JP2003282250A - 誘導結合型ｃｖｄを使用した有機ｅｌ用素子成膜装置および製造方法 - Google Patents
誘導結合型ｃｖｄを使用した有機ｅｌ用素子成膜装置および製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、８０℃以下の低温で有機材料にプ
ラズマでのダメージが無く、有機ELの保護膜に高分子ポ
リマーとシリコンオキシナイトライド及びシリコンナイ
トライドを成膜する事により水分及び酸素の外部からの
浸入を防ぐのを目的とする。 【解決手段】この発明はプラズマ発生器に誘導結合型プ
ラズマソースを使用することにより、減圧された真空容
器内に有機EL基板の陰極電極９の上面に最初に高分子ポ
リマー１０をプラズマCVDで成膜後、その上のシリコン
オキシナイトライド及びシリコンナイトライド１１を成
膜する有機ELエレクトロルミネッサンス素子の製造方法
であって、有機EL素子の９の上側の面ICP-CVD方法で酸
化防止用保護膜10と11を形成する。
ラズマでのダメージが無く、有機ELの保護膜に高分子ポ
リマーとシリコンオキシナイトライド及びシリコンナイ
トライドを成膜する事により水分及び酸素の外部からの
浸入を防ぐのを目的とする。 【解決手段】この発明はプラズマ発生器に誘導結合型プ
ラズマソースを使用することにより、減圧された真空容
器内に有機EL基板の陰極電極９の上面に最初に高分子ポ
リマー１０をプラズマCVDで成膜後、その上のシリコン
オキシナイトライド及びシリコンナイトライド１１を成
膜する有機ELエレクトロルミネッサンス素子の製造方法
であって、有機EL素子の９の上側の面ICP-CVD方法で酸
化防止用保護膜10と11を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、有機ELの保護膜の
製造方法及び成膜装置に関するものである。
製造方法及び成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機EL素子は今後益々発展する情報化に
伴い、従来より使用されてきた液晶及びCRTに比べ、低
消費電力、自己発光、広範囲視野角などの優れた点から
期待されている表示素子である。従来は有機ELの保護膜
には、プラズマ重合方式及び真空蒸着方式で高分子ポリ
マーを成膜、スパッタリンク゛でシリコンナイトライドで成
膜する方式が行われていたが、膜質の緻密性が安定しに
くく、寿命、素子の劣化なども問題が発生する可能性が
多い欠陥があった。
伴い、従来より使用されてきた液晶及びCRTに比べ、低
消費電力、自己発光、広範囲視野角などの優れた点から
期待されている表示素子である。従来は有機ELの保護膜
には、プラズマ重合方式及び真空蒸着方式で高分子ポリ
マーを成膜、スパッタリンク゛でシリコンナイトライドで成
膜する方式が行われていたが、膜質の緻密性が安定しに
くく、寿命、素子の劣化なども問題が発生する可能性が
多い欠陥があった。
【０００３】しかし、プラズマCVDの成膜で、最終的な
保護膜を高分子ポリマーで最初の成膜、その上にシリコ
ンオキシナイトライド（SiON）及びシリコンナイトライ
ド（SiN）を成膜する事によって、従来の成膜方法の、
蒸着方法やスパッタ方式よりも保護膜効果が出来るの
で、従来では不可能であった、有機EL自体の構造が一枚
のガラスのみになるので非常にコンパクトなり有機ELの
特長が最大限に活かされる。
保護膜を高分子ポリマーで最初の成膜、その上にシリコ
ンオキシナイトライド（SiON）及びシリコンナイトライ
ド（SiN）を成膜する事によって、従来の成膜方法の、
蒸着方法やスパッタ方式よりも保護膜効果が出来るの
で、従来では不可能であった、有機EL自体の構造が一枚
のガラスのみになるので非常にコンパクトなり有機ELの
特長が最大限に活かされる。
【０００４】一般的にプラズマCVDに於いて通常の成膜
する温度は400度前後、もしくは400度以上で成膜するの
が一般的であったが、有機ELの成膜においては100度以
下で成膜しないと有機ELの素子自体が破壊される為、基
盤とプラズマと距離を250ｍｍ以上離し基盤を冷却する
ことによってこれらの問題を解決した。
する温度は400度前後、もしくは400度以上で成膜するの
が一般的であったが、有機ELの成膜においては100度以
下で成膜しないと有機ELの素子自体が破壊される為、基
盤とプラズマと距離を250ｍｍ以上離し基盤を冷却する
ことによってこれらの問題を解決した。
【０００５】この改善策として、誘導結合型プラズマを
使用した、高密度プラズマを使用して保護膜を成膜する
方法がある。図1はこの方法による成膜装置の概要を示
すための説明図であって、図1の１はプラズマ発生器、
２は基板を保持する電極である。有機ELの基板に高分子
ポリマーを最初に成膜することによりシリコンオキシナ
イトライド（SiON）及びシリコンナイトライド（SiN）
の成膜時に発生する膜応力の問題を解決し、膜質に対す
るダメージも全く無い状態で成膜を行うことが出来る。
使用した、高密度プラズマを使用して保護膜を成膜する
方法がある。図1はこの方法による成膜装置の概要を示
すための説明図であって、図1の１はプラズマ発生器、
２は基板を保持する電極である。有機ELの基板に高分子
ポリマーを最初に成膜することによりシリコンオキシナ
イトライド（SiON）及びシリコンナイトライド（SiN）
の成膜時に発生する膜応力の問題を解決し、膜質に対す
るダメージも全く無い状態で成膜を行うことが出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
は、成膜時に温度を100度以下に抑え、高分子ポリマー
を成膜した後、シリコンナイトライドを成膜して水分の
浸入を防ぐ点である。
は、成膜時に温度を100度以下に抑え、高分子ポリマー
を成膜した後、シリコンナイトライドを成膜して水分の
浸入を防ぐ点である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、低温で成膜す
るため、誘導結合型コイルを使用した、高密度プラズマ
を使用し、成膜圧力を0.1Pa以下の条件で基板とプラズ
マ発生器の距離を250ｍｍ以上離し、基板ホルダーに基
板バイアスを印加しらがら冷却するのを主な特徴とす
る。
るため、誘導結合型コイルを使用した、高密度プラズマ
を使用し、成膜圧力を0.1Pa以下の条件で基板とプラズ
マ発生器の距離を250ｍｍ以上離し、基板ホルダーに基
板バイアスを印加しらがら冷却するのを主な特徴とす
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】減圧された真空容器内に反応性ガ
スを流し、13.56KHZの高周波を、図1の１プラズマ発生
器、基板保持の基板電極３に印加した事により実現し
た。
スを流し、13.56KHZの高周波を、図1の１プラズマ発生
器、基板保持の基板電極３に印加した事により実現し
た。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明装置の実施例の断面図であっ
て、図２は有機ELパネルに高分子ポリマーとシリコンナ
イトライドの保護膜を成膜した図面である。
て、図２は有機ELパネルに高分子ポリマーとシリコンナ
イトライドの保護膜を成膜した図面である。
【００１０】図２の有機ELパネルに、陰極９の形成後、
図１の真空容器の中に入れ高分子ポリマー10を、最初に
形成した後、シリコンナイトライド11を成膜する事によ
って、有機ELパネルに保護膜が形成される。
図１の真空容器の中に入れ高分子ポリマー10を、最初に
形成した後、シリコンナイトライド11を成膜する事によ
って、有機ELパネルに保護膜が形成される。
【００１１】このような保護膜の実装形態を採用したの
で、水分保護の特性を実効的に劣化することなく、形状
が変化もなく構造がシンプルになり、水分や酸素を一切
通過することは無い。
で、水分保護の特性を実効的に劣化することなく、形状
が変化もなく構造がシンプルになり、水分や酸素を一切
通過することは無い。
【００１２】図２の構造によりガラス基板側に発光させ
ていた光を反対側の上側に発光されることが可能とな
り、光の損失の少なくなり、有機ELパネルが明るくなる
のに役立つ。
ていた光を反対側の上側に発光されることが可能とな
り、光の損失の少なくなり、有機ELパネルが明るくなる
のに役立つ。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の有機EL用の
保護膜を高分子ポリマーとシリコンナイトライドの複合
層によって、水分及酸素を全く透過させることなく、1
枚の製品として利用出来ることが可能となり、又発光損
失も非常に少なくなるので、壁掛けテレビ、携帯電話な
どの用途にも適用することが出来る。
保護膜を高分子ポリマーとシリコンナイトライドの複合
層によって、水分及酸素を全く透過させることなく、1
枚の製品として利用出来ることが可能となり、又発光損
失も非常に少なくなるので、壁掛けテレビ、携帯電話な
どの用途にも適用することが出来る。
【図１】プラズマCVDの実施方法を示した説明図であ
る。（実施例１）
る。（実施例１）
【図２】有機ELパネルに成膜した構造の説明図である。
（実施例２）
（実施例２）
１ 高周波電源
２ 整合回路
３ 基板電極
４ 基板用整合回路
５ 基板用高周波電源
６ ガス導入系
７ 排気ポンプ
８ 有機ＥＬパネル
９ 陰極電極
１０ 高分子ポリマー層
１１ シリコンナイトライト
１２ 誘導結合型プラズマ発生器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Claims (6)
- 【請求項１】減圧された真空容器内に処理ガスを導入し
て、有機ELの素子に高分子ポリマー、シリコンオキシナ
イトライドSiON、シリコンナイトライド（SiN)を成膜す
る誘導結合型CVD装置であって、真空容器の上側に配置
されたコイル状の外部電極（１２）に１３．５６MHZの
高周波電力を印加すると、絶縁体の透過窓を通じて高周
波電力が真空容器内に投入されることにより、高分子ポ
リマー、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイト
ライドを成膜するプラズマCVD方式。 - 【請求項２】前記成膜を、温度80℃以下で成膜する事を
特徴とする、請求項１に記載されたプラズマCVD方式 - 【請求項３】前記成膜を、外部電極と基板との距離を２
００ｍｍ以上離して成膜することが出来ることが出来る
ことを特徴とする請求項１、２に記載されたプラズマCV
D方式。 - 【請求項４】前記成膜処理の、有機ELの最終工程の保護
膜に使用する事が、出来ることを特徴とする、請求項
１，２，３に記載されたプラズマCVD方式。 - 【請求項５】前記保護膜が、CF４F8とCH4を含むガスか
ら成膜された膜の上面に、シリコンオキシナイトライド
の成膜からなる事を特徴とする、請求項１，２，３，４
に記載されたプラズマCVD方式。 - 【請求項６】減圧された真空容器内に処理ガスを導入し
て、有機層の素子に高分子ポリマー、シリコンオキシナ
イトライドSiONシリコンナイトライド（SiN)を成膜する
誘導結合型CVD装置であって、真空容器の上側に配置さ
れたコイル状の外部電極（１２）と基板電極（３）に、
１３．５６MHZの高周波電力を印加すると、絶縁体の透
過窓を通じて高周波電力が真空容器内に投入されること
により、高分子ポリマー、シリコンナイトライド、シリ
コンオキシナイトライドを交互に成膜する事の出来るプ
ラズマCVD装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002082229A JP2003282250A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 誘導結合型ｃｖｄを使用した有機ｅｌ用素子成膜装置および製造方法 |
| AU2003221121A AU2003221121A1 (en) | 2002-03-25 | 2003-03-25 | Device and method for forming film for organic el element using inductive coupling cvd |
| KR10-2004-7015023A KR20040102051A (ko) | 2002-03-25 | 2003-03-25 | 유도결합형 화학증착을 이용하여 유기 전계발광소자에 막을 형성하기 위한 장치 및 방법 |
| PCT/JP2003/003636 WO2003081956A1 (fr) | 2002-03-25 | 2003-03-25 | Dispositif et procede de formation d'un film pour element electroluminescent organique au moyen d'un depot chimique en phase vapeur a couplage inductif |
| CNA038067765A CN1643991A (zh) | 2002-03-25 | 2003-03-25 | 使用电感耦合式cvd的有机el元件的成膜装置及制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002082229A JP2003282250A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 誘導結合型ｃｖｄを使用した有機ｅｌ用素子成膜装置および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282250A true JP2003282250A (ja) | 2003-10-03 |
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ID=28449139
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002082229A Pending JP2003282250A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 誘導結合型ｃｖｄを使用した有機ｅｌ用素子成膜装置および製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003282250A (ja) |
| KR (1) | KR20040102051A (ja) |
| CN (1) | CN1643991A (ja) |
| AU (1) | AU2003221121A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003081956A1 (ja) |
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| KR100685832B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 무기막 및 그의 제조 방법 |
| CN109449076A (zh) * | 2018-08-02 | 2019-03-08 | 中山大学 | 一种富硅氮化硅薄膜低温制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2001085193A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP4040240B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2008-01-30 | パナソニック コミュニケーションズ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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| JP2002056971A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Nippon Zeon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用封止膜、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002082229A patent/JP2003282250A/ja active Pending
-
2003
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