JP2003216065A

JP2003216065A - 電気光学装置及び電子機器

Info

Publication number: JP2003216065A
Application number: JP2002016120A
Authority: JP
Inventors: Hayato Nakanishi; 早人中西
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-01-24
Filing date: 2002-01-24
Publication date: 2003-07-30

Abstract

(57)【要約】【課題】表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全
体に亘って同一にすることにより、固着部における電気
的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コ
ントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがな
い電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機
器を提供する。【解決手段】フレキシブル基板等の中継基板に形成さ
れた配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平
坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極
７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されて
いる。そして、電極７４，７５上及び凸部７９に透明電
極７７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
電子機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材
料を備えた電気光学装置及び当該電気光学装置を備える
電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、画素電極（陽極）及び陰極の間
に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持
された構造のカラー電気光学装置、特に発光材料として
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用い
た有機ＥＬ表示装置の開発が行われている。以下、従来
の電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）について簡単に説
明する。

【０００３】図１３は、従来の電気光学装置の配線構造
を示す図である。図１３に示すように、従来の電気光学
装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して
交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９
０２に並行して延びる複数の発光用電源配線９０３とが
それぞれ配線され、走査線９０１と信号線９０２との各
交点毎に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０
２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、
及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４
に接続されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ
及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続
されている。

【０００４】また、画素領域Ａの各々には、走査線９０
１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチ
ング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜
トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給され
る画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａ
ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給され
るカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄
膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３に
電気的に接続されたときに発光用電源配線９０３から駆
動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１
１と陰極９１２との間に挟み込まれる発光層９１０とが
設けられている。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１
に接続されている。

【０００５】上記の発光層９１０には、赤色に発光する
発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色
に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、
各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配
置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１
４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接
続される発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂ
は、それぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。
各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光層
９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。

【０００６】以上の構成において、走査線９０１に走査
信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３
がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給さ
れている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持
される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応
じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状
態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４
を介して発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂ
から画素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を
介して陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光
層９１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１
０から得られる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１３に示
した電気光学装置は、走査線９０１、信号線９０２、陰
極９１２、発光用電源配線９０３（９０３Ｒ，９０３
Ｇ，９０３Ｂ）、走査側駆動回路９０５、及び画素領域
Ａがガラス等の透明基板（表示基板）上に形成され、陰
極用電源回路９３１、発光用電源回路９３２、及びデー
タ側駆動回路９０４等の回路が可撓性のあるフレキシブ
ル基板（中継基板）上に配置された構成とされることが
ある。

【０００８】かかる構成の場合には、基板に対してフレ
キシブル基板を固着させ、走査線９０１、信号線９０
２、陰極９１２、及び発光用電源配線９０３とフレキシ
ブル基板上に形成された回路とを電気的に導通させる必
要がある。基板とフレキシブル基板との固着及び電気的
な接続は、基板とフレキシブル基板との間に導電粒子を
含む異方性導電膜を配置し、フレキシブル基板を基板に
対して圧着させることにより行われる。

【０００９】上述した電気光学装置に設けられる発光層
９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線
９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変
動をできるだけ少なくすることが要求される。特に、図
１３に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置
であり、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不
具合を防止するためには、陰極９１２及び発光用電源配
線９０３の配線抵抗等による電圧降下を極力抑える必要
がある。このため、陰極９１２及び発光用電源配線９０
３は、走査線９０１及び信号線９０２よりも幅広に形成
されている。

【００１０】基板とフレキシブル基板と固着させる際に
は、主として圧着部において生ずる電気的抵抗の均一化
を図るために、固着部の全面に亘って圧着条件を同一に
したいという要求がある。この要求を満たすためには、
固着部に設けられ、上述した種々の配線が接続される端
子の形状を同一にする必要がある。

【００１１】しかしながら、上述したように、図１３に
示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置である
ため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線幅を
狭くすることは配線抵抗等による電圧降下を考慮すると
困難である。また、走査線９０１及び信号線９０２は数
が多く、これら全てを配置するためには細線化及び狭ピ
ッチ化する必要があるため、走査線９０１及び信号線９
０２の線幅を陰極９１２及び発光用電源配線９０３の線
幅と同程度にすることも困難である。

【００１２】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体
に亘って同一にすることにより、固着部における電気的
抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コン
トラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない
電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器
を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電気光学装置は、第１配線と、当該第１配
線より幅が広い第２配線とが少なくとも形成された電気
光学装置において、前記第１配線に接続された外部接続
用の第１端子と、前記第２配線に接続された外部接続用
の複数の第２端子と、前記第１端子間、前記第２端子
間、及び前記第１端子と前記第２端子との間に設けられ
た平坦化膜と、前記平坦化膜上、前記第１端子の端部、
及び前記第２端子の端部に形成された第２の絶縁層とを
備えることを特徴としている。この発明によれば、第１
端子間、第２端子間、及び第１端子と第２端子との間に
平坦化膜が設けられ、この平坦化膜上、第１端子の端
部、及び第２端子の端部に絶縁膜を形成した構成である
ため、絶縁層の厚みを厚くしたとしても第１端子の端部
及び第２端子の端部に形成される絶縁層の高さが、平坦
化膜上に形成される絶縁層の表面に対してさほど高くな
らずに平坦性を確保することができる。その結果とし
て、第１端子及び第２端子と接続される配線の接続不良
を生ずることがない。また、本発明の電気光学装置は、
前記第１端子及び前記第２端子の端部には、前記第２の
絶縁層により凸部が形成されていることを特徴としてい
る。この発明によれば、第１配線及び第２配線に対して
設けられる第１端子及び第２端子の何れの端部にも凸部
が形成されており、例えば異方性導電膜で配線が施され
た基板を表示基板に固着させるときには、異方性導電膜
に含まれる導電粒子が、第１端子及び第２端子の両端か
らはみ出す割合が少なくなり、逆に第１端子及び第２端
子上に留まる割合が上昇するため、固着部における電気
的抵抗を低減する上で極めて好適である。また、本発明
の電気光学装置は、前記第１端子及び前記第２端子に複
数の凹部が形成されていることを特徴としている。この
発明によれば、第１、第２端子の表面に形成された複数
の凹部により、第１、第２端子がいわば複数の電極とし
て分割した構成となっているため、配線が施された基板
を表示基板に固着させるとともに導通を取るときの圧力
の掛かり具合等の圧着条件をより均一化することができ
る。また、本発明の電気光学装置は、前記第１配線と同
程度の幅を有する第１中継配線と、前記第２配線と同程
度の幅を有する第２中継配線とが形成され、前記第１端
子を介して前記第１配線と前記第１中継配線とが電気的
に接続され、前記第２端子を介して前記第２配線と前記
第２中継配線とが電気的に接続された中継基板を有する
ことを特徴としている。上記課題を解決するために、本
発明の電気光学装置は、複数の発光素子と、信号線を介
して供給される信号に応じて電源線を介して供給される
電流を前記発光素子に供給するスイッチング素子とが形
成された電気光学装置において、前記信号線に接続され
てなる外部接続用の第１端子と、前記信号線の幅より広
く形成され、前記電源線に接続された外部接続用の複数
の第２端子と、前記第１端子間、前記第２端子間、及び
前記第１端子と前記第２端子との間に設けられた平坦化
膜と、前記平坦化膜上、前記第１端子の端部、及び前記
第２端子の端部に形成された絶縁層とを備えることを特
徴としている。また、本発明の電気光学装置は、前記第
１端子及び前記第２端子の端部には、前記絶縁層により
凸部が形成されていることを特徴としている。また、本
発明の電気光学装置は、前記第１端子及び前記第２端子
に複数の凹部が形成されていることを特徴としている。
また、本発明の電気光学装置は、前記信号線と同程度の
幅を有する第１配線と、前記電源線と同程度の幅を有す
る第２配線とが形成され、前記第１端子を介して前記信
号線と前記第１配線とが電気的に接続され、前記第２端
子を介して前記電源線と前記第２配線とが電気的に接続
された中継基板を有することを特徴としている。また、
本発明の電気光学装置は、前記第１、第２端子と前記第
１、第２配線とが、異方性導電膜により固着されている
ことを特徴としている。また、本発明の電子機器は、上
記の何れかに記載の電気光学装置を備えることを特徴と
している。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態による電気光学装置及び電子機器について詳細
に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

【００１５】図１は、本発明の一実施形態による電気光
学装置を模式的に示す分解斜視図である。図１に示すよ
うに、本実施形態の電気光学装置１０は、大別すると表
示基板２０と、表示基板２０に接続される中継基板３０
とから構成される。表示基板２０は、スイッチング素子
として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用
いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。

【００１６】この表示基板２０には、複数の走査線２１
が形成されており、この走査線２１に交差する方向に延
びる複数の信号線２２が形成されている。また、表示基
板２０には、発光素子が複数形成された表示素子２０ａ
が設けられている。更に、図１においては図示を省略し
ているが、表示基板２０には電源線及び陰極が形成され
ている。また、表示基板２０の一端には、走査線２１、
信号線２２、並びに不図示の電源線及び陰極各々に対す
る外部接続端子２７が形成されている。

【００１７】尚、図１に示した電気光学装置１０は、あ
くまでも主要な構成を模式的に示したものであり、実際
の走査線２１、信号線２２、及び外部接続端子２７は、
極めて狭い間隔をもって多数が表示基板２０上にそれぞ
れ形成されている点に注意されたい。また、外部接続端
子２７と走査線２１との接続状態との接続状態も図１に
おいては図示を省略している。

【００１８】中継基板３０は、可撓性を有するベース基
板３１上に複数の配線３２が形成されており、更に中継
基板３０の所定位置に半導体チップ３３を搭載した構成
である。配線３２の一端には、表示基板２０に形成され
た走査線２１及び信号線２２等の配線と電気的に接続す
るための外部接続端子３４が形成されている。尚、図１
では、中継基板３０上に半導体チップ３３のみが実装さ
れた構成であるが、半導体チップ３３が実装される部位
以外の部位の所定位置に抵抗、コンデンサ、その他のチ
ップ部品を実装しても良い。また、中継基板３０に形成
される配線３２及び外部接続端子３４も、その構造の理
解を容易にするために、間隔を拡大して模式的に示すと
ともに、構造を簡略化して図示してある。

【００１９】図１に示すように、中継基板３０は、異方
性導電膜４０を介して表示基板２０に固着される。この
とき、中継基板３０の外部接続端子３４は異方性導電膜
４０を介して表示基板２０の外部接続端子２７と電気的
に接続される。この異方性導電膜４０は、一対の端子間
を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いら
れる導電性のある高分子フィルムであって、例えば、図
２に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂４
１ａの中に多数の導電粒子４１ｂを分散させることによ
って形成される。

【００２０】図２は、異方性導電膜４０により中継基板
３０と表示基板２０とが固着される様子を示す断面図で
ある。図２に示すように、表示基板２０に形成された外
部接続端子２７と中継基板３０に形成された外部接続端
子３４との間に導電粒子４１ｂが挟持されるため、外部
接続端子２７と中継配線である外部接続端子３４との間
が電気的に接続されることになる。一方、外部接続端子
２７及び外部接続端子３４が形成されている部位以外の
部位においては、導電粒子４１ｂが挟持されていても、
接続端子が存在しないため、導通は取れていない。この
ようにして、外部接続端子２７及び外部接続端子３４と
の間のみで導通をとることができる。

【００２１】異方性導電膜４０を用いて表示基板２０と
中継基板３０とを固着させるには、表示基板２０を表面
が粗面とされた案内板を有する載置台（何れも図示省
略）上に配置し、表示基板２０を真空吸着する。このと
き、少なくとも表示基板２０に対して中継基板３０が固
着される部位が案内板の上方に位置するように表示基板
２０を載置台上に載置する。ここで、表面が粗面とされ
た案内板を用いるのは、案内板と表示基板２０の接触面
積を低減して案内板からの熱放散を抑えることで、表示
基板２０に加える温度を低下させるためである。

【００２２】表示基板２０の載置台上への載置が完了す
ると、中継基板３０が固着される表示基板２０の部位に
異方性導電膜４０を貼付し、更に、半導体チップ３３が
搭載された面を下側にして、外部接続端子３４が異方性
導電膜４０の上方に位置するように中継基板３０の位置
合わせを行う。以上の工程が終了すると、図示しない加
熱加圧ヘッドを用いて外部接続端子３４が形成されてい
る面の裏面を加熱・加圧して、外部接続端子３４と表示
基板２０に形成されている外部接続端子２７との導通を
とるとともに、中継基板３０を表示基板２０に固着させ
る。このとき、加熱加圧ヘッドから中継基板３０及び表
示基板２０に加える温度は百数十〜数百℃程度であり、
加える圧力は数メガパスカルである。以上の工程を経る
ことにより、中継基板３０を表示基板２０に固着させる
ことができる。

【００２３】次に、本実施形態の電気光学装置１０の配
線構造の詳細について説明する。図３は、本発明の一実
施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図
である。図３に示したように電気光学装置１０は、複数
の走査線２１と、走査線２１に対して交差する方向に延
びる複数の信号線２２と、信号線２２に並行して延びる
複数の発光用電源配線２３とがそれぞれ配線されてお
り、走査線２１及び信号線２２の各交点付近に、画素領
域Ａが設けられている。

【００２４】各信号線２２には、シフトレジスタ、レベ
ルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備え
るデータ側駆動回路３３ａが接続されている。また、各
信号線２２には、薄膜トランジスタを備える検査回路２
５が接続されている。更に、各走査線２１には、シフト
レジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路２４
が接続されている。

【００２５】また、画素領域Ａの各々には、スイッチン
グ薄膜トランジスタ５２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄
膜トランジスタ５３、画素電極５１、発光層５０、及び
陰極２６が設けられる。スイッチング薄膜トランジスタ
５２は、そのゲート電極に走査線２１が接続されてお
り、走査線２１から供給される走査信号に応じて駆動さ
れてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、
スイッチング薄膜トランジスタ５２を介して信号線２２
から供給される画像信号を保持する。

【００２６】カレント薄膜トランジスタ５３は、そのゲ
ート電極がスイッチング薄膜トランジスタ５２及び保持
容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって
保持された画像信号がゲート電極に供給される。画素電
極５１は、カレント薄膜トランジスタ５３に接続されて
おり、カレント薄膜トランジスタ５３を介して発光用電
源配線２３に電気的に接続したときに発光用電源配線２
３から駆動電流が流れ込む。発光層５０は画素電極５１
と陰極２６との間に挟み込まれている。

【００２７】上記、発光層５０には、赤色に発光する発
光層５０Ｒ、緑色に発光する発光層５０Ｇ、及び青色に
発光する発光層５０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発
光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂがストライプ配置されてい
る。そして、カレント薄膜トランジスタ５３を介して各
発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂに接続される発光用電源
配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂがそれぞれ、発光用電源回
路３３ｃに接続されている。各色毎に発光用電源配線２
３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂが配線されているのは、発光層５
０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるため
である。

【００２８】また、本実施形態の電気光学装置において
は、陰極２６と発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ
との間に静電容量Ｃ₁が形成されている。電気光学装置
１０が駆動するとこの静電容量Ｃ₁に電荷が蓄積され
る。電気光学装置１０の駆動中に各発光用電源配線２３
を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積され
た電荷が各発光用電源配線２３に放電されて駆動電流の
電位変動を抑制する。これにより、電気光学装置１０の
画像表示を正常に保つことができる。

【００２９】尚、この電気光学装置１０においては、走
査線２１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜ト
ランジスタ５２がオン状態になると、そのときの信号線
２２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａ
ｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ
５３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜
トランジスタ５３のチャネルを介して、発光用電源配線
２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂから画素電極５１に駆動電流が
流れ、更に発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを介して陰極
２６に電流が流れる。このとき、発光層５０を流れた電
流量に応じた量の発光が発光層５０から得られる。

【００３０】次に、本実施形態の電気光学装置１０の具
体的な構成について、図４及び図５を参照して説明す
る。図４は、本実施形態の電気光学装置の平面模式図で
あり、図５は、図４のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
図４に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、
基板６０、不図示の画素電極群領域、発光用電源配線２
３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）、及び表示画素部６１
（図中一点鎖線の枠内）とから概略構成される。

【００３１】基板６０は、例えばガラス等からなる透明
な基板である。画素電極群領域は、図３に示したカレン
ト薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極（図示省
略）を基板６０上にマトリックス状に配置した領域であ
る。発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）
は、図４に示したように、画素電極群領域の周囲に配置
され、各画素電極に接続されている。表示画素部６１
は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩
形形状である。この表示画素部６１は、中央部分の実表
示領域（又は、有効表示領域ともいう）６２（図中二点
鎖線の枠内）と、実表示領域６２の外側に配置されたダ
ミー領域６３（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに
区画されている。

【００３２】また、実表示領域６２の図中両側には、走
査線駆動回路２４が配置されている。この走査線駆動回
路２４はダミー領域６３の下層側（基板６０側）に位置
して設けられている。更に、ダミー領域６３の下層側に
は、走査線駆動回路２４に接続される走査線駆動回路用
制御信号配線２４ａと走査線駆動回路用電源配線２４ｂ
とが設けられている。また更に、実表示領域６２の図中
上側には、前述の検査回路２５が配置されている。この
検査回路２５はダミー領域６３の下層側（基板側２）に
位置して設けられており、この検査回路２５により、製
造途中や出荷時の電気光学装置の品質、欠陥の検査を行
うことができる。

【００３３】図４に示すように、発光用電源配線２３
Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、ダミー領域６３の周囲に配設さ
れている。各発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ
は、基板６０の図２中下側から走査線駆動回路用制御信
号配線２４ａに沿って図４中上方に延在し、走査線駆動
回路用制御信号配線２４ａが途切れた位置から折曲して
ダミー領域６３の外側に沿って延在し、実表示領域６２
内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基
板６０には、陰極２６に接続される陰極用配線２６ａが
形成されている。この陰極用配線２６ａは、発光用電源
配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを囲むように平面視略コ字
状に形成されている。

【００３４】次に、図５に示すように、基板６０上には
回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部
６１が形成されている。また、基板６０には、表示画素
部６１を環状に囲む封止材１３が形成されており、更に
表示画素部６１上に封止基板１４が備えられている。封
止基板１４は、封止材１３を介して基板６０に接合され
ており、ガラス、金属、又は樹脂等からなるものであ
る。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付さ
れ、表示画素部６１と封止基板１４との間の空間に混入
した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸
着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封
止材１３は、例えば熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂から
なるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ
樹脂よりなることが好ましい。

【００３５】回路部１１の中央部分には、画素電極群領
域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａ
には、カレント薄膜トランジスタ５３と、カレント薄膜
トランジスタ５３に接続された画素電極５１が備えられ
ている。カレント薄膜トランジスタ５３は、基板６０上
に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８
３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成さ
れ、画素電極５１は、第１層間絶縁層２８４上に形成さ
れている。カレント薄膜トランジスタ５３に接続され、
第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方（ソー
ス電極）には、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，
２３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１には、前述
した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ
５２も形成されているが、図５ではこれらの図示を省略
している。更に、図５においては、信号線２２の図示を
省略している。

【００３６】次に、図５において、画素電極群領域１１
ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路２４が設けら
れている。図４に示した走査線駆動回路２４には、シフ
トレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル
型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ２４ｃが備えら
れ、この薄膜トランジスタ２４ｃは、画素電極５１に接
続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジ
スタ５３と同様の構造とされている。尚、図５において
は、検査回路２５の図示を省略しているが、この検査回
路２５にも同様に薄膜トランジスタが備えられている。
検査回路２５に備えられている薄膜トランジスタは、後
述するダミー画素電極５１′に接続されていない点を除
いてカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされ
ている。

【００３７】図５に示すように、走査線駆動回路２４の
図中外側の下地保護層２８１上には、走査線駆動回路用
制御信号配線２４ａが形成されている。また、走査線駆
動回路用制御信号配線２４ａの外側の第２層間絶縁層２
８３上には、走査線駆動回路用電源配線２４ｂが形成さ
れている。また、走査線駆動回路用電源配線２４ｂの外
側には、発光用電源配線２３が形成されている。この発
光用電源配線２３は、２つの配線からなる二重配線構造
を採用しており、前述したように表示画素部６１の外側
に配置されている。二重配線構造を採用することで配線
抵抗を軽減できる。

【００３８】例えば、図５中左側にある赤色用の発光用
電源配線２３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第
１配線２３Ｒ₁と、第２層間絶縁層２８３を介して第１
配線２３Ｒ₁上に形成された第２配線２３Ｒ₂とから構成
されている。第１配線２３Ｒ ₁及び第２配線２３Ｒ₂は、
図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコン
タクトホール２３Ｒ₃により接続されている。このよう
に、第１配線２３Ｒ₁は、陰極用配線２６ａと同じ階層
位置に形成されており、第１配線２３Ｒ₁と陰極用配線
２６ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されてい
る。また、図５に示す通り、陰極用配線２６ａはコンタ
クトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成され
た陰極用配線２６ｂと電気的に接続されおり、いわば陰
極用配線２６ａも二重配線構造になっている。よって、
第２配線２３Ｒ₂は、陰極用配線２６ｂと同じ階層位置
に形成されており、第１配線２３Ｒ₂と陰極用配線２６
ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。こ
のような構造をとることで、第１配線２３Ｒ₁と陰極用
配線２６ａとの間、及び、第２配線２３Ｒ₂と陰極用配
線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ₂が形成されてい
る。

【００３９】同様に、図５の右側にある青色及び緑色用
の発光用電源配線２３Ｇ，２３Ｂも二重配線構造を採用
しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第
１配線２３Ｇ₁，２３Ｂ₁と、第２層間絶縁層２８３上に
形成された第２配線２３Ｇ₂，２３Ｂ₂とから構成され、
第１配線２３Ｇ₁，２３Ｂ₁及び第２配線２３Ｇ₂，２３
Ｂ₂は、図４に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通
するコンタクトホール２３Ｇ₃，２３Ｂ₃により接続され
ている。そして、青色の第１配線２３Ｂ₁と陰極用配線
２６ａの間、及び、青色の第２配線２３Ｂ₂と陰極用配
線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ₂が形成されてい
る。

【００４０】第１配線２３Ｒ₁と第２配線２３Ｒ₂との間
隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。
間隔が０．６μｍ未満であると、信号線２２及び走査線
２１のような異なる電位を有するソースメタルとゲート
メタルとの間の寄生容量が増えるため好ましくない。例
えば、実表示領域６２内においては、ソースメタルとゲ
ートメタルとが交差する箇所が多く存在し、かかる箇所
の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞
がある。その結果として、定められた期間内に画像信号
を画素電極５１に書き込む事ができないため、コントラ
ストの低下を引き起こす。第１配線２３Ｒ₁及び第２配
線２３Ｒ₂に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、
例えばＳｉＯ₂等が好ましいが、１．０μｍ以上形成す
るとＳｉＯ₂の応力により基板６０が割れる恐れが生じ
る。

【００４１】また、各発光用電源配線２３Ｒの上側に
は、表示画素部６１から延出した陰極２６が形成されて
いる。これにより、各発光用電源配線２３Ｒの第２配線
２３Ｒ ₂が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極２６と
対向配置され、これにより第２配線２３Ｒ₂と陰極２６
との間に前述の第１の静電容量Ｃ₁が形成される。ここ
で、第２配線２３Ｒ₂と陰極２６との間隔は、例えば、
０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μ
ｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる
電位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量
が増える為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅
延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を
書き込む事ができない為、コントラストの低下を引き起
こす。第２配線２３Ｒ₂と陰極２６に挟まれる第１層間
絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ₂やアクリル樹脂
等が好ましい。しかしながら、ＳｉＯ₂を１．０μｍ以
上形成すると応力により基板６０が割れる恐れが生じ
る。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで
形成することができるが、水を含むと膨張する性質があ
るため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。

【００４２】このように、表示基板２０には、発光用電
源配線２３と陰極２６との間に第１の静電容量Ｃ₁が設
けられるので、発光用電源配線２３を流れる駆動電流の
電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ₁に蓄積された
電荷が発光用電源配線２３に供給され、駆動電流の電位
不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制するこ
とができ、発光装置１の画像表示を正常に保つことがで
きる。特に、発光用電源配線２３と陰極２６とが表示画
素部６１の外側で対向しているので、発光用電源配線２
３と陰極２６との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ₁
に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流
の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うこと
ができる。更に、発光用電源配線２３が第１配線及び第
２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用
配線との間に第２の静電容量Ｃ₂が設けられているの
で、第２の静電容量Ｃ₂に蓄積された電荷も発光用電源
配線２３に供給されるため、電位変動をより抑制するこ
とができ、発光装置１の画像表示をより正常に保つこと
ができる。

【００４３】次に、表示画素部６１の実画素領域６２に
は、発光層５０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成さ
れている。発光層５０は図５に示すように、画素電極５
１上の各々に積層されている。また、バンク部１２２
は、各画素電極５１及び各発光層５０の間に備えられて
おり、各発光層５０を区画している。バンク部１２２
は、基板６０側に位置する無機物バンク層１２２ａと基
板６０から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが
積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２
ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置して
もよい。

【００４４】無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２
ｂは、画素電極５１の周縁部上に乗上げるまで延出形成
されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バ
ンク層１２２ｂよりも画素電極５１の中央側に延出形成
されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例え
ば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｉＮ等の無機材料からなるこ
とが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚は、
５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍが
よい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２
ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入
／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくな
い。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層
１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる
ので好ましくない。

【００４５】更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成さ
れている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．
１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよ
い。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸
送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが
薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがある
ので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越える
と、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク
層１２２ｂ上に形成する陰極２６のステップカバレッジ
を確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バ
ンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極２６
と画素電極５１との絶縁を高めることができる点でより
好ましい。このようにして、発光層５０は、バンク部１
２２より薄く形成されている。

【００４６】また、バンク部１２２の周辺には、親液性
を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親
液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電
極５１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとす
るプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されて
いる。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２
２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ
処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。

【００４７】発光層５０は、画素電極５１上に積層され
た図示せぬ正孔注入／輸送層上に積層されている。尚、
本明細書では、発光層５０及び正孔注入／輸送層を含む
構成を機能層といい、画素電極５１、機能層、及び陰極
２６含む構成を発光素子という。正孔注入／輸送層は、
正孔を発光層５０に注入する機能を有するとともに、正
孔を正孔注入／輸送層内部において輸送する機能を有す
る。このような正孔注入／輸送層を画素電極５１と発光
層５０の間に設けることにより、発光層５０の発光効
率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層５０で
は、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極２６
からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層５０
は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発
光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光
層の３種類を有し、図３及び図４に示すように、各発光
層がストライプ配置されている。

【００４８】次に、図５に示したように、表示画素部６
１のダミー領域６３には、ダミー発光層２１０及びダミ
ーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２
１２は、基板６０側に位置するダミー無機物バンク層２
１２ａと基板６０から離れて位置するダミー有機物バン
ク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無
機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極５１′の全面
に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂ
は、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極５１の間
に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、ダ
ミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極５
１′上に形成されている。

【００４９】ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー
有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機
物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜
厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、
図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、
ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚
は、前述の正孔注入／輸送層及び発光層５０と同様であ
る。従って、上記の発光層５０と同様に、ダミー発光層
２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されてい
る。

【００５０】ダミー領域６３を実表示領域６２の周囲に
配置することにより、実表示領域６２の発光層５０の厚
さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することが
できる。即ち、ダミー領域６３を配置することで、表示
素子をインクジェット法によって形成する場合における
吐出した組成物インクの乾燥条件を実表示領域６２内で
一定にすることができ、実表示領域６２の周縁部で発光
層５０の厚さに偏りが生じる虞がない。

【００５１】次に、陰極２６は、実表示領域６２とダミ
ー領域６３の全面に形成されるとともにダミー領域６３
の外側にある基板６０上まで延出され、ダミー領域６３
の外側、即ち表示画素部６１の外側で発光用電源配線２
３と対向配置されている。また陰極２６の端部が、回路
部１１に形成された陰極用配線２６ａに接続されてい
る。陰極２６は、画素電極５１の対向電極として発光層
５０に電流を流す役割を果たす。この陰極２６は、例え
ば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極
層２６ｂと反射層２６ｃとが積層されて構成されてい
る。陰極２６のうち、反射層２６ｃのみが表示画素部６
１の外側まで延出されている。反射層２６ｃは、発光層
５０から発した光を基板６０側に反射させるもので、例
えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが
好ましい。更に、反射層２６ｃ上にＳｉＯ₂、ＳｉＮ等
からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。

【００５２】また、図４に示すように、基板６０の一端
には前述した異方性導電膜４０を用いて中継基板３０が
固着されている。尚、中継基板３０上に搭載された半導
体チップ３３には、図３に示したデータ側駆動回路３３
ａ、陰極用電源回路３３ｂ、及び発光用電源回路３３ｃ
が内蔵されている。図４中の破線で囲った部分は、表示
基板２０と中継基板３０との固着部を示している。図６
は、図４に示した固着部６５付近の上面図である。尚、
図６においては、異方性導電膜４０及び中継基板３０の
図示を省略している。

【００５３】図６に示したように、固着部６５において
は、線幅の細い配線各々に対して配線の幅と同程度の幅
を有する第１外部接続端子が設けられ、幅広の配線に対
しては線幅よりも幅の狭い複数の第２外部接続端子が設
けられる。例えば、線幅の細い走査線駆動回路用制御信
号配線２４ａの各々に対しては、走査線駆動回路用制御
信号配線２４ａの線幅と同程度の幅を有する第１外部接
続端子６７，６８，６９が設けられる。一方、幅が広い
発光用電源配線２３Ｒに対しては、発光用電源配線２３
Ｒの線幅よりも幅の狭い第２外部接続端子６６ａ，６６
ｂ，６６ｃが設けられる。また、走査線駆動回路用制御
信号配線２４ａよりも幅が狭い信号線２２に対しては、
信号線２２と同程度の線幅を有する第２外部接続端子７
０がそれぞれ設けられる。尚、第１外部接続端子及び第
２外部接続端子の数は、基板６０に形成される配線の線
幅に応じて適宜設定される。

【００５４】このように、基板６０に形成された配線の
線幅に応じて第１外部接続端子及び第２外部接続端子の
数を変えるのは、固着部６５の全面に亘って圧着条件を
極力同一にするためである。つまり、図１及び図２を用
いて説明したように、表示基板１０と中継基板２０とは
異方性導電膜４０により固着されるが、固着条件（例え
ば、端子の幅、接着面積、圧力の掛かり具合等）が異な
ると固着部６５内部における電気的抵抗がその位置に応
じて異なる。固着部６５における電気的抵抗が位置に応
じて異なると、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示
上の不具合を生ずる。このために、固着部６５におい
て、基板６０に形成された配線の線幅に応じて外部接続
端子の数を変えることにより圧着条件を極力同一にして
いる。更に、複数の外部接続端子を設けることにより、
接着面積を増大させることができる。即ち、複数の外部
接続端子間に異方性導電膜を配置することができるの
で、強固な接着が可能となる。

【００５５】次に、固着部６５に形成される外部接続端
子の構造について詳細に説明する。図７は、図６中のＢ
−Ｂ′線に沿う第２外部接続端子６６ｃ及び第２外部接
続端子７０の断面図であり、図８は、図７中の外部接続
端子７０の拡大図である。図７及び図８に示すように、
基板６０上には下地保護層２８１が形成されており、こ
の下地保護層２８１上にＳｉＯ₂及び／又はＳｉＮを主
体とするゲート絶縁層７１が形成されている。このゲー
ト絶縁層７１は、図示しない薄膜トランジスタのチャネ
ル領域とゲート電極とを電気的に絶縁するために形成さ
れるものである。尚、本明細書において、「主体」とす
る成分とは最も含有率の高い成分のことをいうものとす
る。

【００５６】ゲート絶縁層７１上には信号線２２及び発
光用電源配線２３Ｒが形成されており、更に信号線２２
及び発光用電源配線２３Ｒ上に第２層間絶縁層２８３が
形成されている。また、発光用電源配線２３、走査線駆
動回路用制御信号配線２４ａは、図３に記載の走査線２
１と同時に形成される。

【００５７】上記第２層間絶縁層２８３には、信号線２
２及び発光用電源配線２３Ｒの上部位置にコンタクトホ
ールＨが複数形成されている。また、発光用電源配線２
３Ｒの上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７３が形
成され、信号線２２の上方の第２層間絶縁層２８３上に
は電極７４，７５が形成されている。

【００５８】これらの電極７３，７４，７５は、コンタ
クトホールＨを形成した後でスパッタリング法等により
形成されるため、コンタクトホールＨの上部にはコンタ
クトホールＨ内に堆積した金属材料の分だけ表面に凹部
Ｂが形成される。このようにして、コンタクトホールＨ
を介して、第２層間絶縁層２８３に覆われた発光用電源
配線２３Ｒと第２層間絶縁層２８３上に形成された電極
７４との導通、及び、第２層間絶縁層２８３に覆われた
信号線２２と第２層間絶縁層２８３上に形成された電極
７４，７５の導通がとられる。

【００５９】また、第２層間絶縁層２８３上に形成され
た電極７３，７４，７５の端部、側部、及びこれらの電
極７３，７４，７５間には、電気的な絶縁を目的とした
ＳｉＮ等の無機材料からなる第１層間絶縁層２８４が形
成されている。電極７３，７４，７５の上部、側部、及
び周辺部には、ＩＴＯ等からなる透明電極７７が形成さ
れ、更に電極７３，７４，７５の周辺部に形成された透
明電極７７及び第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０間
にはＳｉＯ₂からなる保護層７８が形成されている。
尚、電極７３，７４，７５は、図３に記載されているゲ
ート線と同時に形成され、又、透明電極７７は、ＩＴＯ
により形成され、画素電極（陽極）と同時に形成され
る。

【００６０】図７及び図８に示すように、本実施形態の
電気光学装置に設けられる第２外部接続端子６６ｃ，７
０，７０の表面には複数の凹部Ｂが形成されされてお
り、この凹部Ｂにより、第２外部接続端子６６ｃ，７
０，７０をいわば複数の電極として分割した構成となっ
ている。図６に示したように、発光用電源配線２３Ｒ及
び信号線２２の線幅に応じて外部接続端子の数を変える
ことにより、固着部６５における固着条件の均一化を図
っているが、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表
面に複数の凹部Ｂが形成されているため、第２外部接続
端子６６ｃ，７０，７０は更に複数の電極に分割された
ものとなり、固着条件の均一化を図る上で極めて好適で
ある。

【００６１】また、電極７３，７４，７５の端部に第１
層間絶縁層２８４を形成することにより、第２外部接続
端子６６ｃ，７０，７０の端部に凸部７９が形成され
る。この凸部７９は、異方性導電膜４０を用いて表示基
板１０と中継基板２０とを固着する際に、異方性導電膜
４０に含まれる導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６
ｃ，７０，７０の側部にはみ出るのを防止するように作
用する。その結果、より多くの導電粒子４１ｂが第２外
部接続端子６６ｃ，７０，７０上に配置されることにな
るため、固着部６５における電気的抵抗を低減する極め
て優れた構造である。

【００６２】以上説明した本実施形態の表示基板２０
は、固着部６５において圧着条件を均一化するための構
成が設けられているため、固着部６５に固着される中継
基板３０に形成される外部接続端子３４は、図６に示す
発光用電源配線２３Ｒ及び走査線駆動回路用制御信号配
線２４ａ等と同様の線幅で形成されていても良い。しか
しながら、より均一な圧着条件下で中継基板３０と表示
基板２０とを固着するには、固着部６５に形成された第
２外部接続端子６６ｃ，７０，７０等と同様のパターン
であることが好適である。

【００６３】ところで、図５に示した第２層間絶縁層２
８３上に形成された各種配線と、実表示領域６２及びダ
ミー領域６３の上部（基板６０側に対する反対側）を覆
うように形成されている陰極２６との間の寄生容量を低
減して表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具
合を極力低減するために、第１層間絶縁層２８４の厚み
を厚くする傾向がある。

【００６４】図９は、第１層間絶縁層２８４の厚みが厚
く形成された第２外部接続端子７０，７０の拡大図であ
る。図９に示すように、電極７４，７５間の第１層間絶
縁層２８４の厚みが厚くなると、第１外部接続端子７
０，７０の端部に形成されている凸部７９の高さが、図
８に示した凸部７９の高さよりも高く形成される。尚、
図７及び図８においては、第１層間絶縁層２８４がＳｉ
Ｎから形成されていたが、図９では、第１層間絶縁層２
８４をＳｉＯ₂を用いて形成している。

【００６５】図９に示すように、第１層間絶縁層２８４
の厚みを増すことにより、電極７４，７５の端部に形成
される凸部７９の高さが高くなって、電極７４，７５と
透明電極７７との間の厚みが共に薄くなる。また、第２
層間絶縁層２８３及び電極７４，７５上に直接第１層間
絶縁層２８４を形成すると、電極７４，７５の端部に形
成された凸部７９は、電極７４，７５に対してのみなら
ず第１外部接続端子７０，７０間における第１層間絶縁
層２８４の表面に対しても突出した形状になって平坦性
が損なわれ、異方性導電膜４０を用いて中継基板３０を
固着するときに不具合が生ずる虞がある。

【００６６】かかる不具合を防止すべく、本実施形態で
は電極７４，７５により形成される凹凸を平坦化するた
めの平坦化膜を設けている。図１０は、第１層間絶縁層
２８４の厚みが厚く形成され、且つ電極７４，７５間に
平坦化膜が設けられた第１外部接続端子７０，７０の拡
大図である。この平坦化膜８０は第１層間絶縁層２８４
を形成する前に、電極７４及び電極７５等の電極が形成
された部位以外の部位に形成される。

【００６７】図１０を参照すると、平坦化膜８０を形成
した後で第１層間絶縁層２８４を形成することにより、
第１外部接続端子７０，７０間における第１層間絶縁層
２８４の表面と凸部７９との高低差（段差）が小さくな
ることが分かる。よって、異方性導電膜４０を用いて中
継基板３０を固着する際も不具合が生じない。

【００６８】以上、本発明の一実施形態による電気光学
装置について説明したが、以上説明した電気光学装置、
ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キー
ボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込
むことで、例えば図１１に示すノート型のパーソナルコ
ンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１１
は、本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電
子機器の一例を示す図である。尚、図９において６０１
は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３は
キーボードである。図１２は、他の電子機器としての携
帯電話機を示す斜視図である。図１２に示した携帯電話
機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７
０３、液晶表示装置７０４、及び操作釦部７０５等を備
えて構成されている。

【００６９】また、上記実施形態では、電子機器として
ノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明
したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメ
ディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページ
ャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電
子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用すること
が可能である。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１端子間、第２端子間、及び第１端子と第２端子との
間に平坦化膜が設けられ、この平坦化膜上、第１端子の
端部、及び第２端子の端部に絶縁膜を形成した構成であ
るため、絶縁層の厚みを厚くしたとしても第１端子の端
部及び第２端子の端部に形成される絶縁層の高さが、平
坦化膜上に形成される絶縁層の表面に対してさほど高く
ならずに平坦性を確保することができるという効果があ
る。その結果として、第１端子及び第２端子と接続され
る配線の接続不良を生ずることがないという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による電気光学装置を模
式的に示す分解斜視図である。

【図２】異方性導電膜４０により中継基板３０と表示
基板２０とが固着される様子を示す断面図である。

【図３】本発明の一実施形態による電気光学装置の配
線構造を模式的に示す図である。

【図４】本実施形態の電気光学装置の平面模式図であ
る。

【図５】図４のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。

【図６】図４に示した固着部６５付近の上面図であ
る。

【図７】図６中のＢ−Ｂ′線に沿う第２外部接続端子
６６ｃ及び第２外部接続端子７０の断面図である。

【図８】図７中の外部接続端子７０の拡大図である。

【図９】第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成され
た第２外部接続端子７０，７０の拡大図である。

【図１０】第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成さ
れ、且つ電極７４，７５間に平坦化膜が設けられた第１
外部接続端子７０，７０の拡大図である。

【図１１】本発明の一実施形態による電気光学装置を
備える電子機器の一例を示す図である。

【図１２】他の電子機器としての携帯電話機を示す斜
視図である。

【図１３】従来の電気光学装置の配線構造を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０……電気光学装置２２……信号線（第１配線）２３，２３Ｒ……発光用電源配線（第２配線、電源線）２４ａ……走査線駆動回路用制御信号配線（第１配線）３０……中継基板４０……異方性導電膜５０……発光素子５３……スイッチング素子６６ａ，６６ｂ，６６ｃ……電極（第２端子）６７，６８，６９，７０……電極（第１端子）２８４……第１層間絶縁層（絶縁層）７９……凸部８０……平坦化膜Ｂ……凹部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｅ３４４Ｈ０５Ｂ 33/06 Ｈ０５Ｂ 33/06 33/12 33/12 Ｂ 33/14 33/14 Ａ 33/22 33/22 ＺＨ０５Ｋ 1/14 Ｈ０５Ｋ 1/14 Ｃ 3/36 3/36 ＡＦターム(参考） 2H088 EA22 HA02 MA02 MA20 2H090 HA04 HD03 JA05 JB02 JC07 LA01 2H092 GA33 GA40 GA48 GA50 HA18 HA26 JA24 NA01 NA25 3K007 AB17 CC05 DB03 5C094 AA03 BA03 BA29 CA19 CA24 DA15 DB02 FA01 FA04 FB15 HA08 5E344 AA02 AA12 AA22 BB02 BB04 BB12 BB15 CC14 CC17 CD04 CD14 DD06 EE06 EE23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１配線と、当該第１配線より幅が広い
第２配線とが少なくとも形成された電気光学装置におい
て、前記第１配線に接続された外部接続用の第１端子と、前記第２配線に接続された外部接続用の複数の第２端子
と、前記第１端子間、前記第２端子間、及び前記第１端子と
前記第２端子との間に設けられた平坦化膜と、前記平坦化膜上、前記第１端子の端部、及び前記第２端
子の端部に形成された第２の絶縁層とを備えることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項２】前記第１端子及び前記第２端子の端部に
は、前記第２の絶縁層により凸部が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】前記第１端子及び前記第２端子に複数の
凹部が形成されていることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】前記第１配線と同程度の幅を有する第１
中継配線と、前記第２配線と同程度の幅を有する第２中
継配線とが形成され、前記第１端子を介して前記第１配線と前記第１中継配線
とが電気的に接続され、前記第２端子を介して前記第２
配線と前記第２中継配線とが電気的に接続された中継基
板を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何
れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】複数の発光素子と、信号線を介して供給
される信号に応じて電源線を介して供給される電流を前
記発光素子に供給するスイッチング素子とが形成された
電気光学装置において、前記信号線に接続されてなる外部接続用の第１端子と、前記信号線の幅より広く形成され、前記電源線に接続さ
れた外部接続用の複数の第２端子と、前記第１端子間、前記第２端子間、及び前記第１端子と
前記第２端子との間に設けられた平坦化膜と、前記平坦化膜上、前記第１端子の端部、及び前記第２端
子の端部に形成された絶縁層とを備えることを特徴とす
る電気光学装置。
【請求項６】前記第１端子及び前記第２端子の端部に
は、前記絶縁層により凸部が形成されていることを特徴
とする請求項５記載の電気光学装置。
【請求項７】前記第１端子及び前記第２端子に複数の
凹部が形成されていることを特徴とする請求項５又は請
求項６記載の電気光学装置。
【請求項８】前記信号線と同程度の幅を有する第１配
線と、前記電源線と同程度の幅を有する第２配線とが形
成され、前記第１端子を介して前記信号線と前記第１配線とが電
気的に接続され、前記第２端子を介して前記電源線と前
記第２配線とが電気的に接続された中継基板を有するこ
とを特徴とする請求項６又は請求項７記載の電気光学装
置。
【請求項９】前記第１、第２端子と前記第１、第２配
線とが、異方性導電膜により固着されていることを特徴
とする請求項８記載の電気光学装置。
【請求項１０】請求項１から請求項９の何れか一項に
記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機
器。