 圖°圖1〇為自圖1A之底側之侧視圖。圖⑴為圖之後側 視圖。 如圖1A至1D中所示,影像拾取裝置朗系由將來自外部 之入射光(來自物件之光)轉換為電訊號的ccd影像感應器 或CMOS影像感應器或其類似物構成。一用於來自物件之 籲光的光接收單元22提供於影像拾取裝置主體單元(裝置主 體單元)21之表面之中心部分中。光接收單元如括於一 影像拾取單元令,該影像拾取單元藉由將入射光轉換為電 訊號(光學訊號)來形成物件之影像。電極23(結合概旬提 供於光接收單元22周圍。凸塊電極24(焊料凸塊)提供於影 像拾取裝置主體單元21之後表面上。電極尋至⑴中之每 一者經由佈線圖案25中之—相應佈線®案而連接至凸塊電 極24(A至H)中之一相應凸塊電極,該等佈線圖案被提供以 便經由一橫向表面自影像拾取裝置主體單元21之前表面延 102438.doc .. 1267298 伸至其後表面。在本實例中,AD、係對應於訊號 佈線(訊號電極及與其連接之佈線圖案)。£及H係對應於充 §參考電位單元的接地佈線部分(接地電極及與其連接之 佈線圖案)。 • 例如,日本國家階段pct專利特許公開申請案第2〇〇2_ .512436號揭示了以下一組態··其中,如上文所述,提供佈 線圖案25以便經由一橫向表面自影像拾取裝置主體單元2 ^ • 之前表面(上表面)延伸至其後表面(下表面),且凸塊電極 24(A至H)和:供於該後表面上。此申請案包括以下一組態·· 其中’一由玻璃或其類似物製成的保護層提供於影像拾取 裝置主體單元之前表面(上表面)上;然而,稍後將描述影 像拾取裝置主體單元21之詳細結構。雖然存在各種用於製 造一影像拾取裝置主體單元之諸如晶片陣列方法的方法, 但是將省略該等方法之解釋。 在第一實施例中,安置透射性導電層以便覆蓋圖丨中所 _ 示的影像拾取裝置主體單元21之表面,且該透射性導電層 電連接至接地電極。以下參考圖2A至2E及圖3來更詳細地 描述此組態。 圖2 A為本發明之影像拾取裝置之第一實施例的上侧視 圖。圖2B為自圖2A之左側的側視圖。圖2C為自圖2A之底 側之側視圖。圖2D為圖2A之後側視圖。圖2E為展示透射 性導電層之圖案的上側視圖。 如圖2A至2E中所示,至於影像拾取裝置30,影像拾取 裝置主體單元(裝置主體單元)21之表面係由充當透射性導 102438.doc -16- 1267298 電構件之透射性導電層26覆蓋。透射性導電層26在對應於 矾唬佈線部分(電極23 ; A至D、F及G)及電源佈線部分之 導電單元的部分中具有一或多個開口,並電連接至接地佈 線部分(電極23 ; E、Η,及其類似物)。 • 由於透射性導電層%亦提供於光接收單元22之上,因此 • 其係由透射性導電材料形成。例如,透射性導電膏樹脂係 藉由印刷至影像拾取裝置主體單元2丨之除了訊號佈線部分 •(電極23,A至D、F、G,及佈線圖案25之與其連接的導電 邛刀)之外的表面上而被應用或黏接。因此,如圖中所 示,有可能形成透射性導電層26,其在一對應於訊號佈線 邛刀(電極23 ; A至D、F、G,及佈線圖案25之與其連接的 導電部分)之部分中具有一或多個開口,並電連接至接地 佈線部分(接地電極E、H,及其類似物)。透射性導電層% 可由環氧樹脂形成於影像拾取裝置主體單元21之表面側 上,或可被形成為一諸如玎〇之透明導電膜,或可(例如藉 • 由沈積)被形成為一具有極小厚度的金屬薄膜。 如上文所述而形成的透射性導電層26大體上為透明的; 因此,即使透射性導電層26形成於光接收單元22之上, 不存在問題。 另外,由於透射性導電層26電連接至影像拾取裝置“之 接地佈線部分(電極23; E及Η,及佈線圖案25之與其連接 的導電部分),因此有可能經由接地佈線將透射性導電層 26配置成處於接地電位(_)。因此,有可能藉由覆蓋影 像拾取裝置30之主體之表面來電屏蔽該影像拾取裝置3〇。 102438.doc 1267298 另外,透射性導電層26形成於除了訊號佈線部分(電極 23 ; A至D、F及G,及佈線圖案25之與其連接的導電部分) 之外的部分(以便具有預定間隔);因此,透射性導電層26 不會與訊號佈線部分(電極23 ; A至D、F及G,及佈線圖案 25之與其連接的導電部分)及電源佈線部分(電源電極及佈 線圖案之與其連接的導電部分)形成短路。
以下描述一例示性詳細組態,其中第一實施例之影像拾 取裝置30係藉由使用前述日本國家階段Pct專利特許公開 申睛案第2002-5 12436號中所揭示的技術而被實現為影像 拾取裝置30A。應注意到,第一實施例之影像拾取裝置% 之外形在橫截面上呈矩形形狀;然而,影像拾取裝置3〇a 不同於影像拾取裝置30之處在於其在橫截面上具有呈倒梯 形形狀的外形。該差異係歸因於以下事實:圖 :結構係很概念的。實際上,圖3中所示的結構係易於製
k的。然而,應注意到,本發明並不限於該等圖式中所說 明的形狀。 W 如圖3中所示,影像拾取裝置主體單元21八(其為影像拾 取裝置主體單元21之一例示性詳細組態)包括:一影像拾 取裝置基板2U,其在其中心部分中包括一光接收單元 22; -絕緣保護構件m ’其充當―基板保護構件,·及— 黏接構件21c,其將此等物彼此黏接。 影像拾取裝置基板21a係以下列一方式來組態:將製造 於-矽晶圓上的複數個裝置結構分割成若干區段並使彼此 分U於來自物件之光的光接收單元22提供於影像拾 102438.doc 1267298 取裝置基板2U_L。光接收單元22包括於一影像拾取單元 中,該影像拾取單元藉由將入射光轉換為電訊號(光學訊 號)來形成物件之影像。形成佈線圖案25A以便自影像拾取 裝置基板21a之表面之光接收單元22側延伸至影像拾取主 .體單元21八之"^向表面附近。形成與佈線圖案25A電連接 .之佈線圖案㈣以便自影像拾取裝置主體單元21A之橫向 表面延伸至提供於影像拾取裝置主體單元2ia之後表面上 •❸凸塊電極24。-些提供於影像拾取裝置基板中之光 接收單7L 22之在圖3之左側表面上的每一電極23對應於來 自圖1及2中所示之電極23的接地電極。一些提供於 影像拾取裝置基板21a中之光接收單元22之在圖3之右侧表 上的母電極23對應於來自圖】及2中所示之電極23的訊 號電極A、B、C、D、F、G或其類似物。 ▲ -透射性導電層26形成於影像拾取裝置主體單元Μ之 前表面側上(影像拾取裝置基板仏之前表面側上),以便與 φ 光接收單元22電絕緣。 另外’在影像拾取裝置主體單元21A巾之光接收單元22 之前表面侧上提供一電絕緣的透射性保護構件29a,該透 2性保護構件可由玻璃材料製成。一環氧樹脂材料可用於 黏接構件29b,5亥點接構件將透射性保護構件黏接至 透射性導電層26之表面及影像拾取裝置主體單元21A之表 面的其匕4为。雖然絕緣保護構件21b不必為透射性的, U由玻璃材料製成。一環氧樹脂材料亦可用於一黏 接構件仏’該黏接構件將絕緣保護構件川黏接至影像拾 102438.doc -19- 1267298 取襞置基板21a之後表面。此等黏接構件2U及29b充當黏 接層。 應注意到,雖然在影像拾取裝置主體單元21八中之光接 收單元22之前表面側上(影像拾取裝置基板2;u之前表面側 上)提供由玻璃材料製成的絕緣透射性保護構件29a,但是 • 本發明並不限於此配置。可接受的是使用一透射性保護 膜。 _ 另外,至少一絕緣保護膜形成於影像拾取裝置主體單元 21A中之光接收單元22之表面上,且另外,透射性導電層 26形成於其上。因此,光接收單元22與透射性導電層%電 絕緣。 圖4A為主要部件之橫截面視圖以展示根據第一實施例之 相機模組之例示性組態。圖4B為圖4A中所示的相機模組 之後側視圖。圖4A為圖4B中線A-A,處的橫截面視圖。在 圖4A及4B中,將相同的參考數字給予與圖8中所示的習知 φ 相機模組之構成元件具有相同功能效應的一些構成元件, 且將省略其解釋。 應注意到,影像拾取裝置6係根據習知技術藉由導線而 電連接至基板8 ;然而,根據第一實施例,影像拾取裝置 30(或30A)係藉由使用凸塊電極24而連接至基板8 ;因此, 導線連接為不必要的。另外,雖然圖4展示IR截止濾光片 4 ’但是’或者可接受的是提供具有紅外線截止功能之透 射性保護構件29a,使得可省略IR截止濾光片4。 藉由具有以下一配置··其中根據第一實施例之影像拾取 102438.doc (§) -20- 1267298 政置30(或30A)併入於圖4八及4B中所示的相機模組3 i中, 由於影像拾取裝置30(或30A)被電屏蔽,因此相機模組” 之主要部件被屏蔽以防電磁輕射。因此,有可能防止自諸 如仃動電話之外部輸入至相機模組31的電訊號藉由導致雜 • °孔而對影像拾取裝置30(或30A)施加不良影響,以及防止 • 來自行動電話之一部件而非相機模組3 1的電訊號藉由導致 雜晟而對影像拾取裝置3〇(或3〇A)施加不良影響。另外, _ 有可能防止來自相機模組3 1之電訊號對行動電話主要主體 及存在於行動電話外部的其它電氣裝置之訊號施加不良影 響。 第一實施例 在第一實施例中,透射性導電層26在對應於訊號佈線部 分(電極23 ; A至D、F、G,及與其連接之佈線圖案25)及 電源佈線部分之導電單元的部分中具有一或多個開口,該 等佈線部分係來自提供於影像拾取裝置主體單元21(或 • 21 A)之前表面側上的電極23(結合襯墊)及佈線圖案25。然 而,在第二實施例中,影像拾取裝置主體單元21之表面係 由稍後待描述的透射性絕緣層27所覆蓋,該透射性絕緣層 在對應於接地佈線部分(電極23 ; £及H,及與其連接之佈 線圖案25)之導電單元的部分中具有一或多個開口,且另 外,一稍後待描述的透射性導電層26A提供於透射性絕緣 層27之上。 圖5A為本發明之影像拾取裝置之第二實施例的上側視 圖。圖5B為自圖5A之左側的側視圖。圖5C為自圖5A之底 102438.doc -21 - 1267298 側的側視圖。圖5D為圖5A的後側視圖。圖5E為展示透射 性導電層之圖案的上側視圖。圖汀為展示透射性絕緣層之 圖案的上側視圖。圖6為圖5C之放大視圖。 如圖5A至5F及圖6中所示,至於影像拾取裝置4〇,一透 射性絕緣層27提供於影像拾取裝置主體單元2丨之表面上, 且另外,一透射性導電層26A提供於透射性絕緣層”之 上0 _ 透射性絕緣層27在一接地佈線部分(電極23 ; E及H,及 與其連接之佈線圖案25)中具有一或多個開口。提供透射 性導電層26A以便覆蓋包括接地佈線部分的影像拾取裝置 主體單元2!之整個表面,且該透射性導電層經由該或該等 開口而電連接至該接地佈線部分(電極23 ; e&h,及與其 連接之佈線圖案25)。 ’'八 μ ’透射性絕緣層27亦形成於提供於影像拾取裝置主 體早凡21之表面之中心部分處的光接收單S22之上。因 2,透射性絕緣層27係由-透射性絕緣材料形成。例如, 為了形成如圖5F中所示的具有 用於接地佈線部分(電極 夕, ’ 其連接之佈線圖案25)之導電單元的一 多個開口的透射性絕緣戶27,將 5 印刷緣層27將一透射性絕緣膏樹脂藉由 Ρ刷至衫像拾取裝置主體單元21 極23;Ε及Η,及盘直連了接地佈線部分(電 次,、其連接之佈線圖案25) 的表面上而應用或黏接。 )之導電早兀之外 透射性絕緣層27可* ρ ^ 單元2〗之表面: 樹曰形成於影像拾取裝置主體 表面側上。透射性絕緣層27可形成為-諸如氧化 】〇2438.d〇c
-22- 1267298 矽膜或氮化矽臈的無機絕緣膜。 隨後,為了形成如圖5E中所示的覆蓋影像拾取裝置主體 單元2 1之整個表面且(例如)電連接至透射性絕緣層27之上 之接地佈線部分(電極23 ; E&H,及與其連接之佈線圖案 • 25)之導電單元的透射性導電層26A,將一透射性導電膏樹 • 脂藉由印刷至影像拾取裝置主體單元21之表面上而應用或 黏接。 ❿ 透射丨生^電層26A可由環氧樹脂形成於影像拾取裝置主 體單元21之前表面側上,或可形成為一諸如ιτ〇之透射性 導電膜,或可形成為一具有極小厚度的金屬薄膜。 另外,由於透射性絕緣層27提供於訊號佈線部分(電極 23,Α至D、F及G,及與其連接之佈線圖案25)及電源佈線 邛刀之導電單元之上,因此透射性導電層26A不與該訊號 佈線部分及該電源佈線部分電接觸,且因此不會與該訊號 佈線部分及該電源佈線部分形成短路。另外,由於透射性 籲導電層26A電連接至影像拾取主體單元以之接地佈線部分 (電極23 , E及Η,及與其連接之佈線圖案25)之導電單元, 因此有可能經由接地佈線而將透射性導電層26Α配置成處 於接地電位(GND)。因此,有可能覆蓋影像拾取裝置4〇, 以便為其内部電提供一磁屏蔽。 =下描述一例示性詳細組態,其中第二實施例之影像拾 取4置40係藉由使用前述日本國家階段pCT專利特許公開 申:月案第2002-5 12436號中所揭示的技術而實現為影像拾 取裝置40A。應注意到,第二實施例之影像拾取裝置仂之 102438.doc © -23 - 1267298 外形在橫截面上呈矩形形狀;然而,影像拾取裝置嫩不 ⑽影像拾取裝置40之處在於其在橫截面上具有呈倒梯形 形狀的外形。該差異係歸因於以下事實:圖…中所干的 結構係很概念的。實際上’圖7中所示的結構係易於製造 -的。然而,應注意到,本發明並不限於該等圖式中所說明 的形狀。 如圖7中所示,影像拾取裝置主體單元21A(其為影像拾 鲁取裝置主體單元21之-例示性詳細組態)包括:_影像於 取裝置基板2ia’其在其中心部分中包括一光接收單: 22,·一、絕緣保護構件21b,其充當一基板保護構件;及一 黏接構件21c,其將此等物彼此黏接。 影像拾取裝置基板21a係以下列一方式來組態:將製造 於一石夕晶圓上的複數個裝置結構分割成若干區段並使彼此 分離。-用於來自物件之光的光接收軍元22提供於影像拾 取裝置基板21a上。光接收單元22包括於一影像拾取單元 •中,該影像拾取單元藉由將入射光轉換為電訊號(光學訊 號)來形成物件之影像。形成佈線圖案25A以便自影像拾取 裝置基板21a之表面之光接收單元22側延伸.至影像拾取主 體單το 21A之横向表面附近。形成與佈線圖案25八電連接 之佈線圖案25B以便自影像拾取裝置主體單元21八之橫向 表面延伸至提供於影像拾取裝置主體單元21A之後表面上 的凸塊電極24。一些提供於影像拾取裝置基板2U中之光 接收單兀22之在圖7之左側表面上的每一電極23對應於來 自圖5及6中所示之電極23的接地電極E*H。一些提供於 102438.doc •24- 1267298 衫像拾取裝置基板21a中之光接收單元22之在圖7之右側表 面上的每一電極23對應於來自圖5及6中所示之電極23的訊 號電極A、B、C、D、F、G或其類似物。 透射性絕緣層27及另外一透射性導電層26A相繼形成 於影像拾取裝置主體單元21A之前表面側上(影像拾取裝置 基板2 1 a之前表面側上)。 另外,在影像拾取裝置主體單元2ia中之光接收單元22
之則表面側上提供一電絕緣的透射性保護構件29a,該透 射性保護構件可由玻璃材料製成。一環氧樹脂材料可用於 一黏接構件29b,該黏接構件將透射性保護構件29a黏接至 透射性導電層26A之表面及影像拾取裝置主體單元21 a之 表面的其它部分。雖然絕緣保護構件21b不必為透射性 的,但是其可由玻璃材料製成。一環氧樹脂材料亦可用於 一黏接構件21c,該黏接構件將絕緣保護構件2ib黏接至影 像拾取裝置基板2U之後表面。此等黏接構件21〇及29b充 當黏接層。 應注意到,雖然在影像拾取裝置主體單元2ia中之光接 收單元22之前表面側上(㈣像拾取裝置基板2u之前表面 上)提供由玻璃材料製成的絕緣透射性保護構件“a,但 是本發明並不限於此配置。可接受的是使用一透射性保護 膜0 另外,至少一絕緣保護膜形成於影像拾取裝置主體單元 21A中之光接收單元22之表 丄边射性絕緣層2 7進一步 形成於該絕緣保護膜之上,且另外, ^ 1還射性導電層26A形 102438.doc -25 - 1267298 成於透射性絕緣層2 7之上。 圖4A為主要部件之橫截面視圖以展示根據第二實施例之 相機模組之例示性組態。圖4B為圖4A中所示的相機模組 之後側視圖。圖4A為圖4B中線A_A,處的橫截面視圖。在 圖4A及4B中,將相同的參考數字給予與_中所示的習知 相機模組之構成元件具有相同功能效應的一些構成元件, 且將省略其解釋。 應注意到,影像拾取裝置6係根據習知技術藉由導線而 電連接至基板8 ;然而,根據第二實施例,影像拾取裝置 4〇(或40A)係藉由使用凸塊電極24而連接至基板8;因此, 導線連接為不必要的。另外’雖然圖3展示m截止濾光片 4,但是,或者可接受的是提供具有紅外線截止功能之透 射性保護構件29a,使得可省略IR截止濾光片4。 藉由具有以τ—配置:其中根據第二實施例之影像拾取 裝置40(或4〇Α)併入於圖从及4Β中所示的相機模㈣中, 由於影像拾取裝置4〇(或佩)被電屏蔽,因此相機模組“ 之主要部件被屏蔽以防電磁輻射。因&,有可能防止自諸 如打動電話之外部輸入至相機模組41的電訊號藉由導致雜 訊而對影像拾取裝置40(或4〇Α)施加不良影響,以及防止 來自行動電居 < 冑件而非相機模組4 i的電訊號藉由導致 雜訊而對影像拾取裝置4〇(或)施加不良影響。另外, 有可能防止來自相機模組41之電訊號對行動電話主要主體 及存在於行動電話外部的其它電氣裝置之訊號施加不良影 響。 102438.doc -26- 1267298 第三實施例 在第一及第二實施例中,影像拾取裝置主體單元21(或 2 1A)之前表面側係由透射性導電層26或26A覆蓋,使得其 内部被磁屏蔽。在第三實施例中,與透射性導電層26或 , 26A之狀況中相類似,後表面側(其亦可包括橫向表面)亦 另外由一透射性導電層覆蓋。 在影像拾取裝置主體單元21之後表面之狀況下,與前表 φ 面(透射性導電層26提供於其上)之狀況中相類似,透射性 導電層在對應於訊號佈線部分(凸塊電極24 ; A至D、F及 G,及與其連接之佈線圖案25)及電源佈線部分之導電單元 的部分中具有一或多個開口,該等佈線部分係來自提供於 影像拾取裝置主體單元21之後側上的凸塊電極24(焊料凸 塊)及與其連接之佈線圖案2 5。或者,與前表面(透射性導 電層26A提供於其上)之狀況中相類似,可接受的是具有以 下一配置:其中影像拾取裝置主體單元21之後表面係由一 _ 在對應於接地佈線部分(凸塊電極24 ; E及Η,及與其連接 之佈線圖案25)之導電單元之部分中具有一或多個開口的 透射性絕緣層覆蓋,且另外,一透射性導電層安置於該透 射性絕緣層之整個表面之上。或者,亦可接受的是將一透 射性導電層亦安置於影像拾取裝置基板21a之後表面上。 因此,根據第三實施例,影像拾取裝置之表面(其包括 前表面側及後表面側,且可亦包括橫向表面側)係由透射 性導電層26或26A覆蓋,且該透射性導電層電連接至一接 地電極。藉由具有此配置,有可能以比第一及第二實施例 I02438.doc -27- 1267298 之狀況更為安全的電磁波的方式來屏蔽相機模組之主要部 件,並防止來自相機模組外部的電雜訊對影像拾取裝置施 加衫響,且防止來自相機模組中之影像拾取裝置的電訊號 對其它電氣袭置施加影響。應注意到,此處所使用的表達 • 表面’’可僅表示與”後表面側”相對的,,前表面側,,,或可表 • 不刚表面側’’與"後表面側,,兩者。簡而言之,表達,,表面,, 表示影像拾取裝置之表面,其包括前表面側與後表面側, 且可包括換向表面側。 如上文所解釋,根據第一至第王實施例,由於影像拾取 袭置主體單元21 (或21A)之表面係藉由由透射性導電膏樹 脂製成並電連接至接地電極的透射性導電層26或ΜΑ而覆 盍,因此有可能電屏蔽影像拾取裝置3〇(或3〇A)或4〇(或 40A)自身。因此,有可能屏蔽相機模組^或“之主要部件 以防電磁輕射。藉由具有此配置,有可能屏蔽相機模組Μ 或4 1並防止來自相機模組3 1或4 1外部的電磁波雜訊對影 •像拾取裝置3〇(或30Α)或4〇(或40Α)施加影響,且防止來自 相機模組31或41中之影像拾取裝置3〇(或3〇八)或4〇(或4〇α) 之電訊號對其它電氣裝置施加影響。 第四實施例 圖8Α為展示根據本發明之第四實施例之影像拾取裝置之 例不性組態的上側視圖。圖8Β為圖8Α中線χ_χι處的橫截 面視圖。 如圖8Α及8Β中所示,影像拾取裝置5〇係由將來自外部 之入射光(來自物件之光)轉換為電訊號的CCD影像感應器 102438.doc (? -28- 1267298 或CMOS影像感應器或其類似物構成。一用於來自物件之 光的光接收單元52提供於裝置基板51之表面之中心部分 中光接收單元5 2包括於一影像拾取單元中,該影像拾取 單元藉由將入射光轉換為電訊號(光學訊號)來形成物件之 • 影像。電極53(結合襯墊)圍繞光接收單元52而提供於裝置 _ 基板51之表面上。在本實例中,A至D、F及G對應於訊號 電極E及Η對應於充當參考電位單元的接地電極。一微 _ 型透鏡58安置於光接收單元52之上,以將入射光(來自物 件的光)會聚至光電轉換單元上。 根據第四實施例,如圖8中所示,在裝置基板51之光接 收單元52側上,一透射性保護構件59係由一黏接單元57來 固持並黏接,以便形成一覆蓋光接收單元52的空間。一透 射性導電層56提供於透射性保護構件59之面向光接收單元 52的下側上。另外,黏接單元5 7係由一導電黏接劑製成。 透射性導電層56經由導電黏接單元57及佈線單元55而電連 籲接至來自電極53(八至抝的接地電極,該佈線單元於 裝置基板51上形成有一圖案。因此,由於透射性導電層% 電連接至接地電極53之EU,因此有可能經由接地佈線 而將透射性導電層56配置成處於接地電位(GND)。因此, 有可能電磁地屏蔽影像拾取裝置5〇。 應注意到’本實例展示以下—組態:其中整個黏接單元 57係由-導電黏接劑製成;‘然而’若與佈線單元μ相接觸 的黏接単το 57之至少—部分為電傳導的,則此係可接受 的。因此’可接受的是具有以下一配置:其中,例如,用 102438.doc -29- 1267298 於將透射性保護構件59黏接並固定至裝置基板5 1的黏接單 凡57為非導電構件,而提供另一導電黏接單元以便與透射 導電層56及佈線單元55相接觸。另外,可接受的是具有 以下一配置··其中透射性導電層56安置於透射性保護構件 59外°卩上的表面(上表面)(背向光接收單元52的相對側) 上,或其中黏接單元57未用作一接合構件但提供另一接合 構件;然而,當安置透射性導電層56以便面向光接收單元 2時及當用於將裝置基板51黏接至透射性保護構件59的 4接單凡57之至少—部分為電傳導的以使得此導電部分用 於電連接時,製造就更容易。 生 艮據第四實施例來簡要地描述影像拾取裝置5〇之製 =方法1·先,將一包括光接收單元52的裝置形成於一矽 日日圓中3 -方面,藉由應用一環氧樹月旨、藉由沈積來形 成:諸如1το的透明導電膜、及藉由沈積來形成一具有極 小谷度的金屬薄膜或其類似方法,將透射性導電層56形成 於玻璃薄片材料之-主要表面上。隨後,以一圖案將一導 電黏接劑提供於Si晶圓或玻璃材料之面向表面上。對於此 圖二形成而言’例如’在均勻地應用藉由將感光性黏接劑 ::’係丙烯酸系樹脂之uv可固化樹脂)與熱固性樹脂 袁編)相混合而獲得的黏接劑之後,藉由使用 t所:知的微影技術來執行圖案形成(稱為圖案化)。因 =有可能同時形成大量的黏接單元57。藉由同時形成大 :二:…,有可能改良生產率。將感 熱固性樹脂相混合的原因係因為:當該黏接劍具有感光!性 l0243S.doc -30- 1.267298 時,藉由使用諸如曝光及顯影之微影技術的 精確地執行㈣單元57之圖“ ^ B谷易並 點接蕈元57之FI垒儿 由於以呵精確度來執行 黏接早兀57之圖案化,因此,即- 丁 的區域較小,仍有可能χ古 ’、 單凡52之外 有了此以向精確度來形成黏 注意到,對於黏接單元57之 早疋57應 口系計人成而g,可接辱 Θ 用其它形成方法,諸如』接又的疋使 如包括絲網印刷的印刷方法、藉由使 用施配“繪製、藉由噴墨來形成圖t、及其類似方法。 另二精由將石夕晶圓及玻璃薄片材料分割成 區段來製造㈣8巾所示的個㈣像拾取裝置5〇。庫注音 到,此處所提供的描述解釋了呈單一薄片形態的玻璃薄片 材枓在被分割成若干區段之前黏接至石夕晶圓上;然而,可 接受的是具有以下—配置:丨中_玻璃薄片材料在黏接至 -石夕晶圓之前被分割成個別區段’且該石夕晶圓被分割成若 干區段。 另外’以下將一相機模組作為一產品來描述,在該產品 籲巾使用根據第四實施例的影像拾取展置5〇。由於相機模組 之例示性組態(其中使用第四實施例之影像拾取裝置5〇)與 圖9中所不的組態(習知技術)大體上相同,因此將省略以圖 式之說明。根據第四實施例之相機模組係藉由將圖9中之 影像拾取裝置6替換為根據上述第四實施例之影像拾取裝 置50來獲得。應注意到,雖然圖9中展示IR截止濾光片4, 但疋可接受的是提供具有紅外線截止功能的透射性保護構 件59,使得可省略ir截止濾光片4。 藉由具有以下一配置:其中根據第四實施例之影像拾取 102438.doc -31 - 1267298
裝置50併入於一相機模組中,由於影像拾取裝置5〇被電磁 屏蔽,因此相機模組之主要部件被屏蔽以防電磁輻射。因 此,有可能防止自諸如行動電話之外部輸入至相機模組的 電訊號藉由導致雜訊而對影像拾取裝置50施加不良影塑, 以及防止來自行動電話之一部件而非相機模組的電^藉 由導致雜訊而對影像拾取裝置5〇施加不良影響。另外,有 可能防止來自相機模組之電訊號對行動電話主要主體及存 在於行動電話外部的其它電氣裝置之訊號施加不良影響。 雖然在第-至第四實施例中做出以下—配置··其中充當 透射性導電構件之透射性導電層26、26a_電連接至: 當參考電位單元的接地佈線部分;然而,本發明並不限於 此配置。即使透射性導電層26及編未電連接至接地佈線 部分,仍有可能具有某些電磁屏蔽效應。 雖然在第-至第四實施例中未提供特^描述,但是除了 或替代透射性導電層26、26八或56,可將一不夠厚而不能 稱作層的構件用作一透射性導電構件。 s另外,雖然在第-至第四實施例中未提供特定描述,但 是除了或替代接地佈線部分,可在參考電位單元中包括一 未接地且自由的參考電位部件。 另卜根據第及第二實施例之影像拾取裝置並不限於 圖3及7中所示的影像拾取裝置之詳細組態。 ^目別為止所解釋’雖然已藉由使用本發明之較佳實施 例(意即,第一至第四實施例)說明本發明,但是不應在第 一至第四實施例之限制内解釋本發明。應瞭解豸,本發明 102438.doc -32- 1267298 之驚應僅係由申請專利範圍中所申請之範疇來解釋。應 奢解到’ 一般技術者能夠基於本發明之描述及根據本發明 之特定較佳實施例(意即,第一至第三實施例)之技術常識 來體現一等效範疇。應瞭解到,本說明書中所引用之專 利專利申請案及其它文獻之内容應用作本說明書之參考 支持,就如同所有此等申請案併入於本文中一般。 *本么月曰在·在用於視訊相機、數位靜態相機、具有相
械的行動電洁、具有相機的攜帶型資訊終端裝置及其類似 物之影像拾取單元中的諸如CM卿像感應器及ccd影像 感應器之影像拾取裝置、以及包括此等影像拾取裝置之相 機模組的領域中,#由屏蔽影像拾取裝置自身以防電磁輻 射來屏蔽相機模組之主要部件以防電磁輻射,並防止來自 打動電話或其類似物外部的電訊號及來自行動電話或其類 ::的一部件而非相機模組的電訊號藉由導致雜訊刚 ^ 丨万止不自相機模組之電訊號對在 仃動電話或其類似物外部 Μφ 1上及在仃動電话之部件而非相機 模組中的電氣裝置施加不 口此,有可能實現一具 有回效旎水平的相機模組。 酤恶μ ^ J用於各種類型之電子 a置的衫像拾取單元中, 办越处,生诸如視訊相機、數 位静悲相機、具有相機的行動 %線#驶里 次具有相機的行動資 口、、、而竑置,以使有可能獲得良 右古崎处U Τ 旧所攝影像以及實現具 有…水平的電子裝置’而不會對彼等 施加不良影響。 忒置之特性 【圖式簡單說明】 102438.doc -33- 1267298 圖1A為展示根據本發明之第一實施例之影像拾取枣置 例示性組態的上側視圖。 、 圖1Β為自圖1 a之左側的側視圖。 圖1C為自圖1 a之底側的側視圖。 圖1D為圖1 a的後側視圖。 圖2A為根據本發明之第一實施例之影像拾取裴置的上仞 視圖。 圖2B為自圖2 A之左側的側視圖。 圖2C為自圖2A之底側的侧視圖。 圖2D為圖2A之後側視圖。 圖2E為展示透明導電構件之圖案的上側視圖。 圖3為主要部件之橫截面視圖,其展示根據本發明之第 一貫施例之影像拾取裝置之例示性詳細組態。 圖4A為主要部件之橫截面視圖,其展示根據本發明之第 一及第二實施例之相機模組之例示性組態。 圖4B為圖4A之後側視圖。 圖5 A為根據本發明之第二實施例之影像拾取裝置的上側 視圖。 圖5B為自圖5A之左側的側視圖。 圖5C為自圖5A之底側之側視圖。 圖5D為圖5A之後側視圖。 圖5E為展示透明導電構件之圖案的上側視圖。 圖5F為展不透明絕緣構件之圖案的上側視圖。 圖ό為圖5C之放大視圖。 102438.doc -34- 1267298 圖7為主要部件之橫截面視圖,其展示根據本發明之第 二實施例之影像拾取裝置之例示性詳細組態。 圖8A為展示根據本發明之第四實施例之影像拾取裝置之 例示性組態的上側視圖。 、 圖8B為圖8A中線χ_χ,處之橫截面視圖。 圖9Α為主要部件之橫截面視圖,其展示習知 例示性組態。 機模組之 圖9Β為圖9 Α之後側視圖 【主要元件符號說明】 1 鏡蓋 2 透鏡 3 鏡身 4 IR截止濾光片 5 相機箱 6 影像拾取裝置 7 電氣部件 8 基板 9 DSP(數位訊號處理 10 相機模組 11 外部連接端子 12 位置固定銷 20 影像拾取裂置 21 影像拾取裝置主體 21a 影像拾取裝置基板 102438.doc -35 · 1267298 21A 影像拾取裝置主體單元 21b 絕緣保護構件 21c 黏接構件 22 光接收單元 23 電極 24 凸塊電極 25 佈線圖案 25A 佈線圖案 25B 佈線圖案 26 透射性導電層 26A 透射性導電層 27 透射性絕緣層 29a 透射性保護構件 29b 黏接構件 30 影像拾取裝置 30A 影像拾取裝置 31 相機模組 40 影像拾取裝置 40A 影像拾取裝置 41 相機模組 50 影像拾取裝置 51 裝置基板 52 光接收單元 53 電極 102438.doc -36- 1267298 55 佈線單元 56 透射性導電層 57 黏接單元 58 微型透鏡 59 透射性保護構件 A 訊號電極 B 訊號電極 C 訊號電極 D 訊號電極 E 接地電極 F 訊號電極 G 訊號電極 H 接地電極
102438.doc -37-
Claims (1)
- 筝月&修吻正替換頁 126726^118455號專利申請案 ] 中文申請專利範圍替換本(95年7月) ^ 十、申請專利範圍: 一種影像拾取裝置,其包含: 一裝置主體單元,其包括一將入射光轉換為電訊號之 光接收單元;及 一透射性電傳導構件,其至少被提供於該裝置主體單 兀之一表面之一光接收單元側上。 2.如請求項1之影像拾取裝置,其中:該透射性電傳導構件電連接至一參考電位單元。 3·如請求項1之影像拾取裝置,其進一步包含·· Ί表面私極,其圍繞該光接收單元而被提供於談 主體單元之該表面之該光接收單元側i" 後表面電極,其被提供於一與該裝置主體單元之該表 面之该光接收單元側相對的側上;及 佈線圖案 面電極。 其分別自該等前表面電極延伸至該等後表 4·如請求項1之影像拾取裝置,其中: 4透射性電傳導構件經安置以便覆蓋該農置 之該光接收單元側;且 菔早兀 二射!電傳導構件具有-或多個開口以便避免與- φ位早兀之—接地佈線部分、一訊號佈線部分及一 電源佈線部分φ夕—_上 刀次 接觸,η; 線部分及該電源佈線部分相 案。 電位早几包括别表面電極與佈線圖 5. 如請求項1之影像拾取裝置,其包含 102438-950707.doc 1267298 一透射性電絕緣構件,其經安 ^^ 乂便覆盍該裝置主體 ^光接收單元側,且其具有一 免與一夂者兩付登_ 次夕個開口以便避 分及… —接地佈線部分、-訊號佈線部 考電位Γ::部分中之該接地佈線部分相接觸,該參 早7^包括前表面電極與佈線圖案,其中. 該透射性電傳導構件經安置以 二· 緣構件。 更设盍該透射性電絕 如β求項1之影像拾取裝置,其中: 該裝置主體單元包括: 一裝置基板,該光接收單元被提供於其上丨及 ▲:基板保護構件’其保護該裝置基板之—後側。 •如明求項6之影像拾取裝置,其中: 保""忒衣置基板之透射性保護構件被提供於該裝置 基板之一光接收單元側上。 8. 如睛求項1之影像拾取裝置,其中·· ▲ 4透射性f料構件至少被提供於該裝置主體單元之 忒光接收早兀側上及一與該裝置主體單元之該光接收單 凡側相對的側上。 9·如請求項6之影像拾取裝置,其中·· 該,射性電傳導構件至少被提供於該裝置基板之該光 接收早n及-與該裝置基板之該光接收單元側相對 的側上。 1〇· —種影像拾取裝置,其包含: 一1置基板’一將入射光轉換為電訊號之光接收單元 i02438-950707.doc^ y. 1267298 」 被提供於其上; 〜〜 -透射性保護構件,其經由一黏接單元而黏接至該襄 置基板之-光接收單元側,並經安置以 : 單元;及 “ -透射性電傳導層,其係由該透射性保護構件所覆 盖。 H·如請求項10之影像拾取裝置,其中·· «亥透射性電傳導層奴容署 m寻冷層、·二女置以便面向該光接收單元; 〇钻接早元之至少—部分係由一電傳;s M ^ ^ ^ 包得導構件製成;且 μ 電傳導層經由該電傳導 提供於該F m 弘傳冷構件而電連接至一被 從彳πΘ衣置基板上之參考電位單元。 12· —種相機模組,其包含如請求項 。 、之一影像拾取裝置。 102438-950707.doc
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US7679167B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-03-16 | Visera Technologies Company, Limited | Electronic assembly for image sensor device and fabrication method thereof |
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KR20090108233A (ko) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈의 제조 방법, 이에 의해 제작된 카메라 모듈및 상기 카메라 모듈을 포함하는 전자 시스템 |
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JP2013012615A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、それに用いる固体撮像素子用の透明導電性膜 |
JP2013041878A (ja) | 2011-08-11 | 2013-02-28 | Sony Corp | 撮像装置およびカメラモジュール |
US20140326856A1 (en) * | 2013-05-06 | 2014-11-06 | Omnivision Technologies, Inc. | Integrated circuit stack with low profile contacts |
US10026761B2 (en) * | 2014-11-11 | 2018-07-17 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, semiconductor module, and electronic device |
DE212016000255U1 (de) * | 2015-12-25 | 2018-08-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Leiterplatte und Kameramodul |
US20180315894A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and a method of manufacturing the same |
WO2019021705A1 (ja) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
KR102369038B1 (ko) | 2017-08-21 | 2022-03-02 | 삼성전자주식회사 | 카메라 조립체 및 이를 포함하는 전자 장치 |
CN116435383A (zh) * | 2023-04-28 | 2023-07-14 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学传感装置、制备方法和电子设备 |
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JPS57136869A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-24 | Hitachi Ltd | Solid image pickup device |
JPS57170575A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Nec Corp | Photodiode |
JPS63308375A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
US5291054A (en) * | 1991-06-24 | 1994-03-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light receiving module for converting light signal to electric signal |
US6259085B1 (en) * | 1996-11-01 | 2001-07-10 | The Regents Of The University Of California | Fully depleted back illuminated CCD |
IL123207A0 (en) * | 1998-02-06 | 1998-09-24 | Shellcase Ltd | Integrated circuit device |
US6252218B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-06-26 | Agilent Technologies, Inc | Amorphous silicon active pixel sensor with rectangular readout layer in a hexagonal grid layout |
JP2003324660A (ja) | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Seiko Precision Inc | 固体撮像装置 |
JP2004260787A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-09-16 | Rohm Co Ltd | イメージセンサモジュール |
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