CN108984038A - 一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置，黑矩阵包括相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极，且第一触控电极和所述第二触控电极均呈网格状结构。即利用交叉设置的第一触控电极与第二触控电极复用为黑矩阵。与现有的显示基板相比省去了单独制备黑矩阵的工艺，因此可以节省生产成本，提高生产效率。

Description

一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置
技术领域
本发明涉及显示触控技术领域，尤指一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、外嵌式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。外挂式触摸屏是将触控电极层嵌入在彩膜基板(Color Filter，CF)和上偏光片之间，即触控电极设置在彩膜基板外侧，易造成划伤。而内嵌式触摸屏将触控电极集成到彩膜基板内侧，即将触控单元整合于显示面板内部，可以减薄模组整体的厚度，受到各大面板厂家青睐。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置。
本发明实施例提供的一种显示基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个彩色光阻层和黑矩阵，且所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影覆盖相邻所述彩色光阻层之间间隙在所述衬底基板上的正投影；其中，
所述黑矩阵包括：沿第一方向延伸的至少一条第一触控电极，沿第二方向延伸的至少一条第二触控电极，且所述第一触控电极与所述第二触控电极相互绝缘；其中所述第一方向与所述第二方向相互交叉；
各所述第一触控电极和各所述第二触控电极均呈网格状结构。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，且所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有绝缘层。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述黑矩阵还包括：
位于相邻所述第一触控电极之间且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻所述第二触控电极之间且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述黑矩阵还包括：
位于相邻的所述第一触控电极之间的第一虚拟电极；且所述第一虚拟电极与所述第一触控电极相互绝缘；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极之间的第二虚拟电极；且所述第二虚拟电极与所述第二触控电极相互绝缘。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述黑矩阵还包括：位于相邻的所述第一触控电极与所述第一虚拟电极之间、且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极与所述第二虚拟电极之间、且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述第一遮光块与所述第二触控电极同层设置；
所述第二遮光块与所述第一触控电极同层设置。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述第一遮光块的线宽大于所述第二触控电极中网格的线宽；
所述第二遮光块的线宽大于所述第一触控电极中网格的线宽。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，所述第一触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层；
所述第二触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层。
相应地，本发明实施例还提供了一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述对向基板面向所述阵列基板一侧设置有黑矩阵；
所述黑矩阵包括：沿第一方向延伸的至少一条第一触控电极，沿第二方向延伸的至少一条第二触控电极，且所述第一触控电极与所述第二触控电极相互绝缘；其中所述第一方向与所述第二方向相互交叉；
各所述第一触控电极和各所述第二触控电极均呈网格状结构。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，且所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有绝缘层。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述黑矩阵还包括：
位于相邻所述第一触控电极之间且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻所述第二触控电极之间且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述黑矩阵还包括：
位于相邻的所述第一触控电极之间第一虚拟电极；且所述第一虚拟电极与所述第一触控电极相互绝缘；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极之间第二虚拟电极；且所述第二虚拟电极与所述第二触控电极相互绝缘。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述黑矩阵还包括：位于相邻的所述第一触控电极与所述第一虚拟电极之间、且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极与所述第二虚拟电极之间、且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述第一遮光块与所述第二触控电极同层设置；
所述第二遮光块与所述第一触控电极同层设置。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述第一遮光块的线宽大于所述第二触控电极中网格的线宽；
所述第二遮光块的线宽大于所述第一触控电极中网格的线宽。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，所述第一触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层；
所述第二触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，还包括彩色光阻层；
所述彩色光阻层和所述黑矩阵均位于所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述彩色光阻层和所述黑矩阵均位于所述对向基板面向所述阵列基板一侧。
相应地，本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种内嵌式触摸屏。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置，黑矩阵包括相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极，且第一触控电极和所述第二触控电极均呈网格状结构。即利用交叉设置的第一触控电极与第二触控电极复用为黑矩阵。与现有的显示基板相比省去了单独制备黑矩阵的工艺，因此可以节省生产成本，提高生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的黑矩阵的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的显示基板中第一触控电极的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示基板中第二触控电极的结构示意图；
图4为图1所示的显示基板沿AA’方向的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的第一触控电极与第一遮光块的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的第二触控电极与第二遮光块的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的黑矩阵的结构示意图之二；
图8为本发明实施例提供的显示基板中第一触控电极和第一虚拟电极的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的显示基板中第二触控电极和第二虚拟电极的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的第一触控电极、第一虚拟电极和第一遮光块的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的第二触控电极、第二虚拟电极和第二遮光块的结构示意图；
图12a至图12g分别为本发明实施例提供的制作显示基板各步骤后的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种显示基板，如图1至图4所示，包括衬底基板01，位于衬底基板01上的多个彩色光阻层02和黑矩阵03；其中，
黑矩阵03在衬底基板01上的正投影覆盖相邻彩色光阻层02之间间隙在衬底基板01上的正投影；
黑矩阵03包括：沿第一方向延伸的至少一条第一触控电极031，沿第二方向延伸的至少一条第二触控电极032，且第一触控电极031和第二触控电极032相互绝缘；其中第一方向与第二方向相互交叉；
各第一触控电极031和各第二触控电极032均呈网格状结构。
本发明实施例提供的显示基板，利用交叉设置的第一触控电极与第二触控电极复用为黑矩阵。与现有的显示基板相比省去了单独制备黑矩阵的工艺，因此可以节省生产成本，提高生产效率。
此外，由于黑矩阵的图形设置在像素的非开口区域，因此可以避免触控电极对显示装置的透过率造成影响。
本发明实施例提供的显示基板中，第一触控电极和第二触控电极中，一个为触控感应电极，另一个为触控驱动电极，在此不作具体限定。当对触控驱动电极加载触控扫描信号时，触控感应电极耦合触控扫描信号并输出触控感应信号，从而实现互电容触控。
在具体实施时，第一方向为行方向，第二方向为列方向，或者，第一方向为列方向，第二方向为行方向。
在具体实施时，显示基板可以是显示面板中的阵列基板，当然也可以是显示面板中与阵列基板相对设置的彩膜基板，在此不作限定。
当显示基板为阵列基板时，显示基板上一般还设置由薄膜晶体管、数据线、栅线、像素电极等。当然，公共电极也可以设置在阵列基板上，在此不作限定。
当显示基板为彩膜基板时，显示基板上也可以设置公共电极、隔垫物等，在此不作限定。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，如图4所示，第一触控电极031与第二触控电极032异层设置，且第一触控电极031与第二触控电极032之间设置有绝缘层033。
需要说明的是，图4是以衬底基板上设置有红色光阻层R、绿色光阻层G和蓝色光阻层B为例进行说明的，本发明不限于此，还可以是其它颜色的光阻层。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示基板相当于对两层相互绝缘的网格层中的其中一层进行切割形成多个第一触控电极，对另一层进行切割形成多个第二触控电极。但是为例避免切口导致显示基板上的像素发生漏光，因此，可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，黑矩阵还包括：
如图5所示，位于相邻第一触控电极031之间且与第一触控电极031绝缘的第一遮光块034；
或者，如图6所示，位于相邻第二触控电极032之间且与第二触控电极032绝缘的第二遮光块035；
或者，如图7所示，位于相邻第一触控电极031之间且与第一触控电极031绝缘的第一遮光块034，位于相邻第二触控电极032之间且与第二触控电极032绝缘的第二遮光块035。
在具体实施时，为例避免相邻触控电极之间发生短路，对网格层进行切割时，一般在两个触控电极之间预留一定的区域作为虚拟(dummy)电极，利用虚拟电极将相邻的两个触控电极隔开，另外，虚拟电极的图案设计为和触控电极的图案类似，以保证显示的均匀性，在一些实施例中，虚拟电极的图案设计为和触控电极的图案相同。因此，可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，黑矩阵还包括：
如图8所示，位于相邻的第一触控电极031之间的第一虚拟电极036；且第一虚拟电极036与第一触控电极031相互绝缘；和/或，
如图9所示，位于相邻的第二触控电极032之间的第二虚拟电极037；且第二虚拟电极037与第二触控电极032相互绝缘。
在具体实施时，在触控时第一虚拟电极上不施加电压，用于防止相邻的第一触控电极之间发生短路。同理，在触控时第二虚拟电极上不施加电压，用于防止相邻的第二触控电极之间发生短路。
另外，在具体实施时，第一虚拟电极的形状由相邻两个第一触控电极之间的彩色光阻层的排列决定，当相邻两个第一触控电极之间具有多行或/多列彩色光阻层时，第一虚拟电极一般也是呈网格状结构的。同理，第二虚拟电极的形状由相邻两个第二触控电极之间的彩色光阻层的排列决定，当相邻两个第二触控电极之间具有多行或/多列彩色光阻层时，第二虚拟电极一般也是呈网格状结构的。
为例避免触控电极与虚拟电极之间的切口会导致显示基板上的像素发生漏光，因此，可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，黑矩阵还包括：
如图10所示，位于相邻的第一触控电极031与第一虚拟电极036之间、且与第一触控电极031绝缘的第一遮光块034；和/或，
如图11所示，位于相邻的第二触控电极032与第二虚拟电极037之间、且与第二触控电极037绝缘的第二遮光块035。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，第一遮光块与第二触控电极同层设置。这样可以使第一遮光块与第二触控电极通过一次构图工艺形成，从而减少工艺步骤，并且第一遮光块与第二触控电极同层设置可以保证第一遮光块与第一触控电极是绝缘的。
同理，可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，第二遮光块与第一触控电极同层设置。这样可以使第二遮光块与第一触控电极通过一次构图工艺形成，从而减少工艺步骤，并且第二遮光块与第一触控电极同层设置可以保证第二遮光块与第二触控电极是绝缘的。
考虑到两层对位精度的影响，可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，第一遮光块的线宽大于第二触控电极中网格的线宽；第二遮光块的线宽大于第一触控电极中网格的线宽。
在具体实施时，触控电极中网格的线宽是指构成网格的金属线的线宽，具体地，构成网格的金属线的线宽在列方向控制在3～5微米，在行方向控制在9～11微米。考虑到两层对位偏移量可以控制在1微米内，因此遮光块的宽度和长度可以加粗2微米。以图5为例，第一遮光块034的长度可以大于对应位置处相邻第一触控电极031之间的间隙宽度2微米。在图5中，由于第一遮光块034沿行方向延伸的，因此第一遮光块034的宽度可以大于第一触控电极031中沿行方向延伸的网格线宽2微米。以图6为例，第二遮光块035的长度可以大于对应位置处相邻第二触控电极032之间的间隙宽度2微米。在图6中，由于第二遮光块035沿列方向延伸的，因此第二遮光块035的宽度可以大于第二触控电极032中沿列方向延伸的网格线宽2微米。
可选地，在本发明实施例提供的显示基板中，第一触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层；
第二触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层。
在具体实施时，第一黑化金属层可以为氧化钼(MoOx)、氮氧化钼(MoOxNy)、氧化钼铌(MoNbOx)或氮氧化钼铌(MoNbOxNy)等，在此不作限定。
在具体实施时，第一过渡层可以为钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)等，在此不作限定。
在具体实施时，金属层可以为铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、铜(Cu)或铜镍合金(CuNi)等，在此不作限定。
在具体实施时，第二过渡层可以为钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)等，在此不作限定。
在具体实施时，第二黑化金属层可以为氧化钼(MoOx)、氮氧化钼(MoOxNy)、氧化钼铌(MoNbOx)或氮氧化钼铌(MoNbOxNy)等，在此不作限定。
下面结合制作工艺对本发明实施例提供的显示基板进行说明。
(1)通过磁控溅射(Physical Vapor Deposition，PVD)方法，在衬底基板01上形成第一电极层，其中第一电极层包括第一黑化金属层(MoOx、MoOxNy、MoNbOx或MoNbOxNy等)，厚度控制在10nm～100nm之间，且满足波长550nm的光的反射率＜10％；第一过渡层(Mo、MoNb或Ti等)，厚度控制在10nm～100nm之间；金属层(Al、AlNd、Cu或CuNi等)，厚度控制在100nm～1000nm之间；第二过渡层(Mo、MoNb或Ti等)，厚度控制在10nm～100nm之间；以及第二黑化金属层(MoOx、MoOxNy、MoNbOx或MoNbOxNy等)，厚度控制在10nm～100nm之间，且满足波长550nm的光的反射率＜10％。然后涂布光阻，光罩、刻蚀、剥胶，剥胶后得到具有网格结构的第一触控电极031，如图12a所示。
在具体实施时，在衬底基板上形成第一电极层之前，对衬底基板进行初始清洗以清除衬底基板表面的杂质粒子。
(2)在第一金属网格层之上，涂布有机绝缘光阻，通过掩膜版曝光显影烘烤后，形成绝缘层033的图案，如图12b所示。
在具体实施时，绝缘层的厚度控制在0.5μm～3μm之间，在此不作限定。考虑两层对位精度影响，偏移量≤1μm，绝缘层033线宽较第一触控电极031的网格线宽加粗2μm。
绝缘层033用于阻隔第一触控电极和第二触控电极，同时保护第一触控电极不被后续制程中的刻蚀液刻蚀。
(3)通过磁控溅射(Physical Vapor Deposition，PVD)方法，形成第二电极层，其中第二电极层包括第一黑化金属层(MoOx、MoOxNy、MoNbOx或MoNbOxNy等)，厚度控制在10nm～100nm之间，且满足波长550nm的光的反射率＜10％；第一过渡层(Mo、MoNb或Ti等)，厚度控制在10nm～100nm之间；金属层(Al、AlNd、Cu或CuNi等)，厚度控制在100nm～1000nm之间；第二过渡层(Mo、MoNb或Ti等)，厚度控制在10nm～100nm之间；以及第二黑化金属层(MoOx、MoOxNy、MoNbOx或MoNbOxNy等)，厚度控制在10nm～100nm之间，且满足波长550nm的光的反射率＜10％。然后涂布光阻，光罩、刻蚀、剥胶，剥胶后得到具有网格结构的第二触控电极032，如图12c所示。
具体地，第一触控电极和第二触控电极共同构成黑矩阵。
在具体实施时，为保证其中相邻第一触控电极之间的通道是断路状态，将部分网格切断。考虑切口处会造成RGB透光，因此在与相邻第一触控电极之间的切口处相应位置处的第二电极层中设置第一遮光块。同理，为保证其中相邻第二触控电极之间的通道是断路状态，将部分网格切断。考虑切口处会造成RGB透光，因此在与相邻第二触控电极之间的切口处相应位置处的第一电极层中设置第二遮光块。
同时，考虑两层对位精度影响(Overlay)，偏移量≤1μm，切口处遮光块需进行补偿，即遮光块的长度较切口长度加长2μm，遮光块的宽度较对应位置处网格线宽加粗2μm。在具体实施时，沿列方向的网格线宽管控在4±1μm，沿行方向的网格线宽管控在10±1μm。
(4)黑矩阵的镂空处，通过光罩工艺依次形成像素区域的彩色光阻层02，如图12d所示，例如红色光阻层R、绿色光阻层G、蓝色光阻层B。
进一步地，当上述显示基板为彩膜基板时，在步骤(4)之后还包括：
(5)在彩色光阻层02之上通过一道光罩工艺形成平坦化层04，如图12e所示。
(6)在平坦化层04之上使用磁控溅射(Physical Vapor Deposition，PVD)方法沉积一层透明电极层05，例如氧化铟锡(ITO)，如图12f所示。
(7)在透明电极层05表面再通过光罩工艺形成隔垫物(Photo Spacer，PS)06，如图12g所示。
综上所述，仅需要8道光罩工艺即可形成图12g所示的内嵌式触摸屏的彩膜基板。彩膜基板包括第一电极层、绝缘层、第二电极层、红色光阻层R、绿色光阻层G、蓝色光阻层B、平坦化层、透明电极层和隔垫物。其中，透明电极层不需要光罩工艺。
在具体实施时，将上述彩膜基板与阵列基板10对合、然后进行灌注液晶、UV固化等，形成如图13所示的内嵌式触摸屏。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，阵列基板面向对向基板一侧，或对向基板面向阵列基板一侧设置有黑矩阵；
如图1所示，黑矩阵03包括相互绝缘且交叉设置的第一触控电极031与第二触控电极032，且第一触控电极031和第二触控电极032均呈网格状结构。
本发明实施例提供的内嵌式触摸屏，利用交叉设置的第一触控电极与第二触控电极复用为黑矩阵。与现有的显示基板相比省去了单独制备黑矩阵的工艺，因此可以节省生产成本，提高生产效率。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，如图4所示，第一触控电极031与第二触控电极032异层设置，且第一触控电极031与第二触控电极032之间设置有绝缘层033。
在具体实施时，为了避免第一触控电极之间发生短路，相邻第一触控电极之间具有空隙，该空隙会导致显示基板上的像素发生漏光，可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，黑矩阵还包括：
如图5所示，位于相邻第一触控电极031之间且与第一触控电极031绝缘的第一遮光块034；
或者，如图6所示，位于相邻第二触控电极032之间且与第二触控电极032绝缘的第二遮光块035；
或者，如图7所示，位于相邻第一触控电极031之间且与第一触控电极031绝缘的第一遮光块034，位于相邻第二触控电极032之间且与第二触控电极032绝缘的第二遮光块035。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，黑矩阵还包括：
如图8所示，位于相邻的第一触控电极031之间的第一虚拟电极036；且第一虚拟电极036与第一触控电极031相互绝缘；和/或，
如图9所示，位于相邻的第二触控电极032之间的第二虚拟电极037；且第二虚拟电极037与第二触控电极032相互绝缘。
在具体实施时，在触控时第一虚拟电极上不施加电压，用于防止相邻的第一触控电极之间发生短路。同理，在触控时第二虚拟电极上不施加电压，用于防止相邻的第二触控电极之间发生短路。
为例避免触控电极与虚拟电极之间的空隙会导致像素发生漏光，因此，可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，黑矩阵还包括：
如图10所示，位于相邻的第一触控电极031与第一虚拟电极036之间、且与第一触控电极031绝缘的第一遮光块034；和/或，
如图11所示，位于相邻的第二触控电极032与第二虚拟电极037之间、且与第二触控电极037绝缘的第二遮光块035。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，第一遮光块与第二触控电极同层设置。这样可以使第一遮光块与第二触控电极通过一次构图工艺形成，从而减少工艺步骤，并且第一遮光块与第二触控电极同层设置可以保证第一遮光块与第一触控电极是绝缘的。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，第二遮光块与第一触控电极同层设置。这样可以使第二遮光块与第一触控电极通过一次构图工艺形成，从而减少工艺步骤，并且第二遮光块与第一触控电极同层设置可以保证第二遮光块与第二触控电极是绝缘的。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，第一遮光块的线宽大于第二触控电极中网格的线宽；第二遮光块的线宽大于第一触控电极中网格的线宽。
在具体实施时，触控电极中网格的线宽在列方向控制在3～5微米，在行方向控制在9～11微米。考虑到两层对位偏移量可以控制在1微米内，因此遮光块的宽度和长度可以加粗2微米。以图5为例，第一遮光块034的长度可以大于对应位置处相邻第一触控电极031之间的间隙宽度2微米。在图5中，由于第一遮光块034沿行方向延伸的，因此第一遮光块034的宽度可以大于第一触控电极031中沿行方向延伸的网格线宽2微米。以图6为例，第二遮光块035的长度可以大于对应位置处相邻第二触控电极032之间的间隙宽度2微米。在图6中，由于第二遮光块035沿列方向延伸的，因此第二遮光块035的宽度可以大于第二触控电极032中沿列方向延伸的网格线宽2微米。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，第一触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层；
第二触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层。
在具体实施时，第一黑化金属层可以为氧化钼(MoOx)、氮氧化钼(MoOxNy)、氧化钼铌(MoNbOx)或氮氧化钼铌(MoNbOxNy)等，在此不作限定。
在具体实施时，第一过渡层可以为钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)等，在此不作限定。
在具体实施时，金属层可以为铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、铜(Cu)或铜镍合金(CuNi)等，在此不作限定。
在具体实施时，第二过渡层可以为钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)等，在此不作限定。
在具体实施时，第二黑化金属层可以为氧化钼(MoOx)、氮氧化钼(MoOxNy)、氧化钼铌(MoNbOx)或氮氧化钼铌(MoNbOxNy)等，在此不作限定。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，阵列基板上有呈矩阵排列的多个像素单元；
第一方向为像素单元的行方向，第二方向为像素单元的列方向；或者，
第一方向为像素单元的列方向，第二方向为像素单元的行方向。
可选地，在本发明实施例提供的内嵌式触摸屏中，还包括彩色光阻层；其中，
彩色光阻层和黑矩阵均位于阵列基板面向对向基板一侧，或彩色光阻层和黑矩阵均位于对向基板面向阵列基板一侧。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种内嵌式触摸屏。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述内嵌式触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置，黑矩阵包括相互绝缘且交叉设置的第一触控电极与第二触控电极，且第一触控电极和所述第二触控电极均呈网格状结构。即利用交叉设置的第一触控电极与第二触控电极复用为黑矩阵。与现有的显示基板相比省去了单独制备黑矩阵的工艺，因此可以节省生产成本，提高生产效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个彩色光阻层和黑矩阵，且所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影覆盖相邻所述彩色光阻层之间间隙在所述衬底基板上的正投影；其中，
所述黑矩阵包括：沿第一方向延伸的至少一条第一触控电极，沿第二方向延伸的至少一条第二触控电极，且所述第一触控电极与所述第二触控电极相互绝缘；其中所述第一方向与所述第二方向相互交叉；
各所述第一触控电极和各所述第二触控电极均呈网格状结构。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，且所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有绝缘层。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵还包括：
位于相邻所述第一触控电极之间且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻所述第二触控电极之间且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵还包括：
位于相邻的所述第一触控电极之间的第一虚拟电极；且所述第一虚拟电极与所述第一触控电极相互绝缘；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极之间的第二虚拟电极；且所述第二虚拟电极与所述第二触控电极相互绝缘。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵还包括：位于相邻的所述第一触控电极与所述第一虚拟电极之间、且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极与所述第二虚拟电极之间、且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
6.如权利要求3或5所述的显示基板，其特征在于，所述第一遮光块与所述第二触控电极同层设置；
所述第二遮光块与所述第一触控电极同层设置。
7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一遮光块的线宽大于所述第二触控电极中网格的线宽；
所述第二遮光块的线宽大于所述第一触控电极中网格的线宽。
8.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层；
所述第二触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层。
9.一种内嵌式触摸屏，包括相对设置的阵列基板和对向基板；其中，所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述对向基板面向所述阵列基板一侧设置有黑矩阵，其特征在于：
所述黑矩阵包括：沿第一方向延伸的至少一条第一触控电极，沿第二方向延伸的至少一条第二触控电极，且所述第一触控电极与所述第二触控电极相互绝缘；其中所述第一方向与所述第二方向相互交叉；
各所述第一触控电极和各所述第二触控电极均呈网格状结构。
10.如权利要求9所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，且所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有绝缘层。
11.如权利要求10所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵还包括：
位于相邻所述第一触控电极之间且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻所述第二触控电极之间且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
12.如权利要求10所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵还包括：
位于相邻的所述第一触控电极之间第一虚拟电极；且所述第一虚拟电极与所述第一触控电极相互绝缘；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极之间第二虚拟电极；且所述第二虚拟电极与所述第二触控电极相互绝缘。
13.如权利要求12所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵还包括：位于相邻的所述第一触控电极与所述第一虚拟电极之间、且与所述第一触控电极绝缘的第一遮光块；和/或，
位于相邻的所述第二触控电极与所述第二虚拟电极之间、且与所述第二触控电极绝缘的第二遮光块。
14.如权利要求11或13所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述第一遮光块与所述第二触控电极同层设置；
所述第二遮光块与所述第一触控电极同层设置。
15.如权利要求14所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述第一遮光块的线宽大于所述第二触控电极中网格的线宽；
所述第二遮光块的线宽大于所述第一触控电极中网格的线宽。
16.如权利要求10所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述第一触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层；
所述第二触控电极包括依次层叠设置的第一黑化金属层、第一过渡层、金属层、第二过渡层和第二黑化金属层。
17.如权利要求9-13、16任一项所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，还包括彩色光阻层；
所述彩色光阻层和所述黑矩阵均位于所述阵列基板面向所述对向基板一侧，或所述彩色光阻层和所述黑矩阵均位于所述对向基板面向所述阵列基板一侧。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9-17任一项所述的内嵌式触摸屏。
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