CN116435383A - 光学传感装置、制备方法和电子设备 - Google Patents

光学传感装置、制备方法和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116435383A
CN116435383A CN202310490886.1A CN202310490886A CN116435383A CN 116435383 A CN116435383 A CN 116435383A CN 202310490886 A CN202310490886 A CN 202310490886A CN 116435383 A CN116435383 A CN 116435383A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light signals
transparent conductive
filter
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310490886.1A
Other languages
English (en)
Inventor
苏春华
李富林
韦亚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Goodix Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Priority to CN202310490886.1A priority Critical patent/CN116435383A/zh
Publication of CN116435383A publication Critical patent/CN116435383A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

一种光学传感装置、制备方法和电子设备，能够提升光学检测的准确性以及用户体验。该光学传感装置包括：传感器芯片，用于接收入射光信号以进行光学检测；透明导电层，设置于所述传感器芯片上方，且连接于所述传感器芯片的接地端，所述透明导电层用于耦合环境中的电磁波，并将所述电磁波传输至所述传感器芯片的接地端。

Description

光学传感装置、制备方法和电子设备
技术领域
本申请涉及光学传感技术领域，并且更具体地，涉及一种光学传感装置、制备方法和电子设备。
背景技术
目前，随着光学传感装置的发展，其在电子产品中的应用越来越广泛，如环境光检测、图像信号识别、屏下指纹识别等。
然而，环境中的电磁波容易与光学传感装置中的金属电路发生电磁感应，从而产生电磁噪声，这样不仅会导致电子产品的工作噪声偏高，影响用户体验，还会降低信噪比，影响光学检测的准确性。
发明内容
本申请实施例提供了一种光学传感装置、制备方法和电子设备，可以提升光学检测的准确性以及用户体验。
第一方面，提供一种光学传感装置，包括：传感器芯片，用于接收入射光信号以进行光学检测；透明导电层，设置于所述传感器芯片上方，且连接于所述传感器芯片的接地端。
本申请实施例的技术方案中，在传感器芯片上设置透明导电层，且使得该透明导电层连接于传感器芯片的接地端，这样，一方面，环境中的电磁波可以与传感器芯片上方的透明导电层发生耦合，产生的电磁耦合噪声可以通过接地的方式消除，另一方面，透明导电层的透明特性可以使光学传感装置保持原有的进光量，因此可以提高信噪比和降低工作噪声，从而提升了光学检测的准确性以及用户体验。
在一种可能的实施方式中，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层；所述传感器芯片的接地端设置于所述布线层，所述透明导电层设置于所述布线层上方并连接于所述接地端。
在一种可能的实施方式中，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层；所述传感器芯片的接地端设置于所述基底，所述透明导电层设置于所述布线层上方，且穿过所述布线层的通孔以连接于所述接地端。
在一种可能的实施方式中，所述光学传感装置还包括第一滤光结构，设置于所述传感器芯片上方，用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号。
当光学传感装置应用于环境光检测和图像信号识别等场景时，设置能够滤除红外光信号且透过可见光信号的第一滤光结构，可以减少红外光信号的干扰，提高信噪比。
在一种可能的实施方式中，所述第一滤光结构包括自下而上层叠设置的第一滤光层和第二滤光层；所述第一滤光层用于滤除所述入射光信号中的红外光信号；所述第二滤光层用于透过所述入射光信号中的可见光信号。
在一种可能的实施方式中，所述第二滤光层包括并排设置的多个子滤光层，所述多个子滤光层分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层设置于所述第一滤光层和所述第二滤光层之间；或者，所述透明导电层设置于所述第一滤光层和所述传感器芯片之间。
在一种可能的实施方式中，在所述透明导电层设置于所述第一滤光层和所述第二滤光层之间的情况下，所述透明导电层沿所述第一滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
在一种可能的实施方式中，所述光学传感装置还包括第二滤光结构，设置于所述传感器芯片上方，用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
当光学传感装置应用于自动感应出物场景时，设置能够透过红外光信号且滤除可光信号的第二滤光结构，可以减少可见光信号的干扰，提高信噪比。
在一种可能的实施方式中，所述第二滤光结构包括自下而上层叠设置的第三滤光层和第四滤光层；所述第三滤光层用于滤除所述入射光信号中的可见光信号；所述第四滤光层用于透过所述入射光信号中的红外光信号。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层设置于所述第三滤光层和所述第四滤光层之间；或者，所述透明导电层设置于所述第三滤光层和所述传感器芯片之间。
在一种可能的实施方式中，在所述透明导电层设置于所述第三滤光层和所述第四滤光层之间的情况下，所述透明导电层沿所述第三滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
在一种可能的实施方式中，所述光学传感装置还包括并排设置的第一滤光结构和第二滤光结构，设置于所述传感器芯片上方；所述第一滤光结构用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号；所述第二滤光结构用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
在传感器芯片上方既设置能够滤除红外光信号且透过可见光信号的第一滤光结构，又设置能够透过红外光信号且滤除可光信号的第二滤光结构，可以同时适用多种光学检测场景，如环境光检测和图像信号识别、以及自动感应出物场景等，从而可以提高光学传感装置的适用性。
在一种可能的实施方式中，所述第一滤光结构和所述第二滤光结构设置于所述透明导电层上方；所述第一滤光结构包括并排设置的多个第一子滤光结构，所述多个第一子滤光结构分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
该实施方式中，在可以同时适应多种光学检测场景的情况下，还可以降低光学传感装置的整体厚度，有利于实现装配该光学传感装置的电子设备的轻薄化。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层的材料为氧化烟锡、氟掺杂的氧化锡、非晶硅中的至少一种。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层对所述入射光信号的透过率大于90％。该透明导电层120具有较高的光透过率，可以减少入射光信号的衰减。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层的厚度不超过100nm。将透明导电层的厚度控制在100nm以内，可以保证透明导电层的透光性以及入射光量。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层的厚度在30nm～50nm。将透明导电层的厚度设置在30nm～50nm，可以在兼顾透明导电层透光性与导电性。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电层的阻抗不超过30Ω/cm2。当透明导电层的阻抗不超过30Ω/cm2时，可以保证透明导电层具备将电磁耦合噪声导通至接地端所需的最低导电性能。
在一种可能的实施方式中，通过镀膜或旋涂的方式在所述传感器芯片上形成所述透明导电层。
在一种可能的实施方式中，所述光学传感装置应用在具有显示屏的电子设备，用于设置在所述显示屏的下方，所述传感器芯片用于接收穿过所述显示屏的所述入射光信号以进行屏下光学检测。
第二方面，提供一种光学传感装置的制备方法，包括：提供传感器芯片，所述传感器芯片用于接收入射光信号以进行光学检测；在所述传感器芯片上制备透明导电层，其中，所述透明导电层连接于所述传感器芯片的接地端。
本申请实施例的技术方案中，在传感器芯片上制备透明导电层，且使得该透明导电层连接于传感器芯片的接地端，这样，一方面，环境中的电磁波可以与传感器芯片上方的透明导电层发生耦合，产生的电磁耦合噪声可以通过接地的方式消除，另一方面，透明导电层的透明特性可以使光学传感装置保持原有的进光量，因此可以提高信噪比和降低工作噪声，从而提升了光学检测的准确性以及用户体验。
在一种可能的实施方式中，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层，所述传感器的接地端设置于所述布线层；所述在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：在所述布线层的上方制备所述透明导电层，所述透明导电层连接于所述布线层上的所述接地端。
在一种可能的实施方式中，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层，所述传感器芯片的接地端设置于所述基底；所述在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：在所述布线层的上方制备所述透明导电层，所述透明导电层穿过所述布线层的通孔连接于所述基底的所述接地端。
在一种可能的实施方式中，所述制备方法还包括：在所述传感器芯片上方制备第一滤光结构，所述第一滤光结构用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号。
在一种可能的实施方式中，所述在所述传感器芯片上方制备第一滤光结构包括：制备第一滤光层；在所述第一滤光层的上方制备第二滤光层；其中，所述第一滤光层用于滤除所述入射光信号中的红外光信号，所述第二滤光层用于透过所述入射光信号中的可见光信号。
在一种可能的实施方式中，所述在所述第一滤光层的上方制备第二滤光层包括：并排制备多个子滤光层，所述多个子滤光层分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
在一种可能的实施方式中，所述在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：在制备第一滤光层前，在所述传感器芯片的上表面制备所述透明导电层；或者，在制备第一滤光层后，在所述第一滤光层的上表面制备所述透明导电层。
在一种可能的实施方式中，所述在所述传感器芯片上制备透明导电层还包括：在所述第一滤光层的边缘制备所述透明导电层，所述透明导电层沿所述第一滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
在一种可能的实施方式中，所述制备方法还包括：在所述传感器芯片上方制备第二滤光结构，所述第二滤光结构用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
在一种可能的实施方式中，所述在所述传感器芯片上方制备第二滤光结构包括：制备第三滤光层；在所述第三滤光层的上方制备第四滤光层；其中，所述第三滤光层用于滤除所述入射光信号中的可见光信号，所述第四滤光层用于透过所述入射光信号中的红外光信号。
在一种可能的实施方式中，在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：在制备第三滤光层前，在所述传感器芯片的上表面制备所述透明导电层；或者，在制备第三滤光层后，在所述第三滤光层的上表面制备所述透明导电层。
在一种可能的实施方式中，所述在所述传感器芯片上制备透明导电层还包括：在所述第三滤光层的边缘制备所述透明导电层，所述透明导电层沿所述第三滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
在一种可能的实施方式中，所述制备方法还包括：在所述传感器芯片上方并排制备第一滤光结构和第二滤光结构；所述第一滤光结构用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号；所述第二滤光结构用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
在一种可能的实施方式中，所述在所述传感器芯片上方并排制备第一滤光结构和第二滤光结构包括：在所述透明导电层上方制备所述第一滤光结构和所述第二滤光结构；所述在所述透明导电层上方制备所述第一滤光结构包括：并排制备多个第一子滤光结构，所述多个第一子滤光结构分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
在一种可能的实施方式中，通过镀膜或旋涂的方式在所述传感器芯片上制备所述透明导电层。
第三方面，提供一种电子设备，包括：第一方面或者第一方面中任一种可能的实施方式中的光学传感装置，或者根据第二方面或者第二方面中任一种可能的实施方式中制备的光学传感装置。
附图说明
图1是根据本申请实施例的一种光学传感装置的结构示意图。
图2是根据本申请实施例的另一种光学传感装置的结构示意图。
图3至图8是根据本申请实施例的再几种光学指纹识别装置的示意性结构图。
图9是根据本申请实施例的一种光学传感装置的制备方法的流程框图。
图10至图12是根据本申请实施例的另几种光学传感装置的制备方法的流程框图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
本申请实施例的光学传感装置可以应用于各种电子设备，尤其适用于电脑(Computer)及其周边、通讯(Communications)和消费电子(Consumer-Electronics)等类型的3C电子产品，例如，智能手机、笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备、家电设备、游戏设备等等。此外，该光学传感装置还可以应用于汽车电子等其他类型的电子设备等。
作为示例而非限定，本申请实施例的光学传感装置可以用于光信号检测系统，例如环境光检测，可以实现自动调节键盘灯、屏幕亮度等，又例如红外光检测，可以实现自动感应出物等。本申请实施例的光学传感装置也可以用于光学成像系统，例如进行图像信号识别等，还可以用于进行光学识别系统，例如光学指纹识别等。
在光学成像系统中，传统的光学传感装置可以通过设置红外滤光片或颜色滤光片，将入射光信号中的红外光部分过滤掉，从而得到与人眼响应接近的光信号和图像，但这种方式只能过滤掉信号源中的非可见光信号，无法屏闭电磁干扰。具体地，环境中的电磁波会与光学传感装置表面的金属电路发生电磁感应，导致电子设备噪声偏高，影响用户体验，且会降低信号的信噪比，影响光学检测的准确性。
目前，为了减低电磁干扰对噪声和信噪比的影响，一种方案是在光学传感装置的传感器芯片上放置一层接地的金属网格，以通过金属屏蔽的方式将电磁波信号引导到接地端，但这种方式会减少传感器芯片的透光面积，进入降低传感器芯片接收的入射光量，换言之，该方式虽降低噪声，但也会降低信号量，从而改善信噪比的程度并不明显，甚至会降低信噪比。另一种方案是通过在电子设备的屏幕外设置透明导电基板，以实现电磁屏蔽，这种方式虽然对入射光的损耗小，但不能兼容晶圆制程，且很难与传感器芯片的接地端互联，从而无法将电磁波信号导走，降噪效果不明显。
鉴于此，本申请实施例提供了一种光学传感装置，能够降低环境中电磁波对噪声和信噪比的影响，提高光学检测的准确性以及用户体验。
图1是本申请实施例提供的光学传感装置的示意性结构图。其中，图1的(a)为光学传感装置100的主视截面图，图1的(b)为光学传感装置100的俯视图。如图1所示，该光学传感装置100包括：
传感器芯片110，用于接收入射光信号以进行光学检测。
透明导电层120，设置于传感器芯片110上方，且连接于传感器芯片110的接地端。
其中，透明导电层120可以用于耦合环境中的电磁波，并将所述电磁波传输至传感器芯片110的接地端。需要说明的是，图1并未示出传感器芯片110的接地端。
因此，本申请实施例的光学传感装置，可以在传感器芯片上设置透明导电层，且使得该透明导电层连接于传感器芯片的接地端，这样，一方面，可以使得环境中的电磁波与该透明导电层发生耦合，产生的电磁耦合噪声可以通过接地的方式消除，另一方面，透明导电层的透明特性可以使得光学传感装置保持原有的进光量，因此可以提高信噪比和降低工作噪声，从而提升了光学检测的准确性以及用户体验。
可选地，透明导电层120的材料可以为氧化烟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氟掺杂的氧化锡(F-doped Tin Oxide，FTO)、非晶硅材料中的至少一种。
可选地，透明导电层120对入射光信号的透过率大于90％。也就是说，该透明导电层120具有较高的光透过率，可以减少入射光信号的衰减。
可选地，透明导电层120的厚度不超过100nm。当透明导电层120的厚度超过100nm时，即透明导电层120的厚度过大时，会降低该透明导电层120的透光性，从而增加入射光信号的衰减。因此，将透明导电层的厚度控制在100nm以内，可以保证透明导电层120的透光性以及入射光量。
可选地，透明导电层120的厚度在30nm～50nm。当透明导电层120的厚度过小时，其电阻较大，从而导致其导电性能差，这样降噪效果不明显。通过将透明导电层的厚度设置在30nm～50nm，可以在兼顾透明导电层120透光性与导电性。
可选地，透明导电层120的阻抗不超过30Ω/cm2。应理解，透明导电层120的阻抗过大时，其导电性能较差，这样降噪效果不明显。当透明导电层120的阻抗不超过30Ω/cm2时，可以保证透明导电层120具备将电磁耦合噪声导通至接地端所需的最低导电性能。
继续参照图1的(a)，本申请实施例中的传感器芯片110可以包括基底111和设置于基底111上表面的布线层112。其中，布线层112可以包括金属布线层1121和绝缘层1122，且金属布线层1121可以由绝缘层1122包覆。
在本申请实施例中，基底111的材料可以是硅基、碳化硅、石墨烯、铟镓砷、玻璃等中的一种。
可选地，在一些实施例中，继续参照图1，透明导电层120可以设置于布线层112上方并连接于布线层112的接地端1123。
其中，如图1的(b)所示，布线层112的金属布线层1121除了包括金属线路外，还包括接地端1123和正极1124。接地端1123还可以被称为接地焊盘、负极、GNDPAD等。正极1124还可以被称为正极焊盘、PAD等。通常，接地端1123和正极1124的上方并未被绝缘层1122覆盖或遮挡，以便接地端1123和正极1124与电源或其他部件进行电连接。
需要说明的是，当透明导电层120连接于布线层112的接地端1123时，仅覆盖或连接接地端1123，不覆盖或不连接正极1124。
还需要说明的是，实际上图1的(b)中接地端1123是被透明导电层120覆盖的，因此在该图中用虚线以及虚线框标识该接地端1123，以与未被透明导电层120覆盖的正极1124区分开。
可选地，在一些实施例中，如图2所示，透明导电层120可以设置于布线层112上方，且布线层112具有通孔1125，可以使得该透明导电层120通过该通孔1125连接于基底111的接地端。
需要说明的是，基地111的接地端在图2中并未示出，由于基底111本身接地，透明导电层120通过通孔1125连接于基底111时即相当于连接于基底111的接地端。
还需要说明的是，布线层112上的通孔1122可以贯穿整个布线层112，但不会影响金属布线层1121各个部件或导线之间的连接。
应理解，上述通过在传感器芯片110上方制备透明导电层120，可以降低环境中的电磁波对信噪比的影响。进一步地，在不同的应用场景中，还可以搭配不同的滤光结构，以减少干扰光信号对信噪比的影响。
可选地，作为一个实施例，记为实施例1，如图3所示，光学传感装置100还可以包括第一滤光结构130，该第一滤光结构130设置于传感器芯片110的上方，用于透过入射光信号中的可见光信号且滤除入射光信号中的红外光信号。
其中，图3的(a)为光学传感装置100的主视截面图，图3的(b)为光学传感装置100的俯视图。
作为示例而非限定，该光学传感装置100可以应用于环境光检测和图像信号识别等场景，该类场景主要利用入射光信号中的可见光信号进行光学检测，并不需要红外光信号。也就是说，在该类场景下，红外光信号为干扰信号。因此在传感器芯片上方设置能够滤除红外光信号且透过可见光信号的第一滤光结构，可以减少红外光信号的干扰，提高信噪比。
以下，该实施例1以透明导电层120连接于传感器芯片110中布线层112的接地端1123为例进行说明。当然，该透明导电层120也可以连接于传感器芯片110中基底111的接地端，但附图并未示出该连接方式。
可选地，在一些实施例中，继续参照图3，第一滤光结构130可以包括自下而上层叠设置的第一滤光层131和第二滤光层132。该第一滤光层131可以用于滤除入射光信号中的红外光信号。该第二滤光层132可以用于透过入射光信号中的可见光信号。
具体地，第一滤光层131可以是红外截止滤光片(IR-cut Filter)，具有截止红外光功能，也可以是具有增透减反的滤光膜系，具有截止红外光且增透可见光的功能。第二滤光层132可以是彩色滤光片(Color Filter)，能够透过特定颜色的可见光，吸收其他波段的可见光，从而实现颜色筛选。
一般地，第一滤光层131为无机物，第二滤光层132为有机物，由于第一滤光层131和第二滤光层132的材质不同，两者可以通过透明有机粘附层101进行粘接，来提升可靠性。
可选地，在一些实施例中，第二滤光层132可以包括并排设置的多个子滤光层，该多个子滤光层分别用于透过可见光信号中多个不同波段的光信号。例如，如图3所示的132A、132B和132C，图3所示的子滤光层的数目仅为示例不作限定。
作为示例而非限定，该132A、132B和132C可以分别是红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，其分别用于透过红光、绿光和蓝光。
如图3的(b)所示，传感器芯片110中布线层112的金属布线层1121中除了设置有接地端1123外，还设置有各个子滤光层对应的正极。其中，子滤光层132A、132B和132C对应的正极分别为132APAD、132B PAD和132C PAD。
示例性的，当子滤光层132A、132B和132C分别为红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片时，132APAD、132B PAD和132C PAD分别为REDPAD、GREEN PAD和BLUEPAD。
可选地，在一些实施例中，继续参照图3，透明导电层120可以设置于所述第一滤光层131和传感器芯片110之间。更具体地，透明导电层120设置于第一滤光层131和布线层112之间。其中，如图3的(b)所示，透明导电层120仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，并不覆盖金属布线层1121的正极(132APAD、132B PAD和132C PAD)，从而与接地端1123连接。
需要说明的是，为了清楚展示透明导电层120与金属布线层1121的连接关系，如图3的(b)并未示出第一滤光层131与透明有机粘附层101。
还需要说明的是，实际上图3的(b)中接地端1123是被透明导电层120覆盖的，因此在该图中用虚线以及虚线框标识该接地端1123，以与未被透明导电层120覆盖的正极(132APAD、132B PAD和132C PAD)区分开。
可选地，在一些实施例中，如图4所示，透明导电层120也可以设置于第一滤光层131和第二滤光层132之间。透明导电层120为无机物，透明导电层120与第二滤光层132可以通过透明有机粘附层101进行粘接，来提升可靠性。该实施例中，透明导电层120也仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，不覆盖金属布线层1121的正极，从而与接地端1123连接，具体连接方式可参考图3的(b)。
具体地，在透明导电层120设置于第一滤光层131和第二滤光层132之间的情况下，继续参照图4，透明导电层120可以沿第一滤光层131的边缘连接至传感器芯片110的接地端1123。
应理解，传感器芯片110中金属布线层1121的正极与接地端1123一般设置于较边缘的位置，便于与电源进行连接。当透明导电层120设置于第一滤光层131和第二滤光层132之间，透明导电层120沿第一滤光层131的边缘连接至接地端1123可以降低工艺难度。
可选地，作为另一个实施例，记为实施例2，如图5所示，光学传感装置100除了包括传感器芯片110和透明导电层120外，还可以包括第二滤光结构140，设置于传感器芯片110上方，用于透过入射光信号中的红外光信号且滤除入射光信号中的可见光信号。
作为示例而非限定，该光学传感装置100可以应用于自动感应出物场景中，例如自动感应出水，该类场景主要利用入射光信号中的红外光信号进行光学检测，该红外光信号可以是红外光源发出的，环境中的可见光信号可能会对该红外光信号造成干扰，因此在传感器芯片上方设置能够透过红外光信号且滤除可光信号的第二滤光结构，可以减少可见光信号的干扰，提高信噪比。
以下，该实施例2以透明导电层120连接于传感器芯片110中金属布线层1121的接地端1123为例进行说明，当然，该透明导电层120也可以连接于传感器芯片110中基底111的接地端，本申请对此不作限定。
可选地，在一些实施例中，如图5所示，第二滤光结构140可以包括自下而上层叠设置的第三滤光层141和第四滤光层142。该第三滤光层141可以用于滤除入射光信号中的可见光信号。该第四滤光层142可以用于透过入射光信号中的红外光信号。
其中，图5的(a)为光学传感装置100的主视截面图，图5的(b)为光学传感装置100的俯视图。
具体地，第三滤光层141可以是可见光截止滤光片(Vis-cut Filter)，具有阻挡或滤除可见光的功能。第四滤光层142可以是透过红外彩色滤光片(IR-pass Color Filter)，能够透过红外，且吸收其他波段的入射光。
一般地，第三滤光层141为无机物，第四滤光层142为有机物，由于第三滤光层141和第四滤光层142的材质不同，两者可以通过透明有机粘附层101进行粘接，来提升可靠性。
如图5的(b)所示，传感器芯片110中布线层112的金属布线层1121除设置有接地端1123外，还设置有第四滤光层142对应的正极，即正极为142PAD。当第四滤光层142是IR-pass Color Filter时，142PAD为IRPAD。
可选地，在一些实施例中，继续参照图5，透明导电层120也可以设置于第三滤光层141和传感器芯片110之间。更具体地，透明导电层120设置于第三滤光层141和布线层112之间。如图5的(b)所示，透明导电层120仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，并不覆盖金属布线层1121的正极(142PAD)，从而与接地端1123连接。
需要说明的是，为了清楚展示透明导电层120与金属布线层1121的连接关系，如图5的(b)并未示出第三滤光层141与透明有机粘附层101。
还需要说明的是，实际上图5的(b)中接地端1123是被透明导电层120覆盖的，因此在该图中用虚线以及虚线框标识该接地端1123，以与未被透明导电层120覆盖的正极(142PAD)区分开。
可选地，在一些实施例中，如图6所示，透明导电层120也可以设置于第三滤光层141和第四滤光层142之间。透明导电层120为无机物，与第四滤光层142也可以通过透明有机粘附层101进行粘接，来提升可靠性。
具体地，继续参照图6，在透明导电层120设置于第三滤光层141和第四滤光层142之间的情况下，透明导电层120可以沿第三滤光层141的边缘连接至传感器芯片110的接地端。该实施例中，透明导电层120仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，并不覆盖金属布线层1121的正极，从而与接地端1123连接，具体连接方式可参考图5的(b)。
可选地，作为另一个实施例，记为实施例3，如图7所示，光学传感装置100除了包括传感器芯片110和透明导电层120外，还可以包括并排设置的第一滤光结构150和第二滤光结构160，设置于传感器芯片110上方。该第一滤光结构150可以用于透过入射光信号中的可见光信号且滤除入射光信号中的红外光信号。该第二滤光结构160可以用于透过入射光信号中的红外光信号且滤除入射光信号中的可见光信号。这样，该光学传感装置100既可以同时适用于多种光检测场景，如环境光检测、图像信号识别以及自动感应出物等场景，提高光学传感装置的适用性。
其中，图7的(a)为光学传感装置100的主视截面图，图7的(b)为光学传感装置100的俯视图。
具体地，如图7的(a)所示，上述第一滤光结构150可以包括自下而上层叠设置的第一滤光层151和第二滤光层152，其中第一滤光层151可以用于滤除入射光信号中的红外光信号，该第二滤光层152可以用于透过入射光信号中的可见光信号。上述第二滤光结构160可以包括自下而上层叠设置的第三滤光层161和第四滤光层162，其中第三滤光层161可以用于滤除入射光信号中的可见光信号，该第四滤光层162可以用于透过入射光信号中的红外光信号。
具体地，第一滤光结构150可以是实施例1中的第一滤光结构130。第二滤光结构160可以是实施例2中的第二滤光结构140。为了简洁，本申请不再赘述。
可选地，在该实施例3中，透明导电层120可以设置于传感器芯片110与第一滤光结构150之间，以及传感器芯片110与第二滤光结构160之间。其中，如图7的(b)所示，透明导电层120仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，并不覆盖金属布线层1121的正极(152APAD、152B PAD、152C PAD和162PAD)，从而与接地端1123连接。
需要说明的是，为了清楚展示透明导电层120与金属布线层1121的连接关系，如图7的(b)并未示出上述第一滤光结构150中的第一滤光层151、第二滤光结构160中的第三滤光层161以及透明有机粘附层101。
还需要说明的是，实际上图5的(b)中接地端1123是被透明导电层120覆盖的，因此在该图中用虚线以及虚线框标识该接地端1123，以与未被透明导电层120覆盖的正极(152APAD、152B PAD、152C PAD和162PAD)区分开。
可选地，在该实施例3中，透明导电层120也可以设置于第一滤光结构150中的第一滤光层151与第二滤光层152之间，以及第二滤光结构160中的第三滤光层161与第四滤光层162之间。该设置方式图中未示出，具体设置位置可参照图4和图6。另外，该实施例中，透明导电层120也仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，不覆盖金属布线层1121的正极，从而与接地端1123连接，具体连接方式可参考图7的(b)。
可选地，作为另一个实施例，记为实施例4，如图8所示，上述第一滤光结构150和第二滤光结构160设置于透明导电层120上方。该第一滤光结构150可以包括并排设置的多个第一子滤光结构151，该多个第一子滤光结构151分别用于透过可见光信号中多个不同波段的光信号，例如，如图8所示的3个第一子滤光结构151，图8所示的第一子滤光结构151的数目仅为示例不作限定。第二滤光结构160用于透过入射光信号中的红外光信号且滤除入射光信号中的可见光信号。换言之，第一滤光结构150中多个第一子滤光结构151与第二滤光结构160可以分别用于通过不同波段的光信号。
其中，图8的(a)为光学传感装置100的主视截面图，图8的(b)为光学传感装置100的俯视图。
如图8的(b)所示，传感器芯片110中布线层112的金属布线层1121中除设置有接地端1123外，还设置有与第一子滤光结构153和第二滤光结构160分别对应的正极。其中，第一子滤光结构151对应的正极为151PAD，第二滤光结构160对应的正极为160PAD。
在该实施例中，如图8的(b)所示，透明导电层120仅覆盖金属布线层1121的接地端1123，并不覆盖金属布线层1121的正极(151PAD和160PAD)，从而与接地端1123连接。
可见，该实施例4该光学传感装置100可以与实施例3一样，可以同时适用多种光检测场景。
与上述实施例3不同的是，该实施例4中的第一滤光结构150与第二滤光结构160可以是一层结构。也就是说，该第一滤光结构150并非图7中的两层结构(第一滤光层151和第二滤光层152)，第二滤光结构160也并非图7中的两层结构(第一滤光层161和第二滤光层162)。换言之，第一滤光结构150可以通过该一层结构实现既透过可见光信号中目标波段的光信号又滤除入射光信号中除目标波段外的所有光信号(包括外红光信号)的功能。第二滤光结构160可以通过该一层结构实现既透过入射光信号中的红外光信号且滤除入射光信号中的可见光信号的功能。
这样，相比实施例3，该实施例4在同时适应环境光检测、图像信号识别和自动感应出物等多种光学检测场景的情况下，还可以降低光学传感装置100的整体厚度，有利于实现装配该光学传感装置的电子设备的轻薄化。
上文结合图1至图8，详细描述了本申请的光学传感装置的实施例，下文结合图9至图12，详细描述本申请的光学传感装置的制备方法的实施例，应理解，装置实施例与方法实施例相互对应，类似的描述可以参照装置实施例。
图9示出了一种光学传感装置的制备方法200的流程框图。
如图9所示，该光学传感装置的制备方法200可以包括以下步骤。
S210，提供传感器芯片110。该传感器芯片110用于接收入射光信号以进行光学检测。
本申请实施例中的传感器芯片110如图1和图2所示，该传感器芯片110包括可以包括基底111和设置于基底111上表面的布线层112。其中，布线层112包括金属布线层1121和绝缘层1122。
具体地，在制备该传感器芯片110过程中，可以先在基底111的上表面制备一层绝缘层1122，然后在该绝缘层1122的上表面制备金属布线层1121，该绝缘层1122可以使得基底111与金属布线层1121电绝缘。然后在金属布线层1121的上表面再制备一层绝缘层1122，以防止金属布线层1122裸露，继而得到具备基本功能的传感器芯片110。
需要说明的是，金属布线层1121中的正极与接地端1123并不被绝缘层1122覆盖。
一种实施方式中，在金属布线层1122的上表面再制备一层绝缘层1122时，仅在除金属布线层1121上接地端1123和正极的上表面进行制备该绝缘层1122，以将接地端1123和正极露出。
在另一种实施方式中，在金属布线层1122的上表面制备绝缘层1122后，通过蚀刻或其他方式将覆盖在正极和接地端1123上的部分绝缘层1122去除，以将接地端1123和正极露出。
S220，在该传感器芯片110上制备透明导电层120，其中，该透明导电层120连接于传感器芯片110的接地端。
其中，该透明导电层120可以用于耦合环境中的电磁波，并将电磁波传输至传感器芯片110的接地端。
具体地，可以通过镀膜或旋涂的方式在传感器芯片110上制备透明导电层120，然后使得透明导电层120连接于传感器芯片110的接地端。
一种实施方式中，制备透明导电层120时可以经过涂光刻胶(Photoresistcoating)、曝光(Expose)、显影(Develop)、氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)沉积(ITOdeposition)、光刻胶去除(Photoresist strip)以及退火(Anneal)等步骤。
通过本申请的技术方案，在传感器芯片上制备一层透明导电层，且使得该透明导电层连接于传感器芯片的接地端，这样，一方面，可以使得环境中的电磁波与该透明导电层发生耦合，产生的电磁耦合噪声可以通过接地的方式消除，另一方面，透明导电层的透明特性可以使光学传感装置保持原有的进光量，因此可以提高信噪比和降低工作噪声，从而提升了光学检测的准确性以及用户体验。
可选地，在一些实施例中，继续参照图1，传感器芯片110的接地端1123可以设置于布线层112，步骤S220具体可以是：在布线层112的上方制备透明导电层120，透明导电层120连接于布线层112露出的接地端1123。其中，透明导电层120仅覆盖接地端1123，并不覆盖金属布线层1121的正极，具体覆盖或连接效果请见图3的(b)，图5的(b)，图7的(b)以及图8的(b)。
可选地，在一些实施例中，继续参照图2，传感器芯片110的接地端1123可以设置于基底111，步骤S220具体可以是：在布线层112的上方制备透明导电层120，该透明导电层120穿过布线层112的通孔1125连接于基底111的接地端。
具体实现中，参照图2，可以通过蚀刻的方式在布线层112上打孔，得到通孔1125，其中，该通孔1125贯穿整个绝缘层113，但不影响金属布线层1121各个部件或导线之间的连接。然后通过镀膜或旋涂的方式通孔1125中以及布线层112上制备透明导电层120，从而使得透明导电层120可以连接于基底111，从而连接至基底111的接地端。
图10示出了另一种光学传感装置的制备方法300的流程框图。
如图10所示，该制备方法300包括S310-S330，其中，S310和S320分别与上述方法200中的S210与S220相同，此处不再赘述。
S330，在传感器芯片110上方制备第一滤光结构130，如图3和图4所示。该第一滤光结构130用于透过入射光信号中的可见光信号且滤除入射光信号中的红外光信号。
可选地，在一种实施方式中，S330具体可以包括以下步骤。
S331，制备第一滤光层131。
S332，在第一滤光层131的上方制备第二滤光层132。
其中，第一滤光层131用于滤除入射光信号中的红外光信号，第二滤光层132用于透过入射光信号中的可见光信号。
在一种实施方式中，参照图3，当S220具体是在传感器芯片110的上表面制备透明导电层120时，S331具体是在透明导电层120的上表面蒸镀或溅射形成第一滤光层131，且S332具体是在第一滤光层131的上表面制备第二滤光层132。即该实施方式中，制备光学传感装置100的步骤顺序为：S210、S220、S331、S332。
需要说明的是，S331在透明导电层120的上表面蒸镀或溅射形成第一滤光层131，仅在透明导电层120的上表面的除正极和接地端1123上方外的区域制备第一滤光层131。换言之，第一滤光层131不遮挡正极和接地端1123，以防止影响正极和接地端1123与电源的电连接。
上述S332具体制备过程可以为：在第一滤光层131的上表面涂覆一层有机粘附层101，然后在有机粘附层101的上表面蒸镀或溅射形成第二滤光层132，再在第二滤光层132涂覆一层有机粘附层101，以对第二滤光层132进行封层。
在另一种实施方式中，参照图4，当S331具体是在传感器芯片110的上表面制备第一滤光层131时，S220具体是在第一滤光层131的上表面制备透明导电层120，S332具体是在透明导电层120的上表面制备第二滤光层132。即制备光学传感装置100的步骤顺序为：S210、S331、S220、S332。
需要说明的是，S331在传感器芯片110的上表面制备第一滤光层131时，仅在传感器芯片110的上表面的除正极和接地端1123上方外的区域形成第一滤光层131。换言之，第一滤光层131不遮挡正极和接地端1123，防止影响正极和接地端1123与电源的电连接。
上述S332具体制备过程可以为：在透明导电层120的上表面涂覆一层有机粘附层101，然后在有机粘附层101的上表面蒸镀或溅射形成第二滤光层132，再在第二滤光层132涂覆一层有机粘附层101，以对第二滤光层132进行封层。
该实施方式下，在第一滤光层131的上表面制备透明导电层120时，还可以在第一滤光层131的边缘制备透明导电层120，以使得透明导电层120沿第一滤光层131的边缘连接至传感器芯片110的接地端。
可选地，在一种实施方式中，S332具体可以是：并排制备多个子滤光层，多个子滤光层分别用于透过可见光信号中多个不同波段的光信号。
具体实现中，当透明导电层120制备于传感器芯片110的上表面时，参照图3，即透明导电层120位于传感器芯片110与第一滤光层131之间，该S332具体是在第一滤光层131的上表面并排制备多个子滤光层。当透明导电层120制备于第一滤光层131上表面时，参照图4，该S332具体是在透明导电层120的上表面并排制备多个子滤光层。
图11示出了再一种光学传感装置的制备方法400的流程框图。
如图11所示，该制备方法400包括S410-S430，其中，S410和S420分别与上述方法200中的S210与S220相同，此处不再赘述。
S430，在传感器芯片110上方制备第二滤光结构140，如图5和图6所示。该第二滤光结构140用于透过入射光信号中的红外光信号且滤除入射光信号中的可见光信号。
可选地，在一些实施例中，上述S430可以包括以下步骤。
S431，制备第三滤光层141。
S432，在第三滤光层141的上方制备第四滤光层142。
其中，第三滤光层141用于滤除入射光信号中的可见光信号，第四滤光层142用于透过入射光信号中的红外光信号。
在一种实施方式中，参照图5，S220具体是在传感器芯片110的上表面制备透明导电层120时，S431具体是在透明导电层120的上表面蒸镀或溅射形成第三滤光层141，且S432具体是在第三滤光层141的上表面制备第四滤光层142。即制备光学传感装置100的步骤顺序为：S210、S220、S431、S432。
需要说明的是，S431在透明导电层120的上表面蒸镀或溅射形成第三滤光层141时，仅在透明导电层120的上表面的除正极和接地端1123上方外的区域制备第三滤光层141。换言之，第三滤光层141不遮挡正极和接地端1123，以防止影响正极和接地端1123与电源的电连接。
S432具体制备过程可以为：在第三滤光层141的上表面涂覆一层有机粘附层101，然后在有机粘附层101的上表面蒸镀或溅射形成第四滤光层142，再在第四滤光层142涂覆一层有机粘附层101，以对第四滤光层142进行封层。
在另一种实施方式中，参照图6，S431具体是在传感器芯片110的上表面制备第三滤光层141时，S220具体是在第三滤光层141的上表面制备透明导电层120，S432具体是在透明导电层120的上表面制备第四滤光层142。即制备光学传感装置100的步骤顺序为：S210、S431、S220、S432。
需要说明的是，S431在传感器芯片110的上表面制备第三滤光层141时，仅在传感器芯片110的上表面的除正极和接地端1123上方外的区域形成第三滤光层141。换言之，第一滤光层131不遮挡正极和接地端1123，防止影响正极和接地端1123与电源的电连接。
S432具体制备过程可以为：在透明导电层120的上表面涂覆一层有机粘附层101，然后在有机粘附层101的上表面蒸镀或溅射形成第四滤光层142，再在第四滤光层142涂覆一层有机粘附层101，以对第四滤光层142进行封层。
上述实施方式下，在第三滤光层141的上表面制备透明导电层120时，还可以在第三滤光层141的边缘制备透明导电层120，以使得透明导电层120沿第三滤光层141的边缘连接至传感器芯片110的接地端。
图12示出了再一种光学传感装置的制备方法500的流程框图。
如图12所示，该制备方法500包括S510-S530，其中，S510和S520分别与上述方法200中的S210与S220相同，此处不再赘述。
S530，在传感器芯片110上方并排制备第一滤光结构150和第二滤光结构160。参照图7和图8。其中，第一滤光结构150用于透过入射光信号中的可见光信号且滤除入射光信号中的红外光信号。第二滤光结构160用于透过入射光信号中的红外光信号且滤除入射光信号中的可见光信号。
在一种实施方式中，参照图7，上述S530可以包括以下步骤。
S531，并排制备第一滤光层151和第三滤光层161。
S532，在第一滤光层151上方制备第二滤光层152，以及在第三滤光层161的上方制备第四滤光层162，第二滤光层152与第四滤光层152并排。
其中，上述第一滤光层151用于滤除入射光信号中的红外光信号，第二滤光层152用于透过入射光信号中的可见光信号，第三滤光层161用于滤除入射光信号中的可见光信号，第四滤光层162用于透过入射光信号中的红外光信号。
在一种实施方式中，参照图7，S220具体是在传感器芯片110的上表面制备透明导电层120时，S531具体是在透明导电层120的上表面并排蒸镀或溅射形成第一滤光层151和第三滤光层161，且S532具体是在第一滤光层151的上表面制备第二滤光层152，以及第三滤光层161的上表面制备第四滤光层152。
需要说明的是，S531在透明导电层120的上表面蒸镀或溅射形成第一滤光层151和第三滤光层161，仅在透明导电层120的上表面的除正极和接地端1123上方外的区域制备第一滤光层151和第三滤光层161。换言之，第一滤光层151和第三滤光层161不遮挡正极和接地端1123，以防止影响正极和接地端1123与电源的电连接。
具体地，在透明导电层120的上表面并排蒸镀或溅射形成第一滤光层151和第三滤光层161，可以是在透明导电层120的上表面同时形成第一滤光层151和第三滤光层161，也可以是先在透明导电层120的上表面形成其中一个，再制备另一个，本申请对此不作限定。同样的，本申请对制备第二滤光层152以及第四滤光层152的顺序不作限定。
在另一种实施方式中，图中未示出，S531具体是在传感器芯片110的上表面并排蒸镀或溅射形成第一滤光层151和第三滤光层161时，S220具体是在第一滤光层151和第三滤光层161的上表面制备透明导电层120，且S532具体是在下方为第一滤光层151的透明导电层120的上表面制备第二滤光层152，以及在下方为第三滤光层161的上表面制备第四滤光层152。
需要说明的是，S531在传感器芯片110的上表面制备第一滤光层151和第三滤光层161时，仅在传感器芯片110的上表面的除正极和接地端1123上方外的区域形成第一滤光层151和第三滤光层161。换言之，第一滤光层151和第三滤光层161不遮挡正极和接地端1123，防止影响正极和接地端1123与电源的电连接。
可选地，在一种实施方式中，参照图8，上述S530可以是在传感器芯片110上方的透明导电层120上表面并排制备第一滤光结构150和第二滤光结构160。
可选地，制备第一滤光结构150具体为并排制备多个第一子滤光结构151，该多个第一子滤光结构151分别用于透过可见光信号中多个不同波段的光信号。
具体地，可以同时在透明导电层120上表面并排制备第一滤光结构150和第二滤光结构160，当然也可以逐个制备，本申请对此不作限定。
本申请实施例还提供了一种电子设备，该电子设备可以包括上述任一实施例中的光学传感装置或者包括根据上述任一实施例中的制备方法所制备的光学传感装置。
应理解，本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非限制本申请实施例的范围。
应理解，在本申请实施例和所附权利要求书中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请实施例。例如，在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“上述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
需要说明的是，在不冲突的前提下，本申请描述的各个实施例和/或各个实施例中的技术特征可以任意的相互组合，组合之后得到的技术方案也应落入本申请的保护范围。
为便于说明，在本申请的各实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。
除非另有说明，本申请实施例所使用的所有技术和科学术语与本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本申请中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本申请的范围。本申请所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项的任意的和所有的组合。
应理解，本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非限制本申请实施例的范围，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形均落在本申请的保护范围内。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (35)

1.一种光学传感装置，其特征在于，包括：
传感器芯片，用于接收入射光信号以进行光学检测；
透明导电层，设置于所述传感器芯片上方，且连接于所述传感器芯片的接地端。
2.根据权利要求1所述的光学传感装置，其特征在于，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层；
所述传感器芯片的接地端设置于所述布线层，所述透明导电层设置于所述布线层上方并连接于所述接地端。
3.根据权利要求1所述的光学传感装置，其特征在于，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层；
所述传感器芯片的接地端设置于所述基底，所述透明导电层设置于所述布线层上方，且穿过所述布线层的通孔以连接于所述接地端。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，所述光学传感装置还包括第一滤光结构，设置于所述传感器芯片上方，用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号。
5.根据权利要求4所述的光学传感装置，其特征在于，所述第一滤光结构包括自下而上层叠设置的第一滤光层和第二滤光层；
所述第一滤光层用于滤除所述入射光信号中的红外光信号；
所述第二滤光层用于透过所述入射光信号中的可见光信号。
6.根据权利要求5所述的光学传感装置，其特征在于，所述第二滤光层包括并排设置的多个子滤光层，所述多个子滤光层分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
7.根据权利要求5或6所述的光学传感装置，其特征在于，所述透明导电层设置于所述第一滤光层和所述第二滤光层之间；或者，
所述透明导电层设置于所述第一滤光层和所述传感器芯片之间。
8.根据权利要求7所述的光学传感装置，其特征在于，在所述透明导电层设置于所述第一滤光层和所述第二滤光层之间的情况下，所述透明导电层沿所述第一滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，所述光学传感装置还包括第二滤光结构，设置于所述传感器芯片上方，用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
10.根据权利要求9所述的光学传感装置，其特征在于，所述第二滤光结构包括自下而上层叠设置的第三滤光层和第四滤光层；
所述第三滤光层用于滤除所述入射光信号中的可见光信号；
所述第四滤光层用于透过所述入射光信号中的红外光信号。
11.根据权利要求10所述的光学传感装置，其特征在于，所述透明导电层设置于所述第三滤光层和所述第四滤光层之间；或者，
所述透明导电层设置于所述第三滤光层和所述传感器芯片之间。
12.根据权利要求11所述的光学传感装置，其特征在于，在所述透明导电层设置于所述第三滤光层和所述第四滤光层之间的情况下，所述透明导电层沿所述第三滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，所述光学传感装置还包括并排设置的第一滤光结构和第二滤光结构，设置于所述传感器芯片上方；
所述第一滤光结构用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号；
所述第二滤光结构用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
14.根据权利要求13所述的光学传感装置，其特征在于，所述第一滤光结构和所述第二滤光结构设置于所述透明导电层上方；
所述第一滤光结构包括并排设置的多个第一子滤光结构，所述多个第一子滤光结构分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化烟锡、氟掺杂的氧化锡、非晶硅中的至少一种。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，所述透明导电层对所述入射光信号的透过率大于90％；
所述透明导电层的厚度不超过100nm；或者
所述透明导电层的阻抗不超过30Ω/cm2。
17.根据权利要求16所述的光学传感装置，其特征在于，所述透明导电层的厚度在30nm～50nm。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，通过镀膜或旋涂的方式在所述传感器芯片上形成所述透明导电层。
19.根据权利要求1至3中任一项所述的光学传感装置，其特征在于，所述光学传感装置应用在具有显示屏的电子设备，用于设置在所述显示屏的下方，所述传感器芯片用于接收穿过所述显示屏的所述入射光信号以进行屏下光学检测。
20.一种光学传感装置的制备方法，其特征在于，包括：
提供传感器芯片，所述传感器芯片用于接收入射光信号以进行光学检测；
在所述传感器芯片上方制备透明导电层，其中，所述透明导电层连接于所述传感器芯片的接地端。
21.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层，所述传感器芯片的接地端设置于所述布线层；
所述在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：
在所述布线层的上方制备所述透明导电层，所述透明导电层连接于所述布线层上的所述接地端。
22.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述传感器芯片包括基底和设置于所述基底上表面的布线层，所述传感器芯片的接地端设置于所述基底；
所述在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：
在所述布线层的上方制备所述透明导电层，所述透明导电层穿过所述布线层的通孔连接于所述基底的所述接地端。
23.根据权利要求20至22中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述传感器芯片上方制备第一滤光结构，所述第一滤光结构用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号。
24.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述在所述传感器芯片上方制备第一滤光结构包括：
制备第一滤光层；
在所述第一滤光层的上方制备第二滤光层；
其中，所述第一滤光层用于滤除所述入射光信号中的红外光信号，所述第二滤光层用于透过所述入射光信号中的可见光信号。
25.根据权利要求24所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一滤光层的上方制备第二滤光层包括：
并排制备多个子滤光层，所述多个子滤光层分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
26.根据权利要求24或25所述的制备方法，其特征在于，所述在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：
在制备第一滤光层前，在所述传感器芯片的上表面制备所述透明导电层；或者，
在制备第一滤光层后，在所述第一滤光层的上表面制备所述透明导电层。
27.根据权利要求26所述的制备方法，其特征在于，所述在所述传感器芯片上制备透明导电层还包括：
在所述第一滤光层的边缘制备所述透明导电层，所述透明导电层沿所述第一滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
28.根据权利要求20至22中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述传感器芯片上方制备第二滤光结构，所述第二滤光结构用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
29.根据权利要求28所述的制备方法，其特征在于，所述在所述传感器芯片上方制备第二滤光结构包括：
制备第三滤光层；
在所述第三滤光层的上方制备第四滤光层；
其中，所述第三滤光层用于滤除所述入射光信号中的可见光信号，所述第四滤光层用于透过所述入射光信号中的红外光信号。
30.根据权利要求29所述的制备方法，其特征在于，在所述传感器芯片上制备透明导电层包括：
在制备第三滤光层前，在所述传感器芯片的上表面制备所述透明导电层；或者，
在制备第三滤光层后，在所述第三滤光层的上表面制备所述透明导电层。
31.根据权利要求30所述的制备方法，其特征在于，所述在所述传感器芯片上制备透明导电层还包括：
在所述第三滤光层的边缘制备所述透明导电层，所述透明导电层沿所述第三滤光层的边缘连接至所述传感器芯片的接地端。
32.根据权利要求20至22中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述传感器芯片上方并排制备第一滤光结构和第二滤光结构；
所述第一滤光结构用于透过所述入射光信号中的可见光信号且滤除所述入射光信号中的红外光信号；
所述第二滤光结构用于透过所述入射光信号中的红外光信号且滤除所述入射光信号中的可见光信号。
33.根据权利要求32所述的制备方法，其特征在于，所述在所述传感器芯片上方并排制备第一滤光结构和第二滤光结构包括：
在所述透明导电层上方制备所述第一滤光结构和所述第二滤光结构；
所述在所述透明导电层上方制备所述第一滤光结构包括：
并排制备多个第一子滤光结构，所述多个第一子滤光结构分别用于透过所述可见光信号中多个不同波段的光信号。
34.根据权利要求20至22中任一项所述的制备方法，其特征在于，通过镀膜或旋涂的方式在所述传感器芯片上制备所述透明导电层。
35.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1至19中任一项所述的光学传感装置，或者包括根据权利要求20至34中任一项所述的光学传感装置的制备方法所制备的光学传感装置。
CN202310490886.1A 2023-04-28 2023-04-28 光学传感装置、制备方法和电子设备 Pending CN116435383A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310490886.1A CN116435383A (zh) 2023-04-28 2023-04-28 光学传感装置、制备方法和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310490886.1A CN116435383A (zh) 2023-04-28 2023-04-28 光学传感装置、制备方法和电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116435383A true CN116435383A (zh) 2023-07-14

Family

ID=87087312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310490886.1A Pending CN116435383A (zh) 2023-04-28 2023-04-28 光学传感装置、制备方法和电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116435383A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2403064B1 (en) Mobile terminal and method for fabricating transparent antenna of mobile terminal
US20200089928A1 (en) Optical image capturing unit, optical image capturing system and electronic device
CN102254919B (zh) 分布式滤波感测结构及光学装置
US20140217059A1 (en) Capacitive touch sensor integrated with window panel and fabrication method thereof
CN108984038A (zh) 一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置
CN107704024B (zh) 显示屏和终端设备
CN111162199B (zh) 显示面板及显示装置
US20200091246A1 (en) Photosensitive sensor, manufacturing method of the same, and electronic device
EP1944807A1 (en) Electromagnetic interference shielding for image sensor
WO2020061823A1 (zh) 光学图像采集单元、光学图像采集装置和电子设备
WO2020259298A1 (zh) 终端设备
CN111736401B (zh) 光学面板、图像采集设备及图像采集方法
CN107436458A (zh) 彩色滤光基板及其制造方法
US11010001B2 (en) Touch substrate, method of manufacturing the same, and touch display device
WO2020020103A1 (zh) 触控基板及其制造方法和触控装置
CN110850656A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN116435383A (zh) 光学传感装置、制备方法和电子设备
CN113330359B (zh) 电子设备及显示装置
CN219873526U (zh) 光学传感装置和电子设备
US10025409B2 (en) Transparent conductive thin film, substrate, touch screen and manufacturing method thereof, and display device
CN104850266B (zh) 触摸显示面板及其制造方法和显示装置
CN109769398B (zh) 包括多个区域的光学透明的电磁屏蔽元件
KR100918829B1 (ko) 카메라 모듈 및 그 제조방법
CN115425044A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
US10996799B2 (en) Touch screen assembly and electronic device with improved light transmittance

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination