JP2006343504A - トランジスタアレイパネル及びトランジスタアレイパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】信号線群Yをパターニングするとともにトランジスタ21のゲート21g及びキャパシタ24の電極24aをパターニングし、ゲート絶縁膜31を成膜する。半導体膜81をゲート絶縁膜31上に成膜し、チャネル保護膜21pをパターニングするとともに絶縁膜72を信号線群Yに重ねるようにパターニングする。オーミック膜21a,21bをパターニングし、エッチングによって半導体膜81から半導体膜71及び半導体膜21cを得る。走査線X、供給線Zをパターニングするとともに、トランジスタ21のソース21s、ドレイン21d及びキャパシタ24の電極24bをパターニングする。保護絶縁膜32を成膜し、平坦化膜33を成膜し、画素ごとに有機EL素子Lをパターニングする。
【選択図】図2
Description
ELディスプレイパネル1を平面視すると、複数の走査線X及び複数の供給線Zが互いに平行となって行方向に延在し、信号線群Yが互いに平行となって列方向に延在している。走査線Xと信号線群Yが互いに絶縁され、走査線Xと信号線群Yが平面視して互いに直交している。同様に、供給線Zと信号線群Yが互いに絶縁され、供給線Zと信号線群Yが平面視して互いに直交している。信号線群Yと直交する方向(行方向)に並列される画素群は互いに同じ色に発光する。そして、信号線群Yの延在方向(列方向)に沿って連続して配置される3つの画素は互いに異なる色、具体的には赤、緑、青にそれぞれ発光する。このため、信号線群Yは、赤色に発光する画素群に接続される信号線YRと、緑色に発光する画素群に接続される信号線YGと、青色に発光する画素群に接続される信号線YBと、で構成されている。したがって、信号線YR、信号線YG、信号線YBは、行方向に隣接する2つの画素の間を、ひとまとめになって且つ互いに離間しながら列方向に沿って配列されることになる。また、各画素には画素回路Pが設けられ、これら画素回路Pが画素同様にマトリクス状に配列されている。赤の画素については画素回路Pが走査線Xと信号線YRとの交差部において走査線X、信号線YR及び供給線Zに接続され、緑の画素については画素回路Pが走査線Xと信号線YGとの交差部において走査線X、信号線YG及び供給線Zに接続され、青の画素については画素回路Pが走査線Xと信号線YBとの交差部において走査線X、信号線YB及び供給線Zに接続されている。つまり、各画素回路Pは、信号線YR、信号線YG、信号線YBのうちのいずれか一つと接続されている。また、1画素につき1つのエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:EL)素子Lが設けられ、各エレクトロルミネッセンス素子Lは一端がそれぞれ画素回路Pに接続され、他端が共通電位VCOM(例えば接地)に接続されている。
各画素回路Pのうち、ゲートが走査線Xに接続されるべきトランジスタは、ゲート絶縁膜31に設けられたコンタクトホール51を介してゲートが走査線Xと接続されている。
各画素回路Pのうち、ソース又はドレインが信号線YR、信号線YG、信号線YBのいずれかに接続されるべきトランジスタは、ゲート絶縁膜31に設けられたコンタクトホール52を介してソース又はドレインが信号線YR、信号線YG、信号線YBのいずれかと接続されている。
上記実施形態では、信号線群Yの上において半導体膜71及び絶縁膜72がゲート絶縁膜31に積層されているが、図7に示すように半導体膜71及び段差抑制用オーミック膜73が順に積層されていても良いし、図8に示すように半導体膜71、段差抑制用オーミック膜73及び絶縁膜72が順に積層されていても良い。ここでの、段差抑制用オーミック膜73は、トランジスタ21のオーミック膜21a,21bの元となるべた一面のオーミック層をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによってオーミック膜21a,21bとともに形成されたものである。
上記実施形態では、トランジスタ21のパターニングと同時に半導体膜71及び絶縁膜72をパターニングしたが、図9に示すように、半導体膜71及び絶縁膜72をパターニングせずに、段差抑制用の有機膜74を信号線YR、信号線YG及び信号線YBに重ねるようにパターニングしても良い。この有機膜74は、熱硬化型又は紫外線硬化型の樹脂を信号線YR、信号線YG及び信号線YBに重ねるようにして保護絶縁膜32に塗布することによってパターニングされたものである。有機膜74のパターニングタイミングは、保護絶縁膜32の成膜後、平坦化膜33の成膜前である。有機膜74が信号線YR、信号線YG及び信号線YBの上にパターニングされることで、保護絶縁膜32の表面は信号線YR、信号線YG及び信号線YBとキャパシタ24との間の段差が解消され、その段差が非常に小さくなる。なお、図9のELディスプレイパネルの製造方法は、半導体膜71及び絶縁膜72をパターニングせずに、有機膜74をパターニングしたことを除いて上記実施形態の場合と同様である。
上記実施形態、変形例では、走査線X及び供給線Zがドレインレイヤーから形成され、信号線YR、信号線YG及び信号線YBがゲートレイヤーから形成されていたが、信号線YR、信号線YG及び信号線YBがドレインレイヤーから形成され、走査線X及び供給線Zがゲートレイヤーから形成されていても良い。この場合、上記実施形態や変形例のように、走査線X及び供給線Zに重ねるように半導体膜71、絶縁膜72、オーミック膜73又は有機膜74を積層する。
上記実施形態、変形例では、段差を抑制するために画素回路P内のトランジスタに用いられる層を信号線YR、信号線YG及び信号線YBに沿って積層したが、これに限らず上記実施形態又は変形例のように画素回路P内のトランジスタに用いられる層を走査線Xに沿って積層して、走査線Xとキャパシタ24との間の段差を抑制してもよい。
上記実施形態、変形例では、変形例2を除き、いずれも段差を抑制するための膜が複数積層されたが、単層であってもよい。つまり、段差抑制用の半導体膜71のみ、又は段差抑制用の絶縁膜72のみ、又は段差抑制用のオーミック膜73のみであってもよい。
上記実施形態、変形例は、整合性のある限り複数組み合わせてもよい。
21 トランジスタ
21g ゲート
21s ソース
21d ドレイン
24 キャパシタ
24a 電極
24b 電極
50 トランジスタアレイパネル
71 段差抑制用の半導体膜
72 段差抑制用の絶縁膜
73 段差抑制用のオーミック膜
74 段差抑制用の有機膜
Claims (4)
- 複数の層で構成されるトランジスタを有する画素回路と、
キャパシタと、
前記画素回路に接続される配線と、
前記配線に重なるように前記配線の延在方向に沿って設けられ、前記トランジスタの複数の層となる層のうちの少なくとも1つの層で形成された段差抑制用の膜と、
を備えることを特徴とするトランジスタアレイパネル。 - トランジスタを有する画素回路と、
キャパシタと、
前記画素回路に接続される配線と、
前記キャパシタに重なることなく、且つ前記配線に重なるように前記配線の延在方向に沿って設けられた段差抑制用の膜と、
を備えることを特徴とするトランジスタアレイパネル。 - 前記段差抑制用の膜の上方に形成される画素電極を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のトランジスタアレイパネル。
- 複数の層で構成されるトランジスタを有する画素回路に接続される配線を形成し、
キャパシタを形成し、
前記配線に重なるように前記配線の延在方向に沿って、前記トランジスタの複数の層となる層のうちの少なくとも1つの層で段差抑制用の膜を形成する、
ことを特徴とするトランジスタアレイパネルの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
CN111326558A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-23 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示面板和电子装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000091585A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2003216065A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2005078881A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光表示装置及び発光表示装置の作製方法 |
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2005
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000091585A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2003216065A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2005078881A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光表示装置及び発光表示装置の作製方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8558445B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
CN111326558A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-23 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示面板和电子装置 |
CN111326558B (zh) * | 2020-02-27 | 2023-11-28 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示面板和电子装置 |
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