WO2007113935A1 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 Download PDF

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Definitions

  • Patent Document 1 JP-A-10-12377
  • Patent Document 4 International Publication No. 01Z074121 Pamphlet
  • the present invention has been made in view of the above situation, and provides an organic EL display device that suppresses the occurrence of leakage current in an organic EL layer, has low power consumption, and has excellent light emission characteristics, and a method for manufacturing the same. It is for the purpose.
  • the present invention is an organic electoluminescence display device in which a first electrode, an organic electroluminescence layer, and a second electrode are laminated in this order on a substrate, wherein the organic electoluminescence layer comprises: An organic-electrical luminescence display device having a trapezoidal conductive layer whose cross-sectional shape is widened and a light-emitting layer covering an upper surface and side surfaces of the conductive layer.
  • the organic EL display device of the present invention is formed by laminating a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode in this order on a substrate. That is, the organic EL display device of the present invention has a configuration in which an organic EL element including a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode is disposed on a substrate. Normally, the organic EL layer and the first electrode or the second electrode are individually arranged for each pixel, and current flows individually to each organic EL layer, whereby light emission is obtained from the light emitting layer and image display. Is done.
  • the organic EL display device of the present invention may be a bottom emission type or a top emission type.
  • the organic EL layer may be a polymer organic EL layer. Although a low molecular weight organic EL layer may be used, a high molecular weight organic EL layer is preferred in the present invention because it is suitable for formation by a wet method. In the case of a polymer organic layer, a laminated structure of an anode Z conductive layer Z light emitting layer and a cathode is preferably used.
  • the conductive layer has a trapezoidal shape with a cross-sectional shape diverging.
  • the shape of the trapezoid having a cross-sectional shape that widens at the end may be any shape as long as the width of the bottom surface in the cross section is larger than the width of the top surface. Therefore, the upper surface may not be parallel to the bottom surface, for example, may be hemispherical.
  • Such a divergent trapezoidal cross-sectional shape is obtained by applying a droplet-shaped conductive layer material by a wet method such as an ink jet method, and then drying and solidifying the material without excessively spreading it to form a conductive layer. Formed in case.
  • the profile of the light emitting layer on the conductive layer is controlled by forming the conductive layer in such a shape. That is, according to the conductive layer having a trapezoidal shape with a cross-sectional shape, the light emitting layer formed on the conductive layer can cover the upper surface and the side surface of the conductive layer, and a thin film is formed around the light emitting layer. Can be prevented. Thereby, in the organic EL layer in the present invention, the conductive layer having high conductivity can be sufficiently prevented from coming into contact with the second electrode, and the generation of leakage current can be suppressed.
  • a light emitting layer preferably having a bank around the organic EL layer is in contact with the bank wall surface.
  • the bank is not particularly limited as long as it is a structure that partitions individual organic EL layers.
  • the organic EL layer is formed by a wet method, it becomes possible to hold a fluid organic EL layer material in a region surrounded by the bank.
  • Each pixel can be formed with a certain planar shape.
  • the upper light-emitting layer had a thin film thickness at the periphery.
  • the cross-sectional shape of the conductive layer is made a trapezoidal shape by the method of controlling the lyophobic property of the bank surface, etc., so it is possible to increase the thickness of the peripheral portion of the light emitting layer Therefore, the leakage current in the organic EL layer can be effectively reduced.
  • the bank material include an insulating organic material such as polyimide.
  • the light emitting layer preferably has an H-shaped cross section.
  • the cross-sectional shape being H-shaped may be a shape in which both end portions protrude above and below the central portion in the cross section.
  • a bank is provided around the organic EL layer and the light emitting layer is formed by a wet method such as an ink jet method, the light emitting layer material is wet and spread along the bank.
  • H-shaped cross-sectional shape Since the light emitting layer has such a shape, the thickness of the peripheral portion is sufficiently thick. Therefore, a layer having a relatively low conductivity is disposed between the conductive layer and the cathode with a certain thickness or more. Therefore, the leakage current in the organic EL layer can be reduced more effectively.
  • the conductive layer around the bank can be formed thin and the light emitting layer can be formed thick, so that the leakage current in the organic EL layer can be reduced. Can do. Therefore, it is suitable for manufacturing the organic EL display device of the present invention described above.
  • the surface of the first electrode is subjected to a lyophilic process, and the bank surface is subjected to a lyophobic process.
  • the method of lyophilic treatment and lyophobic treatment is not particularly limited, and examples thereof include plasma treatment.
  • a conductive layer is formed on the first electrode by a wet method.
  • the surface of the first electrode is made lyophilic and the surface of the bank is made lyophobic by the above-described lyophilic process, so that the conductive layer material liquid is deposited on the surface of the first electrode.
  • the conductive layer material liquid tends to be repelled on the bank surface.
  • the conductive layer tends to be formed with a uniform film thickness on the surface of the first electrode, and the force that is thinly formed on the bank or not formed on the bank.
  • Examples of the wet method used to form the conductive layer include spin coating, ink jet, nozzle coating, slit coating, die coating, and other coating methods, offset printing, intaglio printing, and other printing methods, laser transfer, and the like. Among them, a combination of coating by an ink jet method and heat drying or natural drying is preferably used.
  • the bank lyophilic process weakens the liquid repellency of the bank surface.
  • a method for weakening the liquid repellency of the bank surface for example, rinsing with a solvent is preferably used.
  • the step of weakening the liquid repellency is preferably a step of treating the bank surface with a solvent.
  • the liquid repellency of the bank surface can be easily reduced.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can reduce the liquid repellency of the surface of the conductive layer, but it is preferable that the solvent does not dissolve the conductive layer.
  • the conductive layer force is SPEDOTZPSS force, for example, an aromatic solvent such as toluene, azole or xylene is preferably used.
  • the light emitting layer is formed on the conductive layer by a wet method.
  • the liquid repellency of the bank surface is weakened by the above-described bank lyophilic process.
  • the light emitting layer around the bank can be formed thick. Therefore, it is possible to form the light emitting layer with a film thickness necessary for suppressing the leakage current, entirely between the conductive layer under the light emitting layer and the second electrode on the light emitting layer.
  • An organic EL display device having an organic EL layer formed in this manner can effectively reduce the leakage current, and thus has excellent light emission characteristics with low power consumption.
  • a wet method used for forming the light emitting layer a method similar to the wet method used for forming the conductive layer can be used.
  • the conductive layer constituting the organic EL layer has a trapezoidal cross-sectional shape that widens toward the end, and the light emitting layer has a shape that covers the upper surface and side surfaces of the conductive layer, the conductive layer A light emitting layer with low conductivity can be interposed between the electrode and the electrode, and leakage current generation in the organic EL layer can be suppressed. This makes it possible to provide an organic EL display device that consumes less power and has excellent emission characteristics.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of Example 1.
  • the organic EL device of this example is an organic EL device comprising a conductive layer 3a and a light emitting layer 4a between an anode (first electrode) 1 and a cathode (second electrode) 2.
  • the EL layer 5a is sandwiched.
  • the conductive layer 3a has a trapezoidal cross-sectional shape that widens toward the end, and the film thickness at the center is 60 nm.
  • the light-emitting layer 4a has an H-shaped cross-sectional shape, covers the upper surface and side surfaces of the conductive layer 3a, and as shown in FIG.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the organic EL display device of Example 1. As shown in FIG. 2, the organic EL display device of this example has a structure in which a large number of organic EL elements having the cross-sectional configuration shown in FIG. The bank 6 is arranged around the organic EL layer 5 a so as to cover the outer edge of the anode 1.
  • step 1 is the oxygen plasma treatment
  • step 2 is the mixed plasma treatment of oxygen and CF.
  • a conductive layer forming coating solution having the following composition was prepared.
  • PEDOTZPSS (Product name: Baytron P CH8000, Starck Vitec)
  • a conductive layer forming coating liquid having the above composition was applied to the opening of the bank 6 after the plasma treatment by the ink jet method, followed by baking at 200 ° C for 60 minutes to form the conductive layer 3a. Formed. As shown in FIG. 1 (b), the obtained conductive layer 3a had a trapezoidal cross-sectional shape spreading toward the end, and the film thickness at the center was 60 nm.
  • the substrate on which the conductive layer 3a was formed was immersed in ethanol for 2 minutes, air-dried, and then baked at 200 ° C for 10 minutes.
  • the solvent rinsing treatment using this key sole the liquid repellency of the surface of the bank 6 was lowered, and the contact angle of the key sole on the surface of the bank 6 was lowered to 75 ° force by 75 °.
  • a light emitting layer forming coating solution having the following composition was prepared.
  • a polyfluorene compound represented by the following chemical formula (1) was used as the green light emitting polymer light emitting material.
  • R 1 and R 'bonded to the fluorene ring represent an alkyl chain
  • Ar, Ar represents a unit of an aryl compound
  • n is 0 or an integer of 1 or more.
  • the weight average molecular weight of the green light emitting polymer light emitting material was several hundred thousand.
  • the light emitting layer forming coating liquid having the above composition is applied to the opening of the bank 6 by the ink jet method, and then is applied in a nitrogen atmosphere.
  • the light emitting layer 4a was formed by baking at ° C for 60 minutes.
  • the obtained light emitting layer 4a had an H-shaped cross-sectional shape as shown in FIG. 1 (c), and the thickness of the thinnest central part was 80 nm.
  • the conductive layer 3a had a trapezoidal cross-sectional shape that spreads toward the end.
  • the light emitting layer 4a having a shape covering the entire area of the conductive layer 3a with a film thickness of 80 nm or more could be easily obtained.
  • the light emitting layer 4a having a thickness of 80 nm or more exists between the conductive layer 3a and the cathode 2, so that the leakage current can be reduced.
  • the formation of the light emitting layer 4a calcium and silver were vapor-deposited on the light emitting layer 4a and the bank 6 by a vacuum deposition method to form the cathode 2. Then, the formation area of the organic EL element on the substrate was sealed with a glass cap in a nitrogen atmosphere to complete the organic EL display device.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of Example 2.
  • the cross-sectional shape of the obtained conductive layer 3b is U-shaped with both ends slightly thick, and the light emitting layer 4b The cross-sectional shape is U-shaped with both ends thick.
  • Comparative Example 1 an organic EL display device was produced in the same manner as in Example 2 except that the bank lyophilic process was omitted.
  • the cross-sectional shape of the obtained conductive layer 3c is U-shaped with both ends slightly thicker.
  • the cross-sectional shape of the light-emitting layer 4c is U-shaped with both ends slightly thinned because the processing to reduce the liquid repellency of the bank 6 was not performed before the formation of the light-emitting layer 4c.
  • the light emitting layer 4c covers only the upper surface of the conductive layer 3c.
  • the conductive layer 3c had a thickness of 60 nm at the center.
  • the force covering the entire area on the conductive layer 3c was weak as shown in FIG. 3 (c).
  • a portion having a small interval is formed between the conductive layer 3c and the cathode 2, and thus a leak current is likely to be generated.
  • Example 2 For the organic EL display devices of Example 2 and Comparative Example 1, the current density when a voltage of 1.5 V was applied to the organic EL element and the light emission efficiency when light was emitted at a luminance of 300 cdZm 2 were measured. . The results are shown in Table 2 below.
  • the organic EL display devices of Examples 1 and 2 had a higher light emission efficiency and lower current density than the organic EL display device of Comparative Example 1. Therefore, the effect of reducing the leakage current according to the present invention could be confirmed.
  • the organic EL display devices of Examples 1 and 2 had the same results in the evaluation test in terms of light emission characteristics, but it was considered that the film thickness profile of the conductive layer fluctuated due to unintended changes in manufacturing conditions.
  • the conductive layer of Example 1 is more suitable for suppressing the film thickness shortage at both ends of the light emitting layer than the conductive layer of Example 2, and the thickness of the light emitting layer is reduced over the entire area of the conductive layer. Therefore, it can be said that there is a large margin that the film thickness can be maintained above the set thickness. That is, when considering mass production, it can be said that the film thickness profile of Example 1 is excellent in reducing the leakage current.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device of Example 1.
  • A shows the overall structure of the organic EL device,
  • (b) shows the film thickness profile of the conductive layer, and
  • (c) shows the film thickness profile of the light emitting layer.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the organic EL display device of Example 1.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device of Example 2.
  • (a) shows the overall structure of the organic EL element,
  • (b) shows the film thickness profile of the conductive layer, and
  • (c) shows the film thickness profile of the light emitting layer.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic EL element of Comparative Example 1.
  • (a) shows the overall structure of the organic EL element
  • (b) shows the film thickness profile of the conductive layer
  • (c) shows the film thickness profile of the light emitting layer.

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Abstract

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス層におけるリーク電流の発生を抑え、消費電力が少なく、発光特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板上に第一電極、有機エレクトロルミネッセンス層及び第二電極がこの順に積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、上記有機エレクトロルミネッセンス層は、断面形状が末広がりの台形状の導電層と、該導電層の上面及び側面を覆う発光層とを有する。

Description

明 細 書
有機エレクト口ルミネッセンス表示装置及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス（以下、有機 ELともいう。）表示装置及びそ の製造方法に関する。より詳しくは、インクジェット法等の湿式法により有機 EL層が形 成された有機 EL表示装置及びその製造方法に関するものである。
背景技術
[0002] 有機 EL表示装置は、コントラスト、視野角等の視認性及び応答性に優れ、低消費電 カイ匕、薄型軽量化、及び、ディスプレイ本体のフレキシブル化が可能であることから、 次世代のフラットパネルディスプレイ (FPD)として注目を集めている。現在は、液晶 ディスプレイ (LCD)やプラズマディスプレイパネル (PDP)に比べ、技術の完成度や 産業インフラの水準がまだ劣っているため、有機 EL表示装置の実用化は、カーォー ディォゃ一部のモパイル情報機器等への搭載に留まっているものの、理論的には最 も優れた FPDであることから、今後の市場拡大が期待されて 、る。
[0003] このような有機 EL表示装置は、画素毎に自発光型の有機 EL素子が配置された構成 を有する有機 ELパネルを駆動させることにより画像表示を行う。有機 EL素子は、少 なくとも一方が透光性を有する一対の電極間に、発光層を含む有機 EL層が狭持さ れた構造を有し、発光層に電圧を印加することで発光が生じる。有機 EL層には、通 常では、発光層のほか、発光効率を上げるために、正孔注入層等の発光層よりも導 電率の高 、層が層内に設けられる。
[0004] 有機 EL層としては、低分子系有機 EL層と高分子系有機 EL層とが知られている。低 分子系有機 EL層の場合には、真空下で蒸着により成膜する方法が一般的に用いら れるが、成膜ムラが生じやすいために、大型化が困難であった。一方、高分子系有 機 EL層の場合には、インクジェット法、ノズルコート法、印刷法等の湿式法が一般的 に用いられる。なかでも、近年インクジェット法により基板上に RGB画素をパターン形 成する方法が広く用いられるようになつてきた (例えば、特許文献 1〜3参照。 )0
[0005] しかしながら、湿式法で作製された有機 EL素子は、電圧を印加した際に発光に寄与 しないリーク電流が生じることがあり、発光特性に悪影響を及ぼすことがあった。
これに対し、発光層の製膜領域が正孔注入 Z輸送層の製膜領域と同じ力もしくはそ れ以上である有機 EL素子によって、リーク電流のない発光効率の高い優れた特性 の有機 EL素子が得られることが開示されている（例えば、特許文献 4参照。 )0しかし ながら、このように正孔注入 Z輸送層を完全に覆うような形で発光層を形成しても、リ ーク電流が発生することがあり、消費電力の低減及び発光特性の向上について改善 の余地があった。
特許文献 1 :特開平 10— 12377号公報
特許文献 2 :特開平 10— 153967号公報
特許文献 3：特開 2002— 334782号公報
特許文献 4:国際公開第 01Z074121号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、有機 EL層におけるリーク電流の 発生を抑え、消費電力が少なぐ発光特性に優れた有機 EL表示装置及びその製造 方法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明者らは、インクジェット法等の湿式法により有機 EL層を形成した場合に生じる リーク電流の発生を抑制することができる有機 EL表示装置にっ 、て種々検討したと ころ、有機 EL層を構成する導電層及び発光層の形状に着目した。そして、導電層及 び発光層が湿式法により形成される場合、従来では、流動性を有する導電層材料が 、周囲に形成されたバンク等と接触して這い上がることによって、導電層の周辺部の 膜厚が厚くなり、その影響で、導電層の上層に形成される発光層の周辺部の膜厚が 薄くなつていたことを見いだした。そこで、有機 EL層を、断面形状が末広がりの台形 状の導電層と、該導電層の上面及び側面を覆う発光層とを有するものとすることで、リ ーク電流の発生を抑制することができ、これにより、消費電力が少なぐ発光特性に 優れた有機 EL表示装置を提供することができることを見 、だし、上記課題をみごとに 解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。 [0008] すなわち、本発明は、基板上に第一電極、有機エレクト口ルミネッセンス層及び第二 電極がこの順に積層されてなる有機エレクト口ルミネッセンス表示装置であって、上記 有機エレクト口ルミネッセンス層は、断面形状が末広がりの台形状の導電層と、該導 電層の上面及び側面を覆う発光層とを有する有機エレクト口ルミネッセンス表示装置 である。
以下に本発明を詳述する。
[0009] 本発明の有機 EL表示装置は、基板上に第一電極、有機 EL層及び第二電極がこの 順に積層されてなる。すなわち、本発明の有機 EL表示装置では、基板上に第一電 極、有機 EL層及び第二電極により構成される有機 EL素子が配置された構成を有す る。通常では、有機 EL層、及び、第一電極又は第二電極が画素毎に個別に配置さ れ、各有機 EL層に個別に電流が流れることによって、発光層から発光が得られ、画 像表示が行われる。本発明の有機 EL表示装置は、ボトムェミッション型であってもよ く、トップェミッション型であってもよい。
[0010] 上記基板は、通常では、ガラス基板又は榭脂基板上に、各画素の有機 EL層に電流 を流すための第一電極及び Z又は第二電極に接続される配線、その電流量を制御 するための回路素子、配線が配置された層と第一電極が配置された層とを互 、に電 気的に分離するための絶縁膜等を備える。上記回路素子としては、例えば、薄膜トラ ンジスタ (TFT)等のアクティブ素子が好適に用いられる。また、上記第一電極及び 第二電極は、一方が陽極となり、かつ他方が陰極となる。上記第一電極及び第二電 極は、通常では、少なくとも一方が透光性を有し、発光層で生じた光を透過させる。 なお、本発明の有機 EL表示装置がボトムェミッション型である場合には、上記基板 及び第一電極に透光性の材料が用いられ、トップェミッション型である場合には、上 記第二電極に透光性の材料が用いられる。
[0011] 本発明において、上記有機 EL層は、断面形状が末広がりの台形状の導電層と、該 導電層の上面及び側面を覆う発光層とを有する。導電層は、発光層と比較して常温 ( 25°C)での導電率が高いものであれば特に限定されず、一般には、ノッファ層、正孔 輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等と呼ばれることもある。導電層は、 通常では、第一電極力 受け取った正孔 (ホール)又は電子を円滑に発光層に注入 する機能や、基板面の凹凸を吸収する機能を有する。一方、発光層では、陽極から 注入されたホールと陰極から注入された電子とが再結合して発光が生じることになる また、有機 EL層としては、高分子系有機 EL層であってもよぐ低分子系有機 EL層で あってもよいが、湿式法による形成に適していることから、本発明においては高分子 系有機 EL層が好適である。高分子系有機層の場合には、陽極 Z導電層 Z発光層 ,陰極の積層構成が好適に用いられる。
[0012] 本発明において、導電層は、断面形状が末広がりの台形状である。なお、本明細書 において、断面形状が末広がりの台形状であるとは、断面における底面の幅が上面 の幅よりも大きい形状であればよい。したがって、上面は、底面に対して平行でなくて もよぐ例えば、半球形であってもよい。このような末広がりの台形状の断面形状は、 インクジェット法等の湿式法により液滴状の導電層材料を塗布し、これを過度に濡れ 広がらせることなぐ乾燥固化させて導電層を形成したような場合に形成される。本発 明においては、導電層をこのような形状とすることで、導電層上の発光層のプロフアイ ル (膜厚分布)の制御を行っている。すなわち、断面形状が末広がりの台形状である 導電層によれば、導電層上に形成される発光層が導電層の上面及び側面を覆うこと ができ、発光層の周辺部に膜厚が薄い部分が形成されるのを防止することができる。 これにより、本発明における有機 EL層では、導電率の高い導電層が第二電極に接 触することを充分に防止することができ、リーク電流の発生を抑えることができる。
[0013] また、本発明によれば、導電層の断面形状を末広がりの台形状とすることにより、そ の上層に発光層を形成する際に、より確実に導電層の端部近傍に発光層を充分な 膜厚で形成することが可能となる。したがって、量産時における有機 EL素子の歩留り 向上にも寄与することができ、高い生産性が得られる。このような効果は、特に湿式 法により発光層を形成する場合に顕著である。
[0014] なお、発光層の膜厚を厚くすることによつても、導電層と第二電極との間隔を大きくし 、リーク電流の発生を抑制することは原理的には可能ではある力 一般に、発光層の 膜厚を厚くすると、有機 EL素子の寿命が長くなる反面、輝度が低下するというトレー ドオフの関係があるため、従来の有機 EL素子の構造では、リーク電流を充分に低減 することができるほどに発光層の膜厚を厚くした場合には、実際上必要とされる輝度 を得ることができないことが多力つた。これに対し、本発明によれば、リーク電流を充 分に低減しつつ、発光層の薄膜ィ匕を図ることが可能となるので、リーク電流の低減に よる発光効率の向上と、発光層の薄膜ィヒによる輝度向上とを両立することが可能であ る点にお 、ても優れて 、る。
[0015] 導電層の材料としては、例えば、ポリエチレンジォキシチォフェン及びポリスチレンス ルフォン酸の混合体 (PEDOTZPSS)等が挙げられる。発光層の材料としては、例 えば、下記化学式（1)で表されるポリフルオレンィ匕合物等が挙げられる。
[0016] [化 1]
Figure imgf000007_0001
[0017] 上記化学式（1)で表されるポリフルオレンィ匕合物は、アルキル鎖 R、 R'を有するフル オレン環と、 1以上のァリールイ匕合物のユニットとの共重合ィ匕合物である。上記化学 式（1)中、 R、 R'はアルキル鎖を表し、 Ar、 Ar，はァリール化合物のユニットを表し、 1 、 mは 1以上の整数であり、 nは 0又は 1以上の整数である。ァリールイ匕合物としては、 例えば、ジメチルベンゼン、ピリジン、ベンゼン、アントラセン、スピロビフルオレン、力 ルバゾール、ベンゾァミン、ビビリジン、ベンゾチアジアゾール等が挙げられる。なお、 上記ポリフルオレン化合物の重量平均分子量は数十万であることが好ましく、発光す る色は共重合させるユニット、及び、 1、 m、 nの比率によって異なる。
[0018] なお、上記有機 EL層は、中間層を有するものであってもよい。中間層は、陰極から 発光層を経て送られてくる電子が導電層に注入されるのを防止する機能を有するも のであれば特に限定されない。中間層を設けることにより、一般的に寿命が改善する 。中間層が設けられたときの有機 EL層の構成としては、陽極 Z導電層 Z中間層 Z 発光層 Z陰極の積層構成等が挙げられる。中間層の導電率は、発光層と同程度で あることが好ましい。中間層の材料としては、例えば、 Poly [ (9, 9-dioctylfluoren yl- 2, 7— diyl)— co— (1, 4— ethylenylbenzene) ]、 Poly[ (9, 9 - dihexvlf luo renyl— 2, 7— diyl)— co— (9, ethyl— 3, 6— carbazole) ]、 Poly[ (9, 9― dihex ylfluorenyl- 2, 7— diyl)—co— (2, 5— p— xylene) ]等が挙げられる。これらの 化合物はそれぞれキシレン等の非極性溶媒に溶解され、中間層形成の液状材料と される。また、中間層の膜厚は、発光層の膜厚の 1Z2以下であることが好ましい。
[0019] 本発明の有機 EL表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。
上記有機 EL表示装置は、有機 EL層の周囲にバンクを有することが好ましぐ発光層 がバンク壁面に接することがより好ましい。なお、本明細書において、バンクとは、個 々の有機 EL層を仕切る構造物であれば特に限定されない。このようなバンクを設け ることにより、湿式法により有機 EL層を形成する場合に、バンクにより囲まれた領域 内に流動性を有する有機 EL層材料を保持することが可能となり、有機 EL層を画素 毎に一定の平面形状で形成することが可能となる。一方で、従来では、有機 EL層の 周囲にバンクを設けると、有機 EL材料がバンクに沿って濡れ広がるため、導電層は 中央部の膜厚よりも周辺部の膜厚が厚い形状となり、その上層の発光層は周辺部の 膜厚が薄くなつていた。これに対し、本発明では、バンク表面の親撥液性を制御する 方法等により、導電層の断面形状を末広がりの台形状とするので、発光層の周辺部 の膜厚を厚くすることが可能であり、有機 EL層におけるリーク電流を効果的に低減 することができる。バンクの材料としては、例えば、ポリイミド等の絶縁性有機物が挙 げられる。
[0020] 上記発光層は、断面形状が H形であることが好ましい。なお、本明細書において、断 面形状が H形であるとは、断面において両端部が中央部よりも上下に突き出た形状 であればよい。有機 EL層の周囲にバンクを設け、インクジェット法等の湿式法により 発光層を形成した場合には、発光層材料がバンクに沿って濡れ広がるため、発光層 はバンク壁面に付着して形成され、 H形の断面形状となる。発光層がこのような形状 を有することにより、周辺部の膜厚が充分に厚くなつていることから、導電層と陰極と の間に比較的導電率の低い層を一定以上の膜厚で配置することができ、より効果的 に有機 EL層におけるリーク電流の低減を図ることができる。
[0021] 本発明はまた、基板上に、第一電極と、導電層及び発光層を有する有機エレクトロル ミネッセンス層と、第二電極とがこの順に積層され、かつ有機エレクト口ルミネッセンス 層の周囲にバンクを有する有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法であつ て、上記製造方法は、第一電極表面を親液処理し、バンク表面を撥液処理する工程 (親撥液処理工程)と、第一電極上に導電層を湿式法により形成する工程 (導電層形 成工程)と、バンク表面の撥液性を弱める工程 (バンク親液ィ匕工程)と、導電層上に発 光層を湿式法により形成する工程 (発光層形成工程)とをこの順に有する有機エレク トロルミネッセンス表示装置の製造方法でもある。このような本発明の有機 EL表示装 置の製造方法によれば、バンク周辺の導電層を薄く形成し、発光層を厚く形成するこ とができるので、有機 EL層におけるリーク電流を低減することができる。したがって、 上述の本発明の有機 EL表示装置を製造するのに好適である。
[0022] 上記親撥液処理工程は、第一電極表面を親液処理し、バンク表面を撥液処理するも のである。親液処理及び撥液処理の方法としては特に限定されず、例えば、プラズ マ処理等が挙げられる。
[0023] 上記導電層形成工程は、第一電極上に導電層を湿式法により形成するものである。
導電層の湿式法による形成の際には、上述の親撥液処理工程により第一電極表面 の親液化及びバンク表面の撥液化がなされているので、導電層材料液は、第一電極 表面になじむことになり、一方で、バンク表面においては、導電層材料液は弾かれる 傾向にある。その結果、導電層は、第一電極表面では均一な膜厚で形成される傾向 にあり、バンク上には薄く形成される力 又は、バンク上には形成されないこととなる。 導電層の形成に用いられる湿式法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法 、ノズルコート法、スリットコート法、ダイコート法等の塗布法、オフセット印刷法、凹版 印刷法等の印刷法、レーザー転写法等が挙げられ、なかでも、インクジェット法による 塗布と、加熱乾燥又は自然乾燥との組合せが好適に用いられる。
[0024] 上記バンク親液ィ匕工程は、バンク表面の撥液性を弱めるものである。バンク表面の撥 液性を弱める方法としては、例えば、溶媒によるリンス処理が好適に用いられる。すな わち、上記撥液性を弱める工程は、バンク表面を溶媒で処理する工程であることが好 ましい。バンク表面を溶媒で処理する方法によれば、容易にバンク表面の撥液性を 低下させることができる。溶媒としては、導電層表面の撥液性を低下させることができ るものであれば特に限定されないが、導電層を溶解しないものであることが好ましぐ 導電層力 SPEDOTZPSS力 なる場合、例えば、トルエン、ァ-ソール、キシレン等 の芳香族系溶媒等が好適に用いられる。
[0025] 上記発光層形成工程は、導電層上に発光層を湿式法により形成するものである。発 光層の湿式法による形成の際には、上述のバンク親液ィ匕工程によりバンク表面の撥 液性が弱められているので、発光層材料液は、導電層材料液に比べ、バンク表面に なじみ易い傾向にあり、バンク周辺の発光層を厚く形成することができる。したがって 、発光層下の導電層と発光層上の第二電極との間の全体に、発光層をリーク電流の 抑制に必要な膜厚で形成することが可能となる。このようにして形成された有機 EL層 を有する有機 EL表示装置は、リーク電流を効果的に低減できることから、消費電力 が少なぐ発光特性に優れている。発光層の形成に用いられる湿式法としては、導電 層の形成に用いられる湿式法と同様の方法を用いることができる。
発明の効果
[0026] 本発明によれば、有機 EL層を構成する導電層が末広がりの台形状の断面形状を有 し、かつ発光層が該導電層の上面及び側面を覆う形状を有することから、導電層と電 極との間の全体に導電率の低い発光層を介在させることができ、有機 EL層における リーク電流の発生を抑制することができる。これにより、消費電力が少なぐ発光特性 に優れた有機 EL表示装置を提供することが可能となる。
発明を実施するための最良の形態
[0027] 以下に実施例を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明する力 本 発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
[0028] (実施例 1)
図 1は、実施例 1の有機 EL素子の断面模式図である。図 1 (a)に示すように、本実施 例の有機 EL素子は、陽極 (第一電極） 1と陰極 (第二電極) 2との間に、導電層 3a及 び発光層 4aからなる有機 EL層 5aが挟持された構造を有する。導電層 3aは、図 l (b )にその塗膜プロファイル及び膜厚を示すように、末広がりの台形状の断面形状を有 し、中央部の膜厚が 60nmである。発光層 4aは、 H形の断面形状を有し、導電層 3a の上面及び側面を覆っており、図 1 (c)にその塗膜プロファイル及び膜厚を示すよう に、導電層 3a上の全域に 80nm以上の膜厚で形成されている。 [0029] 図 2は、実施例 1の有機 EL表示装置の平面模式図である。本実施例の有機 EL表示 装置は、図 2に示すように、図 1に示す断面構成を有する有機 EL素子がバンク 6によ り隔てられてマトリクス状に多数配置された構造を有する。バンク 6は、陽極 1の外縁 を覆うように有機 EL層 5aの周りに配置されて 、る。
[0030] 実施例 1の有機 EL表示装置は、以下のようにして作製した。
<親撥液処理工程 >
まず、インジウム酸ィ匕錫 (ITO)からなる陽極 1がマトリクス状に配列され、長軸 180 m、短軸 60 μ mの楕円形状の開口部を持つバンク 6が各陽極 1間に形成された基板 を準備した。そして、基板上のバンク 6の開口部内に有機 EL層 5aを形成する前処理 として、プラズマ処理装置 (TePla社製、商品名： Plasma System400)を用いたプ ラズマ処理を行った。具体的には、陽極 1表面及びバンク 6表面に対して、酸素ブラ ズマ処理、及び、酸素と CFとの混合プラズマ処理を連続的に行い、陽極 1表面に親
4
液性を付与し、バンク 6表面に撥液性を付与した。プラズマ処理を行った結果、陽極 1表面における水の接触角は 10° となり、プラズマ処理後のバンク 6表面におけるァ 二ノールの接触角は 75° となった。プラズマ処理の条件は、下記表 1の通りである。 表 1では、酸素プラズマ処理をステップ 1、酸素と CFとの混合プラズマ処理をステツ
4
プ 2と記載している。
[0031] [表 1]
Figure imgf000011_0001
[0032] <導電層形成工程 >
以下の組成からなる導電層形成用塗液を調製した。
PEDOTZPSS (スタルクヴィテック社製、商品名： Baytron P CH8000)
1重量部
水 3重量部
エタノール 4重量部
エチレングリコーノレ 2重量部 [0033] そして、プラズマ処理後のバンク 6の開口部に、上記組成の導電層形成用塗液をィ ンクジェット法により塗布した後、 200°C、 60分間の焼成を行い、導電層 3aを形成し た。得られた導電層 3aは、図 1 (b)に示すように、末広がりの台形状の断面形状を有 し、中央部の膜厚が 60nmであった。
[0034] <バンク親液ィ匕工程 >
導電層 3aを形成した基板をァ-ノールに 2分間漬浸し、風乾後、 200°C、 10分間の 焼成を行った。このァ-ソールを用いた溶媒リンス処理により、バンク 6表面の撥液性 は低下し、バンク 6表面におけるァ-ソールの接触角は 75° 力も 50° に低下した。
[0035] <発光層形成工程 >
以下の組成からなる発光層形成用塗液を調製した。なお、緑色発光高分子発光材 料には、下記化学式（1)で表されるポリフルオレンィ匕合物を用いた。
緑色発光高分子発光材料 1重量部
キシレン 60重量部
テトラリン 60重量部
[0036] [化 2] ( 1 )
Figure imgf000012_0001
[0037] 緑色発光高分子発光材料の場合、上記化学式（1)中、フルオレン環に結合された R 、 R'はアルキル鎖を表し、 Ar、 Ar，はァリール化合物のユニットを表し、 1、 mは 1以上 の整数であり、 nは 0又は 1以上の整数である。緑色発光高分子発光材料の重量平 均分子量は数十万であった。
[0038] そして、導電層 3aの形成及びバンク親液化処理が行われた後のバンク 6の開口部に 、上記組成の発光層形成用塗液をインクジェット法により塗布した後、窒素雰囲気下 で 200°C、 60分間の焼成を行い、発光層 4aを形成した。得られた発光層 4aは、図 1 (c)に示すように、 H形の断面形状を有し、最も薄い中央部の膜厚が 80nmであった 。本実施例では、導電層 3aが末広がりの台形状の断面形状を有していたことから、 導電層 3a上の全域を 80nm以上の膜厚で覆う形状の発光層 4aを容易に得ることが できた。これにより、導電層 3aと陰極 2との間に 80nm以上の膜厚の発光層 4aが存在 することになるので、リーク電流の低減が可能となる。
[0039] <陰極形成工程以降 >
発光層 4aの形成後、カルシウム及び銀を真空蒸着法により、発光層 4a及びバンク 6 上に蒸着させ、陰極 2を形成した。そして、基板上の有機 EL素子の形成領域を窒素 雰囲気下でガラスキャップを用いて封止し、有機 EL表示装置を完成させた。
[0040] (実施例 2)
実施例 2は、導電層形成工程において、導電層形成用塗液中のエチレングリコール を同量のェチルカルビトールに変更したこと以外は、実施例 1と同様にして有機 EL 表示装置を作製した。図 3は、実施例 2の有機 EL素子の断面模式図である。図 3 (a) に示すように、本実施例の有機 EL素子において、得られた導電層 3bの断面形状は 、両端が若干厚くなつた U字型の形状をしており、発光層 4bの断面形状は、両端が 厚くなつた U字型の形状をしている。本実施例では、発光層 4bの形成前にバンク 6の 撥液性を低下させる処理を行ったことから、導電層 3bよりも発光層 4bの方がバンク 6 に対する付着面積が大きくなつている。また、導電層 3bは、図 3 (b)に示すように、中 央部の膜厚が 60nmであった。発光層 4bは、導電層 3bの上面のみを覆い、図 3 (c) に示すように、最も薄い中央部の膜厚が 80nmであった。本実施例では、導電層 3b 上の全域を 80nm以上の膜厚で覆う形状の発光層 4bを容易に得ることができた。こ れにより、導電層 3bと陰極 2との間に 80nm以上の膜厚の発光層 4bが存在すること になるので、リーク電流の低減が可能となる。
[0041] (比較例 1)
比較例 1は、バンク親液ィ匕工程を省いた以外は、実施例 2と同様にして有機 EL表示 装置を作製した。図 4 (a)に示すように、得られた導電層 3cの断面形状は、両端が若 干厚くなつた U字型の形状をしている。一方、発光層 4cの断面形状は、発光層 4cの 形成前にバンク 6の撥液性を低下させる処理を行わな力つたことから、両端が若干薄 くなつた U字型の形状をしており、発光層 4cが導電層 3cの上面のみを覆っている。 導電層 3cは、図 3 (b)に示すように、中央部の膜厚が 60nmであった。一方、発光層 4cは、図 4 (a)に示すように、導電層 3c上の全域を覆っている力 図 3 (c)に示すよう に、最も薄い両端部の膜厚が 80nm以下と薄力つた。このように発光層 4cに膜厚が 薄い部分が存在すると、導電層 3cと陰極 2との間に間隔の小さい箇所が生じるので、 リーク電流が発生しやすい。
[0042] (評価試験）
実施例 2及び比較例 1の有機 EL表示装置について、有機 EL素子に 1. 5Vの電 圧を印加したときの電流密度、及び、 300cdZm2の輝度で発光させたときの発光効 率を測定した。下記表 2に結果を示す。
[0043] [表 2]
Figure imgf000014_0001
[0044] 上記表 2から明らかなように、実施例 1及び 2の有機 EL表示装置は、比較例 1の有機 EL表示装置よりも電流密度が小さぐ発光効率が高力つた。したがって、本発明によ るリーク電流の低減効果を確認することができた。また、実施例 1及び 2の有機 EL表 示装置は、評価試験の結果力 は発光特性的に同等であつたが、製造条件の意図 しない変動により導電層の膜厚プロファイルが変動することを考慮すると、実施例 1の 導電層の方が実施例 2の導電層よりも発光層の両端部の膜厚不足を抑制するのに 適した形態であり、発光層の膜厚を導電層上の全域で設定膜厚以上に維持すること ができる余裕度が大きいと言える。すなわち量産を考慮した場合には、実施例 1の膜 厚プロファイルの方力 リーク電流を低減するうえで優れていると言える。
[0045] なお、本願は、 2006年 4月 5日に出願された日本国特許出願 2006— 104281号を 基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するもの である。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
[0046] また、本願明細書における「以上」及び「以下」は、当該数値 (境界値)を含む。
図面の簡単な説明 [0047] [図 1]実施例 1の有機 EL素子の断面模式図である。（a)は有機 EL素子の全体構造 を示し、（b)は導電層の膜厚プロファイルを示し、（c)は発光層の膜厚プロファイルを 示す。
[図 2]実施例 1の有機 EL表示装置の平面模式図である。
[図 3]実施例 2の有機 EL素子の断面模式図である。 (a)は有機 EL素子の全体構造 を示し、（b)は導電層の膜厚プロファイルを示し、（c)は発光層の膜厚プロファイルを 示す。
[図 4]比較例 1の有機 EL素子の断面模式図である。 (a)は有機 EL素子の全体構造 を示し、（b)は導電層の膜厚プロファイルを示し、（c)は発光層の膜厚プロファイルを 示す。
符号の説明
[0048] 1 :陽極
2 :陰極
3a、 3b、 3c :導電層
4a、 4b、 4c :発光層
5a、 5b、 5c :有機 EUi
6 :ノ ンク

Claims

請求の範囲
[1] 基板上に第一電極、有機エレクト口ルミネッセンス層及び第二電極カこの順に積層さ れてなる有機エレクト口ルミネッセンス表示装置であって、
該有機エレクト口ルミネッセンス層は、断面形状が末広がりの台形状の導電層と、該 導電層の上面及び側面を覆う発光層とを有する
ことを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[2] 前記有機エレクト口ルミネッセンス表示装置は、有機エレクト口ルミネッセンス層の周 囲にバンクを有することを特徴とする請求項 1記載の有機エレクト口ルミネッセンス表 示装置。
[3] 前記発光層は、断面形状が H形であることを特徴とする請求項 1記載の有機エレ外 口ルミネッセンス表示装置。
[4] 基板上に、第一電極と、導電層及び発光層を有する有機エレクト口ルミネッセンス層 と、第二電極とがこの順に積層され、かつ有機エレクト口ルミネッセンス層の周囲にバ ンクを有する有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法であって、 該製造方法は、第一電極表面を親液処理し、バンク表面を撥液処理する工程と、 第一電極上に導電層を湿式法により形成する工程と、
バンク表面の撥液性を弱める工程と、
導電層上に発光層を湿式法により形成する工程とをこの順に有する
ことを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法。
[5] 前記撥液性を弱める工程は、バンク表面を溶媒で処理する工程であることを特徴と する請求項 4記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158585A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2009253134A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルならびに電子機器
JP2010118509A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Panasonic Corp 発光素子
JP2010147180A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20110018433A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-27 Sumitomo Chemcial Company, Limited Method of producing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and display device
WO2014136150A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置
WO2017149985A1 (ja) * 2016-03-04 2017-09-08 ソニー株式会社 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101661366B1 (ko) * 2010-07-05 2016-09-29 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 표시 패널과 그 제조 방법
JP7102131B2 (ja) * 2017-12-01 2022-07-19 キヤノン株式会社 トップエミッション型の有機ｅｌ素子およびその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026237A (ja) * 2002-01-11 2005-01-27 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器
JP2005093421A (ja) * 2003-08-08 2005-04-07 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2005203215A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sharp Corp 有機ｅｌ素子

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO1999048339A1 (fr) 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
KR100436303B1 (ko) 2000-03-31 2004-06-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 이엘소자 및 유기 이엘소자의 제조방법
CN1640203A (zh) 2002-09-12 2005-07-13 东芝松下显示技术有限公司 有机el显示器
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
KR100682835B1 (ko) * 2004-12-03 2007-02-15 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
KR100759667B1 (ko) * 2006-01-27 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026237A (ja) * 2002-01-11 2005-01-27 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器
JP2005093421A (ja) * 2003-08-08 2005-04-07 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2005203215A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sharp Corp 有機ｅｌ素子

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158585A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US20110018433A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-27 Sumitomo Chemcial Company, Limited Method of producing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and display device
JP2009253134A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルならびに電子機器
JP2010118509A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Panasonic Corp 発光素子
JP2010147180A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2014136150A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置
JPWO2014136150A1 (ja) * 2013-03-04 2017-02-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｅｌ表示装置
US9704925B2 (en) 2013-03-04 2017-07-11 Joled Inc. EL display device
WO2017149985A1 (ja) * 2016-03-04 2017-09-08 ソニー株式会社 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法
US10727448B2 (en) 2016-03-04 2020-07-28 Sony Corporation Organic electro-luminescence device, and method of manufacturing organic electro-luminescence device

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