JP2012036460A - 非晶質窒化珪素膜とその製造方法、ガスバリア性フィルム、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法および封止方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波放電を利用したプラズマCVD法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を50〜100mmとし、シランガスに対する水素ガスの流量比(H2/SiH4)を0.5〜3.0として非晶質窒化珪素膜を成膜する。
【選択図】なし
Description
[2] 前記成膜した非晶質窒化珪素膜を40℃・相対湿度90%の条件下に3週間保管前後において、膜を構成する元素Si、O、Nの総量に対するOの割合の変化が、5%未満であることを特徴とする[1]に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
[3] 前記混合ガスの圧力を1〜200Paとして非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする[1]または[2]に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
[4] 前記高周波放電の周波数を10MHz〜80MHzとして非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする[1]〜[3]のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
[5] 前記プラズマCVD法の投入電力密度を4000〜25000W/m2として非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
[6] 200℃以下の温度で非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする[1]〜[5]のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
[7] [1]〜[6]のいずれか一項に記載の製造方法により製造される非晶質窒化珪素膜。
[8] 厚みが10〜1000nmであることを特徴とする[7]に記載の非晶質窒化珪素膜。
[9] 密度が2.4g/cm3以上であることを特徴とする[7]または[8]に記載の非晶質窒化珪素膜。
[11] 前記可撓性基材が、さらに有機層を有することを特徴とする[10]に記載のガスバリア性フィルム。
[12] [10]または[11]に記載のガスバリア性フィルム上に有機エレクトロルミネッセンス素子を製膜する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
[13] 有機エレクトロルミネッセンス素子に、[1]〜[6]のいずれか一項に記載の製造方法により非晶質窒化珪素膜を製膜することにより前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法。
[14] 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を成膜後、大気に曝すことなく真空中で前記非晶質窒化珪素膜を製膜することを特徴とする[13]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法。
[15] [7]〜[9]のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜を用いて封止した有機エレクトロルミネッセンス素子。
[16] [10]または[11]に記載のガスバリア性フィルムを基板に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
[17] [10]または[11]に記載のガスバリア性フィルムを用いて封止した有機エレクトロルミネッセンス素子。
(プラズマCVD法)
本発明の製造方法では、プラズマCVD法により非晶質窒化珪素膜を製膜する。
プラズマCVD法としては、平行平板電極間にガスを導入し、さらに電力を投入してプラズマ放電を発生する容量結合型プラズマCVDを用いる。プラズマCVD法による製膜については、例えば化学工学会、CVDハンドブック、p.282(1991)に記載の方法を参照することができる。
本発明の製造方法では、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いる。その際、シランガスに対する水素ガスの流量比(H2/SiH4)を0.5〜3.0に設定する。シランガスに対する水素ガスの流量比(H2/SiH4)は、0.5〜2.5であることが好ましく、1.0〜2.5であることがより好ましく、1.5〜2.0であることがさらに好ましい。シランガスに対する水素ガスの流量比(H2/SiH4)が0.5未満であると製膜される窒化珪素膜の耐酸化性が損なわれてしまい、逆に3.0超であると成膜速度が著しく低下するという問題がある。
また、混合ガスには、上記のシランガス、水素ガス、アンモニアガス、窒素ガス以外のガスが含まれていても構わない。そのようなガスとして、例えば、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを挙げることができる。
本発明の製造方法では、プラズマCVD法による電極間距離を50〜100mmに設定する。
電極間距離は50〜100mmであることが好ましく、50〜80mmであることがより好ましく、60〜70mmであることがさらに好ましい。電極間距離が50mm未満であると窒化珪素膜の密度が低くなって十分なガスバリア性が得られなくなる。逆に電極間距離が100mm超であると窒化珪素膜の耐酸化性が悪化し、また膜面に微粒子が堆積するという問題がある。
本発明の製造方法によれば、窒化珪素膜を所望の厚みに製膜することができる。ただし、窒化珪素膜を厚く製膜しすぎると曲げ応力によるクラック発生や内部応力増加に伴う反り・変形等のおそれがあり、逆に薄く製膜しすぎると膜が島状に分布するため、いずれもガスバリア性が悪くなる傾向がある。このため、窒化珪素膜の厚みは、通常10〜1000nmの範囲内とし、20〜500nmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは、50nm〜200nmであり、さらに好ましくは80〜150nmである。なお、可撓性支持体上に窒化珪素膜を2層以上製膜する場合は、各々が同じ膜厚であってもよいし、異なる膜厚であってもよい。
本発明の製造方法により製膜された非晶質窒化珪素膜の密度は、通常2.00〜3.00g/m2であり、2.40〜3.00g/m2であることが好ましく、2.45〜3.00g/m2であることがより好ましく、2.50〜3.00g/m2であることがさらに好ましい。
本発明の製造方法により製膜された非晶質窒化珪素膜は、40℃・相対湿度90%における水蒸気透過率が、0.004g/m2・day以下であることが好ましく、0.002g/m2・day以下であることがより好ましく、0.0004g/m2・day以下であることがさらに好ましく、0.0001g/m2・day以下であることが特に好ましい。
(基本構成)
本発明のガスバリア性フィルムは、可撓性基材の少なくとも一方の面に、上記の非晶質窒化珪素膜を有することを特徴とする。本発明のガスバリア性フィルムは、非晶質窒化珪素膜を2層以上有していてもよい。その場合、一方の面に2層以上有していてもよいし、両面にそれぞれ有していていもよい。可撓性基材上への非晶質窒化珪素膜は、上記の本発明の方法により製膜する。
本発明のガスバリア性フィルムに用いられる可撓性基材は、可撓性を有し、且つその上に形成される層を保持できるものであれば特に制限はなく、例えば透明フィルムなどを使用目的等に応じて適宜選択することができる。透明な可撓性基材を構成する材料としては、具体的に、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性カーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの樹脂のうち、好ましい例としては、ポリエステル樹脂で特にポリエチルナフタレート樹脂(PEN)、ポリアリレート樹脂(PAr)、ポリエーテルスルホン樹脂(PES)、フルオレン環変性カーボネート樹脂(BCF−PC:特開2000−227603号公報の実施例−4の化合物)、脂環変性ポリカーボネート樹脂(IP−PC:特開2000−227603号公報の実施例−5の化合物)、アクリロイル化合物(特開2002−80616号公報の実施例−1の化合物)等の化合物からなるフィルムが挙げられる。本発明では、ガラス転移温度が120℃以上の高分子材料で形成される可撓性基材を用いることが好ましい。
本発明のガスバリア性フィルムには、有機層を好ましく設けることができる。有機層は、窒化珪素膜を形成する側に設けることが好ましく、窒化珪素膜に隣接して設けることがより好ましい。また、窒化珪素膜と有機層を交互に積層することも好ましい。このとき、窒化珪素膜の一部は別の無機膜に置換してもよい。
本発明に用いることができる好ましいモノマーとしては、アクリレートおよびメタクリレートが挙げられる。アクリレートおよびメタクリレートの好ましい例としては、例えば、米国特許第6,083,628号明細書および米国特許第6,214,422号明細書に記載の化合物が挙げられる。
この場合、少なくとも、加熱温度よりもプラスチックフィルムのガラス転移温度(Tg)が高いことが必要である。光重合を行う場合は、通常、光重合開始剤を併用する。
本発明のガスバリア性フィルムには、有機無機ハイブリッド層を設けることもできる。有機無機ハイブリッド層とはポリマーの中に金属化合物が分散した層のことである。有機無機ハイブリッド層は本発明においては有機層として定義される。ポリマーとしては、上記有機層で述べたポリマーを好ましく用いることができる。また、金属化合物としては、例えば、Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、CeおよびTaから選ばれる1種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物などを用いることができる。これらの中でも、Si、Al、In、Sn、ZnおよびTiから選ばれる1種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましく、特にSiおよび/またはAlの金属酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましい。これらは、副次的な成分として他の元素を含有してもよい。
有機無機ハイブリッド層の形成方法としては、塗布法、ゾルーゲル法、あるいはこれらの組み合わせを用いることができる。有機無機ハイブリッド層の厚みは、50〜5000nmが好ましく、200〜2000nmがより好ましい。
本発明のガスバリア性フィルムは、透明な可撓性基材と窒化珪素膜との間に、公知のプライマー層または無機薄膜層を設置することができる。前記プライマー層としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂層、無機蒸着層またはゾル−ゲル法による緻密な無機層を挙げることができる。前記無機蒸着層としては、シリカ、ジルコニア、アルミナ等の蒸着層が好ましい。前記無機蒸着層は真空蒸着法、スパッタリング法等により形成することができる。
有機EL素子は、基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と発光層との間、または、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。なお、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。このような有機EL素子の詳細については、特開2007−30387号公報に詳しく記載されている。
本発明の非晶質窒化珪素膜や本発明のガスバリア性フィルムは、有機EL素子以外にも様々な用途に用いることが可能である。例えば、空気中の化学成分(酸素、水、窒素酸化物、硫黄酸化物、オゾン等)によって性能が劣化するデバイスに好ましく用いることができる。そのようなデバイスの例としては、有機EL素子以外に、例えば液晶表示素子、薄膜トランジスタ、タッチパネル、電子ペーパー、太陽電池等)等の電子デバイスを挙げることができる。
直径100mm、厚さ500μmのSiウエハを用意し、その表面にプラズマCVD法で非晶質窒化珪素膜を1層設けることにより試料No.1〜21を作製した。具体的には、電極間距離を表1に示す通りに調整したプラズマCVD装置の真空チャンバーを、ドライポンプとターボ分子ポンプとで到達圧力0.0001Paまで減圧した後に、チャンバー内にシランガス(SiH4:50sccm)、アンモニアガス(NH3:25sccm)、窒素ガス(N2:425sccm)および水素ガス(H2)を導入した。水素ガスの導入量は、シランガスに対する水素ガスの比(H2/SiH4)が表1に示す比となるように調整した。ただし、試料1〜5では水素ガスを導入しなかった。7100W/m2の放電電力を印加して、温度25℃、成膜圧力10Paで膜厚が150nmになるように成膜した。作製した各試料の物性を以下の方法で評価し、その結果を表1にまとめて示した。
GIXR法により製膜された膜密度を測定し、以下の基準により評価した。
○ 密度が2.45g/m2以上
△ 密度が2.40g/m2以上、2.45g/m2未満
× 密度が2.40g/m2未満
水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、PERMATRAN−W3/31)を用いて、40℃・相対湿度90%の条件下で各試料の水蒸気透過率を測定した。また、前記測定装置の測定限界である0.01g/m2/day以下の値は、次の方法を用いて補完した。まず、試料上に直に金属Caを蒸着し、蒸着Caが内側になるよう該フィルムとガラス基板を市販の有機EL用封止材で封止して封止試料を作成した。次に該封止試料を前記の温湿度条件に保持し、金属Caの光学濃度変化(水酸化あるいは酸化により金属光沢が減少)から水蒸気透過率を求めた。
各試料を40℃・相対湿度90%の条件下で3週間保管した後、エッチングESCAにより表面自然酸化層を除いた膜中のSi,N,O組成を測定した。保管前に対して酸素組成比が増加しているか否かにより、以下の基準により評価した。
○ 酸素組成比の増加が5%未満
× 酸素組成比の増加が5%以上
可撓性基材として、厚さ100μmのPET(東レ(株)製、ルミラーT60)とPEN(帝人デュポンフィルム(株)製、テオネックスQ65FA)を用意した。
図1に示すロール トゥ ロール方式の容量結合型プラズマCVD装置を用いて、各可撓性基材上に窒化珪素膜を形成した。すなわち、プラスチックフィルム(6)として上記各可撓性基材を設置し、これを送り出しロール(4)に掛け、巻き取りロール(5)まで通した。容量結合プラズマCVD装置(1)への基材の準備が終了した後、真空槽(2)の扉を閉めて真空ポンプ(10)を起動し、真空引きを開始した。到達圧力が4×10-4Paとなったところで、シランガス(SiH4:50sccm)、アンモニアガス(NH3:25sccm)、窒素ガス(N2:425sccm)および水素ガス(H2)を導入して高周波電源(11)をONし、10Paで60MHzの高周波を放電電力7100W/m2で印加し、放電の安定を確認してから、プラスチックフィルム(6)の走行を開始し、膜き取りロール(5)に巻き取り終わるまで窒化珪素膜の成膜を行った。
その結果、優れたガスバリア性と耐酸化性を有するロール状のガスバリア性フィルムが得られた。
実施例2で製造したガスバリア性フィルムを25mm×25mmに切り出し、その表面に直流電源を用いてスパッタ法にてインジウム錫酸化物(ITO、インジウム/錫=95/5モル比)の陽極を形成した(厚み0.2μm)。この陽極上に正孔注入層として銅フタロシアニン(CuPc)を真空蒸着法にて10nm設け、その上に正孔輸送層として、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニルベンジジンを真空蒸着法にて40nm設けた。この上にホスト材として4,4’−N,N’−ジカルバゾ−ルビフェニル、青発光材としてビス[(4,6−ジフルオロフェニル)−ピリジナート−N,C2'](ピコリネート)イリジウム錯体(Firpic)、緑発光材としてトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体(Ir(ppy)3)、赤発光材としてビス(2 −フェニルキノリン)アセチルアセトナ−トイリジウムをそれぞれ100/2/4/2の質量比になるように共蒸着して40nmの発光層を得た。さらにその上に電子輸送材として2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス[3−(2−メチルフェニル)−3H−イミダゾ[4,5−b]ピリジン]を1nm/秒の速度で蒸着して24nmの電子輸送層を設けた。この有機化合物層の上にパタ−ニングしたマスク(発光面積が5mm×5mmとなるマスク)を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを1nm蒸着し、さらにアルミニウムを100nm蒸着して陰極を設けた。陽極、陰極よりそれぞれアルミニウムのリード線を出して発光素子を作成した。該素子を窒素ガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ガラスキャップと紫外線硬化型接着剤(長瀬チバ製、XNR5493)で封止して発光素子を作製した。
実施例3におけるガラスキャップによる封止の代わりに、実施例1の試料7〜16の各製膜条件と同じ条件で厚み300nmの窒化珪素膜を製膜することにより封止した。これによって、ガラスキャップと同等の優れたバリア性を実現することができた。
2 真空槽
3 ドラム型電極(接地もしくはバイアス電源を接続)
4 送り出しロール
5 巻き取りロール
6 プラスチックフィルム
7 ガイドロール
8 ガイドロール
9 排気口
10 真空ポンプ
11 RF電源(オートマッチャー付き)
12 RF側電極
13 制御器
14 ガス流量調整ユニット
15 配管
Claims (17)
- 高周波放電を利用したプラズマCVD法による非晶質窒化珪素膜の製造方法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を50〜100mmとし、シランガスに対する水素ガスの流量比(H2/SiH4)を0.5〜3.0として非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする非晶質窒化珪素膜の製造方法。
- 前記成膜した非晶質窒化珪素膜を40℃・相対湿度90%の条件下に3週間保管前後において、膜を構成する元素Si、O、Nの総量に対するOの割合の変化が、5%未満であることを特徴とする請求項1に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
- 前記混合ガスの圧力を1〜200Paとして非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする請求項1または2に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
- 前記高周波放電の周波数を10MHz〜80MHzとして非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
- 前記プラズマCVD法の投入電力密度を4000〜25000W/m2として非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
- 200℃以下の温度で非晶質窒化珪素膜を成膜することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法により製造される非晶質窒化珪素膜。
- 厚みが10〜1000nmであることを特徴とする請求項7に記載の非晶質窒化珪素膜。
- 密度が2.4g/cm3以上であることを特徴とする請求項7または8に記載の非晶質窒化珪素膜。
- 可撓性基材の少なくとも一方の面に、請求項7〜9のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜を有することを特徴とするガスバリア性フィルム。
- 前記可撓性基材が、さらに有機層を有することを特徴とする請求項10に記載のガスバリア性フィルム。
- 請求項10または11に記載のガスバリア性フィルム上に有機エレクトロルミネッセンス素子を製膜する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 有機エレクトロルミネッセンス素子に、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法により非晶質窒化珪素膜を製膜することにより前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を成膜後、大気に曝すことなく真空中で前記非晶質窒化珪素膜を製膜することを特徴とする請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法。
- 請求項7〜9のいずれか一項に記載の非晶質窒化珪素膜を用いて封止した有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項10または11に記載のガスバリア性フィルムを基板に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項10または11に記載のガスバリア性フィルムを用いて封止した有機エレクトロルミネッセンス素子。
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