JP6631610B2 - 撮像ユニット及び撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、撮像ユニット及び撮像装置に関する。

セラミックパッケージ内に撮像チップが実装されたパッケージ構造の撮像ユニットが知られている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２００７−０１９４２３号公報

磁気によって、撮像素子で生成される画素信号にノイズが混入する場合がある。

第１の態様においては、撮像ユニットは、複数の受光素子が形成された撮像部及び前記撮像部の周りに位置する回路を有する撮像チップと、前記撮像チップが実装された実装基板と、前記実装基板に設けられ、前記撮像チップを環囲する環囲部材と、前記環囲部材より前記撮像チップ側の位置において、前記撮像部に光が入射する向きに対して前記回路の少なくとも一部を覆って前記回路の少なくとも一部を磁気遮蔽する磁気遮蔽部とを備える。

第２の態様においては、撮像装置は、上記撮像ユニットを備える。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

撮像装置の一例であるカメラ１０の模式断面図である。 撮像モジュール４０を模式的に示す斜視図である。 撮像モジュール４０を模式的に示す断面図である。 撮像モジュール４０を模式的に示す他の断面図である。 撮像チップ１００に形成された回路ブロックの構成を模式的に示す上面図である。 撮像ユニット４２の第１変形例及び第２変形例を模式的に示す断面図である。 撮像ユニット４２の第３変形例及び第４変形例を模式的に示す断面図である。 撮像ユニット４２の第５変形例としての撮像ユニット４２５を模式的に示す断面図である。 撮像ユニット４２の第６変形例としての撮像ユニット４２６を模式的に示す断面図である。 撮像ユニット４２の第７変形例としての撮像ユニット４２７を模式的に示す断面図である。 撮像ユニット４２の第８変形例としての撮像ユニット４２８を模式的に示す断面図である。 撮像ユニット４２の第９変形例としての撮像ユニット４２９を模式的に示す断面図である。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、撮像装置の一例であるカメラ１０の模式断面図である。カメラ１０は、一眼レフレックスカメラである。カメラ１０は、レンズユニット２０及びカメラボディ３０を備える。レンズユニット２０は、交換レンズである。カメラボディ３０には、レンズユニット２０が装着される。レンズユニット２０は、その鏡筒内に、光軸２２に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ３０の撮像モジュール４０へ導く。

本実施形態において、光軸２２に沿う方向をｚ軸方向と定める。すなわち、撮像モジュール４０が有する撮像チップ１００へ被写体光束が入射する方向をｚ軸方向と定める。具体的には、被写体光束が入射する方向をｚ軸マイナス方向と定め、その反対方向をｚ軸プラス方向と定める。撮像チップ１００の長手方向をｘ軸方向と定める。撮像チップ１００の短手方向をｙ軸方向と定める。具体的には、ｘ軸方向及びｙ軸方向は、図１に図示した方向に定められる。ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は右手系の直交座標系である。なお、説明の都合上、ｚ軸プラス方向を上、ｚ軸マイナス方向を下とみなす場合がある。例えば、ｚ軸プラス方向を前方、前側、上方、上側等と呼ぶ場合がある。また、ｚ軸マイナス方向を後方、後側、下方、下側等と呼ぶ場合がある。ｚ軸マイナス方向の側を背面側等と呼ぶ場合がある。

カメラボディ３０は、レンズマウント２４に結合されるボディマウント２６よりｚ軸マイナス方向の位置に、ミラーユニット３１を有する。ミラーユニット３１は、メインミラー３２及びサブミラー３３を含む。メインミラー３２は、レンズユニット２０が射出した被写体光束の光路中に進入した進入位置と、被写体光束の光路から退避した退避位置との間で回転可能に軸支される。サブミラー３３は、メインミラー３２に対して回転可能に軸支される。サブミラー３３は、メインミラー３２とともに進入位置に進入し、メインミラー３２とともに退避位置に退避する。このように、ミラーユニット３１は、被写体光束の光路中に進入した進入状態と、被写体光束から退避した退避状態とをとる。

ミラーユニット３１が進入状態にある場合、メインミラー３２に入射した被写体光束の一部は、メインミラー３２に反射されてピント板８０に導かれる。ピント板８０は、撮像モジュール４０が有する撮像チップ１００の撮像面と共役な位置に配されて、レンズユニット２０の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板８０に形成された被写体像は、ペンタプリズム８２及びファインダ光学系８４を通じてファインダ窓８６から観察される。

ミラーユニット３１が進入状態にある場合、メインミラー３２に入射した被写体光束のうちメインミラー３２で反射した被写体光束以外の光束は、サブミラー３３に入射する。具体的には、メインミラー３２はハーフミラー領域を有し、メインミラー３２のハーフミラー領域を透過した被写体光束がサブミラー３３に入射する。サブミラー３３は、ハーフミラー領域から入射した光束を、結像光学系７０に向かって反射する。結像光学系７０は、入射光束を、焦点位置を検出するための焦点検出センサ７２に導く。焦点検出センサ７２は、焦点位置の検出結果をＭＰＵ５１へ出力する。

ピント板８０、ペンタプリズム８２、メインミラー３２、サブミラー３３及びファインダ光学系８４は、支持部材としてのミラーボックス６０に支持される。ミラーユニット３１が退避状態にあり、シャッタユニット３８の先幕及び後幕が開状態となれば、レンズユニット２０を透過する被写体光束は、撮像チップ１００の撮像面に到達する。

撮像モジュール４０のｚ軸マイナス方向の位置には、基板６２及び表示部８８が順次配置される。表示部８８としては、例えば液晶パネル等を適用できる。表示部８８の表示面は、カメラボディ３０の背面に現れる。表示部８８は、撮像チップ１００からの出力信号から生成される画像を表示する。

基板６２には、ＭＰＵ５１、ＡＳＩＣ５２等の電子回路が実装される。ＭＰＵ５１は、カメラ１０の全体の制御を担う。撮像チップ１００からの出力信号は、フレキシブルプリント基板等を介してＡＳＩＣ５２へ出力される。ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００から出力された出力信号を処理する。

ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００からの出力信号に基づいて、表示用の画像データを生成する。表示部８８は、ＡＳＩＣ５２が生成した表示用の画像データに基づいて画像を表示する。ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００からの出力信号に基づいて、記録用の画像データを生成する。ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００の出力信号に対して例えば画像処理や圧縮処理を施すことで記録用の画像データを生成する。ＡＳＩＣ５２が生成した記録用の画像データは、カメラボディ３０に装着された記録媒体に記録される。記録媒体は、カメラボディ３０に着脱可能に構成されている。

図２は、撮像ユニット４２と光学ユニット４５とブラケット１５０とを含む撮像モジュール４０を模式的に示す斜視図である。図３は、撮像ユニット４２と光学ユニット４５とブラケット１５０とを模式的に示すＡ−Ａ断面図である。図４は、撮像ユニット４２と光学ユニット４５とブラケット１５０とを模式的に示すＢ−Ｂ断面図である。図５は、撮像チップ１００に形成された回路ブロックの構成を模式的に示す図である。

撮像ユニット４２は、撮像チップ１００と、実装基板１２０と、フレーム１４０と、カバーガラス１６０とを有する。

撮像チップ１００は、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサ等の撮像素子である。撮像チップ１００は、撮像領域１０１と、撮像領域１０１の周辺に位置する周辺領域１０２とを含んで構成される。撮像領域１０１は、ｘｙ平面において撮像チップ１００の中央部分に形成される。

図５に示されるように、撮像チップ１００の撮像領域１０１には、画素部５００が形成されている。周辺領域１０２には、周辺回路部５７０が形成されている。周辺回路部５７０は、処理回路部５４０、駆動回路部５８０及び出力回路部５９０を有する。

画素部５００は、Ｎ×Ｍ個の単位セル５０１を有する。単位セル５０１は、ｘｙ面内において二次元状に配列されている。例えば、単位セル５０１は、ｘｙ面内においてマトリクス状に配列されている。単位セル５０１のそれぞれは、１行からＮ行のうち対応する１つの行において、１列からＭ列のうち対応する１つの列に対応する位置に設けられる。単位セル５０１のそれぞれは、光電変換素子、光電変換素子が蓄積した蓄積電荷のリセット動作や読み出し動作を行うトランジスタ等の回路を含む。Ｎ×Ｍ個の単位セル５０１により形成される光電変換領域により撮像面が形成される。

駆動回路部５８０は、画素部５００を駆動する。駆動回路部５８０は、シフトレジスタ、タイミングジェネレータ等を有する。駆動回路部５８０は、単位セル５０１を駆動して、単位セル５０１が有する光電変換素子が光電変換することによって得られた信号を出力させる。単位セル５０１は、単位セル５０１が受光した受光量を示すアナログ信号の画素信号を出力する。処理回路部５４０は、単位セル５０１から出力された信号に対して信号処理を行う。処理回路部５４０は、ＣＤＳ回路５５０及びＡＤ変換回路５６０を含む。ＣＤＳ回路５５０は、ＣＤＳ（ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ ｄｏｕｂｌｅ ｓａｍｐｌｉｎｇ）処理を行う。ＣＤＳ回路５５０は、単位セル５０１から出力された画素信号に含まれるノイズを除去する。ＡＤ変換回路５６０は、アナログ信号である画素信号をデジタル信号の画素信号に変換する。出力回路部５９０は、デジタル信号の画素信号を、実装基板１２０へ出力する。撮像チップ１００の機能及び動作の詳細については、後述する。

撮像チップ１００は、実装基板１２０に実装される。撮像チップ１００は、実装基板１２０の第１主面１１２１に実装される。撮像チップ１００は、実装基板１２０に接着剤で接着されることにより、実装基板１２０に実装される。

撮像チップ１００は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０と電気的に接続される。ボンディングワイヤ１１０は、実装基板１２０の第１主面１１２１において、撮像チップ１００が実装される実装領域の周辺に形成されたボンディングパッドに接続される。撮像チップ１００が有するＡＤ変換回路５６０でデジタル信号に変換された画素信号は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０に出力される。ボンディングワイヤ１１０は、出力回路部５９０の一部に形成されたボンディングパッドに電気的に接続される。

実装基板１２０は、第１層１２１と、芯層２０７と、第２層１２２とを含む。第１層１２１は、ソルダレジスト層２０１と、配線層２０２と、絶縁層２０３と、配線層２０４と、絶縁層２０５とを含む。第２層１２２は、絶縁層２１５と、配線層２１４と、絶縁層２１３と、配線層２１２と、ソルダレジスト層２１１とを含む。実装基板１２０は、芯層２０７をコア層として有する多層コア基板である。

実装基板１２０において、光軸２２に沿って、撮像チップ１００、ソルダレジスト層２０１、配線層２０２、絶縁層２０３、配線層２０４、絶縁層２０５、芯層２０７、絶縁層２１５、配線層２１４、絶縁層２１３、配線層２１２、ソルダレジスト層２１１の順で配されている。

絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３は、例えば樹脂層である。絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３それぞれの厚みは、３０μｍ〜４０μｍである。なお、厚みとは、ｚ軸方向における長さである。

配線層２０２、配線層２０４、配線層２１４及び配線層２１２は、配線パターンを含む。配線層２０２、配線層２０４、配線層２１４及び配線層２１２の材料として、ニッケルと鉄の合金（例えば４２ａｌｌｏｙ、５６ａｌｌｏｙ）、銅、アルミニウム等を用いることができる。配線層２０２、配線層２０４、配線層２１４及び配線層２１２が有する配線パターンそれぞれの厚みは、３０μｍから４０μｍ程度である。

芯層２０７は、金属で形成される。芯層２０７を金属で形成する場合、芯層２０７の材料として例えばニッケルと鉄の合金（例えば４２ａｌｌｏｙ、５６ａｌｌｏｙ）、銅、アルミニウム等を用いてよい。芯層２０７の厚みは、配線層２０２、配線層２０４、配線層２１４及び配線層２１２のいずれの配線層の厚みより厚い。芯層２０７の厚みは、絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３のいずれの絶縁層の厚みより厚い。具体的には、芯層２０７の厚みは、０．１ｍｍから０．４ｍｍ程度である。芯層２０７の剛性は、配線層２０２、配線層２０４、配線層２１４及び配線層２１２のいずれの配線層の剛性よりも高い。芯層２０７の剛性は、第１層１２１の剛性より高くてもよい。芯層２０７の剛性は、第２層１２２の剛性より高くてもよい。

なお、芯層２０７は樹脂で形成されてもよい。芯層２０７を樹脂で形成する場合、芯層２０７の材料としてＦＲ４を用いてよい。芯層２０７は樹脂で形成する場合、芯層２０７はｚ軸方向において配線層に挟まれる。例えば、芯層２０７を樹脂で形成する場合、光軸２２に沿って、撮像チップ１００、ソルダレジスト層２０１、配線層２０２、絶縁層２０３、配線層２０４、芯層２０７、配線層２１４、絶縁層２１３、配線層２１２、ソルダレジスト層２１１の順で配されてよい。２層の配線層を追加で配する場合は、配線層２０４と芯層２０７との間に、配線層２０４に接触する追加の絶縁層と芯層２０７に接触する追加の配線層とが光軸２２に沿って順で配され、芯層２０７と配線層２１４との間に、芯層２０７に接触する追加の配線層と、配線層２１４に接触する追加の絶縁層とを光軸２２に沿って順に配される。

このように、実装基板１２０は、金属コアまたは樹脂コアを有する多層コア基板である。実装基板１２０の厚みは、全体として０．３ｍｍから１．０ｍｍ程度であってよい。

配線層２０４に含まれる配線パターン及び配線層２１４に含まれる配線パターンは、例えば、後述するグランドライン、電源ライン等に使用できる。配線層２０２の少なくとも一部は、撮像チップ１００からボンディングワイヤ１１０を介して出力された画素信号を受け取る配線パターンに使用される。撮像チップ１００とボンディングワイヤ１１０で接続されるボンディングパッドは、配線層２０２に形成される。

撮像チップ１００は、ソルダレジスト層２０１上に実装される。ボンディングパッドと配線層２１２とは、第１層１２１及び芯層２０７を貫通するビア１３１によって電気的に接続されている。ビア１３１は、絶縁体１３２により覆われている。撮像チップ１００からボンディングワイヤ１１０を介してボンディングパッドに出力された画素信号は、配線層２０２及びビア１３１を介して、配線層２１２に伝送される。

ソルダレジスト層２１１上には、電子部品１８０が設けられる。電子部品１８０は、例えばコネクタ、キャパシタ、抵抗、レギュレータ、トランジスタ等を含む。電子部品１８０は、撮像チップ１００内の回路に電力を供給する電源回路等を構成する。電子部品１８０の一部としてのコネクタは、例えばフレキシブル基板が接続される。電子部品１８０の一部としてのコネクタは、配線層２１２に接続され、配線層２１２に伝送された画素信号は、コネクタ及びフレキシブル基板を介して、ＡＳＩＣ５２等の外部の電子回路へ伝送される。

電子部品１８０のリード部材は、配線層２１２にはんだ等で固定されている。電子部品１８０と配線層２１２とは、リード部材によって電気的に接続される。このように、電子部品１８０は、１つの実装基板１２０において撮像チップ１００が実装された第１主面１１２１とは反対側の第２主面１１２２に設けられる。

撮像チップ１００は、実装基板１２０にＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）実装されている。撮像チップ１００は、実装基板１２０に接着剤で接着される。例えば、撮像チップ１００は、熱硬化性接着剤を熱硬化させることで、実装基板１２０に接着される。ボンディングワイヤ１１０は、撮像チップ１００及びボンディングパッドに、ワイヤボンディング工程によって接続される。ボンディングワイヤ１１０は、熱圧着によってボンディングパッドに接続される。ボンディングワイヤ１１０は、超音波圧着によってボンディングパッドに接続されてよい。フレーム１４０は、実装基板１２０に接着剤で接着される。例えば、フレーム１４０は、熱硬化された熱硬化性接着剤によって、実装基板１２０に接着される。

フレーム１４０は、撮像チップ１００を環囲する環囲部材の一例である。フレーム１４０は、撮像チップを環囲するための開口部２４５を有している。開口部２４５は、第１開口２４４と、第２開口２４６とで構成されている。フレーム１４０は、第１開口２４４と第２開口２４６とを有する。フレーム１４０は、開口部２４５に収容された撮像チップを環囲する。具体的には、実装基板１２０に実装されたフレーム１４０の第１開口２４４は、撮像チップ１００を環囲する。よって、撮像チップ１００は、フレーム１４０の第１開口２４４に収容される。

フレーム１４０は、第１面１４１と、第２面１４２と、第３面１４３と、第４面１４４と、第５面１４５と、第６面１４６と、第７面１４７と、第８面１４８とを有する。第１面１４１、第２面１４２、第３面１４３、第４面１４４及び第５面１４５は、フレーム１４０の外面を形成する。第６面１４６、第７面１４７及び第８面１４８は、フレーム１４０の内面を形成する。第６面１４６及び第８面１４８は、フレーム１４０の内壁面を形成する。第８面１４８は、第２開口２４６を形成する。第２開口２４６は、例えばｘｙ面内の中央部分に形成される。第６面１４６は、第１開口２４４を形成する。第１開口２４４は、例えばｘｙ面内の中央部分に形成される。第１開口２４４は、第２開口２４６に対してｚ軸マイナス側に位置する開口部である。第２開口２４６は、第１開口２４４に対してｚ軸プラス方向側に位置する開口部である。第２開口２４６の体積は、第１開口２４４の体積より小さい。第６面１４６のうち互いに対向する複数の面の間における最短距離は、第８面１４８のうち互いに対向する複数の面の間における最短距離より長い。

第１面１４１は、カバーガラス１６０に接着される面である。第１面１４１は、第８面１４８の端部に接する面である。第１面１４１は、第８面１４８の外縁に沿って形成される。第１面１４１は、ｘｙ平面と略平行な面である。

第２面１４２は、第１面１４１の端部に接する面である。第２面１４２は、第１面１４１の外縁に沿って形成される面である。第２面１４２は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第３面１４３は、第２面１４２の端部に接する面である。第３面１４３は、ｘｙ平面と略平行な面であり、第１面１４１と略平行な面である。

第４面１４４は、第３面１４３の端部に接する面である。第４面１４４は、第３面１４３の外縁に沿って形成される面である。第４面１４４は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第５面１４５は、第４面１４４の端部に接する面である。第５面１４５は、第４面１４４の外縁に沿って形成される面である。第５面１４５は、ｘｙ平面と略平行な面である。第５面１４５は、第１面１４１及び第３面１４３と略平行な面である。第５面１４５は、実装基板１２０と接着される面である。

第６面１４６は、第５面１４５の端部に接する面である。第６面１４６は、第５面１４５の内縁に沿って形成される面である。第６面１４６は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第７面１４７は、第６面１４６の端部に接する面である。第７面１４７は、第６面１４６の上縁に沿って形成される面である。第７面１４７は、ｘｙ平面と略平行な面である。第７面１４７は、第１面１４１及び第３面１４３と略平行な面である。

第８面１４８は、第７面１４７の端部に接する面である。第８面１４８は、第７面１４７の内縁に沿って形成される面である。第８面１４８は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。第８面１４８は、第６面１４６より内側に位置する。第８面１４８は、第６面１４６より光軸２２側に位置する。第８面１４８によって形成される第２開口２４６は、撮像チップ１００に入射する光を通過する開口を規定する。

フレーム１４０は、第１面１４１と第２面１４２と第３面１４３とにより形成された段部を有する。フレーム１４０は、取付部として取付穴２４０を有する。フレーム１４０は、例えば３つの取付穴２４０を有する。３つの取付穴２４０はいずれも第３面１４３から第５面１４５までを貫通する穴である。３つの取付穴２４０はいずれも、撮像ユニット４２をミラーボックス６０等の他の構造体に取り付けるために利用される。

フレーム１４０は、３つの取付穴２４０を介して、ビス２４２で例えばビス止めされることで、ブラケット１５０に固定される。ブラケット１５０は、例えばビス止めされることでミラーボックス６０に固定される。よって、撮像ユニット４２は、ミラーボックス６０に固定される。

取付穴２４０を用いてフレーム１４０とブラケット１５０とを例えば金属のビス２４２でビス止めした場合、撮像チップ１００からミラーボックス６０までの伝熱経路の熱抵抗を低減することができる。そのため、撮像チップ１００が動作することによって生じた熱を、ミラーボックス６０に効率的に放熱することができる。

なお、撮像ユニット４２は、ブラケット１５０を介さずにミラーボックス６０に固定されてもよい。撮像ユニット４２はブラケット１５０を有さなくてよく、フレーム１４０がミラーボックス６０に直接に固定されてもよい。例えば、撮像ユニット４２は、フレーム１４０が有する３つの取付穴２４０を介して例えばビス止めされることで、ミラーボックス６０に固定されてよい。なお、撮像ユニット４２を固定する構造体はミラーボックス６０に限られない。撮像ユニット４２は、ミラーボックス６０以外の他の構造体に対して固定されてよい。

カバーガラス１６０は、撮像チップ１００を封止するために用いられる。カバーガラス１６０は、フレーム１４０と接着剤で接着される。カバーガラス１６０は、フレーム１４０の第１開口２４４を覆うようにフレーム１４０に固定される。カバーガラス１６０は、フレーム１４０及び実装基板１２０とともに密封空間を画定する。

カバーガラス１６０をフレーム１４０に接着する接着剤としては、光硬化型接着剤を適用できる。例えば、カバーガラス１６０をフレーム１４０に接着する接着剤としては、紫外線硬化型接着剤を適用できる。カバーガラス１６０の材料としてホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、耐熱ガラス等を用いることができる。カバーガラス１６０は透光性を有している。カバーガラス１６０の厚みは、０．４ｍｍから１．０ｍｍである。

カバーガラス１６０は、撮像チップ１００、ボンディングワイヤ１１０及びフレーム１４０が実装基板１２０に実装された後に、フレーム１４０に固定される。カバーガラス１６０は透光性を有するので、カバーガラス１６０とフレーム１４０との間を、光硬化型接着剤を用いて接着することができる。なお、カバーガラス１６０は、透光性部材の一例である。透光性部材としては、ガラスの他に水晶等を適用できる。

このように、実装基板１２０と、フレーム１４０と、カバーガラス１６０とによって、密封空間が形成される。撮像チップ１００は、実装基板１２０と、フレーム１４０と、カバーガラス１６０とによって形成される密封空間内に配置されている。これにより、撮像チップ１００が外部環境の影響を受けにくくなる。例えば、撮像チップ１００が密封空間外に存在する水分の影響を受けにくくなる。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。

光学ユニット４５は、マスクゴム２７２と、光学素子２７４と、押さえ部材２８０とを含む。光学素子２７４は、光学ローパスフィルタ２７６と、赤外カットフィルタ２７８とを含む。光学ローパスフィルタ２７６及び赤外カットフィルタ２７８は、ｚ軸マイナス方向に、光学ローパスフィルタ２７６、赤外カットフィルタ２７８の順で配置されている。なお、光学ローパスフィルタ２７６を構成する複数の光学層のうち一部の光学層の機能をカバーガラス１６０に含めてもよい。この場合、光学ローパスフィルタ２７６は、カバーガラス１６０に含めた一部の光学層の機能を除いて、すなわち複数の光学層のうち残りの光学層だけで構成することができる。

押さえ部材２８０は、ビス２８２によりブラケット１５０にビス止めされる。押さえ部材２８０は、光学素子２７４よりｚ軸プラス方向に位置する部分を有する。押さえ部材２８０は、マスクゴム２７２を介して光学素子２７４を撮像ユニット４２に押さえ付けた状態で、光学素子２７４を固定する。光学素子２７４は、ブラケット１５０にビス止めされた押さえ部材２８０から加わるｚ軸マイナス方向の力により、押さえ付けられている。

押さえ部材２８０は、金属材料で形成される。押さえ部材２８０は一対の平坦部２８８を有する。押さえ部材２８０は、平坦部２８８においてビス２８２によりブラケット１５０にビス止めされる。これにより、光学ユニット４５は、撮像ユニット４２及びブラケット１５０とともに撮像モジュール４０として組み付けられる。したがって、撮像チップ１００の撮像領域１０１には、光学素子２７４及びカバーガラス１６０を透過した光のうち、第８面１４８で形成される第２開口２４６を通過した光の少なくとも一部が入射する。

フレーム１４０は、磁界を遮断する遮断部材である。フレーム１４０は、磁界から周辺回路を磁気遮蔽する磁気遮蔽部材である。具体的には、実装基板１２０に実装されたフレーム１４０は、実装基板１２０に実装された撮像チップ１００の周辺回路部５７０に磁界が与える影響を抑制する。よって、フレーム１４０は、撮像チップ１００で生成される画素信号にノイズが混入することを抑制できる。具体的には、フレーム１４０は、画素部５００から出力された画素信号にノイズが混入することを抑制できる。このように、フレーム１４０は、撮像チップ１００を環囲する部材であるとともに磁界を遮断する部材である。よって、磁界から周辺回路部を磁気遮蔽する遮蔽部材を別部材で設けなくてもよい。

フレーム１４０が有する磁気遮蔽特性について説明する。フレーム１４０は、磁気遮蔽性を有する材料で形成される。磁気遮蔽性を有する材料は、金属材料、磁性体材料等であってよい。なお、金属とは、金属様性質を示す物質をいう。金属とは、合金を含む概念である。金属とは、非金属を一部に含む合金であってよい。フレーム１４０を形成する材料として、例えば鉄材、フェライト、パーマロイ等を例示できる。

フレーム１４０は、撮像チップ１００側に突出する突出部２００を有する。突出部２００は、第６面１４６から突出する。具体的には、突出部２００は、第６面１４６に対して撮像チップ１００側に向かって突出する。突出部２００は、フレーム１４０の第７面１４７と、フレーム１４０の第８面１４８と、フレーム１４０の第１面１４１の一部とによって形成される。突出部２００は、フレーム１４０の第７面１４７と、フレーム１４０の第８面１４８と、フレーム１４０の第１面１４１のうち第６面１４６より撮像チップ１００側の部分とによって形成される。フレーム１４０は、第５面１４５と第６面１４６と第７面１４７とにより形成された段部を有する。突出部２００の第１面１４１の一部は、カバーガラス１６０に面して接着剤で接着されている。

突出部２００が第６面１４６から突出しているので、第６面１４６のうち互いに対向する複数の面の間における最短距離は、第８面１４８のうち互いに対向する複数の面の間における最短距離より長い。フレーム１４０は、単一の部材である。フレーム１４０は、突出部２００を含め、一体に形成されている。

フレーム１４０の第７面１４７は、撮像チップ１００の周辺領域１０２に配された周辺回路部５７０が形成された面に略平行である。フレーム１４０の第７面１４７は、撮像チップ１００の周辺領域１０２に対向する。フレーム１４０の第７面１４７は、撮像チップ１００の周辺領域１０２に配された処理回路部５４０が形成された領域に対向する。ｘｙ平面に平行な面に投影した場合、第７面１４７は処理回路部５４０と重なる部分を有する。また、フレーム１４０の第７面１４７は、撮像チップ１００の周辺領域１０２に配された出力回路部５９０が形成された領域に対向する。フレーム１４０の第７面１４７は、撮像チップ１００の周辺領域１０２に配された駆動回路部５８０が形成された領域に対向する。

突出部２００及び処理回路部５４０は、突出部２００及び処理回路部５４０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、突出部２００が正射影された領域と処理回路部５４０が正射影された領域とは少なくとも一部が重なるように実装基板１２０に配置されている。特に、突出部２００及びＡＤ変換回路５６０は、突出部２００及びＡＤ変換回路５６０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、突出部２００が正射影された領域とＡＤ変換回路５６０が正射影された領域とは少なくとも一部が重なるように実装基板１２０に配置されていることが好ましい。さらに、突出部２００及びＡＤ変換回路５６０は、突出部２００及びＡＤ変換回路５６０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、ＡＤ変換回路５６０が正射影された領域全体が、突出部２００が正射影された領域に含まれるように実装基板１２０に配置されていることがより好ましい。突出部２００及び処理回路部５４０は、突出部２００及び処理回路部５４０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、処理回路部５４０が正射影された領域全体が、突出部２００が正射影された領域に含まれるように実装基板１２０に配置されている。

突出部２００及び駆動回路部５８０は、突出部２００及び駆動回路部５８０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、突出部２００が正射影された領域と駆動回路部５８０が正射影された領域とは少なくとも一部が重なるように実装基板１２０に配置されている。突出部２００及び駆動回路部５８０は、突出部２００及び駆動回路部５８０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、駆動回路部５８０が正射影された領域全体が、突出部２００が正射影された領域に含まれるように実装基板１２０に配置されている。

突出部２００及び出力回路部５９０は、突出部２００及び出力回路部５９０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、突出部２００が正射影された領域と出力回路部５９０が正射影された領域とは少なくとも一部が重なるように実装基板１２０に配置されている。突出部２００及び出力回路部５９０は、突出部２００及び出力回路部５９０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、出力回路部５９０が正射影された領域全体が、突出部２００が正射影された領域に含まれるように実装基板１２０に配置されている。

このように、突出部２００及び周辺回路部５７０は、突出部２００及び周辺回路部５７０をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、突出部２００が正射影された領域と周辺回路部５７０が正射影された領域とは少なくとも一部が重なるように実装基板１２０に配置されている。ただし、撮像チップ１００及び突出部２００は、すべての単位セル５０１及び突出部２００をｘｙ平面と平行な面に正射影した場合、すべての単位セル５０１が正射影された領域と突出部２００が正射影された領域とが重ならないように実装基板１２０に配置されている。

上述したように、フレーム１４０の一部としての突出部２００は、鉄、パーマロイ、フェライト等の磁気遮蔽性を有する材料で形成されている。したがって、撮像チップ１００の周辺回路部５７０は、少なくとも突出部２００によって磁気的に遮蔽される。例えば、周辺領域１０２に形成されている周辺回路部５７０は、突出部２００によって、撮像チップ１００の外部で発生した磁気から遮蔽される。

周辺回路部５７０は、ｚ軸プラス方向側からｚ軸マイナス方向側を見た場合に突出部２００によって覆われている。そのため、周辺回路部５７０は、突出部２００によって、突出部２００よりもｚ軸プラス方向側に位置する磁気発生源で発生した磁気から遮蔽される。磁気発生源としては、カメラボディ３０に装着されたレンズユニット２０に設けられレンズを駆動するモータ、カメラボディ３０に設けられたモータ、閃光装置等の照明装置用の昇圧回路等、時間的に変動する磁気を発生する磁気発生源を含む。カメラボディ３０に設けられたモータとしては、ミラーボックス６０に対して固定され、シャッタユニット３８が有するシャッタ幕を駆動するモータを例示することができる。

なお、フレーム１４０を形成する材料としては、高透磁率材料を用いることが好ましい。フレーム１４０を形成する材料としては、高導電率材料を用いることが好ましい。フレーム１４０を形成する材料として高導電率材料を用いた場合、材料の透磁率が低くても、時間的に変動する磁気を少なくとも遮蔽することができる。

主として図５を参照して、撮像チップ１００の撮像動作に係る構成及び動作について説明する。駆動回路部５８０は、行リセット線５１０−１〜行リセット線５１０−Ｎを介して、複数の単位セル５０１と電気的に接続されている。駆動回路部５８０は、行選択線５２０−１〜行選択線５２０−Ｎを介して、複数の単位セル５０１と電気的に接続されている。駆動回路部５８０は、列信号線５３０−１〜列信号線５３０−Ｍを介して、複数の単位セル５０１と電気的に接続されている。駆動回路部５８０は、タイミング発生回路、シフトレジスタ等の駆動回路を含む。駆動回路部５８０は、列信号線５３０−１〜列信号線５３０−Ｍに接続された電流源を含む。

処理回路部５４０は、ＣＤＳ回路５５０−１〜ＣＤＳ回路５５０−Ｍと、ＡＤ変換回路５６０−１〜ＡＤ変換回路５６０−Ｍとを含む。ＣＤＳ回路５５０−１〜ＣＤＳ回路５５０−Ｍは、列信号線５３０−１〜列信号線５３０−Ｍを介して、単位セル５０１が出力したアナログ信号を取得する。

単位セル５０１のそれぞれは、行リセット線５１０−１〜行リセット線５１０−Ｎのうち、それぞれの単位セル５０１に対応する行の行リセット線５１０に接続される。単位セル５０１のそれぞれは、行選択線５２０−１〜行選択線５２０−Ｎのうち、それぞれの単位セル５０１に対応する行の行選択線５２０に接続される。単位セル５０１のそれぞれは、列信号線５３０−１〜列信号線５３０−Ｍのうち、それぞれの単位セル５０１に対応する列の列信号線５３０に接続される。

行リセット線５１０−１〜行リセット線５１０−Ｎ及び行選択線５２０−１〜行選択線５２０−Ｎは、単位セル５０１の読み出しを制御する信号を、対応する行に設けられた単位セル５０１に伝送する。行リセット線５１０−１〜行リセット線５１０−Ｎは、駆動回路部５８０が有するシフトレジスタが生成したリセット信号を、対応する行に設けられた単位セル５０１に伝送する。単位セル５０１は、リセット信号に応じて、単位セル５０１が有する光電変換素子の蓄積電荷をリセットする。単位セル５０１は、蓄積電荷がリセットされた状態の光電変換素子の出力信号を、行選択線５２０に出力する。この出力信号は、リセットレベルを示すアナログ信号である。

行選択線５２０−１〜行選択線５２０−Ｎは、駆動回路部５８０が有するシフトレジスタが生成した行選択信号を、対応する行に設けられた単位セル５０１に伝送する。単位セル５０１は、行選択信号に応じて、単位セル５０１が有する光電変換素子の出力信号を列信号線５３０に出力する。この出力信号は、信号レベルを示すアナログ信号である。

ＣＤＳ回路５５０−１〜ＣＤＳ回路５５０−Ｍは、列信号線５３０−１〜列信号線５３０−Ｍのうち対応する１つの列信号線５３０に接続される。ＣＤＳ回路５５０−１〜ＣＤＳ回路５５０−Ｍのそれぞれは、単位セル５０１から列信号線５３０−１〜列信号線５３０−Ｍに出力したアナログ信号のうち、対応する列信号線５３０に出力されたリセットレベルを示すアナログ信号と、信号レベルを示すアナログ信号とを取得する。ＣＤＳ回路５５０−１〜ＣＤＳ回路５５０−Ｍのそれぞれは、リセットレベルと信号レベルとの差分レベルを示すアナログ信号を画素信号として生成する。

ＡＤ変換回路５６０−１〜ＡＤ変換回路５６０−Ｍは、ＣＤＳ回路５５０−１〜ＣＤＳ回路５５０−Ｍのうち対応する１つのＣＤＳ回路５５０に接続される。ＡＤ変換回路５６０−１〜ＡＤ変換回路５６０−Ｍのそれぞれは、対応するＣＤＳ回路５５０が出力した画素信号のアナログ信号をＡＤ変換して、画素信号のデジタル信号を生成する。ＡＤ変換回路５６０−１〜ＡＤ変換回路５６０−Ｍが生成した画素信号のデジタル信号は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０に出力される。

アナログ信号を処理する処理回路部５４０は、少なくとも突出部２００によって、撮像ユニット４２外から磁気的に遮蔽される。そのため、上述した磁気発生源で生じた磁気によって、アナログ信号の画素信号にノイズが加わることを抑制できる。したがって、上述した磁気発生源で生じた磁気によって画像信号に加わるノイズレベルを抑制できる。

また、デジタル信号を出力する出力回路部５９０は、少なくとも突出部２００によって、撮像ユニット４２外から磁気的に遮蔽される。また、主として図３、図４等に示されるように、出力回路部５９０に接続されたボンディングワイヤ１１０も、少なくとも突出部２００によって、撮像ユニット４２外から磁気的に遮蔽される。そのため、上述した磁気発生源で生じた磁気によって、デジタル信号の画素信号にノイズが加わることを抑制できる。したがって、上述した磁気発生源で生じた磁気によって画像信号に加わるノイズレベルを抑制できる。

また、主として図４、図５等に示されるように、駆動回路部５８０は、少なくとも突出部２００によって、撮像ユニット４２外から磁気的に遮蔽される。そのため、上述した磁気発生源で生じた磁気が撮像チップ１００の駆動特性に与える影響を抑制できる。

なお、フレーム１４０は、磁気遮蔽性を有する樹脂で形成されてよい。例えば、フレーム１４０は、金属粉及び磁性粉が配合された樹脂で形成されてよい。

フレーム１４０の電位は、実装基板１２０の接地電位であってよい。フレーム１４０は、実装基板１２０が有するグランドラインに電気的に接続されていてよい。しかし、フレーム１４０の電位は、接地電位でなくてもよい。フレーム１４０は、実装基板１２０のグランドラインに電気的に接続されていなくてよい。フレーム１４０は、カメラボディ３０が有する電気回路を形成する導電部材から電気的に浮いていてよい。フレーム１４０は、カメラボディ３０が有する電気回路を形成する導電部材に接触していなくてよい。

図６は、撮像ユニット４２の第１変形例及び第２変形例を模式的に示す断面図である。図６（ａ）は、撮像ユニット４２の第１変形例としての撮像ユニット４２１を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２１が有する構成要素のうち、図１から図５に関連して説明した撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２１が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２１が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。なお、以下に説明する撮像ユニットの各変形例における実装基板１２０は、図３、図４等に関連して説明した実装基板１２０が有する配線層、絶縁層及び芯層の層構成と同様の層構成を有する。そのため、以下に説明する撮像ユニットの各変形例における実装基板１２０の層構成の図示を省略する。

撮像ユニット４２１は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４１を有する。フレーム７４１は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４１は、第１面３１１と、第２面３１２と、第３面３１３と、第４面３１４と、第５面３１５と、第６面３１６と、第７面３１７と、第８面３１８と、第９面３１９と、第１０面３２０とを有する。第１面３１１は、第１面１４１に対応する。第２面３１２は、第２面１４２に対応する。第３面３１３は、第３面１４３に対応する。第４面３１４は、第４面１４４に対応する。第５面３１５は、第５面１４５に対応する。

撮像ユニット４２１は、撮像ユニット４２が有する突出部２００に対応する突出部４１０を有する。突出部４１０は、ｚ軸方向において、第１面３１１と第５面３１５との間に設けられる。突出部４１０は、ｚ軸方向において、第１面３１１よりｚ軸マイナス方向に位置する。突出部４１０は、ｚ軸方向において、第５面３１５よりｚ軸プラス方向に位置する。

撮像ユニット４２１において、フレーム７４１の内面は、第６面３１６、第７面３１７、第８面３１８、第９面３１９及び第１０面３２０によって形成される。第６面３１６は、第５面３１５の端部に接する面である。第６面３１６は、第５面３１５の内縁に沿って形成される面である。第６面３１６は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第７面３１７は、第６面３１６の端部に接する面である。第７面３１７は、第６面３１６の上縁に沿って形成される面である。第７面３１７は、ｘｙ平面と略平行な面である。第７面３１７は、第１面３１１、第３面３１３及び第５面３１５と略平行な面である。

第８面３１８は、第７面３１７の端部に接する面である。第８面３１８は、第７面３１７の内縁に沿って形成される面である。第８面３１８は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。第８面３１８は、第６面３１６より内側に位置する。第８面３１８は、第６面３１６より光軸２２側に位置する。第８面３１８によって形成される第２開口２４６は、撮像チップ１００に入射する光を通過する開口を規定する。カバーガラス１６０を透過した光のうち、第２開口２４６を通過した光が、撮像チップ１００に入射する。

第９面３１９は、第８面３１８の端部に接する面である。第９面３１９は、第８面３１８の上縁に沿って形成される面である。第９面３１９は、ｘｙ平面と略平行な面である。第９面３１９は、第７面３１７とは反対側の面である。第９面３１９は、第１面３１１、第３面３１３、第７面３１７及び第５面３１５と略平行な面である。

突出部４１０は、第６面３１６より撮像チップ１００側に突出している。突出部４１０は、第１０面３２０より撮像チップ１００側に突出している。突出部４１０は、第７面３１７、第８面３１８及び第９面３１９によって形成される。突出部４１０は、カバーガラス１６０に接触していない。周辺領域１０２に形成された周辺回路部５７０は、少なくとも突出部４１０によって磁気的に遮蔽される。

撮像ユニット４２１によれば、ボンディングワイヤ１１０が第７面３２７に接触しないようにしつつ、突出部４２０を撮像チップ１００の周辺領域１０２に近づけることができる。また、突出部４１０を撮像領域１０１の端部の近くまで突出することができる。また、撮像領域１０１を突出部４１０の近くまで形成することができる。そのため、周辺回路部５７０に対する磁気遮蔽効果を高めることができる。また、撮像領域１０１の面積を広く確保することができる。

図６（ｂ）は、撮像ユニット４２の第２変形例としての撮像ユニット４２２を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２２が有する構成要素のうち、図１から図５に関連して説明した撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２２が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２２が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像ユニット４２２は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４２を有する。フレーム７４２は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４２は、第１面３２１と、第２面３２２と、第３面３２３と、第４面３２４と、第５面３２５と、第６面３２６と、第７面３２７と、第８面３２８と、第９面３２９とを有する。第１面３２１は、第１面１４１に対応する。第２面３２２は、第２面１４２に対応する。第３面３２３は、第３面１４３に対応する。第４面３２４は、第４面１４４に対応する。第５面３２５は、第５面１４５に対応する。撮像ユニット４２１は、撮像ユニット４２が有する突出部２００に対応する突出部４２０を有する。突出部４２０は、突出部２００とは異なる形状を有する。

撮像ユニット４２２において、フレーム７４２の内面は、第６面３２６、第７面３２７、第８面３２８及び第９面３２９によって形成される。第６面３２６は、第５面３２５の端部に接する面である。第６面３２６は、第５面３２５の内縁に沿って形成される面である。第６面３２６は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第７面３２７は、第６面３２６の端部に接する面である。第７面３２７は、第６面３２６の上縁に沿って形成される面である。第７面３２７は、ｘｙ平面と略平行な面である。第７面３２７は、第１面３２１、第３面３２３及び第５面３２５と略平行な面である。第７面３２７は、第６面３２６から撮像チップ１００側に突出する面の一部を形成する。

第８面３２８は、第７面３２７の端部に接する面である。第８面３２８は、第７面３２７の光軸２２側の端部と、第９面３２９のｚ軸マイナス側の端部との間の面である。第８面３２８は、ｚ軸マイナス側の端部と、ｚ軸プラス側の端部とを有する。第８面３２８のｚ軸マイナス側の端部は、第７面３２７の光軸２２側の端部に接する。第８面３２８は、ｘｙ平面に平行ではない。第８面３２８は、ｘｙ平面に対して実質的に傾斜した面である。

第９面３２９は、第８面３２８のｚ軸プラス側の端部に接する面である。第９面３２９は、第８面３２８の内縁に沿って形成される面である。第９面３２９は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。第９面３２９は、第２面３２２及び第６面３２６と略平行な面である。第９面３２９は、第６面３２６より内側に位置する。第９面３２９は、第６面３２６より光軸２２側に位置する。第９面３２９によって形成される第２開口２４６は、撮像チップ１００に入射する光を通過する開口を規定する。カバーガラス１６０を透過した光のうち、第２開口２４６を通過した光が、撮像チップ１００に入射する。

突出部４２０は、第６面３２６より撮像チップ１００側に突出している。突出部４２０は、第７面３２７、第８面３２８、第９面３２９及び第１面３２１のうち第６面１４６より撮像チップ１００側の部分によって形成される。突出部４２０のｚ軸プラス側の面は、カバーガラス１６０に接触している。周辺領域１０２に形成された周辺回路部５７０は、少なくとも突出部４２０によって磁気的に遮蔽される。

撮像ユニット４２２によれば、ボンディングワイヤ１１０が第８面３２８に接触しないようにしつつ、突出部４２０を撮像チップ１００の周辺領域１０２に近づけることができる。また、突出部４２０を撮像領域１０１の端部の近くまで突出することができる。また、撮像領域１０１を突出部４２０の近くまで形成することができる。そのため、周辺回路部５７０に対する磁気遮蔽効果を高めることができる。また、撮像領域１０１の面積を広く確保することができる。また、フレーム７４２のｚ軸方向の幅を小さくすることができる。また、撮像ユニット４２を低背化することができる。また、撮像ユニット４２を小型化することができる。

図７は、撮像ユニット４２の第３変形例及び第４変形例を模式的に示す断面図である。図７（ａ）は、撮像ユニット４２の第３変形例としての撮像ユニット４２３を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２３が有する構成要素のうち、図１から図５に関連して説明した撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２３が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２３が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像ユニット４２３は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４３を有する。フレーム７４３は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４３は、突出部材４３０及びフレーム部材４３２で形成される点で、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０と異なる。突出部材４３０は、平板状の部材である。ｚ軸方向において、突出部材４３０のｚ軸プラス方向の主面は、フレーム部材４３２のｚ軸プラス方向の面と一致する。フレーム７４３の第１面１４１は、突出部材４３０のｚ軸プラス方向の主面と、フレーム部材４３２のｚ軸プラス方向の面とによって形成される。突出部材４３０は、第７面１４７、第８面１４８及び第１面１４１の一部を提供する。

突出部材４３０は、磁気遮蔽性を有する材料で形成される。磁気遮蔽性を有する材料は、上述したように、金属材料、磁性体材料等であってよい。突出部材４３０を形成する材料として、例えば鉄材、フェライト、パーマロイ等を例示できる。

フレーム部材４３２は、樹脂で形成される。フレーム７４３は、突出部材４３０をフレーム部材４３２にアウトサート成形することによって形成される。フレーム部材４３２は、磁気遮蔽性を有しなくてよい。フレーム部材４３２は、磁気遮蔽性を有してもよい。フレーム部材４３２は、磁気遮蔽性を有する樹脂材料で形成されてよい。例えば、フレーム部材４３２は、金属粉及び磁性粉が配合された樹脂で形成されてよい。

なお、フレーム部材４３２は、磁気遮蔽性を有する他の材料で形成されてよい。フレーム部材４３２は、金属材料、磁性体材料等で形成されてよい。フレーム部材４３２を形成する材料として、例えば鉄材、フェライト、パーマロイ等を例示できる。

図７（ｂ）は、撮像ユニット４２の第４変形例としての撮像ユニット４２４を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２４は、撮像ユニット４２１の変形例である。撮像ユニット４２４が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２１が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２１が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２４が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２１が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２４が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２１が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像ユニット４２４は、撮像ユニット４２１が有するフレーム７４１に対応する構成要素としてのフレーム７４４を有する。フレーム７４４は、撮像ユニット４２１が有するフレーム７４１の変形例である。フレーム７４４は、突出部材４４０及びフレーム部材４４２で形成される点で、撮像ユニット４２１が有するフレーム７４１と異なる。突出部材４４０は、平板状の部材である。突出部材４４０は、第７面３１７、第８面３１８及び第９面３１９を提供する。

突出部材４４０は、磁気遮蔽性を有する材料で形成される。磁気遮蔽性を有する材料は、上述したように、金属材料、磁性体材料等であってよい。突出部材４４０を形成する材料として、例えば鉄材、フェライト、パーマロイ等を例示できる。

フレーム部材４４２は、樹脂で形成される。フレーム７４４は、突出部材４４０をフレーム部材４４２にインサート成形することによって形成される。フレーム部材４４２は、磁気遮蔽性を有しなくてよい。フレーム部材４４２は、磁気遮蔽性を有してもよい。フレーム部材４４２は、磁気遮蔽性を有する樹脂材料で形成されてよい。例えば、フレーム部材４４２は、金属粉及び磁性粉が配合された樹脂で形成されてよい。

なお、フレーム部材４４２は、磁気遮蔽性を有する他の材料で形成されてよい。フレーム部材４４２は、金属材料、磁性体材料等で形成されてよい。フレーム部材４４２を形成する材料として、例えば鉄材、フェライト、パーマロイ等を例示できる。

図８は、撮像ユニット４２の第５変形例としての撮像ユニット４２５を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２５が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２５が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２５が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像ユニット４２５は、磁気遮蔽部材４５０を有する。撮像ユニット４２５は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４５を有する。フレーム７４５は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４５は、撮像ユニット４２のフレーム１４０が有する突出部２００を有さない。

磁気遮蔽部材４５０は、カバーガラス１６０のｚ軸プラス側の面である第１面１６１に設けられる。磁気遮蔽部材４５０は、撮像ユニット４２５の一部として、第１面１６１に設けられる。磁気遮蔽部材４５０は、カバーガラス１６０の第１面１６１に、例えば接着剤で接着されている。

磁気遮蔽部材４５０が撮像ユニット４２として組み付けられた場合、磁気遮蔽部材４５０は、光学素子２７４とカバーガラス１６０の第１面１６１との間に位置する。磁気遮蔽部材４５０は、光学ローパスフィルタ２７６よりｚ軸マイナス方向に位置する。磁気遮蔽部材４５０は、赤外カットフィルタ２７８よりｚ軸マイナス方向に位置する。

磁気遮蔽部材４５０は、ｚ軸プラス方向の位置から見た場合に、周辺領域１０２を覆う位置に設けられる。磁気遮蔽部材４５０は、磁気遮蔽性を有する材料で形成される。磁気遮蔽性を有する材料は、上述したように、金属材料、磁性体材料等であってよい。磁気遮蔽部材４５０を形成する材料として、例えば鉄材、フェライト、パーマロイ等を例示できる。磁気遮蔽部材４５０は、板状の部材であってよい。磁気遮蔽部材４５０は、シート状の部材であってよい。

磁気遮蔽部材４５０は、第２開口２４６を有する。磁気遮蔽部材４５０が有する第２開口２４６を通過した光は、カバーガラス１６０を透過して、撮像チップ１００に入射する。

なお、磁気遮蔽部材４５０は、フレーム７４５に接触していてよい。磁気遮蔽部材４５０は、フレーム７４５に接触していなくてよい。磁気遮蔽部材４５０は、第２面１６２に設けられてもよい。

図９は、撮像ユニット４２の第６変形例としての撮像ユニット４２６を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２６は、撮像ユニット４２１の変形例である。撮像ユニット４２６が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２１が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２１が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２６が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２１が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２６が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２１が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像チップ１００は、ボンディングワイヤを有しない。撮像チップ１００は、ボンディングワイヤを介さずに実装基板１２０に電気的に接続される。撮像チップ１００は、実装基板１２０に例えばフリップチップ実装で実装される。撮像チップ１００は、接続部材としてのバンプ部１１１を介して実装基板１２０に電気的に接続される。バンプ部１１１は、周辺領域１０２のｚマイナス方向の位置において、撮像チップ１００と実装基板１２０とを接続する。撮像チップ１００が生成した画素信号は、バンプ部１１１を介して実装基板１２０に伝送される。撮像チップ１００の駆動を制御する信号は、バンプ部１１１を介して撮像チップ１００に伝送される。

ｚ軸プラス方向から見た場合に、周辺領域１０２は突出部４１１によって覆われる。突出部４１１は、バンプ部１１１を磁気遮蔽する。バンプ部１１１は、撮像チップ１００の第２主面１１０２に設けられた撮像チップ側電極と、実装基板１２０の第１主面１１２１に設けられた実装基板側電極とを有する。突出部４１１は、バンプ部１１１が有する撮像チップ側電極及び実装基板側電極を磁気遮蔽する。

撮像ユニット４２６は、撮像ユニット４２１が有するフレーム７４１に対応する構成要素としてのフレーム７４６を有する。フレーム７４６は、撮像ユニット４２１が有するフレーム７４１の変形例である。フレーム７４６が有する突出部４１１は、撮像ユニット４２１のフレーム７４１が有する突出部４１０より、ｚ軸マイナス方向に位置する。撮像ユニット４２６によれば、突出部４１１を撮像チップ１００の周辺領域１０２に近づけることができる。また、突出部４１１を撮像領域１０１の端部の近くまで突出することができる。また、撮像領域１０１を突出部４１１の近くまで形成することができる。そのため、周辺回路部５７０に対する磁気遮蔽効果を高めることができる。また、撮像領域１０１の面積を広く確保することができる。

なお、図７等に関連して説明した撮像ユニット４２４のように、突出部４１１をインサート成形によって形成してもよい。

図１０は、撮像ユニット４２の第７変形例としての撮像ユニット４２７を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２７が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２７が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２７が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像チップ１００は、ボンディングワイヤを有しない。撮像チップ１００は、ボンディングワイヤを介さずに実装基板１２０に電気的に接続される。撮像チップ１００は、実装基板１２０に例えばフリップチップ実装で実装される。撮像チップ１００は、接続部材としてのバンプ部１１１を介して実装基板１２０に電気的に接続される。バンプ部１１１の構成及び用途は、図９に関連して説明したバンプ部１１１の構成及び用途と同様であるので、説明を省略する。

撮像ユニット４２７は、磁気遮蔽部材４７０を有する。撮像ユニット４２７は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４７を有する。フレーム７４７は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４７は、撮像ユニット４２のフレーム１４０が有する突出部２００を有さない。磁気遮蔽部材４７０は、撮像チップ１００に設けられる。磁気遮蔽部材４７０は、撮像チップ１００の第１主面１１０１に設けられる。

図１１は、撮像ユニット４２の第８変形例としての撮像ユニット４２８を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２８が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２８が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２８が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像ユニット４２８は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４８を有する。フレーム７４８は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４８は、第１面３８１と、第２面３８２と、第３面３８３と、第４面３８４と、第５面３８５と、第６面３８６と、第７面３８７と、第８面３８８と、第９面３８９とを有する。第１面３８１は、第１面１４１に対応する。第２面３８２は、第２面１４２に対応する。第３面３８３は、第３面１４３に対応する。第４面３８４は、第４面１４４に対応する。第５面３８５は、第５面１４５に対応する。第６面３８６は、第６面１４６に対応する。第７面３８７は、第７面１４７に対応する。撮像ユニット４２１は、撮像ユニット４２が有する突出部２００に対応する突出部４８０を有する。突出部４８０は、突出部２００とは異なる形状を有する。

撮像ユニット４２８において、フレーム７４８の内面は、第６面３８６、第７面３８７、第８面３８８及び第９面３８９によって形成される。

第８面３８８は、第７面３８７の端部に接する面である。第８面３８８は、第７面３８７の内縁に沿って形成される面である。第８面３８８は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。第８面３８８は、第６面３８６より内側に位置する。第８面３８８は、第６面３８６より光軸２２側に位置する。第８面３８８によって形成される第２開口２４６は、撮像チップ１００に入射する光を通過する開口を規定する。第８面３８８は、ｚ軸プラス側の端部と、ｚ軸マイナス側の端部とを有する。

第９面３８９は、第８面３８８のｚ軸プラス側の端部と、第１面３８１の光軸２２側の端部との間の面である。第９面３８９は、ｚ軸マイナス側の端部と、ｚ軸プラス側の端部とを有する。第９面３８９のｚ軸マイナス側の端部は、第８面３８８のｚ軸プラス側の端部に接する。第９面３８９のｚ軸プラス側の端部は、第１面３８１の光軸２２側の端部に接する。第９面３８９は、ｘｙ平面に平行ではない。第８面３８８は、ｘｙ平面に対して傾斜した面である。このため、実装基板１２０、フレーム７４８及びカバーガラス１６０で囲まれた空間内で生じる光の乱反射を軽減できる。

突出部４８０は、第６面３８６より撮像チップ１００側に突出している。突出部４８０は、第７面３８７、第８面３８８、第９面３８９によって形成される。カバーガラス１６０を透過した光のうち、第８面３８８で形成される第２開口２４６を通過した光が、撮像チップ１００に入射する。周辺領域１０２に形成された周辺回路部５７０は、少なくとも突出部４８０によって磁気的に遮蔽される。

撮像ユニット４２８によれば、突出部４８０を撮像チップ１００の周辺領域１０２に近づけることができる。また、突出部４８０を撮像領域１０１の端部の近くまで突出することができる。また、撮像領域１０１を突出部４８０の近くまで形成することができる。そのため、周辺回路部５７０に対する磁気遮蔽効果を高めることができる。また、撮像領域１０１の面積を広く確保することができる。また、フレーム７４８のｚ軸方向の幅を小さくすることができる。また、撮像ユニット４２を低背化することができる。また、撮像ユニット４２を小型化することができる。

図１２は、撮像ユニット４２の第９変形例としての撮像ユニット４２９を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４２９が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に付されている符号と同じ符号が付された構成要素は、撮像ユニット４２が有する対応する構成要素と同様の機能、構成を有する。撮像ユニット４２９が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その説明を省略する場合がある。撮像ユニット４２９が有する構成要素のうち、撮像ユニット４２が有する構成要素に対応する構成要素について、その差異だけを説明する場合がある。

撮像ユニット４２９は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０に対応する構成要素としてのフレーム７４９を有する。フレーム７４９は、撮像ユニット４２が有するフレーム１４０の変形例である。フレーム７４９は、撮像ユニット４２のフレーム１４０が有する突出部２００を有さない。

撮像ユニット４２９は、磁束集中部材４９０を有する。撮像ユニット４２９におけるフレーム１４０は、撮像ユニット４２のフレーム１４０が有する突出部２００を有さない。フレーム１４０は、磁気遮蔽性を有しない材料で形成されてよい。フレーム１４０は、樹脂で形成されてよい。

磁束集中部材４９０は、例えば磁性体で形成される。磁束集中部材４９０は高透磁率材料で形成されることが好ましい。磁束集中部材４９０及び磁束集中部材４９０の周辺を含む空間において、磁束集中部材４９０内の磁気抵抗は、磁束集中部材４９０外の磁気抵抗より低い。そのため、撮像ユニット４２の外部の磁気発生源で生じた磁束は、磁束集中部材４９０外より、磁束集中部材４９０内に集中する。その結果、周辺領域１０２における磁束密度が低下する。このように、磁束集中部材４９０は、磁束を集中させることによって、周辺回路部５７０を磁気的に遮蔽する。

なお、磁束集中部材４９０と同様の磁束集中部材を、撮像ユニット４２に更に適用してもよい。磁束集中部材４９０と同様の磁束集中部材を、上述した撮像ユニット４２の第１変形例から第８変形例で説明した各撮像ユニットに適用してもよい。

以上に説明した撮像ユニット４２、撮像ユニット４２の第１変形例から第９変形例において、フレーム１４０の表面には、光の反射を抑制する反射抑制加工が施されてよい。フレーム１４０の少なくとも内面に、反射抑制加工が施されてよい。例えば、フレーム１４０の表面に微細な凹凸が形成されてよい。フレーム１４０の表面に反射抑制加工が施されることによって、光の乱反射を抑制することができる。

以上に説明した撮像ユニット４２、撮像ユニット４２の第１変形例から第９変形例において、撮像チップ１００がＡＤ変換回路５６０を有するとした。しかし、ＡＤ変換回路は、実装基板１２０に設けられてよい。この場合、上述したボンディングワイヤ１１０やバンプ部１１１は、アナログ信号を伝送する。

以上に説明した撮像ユニット４２、撮像ユニット４２の第１変形例から第８変形例において、突出部２００、突出部４１０、突出部４１１、突出部４２０、突出部４８０、磁気遮蔽部材４５０及び磁気遮蔽部材４７０は、ｚ軸プラス方向の位置から見た場合に、撮像チップ１００の周辺領域１０２を覆う。しかし、突出部２００、突出部４１０、突出部４１１、突出部４２０、突出部４８０、磁気遮蔽部材４５０及び磁気遮蔽部材４７０は、周辺領域１０２の少なくとも一部を覆ってよい。例えば、突出部２００、突出部４１０、突出部４１１、突出部４２０、突出部４８０、磁気遮蔽部材４５０及び磁気遮蔽部材４７０は、処理回路部５４０を覆い、駆動回路部５８０及び出力回路部５９０の少なくとも一方を覆わなくてよい。

以上の説明において、撮像モジュール４０が、撮像ユニット４２等の撮像ユニット４２と、光学ユニット４５とを有するとして説明した。しかし、撮像モジュール４０は、光学ユニット４５を有しなくてよい。カメラボディ３０は、光学ローパスフィルタ２７６を有しなくてよい。

以上に説明した撮像ユニット４２において、フレーム１４０は、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の２辺のうちｘ軸プラス方向の辺よりｘ軸プラス方向の位置に、１つの取付穴２４０を有する。また、フレーム１４０は、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の２辺のうちｘ軸マイナス方向の辺よりｘ軸マイナス方向の位置に、２つの取付穴２４０を有する。取付穴の位置の変形例としては、フレーム１４０は、撮像チップ１００の長辺に沿う実装基板１２０の２辺のうちｙ軸プラス方向の辺よりｙ軸プラス方向の位置に２つの取付穴を有し、撮像チップ１００の長辺に沿う実装基板１２０の２辺のうちｙ軸マイナス方向の辺よりｙ軸マイナス方向の位置に、１つの取付穴を有してよい。この場合、フレーム１４０は、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の２辺のうちｘ軸プラス方向の辺よりｘ軸プラス方向の位置には取付穴２４０を有さず、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の２辺のうちｘ軸マイナス方向の辺よりｘ軸マイナス方向の位置にも取付穴を有さない。フレーム１４０は、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の２辺の間に、取付穴を有することが好ましい。

このように、フレーム１４０が、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の２辺より外側の位置に取付穴２４０を形成しないようにすることで、撮像チップ１００の短辺に沿う実装基板１２０の辺の近傍に、基板６２を設けることができる。そのため、例えば撮像チップ１００とＡＳＩＣ５２との間の信号の伝送路の長さを短くすることができる。例えば、コネクタ等の電子部品１８０を基板６２の近傍に実装できるので、基板６２と実装基板１２０とを接続するフレキシブル基板の長さを短くすることができる。上述した第１変形例から第９変形例に係る各撮像ユニットについても、上述した取付穴の位置の変形例を適用してよい。

レンズユニット２０及びカメラボディ３０を含むカメラ１０を、撮像装置の一例として取り上げて説明した。しかし、撮像装置とは、レンズユニット２０を含まなくてよい。例えば、カメラボディ３０は撮像装置の一例である。また、撮像装置とは、一眼レフレックスカメラ等のレンズ交換式の撮像装置の他に、レンズ非交換式の撮像装置を含む概念である。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０ カメラ、２０ レンズユニット、２２ 光軸、２４ レンズマウント、２６ ボディマウント、３０ カメラボディ、３１ ミラーユニット、３２ メインミラー、３３ サブミラー、３８ シャッタユニット、４０ 撮像モジュール
４２、４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６、４２７、４２８、４２９ 撮像ユニット
４５ 光学ユニット、５１ ＭＰＵ、５２ ＡＳＩＣ、６０ ミラーボックス、６２ 基板、７０ 結像光学系、７２ 焦点検出センサ、８０ ピント板、８２ ペンタプリズム、８４ ファインダ光学系、８６ ファインダ窓、８８ 表示部
１００ 撮像チップ、１０１ 撮像領域、１０２ 周辺領域
１１０ ボンディングワイヤ、１１１ バンプ部
１２０ 実装基板、１２１ 第１層、１２２ 第２層、１３１ ビア、１３２ 絶縁体
１４０ フレーム、１４１ 第１面、１４２ 第２面、１４３ 第３面、１４４ 第４面、１４５ 第５面、１４６ 第６面、１４７ 第７面、１４８ 第８面
１５０ ブラケット、１６０ カバーガラス
１６１ 第１面、１６２ 第２面
１８０ 電子部品
２００、４１０、４１１、４２０、４８０ 突出部
２０１ ソルダレジスト層、２０２ 配線層、２０３ 絶縁層、２０４ 配線層、２０５ 絶縁層、２０７ 芯層、２１１ ソルダレジスト層、２１２ 配線層、２１３ 絶縁層、２１４ 配線層、２１５ 絶縁層、２４５ 開口部
２４０ 取付穴、２４２ ビス
２４５ 開口部、２４４ 第１開口、２４６ 第２開口
２７２ マスクゴム、２７４ 光学素子、２７６ 光学ローパスフィルタ、２７８ 赤外カットフィルタ、２８０ 押さえ部材、２８２ ビス、２８８ 平坦部
３１１、３２１、３８１ 第１面
３１２、３２２、３８２ 第２面
３１３、３２３、３８３ 第３面
３１４、３２４、３８４ 第４面
３１５、３２５、３８５ 第５面
３１６、３２６、３８６ 第６面
３１７、３２７、３８７ 第７面
３１８、３２８、３８８ 第８面
３１９、３２９、３８９ 第９面
３２０ 第１０面
４３０、４４０ 突出部材、４３２、４４２ フレーム部材、４５０、４７０ 磁気遮蔽部材、４９０ 磁束集中部材
５００ 画素部、５０１ 単位セル、５１０ 行リセット線、５２０ 行選択線、５３０ 列信号線、５４０ 処理回路部、５５０ ＣＤＳ回路、５６０ ＡＤ変換回路、５７０ 周辺回路部、５８０ 駆動回路部、５９０ 出力回路部
１１０１ 第１主面、１１０２ 第２主面、１１２１ 第１主面、１１２２ 第２主面
７４１、７４２、７４３、７４４、７４５、７４６，７４７、７４８、７４９ フレーム

Claims (33)

1. 光学系からの光を電荷に変換する光電変換素子を含む複数の画素が配置される画素部と前記画素からの信号を処理する処理回路が配置される処理回路部とを有する撮像チップと、
   前記撮像チップに電力を供給するための電子部品と、
   前記撮像チップと前記電子部品とが配置される基板であって、第１配線層と第１絶縁層とを少なくとも含む第１層と、第２配線層と第２絶縁層とを少なくとも含む第２層と、前記光学系の光軸方向において前記第１層と前記第２層との間に配置される芯層と、を有する基板と、
   前記処理回路において前記信号に外部からの磁界に基づくノイズが入るのを抑制するための第１部材と、を備え、
   前記撮像チップは、前記第２層よりも前記第１層側において前記基板に接着剤で接着され、
   前記電子部品は、前記基板において前記第１層よりも前記第２層側に配置される撮像ユニット。
2. 前記芯層は、前記光学系の光軸方向において前記第１配線層及び前記第２配線層よりも厚みを有する請求項１に記載の撮像ユニット。
3. 前記芯層は、前記光学系の光軸方向において前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層よりも厚みを有する請求項１又は請求項２に記載の撮像ユニット。
4. 前記処理回路は、前記光学系の光軸方向において前記第１部材と前記芯層との間に配置される請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
5. 前記基板において前記撮像チップの外側に配置され、前記基板とともに前記撮像チップを収容する空間を形成する第２部材を備える請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
6. 光学系からの光が入射され、前記基板及び前記第２部材とともに前記撮像チップを収容する空間を形成する光学素子を備える請求項５に記載の撮像ユニット。
7. 前記第１部材は、前記基板、前記第２部材及び前記光学素子により形成される、前記撮像チップが収容される空間内に配置される請求項６に記載の撮像ユニット。
8. 前記第１部材は、前記第２部材から前記撮像チップ側に突出した突出部を有する請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
9. 前記第１部材及び前記第２部材は、一体に形成された金属部材である請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
10. 前記第１部材は、金属部材であり、
    前記第２部材は、樹脂部材である請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
11. 前記第１部材は、前記第２部材にインサート成形された金属部材である請求項１０に記載の撮像ユニット。
12. 前記処理回路は、前記信号を処理するアナログ回路を含む請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
13. 前記処理回路は、前記信号をデジタル信号に変換する変換回路を含む請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
14. 前記第１部材は、前記光学素子に固定されている請求項６または請求項７に記載の撮像ユニット。
15. 前記撮像チップから前記基板に前記信号を出力するための第３部材を備え、
    前記第１部材は、前記第３部材において前記信号に外部からのノイズが入るのを抑制する請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
16. 光学系からの光から変換された電荷により生成される信号を処理する処理回路を有する撮像チップと、
    前記撮像チップに電力を供給するための電子部品と、
    前記撮像チップと前記電子部品とが配置された基板であって、第１配線層と第１絶縁層とを少なくとも含む第１層と、第２配線層と第２絶縁層とを少なくとも含む第２層と、前記光学系の光軸方向において前記第１層と前記第２層との間に配置される芯層と、を有する基板と、
    前記光学系の光軸方向において前記処理回路の前方に配置され、前記処理回路に磁界に基づくノイズが入るのを抑制する第１部材と、を備え、
    前記撮像チップは、前記第２層よりも前記第１層側において前記基板に接着剤で接着され、
    前記電子部品は、前記基板において前記第１層よりも前記第２層側に配置される撮像ユニット。
17. 前記芯層は、前記光学系の光軸方向において前記第１配線層及び前記第２配線層よりも厚みを有する請求項１６に記載の撮像ユニット。
18. 前記芯層は、前記光学系の光軸方向において前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層よりも厚みを有する請求項１６又は請求項１７に記載の撮像ユニット。
19. 前記処理回路は、前記光学系の光軸方向において前記第１部材と前記芯層との間に配置される請求項１６から請求項１８のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
20. 前記基板において前記撮像チップの外側に配置され、前記基板とともに前記撮像チップを収容する空間を形成する第２部材を備える請求項１６から請求項１９のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
21. 光学系からの光が入射され、前記基板及び前記第２部材とともに前記撮像チップを収容する空間を形成する光学素子を備える請求項２０に記載の撮像ユニット。
22. 前記第１部材は、前記基板、前記第２部材及び前記光学素子により形成される、前記撮像チップが収容される空間内に配置される請求項２１に記載の撮像ユニット。
23. 前記第１部材は、前記第２部材から前記撮像チップ側に突出した突出部を有する請求項２０から請求項２２のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
24. 前記第１部材及び前記第２部材は、一体に形成された金属部材である請求項２０から請求項２３のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
25. 前記第１部材は、金属部材であり、
    前記第２部材は、樹脂部材である請求項２０から請求項２３のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
26. 前記第１部材は、前記第２部材にインサート成形された金属部材である請求項２５に記載の撮像ユニット。
27. 前記処理回路は、前記信号を処理するアナログ回路を含む請求項１６から請求項２６のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
28. 前記処理回路は、前記信号をデジタル信号に変換する変換回路を含む請求項１６から請求項２７のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
29. 前記第１部材は、前記光学素子に固定されている請求項２１または請求項２２に記載の撮像ユニット。
30. 前記撮像チップから前記基板に前記信号を出力するための第３部材を備え、
    前記第１部材は、前記光学系の光軸方向において前記第３部材の前方に配置される請求項１６から請求項２９のいずれか一項に記載の撮像ユニット。
31. 請求項１から請求項３０のいずれか一項に記載の撮像ユニットを備える撮像装置。
32. 前記撮像チップからの出力信号に基づいて画像データを生成する電子回路を備え、
    前記電子回路は、前記基板とは異なる基板に配置される請求項３１に記載の撮像装置。
33. 前記電子回路は、フレキシブルプリント基板を介して前記撮像チップと電気的に接続される請求項３２に記載の撮像装置。

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