TWI267048B - Light emitting device, manufacturing method for light emitting device, and electronic equipment - Google Patents

Description

1267048 • (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關發光裝置，發光裝置之製造方法及電子 機器之構成。 【先前技術】 近年來，從小型化·薄型化的觀點，具有第1電極， % 第2電極，於前述第1電極及前述第2電極之間有發光層 之發光裝置則被眾所注目。 對於發光裝置係有由有機材料構成構成發光層之材料 之有機電激發光裝置，而使用在有機電激發光裝置之發光 元件係亦有稱爲有機EL元件，有機發光二極體元件，發 光聚合物元件，OLED元件之情況，而有機電激發光裝置 係可採用液相法（例如，噴墨法，縫隙圖膜法，接著劑塗 抹法’網點印刷法等）來製造，即，具有因應畫素形成範 % 圍而形成之複數第1電極與，分割各第1電極之間隔壁， 並將溶解有機材料於規定之溶劑或將分散於規定之分散劑 之液滴狀體，配置在形成在畫素形成範圍之規定的第1電 極上，之後去除溶劑或分散劑來形成含有發光層之有機化 合物層，之後，如覆蓋有機化合物層極間隔壁地形成第2 電極。 針對在液相法係由直接接合在畫素電極之第1間隔壁 部與形成在第1間隔壁部之第2間隔壁部來構成間隔壁， 並且’由親液化處理其第1間隔壁部及第1電極之同時疏 -4- (2) 1267048 液化處理第2間隔壁部之情況，作爲使所配置之液滴密著 在畫素電極之同時，規避與配置再作爲鄰接之其他第1電 極（畫素電極）之液滴混合（例如：申請專利文獻1)。 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但，針對在構成如此構成之發光裝置係如前述，因例 φ 如如含有氟素原子地疏液化處理第2間隔壁部之扁面，故 有著表面能量低而第2電極無法密著於間隔壁造成剝離之 情況，另外，例如，即使第2電極密著於隔部，進行發光 動作之情況或溫度等環境產生變化之情況，加上應力於第 2電極，而其結果，亦有第2電及從間隔壁剝離之情況， 因此，有著發光不良產生之問題。 本發明係有鑑於上述問題點所作爲之構成，而其目的 係爲提供間隔壁部與第2電極不會剝離且對經時劣化或環 # 境等強之信賴性高之發光裝置，發光裝置之製造方法及由 具備如此之發光裝置而成之電子機器之情況。 [爲解決課題之手段] 本發明之發光裝置之特徵係於基板上由間隔壁分割形 成複數畫素形成範圍，並於其各畫素形成範圍形成第1電 極與’如包覆前述間隔壁及前述畫素形成範圍地形成之第 2第電極與，至少於前述第1電極及前述有第2電極之間 具有發光層之有機化合物層，並前述間隔壁係具有上側壁 -5- (3) 1267048 與橫側壁，並於前述間隔壁之上側壁的一部分形成使前述 間隔壁與前述有第2電極密著之密著部，而密著部係形成 在第2間隔壁部之前述第1電極之週邊部以外之範圍，而 密著部係由有機材料所構成之情況則爲理想，另外，間隔 壁係由第1間隔壁部與形成在其第1間隔壁部上側之第2 間隔壁部而成，並第1間隔壁部係由無機材料所構成，而 第2間隔壁部係由有機材料所構成之，並密著部係根據第 φ 2間隔壁部之一部分所構成之。 如根據此，於間隔壁之上側壁的一部分形成有密著 部，隨之，針對在如包覆有機化合物層及間隔壁地形成第 2電極而成之發光裝置係根據形成密著部之情況，可防止 第2電極與間隔壁部剝離之情況，隨之，因密著有間隔壁 與第2電極，故即使爲進行發光動作之情況或溫度等環境 產生變化之情況，亦可實現信賴性高之發光裝置，另外， 密著部係由有機材料所形成，並期望由構成間隔壁之材料 # 所構成之情況，而根據如此作爲，將可使間隔壁與第2電 極之密著性提升。 針對在此發光層，於間隔壁之表面形成有疏液部，並 其特徵爲密著部係爲去除疏液部之一部分之部分，另外’ 間隔壁係由第1間隔壁部與形成在其第1間隔壁部之第2 間隔壁部而成，並於前述第2間隔壁部之表面形成有疏液 部，並前述密著部係亦可爲去除疏液部之一部分之部分。 例如，當如含有氟素原子第形成疏液部於間隔壁表面 全體時，因表面能量低，故間隔壁的疏液部宇第2電極之 -6- (4) 1267048 密著力薄弱，但，因去除疏液部之一部分，故可使間隔壁 之疏液部與第2電極之密著性提升，並可防止針對在間隔 壁與第2電極之介面的剝離。 針對在此發光裝置’因應複數衋素形成範圍設置有驅 動電路’並於前述第2間隔壁部之表面，具有根據前述驅 動電路之階差’而前述密著部係亦可形成在前述階差上， 而針對在本發明之驅動電路係包含有電晶體，二極體，容 • 量等之各種機能元件或’掃描線’資料線，電源線等之配 線，配線與機能元件之接續的接觸孔，而驅動電路係至少 含有2層的金屬層，並具有複數之金屬層平面視重疊之範 圍，並前述密著部係亦可設置在根據該範圍之階差上，例 如，密著部係亦可因應掃描線與資料線之交叉部，或者掃 描線與電源線之交叉部來設置。 如根據此，可利用形成在間隔壁上側壁之階差來形成 密著部之情況。 Φ 針對在此發光裝置，其特徵係前述密著部爲將前述間 隔壁粗糙面化之部分情況。 如根據此，因由作爲粗糙面化之情況，可擴大間隔壁 與第2電極接觸之表面積，故可使間隔壁與第2電極之密 著性提升，並可防止第2電極之剝離情況，而間隔壁之至 少表面如由有機材料所構成，根據氧電漿等表面處理，將 可容易形成粗糙面化於間隔壁之部分情況。 針對在此發光裝置，其特徵係前述密著部爲將前述間 隔壁作爲氧化處理或氮化處理之部分。 -7- (5) 1267048 如根據此，根據將間隔壁之 或氮化處理之情況而形成密著部 之能量而提升間隔壁與第2電極 電極之剝離情況，而當由丙烯基 成間隔壁時，丙烯基樹脂或聚醯 或氮原子，故根據進行氧化處理 形成密著部。 p 另外，其特徵爲由第1密封 具備如覆蓋前述第2電極地形成 係由有機數之而成，而第2密封 而成之情況。 如根據此，因包含密著部之 根據有機樹脂所形成，故可降低 之間之應力情況，另外，根據此 對於發光元件之擴散情況，特別 Φ 材料來構成間隔壁與第1密封層 壁部與第2密封層係同時將氧化 況則爲理想。 本發明之發光裝置之製造方 電極之工程與，至少前述第1電 有上側避與橫側壁之間隔壁的工 側壁之至少一部分形成密著部之 合物層之液體材料於由前述間1¾ 與，如包覆前述間隔壁及前述畫 至少一部分作爲氧化處理 時，因可提升密著部表面 :之親和性，故可防止第2 樹脂或聚醯亞胺樹脂來構 亞胺樹脂係因含有氧原子 或氮化處理之情況可容易 層與第2密封層而成，並 之密封層，而第1密封層 層係由氧化矽或氧氮化係 間隔壁與第1密封層同時 產生在第2電極與間隔壁 ，可良好地防止水分或氧 是，期望由同等之膜應力 之情況，另外，第1間隔 矽素作爲主體來構成之情 法的特徵係具有形成第1 極之一部份重疊地形成具 程與，於前述間隔壁之上 工程與，配置含有有機化 尋壁所分割之範圍的工程 素形成範圍地形成第2電 (6) 1267048 極於前述密著部上之工程的情況。 如根據此，針對在如包覆有機化合物層及間隔 成第2電極而成之發光裝置係根據形成密著部之情 可防止第2電極與間隔壁部剝離之情況，隨之，因 著間隔壁與第2電極，故即使有進行發光動作之情 度等環境產生變化之情況，亦可實現信賴性高之發 情況。 針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲形成 隔壁之工程係爲前述間隔壁之上側壁之至少一部分 有機材料地來形成之工程，並形成前述密著部之工 由構成前述間隔壁之前述有機材料來形成之工程， 形成前述間隔壁之工程係爲至少前述第1電極之一 疊地採用無機材料來形成第1間隔壁部之工程與， 機材料來形成第2間隔壁部於前述第1間隔壁部上 程’而形成前述密著部之工程係亦可爲由構成前述 隔壁部之前述有機材料來形成之工程。 如根據此，將不會有構成間隔壁與密著部之材 爲有機材料而使應力發生之情況，而可使間隔壁與 極之密著性提升之情況。 針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲形成 隔壁之工程係包含形成疏液部於間隔壁之工程，而 述密著部之工程係爲去除前述疏液部之一部分之 況。 例如，當如含有氟原子地形成疏液部於間隔壁 壁地形 況，將 加強密 況或溫 光裝置 前述間 則成爲 程係爲 另外， 部分重 採用有 側之工 第2間 料因爲 第2電 前述間 形成前 工程情 表面全 -9 - (7) 1267048 體時，因表面能量低，故間隔壁之疏液部與第2電極之密 著力薄弱，但因去除疏液部之一部分而表面能量則變高， 將可使間隔壁與第2電極之密著性提升，並可防止針對在 間隔壁與第2電極之介面的剝離情況。 針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲更加地包含 形成驅動電路而形成第1階差之工程，而形成前述間隔壁 之工程係爲形成因應前述第1階差之第2階差於間隔壁之 φ 上側壁之工程，而形成前述密著部之工程係爲因應前述第 2階差來削減間隔壁之一部分之工程情況。 如根據此，將可利用形成在間隔壁之上壁側之第2階 差來形成密著部之情況，而針對在本發明之驅動電路係電 晶體，二極體，容量等之各種機能元件或，掃描線，資料 線，電源線等之配線，配線與機能元件之接續的接觸孔， 而驅動電路係至少含有2層的金屬層’並具有複數之金屬 層平面視重疊之範圍，並密著部係亦可根據形成在前述複 • 數金屬層平面視重疊之範圍之第2階差來形成之，例如， 密著部係亦可因應維持容量，掃描線與資料線之交叉部， 或者掃描線與電源線之交叉部來設置。 針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲形成前述密 著部之工程係爲將前述間隔壁的上側壁作爲粗糙面化之工 程情況。 如根據此，由作爲粗糙面化之情況，因可擴大間隔壁 與第2電極接合之表面積情況，故可使間隔壁與第2電極 之密著性提升，隨之，將可防止第2電極之剝離，而間隔 -10- (8) 1267048 壁之至少表面如臝有機材料所構成之情況，根據氧電漿等 之表面處理，將可容易地形成粗糙面化於間隔壁之部分情 況。 針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲形成前述密 著部之工程係爲氧化或氮化前述間隔壁上壁側之工程情 況。 如根據此，當根據氧化處理或氮化處理間隔壁之至少 • 一部分之情況而形成密著部時，因可提高密著部表面能量 之情況而提升間隔壁與第2電極之親和性情況，故可防止 第2電極之剝離，而當由丙烯基樹脂或聚醯亞胺樹脂來構 成間隔壁時，丙烯基樹脂或聚醯亞胺樹脂係因含有氮原 子，故根據進行氧化處理或氮化處理之情況可容易形成密 著部。 另外，針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲形成 前述密著部之工程係包含由掩膜來覆蓋前述間隔壁之前述 # 第1電極之週緣範圍之工程與，藉由前述掩膜形成密著部 之工程情況。 如根據此，可根據具備使第2電極密著之密著部於前 述第1電極之週邊部範圍以外之範圍情況來製造不易剝離 第2電極之發光裝置之情況，另外，根據掩膜由保護第2 間隔壁部之前述第1電極週邊部範圍（主要第2間隔壁部 之傾斜範圍）之狀態下，由形成密著部之情況，因液體材 料不會附著於前述第1電極之週邊部範圍而可將液體材料 配置在所期望之範圍（第1電極上之畫素形成範圍），故可 -11 - (9) 1267048 有效使用液體材料情況。 針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲更加地 清淨化或活性化前述第1電極之工程，而形成前述密 之工程係與清淨化或活性化前述第1電極之工程同時 之情況’另外，形成前述密著部之工程之特徵係包含 膜包覆前述間隔壁之前述第1電極週緣範圍之同時， 述間隔壁之上壁側之至少一部分與，由前述間隔壁所 φ 之範圍形成前述掩膜之開口部之工程與，藉由具有前 口部之前述掩膜來形成前述密著部之工程之情況。 如根據此，根據作爲同時進行形成前述密著部之 與，清淨化或活性化前述第1電極之工程與，保護前 1電極週緣範圍之工程情況，不需增加發光裝置之製 程數就可形成密著部之情況。 另外’針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲 前述第1電極之工程係爲由金屬氧化物來形成前述第 • 極之工程，並清淨化或活性化前述第1電極之工程之 形成前述密著部之工程係爲進行氧化之工程情況，根 銦錫氧化物，氧化銦·氧化鋅系非晶形之金屬氧化物 成第1電極，並將第1電極及間隔壁之上側壁之至少 分進行氧化之情況，可形成密著部之同時亦可清淨化 性化第1電極之情況。 另外，針對在此發光裝置之製造方法，其特徵爲 前述間隔壁所分割之範圍配置含有有機化合物層之液 料的工程係爲根據噴墨法來配置含有有機化合物層之 包含 著部 進行 由掩 於前 分割 述開 工程 述第 造工 形成 1電 同時 據由 來構 一部 或活 於由 體材 液體 -12- (10) ^267048 材料液滴之工程，而形成前述密著部之工程係於滿足以下 之（式子1)之範圍形成前述密著部之工程情況。 [式1] R4 = ^3= (Rl+R2) 在此 R1 :液滴的半徑 φ R2 :從噴墨頭配置時之配置不均 R3 :從間隔壁至密著部之距離 R4 =畫素形成範圍與畫素形成範圍之間隔 根據如此作爲之情況，配置液低之部位係因可作爲疏 液部或畫素形成範圍之情況，液滴則不會流入至藉由間隔 壁作爲鄰接之其他畫素形成範圍之情況而可配置在規定之 畫素形成範圍內。 本發明之電子機器係具備有上述記載之發光裝置，如 / · 根據此，將可提供由具備第2電極不會剝離而不易產生顯 示不良之發光裝置而成之電子機器情況。 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳型態] 以下，依據圖面說明適用本發明之發光裝置於有機電 激發光裝置之各實施型態。 <第I實施型態> -13- (11) 1267048 <發光裝置> 圖1係爲表示有關本發明之發光裝置1的槪略構成方 塊圖，而發光裝置1係具備有畫素範圍A，掃描驅動電路 1 0 0，資料線驅動電路2 0 0，控制電路3 0 0，以及電源電路 700，之中，對於畫素範圍A係與X方向平行第形成有m 條之掃描線1 〇 1，另外，與和X方向垂直交叉之Y方向明 形地形成有η條資料線1 〇 3，並且，因應掃描線1 01與資 # 料線1〇3之各交叉各自設置有畫素電路400，而畫素電路 400係含有發光元件OLED，另外，對於各畫素電路400 係藉由複數之電源線L來供給根據電源電路700所生成之 電源電位VEL，而此例之電源線L係與資料線1 03平行 地來設置，並從其一端供給電源電位VEL。 掃描驅動電路1 00細聲成爲了依序選擇複數之掃描線 101的掃描信號Yl，Υ2，Υ3，…，Ym，而掃描信號Υ1， Y2，Y3，…，Ym係根據將Y傳送開始脈衝DY作爲同期 ® 於γ時脈信號γ c L K來進行依序傳送之情況所生成，而 掃描信號Y 1係爲從1垂直掃描期間（1 F)之最初時機，相 當於1水平掃描期間（1 H)幅度之脈衝，然後供給至第丨行 之掃描線1 〇 1，之後依序位移此脈衝，然後作爲掃描信號 Y2，Y3，…，Ym供給至各自2，3，…m行之掃描線 1 0 1，而一般來說，供給至第i (i係滿足1 $ i ^ m之整數） 行之掃描線1 〇 1之掃描信號Yi，當成爲Η等級時，則表 示選擇該掃描線1 0 1之情況。 資料線驅動電路200係依據輸出等級資料Dout，對 -14- (12) 1267048 於位置在所旋則之掃描線1 0 1之各個畫素電路供給等級信 號 XI，X2，X3，X4，…，Xn，針對在此例，等級信號 X 1〜Xn係作爲只是等級亮度之電流信號所傳達之。 控制電路3 00係生成Y時脈信號YCLK，X時脈信號 XCLK，X傳送開始脈衝DX，Y傳送開始脈衝DY等之各 種控制信號來將此輸出至掃描驅動電路1 00極資料線驅動 電路200，另外，控制電路3 00係施以伽瑪補正等之畫像 φ 處理至從外部供給之輸入等級資料Din來生成輸出等級資 料 D o u t 〇 於圖2表示有畫素電路4 00之電路圖，而畫素電路 4 00係具備有維持電晶體Trl，驅動電晶體Tr2，維持容 量CAP及發光元件OLED，而對於維持電晶體Trl之閘極 係從掃描線101供給掃描信號（Yl，Y2，Y3，…，Ym)， 並其源極係與任何一個資料線1 02接續，且供給等級信號 XI，X2，X3，X4，…，Xn之任何一個，而維持電晶體 # Trl之汲極與驅動電晶體Tr2之閘極與維持容量CAP之一 端係被接續著，另外，維持容量CAP之另一端係接續於 電源線L，但如接續於固定電爲之配線即可，對於維持容 量CAP係針對在選擇期間寫入等級信號，並維持寫入至 接下來的選擇期間爲止之電壓，再因應等級信號，發光元 件OLED則發光。 圖3係爲畫素電路400之平面圖，而圖4係爲圖3所 示之Z-Z’線之剖面圖，而驅動電晶體Tr2係藉由將氧化 矽素作爲主體之基材保護層1 2來設置在基板1 1的表面， -15- (13) 1267048 而對於基材保護層1 2之上層係形成有矽層1 3，而閘極絕 緣層1 4係如包覆矽層1 3地設置在基材保護層1 2之上 層，而閘極絕緣層1 4之表面之中，於對向於矽層之部分 設置有閘極電極1 5，而藉由此閘極電極1 5對於矽層1 3 係摻雜有 V族元素，並形成汲極範圍1 3 B及源極範圍 1 3 C，在此，沒有摻雜有V族元素之範圍則成爲通道範圍 1 3 A，而第1絕緣層1 6係如包覆閘極電極1 5地形成在閘 φ 極絕緣層1 4之上層，而更加地，汲極電極1 7則藉由跨越 閘極絕緣層1 4及第1絕緣層1 6進行開孔之接觸孔1 7C來 與汲極範圍13B所接續，另一方面，源極電極17B係夾 合閘極電極15設置在與汲極電極17A對向之位置，並跨 越閘極絕緣層1 4及第1絕緣層1 6進行開孔之接觸孔1 7C 來與源極範圍1 3 C所接續，而第2絕緣層1 8則如包覆汲 極電極17A及源極電極17B地形成在第1絕緣層16之上 層，而更加地，作爲發光元件之楊極而發揮機能之畫素電 Φ 極（第1電極）1 9則藉由針對在第2絕緣層1 8進行開孔之 接觸孔19C來與源極電極17B接續，而畫素電極19係由 銦錫氧化物（ITO)，氧化銦.氧化鋅系非晶形之金屬氧化物 所構成，並且，對於畫素電極1 9係供給因應從驅動電晶 體Tr2所供給之驅動電流之電流密度的載體。 間隔壁2 G係分割各個畫素電極而形成有畫素形成範 圍2 ’並如包覆接觸孔1 7C，接觸孔；[9C，維持電晶體 T r 1，驅動電晶體T r 2，維持容量c A P，掃描線1 〇 1，資料 線1 02，電源線L地來形成之。 -16- (14) 1267048 間隔壁20係由鄰接在畫素電極1 9所形成之第1間隔 壁部20A與，形成在其第}間隔壁部2〇a上之第2間隔 壁部20B所構成，而第！間隔壁部2〇a係例如由氧化矽 素，氧氮化矽素之無機材料所構成，而第2間隔壁部20B 係例如由聚醯亞胺樹脂，丙烯基樹脂之有機材料所構成， 另，第2間隔壁部2 0 B係具有上側壁與橫側壁，並橫側壁 係如具有傾斜地來形成著，即，在第1間隔壁部20A之 φ 中係第2間隔壁部20B之開口部小，而隨著從第1間隔壁 部20A朝向上方向側，第2間隔壁部20B之開口部面積 則變大。 並且，間隔壁20係成爲從第2間隔壁部20B，使第1 間隔壁部20A平面地突出露出至畫素形成範圍2之中央 側之構成，隨之，針對在畫素形成範圍2，形成第1間隔 壁部20A之平坦部於第1間隔壁部20A與第2間隔壁部 20B之邊界地形成第2間隔壁部20B，而其結果，針對在 φ 各畫素形成範圍2，在間隔壁20與畫素電極1 9接合之附 近，親液性則成爲支配方式，並在間隔壁20之上部係疏 液性則成爲支配方式。 於至少包含有橫側部之第2間隔壁部20B之表面形成 有疏液部20BA，而疏液部係與畫素電極19或第1間隔壁 部2 0 A作比較，疏液性成爲更高地來形成。 另外，於針對在形成有接觸孔1 7 C，接觸孔1 9 C，維 持電晶體Trl，驅動電晶體Tr2，維持容量CAP，掃描線 1 0 1，資料線1 02，電源線L之任何一個之範圍上方之第2 -17- (15) 1267048 間隔壁部20B表面，至少形成有密著部20BB，而對於此 密著部20BB係無形成有疏液部20BA，另此密著部20BB 係例如如含有氧原子或氮原子而提高表面能量地來形成 之，隨之，密著部20BB係由含有聚醯亞胺樹脂，丙烯基 樹脂所構成之情況則爲理想。 發光元件OLED係形成在由間隔壁所分割之畫素形成 範圍2，如圖4所示，各正孔輸送層21係定著於作爲對 Φ 應之畫素電極19，另外，發光層22係並非與形成在作爲 鄰接之畫素形成範圍2內之其他發光層22混合而形成在 規定之畫素形成範圍2內。 正孔輸送層2 1係例如由聚噻吩衍生物，聚吡咯衍生 物等，或這些摻雜體之有機材料所構成，而正孔輸送層 2 1係爲爲了使從畫素電極1 9所供給之負荷體有效注入於 發光層2 2的層。 發光層22係由各個有機材料所構成，而詳細係發光 ® 層22係由可將螢光或燐光進行發光之眾知的有機物發光 材料所構成之，而具體來說係適合採用聚芴衍生物（PF)， (聚）對苯乙烯撐衍生物（PPV)，聚對苯衍生物（PP)，聚對苯 乙烯撐衍生物（PPP)，聚乙烯咔唑（PVK)，聚噻吩衍生物， 聚芴苯并噻二唑（PFBT)，聚烷基噻吩（PAT)聚甲基苯基矽 烷（PMPS)等之聚矽烷系等。 對於這些高分子系材料亦可摻雜紫蘇系色素，香豆素 系色素，若丹明系色素之低分子系材料或，紅熒烯，紫蘇 烯，9，10-二苯基蒽，四苯基丁二烯，耐綸紅，香豆素 -18- (16) 1267048 6，喹吖酮等之低分子材料來採用之情朽 陰極23係亦可爲由1層而之金屬j 而成之金屬層，而具體來說係陰極 (Mg)，鋰（Li)，鈣（Ca)等之單體材料， (Al)(Mg : Al=10 : 1)合金所構成，另^ Li20/鋁（A1)，氟化鋰（LiF)/鋁（A1)，氟 之堆積膜。 • 發光元件OLED係由畫素電極19 發光層22，陰極23所構成之，另外， 層，正孔方塊層，電子輸送層，電子注 等。 另外，如包覆發光元件OLED之陰 密封層24，而密封層24係由由有機樹 層與，具有由氧化矽素或氧氮化矽素等 氣體阻隔性之同時，如包覆第1密封層 # 封層而成之情況則爲理想。 形成在第2間隔壁部20B之陰極 20BB則直接與陰極23接合，而疏液部 量高，故此陰極23係與疏液部20BA 密著部20BB與陰極23細密著力則強 形成疏液部20BA之第2間隔壁部20B 壁2 0與陰極1 4密著之密著部而發揮其 2 0與第2電極2 3不會剝離地可實現對 強之信賴性高之發光裝置。 罾或由2層或3層 23由鋁（A1)，鎂 或者由鎂（Mg)-鋁 I，適合爲氧化鋰 化鎂（MgF2)/鋁（A1) ，正孔輸送層2 1， 亦可含有正孔注入 入層，電子方塊層 極23全面地形成 月旨而成之第1密封 之無機材料而成之 地來形成之第2密 23全面之密著部 20BA係因表面能 之密著力薄弱，但 力密著，，沒有 係作爲強力使間隔 機能，並間隔壁部 於劣化或環境變化 -19- (17) 1267048 另外’密著部2 0 B B係期望爲根據將第2間隔壁部 2 0B之上側壁作爲粗糙面化之情況形成之，而由作爲粗糙 面化之情況，因可擴大第2間隔壁部2 0 B與陰極2 3之接 合表面積，故可使間隔壁2 0與陰極2 3之密著性提升。 針對在上述實施型態，形成疏液部2 0 B A，並去除疏 液部2 0 B A之一部分而形成密著部2 0 B B，但，亦可將第2 間隔壁部2 0 B之上側壁之至少一部分作爲粗糙面化而形成 # 密著部，並於第2間隔壁部20B表面全體形成疏液部 2 0ΒΑ ’而由作爲粗糙面化之情況，因可擴大第2間隔壁 部20B與陰極23之接合表面積，故可使間隔壁20與陰極 23之密著性提升。 <發光裝置之製造方法> 接著，隨著圖5及圖6來說明形成如前述構成之發光 裝置1之製造方法之一例。 • 首先，準備圖5(a)所示之基板P，在此，在發光元件 OLED之中係可作爲從基板1 1側取出根據後述之發光層 22之發光光之構成（所謂[底部發射])，另外，亦可作爲從 與基板1 1相反側取出之構成（所謂[前放射])，而作爲從基 板1 1取出發光光之構成的情況，作爲基板材料係可採用 玻璃或石英，樹脂等之透明或半透明之構成情況，特別是 作爲適合之構成可舉出廉價之玻璃情況，而在本實施型態 之中係作爲基板1 1採用由玻璃等而成之透明基板。 對於此基板11，因應需要將TEOS(四乙氧矽烷）或氧 -20« (18) 1267048 氣作爲原料，根據電漿CVD法形成由厚度約200〜5G0nm 之氧化矽膜而成之基材保護層1 2。 之後，將基板1 1的溫度設定爲3 5 0 °C ’根據電漿 CVD法形成由厚度約30〜7〇nm之非晶形矽膜而成之矽層 1 3於基板的表面，並且，將此砂層1 3由提供至根據雷射 退火或固相成長法之結晶工程之情況來將矽層結晶化作爲 多晶矽膜。 • 接著，對於矽層13及基板1 1的表面，將TEOS或氧 氣等作爲原料，根據電漿CVD法形成由厚度約60〜15 Onm 之矽氧化膜或氮化膜而成之閘極絕緣層1 4。 然而，矽層1 3係爲成爲圖2所示之驅動電晶體Tr2 之通道範圍及源極.汲極範圍之構成，但，針對在不同的 剖面位置係亦形成有成爲維持電晶體Tr 1之通道範圍及源 極·汲極範圍之半導體膜，也就是，同製作維持電晶體Trl 與驅動電晶體Tr2，但因由同樣的順序來製作，故在以下 # 的說明係只就驅動電晶體Tr2作說明，而關於維持電晶體 Trl係省略其說明。 接著，如圖5(b)所示，根據由濺射法形成鋁，鉬， 鉬，鈦’鎢，等之金屬膜，乃至由這些堆積膜而成之導電 膜之後，由作爲圖案化之情況來形成閘極電極1 5，另 外，與閘極電極1 5同時地同時形成掃描線1 〇 1等之配 線。 接著，對於矽層13，由打入高濃度之磷離子之情 況，對於閘極電極1 4自我整合地形成源極·汲極範圍 -21 - (19) 1267048 1 3 B，1 3 C，而此時，根據閘極電極1 5所遮蔽而無導入不 純物之部分則成爲通道範圍1 3 A。 接著，如圖5(c)所示，之後，形成覆蓋矽層13及基 板1 1表面之第1層間絕緣膜1 6，而更加地，形成貫通第 1層間絕緣膜1 6之接觸孔1 7C，並於這些接觸孔！ 7C內 埋入汲極電極1 7A及源極電極1 7B地形成而得到薄膜電 晶體TFT，在此，針對在第1層間絕緣膜1 6上接續於源 • 極電極地，亦形成不圖示之電源線L或資料線1〇2 等之配線。 接著，如圖5(d)所示，包覆第1層間絕緣膜16，以 及各配線之上面地形成第2層間絕緣膜1 8，並貫通此第2 層間絕緣膜1 8來貫設達到於源極電極1 7B之接觸孔 1 9C ’並且作爲如埋入於此接觸孔i 9C來形成畫素電極 1 9 ’而畫素電極1 9係由銦錫氧化物（I Τ Ο )，氧化銦.氧化 鋅系非晶形之金屬氧化物所構成。 ^ 接著，如圖5(e)所示，在覆蓋畫素電極19之一部分 的同時，如圍住畫素形成範圍2地形成間隔壁20，而此 間隔壁20係在基板1 1上作爲發光元件〇LED之間隔構件 發揮機能’而間隔壁2 0係由鄰接在畫素電極1 9所形成之 第1間隔壁部20A與，形成在其第1間隔壁部20A之第2 間隔壁部2 0 B所構成之。 將TEOS(四乙氧矽烷）或氧氣作爲原料，根據電漿 CVD法形成由厚度約50〜30 Oiim之氧化矽膜，並由光蝕刻 作爲圖案化之情況形成第！間隔壁部2〇A，而第2間隔壁 -22- (20) 1267048 部2 0B係例如根據聚醯亞胺樹脂，丙烯基樹脂之有機材料 形成之，而詳細則是避開載置於畫素電極1 9週爲所形成 之第1間隔壁部20A來形成第2間隔壁部20B，使感光性 材料混入於有機材料，並根據作爲與使用在公知之微縮術 之光阻劑相同來形成之情況而形成之，而第2間隔壁部 2 0B係具有上側壁與橫側壁，根據調整使有機材料硬化時 之硬化溫度情況，可將橫側部的傾斜作爲30°至60° ， • 而第2間隔壁部20B的膜厚係例如如設定爲1〜2μηι程度 即可，並且，依據如此之構成，發光元件OLED之正孔注 入層或發光層之形成處，即，塗抹這些之形成材料之畫素 電極19上之範圍與其週爲之間隔壁20Β之間形成由充分 高度之階差而成之畫素形成範圍2。 根據採用含有氟素之氣體來施以電漿處鋰等之表面改 質之情況，將由有機材料而成之第2間隔壁部20Β表面作 爲氟素化來形成疏液部20ΒΑ，而第1間隔壁部20Α係由 # 氧化矽膜而成之第2間隔壁部20Β係因與由有機材料而成 之表面改質之感度不同，故與畫素電極19或第1間隔壁 部20Α作比較將第2間隔壁部20Β表面作爲疏液化，而 如此作爲來形成疏液部20ΒΑ，另外，在使採用添加氟化 物之材料形成第2間隔壁部20Β之溫度上升而使其硬化 時，作爲將表面能量低之氟化物出現在第2間隔壁部20Β 表面，形成疏液部20ΒΑ於第2間隔壁部20Β表面也可 以。 接著，接著，如圖6(f)所示，於含有形成有第2間隔 -23- (21) 1267048 壁部20B之傾斜範圍A1之範圍形成公知之光阻劑PR， 另一方面，對於第2間隔壁部20B之上壁側之範圍A〇之 至少一部分與因應畫素形成範圍2之範圍A2係沒有形成 光阻劑PR，而成爲露出範圍A〇之疏液部20BA之一部分 及畫素形成範圍2之畫素電極1 9之情況。 並且，將光阻劑PR作爲掩膜，越過光阻劑PR施以 氧電漿，UV臭氧等之氧化處理，其結果，去除附著在第 φ 2間隔壁部20B之上側壁之一部分的疏液部20BA，另 外，亦可作爲氧化構成第2間隔壁部20B之有機材料的表 面，如此，藉由光阻劑PR形成密著部20BB於第2間隔 壁部20B之上壁側，之後，當去除前述光阻劑PR時，如 圖6(g)所示，另外，形成密著部20BB之工程係亦可爲作 爲氮化之工程，而根據進行氧化處理或氮化處理之情況， 將可增加間隔壁之表面能量情況。 另外，由有機材料構成第2間隔壁部20B，並對於第 鲁 2間隔壁部20B之上壁側根據施以施以氧電漿，UV臭氧 等之氧化處理情況，第2間隔壁部20B之一部分則由硏磨 加工之情況漿第2間隔壁部2 0B之上側壁之至少一部分作 爲粗糙面化，而對此，由光阻劑PR覆蓋之第2間隔壁部 2 0B或疏液部20BA係沒有被作爲粗糙面化。 另外，此時，將光阻劑PR作爲掩膜，由越過光阻劑 PR施以氧電漿，UV臭氧等之氧化處理之情況來洗淨及活 性化畫素形成軔圍2內之畫素電極19之表面，而構成畫 素電極19銦錫氧化物（ITO)或氧化銦.氧化鋅系非晶形係 -24- (22) 1267048 有氧量下降而造成功函數下降之虞’而亙聚對於此畫素電 極1 9表面之氧電漿，UV臭氧等之氧化處理，氧化銦錫氧 化物（IΤ Ο)或氧化銦·氧化鋅系非晶形而功函數則變大，並 注入作爲陽極之正孔於發光層22之機能則提升，另外， 根據氧化處理，畫素電極1 9之親液性亦提升之同時可去 除附著在畫素電極1 9上之有機物，或者，將第2間隔壁 部2 0B作爲圖案化時之殘留物等情況。 • 如此，因與密著部20BB之形成同時將畫素形成範圍 2內之畫素電極19表面進行洗淨及活性化，故不需要個 別將密著部20BB之形成工程與，將畫素形成範圍2內之 畫素電極1 9表面進行洗淨及活性化工程分開進行，而不 用增加製造工程數即可形成密著部20 BB之情況。 接著，如圖6(h)所示，根據液滴吐出法（噴墨方式）來 形成正孔輸送層21及發光層22於畫素電極上之各畫素形 成範圍2，而在此，根據液滴吐出法之製造方法係指從噴 • 墨頭Η使溶解於規定溶劑或分散於分散技之液狀體D吐 出來將構成正孔輸送層2 1及發光層22之有機化合物材料 圖案化塗抹於各畫素形成範圍2之方法，而噴墨頭Η係 根據採用使用如壓電元件之噴頭的情況，不使由7Γ電子共 役導電性高分子而成之有機化合物劣化而可進行塗抹之情 況，另外，在各畫素形成範圍2內之中係其畫素電極19 及其附近係因親液性爲支配方式，故配置在畫素電極！ 9 上之液狀體D係浸潤於畫素電極1 9上全面，另一方面， 因如圍住畫素形成範圍2地形成疏液部20ΒΑ，故各畫素 -25- (23) 1267048 形成範圍2之液狀體D係不會流入至藉由間隔壁20鄰接 之其他畫素形成範圍2之情況而配置於規定之畫素形成範 圍2內。 正孔輸送層21係使正孔輸送層材料溶解於溶劑或分 散於分散劑之液狀體D從噴墨頭Η吐出於畫素電極1 9之 各畫素形成範圍2，然後配置其畫素電極1 9上，並可根 據去除溶劑或分散劑之情況來形成之，其結果，定著由正 φ 孔輸送層材料所構成之正孔輸送層21於各畫素電極19 上，而正孔輸送層材料係例如可採用聚噻吩衍生物，聚吡 喀衍生物等，另外這些摻雜體之情況，而具體來說係爲 3，4聚乙烯二羥噻吩/聚苯乙烯磺酸（PEDOT/PSS)之分散 接著，根據噴墨方式，使發光層溶解於溶劑或分散於 分散劑之液狀體D從噴墨頭Η吐出於規定之畫素形成範 圍2，然後配置在正孔輸送層2 1上，並根據去除溶劑或 • 分散劑之情況可形成發光層22，而此結果，定著由發光 層材料所構成之發光層22於正孔輸送層21，而發光層22 係對於所有的畫素形成範圍2亦可採用相同之發光層材 料，而亦可採用紅色發光層材料，綠色發光層材料，藍色 發光層材料等之複數發光層材料來形成複數種類之發光層 22於各自之畫素形成範圍2。 發光層材料係可採用將螢光或燐光進行發光之眾知的 有機物發光材料，而具體來說係適合採用聚芴衍生物 (PF) ’（聚）對苯乙烯撐衍生物（PPV)，聚對苯衍生物（ΡΡ)， -26- (24) 1267048 聚對苯乙烯撐衍生物（ppp)，聚乙烯咔唑（PVK)，聚噻吩衍 生物，聚芴苯并噻二唑（PFBT)，聚烷基噻吩（PAT)聚甲基 苯基矽烷（Ρ Μ P S )等之聚矽烷系等，另外，對於這些高分 子系材料亦可摻雜紫蘇系色素，香豆素系色素，若丹明系 色素之低分子系材料或，紅熒烯，紫蘇烯，9，10-二苯基 蒽，四苯基丁二烯，耐綸紅，香豆素6，喹吖酮等之低分 子材料來採用之情況。 • 接著，如圖6(i)所示，跨越間隔壁20及發光層22上 全面，作爲陰極23，例如由真空加熱蒸鍍來堆積形成 2nm之LiF層，20nm之Ca層，200nm之A1層，而此時 直接接合陰極23於形成在第2間隔壁部20B上之密著部 2 0 B B地形成，其結果，將可強固密著來接合陰極2 3與間 隔壁20，根據如此作爲情況，將可形成畫素電極1 9，正 孔輸送層21，發光層 22由陰極23而成之發光元件 OLED，另外，發光元件OLED係亦可包含正孔注入層， # 正孔方塊層，電子輸送層，電子注入層，電子方塊層等， 另外，根據將構成陰極23之材料作爲氧原子或氮原子， 並將密著部20BB作爲氧化或氮化之構成情況，更可提升 間隔壁20與陰極23之密著性情況。 另外，如覆蓋發光元件OLED之陰極23全面地形成 密封層24，而密封層24係由由有機樹脂而成之第1密封 層與，具有由氧化矽素或氧氮化矽素等之無機材料而成之 氣體阻隔性之同時，如包覆第1密封層地來形成之第2密 封層而成之情況則爲理想，而第1密封層係可根據採用絲 -27- (25) 1267048 網印刷或縫隙塗抹法塗抹衍生物或低聚物或由單體而成之 液體材料來使丙烯基樹脂’聚醯亞胺樹脂硬化形成之，而 第1密封層之膜厚係例如爲1〜2 μ m程度，並期望爲與第2 間隔壁部20B同等之情況。 更加地，根據離子電鍍法或，採用IC P電獎或e C R 電漿等之高密度電漿之濺射法形成由氧化矽素或氧氮化石夕 素等之無機材料而成，具有氣體阻隔性之第2密封層。 • 根據形成如此之第1密封層之情況，可使由間隔壁 20，接觸孔17C，接觸孔19C，維持電晶體Trl，驅動電 晶體Tr2，維持容量CAP，掃描線101，資料線1〇2，電 源線L等所形成之階差平坦化，隨之，因可降低加上於第 2密封層之應力情況，故可更由緻密來形成氣體阻隔性高 之第2密封層情況。 在此，因包含有密著部20BB之間隔壁20與第1密 封層同時由有機數之所形成，故可降低產生在陰極23與 # 間隔壁2 0之間的應力情況，特別是，由同等之膜應力材 料來構成間隔壁20與第1密封層之情況則爲理想，另 外，第1間隔壁部20A與第2密封層係同時將氧化矽素 作爲主體來構成之情況則爲理想。 如此，形成在第2間隔壁部20B之密著部20BB則直 接與陰極23接合，而此陰極23係疏液部20BA因表面能 量高，故密著力薄弱，但密著部2 0 B B與陰極2 3係密著 力強地密著，即，沒有形成有疏液部20BA之第2間隔壁 部2 0B係作爲強力使間隔壁20與陰極1 4密著之密著部來 -28- (26) 1267048 發揮機能，並間隔壁部20與第2電極23不會剝離，而可 實現對於劣化或環境變化強之信賴性高之發光裝置。 另外，密著部20BB係期望根據將第2間隔壁部20B 之上壁側作爲粗糙面化之情況而形成之’而由作爲粗糙面 化之情況，因可擴大第2間隔壁部20B與陰極23之接合 表面積，故可使間隔壁20與陰極23之密著性提升。 更加地，由光阻劑PR覆蓋之第2間隔壁部20B或疏 φ 液部20BA，即，爲畫素電極19週邊部之範圍，並位置在 傾斜範圍A1之第2間隔壁部20B或疏液部20BA之橫側 壁係因被粗面畫，故液狀體D之動的觸角則不會劣化而 液體狀D則不會附著於此頃斜範圍而到達畫素形成範圍 2，並貢獻於有機化合物層（正孔輸送層21或發光層22)， 此結果，可有效使用液狀體D。 圖7係爲表示畫素形成範圍2之平面圖，另外，爲半 徑R!之液狀體D與，表示從噴墨頭吐出配置在基板1 1上 # 時之配置不均FF之半徑的R2與，從畫素形成範圍2至密 著部20 BB爲止之距離R3與，畫素形成範圍與畫素形成 範圍之間隔同時表示R4，爲第2間隔壁部20B之上壁側 的範圍A〇之至少一部分，特別是期望在滿足以下（式：^之 範圍形成密著部2 0 B B之情況。 R4^Rs^ (R1+R2) 根據如此作爲，配置液狀體D之部位並非密著部 -29- (27) 1267048 • 20BB而因可作爲疏液部20BA，故液狀體D則可不流入

• 至藉由間隔壁2 0作爲鄰接之其他畫素形成範圍2而配置 在規定之畫素形成範圍2內，另外，如形成密著部20BB _ 於架網之範圍K K之至少一部分即可。 <第2實施型態> 接著’說明將本發明作爲具體化之第2實施型態，而 # 此第2實施型態之發光裝置係密著部的形狀及其製造方法 則與記載於上述第1實施型態之發光裝置相異之其他係完 全相同’隨之關於相同的構成材料係符號相同，並省略其 詳細說明。 圖8係爲表示發光裝置之第2實施型態之發光裝置的 平面圖’而圖9係爲圖8所示之A-A，線的剖面圖，而圖 1 〇係爲圖8所示之B - B ’線的剖面圖。 如圖8所示，針對在由架網所示之第2間隔壁部2 0B ® 之密著部20BB則因應維持容量CAP，掃描線1 01與資料 — 線1 02之交叉部，或者，掃描線1 0 1與電源線L之交叉部 所設置，即，於閘極電極1 5或與閘極電極同層所形成之 金屬部（例如，掃描線1 0 1，維持容量c A P之一方的電極） 與，源極電極17A，汲極電極17B，或者與源極電極17A 與汲極電極1 7 B同層所形成之金屬部（例如，資料線 102，電源線L，或者，維持容量CAP之另一方的電極）交 叉之範圍的第2間隔壁部20B表面，形成有密著部 2 0 B B ’而岔者部2 0 B B係形成在複數金屬層平面視重疊之 -30- (28) 1267048 範圍。 接著’隨著圖11來說明形成如前述構成之發光裝置 1之製造方法的一例’而爲因應圖8所示之B - B，線的剖 面圖之製造方法，並針對在第2實施型態之圖11(e)係因 應針對在第1實施型態之圖5 (e )，並因與第1實施型態共 通’故省略其說明’而因應針對在維持容量CAP之剖面 之階差D 1而形成階差D 2於第2間隔壁部2 0 B之表面， φ 並與週圍比較只有閘極電極1 5或源極電極1 7之膜厚份隆 起之範圍A 3形成在第2間隔壁部2 0 B之表面。 根據採用含有氟素之氣體來施以電漿處理等之表面改 質情況，將由有機材料而成之第2間隔壁部2 0 B表面作爲 氟化來形成疏液部20BA，而第1間隔壁部20A係因由氧 化矽膜而成之第2間隔壁部20B係由有機材料而成之表面 改質的感度不同，故與畫素電極19或第1間隔壁部20A 作比較將第2間隔壁部2 0 B之表面疏液化，而如此作爲來 # 形成疏液部20BA，另外，採用添加氟化物之材料來形成 第2間隔壁部20B使溫度上升使其硬化時，欲作爲將表面 能量低之氟化物出現於第2間隔壁部20B表面，然後形成 疏液部20BA於第2間隔壁部20B之表面也可以。 並且，由緩緩將形成在第2間隔壁部20B上之疏液部 2 0ΒΑ進行硏削處理或硏磨處理之情況，如圖1 1 (g)所示， 去除階差部D上之疏液部20BA’並使先前形成之無疏液 化之第2間隔壁部20B露出，而無作爲疏液化之第2間隔 壁部20B則成爲密著部20BB，另外，對於掃描線101與 -31 - (29) 1267048 資料線1 0 2之交叉部，或者掃描線1 〇 1與電源線L之交叉 部亦同樣地形成有密著部20BB。 接著，如圖1 1 (h)所示，與上述第1實施型態相同地 採用噴墨法來形成正孔輸送層21及發光層22，之後，如 圖 H(i)所示，由形成有去除階差部D上之疏液部20BA 之密著部20BB的狀態，跨越第2間隔壁部20B及發光層 22上全面，邊依序堆積陰極23以及密封層24邊形成 • 之。 此時，陰極23則如直接接合於形成在第2間隔壁部 2 0B表面之密著部20BB地來形成，而對於此密著部20BB 係因無形成疏液部，故密著部2 Ο B B與陰極2 3係強力密 著於第2間隔壁部2 Ο B，而疏液部2 Ο B A係因表面能量 低，故陰極23對於疏液部20BA之密著力係爲薄弱， 但’密著部20BB與陰極23係因無疏液部故密著力強力 密著’即，無形成疏液部2 Ο B A之第2間隔壁部2 Ο B係作 ® 爲使間隔壁2 0與陰極1 4強力密著之密著部來發揮機能， 並間隔壁部20與第2電極23不會剝離，而可實現對於劣 化或環境變化強之信賴性高之發光裝置。 不使用光阻劑PR而可形成密著部20BB之同時，可 強固密著來接合間隔壁20與陰極1 4之情況。 <第3實施型態> 接者’依照圖1 2說明將本發明作爲具體化之第3實 施型態，而此第3實施型態之發光裝置係密著部的形狀及 -32- (30) 1267048 其製造方法則與記載於上述實施型態之發光裝置相異之其 他係完全相同，隨之關於相同的構成材料係符號相同，並 省略其詳細說明。 圖12係各自爲爲了說明第3實施型態之有機£]^裝 置之製造方法的圖。 首先’如圖12(e)所示，形成第2間隔壁部2〇b於第 1間隔壁部20A上，接著，如圖12(f)所示，至少爲形成 鲁第2間隔壁部2 0 B之傾斜範圍a !以外，其中於由第2間 隔壁邰2 0 B上之上側壁的頂上範圍a G之至少一部分及範 圍A 2所示之畫素形成範圍2，形成公知之光阻劑μ，隨 之，成爲露出第2間隔壁部2 0 Β之橫側壁及上側壁之一部 分的狀態。 接著，將光阻劑Μ作爲掩膜，根據施以採用含氟之 氣體的電漿處理等之表面改質情況，將由有機材料而成之 第2間隔壁部20Β及，將光阻劑Μ之表面作爲氟化來形 # 成疏液部20ΒΑ，而形成在光阻劑Μ表面之疏液部20ΒΑ 同時，去除光阻劑Μ，由此，如圖12(g)所示，於第2間 隔壁部 20Β之橫側壁及上側壁之一部分形成疏液部 20ΒΑ，而另一方面，對於辭形成光阻劑Μ之第2間隔壁 部2 0 Β之上壁側，以及，畫素形成範圍係無形成疏液部 20ΒΑ，而無形成此疏液部20ΒΑ之第2間隔壁部20Β之 上側壁則作爲密著部20ΒΒ發揮機能。 接著，與上述實施型態同樣地採用噴墨法來形成正孔 輸送層21及發光層22，之後，跨越第2間隔壁部20 Β及 -33- (31) 1267048 發光層22上全面，邊依序堆積陰極23以及密封層24邊 形成之。 此時，陰極2 3則直接接合於形成在第2間隔壁部 20B之表面之密著部20BB地形成之，而對於密著部20BB 係因無形成疏液部20BA，故陰極23係強力密著在密著部 20BB，並強固密著來接合間隔壁20與陰極23，並間隔壁 部20與第2電極23不會剝離，而可實現對於劣化或環境 # 變化強之信賴性高之發光裝置。 <第4實施型態> 接著’依照圖1 3來說明關於由上述實施型態所說明 之有機EL裝置1之電子機器之適用。 圖13係爲表示適用於成爲電子機器之一例之行動電 話顯示部的例之行動電話斜視構成圖，而針對圖1 3，此 行動電話60係具備有採用發光裝置丨顯示單元64與，複 ® 數操作按鍵6 1，然而，作爲行動電話以外之電子機器係 可舉出電腦’攜帶資訊終端，數位相機，液晶電視，取景 型或螢幕直視型之攝影機，汽車衛星導航裝置，呼叫器， 電子手帳，電子計算機’文字處理機，工作站，電視電 話’ POS終端機，具備觸控面板之機器等，並且，作爲這 些各種電子機器之顯示部，亦可適用本發明之發光裝置， 另外’亦可將本發明之發光裝置適用於對曝光頭適用之畫 像形成裝置，而採用發光裝置1之電子機器係不易產生發 光不良。 -34- (32) 1267048 然而，記載於申請專利範圍之液體材料 實施型態係因應液狀體D，而記載於申請專 係針對在本實施型態係因應光阻劑PR或光 載於申請專利範圍之驅動電路係針對在本實 間隔壁20，接觸孔17C，接觸孔19C，維持 驅動電晶體Tr2，維持容量CAP，掃描線 1 〇2，電源線L，另外，記載於申請專利範 Φ 係針對在本實施型態係因應發光裝置1，而 利範圍之第1電極係針對在本實施型態係 1 9，而記載於申請專利範圍之有機化合物層 施型態係因應正孔輸送層2 1或發光層22， 專利範圍之有機化合物層或發光層係針對在 因發光層22，而記載於申請專利範圍之第 在本實施型態係因應陰極23。 然而，發明之實施型態係並不限定於上 # 而亦可如以下方式進行之。 〇在上述各實施型態之中係由噴墨方式 合物層，但並不侷限於此此，亦可爲例如噴 抹法，噴射法，絲網印刷法等，如爲由液相 成亦可適應任何構成。 〇在上述各實施型態之中係由圖2之畫 過，但並不侷限於此之構成。 〇在上述各實施型態之中係已例示過適 光源件之發光裝置，但對於這以外之發光裝 係針對在上述 利範圍之掩膜 阻劑Μ，而記 施型態係因應 電晶體Trl， 1 〇 1，資料線 圍之發光裝置 記載於申請專 因應畫素電極 係針對在本實 而記載於申請 本實施型態係 2電極係針對 述實施型態， 來形成有機化 墨法，縫隙塗 法所形成之構 素電路已說明 用有機電激發 置亦可適用本 -35- (33) 1267048 發明，例如對於電場釋放顯示器（F E D : F i e 1 d E m i s s i ο η Display)或表面傳導型電子釋放顯示器（SED : Surface-conduction Electron-emitter Display)，彈道電子釋放顯示 器（BSD : Ballistic electron Sui.face emitter Display)，採 用發光二極體之顯示裝置，或光寫入型之影印機或電子複 寫機之寫入頭之各種發光裝置亦與上述各實施型態相同適 用本發明。 【圖式簡單說明】 圖1表示發光裝置之槪略構成方塊圖。 圖2畫素電路之電路圖。 圖3畫素電路之平面圖。 圖4圖3所示之Z-Z’線之剖面圖。 圖5(a)，（b)，（c)，（d)及（e)係爲爲了各自說明發光裝 置之製造方法之一例圖。 圖6同樣地（f)，（g)，（h)及⑴係爲爲了各自說明發光 裝置之製造方法之一例圖。 圖7爲表示畫素形成範圍之平面圖。 圖8爲表示發光裝置之第2實施型態之發光裝置之平 面圖。 圖9圖8所示之A-A’線之剖面圖。 圖10圖8所示之B-B’線之剖面圖。 圖1 1(e)，（g)，（h)及（i)係爲爲了各自說明第2實施 型態之有機E L裝置之製造方法之圖。 -36- (34) 1267048 圖12爲爲了說明（e)，（f)及（g)第2實施型態之有機 EL裝置之製造方法之圖。 圖13爲表示適用於成爲電子機器之一例之行動電話 顯示部的例之行動電話斜視構成圖。 【主要元件符號說明】 20BB 密著部 20 間隔壁 20A 第1間隔壁部 20B 第2間隔壁部 20BA 疏液部 Dl，D2 階差部 D 液狀體 PR，Μ 作爲掩膜之光阻劑 Trl ， Tr2 作爲驅動電路之薄膜電晶體 11 1 基板 發光裝置 2 畫素形成範圍 19 作爲第1電極之畫素電極 22 作爲有機化合物之發光層 23 作爲第2電極之陰極 60 作爲電子機器之行動電話 -37-

Claims (1)

1. (1) 1267048 十、申請專利範圍 i一種發光裝置，其特徵乃 於基板上，在於間隔壁，區隔形成複數之畫素形成範 圍， 於該各畫素形成範圍，形成第1之電極、和被覆前述 間隔壁及前述畫素形成範圍而形成之第2之電極、和於前 述第1之電極及前述第2之電極間至少具有發光層之有機 φ 化合物層 前述間隔壁乃具有上側壁和橫側壁， 於則述間隔壁之上側壁之至少一部分，具有貼緊前述 間隔壁和前述第2之電極的貼緊部。 2·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，於前述 間隔壁，形成疏液部，貼緊部乃除去疏液部之一部分的部 分。 3.如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其 # 中，對應於前述複數之畫素形成範圍，設置驅動電路， 於前述間隔壁部之表面，具有前述驅動電路所成階 差， 前述貼緊部乃形成於前述階差部上。 4·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述貼 緊部乃前述間隔壁粗糙面化之部分。 5 .如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述貼 緊部乃使間隔壁氧化處理或氮化處理之部分。 6.如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，具備由 -38- (2) 1267048 第1封閉層和第2封閉層所成’被覆前述第2之電極而形 成之封閉層； 第1封閉層乃由有機樹脂所成’第2封閉層乃由氧化 石夕或氮化矽所成。 7.—種發光裝置之製造方法’其特徵乃具有 形成第1之電極之工程’ 和至少前述第1之電極之一部分被重疊地，形成具有 • 上側壁和橫側壁之間隔壁的工程， 和於前述間隔壁之上側壁之至少一部分，形成貼緊部 的工程， 和於前述間隔壁所區隔之範圍，配置含有機化合物之 液體材料的工程， 和被覆前述間隔壁及前述畫素形成範圍地，於前述貼 緊部上，形成第2電極的工程。 8 ·如申請專利範圍第7項之發光裝置之製造方法，其 ^ 中’形成前述間隔壁之工程乃前述間隔壁之上側壁之至少 一部分成爲有機材料地加以形成的工程， 前述形成貼緊部之工程乃以構成前述間隔壁之前述有 機材料加以形成的工程。 9·如申請專利範圍第7項或第8項之發光裝置之製造 方法’其中，前述形成間隔壁之工程乃包含在於間隔壁形 成疏液部之工程； 前述形成貼緊部之工程乃除去前述疏液部之一部分之 工程。 -39- (3) 1267048 1 〇 .如申請專利範圍第9項之發光裝置之製造方法， 其中，更包含形成驅動電路，形成第1之階差的工程； 前述形成間隔壁之工程乃將對應於前述第1之階差的 第2之階差，形成於間隔壁之上側壁的工程， 前述形成貼緊部之工程乃對應於前述第2之階差，削 去間隔壁之一部分的工程。 Π ·如申請專利範圍第7項之發光裝置之製造方法， • 其中，前述形成貼緊部之工程乃將前述間隔壁之上側壁粗 糙面化之工程。 1 2 ·如申g靑專利範圍第7項之發光裝置之製造方法， 其中，前述形成貼緊部之工程乃使間隔壁之上側壁氧化或 氮化之工程。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之發光裝置之製造方法， 其中，前述形成貼緊部之工程乃包含 使前述間隔壁之前述第1之電極之周緣範圍以掩膜加 籲以被覆的工程， 和藉由前述掩膜，形成貼緊部之工程。 1 4 ·如申請專利範圍第7項之發光裝置之製造方法， 其中，更包含令前述第1之電極清淨化或活性化的工程； Βϋ述形成貼緊部之工程乃與前述令前述第1之電極清 淨化或活性化的工程同時進行。 15·—種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第1 項至第6項之任一項的發光裝置。 -40·