JP4619900B2 - 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Description
実施例では、シランガス(SiH4)及びアンモニアガス(NH3)を原料ガスとして用いたプラズマCVD法により、有機EL素子12が形成された素子基板11に窒化ケイ素SiNxの封止膜13を形成し、有機EL素子12を素子基板11との間に封止した。
比較例1は、窒化ケイ素SiNxの封止膜13を形成することなく、窒素雰囲気下で、有機EL素子12が形成された素子基板11と封止部材15であるガラス板とをシール剤14を介して紫外線照射により接着した点が実施例と異なっている。このようにして得られた有機ELディスプレイについて、シール剤の接着強度を測定したところ、4.0kgf(39.2N)であり、剥離モードはシール剤14のバルク破壊であった。
比較例2は、封止膜13の表面13aに水素処理を行うことなく、窒素雰囲気下で、当該封止膜13の上にエポキシ樹脂のシール剤14を介してガラス板を封止部材15として紫外線照射により接着した点が実施例と異なっている。
比較例3は、封止膜13の表面13aに水素プラズマではなく、一酸化二窒素N2Oを10秒間接触させた点が実施例と異なっている。
11,91 素子基板
12,92 有機EL素子
13,93 封止膜
14,94 シール剤
15,95 封止部剤
IR 界面形成領域
ER 発光領域
NER 非発光領域
Claims (4)
- 有機ELディスプレイであって、
素子基板と、
前記素子基板上に形成された有機EL素子と、
前記有機EL素子を封止するように形成された封止膜と、
前記封止膜上にシール剤を介して接着された封止部材と、
を備え、
前記封止膜は、少なくとも前記シール剤との界面を形成する領域において、表面の水素含有量が内部よりも多くなっていることを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 請求項1に記載の有機ELディスプレイにおいて、
前記封止膜が窒化ケイ素を主成分とすることを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 請求項1又は請求項2に記載の有機ELディスプレイにおいて、
前記シール剤がエポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 有機ELディスプレイの製造方法であって、
素子基板上に形成された有機EL素子を封止する封止膜を形成する封止膜形成工程と、
前記封止膜の表面の、少なくとも後記シール剤との界面を形成する領域に水素プラズマを接触させる水素処理工程と、
前記封止膜上にシール剤を介して封止部材を接着する封止部材接着工程と、
を備えることを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。
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