CN113330359B - 电子设备及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种电子设备及显示装置，电子设备包括显示装置和摄像头模组，显示装置包括像素定义层、有机发光体、公共电极层和填充层；公共电极层覆盖于有机发光体和像素定义层；填充层的填充体设置于公共电极层背离有机发光体的一侧且与像素孔相对设置；像素定义层与填充体的折射率之差小于像素定义层与真空的折射率之差；摄像头模组透过显示装置采集图像。

Description

电子设备及显示装置
技术领域
本申请涉及电子技术领域，特别涉及一种电子设备及显示装置。
背景技术
随着通信技术的发展，诸如智能手机等电子设备越来越普及。在电子设备的使用过程中，电子设备可以采用其显示屏显示画面。
相关技术中，为了得到更大的屏占比，电子设备的摄像头模组设置在显示屏下方，摄像头模组获取透过显示屏的光信号，从而实现屏下成像。然而，由于显示屏内存在复杂的像素结构，复杂的像素结构会在摄像头模组成像时形成衍射干扰，从而降低屏下成像的质量。
发明内容
本申请实施例提供一种电子设备及显示装置，可以提高屏下成像的质量。
本申请实施例提供一种电子设备，其包括显示装置和摄像头模组，所述显示装置包括：
像素定义层，所述像素定义层设置有像素孔；
有机发光体，所述有机发光体设置于所述像素孔内；
公共电极层，所述公共电极层覆盖于所述有机发光体和所述像素定义层；
填充层，所述填充层包括填充体，所述填充体设置于所述公共电极层背离所述有机发光体的一侧，且与所述像素孔相对设置；
其中，所述像素定义层与所述填充体的折射率之差小于所述像素定义层与真空的折射率之差；
所述摄像头模组至少部分与所述像素孔相对设置，并透过所述显示装置采集图像。
本申请实施例提供一种显示装置，其包括：
像素定义层，所述像素定义层设置有像素孔；
有机发光体，所述有机发光体设置于所述像素孔内；
公共电极层，所述公共电极层覆盖于所述有机发光体和所述像素定义层；
填充层，所述填充层包括填充体，所述填充体设置于所述公共电极层背离所述有机发光体的一侧，且与所述像素孔相对设置；
其中，所述像素定义层与所述填充体的折射率之差小于所述像素定义层与真空的折射率之差。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的电子设备的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示装置的第二种结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示装置的第三种结构示意图。
图5为本申请实施例提供的显示装置的第四种结构示意图。
图6为本申请实施例提供的显示装置的第五种结构示意图。
图7为本申请实施例提供的电子设备的第二种结构示意图。
图8为本申请实施例提供的显示装置的像素定义层的结构示意图。
图9为本申请实施例提供的电子设备的第三种结构示意图。
图10为本申请实施例提供的电子设备的第四种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。
请参阅图1，电子设备100包括壳体120、显示装置140和摄像头模组160，显示装置140包括显示面板142和驱动电路144，驱动电路144能够驱动显示面板142显示各种图像。显示装置140设置在壳体120上，壳体120可以包括后盖和边框124，边框124围绕所述后盖的周缘设置，显示装置140设置于边框124内，显示装置140和后盖可以作为电子设备100的相对的两面。摄像头模组160设置在壳体120的后盖和显示装置140之间。也可以理解为，摄像头模组160包括获取图像的获取图像面，显示装置140包括显示面和相对显示面的显示背面，摄像头模组160的获取图像面朝向显示装置140的显示背面设置，摄像头模组160获取透过显示装置140的光信号，并根据获取的光信号得到图像。在一些实施例中，摄像头模组160可以作为电子设备100的前置摄像头，摄像头模组160可以透过显示装置140获取用户的自拍照等图像。
请结合图2，电子设备100的显示装置140包括像素定义层250、有机发光体2522、公共电极层260和填充层290。像素定义层250设置有像素孔2502。有机发光体2522设置于像素孔2502内。公共电极层260覆盖于有机发光体2522和像素定义层250。填充层290包括填充体2902，填充体2902设置于公共电极层260背离有机发光体2522的一侧，且与像素孔2502相对设置。
其中，像素定义层250与填充体2902的折射率之差小于像素定义层250与真空的折射率之差。摄像头模组160至少部分与像素孔2502相对设置，并透过显示装置140采集图像。
需要说明的是，光信号透过显示装置140时，光信号透过对应像素孔2502的第一区域具有第一光程，光信号透过对应非像素孔2502的第二区域具有第二光程，两者具有光程差，公共电极层260覆盖于有机发光体2522和像素定义层250，公共电极层260各处的厚度大致相等，公共电极层260对光程差没有影响或影响很小。因为像素定义层250和有机发光体2522的光学参数不同，对应非像素孔2502的像素定义层250、以及对应像素孔2502区域的有机发光体2522对光程差影响较大。另外，相关技术中，因为显示装置的制程原因，显示装置内相对像素孔区域会有一个间隙，该间隙位于公共电极层背离像素孔一侧，因为相对像素定义层没有间隙，所以该间隙对光程差影响也很大。因为间隙内的真空与像素定义层的光线参数相差非常大，此时，本申请实施例对应该间隙设置一填充体2902，并且像素定义层250与填充体2902的折射率之差小于像素定义层250与真空的折射率之差，可以改善第一光程和第二光程的光程差，从而改善摄像头模组160透过显示装置140的成像质量。
在一些实施例中，显示装置140包括一像素定义层250、一有机发光层252、一公共电极层260和一填充层290。
像素定义层250设置有呈阵列设置的多个像素孔2502。有机发光层252包括多个有机发光体2522，多个有机发光体2522对应设置于多个像素孔2502内。公共电极层260覆盖于有机发光体2522和像素定义层250。填充层290包括多个填充体2902，多个填充体2902设置于公共电极层260背离有机发光体2522的一侧，且每个填充体2902均与一个像素孔2502相对设置。
其中，每个有机发光体2522设置于一个像素孔2502内，每个像素孔2502内均设有一个有机发光体2522。每个像素孔2502对应一个填充体2902。像素定义层250与填充体2902的折射率之差小于像素定义层250与真空的折射率之差。摄像头模组160至少部分与像素孔2502相对设置，并透过显示装置140采集图像。
同样的，通过填充层290可以改善第一光程和第二光程的光程差，从而改善摄像头模组160透过显示装置140的成像质量。
可以根据像素定义层250的厚度和折射率、以及有机发光层252的厚度和折射率可以得出填充层290的厚度和折射率。根据像素定义层250和有机发光层252的光程差得出填充层290的厚度和折射率，从而使像素定义层250的光程、与有机发光层252和填充层290的光程和的大致相等。
像素定义层250的厚度和折射率相乘得到一个第三光程，有机发光层252的厚度和折射率相乘得到一个第四光程，填充层290的厚度和折射率相乘得到一个第五光程，第四光程和第五光程之和与第三光程大致相等。其中，可以根据第三光程和第四光程确定出第五光程，然后根据第五光程确定出填充层290的折射率和厚度。
其中，填充层290的厚度小于或等于像素定义层250和有机发光层252的厚度差。填充层290也为高透光层。
在一些实施例中，填充层290的折射率与像素定义层250的折射率的差值可以小于0.3，也小于0.2，也可以小于0.1。改善第一光程和第二光程的光程差。
在一些实施例中，有机发光体2522的折射率大于像素定义层250的折射率，填充层290的折射率小于像素定义层250的折射率。改善第一光程和第二光程的光程差。
在一些实施例中，参考表1，像素定义层250对不同波长的光信号的折射率不同。例如，像素定义层250对蓝色光信号(波长为430纳米)的折射率为1.526，对绿色光信号(波长为530纳米)的折射率为1.514，对红色光信号(波长为630纳米)的折射率为1.506。选取的填充层290对蓝色光信号的折射率为1.502，对绿色光信号的折射率为1.494，对红色光信号的折射率为1.489。需要说明的是，本实施例仅是示例式举例，本申请可以根据实际使用的像素定义层250和有机发光层252的厚度和折射率选择填充体2902的厚度和折射率。
表1：
Figure BDA0003156900740000051
在一些实施例中，公共电极层260包括电极第一部2602、电极第二部2604和电极第三部2606，电极第一部2602设置于像素孔2502内，且覆盖于有机发光体2522，电极第二部2604覆盖于像素定义层250，电极第一部2602和电极第二部2604通过电极第三部2606连接，电极第一部2602和电极第三部2606共同形成第一凹槽2608，填充体2902设置于第一凹槽2608内。
有机发光体2522设置在像素孔2502内，但是有机发光体2522没有填充满像素孔2502。公共电极层260的电极第一部2602设置于像素孔2502内，公共电极的电极第二部2604覆盖于像素定义层250，电极第一部2602和电极第二部2604具有高度差，从而电极第一部2602和电极第三部2606可以共同形成第一凹槽2608，填充体2902对应设置于第一凹槽2608内。
在一些实施例中，电极第二部2604包括背离像素定义层250的第一表面2605，填充体2902背离有机发光体2522的表面与第一表面2605平齐。
显示装置140还可以包括光提取材料层(capping layer，CPL)，光提取材料层覆盖于公共电极层260，光提取材料层可以为平整的一层。
请参阅图3，在一些实施例中，填充层290还包括连接体2904，连接体2904覆盖于公共电极层260，并与多个填充体2902连接。
填充体2902填充在第一凹槽2608内，连接体2904则可以覆盖整层，即连接体2904覆盖整个公共电极层260和填充体2902。其中，填充体2902若刚好填充满第一凹槽2608，则连接体2904相对的两个面平行。
请参图4，在一些实施例中，电极第二部2604包括背离像素定义层250的第一表面2605，填充体2902背离有机发光体2522的表面低于或高于第一表面2605。
填充体2902背离有机发光体2522的表面可以低于或高于电极第一部2602的第一表面2605，以便配合填充体2902的光学参数，从而减少第一光程和第二光程的光程差。
请参阅图5，在一些实施例中，显示装置140还包括光提取材料层270，光提取材料层270覆盖于公共电极层260，光提取材料层270具有第二凹槽2702，第二凹槽2702正对像素孔2502，第二凹槽2702的开口背离像素孔2502，填充体2902设置于第二凹槽2702内。
对应公共电极层260的第一凹槽2608，光提取材料层270具有第二凹槽2702，填充体2902设置于第二凹槽2702内，对原显示装置140的结构影响较小。
在一些实施例中，光提取材料层270包括背离公共电极层260的第三表面2704，填充体2902背离有机发光体2522的表面与第三表面2704平齐。
填充体2902填可以充满第二凹槽2702，覆盖在光提取材料层270上的其他结构更加容易实现，而且可以平整的覆盖上去。
在一些实施例中，光提取材料层包括背离公共电极层的第三表面，填充体背离有机发光体的表面低于第三表面。
填充体填可以填充在第二凹槽内，根据其光学参数可以不填满第二凹槽，不影响覆盖在光提取材料层上的其他结构。
在一些实施例中，显示装置140还包括层叠设置的第一基板220、阳极金属层240和第二基板280。
像素定义层250设置于阳极金属层240和公共电极层260之间，公共电极层260设置在像素定义层250和第二基板280之间。
阳极金属层240包括层叠设置的第一阳极金属层242、平坦化层244、第二阳极金属层246，第一阳极金属层242设置在第一基板220和平坦化层244之间，第二阳极金属层246设置在平坦化层244和像素定义层250之间。
在一些实施例中，显示装置140可以包括层叠设置的第一基板220、阳极金属层240、像素定义层250、公共电极层260、光提取材料层270和第二基板280。
在一些实施例中，显示装置140对应像素孔2502所在位置具有垂直于第一基板220方向的第一光程，显示装置140对应像素孔2502以外的位置具有垂直于第一基板220方向的第二光程，第一光程等于第二光程。
其中，第一光程可以理解为光信号以垂直于第一基板220方向，从对应像素孔2502所在位置穿过显示装置140的光程。第一光程具体可以为第二基板280、光提取材料层270、填充层290、公共电极层260、有机发光层252、阳极金属层240和第一基板220中各层对应的厚度和折射率的乘积之和。
第二光程可以理解为光信号以垂直于第一基板220方向，从对应非像素孔2502所在位置穿过显示装置140的光程。第一光程具体可以为第二基板280、光提取材料层270、公共电极层260、像素定义层250、阳极金属层240和第一基板220中各层对应的厚度和折射率的乘积之和。
其中，因为第二基板280、光提取材料层270、公共电极层260、阳极金属层240和第一基板220中每层都覆盖整层，且每层各个位置的厚度大致相等，因此第二基板280、光提取材料层270、公共电极层260、阳极金属层240和第一基板220对应第一光程和第二光程的光程差可以忽略。
需要说明的是，第一光程等于第二光程可以理解为第一光程与第二光程大致相等。
在一些实施例中，阳极金属层240和公共电极层260共同驱动有机发光层252显示图像。其中，显示装置140还包括薄膜晶体管248，第一阳极金属层242、第二阳极金属层246和有机发光层252分别连接薄膜晶体管248的不同极，并且第一阳极金属层242、第二阳极金属层246利用薄膜晶体管248控制是否给有机发光层252提供正极信号。当给有机发光层252提供正极信号后，再结合公共电极层260提供的负极来实现控制有机发光层252是否发光。
在一些实施例中，第一阳极金属层242的材料采用纳米银。
第一阳极金属层242可以设置于有机发光体2522和平坦化层244之间，第一阳极金属层242可以包括多条第一导电线，用纳米银制成第一阳极金属层242，用纳米银制成的每条第一导电线在满足阻抗特性的情况下，可以制作的更薄，更薄的第一金属层的厚度更小，对第一光程的影响较小。因为第一阳极金属层242的多条第一导电线并没有覆盖整层，第一阳极金属层242的厚度更小，对第一光程的影响也较小。需要说明的是，第二阳极金属层246的材料可以采用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)，也可以采用纳米银。需要说明的是，多条第一导电线还延伸至平坦化层244和像素定义层250之间，从而减小对第二光程的影响。
在一些实施例中，第二阳极金属层246的材料采用纳米银。
第一阳极金属层242可以设置于像素定义层250和平坦化层244之间，第二阳极金属层246可以包括多条第二导电线，用纳米银制成第二阳极金属层246，即用纳米银制成的每条第二导电线在满足阻抗特性的情况下，可以制作的更薄，更薄的第二金属层的厚度更小，对第二光程的影响较小。因为第二阳极金属层246的多条第二导电线并没有覆盖整层，第二阳极金属层246的厚度更小，对第二光程的影响也较小。需要说明的是，第一阳极金属层242的材料可以采用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)，也可以采用纳米银。
在一些实施例中，第一阳极金属层242和第二阳极金属层246的材料采用纳米银。
第一阳极金属层242和第二阳极金属层246都用纳米银制成，第一阳极金属层242和第二阳极金属层246的厚度更小，对第一光程和第二光程的影响也较小。
在一些实施例中，可以对应第一阳极金属层242设置第一补偿层，即在多条第一导电线之间填充第一补偿层，第一补偿层为高透光的绝缘材料，并且与第一导电线的光学参数相近，从而不影响第一光程和第二光程。第一补偿层和多条第一导电线的厚度相同。
对应第二阳极金属层246设置第二补充层，即在多条第二导电线之间填充第二补偿层，第二补偿层为高透光的绝缘材料，并且与第二导电线的光学参数相近，从而不影响第一光程和第二光程。第二补偿层和多条第二导电线的厚度相同。
在一些实施例中，显示装置还包括薄膜230，所述薄膜230设置在第一基板220和阳极金属层240之间。薄膜230可以采用SiNx或SiO2制成。
请参阅图6，在一些实施例中，显示装置140还包括挡光的遮光块272和薄膜晶体管248。
薄膜晶体管248设置在第一基板220和有机发光层252之间，遮光块272设置在公共电极层260和第二基板280之间，遮光块272至少部分与薄膜晶体管248相对设置。
其中，遮光块272可以为黑色或深色的材料，遮光块272可以用来遮挡进入显示装置140的光线。遮光块272对应薄膜晶体管248设置，遮光块272可以设置在有机发光层252和第二基板280之间，每一个遮光块272至少部分与一个薄膜晶体管248相对设置。例如，薄膜晶体管248在第一基板220上的投影可以位于遮光块272在第一基板220的投影内。如此，可以防止光线进入显示装置140后被薄膜晶体管248反射、折射等，从而导致杂光干扰成像。
在一些实施例中，遮光块272可以设置在光提取材料层270，如光提取材料层270对应于薄膜晶体管248的位置设有通孔或凹槽，遮光块272对应设置在通孔或凹槽内，凹槽的开口可以朝向第二基板280，也可以朝向公共电极层260。
在一种实施方式中，第二基板280对应薄膜晶体管248的位置可以设置凹槽，遮光块272对应设置在第二基板280的凹槽内，第二基板280的凹槽的开口朝向公共电极层260。在一种实施方式中，遮光块272还可以设置在有机发光层252和公共电极层260之间的间隙内。
请参阅图7，在一些实施例中，显示装置140包括透光区132和主体区134，透光区132的面积小于主体区134的面积，透光区132的透光率大于主体区134的透光率，摄像头模组160至少部分与透光区132相对设置。
透光区132与第一驱动模块1444连接，主体区134与第二驱动模块1442连接，第一驱动模块1444驱动显示装置140的透光区132，第二驱动模块1442驱动显示装置140的主体区134。其中，第一驱动模块1442和第二驱动模块1444可以配合驱动，使透光区132和主体区134共同显示同一图像。如透光区132显示图像的一部分，主体区134显示图像剩下的部分。当摄像头模组160需要获取图像时，第一驱动模块1444驱动透光区132关闭显示，第二驱动模块1442可以继续驱动主体区134显示图像，摄像头模组160通过关闭显示的透光区132获取外界的光信号，并根据光信号得到图像。
在一些实施例中，透光区132内像素孔的分布密度小于主体区134内像素孔的分布密度。
请参阅图8，具体的，在一些实施例中，像素定义层250包括第一部分254和第二部分256。第一部分254对应透光区，第二部分256对应主体区。第一部分254的面积小于第二部分256的面积，第一部分254的透光率大于电极第二部2604的透光率。摄像头模组160可以获取透过显示装置140第一部分254获取光信号，并根据光信号形成图像。
对应的，摄像头模组对应第一部分254设置，摄像头模组可以获取透过显示装置140对应第一部分254的区域获取光信号，对应第一部分254的显示装置的透光率大于对应第二部分256的显示装置的透光率。具体的，对应第一部分254的有机发光体的分布密度更小，即小于对应第二部分256的有机发光体的分布密度。第一部分254对应的有机发光体的分布密度更小，与有机发光体一一对应的不透光的薄膜晶体管的分布密度也更小，从而提高了第一部分254对应的显示装置的透光率。
在一些实施例中，第一部分254的有机发光体的分布密度小于第二部分256的有机发光体的分布密度。也可以理解为，第一部分254相邻的两个像素孔的间距大于第二部分256相邻的两个像素孔的间距，像素定义层250的透光率大于有机发光体的透光率，第一部分254的有机发光层的占比更小，从而使第一部分254的透光率大于第二部分256的透光率。另外，每一个有机发光体对应设置一个薄膜晶体管，薄膜晶体管是不透光的，第一部分254的有机发光体的分布密度更小，对应的薄膜晶体管的分布密度也更小，从而使第一部分254的透光率大于第二部分256的透光率。
在一些实施例中，第一部分254位于像素定义层250的端部。具体的，第一部分254可以位于像素定义层250的顶端或底端或侧边，如像素定义层250为矩形，第二部分256为具有一个缺口的矩形，第一部分254设置在该缺口内，该缺口可以设置在第二部分256的顶边或底边或侧边。当然，第一部分254也可以设置在像素定义层250的中间，也可以理解为第二部分256具有一个厚度方向贯穿第二部分256的通孔，第一部分254设置在该通孔内。
其中，透光区和主体区主要在像素定义层250、有机显示层不同。透光区和主体区可以共用同一块第一基板220、第二基板280等。填充层290可以仅设置在透光区，也可以设置在透光区和主体区。
需要说明的是，结合图5，第一部分254对应的阳极金属层240可以用高透光的材料制成，如ITO、纳米银等。第二部分256对应的阳极金属层240可以用高透光的材料制成，也可以用低透光或不透光的材料制成。
请参阅图9，在一些实施例中，显示装置140可以包括第一显示面板1422和第二显示面板1424，第一显示面板1422设置有缺口110，缺口110在第一显示面板1422的厚度方向上贯穿第一显示面板1422，第一显示面板1422为正常显示的显示面板142。第二显示面板1424设置在缺口110内，第二显示面板1424对应显示装置140的透光区，第一显示面板1422对应显示装置140的主体区。电子设备100的摄像头模组160设置在壳体和第二显示面板1424之间，摄像头模组160获取透过透光区的光信号，并根据获取的光信号得到图像。
第一显示面板1422和第二显示面板1424为两个独立的显示面板，先分别制造好第一显示面板1422和第二显示面板1424，然后再将第二显示面板1424放置在第一显示面板1422的缺口110内。
需要说明的是，第一显示面板1422与第二驱动模块1442连接，第二显示面板1424与第一驱动模块1444连接，第一驱动模块1444驱动第二显示面板1424，第二驱动模块1442驱动第一显示面板1422，第一驱动模块1442和第二驱动模块1444配合驱动，使第一显示面板1422和第二显示面板1424共同显示同一图像。如第一显示面板1422显示图像的一部分，第二显示面板1424显示图像剩下的部分。当摄像头模组160需要获取图像时，第一驱动模块1444驱动第二显示面板1424关闭显示，第二驱动模块1442可以继续驱动第一显示面板1422显示图像，摄像头模组160通过关闭显示的第二显示面板1424获取外界的光信号，并根据光信号得到图像。
在一些实施例中，摄像头模组160的采集图像的采集面可以做的很小，显示装置140的单个有机发光体的面积较大，摄像头模组160的采集面等于或小于单个有机发光体的面积。摄像头模组160可以透过有机发光体采集图像。
在一些实施例中，摄像头模组160的采集图像的采集面可以做的很小，显示装置140中相邻两个有机发光体的间隔较大，摄像头模组160的采集面等于或小于该间隔。摄像头模组160可以透过两个有机发光体的间隔采集图像。
请参阅图10，在一些实施例中，电子设备还包括处理器180，显示装置140和摄像头模组160均与处理器180电性连接。
当接收到拍摄指令时，处理器180控制透光区132关闭显示，并控制摄像头模组160透过透光区132采集图像；当未接收到拍摄指令，且接收到显示图像指令时，处理器180控制透光区132和主体区134共同显示图像。
请继续参阅图2，本申请实施例的显示装置包括像素定义层250、有机发光体2522、公共电极层260和填充层290。像素定义层250设置有像素孔2502。有机发光体2522设置于像素孔2502内。公共电极层260覆盖于有机发光体2522和像素定义层250。填充层290包括填充体2902，填充体2902设置于公共电极层260背离有机发光体2522的一侧，且与像素孔2502相对设置。
其中，像素定义层250与填充体2902的折射率之差小于像素定义层250与真空的折射率之差。
需要说明的是，光信号透过显示装置140时，光信号透过对应像素孔2502的第一区域具有第一光程，光信号透过对应非像素孔2502的第二区域具有第二光程，两者具有光程差，公共电极层260覆盖于有机发光体2522和像素定义层250，公共电极层260各处的厚度大致相等，公共电极层260对光程差没有影响或影响很小。因为像素定义层250和有机发光体2522的光学参数不同，对应非像素孔2502的像素定义层250、以及对应像素孔2502区域的有机发光体2522对光程差影响较大。另外，相关技术中，因为显示装置140的制程原因，显示装置内相对像素孔2502区域会有一个间隙，该间隙位于公共电极层260背离像素孔2502一侧，因为相对像素定义层250没有间隙，所以该间隙对光程差影响也很大。因为间隙内的真空与像素定义层250的光线参数相差非常大，此时，本申请实施例对应该间隙设置一填充体2902，并且像素定义层250与填充体2902的折射率之差小于像素定义层250与真空的折射率之差，可以改善第一光程和第二光程的光程差，从而改善透过显示装置的不同位置的光信号的差异。
在一些实施例中，显示装置包括像素定义层250、有机发光层252、公共电极层260和填充层290。
像素定义层250设置有呈阵列设置的多个像素孔2502。有机发光层252包括多个有机发光体2522，多个有机发光体2522对应设置于多个像素孔2502内。公共电极层260覆盖于有机发光体2522和像素定义层250。填充层290包括多个填充体2902，多个填充体2902设置于公共电极层260背离有机发光体2522的一侧，且每个填充体2902均与一个像素孔2502相对设置。
其中，每个有机发光体2522设置于一个像素孔2502内，每个像素孔2502内均设有一个有机发光体2522。每个像素孔2502对应一个填充体2902。像素定义层250与填充体2902的折射率之差小于像素定义层250与真空的折射率之差。通过填充层290可以改善第一光程和第二光程的光程差，从而改善透过显示装置的不同位置的光信号的差异。
可以根据像素定义层250的厚度和折射率、以及有机发光层252的厚度和折射率可以得出填充层290的厚度和折射率。根据像素定义层250和有机发光层252的光程差得出填充层290的厚度和折射率，从而使像素定义层250的光程、与有机发光层252和填充层290的光程和的大致相等。
像素定义层250的厚度和折射率相乘得到一个第三光程，有机发光层252的厚度和折射率相乘得到一个第四光程，填充层290的厚度和折射率相乘得到一个第五光程，第四光程和第五光程之和与第三光程大致相等。其中，可以根据第三光程和第四光程确定出第五光程，然后根据第五光程确定出填充层290的折射率和厚度。
其中，填充层290的厚度小于或等于像素定义层250和有机发光层252的厚度差。填充层290也为高透光层。
在一些实施例中，填充层290的折射率与像素定义层250的折射率的差值可以小于0.3，也小于0.2，也可以小于0.1。改善第一光程和第二光程的光程差。
在一些实施例中，有机发光体2522的折射率大于像素定义层250的折射率，填充层290的折射率小于像素定义层250的折射率。改善第一光程和第二光程的光程差。
在一些实施例中，公共电极层260包括电极第一部2602、电极第二部2604和电极第三部2606，电极第一部2602设置于像素孔2502内，且覆盖于有机发光体2522，电极第二部2604覆盖于像素定义层250，电极第一部2602和电极第二部2604通过电极第三部2606连接，电极第一部2602和电极第三部2606共同形成第一凹槽2608，填充体2902设置于第一凹槽2608内。
有机发光体2522设置在像素孔2502内，但是有机发光体2522没有填充满像素孔2502。公共电极层260的电极第一部2602设置于像素孔2502内，公共电极的电极第二部2604覆盖于像素定义层250，电极第一部2602和电极第二部2604具有高度差，从而电极第一部2602和电极第三部2606可以共同形成第一凹槽2608，填充体2902对应设置于第一凹槽2608内。
在一些实施例中，电极第二部2604包括背离像素定义层250的第一表面2605，填充体2902背离有机发光体2522的表面与第一表面2605平齐。
显示装置140还可以包括光提取材料层，光提取材料层覆盖于公共电极层260，光提取材料层可以为平整的一层。
请继续参阅图3，在一些实施例中，填充层290还包括连接体2904，连接体2904覆盖于公共电极层260，并与多个填充体2902连接。
填充体2902填充在第一凹槽2608内，连接体2904则可以覆盖整层，即连接体2904覆盖整个公共电极层260和填充体2902。其中，填充体2902若刚好填充满第一凹槽2608，则连接体2904相对的两个面平行。
请继续参阅图4，在一些实施例中，电极第二部2604包括背离像素定义层250的第一表面2605，填充体2902背离有机发光体2522的表面低于或高于第一表面2605。
填充体2902背离有机发光体2522的表面可以低于或高于电极第一部2602的第一表面2605，以便配合填充体2902的光学参数，从而减少第一光程和第二光程的光程差。
请继续参阅图5，在一些实施例中，显示装置140还包括光提取材料层270，光提取材料层270覆盖于公共电极层260，光提取材料层270具有第二凹槽2702，第二凹槽2702正对像素孔2502，第二凹槽2702的开口背离像素孔2502，填充体2902设置于第二凹槽2702内。
对应公共电极层260的第一凹槽2608，光提取材料层270具有第二凹槽2702，填充体2902设置于第二凹槽2702内，对原显示装置140的结构影响较小。
在一些实施例中，光提取材料层270包括背离公共电极层260的第三表面2704，填充体2902背离有机发光体2522的表面与第三表面2704平齐。
填充体2902填可以充满第二凹槽2702，覆盖在光提取材料层270上的其他结构更加容易实现，而且可以平整的覆盖上去。
在一些实施例中，光提取材料层包括背离公共电极层的第三表面，填充体背离有机发光体的表面低于第三表面。
填充体填可以填充在第二凹槽内，根据其光学参数可以不填满第二凹槽，不影响覆盖在光提取材料层上的其他结构。
在一些实施例中，显示装置140还包括层叠设置的第一基板220、阳极金属层240和第二基板280。
像素定义层250设置于阳极金属层240和公共电极层260之间，公共电极层260设置在像素定义层250和第二基板280之间。
阳极金属层240包括层叠设置的第一阳极金属层242、平坦化层244、第二阳极金属层246，第一阳极金属层242设置在第一基板220和平坦化层244之间，第二阳极金属层246设置在平坦化层244和像素定义层250之间。
在一些实施例中，显示装置140可以包括层叠设置的第一基板220、阳极金属层240、像素定义层250、公共电极层260、光提取材料层270和第二基板280。
在一些实施例中，显示装置140对应像素孔2502所在位置具有垂直于第一基板220方向的第一光程，显示装置140对应像素孔2502以外的位置具有垂直于第一基板220方向的第二光程，第一光程等于第二光程。
其中，第一光程可以理解为光信号以垂直于第一基板220方向，从对应像素孔2502所在位置穿过显示装置140的光程。第一光程具体可以为第二基板280、光提取材料层270、填充层290、公共电极层260、有机发光层252、阳极金属层240和第一基板220中各层对应的厚度和折射率的乘积之和。
第二光程可以理解为光信号以垂直于第一基板220方向，从对应非像素孔2502所在位置穿过显示装置140的光程。第一光程具体可以为第二基板280、光提取材料层270、公共电极层260、像素定义层250、阳极金属层240和第一基板220中各层对应的厚度和折射率的乘积之和。
其中，因为第二基板280、光提取材料层270、公共电极层260、阳极金属层240和第一基板220中每层都覆盖整层，且每层各个位置的厚度大致相等，因此第二基板280、光提取材料层270、公共电极层260、阳极金属层240和第一基板220对应第一光程和第二光程的光程差可以忽略。
需要说明的是，第一光程等于第二光程可以理解为第一光程与第二光程大致相等。
在一些实施例中，阳极金属层240和公共电极层260共同驱动有机发光层252显示图像。其中，显示装置140还包括薄膜晶体管248，第一阳极金属层242、第二阳极金属层246和有机发光层252分别连接薄膜晶体管248的不同极，并且第一阳极金属层242、第二阳极金属层246利用薄膜晶体管248控制是否给有机发光层252提供正极信号。当给有机发光层252提供正极信号后，再结合公共电极层260提供的负极来实现控制有机发光层252是否发光。
在一些实施例中，第一阳极金属层242的材料采用纳米银。
第一阳极金属层242可以设置于有机发光体2522和平坦化层244之间，第一阳极金属层242可以包括多条第一导电线，用纳米银制成第一阳极金属层242，用纳米银制成的每条第一导电线在满足阻抗特性的情况下，可以制作的更薄，更薄的第一金属层的厚度更小，对第一光程的影响较小。因为第一阳极金属层242的多条第一导电线并没有覆盖整层，第一阳极金属层242的厚度更小，对第一光程的影响也较小。需要说明的是，第二阳极金属层246的材料可以采用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)，也可以采用纳米银。需要说明的是，多条第一导电线还延伸至平坦化层244和像素定义层250之间，从而减小对第二光程的影响。
在一些实施例中，第二阳极金属层246的材料采用纳米银。
第一阳极金属层242可以设置于像素定义层250和平坦化层244之间，第二阳极金属层246可以包括多条第二导电线，用纳米银制成第二阳极金属层246，即用纳米银制成的每条第二导电线在满足阻抗特性的情况下，可以制作的更薄，更薄的第二金属层的厚度更小，对第二光程的影响较小。因为第二阳极金属层246的多条第二导电线并没有覆盖整层，第二阳极金属层246的厚度更小，对第二光程的影响也较小。需要说明的是，第一阳极金属层242的材料可以采用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)，也可以采用纳米银。
在一些实施例中，第一阳极金属层242和第二阳极金属层246的材料采用纳米银。
第一阳极金属层242和第二阳极金属层246都用纳米银制成，第一阳极金属层242和第二阳极金属层246的厚度更小，对第一光程和第二光程的影响也较小。
在一些实施例中，可以对应第一阳极金属层242设置第一补偿层，即在多条第一导电线之间填充第一补偿层，第一补偿层为高透光的绝缘材料，并且与第一导电线的光学参数相近，从而不影响第一光程和第二光程。第一补偿层和多条第一导电线的厚度相同。
对应第二阳极金属层246设置第二补充层，即在多条第二导电线之间填充第二补偿层，第二补偿层为高透光的绝缘材料，并且与第二导电线的光学参数相近，从而不影响第一光程和第二光程。第二补偿层和多条第二导电线的厚度相同。
请继续参阅图6，在一些实施例中，显示装置140还包括挡光的遮光块272和薄膜晶体管248。
薄膜晶体管248设置在第一基板220和有机发光层252之间，遮光块272设置在公共电极层260和第二基板280之间，遮光块272至少部分与薄膜晶体管248相对设置。
其中，遮光块272可以为黑色或深色的材料，遮光块272可以用来遮挡进入显示装置140的光线。遮光块272对应薄膜晶体管248设置，遮光块272可以设置在有机发光层252和第二基板280之间，每一个遮光块272至少部分与一个薄膜晶体管248相对设置。例如，薄膜晶体管248在第一基板220上的投影可以位于遮光块272在第一基板220的投影内。如此，可以防止光线进入显示装置140后被薄膜晶体管248反射、折射等，从而导致杂光干扰成像。
在一些实施例中，遮光块272可以设置在光提取材料层270，如光提取材料层270对应于薄膜晶体管248的位置设有通孔或凹槽，遮光块272对应设置在通孔或凹槽内，凹槽的开口可以朝向第二基板280，也可以朝向公共电极层260。
在一种实施方式中，第二基板280对应薄膜晶体管248的位置可以设置凹槽，遮光块272对应设置在第二基板280的凹槽内，第二基板280的凹槽的开口朝向公共电极层260。在一种实施方式中，遮光块272还可以设置在有机发光层252和公共电极层260之间的间隙内。
请继续参阅图7，在一些实施例中，显示装置140包括透光区132和主体区134，透光区132的面积小于主体区134的面积，透光区132的透光率大于主体区134的透光率。
透光区132与第一驱动模块1444连接，主体区134与第二驱动模块1442连接，第一驱动模块1444驱动显示装置140的透光区132，第二驱动模块1442驱动显示装置140的主体区134。其中，第一驱动模块1442和第二驱动模块1444可以配合驱动，使透光区132和主体区134共同显示同一图像。如透光区132显示图像的一部分，主体区134显示图像剩下的部分。当需要透过透光区132获取图像时，第一驱动模块1444驱动透光区132关闭显示，第二驱动模块1442可以继续驱动主体区134显示图像，通过关闭显示的透光区132获取外界的光信号，并根据光信号得到图像。
在一些实施例中，透光区132内像素孔的分布密度小于主体区134内像素孔的分布密度。
请继续参阅图8，具体的，在一些实施例中，像素定义层250包括第一部分254和第二部分256。第一部分254对应透光区，第二部分256对应主体区。第一部分254的面积小于第二部分256的面积，第一部分254的透光率大于电极第二部2604的透光率。用以摄像头模组透过显示装置140第一部分254采集图像。
对应的，摄像头模组可以透过显示装置140对应第一部分254的区域获取光信号，对应第一部分254的显示装置的透光率大于对应第二部分256的显示装置的透光率。具体的，对应第一部分254的有机发光体的分布密度更小，即小于对应第二部分256的有机发光体的分布密度。第一部分254对应的有机发光体的分布密度更小，与有机发光体一一对应的不透光的薄膜晶体管的分布密度也更小，从而提高了第一部分254对应的显示装置的透光率。
在一些实施例中，第一部分254的有机发光体的分布密度小于第二部分256的有机发光体的分布密度。也可以理解为，第一部分254相邻的两个像素孔的间距大于第二部分256相邻的两个像素孔的间距，像素定义层250的透光率大于有机发光体的透光率，第一部分254的有机发光层的占比更小，从而使第一部分254的透光率大于第二部分256的透光率。另外，每一个有机发光体对应设置一个薄膜晶体管，薄膜晶体管是不透光的，第一部分254的有机发光体的分布密度更小，对应的薄膜晶体管的分布密度也更小，从而使第一部分254的透光率大于第二部分256的透光率。
在一些实施例中，第一部分254位于像素定义层250的端部。具体的，第一部分254可以位于像素定义层250的顶端或底端或侧边，如像素定义层250为矩形，第二部分256为具有一个缺口的矩形，第一部分254设置在该缺口内，该缺口可以设置在第二部分256的顶边或底边或侧边。当然，第一部分254也可以设置在像素定义层250的中间，也可以理解为第二部分256具有一个厚度方向贯穿第二部分256的通孔，第一部分254设置在该通孔内。
其中，透光区和主体区主要在像素定义层250、有机显示层不同。透光区和主体区可以共用同一块第一基板220、第二基板280等。填充层290可以仅设置在透光区，也可以设置在透光区和主体区。
需要说明的是，结合图5，第一部分254对应的阳极金属层240可以用高透光的材料制成，如ITO、纳米银等。第二部分256对应的阳极金属层240可以用高透光的材料制成，也可以用低透光或不透光的材料制成。
请继续参阅图9，在一些实施例中，显示装置140可以包括第一显示面板1422和第二显示面板1424，第一显示面板1422设置有缺口110，缺口110在第一显示面板1422的厚度方向上贯穿第一显示面板1422，第一显示面板1422为正常显示的显示面板142。第二显示面板1424设置在缺口110内，第二显示面板1424对应显示装置140的透光区，第一显示面板1422对应显示装置140的主体区。可以用于摄像头模组获取透过第二显示面板1424采集图像。
第一显示面板1422和第二显示面板1424为两个独立的显示面板，先分别制造好第一显示面板1422和第二显示面板1424，然后再将第二显示面板1424放置在第一显示面板1422的缺口110内。
需要说明的是，第一显示面板1422与第二驱动模块1442连接，第二显示面板1424与第一驱动模块1444连接，第一驱动模块1444驱动第二显示面板1424，第二驱动模块1442驱动第一显示面板1422，第一驱动模块1442和第二驱动模块1444配合驱动，使第一显示面板1422和第二显示面板1424共同显示同一图像。如第一显示面板1422显示图像的一部分，第二显示面板1424显示图像剩下的部分。当需要透过第二显示面板1424需要获取图像时，第一驱动模块1444驱动第二显示面板1424关闭显示，第二驱动模块1442可以继续驱动第一显示面板1422显示图像，通过关闭显示的第二显示面板1424获取外界的光信号，并根据光信号得到图像。
以上对本申请实施例所提供的电子设备及显示装置进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (18)

1.一种电子设备，其特征在于，包括显示装置和摄像头模组，所述显示装置包括：
第一基板；
像素定义层，设置在所述第一基板上，所述像素定义层有呈阵列设置的多个像素孔；
多个有机发光体，所述有机发光体设置于所述像素孔内；
公共电极层，所述公共电极层覆盖于所述有机发光体和所述像素定义层；
填充层，所述填充层包括多个填充体，所述填充体设置于所述公共电极层背离所述有机发光体的一侧，且与所述像素孔相对设置；
其中，所述像素定义层与所述填充体的折射率之差小于所述像素定义层与真空的折射率之差；
所述摄像头模组与所述像素孔相对设置，并透过所述显示装置采集图像；
所述显示装置对应所述像素孔所在位置具有垂直于所述第一基板方向的第一光程，所述显示装置对应所述像素孔之外的位置具有垂直于所述第一基板方向的第二光程，所述第一光程等于所述第二光程。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述公共电极层在背离所述像素定义层一侧且对应所述像素孔设置有第一凹槽，所述填充体设置于所述第一凹槽。
3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述显示装置还包括光提取材料层，所述光提取材料层覆盖于所述公共电极层，所述光提取材料层具有第二凹槽，所述第二凹槽正对所述像素孔，所述第二凹槽的开口背离所述像素孔，所述填充体设置于所述第二凹槽内。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述显示装置还包括层叠设置的阳极金属层和第二基板；
所述像素定义层设置于所述阳极金属层和所述公共电极层之间，所述公共电极层设置在所述像素定义层和所述第二基板之间；
所述阳极金属层包括层叠设置的第一阳极金属层、平坦化层、第二阳极金属层，所述第一阳极金属层设置在所述第一基板和所述平坦化层之间，所述第二阳极金属层设置在所述平坦化层和所述像素定义层之间。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述显示装置包括透光区和主体区，所述透光区的面积小于所述主体区的面积，所述透光区的透光率大于所述主体区的透光率，所述摄像头模组与所述透光区相对设置。
6.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一基板；
像素定义层，设置在所述第一基板上，所述像素定义层设置有像素孔；
有机发光体，所述有机发光体设置于所述像素孔内；
公共电极层，所述公共电极层覆盖于所述有机发光体和所述像素定义层；
填充层，所述填充层包括多个填充体，所述填充体设置于所述公共电极层背离所述有机发光体的一侧，且与所述像素孔相对设置；
其中，所述像素定义层与所述填充体的折射率之差小于所述像素定义层与真空的折射率之差；
所述显示装置对应所述像素孔所在位置具有垂直于所述第一基板方向的第一光程，所述显示装置对应所述像素孔之外的位置具有垂直于所述第一基板方向的第二光程，所述第一光程等于所述第二光程。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述公共电极层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分设置于所述像素孔内，且覆盖于所述有机发光体，所述第二部分覆盖于所述像素定义层，所述第一部分和所述第二部分通过所述第三部分连接，所述第一部分和所述第三部分共同形成第一凹槽，所述填充体设置于所述第一凹槽内。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第二部分包括背离所述像素定义层的第一表面，所述填充体背离所述有机发光体的表面与所述第一表面平齐。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述填充层还包括连接体，所述连接体覆盖于所述公共电极层，并与所述多个填充体连接。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第二部分包括背离所述像素定义层的第一表面，所述填充体背离所述有机发光体的表面低于或高于所述第一表面。
11.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括光提取材料层，所述光提取材料层覆盖于所述公共电极层，所述光提取材料层具有第二凹槽，所述第二凹槽正对所述像素孔，所述第二凹槽的开口背离所述像素孔，所述填充体设置于所述第二凹槽内。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述光提取材料层包括背离所述公共电极层的第三表面，所述填充体背离所述有机发光体的表面与所述第三表面平齐。
13.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括层叠设置的阳极金属层和第二基板；
所述像素定义层设置于所述阳极金属层和所述公共电极层之间，所述公共电极层设置在所述像素定义层和所述第二基板之间；
所述阳极金属层包括层叠设置的第一阳极金属层、平坦化层、第二阳极金属层，所述第一阳极金属层设置在所述第一基板和所述平坦化层之间，所述第二阳极金属层设置在所述平坦化层和所述像素定义层之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述第一阳极金属层的材料采用纳米银。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括挡光的遮光块和薄膜晶体管；
所述薄膜晶体管设置在所述第一基板和所述有机发光层之间，所述遮光块设置在所述公共电极层和所述第二基板之间，所述遮光块至少部分与所述薄膜晶体管相对设置。
16.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括透光区和主体区，所述透光区的面积小于所述主体区的面积，所述透光区的透光率大于所述主体区的透光率。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述透光区内像素孔的分布密度小于所述主体区内像素孔的分布密度。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括第一显示面板和第二显示面板，所述第一显示面板设置有缺口，所述缺口在所述第一显示面板的厚度方向上贯穿所述第一显示面板，所述第二显示面板设置在所述缺口内；
所述第一显示面板对应所述主体区，所述第二显示面板对应所述透光区。
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