KR20060041975A - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents
발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060041975A KR20060041975A KR1020050012569A KR20050012569A KR20060041975A KR 20060041975 A KR20060041975 A KR 20060041975A KR 1020050012569 A KR1020050012569 A KR 1020050012569A KR 20050012569 A KR20050012569 A KR 20050012569A KR 20060041975 A KR20060041975 A KR 20060041975A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- partition wall
- electrode
- forming
- light emitting
- close contact
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 29
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 252
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims abstract description 51
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 34
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 10
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 8
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
- A47G25/00—Household implements used in connection with wearing apparel; Dress, hat or umbrella holders
- A47G25/14—Clothing hangers, e.g. suit hangers
- A47G25/40—Collapsible hangers
- A47G25/4015—Collapsible hangers comprising one-piece support arms at least one only pivotally-connected to a central hook member
- A47G25/4023—Collapsible hangers comprising one-piece support arms at least one only pivotally-connected to a central hook member collapsing downwardly away from the hook member
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
- A47G25/00—Household implements used in connection with wearing apparel; Dress, hat or umbrella holders
- A47G25/14—Clothing hangers, e.g. suit hangers
- A47G25/20—Clothing hangers, e.g. suit hangers with devices for preserving the shape of the clothes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Abstract
본 발명은 격벽부와 제 2 전극이 박리되지 않아 표시 불량이 발생하기 어려운 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 그러한 발광 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
화소 전극(19)의 주변부 이외의 격벽부(20)에 발액부(20BA)가 형성되지 않는 영역을 형성했다. 그리고, 그 격벽(20)의 발액부(20BA)가 형성되지 않는 영역 위에 직접 접하도록 음극(23)을 형성했다.
발광 장치, 화소 회로, 유기 EL 장치, 전자 기기
Description
도 1은 발광 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 2는 화소 회로의 회로도.
도 3은 화소 회로의 평면도.
도 4는 도 3에 나타낸 Z-Z'선의 단면도.
도 5의 (a), (b), (c), (d) 및 (e)는 각각 발광 장치의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 6의 (f), (g), (h) 및 (i)는 각각 발광 장치의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 7은 화소 형성 영역을 나타내는 평면도.
도 8은 발광 장치의 제 2 실시예를 나타내는 발광 장치의 평면도.
도 9는 도 8에 나타낸 A-A'선의 단면도.
도 10은 도 8에 나타낸 B-B'선의 단면도.
도 11의 (e), (g), (h) 및 (i)는 각각 제 2 실시예의 유기 EL 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 12의 (e), (f) 및 (g)는 제 3 실시예의 유기 EL 장치의 제조 방법을 설명 하기 위한 도면.
도 13은 전자 기기의 일례로서의 휴대 전화 표시부에 적용한 예를 나타내는 휴대 전화의 사시구성도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
20BB : 밀착부
20 : 격벽
20A : 제 1 격벽부
20B : 제 2 격벽부
20BA : 발액부(撥液部)
D1, D2 : 단차부(段差部)
D : 액상체
PR, M : 마스크로서의 포토레지스트
Tr1, Tr2 : 구동 회로로서의 박막트랜지스터
11 : 기판
1 : 발광 장치
2 : 화소 형성 영역
19 : 제 1 전극으로서의 화소 전극
22 : (유기)화합물층으로서의 발광층
23 : 제 2 전극으로서의 음극
60 : 전자 기기로서의 휴대 전화
본 발명은 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다.
최근, 소형화 및 박형화의 관점에서, 제 1 전극과, 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 발광층을 갖는 발광 장치가 주목받고 있다.
발광 장치에는 발광층을 구성하는 재료가 유기 재료로 구성된 유기 일렉트로루미네선스 장치가 있다. 유기 일렉트로루미네선스 장치에 사용되는 발광 소자는 유기 EL 소자, 유기 발광 다이오드 소자, 발광 폴리머 소자, OLED 소자라고 불리는 경우도 있다. 유기 일렉트로루미네선스 장치는 액상법(예를 들어 잉크젯법, 슬릿(slit) 코팅법, 디스펜싱(dispensing))법, 스크린 인쇄법 등)을 이용하여 제조할 수 있다. 즉, 화소 형성 영역에 대응하여 형성한 복수의 제 1 전극과, 각 제 1 전극을 구획하는 격벽을 갖고, 유기 재료를 소정의 용매에 용해시키거나, 또는 소정의 분산매에 분산시킨 액상체를 화소 형성 영역에 형성된 소정의 제 1 전극 위에 배치하고, 그 후 용매 또는 분산매를 제거하여 발광층을 포함하는 유기 화합물층을 형성한다. 그 후, 유기 화합물층 및 격벽을 덮도록 제 2 전극을 형성한다.
이 액상법에서는, 화소 전극에 직접 접하는 제 1 격벽부와 상기 제 1 격벽부 위에 형성되는 제 2 격벽부로 격벽을 구성한다. 그리고, 그 제 1 격벽부 및 제 1 전극을 친액화(親液化) 처리하는 동시에, 제 2 격벽부를 발액화(撥液化) 처리함으로써, 배치된 액체방울을 화소 전극에 밀착시키는 동시에, 인접하는 다른 제 1 전 극(화소 전극)에 배치된 액체방울과의 혼합을 회피하도록 하고 있다(예를 들어, 일본국 특개3328297호 공보).
그러나, 상기와 같은 구성을 이룬 발광 장치에서는, 상기한 바와 같이, 제 2 격벽부의 표면이 예를 들어 불소 원자를 포함하도록 발액화 처리되어 있기 때문에, 표면 에너지가 낮고 제 2 전극이 격벽에 밀착되지 않아, 박리되는 경우가 있다. 또한, 가령 제 2 전극이 격벽에 밀착되어도, 발광 동작을 행한 경우나 온도 등 환경이 변화된 경우, 제 2 전극에 응력이 부가되고, 그 결과, 제 2 전극이 격벽으로부터 박리되는 경우가 있다. 그 때문에, 발광 불량이 발생하게 된다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 그 목적은 격벽부와 제 2 전극이 박리되지 않아 시간 경과 열화(劣化)나 환경 등에 강하며 신뢰성이 높은 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 그러한 발광 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공함에 있다.
본 발명의 발광 장치는 기판 위에 격벽에 의해 복수의 화소 형성 영역이 구획 형성되고, 그 각 화소 형성 영역에 제 1 전극과, 상기 격벽 및 상기 화소 형성 영역을 덮도록 형성된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 적어도 발광층을 갖는 유기 화합물층이 형성되며, 상기 격벽은 상측벽(上側壁)과 횡측벽(橫側壁)을 갖고 있어, 상기 격벽의 상측벽 일부에 상기 격벽과 상기 제 2 전 극을 밀착시키는 밀착부를 형성했다. 밀착부는 제 2 격벽부의 상기 제 1 전극 주변부 이외의 영역에 형성되어 있고, 밀착부는 유기 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 격벽은 제 1 격벽부와 그 제 1 격벽부의 상측에 형성되는 제 2 격벽부로 이루어지며, 제 1 격벽부는 무기 재료로 구성되고, 제 2 격벽부는 유기 재료로 구성되어 있어, 밀착부는 제 2 격벽부의 일부에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 격벽의 상측벽 일부에 밀착부를 형성했다. 따라서, 유기 화합물층 및 격벽을 덮도록 제 2 전극이 형성되어 이루어지는 발광 장치에서는, 밀착부를 형성함으로써 제 2 전극과 격벽부가 박리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 격벽과 제 2 전극을 강하게 밀착시켰기 때문에, 발광 동작을 행한 경우나 온도 등 환경이 변화된 경우일지라도 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다. 또한, 밀착부는 유기 재료로 형성되어 있고, 격벽을 구성하는 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 격벽과 제 2 전극의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
이 발광 장치에 있어서, 격벽의 표면에 발액부가 형성되어 있고, 밀착부는 발액부의 일부를 제거한 부분인 것을 특징으로 한다. 또한, 격벽은 제 1 격벽부와 그 제 1 격벽부의 상측에 형성되는 제 2 격벽부로 이루어지며, 상기 제 2 격벽부의 표면에 발액부가 형성되어 있고, 상기 밀착부는 발액부의 일부를 제거한 부분일 수도 있다.
예를 들어 불소 원자를 포함하도록 격벽의 표면 전체에 발액부를 형성하면, 표면 에너지가 낮기 때문에 격벽의 발액부와 제 2 전극의 밀착력이 약하지만, 발액 부의 일부가 제거되어 있기 때문에 격벽과 제 2 전극의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 격벽과 제 2 전극의 계면(界面)에서의 박리를 방지할 수 있다.
이 발광 장치에 있어서, 복수의 화소 형성 영역에 따라 구동 회로가 설치되어 있으며, 상기 제 2 격벽부의 표면에 상기 구동 회로에 의한 단차(段差)를 갖고, 상기 밀착부는 상기 단차 위에 형성되어 있을 수도 있다. 본 발명에서의 구동 회로는 트랜지스터, 다이오드, 용량 등의 각종 기능 소자나, 주사선, 데이터선, 전원선 등의 배선, 배선과 기능 소자를 접속하는 컨택트 홀을 포함하고 있다. 구동 회로는 적어도 2층의 금속층을 포함하고, 복수의 금속층이 평면으로부터 보아 겹쳐 있는 영역을 갖고 있으며, 상기 밀착부는 상기 영역에 의한 단차 위에 설치되어 있을 수도 있다. 예를 들어 밀착부는 유지 용량, 주사선과 데이터선의 교차부, 또는 주사선과 전원선의 교차부에 따라 설치되어 있을 수도 있다.
이것에 의하면, 격벽의 상측벽에 형성되는 단차를 이용하여 밀착부를 형성할 수 있다.
이 발광 장치에 있어서, 상기 밀착부는 상기 격벽이 조면화(粗面化)된 부분인 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 조면화함으로써 격벽과 제 2 전극이 접하는 표면적을 넓게 할 수 있기 때문에, 격벽과 제 2 전극의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 제 2 전극의 박리를 방지할 수 있다. 격벽의 적어도 표면이 유기 재료로 구성되어 있는 것이라면, 산소 플라즈마 등 표면 처리에 의해 격벽에 조면화된 부분을 용이하게 형성할 수 있다.
이 발광 장치에 있어서, 상기 밀착부는 상기 격벽을 산화 처리 또는 질화 처리한 부분인 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 격벽의 적어도 일부를 산화 처리 또는 질화 처리함으로써 밀착부를 형성하면, 밀착부의 표면 에너지를 높게 할 수 있어 격벽과 제 2 전극의 친화성을 향상시킬 수 있기 때문에, 제 2 전극의 박리를 방지할 수 있다. 격벽을 아크릴 수지 또는 폴리이미드 수지로 구성하면, 아크릴 수지 또는 폴리이미드 수지는 산소 원자 또는 질소 원자를 포함하고 있기 때문에, 산화 처리 또는 질화 처리를 행함으로써 용이하게 밀착부를 형성할 수 있다.
또한, 제 1 밀봉층과 제 2 밀봉층으로 이루어지고 상기 제 2 전극을 덮도록 형성한 밀봉층을 구비하며, 제 1 밀봉층은 유기 수지로 이루어지고, 제 2 밀봉층은 산화규소 또는 산질화규소로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 밀착부를 포함하는 격벽과 제 1 밀봉층이 모두 유기 수지에 의해 형성되어 있기 때문에, 제 2 전극과 격벽 사이에 생기는 응력을 저감시킬 수 있다. 또한, 이것에 의해, 수분이나 산소가 발광 소자로 확산되는 것을 양호하게 방지할 수 있다. 특히, 격벽과 제 1 밀봉층을 동등한 막 응력의 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 격벽부와 제 2 밀봉층은 모두 산화규소를 주체로 하여 구성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 장치의 제조 방법은, 제 1 전극을 형성하는 공정과, 적어도 상기 제 1 전극의 일부가 겹치도록 상측벽과 횡측벽을 갖는 격벽을 형성하는 공정과, 상기 격벽의 상측벽의 적어도 일부에 밀착부를 형성하는 공정과, 상기 격벽에 의해 구획된 영역에 유기 화합물을 포함하는 액체 재료를 배치하는 공정과, 상기 격벽 및 상기 화소 형성 영역을 덮도록 상기 밀착부 위에 제 2 전극을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 유기 화합물층 및 격벽을 덮도록 제 2 전극이 형성되어 이루어지는 발광 장치에서는, 밀착부를 형성함으로써 제 2 전극과 격벽부가 박리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 격벽과 제 2 전극을 강하게 밀착시켰기 때문에, 발광 동작을 행한 경우나 온도 등 환경이 변화된 경우일지라도 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 공정은 상기 격벽의 상측벽의 적어도 일부가 유기 재료로 되도록 형성하는 공정이고, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽을 구성하는 상기 유기 재료로 형성하는 공정인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 격벽을 형성하는 공정은 적어도 상기 제 1 전극의 일부가 겹치도록 무기 재료를 사용하여 제 1 격벽부를 형성하는 공정과, 상기 제 1 격벽부의 상측에 유기 재료를 사용하여 제 2 격벽부를 형성하는 공정이고, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 제 2 격벽부를 구성하는 상기 유기 재료로 형성하는 공정일 수도 있다.
이것에 의하면, 격벽과 밀착부를 구성하는 재료는 유기 재료이기 때문에 응력을 발생시키지 않아, 격벽과 제 2 전극의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 공정은 격벽에 발액부를 형성하는 공정을 포함하고, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 발액부 의 일부를 제거하는 공정인 것을 특징으로 한다.
예를 들어 불소 원자를 포함하도록 격벽의 표면 전체에 발액부를 형성하면, 표면 에너지가 낮기 때문에 격벽의 발액부와 제 2 전극의 밀착력이 약하지만, 발액부의 일부가 제거되어 있기 때문에 표면 에너지가 높아져 격벽과 제 2 전극의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 격벽과 제 2 전극의 계면에서의 박리를 방지할 수 있다.
이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 구동 회로를 형성하여 제 1 단차를 형성하는 공정을 더 포함하며, 상기 격벽을 형성하는 공정은 상기 제 1 단차에 따른 제 2 단차를 격벽의 상측벽에 형성하는 공정이고, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 제 2 단차에 따라 격벽의 일부를 깎는 공정인 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 격벽의 상측벽에 형성되는 제 2 단차를 이용하여 밀착부를 형성할 수 있다. 본 발명에서의 구동 회로는 트랜지스터, 다이오드, 용량 등의 각종 기능 소자나, 주사선, 데이터선, 전원선 등의 배선, 배선과 기능 소자를 접속하는 컨택트 홀을 포함하고 있다. 구동 회로는 적어도 2층의 금속층을 포함하고, 복수의 금속층이 평면으로부터 보아 겹쳐 있는 영역을 갖고 있으며, 밀착부는 상기 복수의 금속층이 평면으로부터 보아 겹쳐 있는 영역에 형성된 제 2 단차에 의해 형성할 수도 있다. 예를 들어 밀착부는 유지 용량, 주사선과 데이터선의 교차부, 또는 주사선과 전원선의 교차부에 대응하여 설치되어 있을 수도 있다.
이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽의 상측벽을 조면화하는 공정인 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 조면화함으로써 격벽과 제 2 전극이 접하는 표면적을 넓게 할 수 있기 때문에, 격벽과 제 2 전극의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 제 2 전극의 박리를 방지할 수 있다. 격벽의 적어도 표면이 유기 재료로 구성되어 있는 것이라면, 산소 플라즈마 등 표면 처리에 의해 격벽에 조면화된 부분을 용이하게 형성할 수 있다.
이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽의 상측벽을 산화 또는 질화하는 공정인 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 격벽의 적어도 일부를 산화 처리 또는 질화 처리함으로써 밀착부를 형성하면, 밀착부의 표면 에너지를 높게 할 수 있어 격벽과 제 2 전극의 친화성을 향상시킬 수 있기 때문에, 제 2 전극의 박리를 방지할 수 있다. 격벽을 아크릴 수지 또는 폴리이미드 수지로 구성하면, 아크릴 수지 또는 폴리이미드 수지는 산소 원자 또는 질소 원자를 포함하고 있기 때문에, 산화 처리 또는 질화 처리를 행함으로써 용이하게 밀착부를 형성할 수 있다.
또한, 이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽의 상기 제 1 전극의 가장자리 영역을 마스크로 덮는 공정과, 상기 마스크를 통하여 밀착부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 상기 제 1 전극의 주변부 영역 이외의 영역에 제 2 전극을 밀착시키는 밀착부를 구비함으로써 제 2 전극이 박리되기 어려운 발광 장치를 제조할 수 있다. 또한, 마스크에 의해 제 2 격벽부의 상기 제 1 전극의 주변부 영역(주로 제 2 격벽부의 경사 영역)을 보호한 상태에서 밀착부를 형성함으로써, 상기 제 1 전극의 주변부 영역에 액체 재료가 부착되지 않고, 액체 재료를 원하는 영역( 제 1 전극 위의 화소 형성 영역)에 배치할 수 있기 때문에, 액체 재료를 효과적으로 사용할 수 있다.
이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 전극을 청정화 또는 활성화하는 공정을 더 포함하고, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 제 1 전극을 청정화 또는 활성화하는 공정과 동시에 행하여지는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽의 상기 제 1 전극의 가장자리 영역을 마스크로 덮는 동시에 상기 격벽의 상측벽의 적어도 일부와 상기 격벽에 의해 구획된 영역에 상기 마스크의 개구부를 형성하는 공정과, 상기 개구부를 갖는 상기 마스크를 통하여 상기 밀착부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 상기 밀착부를 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극을 청정화 또는 활성화하는 공정과, 상기 제 1 전극의 가장자리 영역을 보호하는 공정을 동시에 행하도록 함으로써 발광 장치의 제조 공정 수를 증가시키지 않고 밀착부를 형성할 수 있다.
또한, 이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하는 공정은 상기 제 1 전극을 금속 산화물로 형성하는 공정이고, 상기 제 1 전극을 청정화 또는 활성화하는 동시에 상기 밀착부를 형성하는 공정은 산화하는 공정인 것을 특징으로 한다. 제 1 전극을 인듐주석 산화물, 산화인듐·산화아연계 비정질과 같은 금속 산화물로 구성하고, 제 1 전극 및 격벽의 상측벽의 적어도 일부를 산화함으로써, 밀착부를 형성할 수 있는 동시에 제 1 전극을 청정화 또는 활성화할 수 있다.
또한, 이 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 격벽에 의해 구획된 영역에 유기 화합물을 포함하는 액체 재료를 배치하는 공정은 잉크젯법에 의해 유기 화합물을 포함하는 액체 재료의 액체방울을 배치하는 공정이고, 상기 밀착부를 형성하는 공정은 이하의 식 (1)을 충족시키는 영역에 상기 밀착부를 형성하는 공정인 것을 특징으로 한다.
R4≥R3≥(R1+R2) …(1)
여기서, R1은 액체방울의 반경(半徑), R2는 잉크젯 헤드로부터 배치했을 때의 배치 편차, R3은 격벽으로부터 밀착부까지의 거리, R4는 화소 형성 영역과 화소 형성 영역의 간격이다.
이렇게 함으로써, 액체방울이 배치되는 부위는 발액부 또는 화소 형성 영역으로 할 수 있기 때문에, 액체방울이 격벽을 통하여 인접하는 다른 화소 형성 영역에 유입되지 않아 소정의 화소 형성 영역 내에 배치할 수 있다.
본 발명의 전자 기기는 상기 기재된 발광 장치를 구비한다.
이것에 의하면, 제 2 전극이 박리되지 않아 표시 불량이 발생하기 어려운 발광 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 발광 장치를 유기 일렉트로루미네선스 장치에 적용한 각 실시예를 도면에 따라 설명한다.
<제 1 실시예>
<발광 장치>
도 1은 본 발명에 따른 발광 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 발광 장치(1)는 화소 영역(A), 주사선 구동 회로(100), 데이터선 구동 회로(200), 제어 회로(300), 및 전원 회로(700)를 구비한다. 이 중에서 화소 영역(A)에는 X방향과 평행하게 m개의 주사선(101)이 형성된다. 또한, X방향과 직교하는 Y방향과 평행하게 n개의 데이터선(103)이 형성된다. 그리고, 주사선(101)과 데이터선(103)의 각 교차에 대응하여 화소 회로(400)가 각각 설치되어 있다. 화소 회로(400)는 발광 소자(OLED)를 포함한다. 또한, 각 화소 회로(400)에는 전원 회로(700)에 의해 생성된 전원 전위(VEL)가 복수의 전원선(L)을 통하여 공급된다. 이 예의 전원선(L)은 데이터선(103)과 평행하게 설치되고, 그 한쪽 끝으로부터 전원 전위(VEL)가 공급된다.
주사선 구동 회로(100)는 복수의 주사선(101)을 차례로 선택하기 위한 주사 신호(Y1, Y2, Y3, …, Ym)를 생성한다. 주사 신호(Y1, Y2, Y3, …, Ym)는 Y 전송 개시 펄스(DY)를 Y 클록 신호(YCLK)에 동기하여 차례로 전송함으로써 생성된다. 주사 신호(Y1)는 일 수직 주사 기간(1F)의 최초 타이밍으로부터 일 수평 주사 기간(1H)에 상당하는 폭의 펄스로서, 1행째의 주사선(101)에 공급된다. 이후, 이 펄스를 차례로 시프트하여 2, 3, …, m행째의 주사선(101) 각각에 주사 신호(Y2, Y3, …, Ym)로서 공급한다. 일반적으로 i(i는 1≤i≤m를 충족시키는 정수)행째의 주사선(101)에 공급되는 주사 신호(Yi)가 H레벨로 되면, 상기 주사선(101)이 선택된 것을 나타낸다.
데이터선 구동 회로(200)는, 출력 계조 데이터(Dout)에 의거하여, 선택된 주사선(101)에 위치하는 화소 회로(400)의 각각에 대하여 계조 신호(X1, X2, X3, X4, …, Xn)를 공급한다. 이 예에 있어서, 계조 신호(X1∼Xn)는 계조 휘도를 지시하는 전류 신호로서 부여된다.
제어 회로(300)는 Y 클록 신호(YCLK), X 클록 신호(XCLK), X 전송 개시 펄스(DX), Y 전송 개시 펄스(DY) 등의 각종 제어 신호를 생성하여 이들을 주사선 구동 회로(100) 및 데이터선 구동 회로(200)에 출력한다. 또한, 제어 회로(300)는 외부로부터 공급되는 입력 계조 데이터(Din)에 감마 보정 등의 화상 처리를 실시하여 출력 계조 데이터(Dout)를 생성한다.
도 2에 화소 회로(400)의 회로도를 나타낸다. 화소 회로(400)는 유지 트랜지스터(Tr1), 구동 트랜지스터(Tr2), 유지 용량(CAP) 및 발광 소자(OLED)를 구비한다. 유지 트랜지스터(Tr1)의 게이트에는 주사선(101)으로부터 주사 신호(Y1, Y2, Y3, …, Ym)가 공급되고, 그 소스는 데이터선(102) 중 어느 하나와 접속되어, 계조 신호(X1, X2, X3, X4, …, Xn) 중 어느 하나가 공급된다. 유지 트랜지스터(Tr1)의 드레인과 구동 트랜지스터(Tr2)의 게이트와 유지 용량(CAP)의 한쪽 끝은 접속되어 있다. 또한, 유지 용량(CAP)의 다른쪽 끝은 전원선(L)에 접속하고 있지만, 고정 전위의 배선에 접속되어 있으면 된다. 유지 용량(CAP)에는 선택 기간에서 계조 신호가 기입되고, 다음 선택 기간까지 기입된 전압이 유지되어, 계조 신호에 따라 발광 소자(OLED)가 발광한다.
도 3은 화소 회로(400)의 평면도이고, 도 4는 도 3에 나타낸 Z-Z'선의 단면도이다. 구동 트랜지스터(Tr2)는 산화규소를 주체로 하는 하지보호층(12)을 통하여 기판(11)의 표면에 설치되어 있다. 하지보호층(12)의 상층에는 실리콘층(13)이 형성된다. 게이트 절연층(14)은 실리콘층(13)을 덮도록 하지보호층(12)의 상층에 설치된다. 게이트 절연층(14)의 상면 중 실리콘층에 대향하는 부분에 게이트 전극(15)이 설치된다. 이 게이트 전극(15)을 통하여 실리콘층(13)에는 V족 원소가 도핑되어, 드레인 영역(13B) 및 소스 영역(13C)이 형성된다. 여기서, V족 원소가 도핑되지 않은 영역이 채널 영역(13A)으로 된다. 제 1 층간절연층(16)은 게이트 전극(15)을 덮도록 게이트 절연층(14)의 상층에 형성된다. 또한, 드레인 전극(17)이 게이트 절연층(14) 및 제 1 층간절연층(16)에 걸쳐 개구되는 컨택트 홀(17C)을 통하여 드레인 영역(13B)과 접속된다. 한편, 소스 전극(17B)은 게이트 전극(15)을 사이에 두어 드레인 전극(17A)과 대향하는 위치에 설치되고, 게이트 절연층(14) 및 제 1 층간절연층(16)에 걸쳐 개구되는 컨택트 홀(17C)을 통하여 소스 영역(13C)과 접속된다. 제 2 층간절연층(18)이 드레인 전극(17A) 및 소스 전극(17B)을 덮도록 제 1 층간절연층(16)의 상층에 설치된다. 또한, 발광 소자의 양극으로서 기능하는 화소 전극(제 1 전극)(19)이 제 2 층간절연층(18)에서 개구되는 컨택트 홀(19C)을 통하여 소스 전극(17B)과 접속된다. 화소 전극(19)은 인듐주석 산화물(ITO), 산화인듐·산화아연계 비정질과 같은 금속 산화물로 구성되어 있다. 그리고, 화소 전극(19)에는 구동 트랜지스터(Tr2)로부터 공급되는 구동 전류의 전류 밀도에 따른 캐리어가 공급된다.
격벽(20)은 화소 전극(19)의 각각을 구획하여 화소 형성 영역(2)을 형성하고 있으며, 컨택트 홀(17C), 컨택트 홀(19C), 유지 트랜지스터(Tr1), 구동 트랜지스터(Tr2), 유지 용량(CAP), 주사선(101), 데이터선(102), 전원선(L)을 덮도록 형성되 어 있다.
격벽(20)은 화소 전극(19)에 인접하여 형성된 제 1 격벽부(20A)와 그 제 1 격벽부(20A) 위에 형성된 제 2 격벽부(20B)로 구성되어 있다. 제 1 격벽부(20A)는 예를 들어 산화규소, 산질화규소 등과 같은 무기 재료로 구성되어 있다. 제 2 격벽부(20B)는 예를 들어 폴리이미드 수지, 아크릴 수지와 같은 유기 재료로 구성되어 있다. 제 2 격벽부(20B)는 상측벽과 횡측벽을 갖고 있으며, 횡측부는 경사를 갖도록 형성되어 있다. 즉, 제 1 격벽부(20A) 측에서는 제 2 격벽부(20B)의 개구부 면적이 작고, 제 1 격벽부(20A)로부터 상방 측을 향함에 따라 제 2 격벽부(20B)의 개구부 면적이 커진다.
그리고, 격벽(20)은 그 제 2 격벽부(20B)로부터 제 1 격벽부(20A)를 화소 형성 영역(2)의 중앙 측에 평면적으로 밀어내듯이 노출시킨 구성을 이루고 있다. 따라서, 화소 형성 영역(2) 내에 있어서, 제 1 격벽부(20A)와 제 2 격벽부(20B)의 경계에서 제 1 격벽부(20A)의 평탄부가 형성되도록 제 2 격벽부(20B)가 형성되어 있다. 그 결과, 각 화소 형성 영역(2) 내에 있어서, 격벽(20)과 화소 전극(19)이 접하는 근방에서는 친액성이 지배적으로 되고, 격벽(20)의 상부에서는 발액성이 지배적으로 된다.
적어도 횡측부를 포함하는 제 2 격벽부(20B)의 표면에 발액부(20BA)가 형성되어 있다. 발액부는 예를 들어 불소 원자를 포함하고 있어 표면 에너지를 낮추도록 형성된다. 또한, 발액부는 화소 전극(19) 또는 제 1 격벽부(20A)에 비하여 발액성이 보다 높아지도록 형성된다.
또한, 컨택트 홀(17C), 컨택트 홀(19C), 유지 트랜지스터(Tr1), 구동 트랜지스터(Tr2), 유지 용량(CAP), 주사선(101), 데이터선(102), 전원선(L) 중 어느 하나가 형성된 영역의 상방에서의 제 2 격벽부(20B) 표면에 적어도 밀착부(20BB)가 형성되어 있다. 이 밀착부(20BB)에는 발액부(20BA)가 형성되어 있지 않다. 이 밀착부(20BB)는 예를 들어 산소 원자나 질소 원자를 포함하고 있어 표면 에너지를 높이도록 형성된다. 따라서, 밀착부(20BB)는 폴리이미드 수지, 아크릴 수지를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
발광 소자(OLED)는 격벽(20)에 의해 구획된 화소 형성 영역(2)에 형성된다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 각 정공 수송층(21)은 대응하는 화소 전극(19)에 정착하고 있다. 또한, 발광층(22)은 인접하는 화소 형성 영역(2) 내에 형성된 다른 발광층(22)과 혼합되지 않고 소정의 화소 형성 영역(2) 내에 형성되어 있다.
정공 수송층(21)은 예를 들어 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체와 같은 유기 재료로 구성되어 있다. 정공 수송층(21)은 대응하는 화소 전극(19)으로부터 공급되는 캐리어를 발광층(22)에 효율적으로 주입시키기 위한 층이다.
발광층(22)은 각각 유기 재료로 구성되어 있다. 상세하게는, 발광층(22)은 형광 또는 인광을 발광하는 것이 가능한 공지의 유기물 발광 재료로 구성되어 있다. 구체적으로는, (폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리디알킬플루오렌(PDAF), 폴리플루오렌벤조티아디아 졸(PFBT), 폴리알킬티오펜(PAT)이나, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적합하다.
또한, 이들 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소 등의 저분자계 재료나, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도핑하여 사용할 수도 있다.
음극(23)은 1층으로 이루어지는 금속층일 수도 있고, 2층 또는 3층으로 이루어지는 금속층일 수도 있다. 구체적으로는, 음극(23)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등의 단체(單體) 재료나, 마그네슘(Mg)-알루미늄(Al)(Mg:Al=10:1) 합금으로 구성되어 있다. 또한, 산화리튬(Li2O)/알루미늄(Al), 불화리튬(LiF)/알루미늄(Al), 불화마그네슘(MgF2)/알루미늄(Al)과 같은 적층막이 적합하다.
발광 소자(OLED)는 화소 전극(19), 정공 수송층(21), 발광층(22), 음극(23)으로 구성되다. 또한, 정공 주입층, 정공 블록층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 블록층 등을 포함하고 있을 수도 있다.
또한, 발광 소자(OLED)의 음극(23) 전면을 덮도록 밀봉층(24)이 형성된다. 밀봉층(24)은 유기 수지로 이루어지는 제 1 밀봉층과, 산화규소 또는 산질화규소 등의 무기 재료로 이루어지고 가스 배리어성을 갖는 동시에 제 1 밀봉층을 덮도록 형성된 제 2 밀봉층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
제 2 격벽부(20B)에 형성된 밀착부(20BB)가 직접 음극(23)과 접한다. 발액 부(20BA)는 표면 에너지가 높기 때문에, 이 음극(23)은 발액부(20BA)와의 밀착력이 약하지만, 밀착부(20BB)와 음극(23)은 밀착력이 강하게 밀착된다. 즉, 발액부(20BA)가 형성되지 않은 제 2 격벽부(20B)는 격벽(20)과 음극(14)을 강하게 밀착시키는 밀착부로서 기능하고, 격벽부(20)와 제 2 전극(23)이 박리되지 않아, 열화나 환경의 변화에 강하며 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
또한, 밀착부(20BB)는 제 2 격벽부(20B)의 상측벽을 조면화함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 조면화함으로써 제 2 격벽부(20B)와 음극(23)이 접하는 표면적을 넓게 할 수 있기 때문에, 격벽(20)과 음극(23)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
상기 실시예에 있어서, 발액부(20BA)를 형성하고, 발액부(20BA)의 일부를 제거하여 밀착부(20BB)를 형성했지만, 제 2 격벽부(20B)의 상측벽의 적어도 일부를 조면화하여 밀착부를 형성하고, 제 2 격벽부(20B)의 표면 전체에 발액부(20BA)를 형성할 수도 있다. 조면화함으로써 제 2 격벽부(20B)와 음극(23)이 접하는 표면적을 넓게 할 수 있기 때문에, 격벽(20)과 음극(23)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
<발광 장치의 제조 방법>
다음으로, 상기와 같은 구성을 이룬 발광 장치(1)의 제조 방법의 일례를 도 5 및 도 6에 따라 설명한다.
우선, 도 5의 (a)에 나타낸 기판(P)을 준비한다. 여기서, 발광 소자(OLED)에서는 후술하는 발광층(22)에 의한 발광광을 기판(11) 측으로부터 취출(取出)하는 구성(소위 「보텀 이미션」)으로 하는 것도 가능하고, 또한 기판(11)과 반대측으로부터 취출하는 구성(소위 「탑 이미션」)으로 하는 것도 가능하다. 발광광을 기판 (11) 측으로부터 취출하는 구성으로 할 경우, 기판 재료로서는 유리나 석영, 수지 등의 투명 내지 반투명의 것을 사용할 수 있으며, 특히 저렴한 유리를 적합한 것으로서 들 수 있다. 본 실시예에서는 기판(11)으로서 유리 등으로 이루어지는 투명 기판을 사용한다.
이 기판(11)에 대하여, 필요에 따라 TEOS(테트라에톡시실란)나 산소 가스 등을 원료로 하여 플라즈마 CVD법에 의해 두께 약 200∼500㎚의 산화규소막으로 이루어지는 하지보호층(12)을 형성한다.
그 후, 기판(11)의 온도를 약 350℃로 설정하여 기판 표면에 플라즈마 CVD법에 의해 두께 약 30∼70㎚의 비정질 실리콘막으로 이루어지는 실리콘층(13)을 형성한다. 그리고, 이 실리콘층(13)을 레이저 어닐링 또는 고상 성장법 등에 의한 결정화 공정에 사용함으로써 실리콘층(13)을 결정화하여 폴리실리콘막으로 한다.
이어서, 실리콘층(13) 및 기판(11)의 표면에 대하여, TEOS나 산소 가스 등을 원료로 하여 플라즈마 CVD법에 의해 두께 약 60∼150㎚의 실리콘 산화막 또는 질화막으로 이루어지는 게이트 절연층(14)을 형성한다.
또한, 실리콘층(13)은 도 2에 나타낸 구동 트랜지스터(Tr2)의 채널 영역 및 소스·드레인 영역으로 되는 것이지만, 다른 단면(斷面) 위치에서는 유지 트랜지스터(Tr1)의 채널 영역 및 소스·드레인 영역으로 되는 반도체막도 형성되어 있다. 즉, 유지 트랜지스터(Tr1)와 구동 트랜지스터(Tr2)가 동시에 제조되지만, 동일한 순서로 제조되기 때문에, 이하의 설명에서는 구동 트랜지스터(Tr2)에 대해서만 설명하고, 유지 트랜지스터(Tr1)에 대해서는 그 설명을 생략한다.
다음으로, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 알루미늄, 탄탈, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 등의 금속막, 내지 이들의 적층막으로 이루어지는 도전막을 스퍼터링법 등에 의해 형성한 후, 패터닝함으로써, 게이트 전극(15)을 형성한다. 또한, 게이트 전극(15)과 동시에, 주사선(101) 등의 배선을 동시에 형성한다.
이어서, 실리콘층(13)에 대하여 고농도의 인 이온을 주입함으로써, 게이트 전극(15)에 대하여 자기정합적으로 소스·드레인 영역(13B, 13C)을 형성한다. 이 때, 게이트 전극(15)에 의해 차폐되어 불순물이 도입되지 않은 부분이 채널 영역(13A)으로 된다.
다음으로, 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 그 후, 실리콘층(13) 및 기판(11)의 표면을 덮는 제 1 층간절연층(16)을 형성한다. 또한, 제 1 층간절연층(16)을 관통하는 컨택트 홀(17C)을 형성하고, 이들 컨택트 홀(17C) 내에 드레인 전극(17A) 및 소스 전극(17B)을 매립하도록 형성하여, 박막트랜지스터(TFT)를 얻는다. 여기서, 제 1 층간절연층(16) 위에서 소스 전극(17B)에 접속하도록 도시하지 않은 전원선(L)이나 데이터선(102) 등의 배선도 형성하여 둔다.
다음으로, 도 5의 (d)에 나타낸 바와 같이, 제 1 층간절연층(16) 및 각 배선의 상면을 덮도록 제 2 층간절연층(18)을 형성하고, 이 제 2 층간절연층(18)을 관통하여 소스 전극(17B)에 이르는 컨택트 홀(19C)을 설치한다. 그리고, 이 컨택트 홀(19C)에 매립하도록 하여 화소 전극(19)을 형성한다. 화소 전극(19)은 인듐주석 산화물(ITO), 산화인듐·산화아연계 비정질과 같은 투명 도전 재료로 구성되어 있다.
다음으로, 도 5의 (e)에 나타낸 바와 같이, 화소 전극(19)의 일부를 덮는 동시에 화소 형성 영역(2)을 둘러싸도록 격벽(20)을 형성한다. 이 격벽(20)은 기판(11) 위에서 발광 소자(OLED)의 구획 부재로서 기능한다. 격벽(20)은 화소 전극(19)에 인접하여 형성된 제 1 격벽부(20A)와 그 제 1 격벽부(20A) 위에 형성된 제 2 격벽부(20B)로 구성되어 있다.
TEOS(테트라에톡시실란)나 산소 가스 등을 원료로 하여 플라즈마 CVD법에 의해 두께 약 50∼300㎚의 산화규소막을 형성하고, 포토에칭에 의해 패터닝함으로써 제 1 격벽부(20A)를 형성한다. 제 2 격벽부(20B)는 예를 들어 폴리이미드 수지, 아크릴 수지와 같은 유기 재료에 의해 형성한다. 상세하게는, 화소 전극(19)의 주위에 올라타서 형성된 제 1 격벽부(20A)를 피하여 제 2 격벽부(20B)를 형성한다. 유기 재료에 감광성 재료를 혼입시키고, 공지의 포토리소그래피에 사용하는 포토레지스트와 동일하게 하여 형성함으로써 형성할 수 있다. 제 2 격벽부(20B)는 상측벽과 횡측벽을 갖고 있다. 유기 재료를 경화(硬化)시킬 때의 경화 온도를 조정함으로써, 횡측부의 경사를 30° 내지 60°로 할 수 있다. 제 2 격벽부(20B)의 막 두께는 예를 들어 1∼2㎛ 정도로 설정하는 것이 좋다. 그리고, 이러한 구성 하에서, 발광 소자(OLED)의 정공 주입층이나 발광층의 형성 장소, 즉, 이들 형성 재료가 도포되는 화소 전극(19) 위의 영역이 그 주위의 격벽(20B)과의 사이에 충분한 높이의 단차로 이루어지는 화소 형성 영역(2)이 형성된다.
불소를 포함하는 가스를 사용하여 플라즈마 처리 등의 표면 개질(改質)을 실시함으로써, 유기 재료로 이루어지는 제 2 격벽부(20B)의 표면을 불소화하여 발액 부(20BA)를 형성한다. 제 1 격벽부(20A)는 산화규소막으로 이루어지고 제 2 격벽부(20B)는 유기 재료로 이루어져 표면 개질의 감도(感度)가 다르기 때문에, 제 2 격벽부(20B)의 표면이 화소 전극(19) 또는 제 1 격벽부(20A)에 비하여 발액화된다. 이렇게 하여 발액부(20BA)를 형성한다. 또한, 제 2 격벽부(20B)를 불소화물을 첨가한 재료를 사용하여 형성하고 온도를 상승시켜 경화시킬 때에, 표면 에너지가 낮은 불소화물을 제 2 격벽부(20B)의 표면에 나타나도록 하여 제 2 격벽부(20B)의 표면에 발액부(20BA)를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 6의 (f)에 나타낸 바와 같이, 제 2 격벽부(20B)의 경사가 형성된 영역(A1)을 포함하는 영역에 공지의 포토레지스트(PR)를 형성한다. 한편, 제 2 격벽부(20B)의 상측벽 영역(A0)의 적어도 일부와 화소 형성 영역(2)에 따른 영역(A2)에는 포토레지스트(PR)가 형성되어 있지 않아, 영역(A0)의 발액부(20BA)의 일부 및 화소 형성 영역(2) 내의 화소 전극(19)이 노출된다.
그리고, 포토레지스트(PR)를 마스크로 하여, 포토레지스트(PR) 너머로 산소 플라즈마, UV 오존 등의 산화 처리를 실시한다. 그 결과, 제 2 격벽부(20B)의 상측벽 일부에 부착된 발액부(20BA)가 제거된다. 또한, 제 2 격벽부(20B)를 구성하는 유기 재료의 표면이 산화되도록 할 수도 있다. 이와 같이, 포토레지스트(PR)를 통하여 제 2 격벽부(20B)의 상측벽에 밀착부(20BB)가 형성된다. 그 후, 상기 포토레지스트(PR)를 제거하면, 도 6의 (g)에 나타낸 바와 같이 된다. 또한, 밀착부(20BB)를 형성하는 공정은 질화하는 공정일 수도 있다. 산화 처리 또는 질화 처리 를 행함으로써, 격벽의 표면 에너지를 크게 할 수 있다.
또한, 제 2 격벽부(20B)를 유기 재료로 구성하고, 제 2 격벽부(20B)의 상측벽에 대하여 산소 플라즈마, UV 오존 등의 산화 처리를 실시함으로써, 제 2 격벽부(20B)의 일부가 애싱(ashing)됨으로써 제 2 격벽부(20B)의 상측벽의 적어도 일부가 조면화된다. 이것에 대하여, 포토레지스트(PR)로 덮은 제 2 격벽부(20B) 또는 발액부(20BA)는 조면화되지 않는다.
또한, 이 때, 포토레지스트(PR)를 마스크로 하여, 포토레지스트(PR) 너머로 산소 플라즈마, UV 오존 등의 산화 처리를 실시함으로써, 화소 형성 영역(2) 내의 화소 전극(19) 표면을 세정 및 활성화한다. 화소 전극(19)을 구성하는 인듐주석 산화물(ITO)이나 산화인듐·산화아연계 비정질은 산소량이 저하되어 일함수가 저하될 우려가 있다. 이 화소 전극(19) 표면으로의 산소 플라즈마, UV 오존 등의 산화 처리에 의해, 인듐주석 산화물(ITO)이나 산화인듐·산화아연계 비정질이 산화되어 일함수가 커지고, 양극으로서의 정공을 발광층(22)에 주입하는 기능이 향상된다. 또한, 산화 처리에 의해 화소 전극(19)의 친액성도 향상되는 동시에, 화소 전극(19) 위에 부착된 유기물, 또는 제 2 격벽부(20B)를 패터닝했을 때의 잔류물 등을 제거할 수 있다.
이와 같이, 밀착부(20BB)의 형성과 동시에 화소 형성 영역(2) 내의 화소 전극(19) 표면의 세정 및 활성화를 행하기 때문에, 밀착부(20BB)의 형성 공정과, 화소 형성 영역(2) 내의 화소 전극(19) 표면의 세정 및 활성화 공정을 개별적으로 나누어 행할 필요가 없어, 제조 공정 수를 증가시키지 않고 밀착부(20BB)를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6의 (h)에 나타낸 바와 같이, 액체방울 토출법(잉크젯 방식)에 의해, 정공 수송층(21) 및 발광층(22)을 화소 전극 위의 각 화소 형성 영역(2)에 형성한다. 여기서, 액체방울 토출법에 의한 제조 방법은, 정공 수송층(21) 및 발광층(22)을 구성하는 유기 화합물 재료를 소정의 용매에 용해시키거나 또는 분산매에 분산시킨 액상체(D)를 잉크젯 헤드(H)로부터 토출시켜 각 화소 형성 영역(2) 위에 패터닝 도포하는 방법을 의미한다. 잉크젯 헤드(H)는 피에조 소자와 같은 압전 소자를 사용한 헤드를 사용함으로써, π전자 공역 도전성 고분자로 이루어지는 유기 화합물 재료를 열화시키지 않고, 도포할 수 있다. 또한, 각 화소 형성 영역(2) 내에서는, 그 화소 전극(19) 및 그 근방은 친액성이 지배적이기 때문에, 화소 전극(19) 위에 배치된 액상체(D)는 화소 전극(19) 위의 전면(全面)에 확장 습윤된다. 한편, 발액부(20BA)가 화소 형성 영역(2)을 둘러싸도록 형성되어 있기 때문에, 각 화소 형성 영역(2) 내의 액상체(D)는 격벽(20)을 통하여 인접하는 다른 화소 형성 영역(2)에 유입되지 않아 소정의 화소 형성 영역(2) 내에 배치된다.
정공 수송층(21)은, 화소 전극(19) 위의 각 화소 형성 영역(2)에 정공 수송층 재료를 용매에 용해시키거나 또는 분산매에 분산시킨 액상체(D)를 잉크젯 헤드(H)로부터 토출시켜 그 화소 전극(19) 위에 배치하고, 용매 또는 분산매를 제거함으로써 형성할 수 있다. 그 결과, 각 화소 전극(19) 위에 정공 수송층 재료로 구성되는 정공 수송층(21)이 정착된다. 정공 수송층 재료는 예를 들어 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체를 사용할 수 있다. 구체적으로 는, 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설폰산(PEDOT/PSS)의 분산액이다.
다음으로, 잉크젯 방식에 의해 발광층 재료를 용매에 용해시키거나 또는 분산매에 분산시킨 액상체(D)를 잉크젯 헤드(H)로부터 소정의 화소 형성 영역(2)에 토출시켜 정공 수송층(21) 위에 배치하고, 용매 또는 분산매를 제거함으로써 발광층(22)을 형성할 수 있다. 그 결과, 정공 수송층(21)에 발광층 재료로 구성되는 발광층(22)이 정착된다. 발광층(22)은 모든 화소 형성 영역(2)에 대하여 동일한 발광층 재료를 사용할 수도 있고, 적색 발광층 재료, 청색 발광층 재료, 녹색 발광층 재료 등의 복수의 발광층 재료를 사용하여 복수 종류의 발광층(22)을 각각의 화소 형성 영역(2)에 형성할 수도 있다.
발광층 재료는 형광 또는 인광을 발광하는 것이 가능한 공지의 유기물 발광 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, (폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리디알킬플루오렌(PDAF), 폴리플루오렌벤조티아디아졸(PFBT), 폴리알킬티오펜(PAT)이나, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적합하다. 또한, 이들 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소나, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도핑하여 사용할 수도 있다.
이어서, 도 6의 (i)에 나타낸 바와 같이, 격벽(20) 및 발광층(22) 상부 전면에 걸쳐 음극(23)으로서, 2㎚의 LiF층, 20㎚의 Ca층 및 200㎚의 Al층을 예를 들어 진공 가열 증착에 의해 적층 형성한다. 이 때, 제 2 격벽부(20B) 위에 형성된 밀착부(20BB) 위에 음극(23)이 직접 접하도록 형성된다. 그 결과, 음극(23)과 격벽(20)을 견고하게 밀착시켜 접합할 수 있다. 이렇게 함으로써, 화소 전극(19), 정공 수송층(21), 발광층(22), 음극(23)으로 이루어지는 발광 소자(OLED)를 형성할 수 있다. 또한, 발광 소자(OLED)는 정공 주입층, 정공 블록층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 블록층 등을 포함하고 있을 수도 있다. 또한, 음극(23)을 구성하는 재료를 산소 원자 또는 질소 원자로 하고, 밀착부(20BB)를 산화 또는 질화하는 구성으로 함으로써, 격벽(20)과 음극(23)의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 발광 소자(OLED)의 음극(23) 전면을 덮도록 밀봉층(24)이 형성된다. 밀봉층(24)은 유기 수지로 이루어지는 제 1 밀봉층과, 산화규소 또는 산질화규소 등의 무기 재료로 이루어지고 가스 배리어성을 갖는 동시에 제 1 밀봉층을 덮도록 형성된 제 2 밀봉층으로 이루어지는 것이 바람직하다. 제 1 밀봉층은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지를 유도체 또는 올리고머 또는 모노머로 이루어지는 액체 재료를 스크린 인쇄 또는 슬릿 코팅을 이용하여 도포하여 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 제 1 밀봉층의 막 두께는 예를 들어 1∼2㎛ 정도이며, 제 2 격벽부(20B)의 막 두께와 동등한 것이 바람직하다.
또한, 이온 도금법, 또는 ICP 플라즈마나 ECR 플라즈마 등의 고밀도 플라즈마를 이용한 스퍼터링법에 의해, 산화규소 또는 산질화규소 등의 무기 재료로 이루어지고 가스 배리어성을 갖는 제 2 밀봉층을 형성한다.
이러한 제 1 밀봉층을 형성함으로써, 격벽(20), 컨택트 홀(17C), 컨택트 홀 (19C), 유지 트랜지스터(Tr1), 구동 트랜지스터(Tr2), 유지 용량(CAP), 주사선(101), 데이터선(102), 전원선(L) 등에 의해 형성된 단차를 평탄화시킬 수 있다. 따라서, 제 2 밀봉층에 부가되는 응력을 저감시킬 수 있기 때문에, 보다 치밀하며 가스 배리어성이 높은 제 2 밀봉층을 형성할 수 있다.
여기서, 밀착부(20BB)를 포함하는 격벽(20)과 제 1 밀봉층이 모두 유기 수지에 의해 형성되어 있기 때문에, 음극(23)과 격벽(20) 사이에 생기는 응력을 저감시킬 수 있다. 특히, 격벽(20)과 제 1 밀봉층을 동등한 막 응력의 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 격벽부(20A)와 제 2 밀봉층은 모두 산화규소를 주체로 하여 구성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 제 2 격벽부(20B)에 형성된 밀착부(20BB)가 직접 음극(23)과 접한다. 이 음극(23)은 발액부(20BA)는 표면 에너지가 높기 때문에 밀착력은 약하지만, 밀착부(20BB)와 음극(23)은 밀착력이 강하게 밀착된다. 즉, 발액부(20BA)가 형성되지 않은 제 2 격벽부(20B)는 격벽(20)과 음극(14)을 강하게 밀착시키는 밀착부로서 기능하고, 격벽부(20)와 제 2 전극(23)이 박리되지 않아, 열화나 환경의 변화에 강하며 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
또한, 밀착부(20BB)는 제 2 격벽부(20B)의 상측벽을 조면화함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 조면화함으로써 제 2 격벽부(20B)와 음극(23)이 접하는 표면적을 넓게 할 수 있기 때문에, 격벽(20)과 음극(23)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 포토레지스트(PR)로 덮은 제 2 격벽부(20B) 또는 발액부(20BA), 즉, 화소 전극(19)의 주변부 영역으로서 경사 영역(A1)에 위치하는 제 2 격벽부(20B) 또는 발액부(20BA)의 횡측벽은 조면화되지 않기 때문에, 액상체(D)의 동적 접촉각이 열화되지 않아 액상체(D)가 이 경사 영역에 부착되지 않고 화소 형성 영역(2)에 도달하며, 유기 화합물층(정공 수송층(21) 또는 발광층(22))의 형성에 기여한다. 그 결과, 액상체(D)를 효과적으로 사용할 수 있다.
도 7은 화소 형성 영역(2)을 나타내는 평면도이다. 또한, 반경 R1인 액상체(D)와, 잉크젯 헤드로부터 토출하여 기판(11) 위에 배치했을 때의 배치 편차(FF)의 반경을 나타내는 R2와, 화소 형성 영역(2)으로부터 밀착부(20BB)까지의 거리 R3과, 화소 형성 영역과 화소 형성 영역의 간격 R4를 동시에 나타내고 있다. 제 2 격벽부(20B)의 상측벽 영역(A0)의 적어도 일부이며, 특히, 이하의 식 (1)을 충족시키는 영역에 밀착부(20BB)를 형성하는 것이 바람직하다.
R4≥R3≥(R1+R2) …(1)
이와 같이 함으로써, 액상체(D)가 배치되는 부위는 밀착부(20BB)가 아닌 발액부(20BA)로 할 수 있기 때문에, 액상체(D)가 격벽(20)을 통하여 인접하는 다른 화소 형성 영역(2)에 유입되지 않아 소정의 화소 형성 영역(2) 내에 배치할 수 있다. 또한, 그물 형상 영역(KK)의 적어도 일부에 밀착부(20BB)가 형성되어 있는 것이 좋다.
<제 2 실시예>
다음으로, 본 발명을 구체화한 제 2 실시예를 설명한다. 이 제 2 실시예의 발광 장치는 밀착부의 형상 및 그 제조 방법이 상기 제 1 실시예에 기재된 발광 장치와 상이한 것 이외는 모두 동일하다. 따라서, 동일한 구성 부재에 대해서는 부호를 동일하게 하여, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 8은 발광 장치의 제 2 실시예를 나타내는 발광 장치의 평면도이고, 도 9는 도 8에 나타낸 A-A'선의 단면도이며, 도 10은 도 8에 나타낸 B-B'선의 단면도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 그물 형상으로 나타낸 제 2 격벽부(20B)에서의 밀착부(20BB)가 유지 용량(CAP), 주사선(101)과 데이터선(102)의 교차부, 또는 주사선(101)과 전원선(L)의 교차부에 대응하여 설치되어 있다. 즉, 게이트 전극(15) 또는 게이트 전극(15)과 동일한 층으로 형성된 금속부(예를 들어 주사선(101), 유지 용량(CAP)의 한쪽 전극)와, 소스 전극(17A), 드레인 전극(17B), 또는 소스 전극(17A) 또는 드레인 전극(17B)과 동일한 층으로 형성된 금속부(예를 들어 데이터선(102), 전원선(L), 또는 유지 용량(CAP)의 다른쪽 전극)가 교차한 영역의 제 2 격벽부(20B) 표면에 밀착부(20BB)가 형성되어 있다. 밀착부(20BB)는 복수의 금속층이 평면으로부터 보아 겹쳐 있는 영역에 형성되어 있다.
다음으로, 상기와 같은 구성을 이룬 발광 장치(1)의 제조 방법의 일례를 도 11에 따라 설명한다. 도 8에 나타낸 B-B'선의 단면도에 대응하는 제조 방법으로서, 제 2 실시예에서의 도 11의 (e)는 제 1 실시예에서의 도 5의 (e)에 대응하고 있으며, 제 1 실시예와 공통되어 있기 때문에 그 설명을 생략한다. 유지 용량(CAP)의 단면에서의 단차 D1에 대응하여 제 2 격벽부(20B)의 표면에 단차 D2가 형 성되고, 제 2 격벽부(20B)의 표면에 주위에 비하여 게이트 전극(15) 또는 소스 전극(17A)의 막 두께만큼 튀어나온 영역(A3)이 형성되어 있다.
불소를 포함하는 가스를 사용하여 플라즈마 처리 등의 표면 개질을 실시함으로써, 유기 재료로 이루어지는 제 2 격벽부(20B)의 표면을 불소화하여 발액부(20BA)를 형성한다. 제 1 격벽부(20A)는 산화규소막으로 이루어지고 제 2 격벽부(20B)는 유기 재료로 이루어져 표면 개질의 감도가 다르기 때문에, 제 2 격벽부(20B)의 표면이 화소 전극(19) 또는 제 1 격벽부(20A)에 비하여 발액화된다. 이렇게 하여 발액부(20BA)를 형성한다. 또한, 제 2 격벽부(20B)를 불소화물을 첨가한 재료를 사용하여 형성하고 온도를 상승시켜 경화시킬 때에, 표면 에너지가 낮은 불소화물을 제 2 격벽부(20B)의 표면에 나타나도록 하여 제 2 격벽부(20B)의 표면에 발액부(20BA)를 형성할 수도 있다.
그리고, 제 2 격벽부(20B) 위에 형성된 발액부(20BA)를 서서히 연삭(硏削) 처리 또는 연마 처리를 실시하여 감으로써, 도 11의 (g)에 나타낸 바와 같이, 단차부(D) 위의 발액부(20BA)가 제거되어, 앞서 형성한 발액화하지 않은 제 2 격벽부(20B)를 노출시킨다. 발액화하지 않은 제 2 격벽부(20B)가 밀착부(20BB)로 된다. 또한, 주사선(101)과 데이터선(102)의 교차부, 또는 주사선(101)과 전원선(L)의 교차부에도 동일하게, 밀착부(20BB)가 형성된다.
이어서, 도 11의 (h)에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 실시예와 동일하게 하여 잉크젯법을 이용하여 정공 수송층(21) 및 발광층(22)을 형성한다. 그 후, 도 11의 (i)에 나타낸 바와 같이, 단차부(D) 위의 발액부(20BA)가 제거되어 밀착부(20BB)가 형성된 상태에서, 제 2 격벽부(20B) 및 발광층(22) 위의 전면에 걸쳐 음극(23) 및 밀봉층(24)을 차례로 적층하면서 형성한다.
이 때, 음극(23)이 제 2 격벽부(20B) 표면에 형성된 밀착부(20BB)에 직접 접하도록 형성된다. 이 밀착부(20BB)에는 발액부가 형성되어 있지 않기 때문에, 밀착부(20BB)와 음극(23)은 제 2 격벽부(20B)에 강하게 밀착된다. 발액부(20BA)는 표면 에너지가 낮기 때문에, 음극(23)은 발액부(20BA)에 대한 밀착력은 약하지만, 밀착부(20BB)와 음극(23)은 발액부가 없기 때문에 밀착력이 강하게 밀착된다. 즉, 발액부(20BA)가 형성되지 않은 제 2 격벽부(20B)는 격벽(20)과 음극(14)을 강하게 밀착시키는 밀착부로서 기능하고, 격벽부(20)와 제 2 전극(23)이 박리되지 않아, 열화나 환경의 변화에 강하며 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
포토레지스트(PR)를 사용하지 않고 밀착부(20BB)를 형성할 수 있는 동시에, 격벽(20)과 음극(14)을 견고하게 밀착시켜 접합할 수 있다.
<제 3 실시예>
다음으로, 본 발명을 구체화한 제 3 실시예를 도 12에 따라 설명한다. 이 제 3 실시예의 발광 장치는 밀착부의 형상 및 그 제조 방법이 상기 실시예에 기재된 발광 장치와 상이한 것 이외는 모두 동일하다. 따라서, 동일한 구성 부재에 대해서는 부호를 동일하게 하여, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 12는 각각 제 3 실시예의 유기 EL 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 12의 (e)에 나타낸 바와 같이, 제 1 격벽부(20A) 위에 제 2 격벽부(20B)를 형성한다. 다음으로, 도 12의 (f)에 나타낸 바와 같이, 적어도 제 2 격벽부(20B)의 경사가 형성된 영역(A1) 이외로서, 제 2 격벽부(20B) 위의 상측벽 정상(頂上) 영역(A0)의 적어도 일부 및 영역(A2)으로 나타낸 화소 형성 영역(2)에 공지의 포토레지스트(M)를 형성한다. 따라서, 제 2 격벽부(20B)의 횡측벽 및 상측벽의 일부가 노출된 상태로 된다.
다음으로, 포토레지스트(M)를 마스크로 하여, 불소를 포함하는 가스를 사용한 플라즈마 처리 등의 표면 개질을 실시함으로써, 유기 재료로 이루어지는 제 2 격벽부(20B) 및 포토레지스트(M)의 표면을 불소화하여 발액부(20BA)를 형성한다. 포토레지스트(M)의 표면에 형성된 발액부(20BA)와 함께 포토레지스트(M)를 제거한다. 이것에 의해, 도 12의 (g)에 나타낸 바와 같이, 제 2 격벽부(20B)의 횡측벽 및 상측벽의 일부에 발액부(20BA)가 형성된다. 한편, 포토레지스트(M)가 형성되어 있던 제 2 격벽부(20B) 위의 상측벽 및 화소 형성 영역에는 발액부(20BA)가 형성되지 않는다. 이 발액부(20BA)가 형성되지 않은 제 2 격벽부(20B)의 상측벽이 밀착부(20BB)로서 기능한다.
이어서, 상기 실시예와 동일하게 하여 잉크젯법을 이용하여 정공 수송층(21) 및 발광층(22)을 형성한다. 그 후, 제 2 격벽부(20B) 및 발광층(22) 위의 전면에 걸쳐 음극(23) 및 밀봉층(24)을 차례로 적층하면서 형성한다.
이 때, 제 2 격벽부(20B) 표면에 형성된 밀착부(20BB)에 음극(23)이 직접 접 하도록 형성된다. 밀착부(20BB)에는 발액부가 형성되어 있지 않기 때문에, 음극(23)은 밀착부(20BB)에 강하게 밀착되고, 격벽(20)과 음극(23)이 견고하게 밀착되어 접합되어, 격벽부(20)와 제 2 전극(23)이 박리되지 않아, 열화나 환경의 변화에 강하며 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
<제 4 실시예>
다음으로, 상기 실시예에서 설명한 유기 EL 장치(1)의 전자 기기의 적용에 대해서 도 13에 따라 설명한다.
도 13은 전자 기기의 일례로서의 휴대 전화 표시부에 적용한 예를 나타내는 휴대 전화의 사시구성도이다. 도 13에 있어서, 이 휴대 전화(60)는 발광 장치(1)를 사용한 표시 유닛(64)과 복수의 조작 버튼(61)을 구비하고 있다. 또한, 휴대 전화 이외의 전자 기기로서는, 퍼스널 컴퓨터, 휴대 정보 단말, 디지털 스틸 카메라, 텔레비전 모니터, 뷰파인더형, 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 카 네비게이션(car navigation) 장치, 소형 무선 호출기(pager), 전자수첩, 전자계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 그리고, 이들 각종 전자 기기의 표시부로서, 본 발명의 발광 장치를 적용할 수도 있다. 또한, 본 발명의 발광 장치를 노광 헤드에 적용한 화상 형성 장치에 적용할 수도 있다. 발광 장치(1)를 사용한 전자 기기는 발광 불량이 발생하기 어렵다.
또한, 특허청구범위에 기재된 액체 재료는, 상기 실시예에서는 액상체(D)에 대응하고 있다. 특허청구범위에 기재된 마스크는, 본 실시예에서는 포토레지스트 (PR) 또는 포토레지스트(M)에 대응하고 있다. 특허청구범위에 기재된 구동 회로는, 본 실시예에서는 컨택트 홀(17C), 컨택트 홀(19C), 유지 트랜지스터(Tr1), 구동 트랜지스터(Tr2), 유지 용량(CAP), 주사선(101), 데이터선(102), 전원선(L)에 대응하고 있다. 또한, 특허청구범위에 기재된 발광 장치는, 본 실시예에서는 발광 장치(1)에 대응하고 있다. 특허청구범위에 기재된 제 1 전극은, 본 실시예에서는 화소 전극(19)에 대응하고 있다. 특허청구범위에 기재된 유기 화합물층은, 본 실시예에서는 정공 수송층(21) 또는 발광층(22)에 대응하고 있다. 특허청구범위에 기재된 유기 화합물층 또는 발광층은, 본 실시예에서는 발광층(22)에 대응하고 있다. 특허청구범위에 기재된 제 2 전극은, 본 실시예에서는 음극(23)에 대응하고 있다.
또한, 발명의 실시예는 상기 실시예에 한정되지 않아, 이하와 같이 실시할 수도 있다.
·상기 각 실시예에서는 유기 화합물층을 잉크젯 방식에 의해 형성했지만, 이것에 한정되지 않아, 예를 들어 잉크젯법, 슬릿 코팅법, 디스펜싱법, 스크린 인쇄법 등을 이용할 수도 있고, 액상법에 의해 형성되는 것이면 어떠한 것에 적용하여도 상관없다.
·상기 각 실시예에서는 도 2의 화소 회로에 의해 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다.
·각 실시예에서는 유기 일렉트로루미네선스 소자를 적용한 발광 장치를 예시했지만, 그 이외의 발광 장치에도 본 발명은 적용된다. 예를 들면, 전계 방출 디스플레이(FED: Field Emission Display)나 표면 전도형 전자 방출 디스플레이(SED: Surface-conduction Electron-emitter Display), 탄도 전자 방출 디스플레이(BSD: Ballistic electron Surface emitting Display), 발광 다이오드를 사용한 표시 장치, 또는 광기입형 프린터나 전자복사기의 기입 헤드와 같은 각종 발광 장치에 대해서도 상기 각 실시예와 동일하게 본 발명이 적용될 수 있다.
상기 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 격벽부와 제 2 전극이 박리되지 않아 시간 경과 열화나 환경 등에 강하며 신뢰성이 높은 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 그러한 발광 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공할 수 있다.
Claims (15)
- 기판 위에 격벽에 의해 복수의 화소 형성 영역이 구획 형성되고,그 각 화소 형성 영역에 제 1 전극과, 상기 격벽 및 상기 화소 형성 영역을 덮도록 형성된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 적어도 발광층을 갖는 유기 화합물층이 형성되며,상기 격벽은 상측벽(上側壁)과 횡측벽(橫側壁)을 갖고 있고,상기 격벽의 상측벽의 적어도 일부에 상기 격벽과 상기 제 2 전극을 밀착시키는 밀착부를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽에 발액부(撥液部)가 형성되어 있고, 밀착부는 발액부의 일부를 제거한 부분인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 화소 형성 영역에 따라 구동 회로가 설치되어 있으며,상기 격벽부의 표면에 상기 구동 회로에 의한 단차(段差)를 갖고,상기 밀착부는 상기 단차 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 밀착부는 상기 격벽이 조면화(粗面化)된 부분인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 밀착부는 상기 격벽을 산화 처리 또는 질화 처리한 부분인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,제 1 밀봉층과 제 2 밀봉층으로 이루어지고 상기 제 2 전극을 덮도록 형성한 밀봉층을 구비하며,제 1 밀봉층은 유기 수지로 이루어지고, 제 2 밀봉층은 산화규소 또는 산질화규소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 전극을 형성하는 공정과,적어도 상기 제 1 전극의 일부가 겹치도록 상측벽과 횡측벽을 갖는 격벽을 형성하는 공정과,상기 격벽의 상측벽의 적어도 일부에 밀착부를 형성하는 공정과,상기 격벽에 의해 구획된 영역에 유기 화합물을 포함하는 액체 재료를 배치하는 공정과,상기 격벽 및 상기 화소 형성 영역을 덮도록 상기 밀착부 위에 제 2 전극을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 격벽을 형성하는 공정은 상기 격벽의 상측벽의 적어도 일부가 유기 재료로 되도록 형성하는 공정이고,상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽을 구성하는 상기 유기 재료로 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 격벽을 형성하는 공정은 격벽에 발액부를 형성하는 공정을 포함하고,상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 발액부의 일부를 제거하는 공정인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,구동 회로를 형성하여 제 1 단차를 형성하는 공정을 더 포함하며,상기 격벽을 형성하는 공정은 상기 제 1 단차에 따른 제 2 단차를 격벽의 상측벽에 형성하는 공정이고,상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 제 2 단차에 따라 격벽의 일부를 깎는 공정인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽의 상측벽을 조면화하는 공정인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 격벽의 상측벽을 산화 또는 질화하는 공정인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 밀착부를 형성하는 공정은,상기 격벽의 상기 제 1 전극의 가장자리 영역을 마스크로 덮는 공정과,상기 마스크를 통하여 밀착부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극을 청정화 또는 활성화하는 공정을 더 포함하고,상기 밀착부를 형성하는 공정은 상기 제 1 전극을 청정화 또는 활성화하는 공정과 동시에 행하여지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1 항에 기재된 발광 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004059304 | 2004-03-03 | ||
| JPJP-P-2004-00059304 | 2004-03-03 | ||
| JPJP-P-2004-00341587 | 2004-11-26 | ||
| JP2004341587A JP3994998B2 (ja) | 2004-03-03 | 2004-11-26 | 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060041975A true KR20060041975A (ko) | 2006-05-12 |
| KR100692459B1 KR100692459B1 (ko) | 2007-03-09 |
Family
ID=34921663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050012569A KR100692459B1 (ko) | 2004-03-03 | 2005-02-16 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7414361B2 (ko) |
| JP (1) | JP3994998B2 (ko) |
| KR (1) | KR100692459B1 (ko) |
| CN (1) | CN1665358B (ko) |
| TW (1) | TWI267048B (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150075346A (ko) * | 2013-12-24 | 2015-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20150124816A (ko) * | 2014-04-29 | 2015-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR20160067279A (ko) * | 2014-12-03 | 2016-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치 |
| KR20190066205A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR20190114961A (ko) * | 2018-03-30 | 2019-10-10 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치, 그 제조 방법 |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101078509B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
| WO2006041027A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | 機能基板 |
| JP4797543B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-10-19 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子 |
| US8080935B2 (en) * | 2005-09-29 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Organic EL display and method for manufacturing same |
| TWI517378B (zh) | 2005-10-17 | 2016-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US7576354B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
| KR100718152B1 (ko) * | 2006-02-11 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 유기발광다이오드 및 그 제조방법 |
| JP4750727B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-08-17 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置及びその製造方法 |
| WO2007113935A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP4788552B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、電子機器、発光装置の製造方法 |
| JP2008310974A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2009026671A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法 |
| US8154032B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-04-10 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical device, electronic apparatus, and method for producing electrooptical device |
| US8130177B2 (en) * | 2008-03-13 | 2012-03-06 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel and manufacturing method thereof |
| KR101588576B1 (ko) | 2008-07-10 | 2016-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| KR101570471B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| TWI607670B (zh) | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
| JP4803321B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2011-10-26 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
| JP5455010B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2014-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂成形体の製造方法、インクジェットヘッド、及び電子機器 |
| KR101613726B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2016-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
| TW201114317A (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-16 | Au Optronics Corp | Organic electro-luminescent device and packaging process thereof |
| TWI413040B (zh) * | 2009-12-10 | 2013-10-21 | Au Optronics Corp | 畫素陣列 |
| JP6083122B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2017-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US11141752B2 (en) | 2012-12-27 | 2021-10-12 | Kateeva, Inc. | Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy |
| CN105073434B (zh) | 2012-12-27 | 2017-12-26 | 科迪华公司 | 用于打印油墨体积控制以在精确公差内沉积流体的方法和系统 |
| JP6054763B2 (ja) | 2013-02-12 | 2016-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP6221418B2 (ja) | 2013-07-01 | 2017-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| KR20150012503A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN107825886B (zh) | 2013-12-12 | 2020-04-14 | 科迪华公司 | 制造电子设备的方法 |
| KR102265753B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6300231B2 (ja) | 2014-06-25 | 2018-03-28 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| KR20160053001A (ko) | 2014-10-30 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102648132B1 (ko) | 2016-12-26 | 2024-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| CN106953025B (zh) * | 2017-02-22 | 2018-10-12 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置的制造方法 |
| US11500260B2 (en) * | 2017-06-07 | 2022-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid drop control device, liquid drop control device, and display device |
| KR102500676B1 (ko) * | 2018-02-02 | 2023-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| CN109065585B (zh) * | 2018-08-06 | 2021-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、和显示装置 |
| CN109638041A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性有机发光显示装置及其制备方法 |
| CN109950296B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN113314564A (zh) * | 2020-02-27 | 2021-08-27 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| WO2021176498A1 (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 配線形成方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN1147906C (zh) * | 1996-12-16 | 2004-04-28 | 松下电器产业株式会社 | 气体放电屏及其制造方法 |
| CN100530758C (zh) | 1998-03-17 | 2009-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
| JP3951445B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ素子、表示装置、光学装置、有機ｅｌ素子の製造方法、表示装置の製造方法、および光学装置の製造方法 |
| JP2002062420A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Canon Inc | 光学素子とその製造方法、液晶素子 |
| JP2002184584A (ja) | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
| JP4058930B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2003186420A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| US6810919B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-11-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus |
| US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| US6794061B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-09-21 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device having an adhesion-promoting layer for use with a magnesium cathode |
| JP2003229260A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 色変換フィルタの製造方法 |
| JP2003243158A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法および製造装置、並びに有機ｅｌ装置、電子機器および液滴吐出装置 |
| JP2003282250A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Serubakku:Kk | 誘導結合型ｃｖｄを使用した有機ｅｌ用素子成膜装置および製造方法 |
| JP2004055177A (ja) | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法 |
| CN1176565C (zh) * | 2002-11-25 | 2004-11-17 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用 |
-
2004
- 2004-11-26 JP JP2004341587A patent/JP3994998B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-07 US US11/050,808 patent/US7414361B2/en active Active
- 2005-02-16 KR KR1020050012569A patent/KR100692459B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-23 CN CN2005100065543A patent/CN1665358B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-02 TW TW094106319A patent/TWI267048B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150075346A (ko) * | 2013-12-24 | 2015-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20150124816A (ko) * | 2014-04-29 | 2015-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR20160067279A (ko) * | 2014-12-03 | 2016-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치 |
| KR20190066205A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR20190114961A (ko) * | 2018-03-30 | 2019-10-10 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치, 그 제조 방법 |
| US11251398B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-02-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and display apparatus, fabricating method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1665358A (zh) | 2005-09-07 |
| JP3994998B2 (ja) | 2007-10-24 |
| JP2005285743A (ja) | 2005-10-13 |
| CN1665358B (zh) | 2010-09-15 |
| TWI267048B (en) | 2006-11-21 |
| US7414361B2 (en) | 2008-08-19 |
| KR100692459B1 (ko) | 2007-03-09 |
| TW200540769A (en) | 2005-12-16 |
| US20050200273A1 (en) | 2005-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100692459B1 (ko) | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
| JP6691190B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN110364549B (zh) | 显示设备 | |
| JP4519532B2 (ja) | 発光装置及び発光装置を用いた電子機器 | |
| KR101123092B1 (ko) | 표시장치 및 전자장치 | |
| JP4918752B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 | |
| US8183763B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| US20050270259A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| EP1794776A2 (en) | Display panel | |
| JP4755142B2 (ja) | 発光装置及び発光装置を用いた電子機器 | |
| JP2006310106A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| JP4617951B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| US8653569B2 (en) | Transistor, display device, electronic device, manufacturing method of transistor, and manufacturing method of display device | |
| JP2016195028A (ja) | 隔壁構造体、隔壁構造体の製造方法、電気光学装置、及び電子デバイス | |
| JP2005266682A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電子機器 | |
| JP2016194982A (ja) | 電子デバイス及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140204 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150224 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160219 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170221 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180220 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190219 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200219 Year of fee payment: 14 |