JP4270455B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4270455B2
JP4270455B2 JP2004093630A JP2004093630A JP4270455B2 JP 4270455 B2 JP4270455 B2 JP 4270455B2 JP 2004093630 A JP2004093630 A JP 2004093630A JP 2004093630 A JP2004093630 A JP 2004093630A JP 4270455 B2 JP4270455 B2 JP 4270455B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
electromagnetic wave
wave absorbing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004093630A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005286420A (ja
Inventor
恒夫 佐藤
淳彦 石原
亮宏 内田
浩司 綛田
昌弘 加藤
茂 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2004093630A priority Critical patent/JP4270455B2/ja
Priority to US11/090,794 priority patent/US7391002B2/en
Publication of JP2005286420A publication Critical patent/JP2005286420A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4270455B2 publication Critical patent/JP4270455B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05005Structure
    • H01L2224/05009Bonding area integrally formed with a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05568Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H01L2924/1617Cavity coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、CCD等のベアチップ(固体撮像素子)が、実装用基板に実装された固体撮像装置に関するものである。
CCDやCMOSセンサ等の複数の受光素子が形成されたベアチップ(固体撮像素子)からなる固体撮像装置と半導体メモリとが組み込まれているデジタルカメラやビデオカメラが普及している。また、パーソナルコンピュータや携帯電話、電子手帳等の電子機器に、この固体撮像装置と半導体メモリとを組み込み、撮影機能を付加することも行なわれている。
この固体撮像装置としては、固体撮像素子をセラミック基板やBGA(Ball Grid Array )基板等のパッケージにマウントし、固体撮像素子の接続端子とパッケージの接続端子とをワイヤーボンディング接続させた後に、固体撮像素子を保護するためのカバーガラスをパッケージに取り付けて、固体撮像素子を封止している構造のものが一般である(特許文献1参照)。
ところで、一般に固体撮像素子は、高クロック周波数で駆動されるため、この固体撮像素子とパッケージとを接続しているボンディングワイヤから放射される電磁波(電磁放射ノイズ)によって、固体撮像素子を駆動するドライバ用チップ等の他のチップが誤動作するおそれがある。また、逆に他のチップから放射される電磁放射ノイズによって、固体撮像素子が誤動作するおそれがある。そのため、固体撮像装置を電磁波吸収部材料からなる電磁波吸収用パッケージに収納することで、固体撮像装置の内部または外部から放射される電磁放射ノイズを吸収して遮断(電磁シールド)できるようにした固体撮像装置が提案されている(特許文献2参照)。
特開平8−236739号公報(第3頁) 特開2003−224218号公報(第4頁)
近年、カメラや電子機器等の回路基板に直接実装可能なウェハレベルチップサイズパッケージ構造(以下、単にWLCSP構造と略称する)の固体撮像装置の需要が急速に増えている。このWLCSP構造の固体撮像装置は、半導体ウェハプロセス中に固体撮像素子の封止や接続端子の形成を同時に行うことによって得られる。そして、このWLCSP構造の固体撮像装置は、前記特許文献1記載のものとは異なり、パッケージを介さずに直接回路基板上にマウントして、ワイヤーボンディング接続することができるため、カメラや電子器機器を小型化させることができる。この際にも、電磁波ノイズによる固体撮像装置や他のチップの誤動作を防ぐために電磁シールドを行う必要があるが、前記特許文献2に記載されているように、WLCSP構造の固体撮像装置を電磁波吸収用パッケージに格納させると、固体撮像装置がその分だけ大型化してしまう。その結果、このWLCSP構造の固体撮像装置を搭載するデジタルカメラや電子機器の小型化が難しくなってしまう。
本発明は、上記問題を解決するためのものであり、固体撮像装置を大型化することなく、電磁シールドできるようにした固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明は、複数の受光素子が配列されているとともに、前記受光素子に電気的に接続されている第1の電極が1つ以上形成されているベアチップと、前記第1の電極と電気的に接続される第2の電極が形成され、前記ベアチップが実装される実装用基板と、前記第1の電極と前記第2の電極とを接続するボンディングワイヤとを備えた固体撮像装置において、金属材料で形成されており、前記ベアチップの前記第1電極と、前記実装用基板の前記第2の電極と、前記ボンディングワイヤとを前記受光素子に入射する光を遮らないように覆うとともに、電磁波を吸収する電磁波吸収部材と、前記ベアチップ及び前記実装用基板の少なくともどちらか一方に形成され、電磁波吸収部材が接続する接地部とを備えることを特徴とする。
また、前記受光素子の受光面と対面する位置に、前記受光素子を保護する透過性の保護部材を設けるとともに、前記保護部材を露呈させる開口を前記電磁波吸収部材に形成することが好ましい。さらに、前記保護部材の前記電磁波吸収部材に接する部分に、段差を形成するとともに、前記開口は、前記段差により形成された前記保護部材の凸部に嵌合可能な形状に形成されていることが好ましい。
本発明の固体撮像装置は、複数の受光素子が配列されているとともに、前記受光素子に電気的に接続されている第1の電極が1つ以上形成されているベアチップと、前記第1の電極と電気的に接続される第2の電極が形成され、前記ベアチップが実装される実装用基板と、前記第1の電極と前記第2の電極とを接続するボンディングワイヤとを備えるとともに、前記ベアチップの前記第1電極と、前記実装用基板の前記第2の電極と、及び前記ボンディングワイヤとを、前記受光素子に入射する光を遮らないように電磁波を吸収する電磁波吸収部材で覆うようにしたので、固体撮像装置を電磁波吸収パッケージに収納させることなく、前記接続部分から放射される電磁波ノイズの大部分を前記電磁波吸収部材に吸収させることができる。その結果、他のチップが誤動作するのを防止できる。また、逆に他のチップから放射される電磁波ノイズによって固体撮像装置が誤動作してしまうことを防止できる。さらに、固体撮像装置が大型化しなくとも電磁シールドができるため、この装置を搭載するカメラや電子機器の小型化を妨げないという利点がある。
図1(a),(b)は、本発明の固体撮像装置を備えたデジタルカメラ10の正面斜視図、及び背面斜視図を示したものである。デジタルカメラ10は、各種撮影機構が組み込まれたカメラ本体(図示せず)と、このカメラ本体を覆う本体カバー12とから構成されている。この本体カバー12の前面には、撮影レンズ14が組み込まれたレンズ鏡筒15、ファインダを構成する対物側ファインダ窓17、被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光部18等が設けられている。また、本体カバー12の上面にはレリーズボタン19が設けられている。
本体カバー12の背面には、ファインダを構成する接眼ファインダ窓20、撮影時に電子ビューファインダ(EVF)としても機能する液晶モニタ(LCD)21、モード選択ボタン22、操作ボタン23等を備えている。モード選択ボタン22によって選択される動作モードとしては、例えば、静止画の撮影を行う撮影モード、撮影画像の再生を行う再生モード、動画の撮影を行う動画モード等がある。
図2に示すように、レンズ鏡筒15の背面側には、本発明を実施したものであり、撮影レンズ14を介して結像された被写体像を撮像するWLCSP構造の固体撮像装置25が設けられている。この固体撮像装置25は、大別して、固体撮像素子チップ27、及び固体撮像素子チップ27が実装されるカメラ本体(図示せず)の回路基板28の他に、詳しくは後述する電磁波吸収部材29から構成される。以下、固体撮像装置25の各部について、図2〜図5を用いて説明する。ここで、図3は図2の固体撮像装置25の分解斜視図であり、図4は固体撮像素子チップ27を回路基板28に実装した状態を示した分解斜視図であり、図5(a),(b)は図2中の固体撮像装置25の断面図である。なお、図5(b)は、図5(a)の図中点線部分の拡大図を示したものである。
固体撮像素子チップ27は、照射された光を電気信号に変換する受光素子31が複数配列された矩形状のベアチップ32と、前記受光素子31を取り囲むようにベアチップ32上に取り付けられた枠形状のスペーサ33と、このスペーサ33上に取り付けられ、受光素子31を封止して保護する透明なカバーガラス34とから構成される。
ベアチップ32は、シリコン半導体からなるCCD等の固体撮像素子である。このベアチップ32には、上述の受光素子31の他に、回路基板28との電気的な接続に用いられる第1接続端子(ボンディングパッド)36が、ベアチップ32の端辺近傍に複数個形成されている。このベアチップ32は、チップ用ウェハ(図示せず)上に多数の受光素子31及び第1接続端子36をマトリックス状に形成して、このチップ用ウェハ(図示せず)を各ベアチップ32ごとにダイシングすることによって得られる。なお、ダイシングは、カバーガラス34用のガラス基板(図示せず)にスペーサ33を多数形成して、このガラス基板(図示せず)をチップ用ウェハ(図示せず)に貼り合わせた後に行われる。また、スペーサ33は、無機材料、例えばシリコンから形成されている。
カバーガラス34は、熱膨張率がスペーサ33の材料であるシリコンに近い透明ガラスであれば任意のものを使用することができる。また、カバーガラス34には、詳しくは後述するが、電磁波吸収部材29の位置決めを行うために、光が照射される面(撮影レンズ14と対面する側の面)の外周部を階段状に切り欠いた段差34aが形成されている。
回路基板28としては、周知のプリント配線板が用いられる。この回路基板28の表面には、実装された固体撮像素子チップ27上の各第1接続端子36がそれぞれワイヤーボンディング(以下、単にWBと略称する)接続される複数の第2接続端子(ボンディングパッド)38と、アースに接続されているグランド(GND)線39とが複数形成されている。本実施例では、GND線39は第2接続端子38を囲うように形成されている。従って、各第2接続端子38と、回路基板28上に実装されている画像信号処理用チップ(図示せず)や固体撮像装置駆動用チップ(図示せず)などとは、各第2接続端子38の裏面側に形成された貫通配線(図示せず)等を介して接続すればよい。なお、回路基板28に実装されるチップは、固体撮像素子チップ27や画像信号処理用チップ(図示せず)等に限定されるものではなく、CPU、RAM、ROMなどが実装されるとともに、回路基板28には、これらを接続する配線や貫通配線が多数形成されている。
固体撮像素子チップ27を実装するときは、最初に、固体撮像素子チップ27を回路基板28上の図3中点線で示した位置に接着・固定する。次いで、図示しないWB装置を用いて、各第1接続端子36と、それぞれの端子に対応する第2接続端子38とをボンディングワイヤ43でWB接続し、必要に応じてWB接続部分を絶縁性の樹脂(図示せず)でモールドすることで実装作業が完了する(図4参照)。この際に、撮像素子チップ27は、高クロック周波数で駆動されるため、WB接続部分から電磁波ノイズが放射されて、画像信号処理用チップ(図示せず)や固体撮像装置駆動用チップ(図示せず)が誤動作してしまうおそれがある。そのため、前記特許文献2に記載されているように、この固体撮像装置25を電磁波吸収パッケージ内に収納する方法もあるが、この場合には、上述したように、固体撮像装置25が大型化してしまう。
そこで、本実施例では、WB接続部分(各接続端子36,38を含む)を固体撮像素子チップ27の受光面に照射される光を遮らないように、電磁波吸収部材29で覆うことで、固体撮像装置25を大型化させずに、前記特許文献2に記載されている方法と同様の効果が得られるようにしている。
電磁波吸収部材29は、本実施例では、例えば導電性の金属材料である銅材から形成されるものを用いる。この電磁波吸収部材29は、WB接続部分を覆いつつ、上述のGND線39に接地させるため、ベアチップ32の端辺側の端部の断面形状が略Lの字型になるように形成されている(図5参照)。具体的には、この電磁波吸収部材29でWB接続部分を覆ったときに、略Lの字型に折り曲げられた電磁波吸収部材29の端部29a(図5参照)が、GND線39上に位置するような形状に、電磁波吸収部材29は形成されている。
また、電磁波吸収部材29には、撮像素子チップ27の受光面と対面する位置に、カバーガラス34を露呈させる開口47が形成されている。さらに、上述したように、カバーガラス34が電磁波吸収部材29と接する部分、ここでは、撮影レンズ14と対面する側の面の外周部に、段差34aが形成されている。そのため、この開口47を、段差34aが形成されたカバーガラス34の凸部に嵌合するような形状に形成しておくことが好ましい。これにより、電磁波吸収部材29を取り付ける際の位置決め作業が簡単になる。なお、電磁波吸収部材29を取り付けるときは、開口47を形成する電磁波吸収部材29の端部と、カバーガラス34の段差45a部分とを接着剤(図示せず)で接着するとともに、電磁波吸収部材29の端部29aと、GND線39とを導電性の接着剤、例えば、銀ペースト(図示せず)等で接着すればよい(図2及び図5参照)。
さらに、電磁波吸収部材29のボンディングワイヤ43と対面する位置には、任意の絶縁性材料から形成された絶縁フイルム(シート)49が貼り付けられている(図5参照)。これにより、ボンディングワイヤ43が導電性(銅材)の電磁波吸収部材29と接触してショートするのを防止できる。
以上のように構成された固体撮像装置25では、固体撮像素子チップ27の第1接続端子36と回路基板28の第2接続端子38とを電気的に接続しているWB接続部分を、接地されている導電性の電波吸収材29で覆っているので、写真撮影時などに各ボンディングワイヤ43から放射される電磁波ノイズの大部分を、電磁波吸収部材29により吸収させることができる。また、電磁波吸収部材29には、撮像素子チップ27の受光面に光が照射されるように開口47が形成されているため、撮像には一切支障をきたさない。なお、若干の電磁波ノイズは開口47から漏れるが、この開口47は回路基板28とは反対側に形成されているため、他のチップを誤動作させるおそれはほとんどない。
次に、本実施形態の作用について説明する。デジタルカメラ10の電源がONされて、撮影者が、モード選択ボタン22を操作してカメラの動作モードを撮影モードに切り替えると、固体撮像装置25の撮像素子チップ27は、撮像レンズ14、開口47及びカバーガラス34を介して、その受光面に照射された被写体光を画像信号に光電変換する。そして、光電変換された画像信号を、WB接続された各接続端子36,38、及び各第2接続端子38の裏側に形成された貫通配線41を介して、画像信号処理用チップ(図示せず)に出力する。この際に、各接続端子36,38をWB接続しているボンディングワイヤ43から放射される電磁波ノイズの大部分は、接地された電磁波吸収部材29に吸収されてしまうので、回路基板28上に実装されている他のチップ(図示せず)が誤動作するのを防止できる。
また、逆に他のチップ(図示せず)から放射される電磁波ノイズをボンディングワイヤ43から拾って、撮像素子チップ27が誤動作してしまうことを防止できる。さらに、本実施例では、前記特許文献2に記載されているように、固体撮像装置25を電磁波吸収パッケージに収納させる代わりに、WB接続部分を電磁波吸収部材29で覆うことで、固体撮像装置25を大型化させることなく、電磁シールドを行うことができる。
なお、本実施例では、撮像素子チップ27(ベアチップ32)の第1接続端子36と、回路基板28の第2接続端子38とを全てWB接続しているが、本発明はこれに限定されるものではない。特に、上述の固体撮像装置駆動用チップ(図示せず)から撮像素子チップ27に出力される水平転送パルスなどの駆動信号や、この水平転送パルスに同期して撮像素子チップ27から画像信号処理用チップ(図示せず)に出力される出力信号(1画面分の画像信号)は、その周波数が14〜28MHzと高いため、これらの信号に対応する接続端子36,38間のボンディングワイヤ43からは、多量の電磁波ノイズが放射される。
そこで、例えば図6(a),(b)に示すように、ベアチップ32を貫通するように貫通配線を形成し、この貫通配線を介して、水平転送パルスや出力信号などの高周波信号の入出力を行うようにしてもよい。以下、ベアチップ32に貫通配線を形成した本発明の第2の実施例である固体撮像装置51について、図6(a),(b)を用いて説明する。なお、固体撮像装置51は、上述の固体撮像装置25とほぼ同じ構造であり、同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。また、図6(b)は、図6(a)の図中点線部分の拡大図を示したものである。
図6(a),(b)に示すように、固体撮像装置51のベアチップ32には、水平転送パルスが入力される、または出力信号が出力される高周波用貫通配線54がベアチップ32を貫通するように形成されている。そして、この高周波用貫通配線54は、ベアチップ32の裏面側に形成された第3接続端子55に接続されている。また、回路基板28には、半田57層を介して第3接続端子55に接続される第4接続端子59が、第3接続端子55に対応する位置に形成されているとともに、この第4接続端子59の裏面側には、上述の第2接続端子38と同様に、図示しない画像信号処理用チップや固体撮像装置駆動用チップに接続されている貫通配線(図示せず)が形成されている。なお、高周波用貫通配線54を形成する代わりに、貫通孔を形成してその内部を金属めっきしてもよい。
このように、ベアチップ32に高周波用貫通配線54を形成し、この高周波用貫通配線54を介して、水平転送パルスや出力信号などの高周波信号の入出力を行うことで、放射される電磁波ノイズの量を減らすことができるため、第1の実施例の固体撮像装置25と比較して、より確実に他のチップ(図示せず)が誤動作するのを防止できる。また、高周波信号に限定されずに、全ての信号が貫通配線を介して入出力されるようにしてもよい。この場合は、ベアチップ32と回路基板28との間を電磁波吸収部材29で囲むだけでよいので、使用する電磁波吸収部材29の量を減らすことができる。
なお、本発明の第1の実施例の固体撮像装置25では、上述したように、開口47から若干電磁波ノイズが漏れるおそれがある。従って、電磁波ノイズの漏れを防止するため、例えば、図7(a),(b)に示すように、WB接続部分を電磁波吸収部材29で完全に覆ってもよい。ここで、図7(a)は、本発明の第3の実施例である固体撮像装置61の断面図を示したものであり、(b)は(a)の図中点線部分の拡大図である。この固体撮像装置61は、電磁波吸収部材29及びカバーガラス34の形状が異なる以外は、第1の実施例である固体撮像装置25と同一の構造であり、同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。
図7(a),(b)に示すように、電磁波吸収部材29は、図5(a),(b)中の段差34aに接着されている部分がベアチップ32側に折り曲げられ、ボンディングワイヤ43(WB接続部分)を完全に覆うような形状に形成されている。この場合には、カバーガラス34に段差34aを形成する必要はない。なお、ボンディングワイヤ43を完全に覆うには、ベアチップ32側に折り曲げられた電磁波吸収部材29の端部29bを、ベアチップ32上に固定(接着)する必要があるが、この際に、ベアチップ32にもGND線39と同じ形状の第2のGND線63を形成しておき、この第2のGND線63上に電磁波吸収部材29の端部29bを導電性の接着剤(図示せず)を用いて接着するようにしてもよい。これにより、ボンディングワイヤ43から放射される電磁波ノイズを確実に吸収することができる。
なお、本実施例のGND線39は、第2接続端子38を囲うように形成されているが、必ずしも第2接続端子38を囲うような形状に形成する必要はなく、電磁波吸収部材29の少なくとも1箇所に接続できる形状であれば、任意の形状に形成してよい。また、本実施例では、電磁波吸収部材29として銅材を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の導電性の金属材料や、カーボンブラック、グラファイト、フェライト、またはこれらを粉体或いは短繊維状したものを含んだポリマーや誘電体材料等を用いてもよい。
また、本実施例では、矩形状のベアチップ32の全ての端辺の近傍に、第1接続端子36が形成されているため、電磁波吸収部材29は、撮像素子チップ27全体を覆うような形状に形成されているが、例えば、全ての端辺の近傍に第1接続端子36が形成されていない場合には、電磁波吸収部材29は、WB接続部分のみを覆うような形状に形成されていればよい。
なお、本実施例では、回路基板28の撮影レンズ14側の面に、固体撮像素子チップ27を実装しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、固体撮像素子チップ27を、撮影レンズ14側の面と反対側の面(図2〜図5中の裏面側)に実装するようにしてもよい。この場合は、回路基板28に、撮像素子チップ27を露呈させる開口を形成する。そして、例えば、第1接続端子36上にバンプを形成するとともに、回路基板28の裏面側で、且つ第1接続端子36に対応する位置に接続端子(図示せず)を形成することで、両者の接続端子間を電気的に接続して、その接続部分を電磁波吸収部材で覆えばよい。
また、本実施例では、WLCSP構造の固体撮像装置を例に説明をしたが、本発明は、WLCSP構造の固体撮像装置に限定されるものではなく、撮像素子チップ27がセラミック基板やBGA基板等のパッケージ(半導体パッケージ基板)に実装される通常の固体撮像装置にも適用することができる。この場合は、パッケージに形成された接続端子と固体撮像素子チップ27に形成された接続端子との接続部分を電磁波吸収部材で覆えばよい。
なお、本発明は、デジタルカメラに使用される固体撮像装置に限定されるものではなく、デジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯電話、スキャナ等の各種撮像装置及び画像読取装置に使用される固体撮像装置に本発明を適用することができる。
本発明の固体撮像装置を備えたデジタルカメラの(a)正面斜視図、(b)背面斜視図である。 固体撮像装置の斜視図である。 図2の固体撮像装置の分解斜視図である。 固体撮像装置の固体撮像素子チップを回路基板に実装した状態を示した分解斜視図である。 (a)は図2の固体撮像装置の断面図であり、(b)は(a)の図中点線部分の拡大図である。 (a)は固体撮像素子チップを構成するベアチップに貫通配線を形成した本発明の第2の実施例の固体撮像装置の断面図であり、(b)は(a)の図中点線部分の拡大図である。 (a)はWB接続部分を電磁波吸収部材で完全に覆うようにした本発明の第3の実施例の固体撮像装置の断面図であり、(b)は(a)の図中点線部分の拡大図である。
符号の説明
10 デジタルカメラ
25 固体撮像装置
27 撮像素子チップ
28 回路基板
29 電磁波吸収部材
32 ベアチップ
34 カバーガラス
34a 段差
36 第1接続端子
38 第2接続端子
39 GND線
43 ボンディングワイヤ
47 開口

Claims (3)

  1. 複数の受光素子が配列されているとともに、前記受光素子に電気的に接続されている第1の電極が1つ以上形成されているベアチップと、前記第1の電極と電気的に接続される第2の電極が形成され、前記ベアチップが実装される実装用基板と、前記第1の電極と前記第2の電極とを接続するボンディングワイヤとを備えた固体撮像装置において、
    金属材料で形成されており、前記ベアチップの前記第1電極と、前記実装用基板の前記第2の電極と、前記ボンディングワイヤとを前記受光素子に入射する光を遮らないように覆うとともに、電磁波を吸収する電磁波吸収部材と、
    前記ベアチップ及び前記実装用基板の少なくともどちらか一方に形成され、電磁波吸収部材が接続する接地部とを備えることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記受光素子の受光面と対面する位置に、前記受光素子を保護する透過性の保護部材を設けるとともに、前記保護部材を露呈させる開口を前記電磁波吸収部材に形成したことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記保護部材の前記電磁波吸収部材に接する部分に、段差を形成するとともに、前記開口は、前記段差により形成された前記保護部材の凸部に嵌合可能な形状に形成されていることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
JP2004093630A 2004-03-26 2004-03-26 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP4270455B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004093630A JP4270455B2 (ja) 2004-03-26 2004-03-26 固体撮像装置
US11/090,794 US7391002B2 (en) 2004-03-26 2005-03-25 Solid state imaging device having electromagnetic wave absorber attached to a mounting board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004093630A JP4270455B2 (ja) 2004-03-26 2004-03-26 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005286420A JP2005286420A (ja) 2005-10-13
JP4270455B2 true JP4270455B2 (ja) 2009-06-03

Family

ID=34988662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004093630A Expired - Fee Related JP4270455B2 (ja) 2004-03-26 2004-03-26 固体撮像装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7391002B2 (ja)
JP (1) JP4270455B2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4332130B2 (ja) * 2005-04-26 2009-09-16 新光電気工業株式会社 カメラモジュール
CN100561285C (zh) * 2006-04-07 2009-11-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 镜头模块
KR20090060667A (ko) * 2007-12-10 2009-06-15 삼성디지털이미징 주식회사 디지털 촬영장치
US9661235B2 (en) * 2012-04-13 2017-05-23 Blackmagic Design Pty Ltd. Camera having a separate image capture module and a method of assembling the camera
TW201409671A (zh) * 2012-08-22 2014-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 影像感測器模組及取像模組
TW201409621A (zh) * 2012-08-22 2014-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 影像感測器模組及取像模組
CN103633033B (zh) * 2012-08-23 2018-04-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测器模组及取像模组
TW201426081A (zh) * 2012-12-28 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 影像感測器模組及取像模組
WO2015126328A1 (en) 2014-02-18 2015-08-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
CN103916577B (zh) * 2014-03-24 2018-06-15 南昌欧菲光电技术有限公司 静电导电元件及具有该静电导电元件的摄像模组
WO2017081840A1 (ja) * 2015-11-12 2017-05-18 ソニー株式会社 固体撮像装置及び固体撮像機器
CN106603776B (zh) * 2017-01-11 2019-12-31 Oppo广东移动通信有限公司 终端
FR3066044B1 (fr) * 2017-05-02 2020-02-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Detecteur de rayonnement electromagnetique, encapsule par report de couche mince.
WO2024111882A1 (ko) * 2022-11-23 2024-05-30 삼성전자주식회사 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211877A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像検出器及び放射線像検出装置
JPH08236739A (ja) 1995-02-28 1996-09-13 Nippon Chemicon Corp Ccdモジュールの封止構造
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
US6428650B1 (en) * 1998-06-23 2002-08-06 Amerasia International Technology, Inc. Cover for an optical device and method for making same
US6949808B2 (en) * 2001-11-30 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof
JP3946051B2 (ja) 2002-01-29 2007-07-18 三菱電機株式会社 高周波回路パッケージ
US7038288B2 (en) * 2002-09-25 2006-05-02 Microsemi Corporation Front side illuminated photodiode with backside bump
JP4391079B2 (ja) * 2002-11-28 2009-12-24 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20050211888A1 (en) 2005-09-29
US7391002B2 (en) 2008-06-24
JP2005286420A (ja) 2005-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7391002B2 (en) Solid state imaging device having electromagnetic wave absorber attached to a mounting board
JP4852675B2 (ja) イメージセンサデバイス用の電子アセンブリおよびその製造方法
CN110265368B (zh) 拍摄单元及拍摄装置
JP4673721B2 (ja) 撮像装置及びその製造方法
KR100712449B1 (ko) 촬상 소자 및 카메라 모듈
US20050116138A1 (en) Method of manufacturing a solid state image sensing device
JP4012924B2 (ja) カメラモジュール
JP2005064591A (ja) 小型撮像モジュール
JP2006345196A (ja) 固体撮像素子パッケージの保持構造
JP2007318761A (ja) カメラモジュール及びカメラモジュールアセンブリ
JP2010213034A (ja) 撮像装置
JP2010252164A (ja) 固体撮像装置
JP2009005262A (ja) 半導体装置および撮像装置
JP2010219948A (ja) 表示パネルおよびその製造方法
KR20080031570A (ko) 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈
CN103081105B (zh) 图像拾取装置、图像拾取模块和照相机
JP6631610B2 (ja) 撮像ユニット及び撮像装置
KR20190019729A (ko) 카메라 모듈
KR20080005733A (ko) 이미지 센서 모듈과 카메라 모듈
JP2005347398A (ja) 固体撮像装置用実装基板及びカメラモジュール及び携帯電話機
US10972642B2 (en) Imager and imaging device
JP4182253B2 (ja) カメラモジュール
KR20110030091A (ko) 카메라 모듈
JP5599294B2 (ja) 撮像モジュールおよびその製造方法、並びに電子情報機器
JP2008017505A (ja) カメラモジュール及び光学フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060519

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090212

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090219

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140306

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees