KR20110135757A - 이미지 센서 칩 및 이를 포함하는 카메라 모듈 - Google Patents

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KR20110135757A
KR20110135757A KR1020100055668A KR20100055668A KR20110135757A KR 20110135757 A KR20110135757 A KR 20110135757A KR 1020100055668 A KR1020100055668 A KR 1020100055668A KR 20100055668 A KR20100055668 A KR 20100055668A KR 20110135757 A KR20110135757 A KR 20110135757A
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electromagnetic wave
light receiving
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최미나
최경세
이희석
김용훈
황희정
배세란
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삼성전자주식회사
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    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
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Abstract

이미지 센서 칩이 제공된다. 이미지 센서 칩은 광이 입사되는 수광부, 상기 수광부 주변의 로직부, 및 상기 수광부를 제외한 상기 로직부 상에 형성된 전자기파 차폐층을 포함한다.

Description

이미지 센서 칩 및 이를 포함하는 카메라 모듈{Image sensor chip and camera module comprising the same}
본 발명은 이미지 센서 칩 및 이를 포함하는 카메라 모듈에 관한 것이다.
최근 휴대용 디지털 카메라뿐만 아니라, 휴대 전화(mobile phone)에서도 카메라 기능의 채용으로 인하여 초소형 및 고화질의 카메라 모듈에 대한 요구가 증대되고 있다. 이러한 카메라 모듈은 CMOS 이미지 센서 또는 CCD 이미지 센서를 포함하는 이미지 센서 칩 및 상기 이미지 센서 칩상에 적층되며 적어도 하나의 렌즈를 구비하는 렌즈부를 포함할 수 있다.
카메라 모듈의 성능을 저하시키는 원인으로 여러 가지 원인이 있을 수 있으나, 그 중 하나로 외부의 전자기파로 인하여 유발되는 카메라의 오동작 및 영상 불량이 있을 수 있다. 구체적으로, 외부의 전자기파가 카메라 모듈 내부로 여과없이 유입되는 경우에 이미지 센서 칩이 전자기파로 인하여 교란되어 오작동되는 이른바, 전자기파 간섭(EMI: Electro-Magnetic Interference)이 발생한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 렌즈부를 통하여 입출력되는 전자기파를 차폐할 수 있는 이미지 센서 칩을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 렌즈부를 통하여 입출력되는 전자기파를 차폐할 수 있는 카메라 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서 칩의 일 태양은, 광이 입사되는 수광부, 상기 수광부 주변의 로직부, 및 상기 수광부를 제외한 상기 로직부 상에 형성된 전자기파 차폐층을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 카메라 모듈의 일 태양은, 렌즈를 포함하는 렌즈부, 및 상기 렌즈부를 통과한 광이 입사되는 수광부, 상기 수광부 주변의 로직부, 및 상기 수광부를 제외한 상기 로직부 상에 형성된 전자기파 차폐층을 포함하는 이미지 센서 칩을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 자른 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 카메라 모듈의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 카메라 모듈을 채택하는 전자 시스템의 개략적인 블록 다이아그램이다.
도 6 내지 도 9b는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩을 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 평면도이며, 도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 자른 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩(1)은 광이 입사되는 수광부(APS: Active Pixel Sensor)(11), 수광부(11) 주변의 로직부(12), 수광부(11)를 제외한 로직부(12) 상에 형성된 전자기파 차폐층(13), 및 로직부(12)의 가장자리에 배치된 연결 패드(14) 등을 포함한다.
이미지 센서 칩(1)은 동작 및 제작방법에 따라 CMOS(Complementary Metal Oxide Semi-conductor) 이미지 센서 칩 또는 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 칩을 포함할 수 있다. CCD 이미지 센서 칩은 아날로그 회로에 기반을 두고 있으며, 입사된 광이 여러 셀에 뿌려져 각 셀이 그 광에 대한 전하를 저장하고 이 전하의 크기로 명암 정도를 판단한 후, 변환장치로 보내 색상을 표현하는 방식이다. 선명한 화질 표현이 가능하나 데이터 저장용량 및 전력소비량 커, 고화질을 요하는 디지털 카메라 쪽에서 많이 사용된다. CMOS 이미지 센서 칩은 반도체에 아날로그 신호와 디지털 신호처리 회로를 한 곳에 집적시킨 것이다. CCD 이미지 센서 칩과 대비하여 전력소비가 1/10 정도에 불과하며, 전체적으로 필요한 부분이 한 개의 칩으로 구성되어 있어 보다 소형 제품 제작 가능하며, 디지털 카메라, 카메라폰, PMP(Personal Media Player) 등에 많이 사용된다.
광이 입사되는 수광부(11)는 이미지 센서 칩(1)의 중심부에 배치될 수 있다. 수광부(11)는 다수의 픽셀들을 포함할 수 있으며, 각각의 픽셀은 입사되는 광을 감지하여 이를 신호 전하로 변환하는 광전 변환 소자 및 수광량에 대응하는 신호 전하를 발생하도록 전하 증폭 및 스위칭 등을 실행하는 트랜지스터 등을 포함할 수 있다.
수광부(11) 주변으로는 로직부(12)가 배치된다. 로직부(12)는 수광부(11)의 픽셀들을 구동하기 위한 구동 회로, 신호 전하를 디지털 신호로 변환하기 위한 아날로그-디지털 변환기(ACD: Analog-Digital Converter), 디지털 신호를 사용하여 영상 신호를 형성하기 위한 이미지 센서 프로세스(ISP: Image Sensor Process) 등을 포함할 수 있다.
로직부(12)의 가장자리에는 연결 패드(14)가 배치된다. 연결 패드(14)는 수광부(11)의 픽셀들과 전기적으로 연결되며, 외부 회로와 전기적으로 연결된다. 연결 패드(14)는 사각 플레이트 형상을 가질 수 있으며, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 주석(Sn), 납(Pb), 티타늄(Ti), 및 이들의 합금과 같은 도전성 금속 물질로 형성될 수 있다.
로직부(12) 상에는 전자기파 차폐층(13)이 형성된다. 전자기파 차폐층(13)은 카메라 모듈의 하우징 등에 의해 차폐되지 않고 렌즈부를 통하여 입출력되는 전자기파를 차폐하는 역할을 한다. 전자기파 차폐층(13)은 수광부(11)를 제외한 로직부(12) 상에 형성된다. 수광부(11)보다 로직부(12)의 데이터(data) 양이 많고 로직부(12)가 빠르게 동작하므로, 로직부(12)가 전자기파 간섭(EMI: ElectroMgnetic Interference)의 영향을 보다 많이 받는다. 따라서 전자기파 차폐층(13)은 로직부(12) 상에 형성된다. 한편, 전자기파 차폐층(13)은 연결 패드(14) 상에는 형성되지 않고 연결 패드(14)를 노출시킨다.
전자기파 차폐층(13)은 연자성(soft magnetic) 물질 또는 금속 파우더를 포함할 수 있다. 연자성 물질 또는 금속 파우더는 전자기파를 차폐하여 신호의 잡음을 줄일 수 있도록 한다. 연자성 물질은 페라이트(ferrite)를 포함할 수 있으며, 페라이트로는 예를 들어, Mn-Zn 페라이트, Ni-Zn 페라이트 등을 사용할 수 있다. 금속 파우더는 예를 들어, 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 티타늄텅스텐(TiW), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 및 이들의 합금 등과 같은 도전성 금속의 파우더를 포함할 수 있다.
전자기파 차폐층(13)은 예를 들어, 연자성 물질 또는 금속 파우더를 포함하는 물질을 로직부(12) 상에 도포하여 형성하거나, 연자성 물질 또는 금속 파우더를 포함하는 물질로 이루어진 필름을 로직부(12) 상에 부착하여 형성할 수 있다. 전자기파 차폐층(13)은 수광부(11) 상에 형성되지 않으므로, 불투광성을 가질 수 있다.
도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈(2)은 렌즈(45)를 포함하는 렌즈부(40), 렌즈부(40)를 통과한 광이 입사되는 이미지 센서 칩(1), 렌즈부(40) 및 이미지 센서 칩(1)의 측면을 둘러싸는 하우징(50), 이미지 센서 칩(1)이 실장되는 인쇄회로기판(PCB)(20), 및 커넥터(80) 등을 포함한다.
렌즈부(40)는 하나 이상의 렌즈(45) 및 렌즈(45)를 고정하는 렌즈 배럴(41)을 포함한다. 렌즈(45)는 유리 같은 투명한 재질을 구면 또는 비구면으로 만들어 물체로부터 들어오는 빛을 모으거나, 발산시켜 광학적 상(像)을 맺게 한다. 카메라 모듈(2)의 렌즈(45)는 복수개로 구성될 수 있으며, 각각의 렌즈(45)들은 렌즈 배럴(41) 내에 고정될 수 있다.
렌즈(45)는 플라스틱 렌즈와 글래스 렌즈가 있는데, 플라스틱 렌즈는 사출 성형에 의한 단위당 생산 비용이 저렴하고 대규모 생산이 가능하며, 글래스 렌즈는 메가(Mega)급의 고해상도를 대응에 유리하다. 렌즈부(40)의 결합 구성은 카메라 모듈의 특성에 따라 다양한 구조가 가능하므로, 본 발명의 실시예들을 도시하는 도면들에서는 생략하여 간단하게 도시하였다.
이미지 센서 칩(1)은 도 1 및 도 2를 참고로 하여 상술하였으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 전자기파 차폐층(13)은 렌즈부(40)를 통하여 입출력되는 전자기파를 차폐하는 역할을 한다.
렌즈부(40)를 통과한 광이 이미지 센서 칩(1)으로 입사되는 경로에 적외선 차단용 필터(IR cut filter)(30)가 위치할 수 있다. 사람의 눈의 가시 범위는 400nm ~ 700nm 이며 이미지 센서가 감지하는 파장은 380nm ~ 1,000nm 이므로 사람의 눈보다 이미지 센서가 적외선에 더 민감하다. 따라서 적외선 차단용 필터(30)는 적외선에 더 민감한 이미지 센서에 이미지 정보가 도달하기 전에 적외선 영역을 차단시켜 올바른 색재현성을 구현하기 위해 필요할 수 있다.
이미지 센서 칩(1)은 인쇄회로기판(20) 상에 실장된다. 인쇄회로기판(20)은 절연판 등의 한쪽면에 구리 등으로 회로 배선 패턴이 형성된 기판이며, 배선 패턴이 형성된 면이 다층으로 적층되어 형성될 수도 있다. 인쇄회로기판(20)은 리지드 플렉서블 인쇄회로기판(rigid FPCB)일 수 있다. 이하에서는 인쇄회로기판(20)이 리지드 플렉서블 인쇄회로기판인 경우를 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
리지드 플렉서블 인쇄회로기판(20)은 리지드 영역(21) 및 플렉서블 영역(22)을 포함한다. 리지드 영역(21)과 플렉서블 영역(22)은 유연성의 절대적 차이에 의해 구분되는 것이 아니고, 유연성의 상대적 차이에 의해 구분되는 것으로 이해될 수 있다. 플렉서블 영역(22)은 리지드 플렉서블 인쇄회로기판(20)이 부품 등에 삽입되는 등 리지드 플렉서블 인쇄회로기판(20)의 굴곡이 요구되는 경우에 유연성으로 대응할 수 있다. 리지드 영역(21)에서 적층된 배선 패턴이 형성된 절연판의 수는 플렉서블 영역(22)에서 보다 많을 수 있다.
이미지 센서 칩(1)은 리지드 플렉서블 인쇄회로기판(20)의 리지드 영역(21) 상에 실장될 수 있다. 이미지 센서 칩(1)은 와이어(25)를 이용한 와이어 본딩 방식 또는 쓰루 실리콘 비아(through-silicon via)를 이용하여 리지드 플렉서블 인쇄회로기판(20) 상에 실장될 수 있다. 와이어(25)는 전자기파 차폐층(13)에 의해 노출된 연결 패드(14)에 연결된다.
하우징(50)은 렌즈부(40) 및 이미지 센서 칩(1)의 측면을 둘러싼다. 하우징(50)의 상측에는 렌즈부(40)에 광을 입사시키기 위한 개구부가 형성되어 있다. 하우징(50)은 에폭시(epoxy), 알키드(alkyd) 또는 실리콘 수지 등으로 형성될 수 있으며, 사출 금형을 통하여 제작될 수 있다.
리지드 플렉서블 인쇄회로기판(20)의 일단에는 카메라 모듈(2)에 외부 신호를 인가하기 위한 커넥터(80)가 부착될 수 있다. 커넥터(80)는 리지드 영역(21)에 부착될 수 있다.
도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 카메라 모듈을 설명한다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 카메라 모듈의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 카메라 모듈(3)이 본 발명의 일 실시예에 따른 카메라 모듈(2)과 다른 점은, 하우징(50)의 측벽을 감싸는 금속 커버(60)를 더 포함한다는 것이다. 금속 커버(60)는 외부 전자기파를 차폐하는 역할 등을 할 수 있다. 금속 커버(60)는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 티타늄텅스텐(TiW), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 및 이들의 합금과 같은 도전성 금속 물질로 형성될 수 있다. 전자기파 차폐층(13)과 함께 금속 커버(60)를 이용함으로써, 카메라 모듈(3)에 유발될 수 있는 전자기파 간섭을 더욱 차폐할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 카메라 모듈을 채택하는 전자 시스템의 개략적인 블록 다이아그램이다.
도 5를 참조하면, 전자 시스템(electronic system; 300)은 이미지를 촬영하는 카메라 모듈(310), 카메라 모듈(310)로부터 촬영된 이미지에 대하여 데이터 처리하는 프로세서(320), 프로세서(320)와 데이터 통신을 수행하여 데이터화된 이미지를 저장하는 메모리 유닛(330), 프로세서(320)와 데이터 통신을 수행하는 입/출력 장치(340)를 포함할 있다. 이 경우에, 전자 시스템(300)은 휴대용 전화기(cellular phone), 디지털 카메라(digital camera), 디지털 비디오 카메라 또는 휴대용 노트북 컴퓨터(portable notebook computer)에 해당할 수 있다.
카메라 모듈(310)은 도 3 내지 도 4를 참조하여 설명된 카메라 모듈들을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(310)에서 촬영된 이미지 신호는 도 5에 도시되지 않았으나 신호 처리 회로, 예를 들어, 아날로그/디지털(A/D) 변환 회로 등에 의해 디지털 데이터로 변환되어 프로세서(320)에 전송될 수 있다.
프로세서(320)는 상기 디지털로 변환된 이미지에 대하여 다양한 데이터 처리를 수행할 수 있다. 이 경우에, 디지털로 변환된 이미지는 재기입 가능한 반도체 메모리, 예를 들면, 휘발성 메모리에 임시적으로 저장되어 상기 변환된 이미지에 대한 데이터 처리가 수행될 수 있다. 데이터 처리된 이미지는 메모리 유닛(330)에 저장될 수 있다. 메모리 유닛(330)은 재기입 가능한 반도체 메모리 예를 들면, 비휘발성 메모리를 구비할 수 있으며, 처리된 이미지는 상기 비휘발성 메모리에 저장될 수 있다. 비휘발성 메모리는 플래쉬 메모리 카드가 채택될 수 있다.
한편, 전자 시스템(300)은 입/출력 장치(340)를 통하여 개인용 컴퓨터 또는 컴퓨터의 네트워크와 같은 다른 전자 시스템과 이미지 데이터를 교환할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(320)에서 데이터 처리된 이미지가 상기 입/출력 장치(340)과 접속된 외부 기기, 예를 들면, 외부 디스플레이, 개인용 컴퓨터 및 프린터 등으로 출력될 수 있다. 아울러, 입/출력 장치(340)는 컴퓨터 또는 상술한 휴대용 전화기(cellular phone) 등의 주변 버스라인(bus line), 고속 디지털 전송 라인, 또는 무선 송/수신용 안테나로 데이터화된 이미지를 제공할 수 있다. 카메라 모듈(310), 프로세서(320), 메모리 유닛(330), 및 입/출력 장치(340) 상호 간의 이미지 데이터에 대한 통신은 통상의 컴퓨터 버스 구조체들(bus architectures)을 사용하여 이루어질 수 있다.
이하 도 6 내지 도 9b 및 도 1 내지 도 2를 참조하여 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 제조 방법을 설명한다. 도 6 내지 도 9b는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다. 도 7a 내지 도 9b는 도 6의 I 부분의 확대 평면도 및 단면도이다. 도 7a, 도 8a, 및 도 9a는 평면도이며, 도 7b, 도 8b, 및 도 9b는 각각 도 7a, 도 8a, 및 도 9a를 B-B', C-C' 및 D-D' 선에 따라 자른 단면도이다.
도 6, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 이미지 센서 웨이퍼(210)를 준비한다. 이하의 과정들은 이해의 편이를 위해 칩 단위로 기술하기로 한다. 이미지 센서 웨이퍼(210)는 수광부(11), 로직부(12) 및 연결 패드(14)가 형성된 상태로 준비된다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 수광부(11)의 외곽부와 연결 패드(14)가 형성된 영역의 내곽부를 따라 댐(DAM)(410)을 형성한다. 댐(410)은 로직부(12)에 도포되는 전자기파 차폐층 형성 물질이 수광부(11)와 연결 패드(14) 상에 형성되는 것을 방지하는 역할을 한다. 댐(410)은 폴리이미드와 같은 수지 등으로 형성될 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 로직부(12) 상에 전자기파 차폐층 형성 물질을 도포하여 전자기파 차폐층(13)을 형성한다. 전자기파 차폐층(13)은 예를 들어, 연자성 물질 또는 금속 파우더를 포함하는 물질을 로직부(12) 상에 도포하여 형성할 수 있다. 연자성 물질 또는 금속 파우더를 포함하는 물질을 도포하는 것은 예를 들어, 스핀 코팅(Spin Coating), 슬릿 코팅(Slit coating), 스프레이(Spray)법, 스크린 프린팅(Screen Printing), 잉크 젯(Ink-Jet) 프린팅법, 그라비어(Gravure) 인쇄법, 오프셋(Off-Set) 인쇄법, 디스펜싱(Dispensing)법 등을 이용할 수 있다. 수광부(11)의 외곽부 및 연결 패드(14)가 형성된 영역의 내곽부를 따라 형성된 댐(410)이 전자기파 차폐층 형성 물질이 수광부(11)과 연결 패드(14) 상으로 유입되는 것을 방지하므로, 전자기파 차폐층(13)은 수광부(11)와 연결 패드(14)를 노출시키도록 형성된다.
이어서, 도 1 및 도 2를 참조하면, 댐(410)을 제거한다.
도 1 내지 도 2를 참조하여 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 제조 방법을 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서 칩의 제조 방법은 전자기파 차폐층(13)을 전자기파 차폐층 형성 물질로 이루어진 필름을 로직부(12) 상에 부착하여 형성하는 것이다. 수광부(11)와 연결 패드(14) 상에 전자기파 차폐층(13)이 형성되지 않도록 전자기파 차폐층 형성 물질로 이루어진 필름에는 수광부(11) 및 연결 패드(14)에 대응하는 개구부가 형성될 수 있다. 전자기파 차폐층 형성 물질로 이루어진 필름을 로직부(12) 상에 부착하는 것은 예를 들어, 다이 어태치 필름(Die Attach Film) 장비를 사용할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
11: 수광부 12: 로직부
13: 전자기파 차폐층 14: 연결 패드
20: 인쇄회로기판 30: 적외선 차단용 필터
40: 렌즈부 50: 하우징
60: 금속 커버 80: 커넥터
210: 이미지 센서 웨이퍼 410: 댐

Claims (10)

  1. 광이 입사되는 수광부;
    상기 수광부 주변의 로직부; 및
    상기 수광부를 제외한 상기 로직부 상에 형성된 전자기파 차폐층을 포함하는 이미지 센서 칩.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전자기파 차폐층은 연자성(soft magnetic) 물질을 포함하는 이미지 센서 칩.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 연자성 물질은 페라이트(ferrite)를 포함하는 이미지 센서 칩.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 페라이트는 Mn-Zn 페라이트 또는 Ni-Zn 페라이트를 포함하는 이미지 센서 칩.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전자파 장해 방지층은 금속 파우더를 포함하는 이미지 센서 칩.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 금속 파우더는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 티타늄텅스텐(TiW), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 및 이들의 합금의 파우더를 포함하는 이미지 센서 칩.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 전자기파 차폐층은 불투광성을 갖는 이미지 센서 칩.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 전자기파 차폐층은 전자기파 차폐층 형성 물질이 상기 로직부 상에 도포되어 형성되거나, 상기 전자기파 차폐층 형성 물질로 이루어진 필름이 상기 로직부 상에 부착되어 형성된 이미지 센서 칩.
  9. 렌즈를 포함하는 렌즈부; 및
    상기 렌즈부를 통과한 광이 입사되는 수광부, 상기 수광부 주변의 로직부, 및 상기 수광부를 제외한 상기 로직부 상에 형성된 전자기파 차폐층을 포함하는 이미지 센서 칩을 포함하는 카메라 모듈.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 전자기파 차폐층은 연자성 물질 또는 금속 파우더를 포함하는 카메라 모듈.
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