KR102257232B1 - 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 유기전계 발광소자는 제1 게이트라인 및 제2 게이트라인과 데이터 라인이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소 영역과, 상기 제1 게이트라인에 인접한 제1 화소영역에 배치된 제1 서브화소들과, 상기 제1 서브화소들 사이에 배치된 제1 구동부와, 상기 제2 게이트라인에 인접한 제2 화소영역에 배치된 제2 서브화소들과, 상기 제2 서브 화소들 사이에 배치된 제2 구동부를 포함할 수 있다.
실시예는 구동부를 서브 화소의 측면에 배치되도록 함으로써, 한 번의 스캔으로 많은 양의 잉크를 하나의 서브 화소 내에 공급할 수 있는 효과를 가진다.

Description

유기전계 발광소자 및 그 제조방법{ORGINIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR FBRICATING THE SAME}
실시예는 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 픽셀 구조 변경에 관한 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
최근에는 정보 통신 발달과 함께 표시장치가 급격하게 발전해오고 있다. 특히, 표시장치 중 유기전계발광소자는 자발광 소자로써, 별도의 백라이트 유닛을 구비하지 않아도 되므로, 다른 표시장치에 비해 얇게 형성하며 낮은 소비전력을 가질 수 있다.
일반적인 유기전계 발광소자는 기본적으로 애노드 전극, 캐소드 전극 및 상기 두 전극 사이에 개재된 유기발광패턴을 포함할 수 있다. 여기서, 애노드 전극과 캐소드 전극에서 각각 제공된 정공과 전자가 유기발광패턴에서 재결합하여 여기자를 형성하고, 상기 여기자가 불안정한 상태에서 안정한 상태로 떨어지면서 광이 발생한다.
광을 형성하는 중요한 역할을 수행하는 유기발광패턴은 대면적 기판에 형성하기 위해 잉크젯 프린팅 공정을 적용하여 픽셀을 형성하고 있다.
종래 유기전계 발광소자의 픽셀 구조는 상하 R,G,B 서브 픽셀 사이에 구동 소자가 배치되는 구조로 이루어진다. 서브 픽셀을 형성하기 위해 노즐을 픽셀의 가로 방향으로 이동시켜 잉크를 적하하고 있으나, 구동 소자에 의해 R,G,B 서브 픽셀의 세로 폭이 작기 때문에 서브 픽셀 내에 2드롭(drop)에 해당하는 잉크만을 적하할 수 있게 된다. 이로 인해 총 8드롭에 해당하는 잉크를 적하하기 위해서는 총 4번의 스캔 과정을 더 수행하게 되어 공정 시간이 증가하는 문제점이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 픽셀 형성 시 공정 시간을 감소시키기 위한 유기전계 발광소자 및 그 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 제1 게이트라인 및 제2 게이트라인과 데이터 라인이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소 영역과, 상기 제1 게이트라인에 인접한 제1 화소영역에 배치된 제1 서브화소들과, 상기 제1 서브화소들 사이에 배치된 제1 구동부와, 상기 제2 게이트라인에 인접한 제2 화소영역에 배치된 제2 서브화소들과, 상기 제2 서브 화소들 사이에 배치된 제2 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 제1 게이트라인 및 제2 게이트라인과 데이터 라인이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소 영역과, 상기 제1 화소영역에 배치된 제1 서브화소들과, 상기 제1 서브화소들 사이에 배치된 제1 구동부와, 상기 제2 화소 영역에 배치된 제2 서브화소들과, 상기 제2 서브화소들 사이에 배치된 제2 구동부를 포함하고, 상기 제1 게이트라인은 일부에 단턱부를 가지도록 배치된 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 제1 화소영역에 배치된 다수의 제1 서브화소들 및 제2 화소영역에 배치된 다수의 제2 서브화소들을 포함하는 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 서브화소들에 대응되는 헤드의 제1 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계와, 상기 제2 서브화소들에 대응되는 헤드의 제2 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예는 구동부를 서브 화소의 측면에 배치되도록 함으로써, 한 번의 스캔으로 많은 양의 잉크를 하나의 서브 화소 내에 공급할 수 있는 효과를 가진다.
또한, 실시예는 서브 화소들을 동일한 가로축 선 상에 배치되지 않도록 함으로써, 서로 다른 노즐을 통해 서브 화소들에 잉크를 공급할 수 있으며, 이에 서브 화소 내에 잉크량의 편차를 최소화할 수 있게 된다.
도 1은 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 5는 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 또 다른 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 10은 제4 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다고, 도 2는 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 R,G,B로 이루어진 서브 화소(100)들과, 상기 서브 화소(100)들 사이에 배치된 구동부(200)를 포함할 수 있다.
화소는 다수의 서브 화소(100)들을 포함할 수 있다. 화소는 게이트 라인(G)과 데이터 라인(D)의 교차되는 영역으로 정의될 수 있다. 게이트 라인(G)은 제1 게이트라인과 제2 게이트라인을 포함할 수 있다. 제1 게이트라인과 제2 게이트라인은 상하로 이격배치될 수 있다.
서브 화소(100)들은 게이트 라인(G) 예컨대, 제1 게이트라인 및 제2 게이트라인과 데이터 라인(D)이 교차되는 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 서브 화소들은 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 서브 화소는 R(Red) 서브 화소(110)이고, 제2 서브 화소는 G(Green) 서브 화소(130)이고, 제3 서브 화소는 B(Blue) 서브 화소(150)를 포함할 수 있다. 서브 화소(100)들은 유기발광패턴층일 수 있다. 유기발광패턴층은 R,G,B 색을 표현하게 되는 데 각 화소마다 R,G,B를 발광하는 별도의 유기물질을 패터닝하여 사용할 수 있다.
서브 화소(100)들은 세로 방향으로 이격 배치된 게이트 라인들(G) 사이에 배치될 수 있다. 서브 화소(100)의 상부에 배치된 게이트 라인(D)과 서브 화소(100)의 상부면 사이의 거리(D11)는 서브 화소(100)의 하부에 배치된 게이트 라인(D)과 서브 화소(100)의 하부면 사이의 거리(D12)와 대응될 수 있다.
서브 화소(100)들은 세로 방향으로 길게 형성될 수 있다. 서브 화소(100)들은 가로 방향의 폭 보다 세로 방향의 폭이 더 크게 형성될 수 있다. 서브 화소(100)들은 타원 형태를 가질 수 있다.
데이터 라인(D)은 2개의 서브 화소(100)들 사이에 배치될 수 있다. 데이터 라인(D)은 2개의 서브 화소(100)들 사이에 2개가 배치될 수 있다. 2개의 데이터 라인 사이에는 레퍼런스 라인(ref)이 배치될 수 있다.
서브 화소(100)들 사이에는 전원라인(VDD)이 연결될 수 있다. 전원라인(VDD)은 데이터 라인(D)에 인접하는 서브 화소(100)의 타측에 배치될 수 있다. 서브 화소(100)의 일측에는 데이터 라인(D)이 배치되며, 서브 화소(100)의 타측에는 전원 라인(VDD)이 배치될 수 있다.
구동부(200)는 서브 화소들(100) 사이에 배치될 수 있다. 구동부(200)는 데이터 라인(D)과 평행하도록 배치될 수 있다. 구동부(200)는 화소를 구동하는 역할을 한다. 구동부(200)는 각 화소를 선택하는 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막트랜지스터를 경유한 전기적 신호, 예컨대 데이터 신호에 의해 구동하는 유기전계 발광소자를 발광사키는 구동 박막트랜지스터와 전기적 신호를 일정시간 유지시키기 위한 캐패시터를 포함할 수 있다.
구동부(200)는 R,G,B 서브 화소들에 대응되도록 형성될 수 있다. 구동부(200)는 R,G,B 서브 화소들 사이에 배치될 수 있다. 구동부(200)는 제1 구동부(210)와, 제2 구동부(230)와, 제3 구동부(250)를 포함할 수 있다.
제1 구동부(210)는 R 서브 화소(110)와 G 서브 화소(130) 사이에 배치될 수 있다. 제2 구동부(230)는 R 서브 화소(110)와 G 서브 화소(130) 사이에 배치될 수 있다. 제1 구동부(210)와 제2 구동부(230)는 이격 배치될 수 있다. 제1 구동부(210)는 R 서브 화소(110)에 인접하게 배치될 수 있다. 제2 구동부(230)는 G 서브 화소(130)와 인접하게 배치될 수 있다. 제3 구동부(250)는 B 서브 화소(150)의 타측에 배치될 수 있다. 제3 구동부(250)는 G 서브 화소(130)와 인접한 B 서브 화소(150)의 타측에 배치될 수 있다.
이와 다르게, 제1 구동부 내지 제3 구동부(200)는 하나의 화소에 대응되도록 배치될 수 있다. 제1 구동부(210)는 R 서브 화소(110)와 G 서브 화소(130) 사이에 배치될 수 있다. 제2 구동부(230)는 G 서브 화소(130)와 B 서브 화소(150) 사이에 배치될 수 있다. 제3 구동부(250)는 B 서브 화소(150)의 타측에 배치될 수 있다. 제3 구동부(250)는 G 서브 화소(130)와 인접한 B 서브 화소(150)의 타측에 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 구동부(200)를 서브 화소(100)의 측면에 배치되도록 구성하게 되면 서브 화소(100)의 세로 방향의 길이를 충분히 확보할 수 있으며, 노즐을 통해 화소 영역에 잉크를 적하할 경우, 한 번의 스캔으로 많은 양의 잉크를 하나의 서브 화소 내에 공급할 수 있게 된다.
도 3은 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이고, 도 4는 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 R,G,B로 이루어진 서브 화소(100a, 100b)들과, 상기 서브 화소(100a, 100b)들 사이에 배치된 구동부(200)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 실시예에 대응되는 구성 요소에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.
게이트라인(G)은 제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)을 포함할 수 있다. 제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)은 상하로 이격 배치될 수 있다. 제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)은 서로 평행하게 배치될 수 있다.
서브화소는 제1 서브화소들(100a)과, 제2 서브화소들(100b)을 포함할 수 있다. 제1 서브화소들(100a)은 제1 화소영역(P1)에 배치될 수 있다. 제1 서브화소들(100a)은 서로 인접하는 R,G,B 서브화소(110a, 130a, 150a)를 포함할 수 있다. 제2 서브화소들(100b)은 제2 화소영역(P2)에 배치될 수 있다. 제2 서브화소들(100b)은 서로 인접하는 R,G,B 서브화소들을 포함할 수 있다.
제1 게이트라인(G1) 및 제2 게이트라인(G2)에는 단턱부(V)를 가지도록 형성될 수 있다. 제1 게이트라인(G1) 및 제2 게이트라인(G2) 사이의 거리는 동일하게 형성될 수 있다.
단턱부(V)의 일측에는 제1 화소영역(P1)에 배치되고 단턱부(V)의 타측에는 제2 화소영역(P2)이 배치될 수 있다. 제1 화소영역(P1)에는 제1 서브화소들(100a)이 배치될 수 있다. 제2 화소영역(P2)에는 제2 서브화소들(100b)이 배치될 수 있다. 단턱부(V)에 의해 제1 서브화소들(100a)과 제2 서브화소들(100b)은 서로 다른 영역에 배치될 수 있다.
상기에서는 게이트 라인의 단턱부(V)를 계단 형상으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 2개 이상의 계단 형상, 경사부, 곡선부로 이루어지도록 단턱부가 형성될 수 있다.
구동부(200)는 서브 화소(100)들 사이에 배치될 수 있다. 구동부(200)는 데이터 라인(D)과 평행하도록 배치될 수 있다. 구동부(200)는 R,G,B 서브 화소(100)들 사이에 배치될 수 있다. 구동부(200)는 화소를 구동하는 역할을 한다. 구동부(200)는 각 화소를 선택하는 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막트랜지스터를 경유한 전기적 신호, 예컨대 데이터 신호에 의해 구동하는 유기전계 발광소자를 발광사키는 구동 박막트랜지스터와 전기적 신호를 일정시간 유지시키기 위한 캐패시터를 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 서브 화소(100)들을 동일한 가로축 선 상에 배치되지 않도록 상하로 이격되도록 배치하게 되면, 서로 다른 노즐을 통해 서브 화소(100)들에 잉크를 공급할 수 있다. 이에 서브 화소(100) 내에 잉크량의 편차를 최소화할 수 있게 된다.
도 5는 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 제1 게이트라인(G1) 및 제2 게이트라인(G1)과 데이터 라인(D)이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소 영역(P1, P2)과, 상기 제1 게이트라인(G1)에 인접한 제1 화소영역(P1)에 배치된 제1 서브화소들(310)과, 상기 제1 서브화소들(310) 사이에 배치된 제1 구동부(330)와, 상기 제2 게이트라인(210)에 인접한 제2 화소영역(P2)에 배치된 제2 서브화소들(P2)과, 상기 제2 서브 화소들(P2) 사이에 배치된 제2 구동부(340)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 실시예 및 제2 실시예와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)은 상하로 이격 배치될 수 있다. 제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)은 서로 평행하게 배치될 수 있다.
제1 서브화소들(310)은 제1 화소영역(P1)에 배치될 수 있다. 제1 서브화소들(310)은 서로 인접하는 R,G,B 서브화소(311,313,315)를 포함할 수 있다. 제1 화소영역(P1)은 제2 게이트라인(G2)에 인접한 영역을 지칭할 수 있다. 제1 화소영역(P1)은 제1 게이트라인(G1)과의 거리(G21)보다 제2 게이트라인(G2)과의 거리(D22)가 작은 영역일 수 있다.
따라서, 제1 서브화소들(310)과 제1 게이트라인(G1) 사이의 거리(D21)는 제1 서브화소들(310)과 제2 게이트라인 사이의 거리(D22)보다 클 수 있다. 제1 서브화소들(310)과 제1 게이트라인(G1) 사이의 거리(D21)는 35㎛ 이상일 수 있다. 제1 서브화소들(310)과 제2 게이트라인(G2) 사이의 거리(D22)는 35㎛ 미만일 수 있다.
제1 서브화소들(310)과 제1 게이트 라인(G1)과 거리(D21) 및 제1 서브화소들(310)과 제2 게이트라인(G2) 사이의 거리(D22)는 이후 화소영역에 R,G,B 안료를 공급하는 노즐들의 사이의 간격에 의해 결정될 수 있다.
예컨대, 노즐들 사이의 거리는 65㎛ 내지 75㎛일 수 있다. 제1 서브화소들(310)과 제1 게이트라인(G1) 사이의 거리(D22)는 노즐들 사이의 거리의 1/2 이상일 수 있다. 제1 서브화소들(310)과 제2 게이트라인(G2) 사이의 거리(D22)는 노즐들 사이의 거리의 1/2 미만일 수 잇다.
제2 서브화소들(320)은 제2 화소영역(P2)에 배치될 수 있다. 제2 서브화소들(320)은 서로 인접하는 R,G,B 서브화소(321,323,325)를 포함할 수 있다. 제2 화소영역(P2)은 제1 게이트라인(G1)에 인접한 영역을 지칭할 수 있다. 제2 화소영역(P2)은 제1 게이트라인(G1)과의 거리보다 제2 게이트라인(G2)과의 거리가 큰 영역일 수 있다. 따라서, 제2 서브화소들(320)과 제1 게이트라인(G1) 사이의 거리(D31)는 제2 서브화소들(320)과 제2 게이트라인(G2) 사이의 거리보다 작을 수 있다.
제2 서브화소들(320)과 제1 게이트라인(G1) 사이의 거리(D31)는 35㎛ 미만일 수 있다. 제2 서브화소들(320)과 제2 게이트라인(G2) 사이의 거리(D32)는 35㎛ 이상일 수 있다.
제1 구동부(310)는 제1 서브화소들(310) 사이에 배치될 수 있다. 제1 구동부(330)는 다수의 제1 구동유닛(331,333,335)을 포함할 수 있다. 다수의 제1 구동유닛은 제1 서브화소들(310)의 R 서브화소(311), G 서브화소(313), B 서브화소(315)를 구동시키기 위해 각각 R 서브화소(311), G 서브화소(313), B 서브화소(315)의 일측에 배치될 수 있다.
제2 구동부(340)는 제2 서브화소들(320) 사이에 배치될 수 있다. 제2 구동부(340)는 다수의 제2 구동유닛(341,343,345)을 포함할 수 있다. 다수의 제2 구동유닛(341,343,345)은 제2 서브화소들(320)의 R 서브화소(321), G 서브화소(323), B 서브화소(325)를 구동시키기 위해 R 서브화소(321), G 서브화소(323), B 서브화소(325)의 일측에 배치될 수 있다.
제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 R,G,B 화소들을 서로 다른 영역에 배치함으로써, 잉크의 공급편차에 따라 얼룩이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 도 6 내지 도 9를 참조하여, 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.
도 6 및 도 7은 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 나타낸 도면이다.
제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 제1 화소영역에 배치된 다수의 제1 서브화소들 및 제2 화소영역에 배치된 다수의 제2 서브화소들을 포함하는 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 서브화소들에 대응되는 헤드의 제1 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계와, 상기 제2 서브화소들에 대응되는 헤드의 제2 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판이 마련되면, 헤드(500)는 제1 화소영역(P1)에 배치된 제1 서브화소들(310)을 향해 이동하면서 제1 화소영역(310)에 배치된 R,G,B 서브화소에 안료를 공급하게 된다. 도면에서는 편의상 R 서브화소에 안료를 공급하도록 1개의 헤드만을 도시하였으나, 실질적으로, R,G,B 서브화소에 안료를 공급하기 위해 총 3개의 헤드가 서로 연결되는 구조일 수 있다.
헤드(500)에는 제1 서브화소들(310)에 대응되도록 제1 노즐부(Q1)를 포함할 수 있다. 제1 노즐부(Q1)는 5개의 노즐(510)로 이루어질 수 있다. 각 노즐(510) 사이의 거리(D4)는 65㎛ 내지 75㎛ 일 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 헤드(500)의 제1 노즐부(Q1)를 통해 제1 서브화소들(310)에 안료의 공급을 마치면 헤드(500)는 제2 서브화소들(320)에 안료를 공급할 수 있다. 제2 서브화소들(320)은 헤드(500)의 제2 노즐부(Q2)를 통해 공급될 수 있다.
헤드(500)의 제2 노즐부(Q1)로부터 제2 서브화소들(320)에 R,G,B 안료의 공급을 마치게되면, 도 6과 같은 방식으로, 헤드(500)는 제1 노즐부(510)를 통해 제1 화소영역(P2)에 배치된 제1 서브화소들(310)에 안료를 공급할 수 있다.
이와 같이, 헤드(500)는 제1 노즐부(Q1) 및 제2 노즐부(Q2)를 번걸아가며 사용함으로써, 제1 서브화소들(310)과 제2 서브화소들(320)에 안정적으로 안료를 공급할 수 있게 된다. 따라서, 제1 서브화소들(310)과 제2 서브화소들(320)에 공급되는 안료의 편차를 최소화할 수 있게 된다.
도 8 및 도 9는 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 또 다른 제조방법을 나타낸 도면이다.
제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 제1 화소영역에 배치된 다수의 제1 서브화소들 및 제2 화소영역에 배치된 다수의 제2 서브화소들을 포함하는 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 서브화소들에 대응되는 헤드의 제1 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계와, 상기 제2 서브화소들에 대응되는 헤드의 제2 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 도 7 및 도 8과 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 기판이 마련되면, 헤드(500)는 제1 화소영역(P1)에 배치된 제1 서브화소들(310)을 향해 이동하면서 제1 화소영역(P1)에 배치된 R,G,B 화소에 안료를 공급하게 된다. 도면에서는 편의상 R 화소에 안료를 공급하도록 1개의 헤드만을 도시하였으나, 실질적으로, R,G,B 화소에 안료를 공급하기 위해 총 3개의 헤드가 서로 연결되는 구조일 수 있다.
헤드(500)는 제1 화소영역(P1)에 배치된 다수의 제1 서브화소들(310)을 향해 이동하면서 안료를 공급하게 되고, 다수의 제1 서브화소들(310) 사이에 배치된 제2 서브화소들(320)에는 안료를 공급하지 않게 된다.
도 9에 도시된 바와 같이, 헤드(500)의 제1 노즐부(Q1)에 의해 제1 화소영역(P1)에 배치된 다수의 제1 서브화소들(310)에 안료의 공급을 마치면, 헤드(500)는 기판의 선단부로 다시 되돌아오게 된다. 헤드(500)는 제2 화소영역(P2)에 배치된 제2 서브화소들(320)의 선단부까지 이동하게 되고, 헤드(500)의 제2 노즐부(Q2)를 통해 다수의 제2 서브화소들(320)에 안료를 공급하게 된다.
상기와 같이, 헤드(500)는 제1 서브화소들(310) 및 제2 서브화소들(320)에 안료를 순차적으로 공급할 수 있으며, 이와 다르게, 다수의 제1 서브화소들(310)에 먼저 안료를 공급한 이후에 다수의 제2 서브화소들(320)에 안료를 공급하여 유기전계 발광소자의 제조방법을 마칠 수 있게 있다.
도 10은 제4 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제4 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 제1 게이트라인(G1) 및 제2 게이트라인(G2)과 데이터 라인이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소영역(P1,P2)과, 상기 제1 게이트라인(G1)에 인접한 제1 화소영역(P1)에 배치된 제1 서브화소들(410)과, 상기 제1 서브화소들(410) 사이에 배치된 제1 구동부(430)와, 상기 제2 게이트라인(G2)에 인접한 제2 화소영역(P2)에 배치된 제2 서브화소들(420)과, 상기 제2 서브 화소들(420) 사이에 배치된 제2 구동부(440)를 포함할 수 있다. 여기서, 제3 실시예와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)은 상하로 이격 배치될 수 있다. 제1 게이트라인(G1)과 제2 게이트라인(G2)은 서로 평행하게 배치될 수 있다.
제1 서브화소들(410)은 제1 화소영역(P1)에 배치될 수 있다. 제1 화소영역(P1)은 제2 게이트라인(G2)에 인접한 영역을 지칭할 수 있다. 제1 화소영역(P1)은 제1 게이트라인(G1)과의 거리보다 제2 게이트라인(G2)과의 거리가 작은 영역일 수 있다.
제2 서브화소들(420)은 제2 화소영역(P2)에 배치될 수 있다. 제2 화소영역(P2)은 제1 게이트라인(G1)에 인접한 영역을 지칭할 수 있다. 제2 화소영역(P2)은 제1 게이트라인(G1)과의 거리보다 제2 게이트라인(G2)과의 거리가 작은 영역일 수 있다.
제1 서브화소들(410)은 R,G,B 서브화소들(411,413,415)을 포함할 수 있다. 제1 서브화소들(410)은 제2 서브화소들(420)과 교대로 배치될 수 있다. 제1 서브화소(410)의 R 서브화소(411)와 제1 서브화소(410)의 G 서브화소(413) 사이에는 제2 서브화소(420)의 G 서브화소(423)가 배치될 수 있다. 제1 서브화소(410)의 B 서브화소(415)와 제1 서브화소(410)의 G 서브화소(413) 사이에는 제2 서브화소(420)의 R 서브화소(421)가 배치될 수 있다. 제1 서브화소(410)의 G 서브화소(413)의 일측에는 제2 서브화소(420)의 B 서브화소(425)가 배치될 수 있다.
상기와 같이, 제4 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 R,G,B 화소들을 서로 다른 영역에 배치함으로써, 잉크의 공급편차에 따라 얼룩이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
110: R 서브 화소 130: G 서브 화소
150: B 서브 화소 210: 제1 구동부
230: 제2 구동부 250: 제3 구동부
300: 단턱부 G: 게이트 라인

Claims (16)

  1. 제1 게이트라인 및 제2 게이트라인과 데이터 라인이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소 영역;
    상기 제2 게이트라인에 인접한 제1 화소영역에 배치된 제1 서브화소들;
    상기 제1 서브화소들 사이에 상기 제1 서브화소들의 세로 방향과 평행한 영역에만 배치되고, 상기 제1 서브화소들의 세로 방향 길이와 동일한 길이를 가지고, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는 제1 구동부;
    상기 제1 게이트라인에 인접한 제2 화소영역에 배치된 제2 서브화소들; 및
    상기 제2 서브 화소들 사이에 상기 제2 서브화소들의 세로 방향과 평행한 영역에만 배치되고, 상기 제2 서브화소들의 세로 방향 길이와 동일한 길이를 가지고, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는 제2 구동부;
    를 포함하는 유기전계 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 서브화소들과 제2 게이트라인 사이의 거리는 제1 서브화소들과 제1 게이트 라인 사이의 거리보다 작은 유기전계 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 서브화소들과 제1 게이트라인 사이의 거리는 35㎛ 이상이고, 제1 서브화소들과 제2 게이트 라인 사이의 거리는 35㎛ 미만인 유기전계 발광소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 서브화소들과 제2 게이트라인 사이의 거리는 제2 서브화소들과 제1 게이트 라인 사이의 거리보다 큰 유기전계 발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 서브화소들은 서로 인접하는 R,G,B 서브화소들을 포함하는 유기전계 발광소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 서브화소들 중 적어도 어느 하나의 제2 서브화소는 제1 서브화소들의 일측에 배치된 유기전계 발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 서브화소들과 제2 서브화소들은 순차적으로 교대로 배치되는 유기전계 발광소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 서브화소의 R 서브화소와 B 서브화소 사이에는 제2 서브화소의 G 서브화소가 배치되고, 제1 서브화소의 B 서브화소와 G 서브화소 사이에는 제2 서브화소의 R 서브화소가 배치되고, 제1 서브화소의 G 서브 화소의 일측에 제2 서브화소의 B 서브화소가 배치되는 유기전계 발광소자.
  9. 제1 게이트라인 및 제2 게이트라인과 데이터 라인이 교차되는 영역의 제1 및 제2 화소 영역;
    상기 제1 화소영역에 배치된 제1 서브화소들;
    상기 제1 서브화소들 사이에 상기 제1 서브화소들의 세로 방향 길이와 동일한 길이를 가지면서, 상기 제1 서브화소들의 세로 방향과 평행한 영역에만 배치되고, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는 제1 구동부;
    상기 제2 화소 영역에 배치된 제2 서브화소들; 및
    상기 제2 서브화소들 사이에 상기 제2 서브화소들의 세로 방향 길이와 동일한 길이를 가지면서, 상기 제2 서브화소들의 세로 방향과 평행한 영역에만 배치되고, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는 제2 구동부를 포함하고,
    상기 제1 게이트라인은 일부에 단턱부를 가지도록 배치된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 게이트라인과 제2 게이트 라인의 거리는 동일하게 배치된 유기전계 발광소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 서브화소들은 단턱부의 일측에 배치되고, 제2 서브화소들은 단턱부의 타측에 배치되는 유기전계 발광소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 게이트라인과 제1 서브화소들사이의 거리는 제2 게이트라인과 제1 서브화소들 사이의 거리와 동일한 유기전계 발광소자.
  13. 제1 화소영역에 배치된 다수의 제1 서브화소들과 상기 제1 서브화소들 사이에 상기 제1 서브화소들의 세로 방향과 평행한 영역에만 배치되고, 상기 제1 서브화소들의 세로 방향 길이와 동일한 길이를 가지고, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는 제1 구동부 및 제2 화소영역에 배치된 다수의 제2 서브화소들과 상기 제2 서브화소들 사이에 상기 제2 서브화소들의 세로 방향과 평행한 영역에만 배치되고, 상기 제2 서브화소들의 세로 방향 길이와 동일한 길이를 가지고, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는 제2 구동부를 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 서브화소들에 대응되는 헤드의 제1 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계; 및
    상기 제2 서브화소들에 대응되는 헤드의 제2 노즐부를 통해 화소 안료를 공급하는 단계;
    를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노즐은 제1 서브화소들과 제2 서브화소들에 안료를 순차적으로 공급하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 노즐은 다수의 제1 서브화소들에 안료를 공급한 이후, 다수의 제2 서브화소들에 안료를 공급하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 헤드의 노즐들 사이의 거리는 65㎛ 내지 75㎛인 유기전계 발광소자의 제조방법.
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