JP2009158585A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成された第1の電極と、第1の電極の端部に形成された隔壁と、第1の電極上に形成された発光補助層と、発光補助層上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成された第2の電極と、を有し、第1の電極の表面から発光補助層の表面までの距離が、発光補助層の中央部から隔壁の方向に向って短くなっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【選択図】図1
Description
図4に図3の有機EL素子10の製造用である凸版印刷機30により製造されたパッシブマトリックス方式の有機EL素子10の断面図を示した。有機EL素子10の駆動方法としては、パッシブマトリックス方式とアクティブマトリックス方式とがあるが、本発明の実施の形態に係る有機EL素子10は、パッシブマトリックス方式及びアクティブマトリックス方式のどちらにも適用可能である。
本発明の実施の形態に係る有機EL素子10の製造方法の一例として、図4及び図5に基づいて説明する。
300mm角のガラス基板1上に、スパッタリング法を用いてITO膜を形成し、フォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチングでITO膜をパターニングした。第1の電極2である画素電極のラインパターンは、線幅40μm、スペース20μmで、ラインが1950ライン形成されるパターンとした。
第1の電極2及び隔壁5は実施例1と同様に作製した。UV/O3洗浄装置にて紫外線照射を前処理としておこなった後、発光補助層3として酸化バナジウム(V2O5)を表示領域全面に形成した。形成した発光補助層3の画素内の膜形状は、画素中央部から画素開口端部にかけて平坦であり、膜厚は70nmであった。
第1の電極2及び隔壁5は実施例1と同様に作製した。UV/O3洗浄装置にて紫外線照射を前処理としておこなった後、発光補助層3である正孔輸送層としてPEDOTからなる高分子膜をスピンコート法で表示領域全面に形成した。形成した発光補助層3の画素内の膜形状は、画素中央部が56nm、画素開口端部が82nmの凹形状であった。
2 第1の電極
3 発光補助層
4 有機発光層
4R 赤色有機発光層
4G 緑色有機発光層
4B 青色有機発光層
5 隔壁
6 第2の電極
10 有機EL素子
17 ガラスキャップ
18 接着剤
30 凸版印刷機
31 インキタンク
32 ドクター
33 アニロックスロール
34 インキ
35 版胴
36 印刷用凸版
37 被印刷基板
38 ステージ
39 印刷パターン
41 インキチャンバー
31 TFT
32 平坦化層
33 コンタクトホール
34 支持体
35 活性層
36 ゲート絶縁膜
37 ゲート電極
38 ドレイン電極
39 ソース電極
40 層間絶縁膜
51 データ線
50 有機EL素子用基板
Claims (14)
- 基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の端部に形成された隔壁と、
前記第1の電極上に形成された発光補助層と、
前記発光補助層上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第2の電極と、を有し、
前記第1の電極の表面から前記発光補助層の表面までの距離が、前記発光補助層の中央部から前記隔壁の方向に向って短くなっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 前記第1の電極の表面から前記発光補助層の表面までの距離は、前記発光補助層の中央部と前記発光補助層の端部との差が1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記隔壁の高さが、0.5μm以上5.0μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記発光補助層は、正孔輸送層又は電子輸送層であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記正孔輸送層が無機物であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記有機発光層と前記第2の電極との間にさらに発光補助層を備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 基板上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極の端部に隔壁を形成し、
前記第1の電極上に発光補助層を前記第1の電極の表面から前記発光補助層の表面までの距離が、前記発光補助層の中央部から前記隔壁の方向に向って短くなるように形成し、
前記発光補助層上に有機発光層を形成し、
前記有機発光層上に第2の電極を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記第1の電極の表面から前記発光補助層の表面までの距離は、前記発光補助層の中央部と前記発光補助層の端部との差が、1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記隔壁の高さが、0.5μm以上5.0μm以下であることを特徴とする請求項7又は8に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記有機発光層が、印刷法によりパターニング形成されていることを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記印刷法は、凸版印刷法を用いることを特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記発光補助層は、正孔輸送層及び電子輸送層であることを特徴とする請求項7乃至11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記正孔輸送層が無機物であることを特徴とする請求項7乃至12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記有機発光層と前記第2の電極との間にさらに発光補助層を備えていることを特徴とする請求項7乃至13のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
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