JP2003187959A - プラズマｃｖｄを使用した有機ｅｌ保護膜 - Google Patents
プラズマｃｖｄを使用した有機ｅｌ保護膜Info
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- JP2003187959A JP2003187959A JP2001380053A JP2001380053A JP2003187959A JP 2003187959 A JP2003187959 A JP 2003187959A JP 2001380053 A JP2001380053 A JP 2001380053A JP 2001380053 A JP2001380053 A JP 2001380053A JP 2003187959 A JP2003187959 A JP 2003187959A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ELの保護膜に高分子ポリマーとシリコンオ
キシナイトライド及びシリコンナイトライドを制膜する
事により水分及び酸素の外部からの浸入を防ぐ。 【解決手段】減圧された真空容器内に有機EL基板の陰極
電極９の上面に最初に高分子ポリマー１０をプラズマCV
Dで制膜後、その上のシリコンオキシナイトライド及び
シリコンナイトライド１１を制膜する
キシナイトライド及びシリコンナイトライドを制膜する
事により水分及び酸素の外部からの浸入を防ぐ。 【解決手段】減圧された真空容器内に有機EL基板の陰極
電極９の上面に最初に高分子ポリマー１０をプラズマCV
Dで制膜後、その上のシリコンオキシナイトライド及び
シリコンナイトライド１１を制膜する
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、有機ELの保護膜の
制膜に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来は有機ELの保護膜にはガラス封印、
UV硬化樹脂に金属に板を張り付け、又その中に乾燥剤を
入れている方式で行っているものが大半である。構造自
体が有機EL基板、金属板の２重構造となっているので有
機ELの基板自体を薄くすることが出来ない構造となって
いる。UV硬化樹脂にしても、水分が発生するので、寿
命、素子の劣化なども問題が発生する可能性が多い欠陥
があった。 【０００３】しかし、プラズマCVDの制膜で、最終的な
保護膜を高分子ポリマーで最初の制膜、その上にシリコ
ンオキシナイトライド（SiON）及びシリコンナイトライ
ド（SiN）を制膜する事によって、保護膜効果が出来る
ので、有機EL自体の構造が一枚のガラスのみになるので
非常にコンパクトなり有機ELの特長が最大限に活かされ
る。 【０００４】一般的にプラズマCVDに於いて通常の制膜
する温度は400度前後、もしくは400度以上で制膜するの
が一般的であったが、有機ELの制膜においては100度以
下で制膜しないと有機ELの素子自体が破壊されるが、基
盤とプラズマと距離を250ｍｍ以上離し基盤を冷却する
ことによってこれらの問題を解決した。 【０００５】この改善策として、高密度プラズマを使用
して保護膜を制膜する方法がある。図1はこの方法によ
る制膜装置の概要を示すための説明図であって、図1の
１はプラズマ発生器、２は基板を保持する電極である。
有機ELの基板に高分子ポリマーを最初に制膜することに
よりシリコンオキシナイトライド（SiON）及びシリコン
ナイトライド（SiN）の制膜時に発生する膜応力の問題
を解決し、膜質に対するダメージも全く無い状態で制膜
を行うことが出来る。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
は、制膜時に温度を100度以下に抑え、高分子ポリマー
を制膜した後、シリコンナイトライドを制膜して水分の
浸入を防ぐ点である。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、低温で制膜す
るため、高密度プラズマを使用し、基板とプラズマ発生
器の距離を250ｍｍ以上離し、基板ホルダーに基板バイ
アスを印加しらがら冷却するのを主な特徴とする。 【０００８】 【発明の実施の形態】減圧された真空容器内に反応性ガ
スを流し、13.56KHZの高周波を、図1の１プラズマ発生
器、基板保持の基板電極３に印加した事により実現し
た。 【０００９】 【実施例】図１は、本発明装置の実施例の断面図であっ
て、図２は有機ELパネルに高分子ポリマーとシリコンナ
イトライドの保護膜を制膜した図面である。 【００１０】図２の有機ELパネルに、陰極９の形成後、
図１の真空容器の中に入れ高分子ポリマー10を、最初に
形成した後、シリコンナイトライド11を制膜する事によ
って、有機ELパネルに保護膜が形成される。 【００１１】このような保護膜の実装形態を採用したの
で、水分保護の特性を実効的に劣化することなく、形状
が変化もなく構造がシンプルになり、水分や酸素を一切
通過することは無い。 【００１２】図２の構造によりガラス基板側に発光させ
ていた光を反対側の上側に発光されることが可能とな
り、光の損失の少なくなり、有機ELパネルが明るくなる
のに役立つ。 【００１３】 【発明の効果】以上説明したように本発明の有機EL用の
保護膜を高分子ポリマーとシリコンナイトライドの複合
層によって、水分及酸素を全く透過させることなく、1
枚の製品として利用出来ることが可能となり、又発光損
失も非常に少なくなるので、壁掛けテレビ、携帯電話な
どの用途にも適用することが出来る。
制膜に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来は有機ELの保護膜にはガラス封印、
UV硬化樹脂に金属に板を張り付け、又その中に乾燥剤を
入れている方式で行っているものが大半である。構造自
体が有機EL基板、金属板の２重構造となっているので有
機ELの基板自体を薄くすることが出来ない構造となって
いる。UV硬化樹脂にしても、水分が発生するので、寿
命、素子の劣化なども問題が発生する可能性が多い欠陥
があった。 【０００３】しかし、プラズマCVDの制膜で、最終的な
保護膜を高分子ポリマーで最初の制膜、その上にシリコ
ンオキシナイトライド（SiON）及びシリコンナイトライ
ド（SiN）を制膜する事によって、保護膜効果が出来る
ので、有機EL自体の構造が一枚のガラスのみになるので
非常にコンパクトなり有機ELの特長が最大限に活かされ
る。 【０００４】一般的にプラズマCVDに於いて通常の制膜
する温度は400度前後、もしくは400度以上で制膜するの
が一般的であったが、有機ELの制膜においては100度以
下で制膜しないと有機ELの素子自体が破壊されるが、基
盤とプラズマと距離を250ｍｍ以上離し基盤を冷却する
ことによってこれらの問題を解決した。 【０００５】この改善策として、高密度プラズマを使用
して保護膜を制膜する方法がある。図1はこの方法によ
る制膜装置の概要を示すための説明図であって、図1の
１はプラズマ発生器、２は基板を保持する電極である。
有機ELの基板に高分子ポリマーを最初に制膜することに
よりシリコンオキシナイトライド（SiON）及びシリコン
ナイトライド（SiN）の制膜時に発生する膜応力の問題
を解決し、膜質に対するダメージも全く無い状態で制膜
を行うことが出来る。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
は、制膜時に温度を100度以下に抑え、高分子ポリマー
を制膜した後、シリコンナイトライドを制膜して水分の
浸入を防ぐ点である。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、低温で制膜す
るため、高密度プラズマを使用し、基板とプラズマ発生
器の距離を250ｍｍ以上離し、基板ホルダーに基板バイ
アスを印加しらがら冷却するのを主な特徴とする。 【０００８】 【発明の実施の形態】減圧された真空容器内に反応性ガ
スを流し、13.56KHZの高周波を、図1の１プラズマ発生
器、基板保持の基板電極３に印加した事により実現し
た。 【０００９】 【実施例】図１は、本発明装置の実施例の断面図であっ
て、図２は有機ELパネルに高分子ポリマーとシリコンナ
イトライドの保護膜を制膜した図面である。 【００１０】図２の有機ELパネルに、陰極９の形成後、
図１の真空容器の中に入れ高分子ポリマー10を、最初に
形成した後、シリコンナイトライド11を制膜する事によ
って、有機ELパネルに保護膜が形成される。 【００１１】このような保護膜の実装形態を採用したの
で、水分保護の特性を実効的に劣化することなく、形状
が変化もなく構造がシンプルになり、水分や酸素を一切
通過することは無い。 【００１２】図２の構造によりガラス基板側に発光させ
ていた光を反対側の上側に発光されることが可能とな
り、光の損失の少なくなり、有機ELパネルが明るくなる
のに役立つ。 【００１３】 【発明の効果】以上説明したように本発明の有機EL用の
保護膜を高分子ポリマーとシリコンナイトライドの複合
層によって、水分及酸素を全く透過させることなく、1
枚の製品として利用出来ることが可能となり、又発光損
失も非常に少なくなるので、壁掛けテレビ、携帯電話な
どの用途にも適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマCVDの実施方法を示した説明図であ
る。（実施例１） 【図２】有機ELパネルに制膜した構造の説明図である。
（実施例２） 【符号の説明】 １ 高周波電源 ２ 整合回路 ３ 基板電極 ４ 基板用整合回路 ５ 基板用高周波電源 ６ ガス導入系 ７ 排気ポンプ ８ 有機ＥＬパネル ９ 陰極電極 １０ 高分子ポリマー層 １１ シリコンナイトライト １２ プラズマ発生器
る。（実施例１） 【図２】有機ELパネルに制膜した構造の説明図である。
（実施例２） 【符号の説明】 １ 高周波電源 ２ 整合回路 ３ 基板電極 ４ 基板用整合回路 ５ 基板用高周波電源 ６ ガス導入系 ７ 排気ポンプ ８ 有機ＥＬパネル ９ 陰極電極 １０ 高分子ポリマー層 １１ シリコンナイトライト １２ プラズマ発生器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 減圧された真空容器の中で有機ELの基板
に高分子ポリマー、シリコンオキシナイトライド（SiO
N）をプラズマCVDで、交互に制膜することにより有機EL
の基板に保護膜を形成する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001380053A JP2003187959A (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | プラズマｃｖｄを使用した有機ｅｌ保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001380053A JP2003187959A (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | プラズマｃｖｄを使用した有機ｅｌ保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003187959A true JP2003187959A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27591286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001380053A Pending JP2003187959A (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | プラズマｃｖｄを使用した有機ｅｌ保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003187959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8673070B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-03-18 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Process for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by the process |
-
2001
- 2001-12-13 JP JP2001380053A patent/JP2003187959A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8673070B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-03-18 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Process for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by the process |
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