TWI254301B - Optical recording medium and method for optically recording information in the same - Google Patents

Optical recording medium and method for optically recording information in the same Download PDF

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TWI254301B
TWI254301B TW092107548A TW92107548A TWI254301B TW I254301 B TWI254301 B TW I254301B TW 092107548 A TW092107548 A TW 092107548A TW 92107548 A TW92107548 A TW 92107548A TW I254301 B TWI254301 B TW I254301B
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Hiroyasu Inoue
Koji Mishima
Hideki Hirata
Hajime Utsunomiya
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Description

1254301 (1) 玖、發明說明 【發明所屬的技術領域】 本發明係有關一種光記錄媒體以及在光記錄媒體上光 學地記錄資訊的方法，尤指一種單次寫入式光記錄媒體， 此光記錄媒體可以使用對環境衝擊小的材料製造，且可以 高感受性地將資訊記錄於其內，並以高感受性從其再生資 訊，以及在單次寫入式光記錄媒體上以高感受性光學地記 錄資訊的方法。 【先前技術】 單次寫入式光記錄媒體被構造成只能在記錄層上寫入 一次資訊。單次寫入式光記錄媒體的例子包括CD-R、 DVD-R、照片-CD及類似物。 這類單次寫入式光記錄媒體需要增進的方面不僅是能 以高速、高密度及高感受性記錄大量資訊，還要能長期地 保存所記錄的資訊，亦即，所記錄的資訊經過長時間都不 會退化。此外，由於對全球環境保護問題的關心，因此， 製造單次寫入式光記錄媒體的材料必須對環境的衝擊減至 最小。 就吾人所知，有些單次寫入式光記錄媒體的記錄層是 以有機染料爲主要成分，以及，有些單次寫入式光記錄媒 體的記錄層是以金屬元素（或非金屬元素）爲主要成分。 但目前是以前者爲大宗。 另一方面，若想要以高密度記錄資訊，就需要使用波 -6 - (2) 1254301 長短的雷射光束（如藍光雷射）記錄與讀取資訊。不過’ 到目前爲止，尙無一種有機染料能用藍色雷射光束記錄資 訊。 因此，以金屬元素爲記錄層之主成分的單次寫入式光 記錄媒體成爲各種硏究的主題，這些硏究是有關於記錄層 以及配置在附近其它層之內部結構的設計，以及也有關於 將資訊記錄於其上的方法。 將資訊記錄於單次寫入式光記錄媒體的方法硏究例如 有變形法，該方法改變記錄層之局部區域的反射係數（在 記錄層上形成坑或氣泡，或改變它的表面形狀），以及相 變法，該方法是經由將結晶相改變成非晶相以改變記錄層 的反射係數或折射率。 不過，使用變形法或相變法將資訊記錄在單次寫入式 光記錄媒體上，記錄的感受性很差，初始記錄的資訊會退 化，致使所記錄的資訊無法長期保存。 此外，目前還有對內擴散法的硏究，該方法是利用單 元被雷射光束照射後的熱擴散，使被雷射光束照射之局部 區域內之單元與四周區域內之單元的濃度分布反轉，經由 改變反射係數以記錄資訊（例如先行公開之日本專利甲請 案 2000- 1 87884 之教導）。 如果是在使用內擴散法之單次寫入式光記錄媒體中記 錄資訊，記錄資訊的感受性比變形法或相變法高，但它的 記錄速率卻無法令人滿意。 反之，先行公開之日本專利申請案62-204442提出一 (3) 1254301 種光記錄媒體，其中包含兩層以不同金屬元素（或非金屬 元素）做爲主成分的記錄層，配置在兩包含介電材料的層 之間。 · 在使用此光記錄媒體做爲單次寫入式光記錄媒體時， ， 資訊的記錄是將雷射光束投射到兩記錄層的局部區域，以 使分別構成各記錄層的不同元素形成共鎔合金，因此使每 一區域對的反射係數改變（在後文中將此方法稱爲〜共鎔 結晶法，，）。 · 因此，由於記錄層配置在包含介電材料的兩層之間， 當使用雷射光束記錄資訊時，可以防止形成記錄層的材料 散射並在記錄層中形成孔洞，藉以可避免熱變形。結果是 ，所記錄之資訊的儲存特性與所記錄之資訊的再生感受性 都獲增進。 不過，在先行公開之日本專利申請案62_2〇4442所揭 示且使用共鎔法的光記錄媒體中，儲存在記錄層中的初始 記錄資訊很難長時間保持良好狀態。 · 此外’由於此光記錄媒體之表面的平滑度並不必然良 好，初始記錄的特性可能不佳。 【發明內容】 、 因此，本發明的目的是解決定上述習知技術的問題， 並提供一種具有絕佳初始記錄特性，且被記錄的資訊可長 期保持良好狀況的光記錄媒體，以及，以高感受性在光記 錄媒體上光學地記錄資訊的方法。 -8 - (4) 1254301 本發明的發明人爲達上述目的進行了廣泛的硏究，結 果令人驚訝地發現，當使用雷射光束在以選用自矽、鍺、 錫、鎂、銦、鋅、鉍、及鋁等元素做爲主成分的第一記錄 層，以及以銅爲主成分的第二記錄層所構成的記錄媒體中 記錄資訊時，形成包括第一記錄層之主成分元素與第二記 錄層之主成分元素的混合區，此區域的反射係數明顯地改 變，且資訊能以高感受性記錄。他們進一步發現，經由利 用包括第一記錄層之主成分元素與第二記錄層之主成分元 素之混合區與其它區域間反射係數的明顯差異，以高感受 性初始記錄在記錄媒體中的資訊可以長期儲存。 因此，經由以基體、保護層、以選用自矽、鍺、錫、 鎂、銦、鋅、鉍、及鋁等元素做爲主成分的第一記錄層、 以及位在第一記錄層附近且以銅爲主成分之第二記錄層所 構成的光記錄媒體可達成本發明的上述及其它目的。 ”第一記錄層以某元素爲主成分〃的陳述意指包含在 第一記錄層中的各元素中，其爲含量最多的元素，同時， ”第二記錄層以銅爲主成分〃的陳述意指在第二記錄層中 銅爲含量最多的元素。 在本發明中，並不需要第二記錄層與第一記錄層絕對 接觸，只要第二記錄層夠接近第一記錄層，以便被雷射光 束照射之區域能形成包括第一記錄層主成分元素與第二記 錄層主成分元素的混合區即可。此外，在第一記錄層與第 二記錄層間可插入一或多層電介質層。 在本發明中，較佳的形式是第一記錄層與第二記錄層 -9- (5) 1254301 接觸。 在本發明中，光記錄媒體除了第一記錄層與第二記錄 層之外，還可包括一或多層以選用自矽、鍺、錫、鎂、銦 、鋅、鉍、及鋁等元素爲主成分的記錄層，或一或多層以 銅爲主元素的記錄層。 雖然，當以雷射光束照射爲何會形成包括第一記錄層 主成分元素與第二記錄層主成分元素之混合區的原因並不 全然明瞭，但合理的結論是第一與第二記錄層的主成分元 素被部分或全部地融合或擴散，藉以形成第一與第二記錄 層之主成分元素混合的區域。 第一與第二記錄層之主成分元素混合所形成之區域對 用以再生資訊之雷射光束呈現的反射係數與其它區域對用 以再生資料之雷射光束呈現的反射係數截然不同，因此， 可利用此截然不同的反射係數以高感受性再生被記錄的資 訊。 此外，發明人等發現，這些元素對環境的衝撃很小， 且包括這些元素的記錄層具有絕佳的表面光滑度。 當以銅爲主成分的第二記錄層是以真空沈積法或濺鍍 法成形時，由於它們的表面光滑度極佳，因此，與習知的 光記錄媒體相較，初始記錄特性特別獲得增進。由於按照 本發明之光記錄媒體的記錄層具有絕佳的光滑度，因此， 當以光點直徑小的雷射光束記錄資訊時，記錄特性明顯增 進。此外，由於銅極爲便宜，因此，用於製造光記錄媒體 的材料成本可降至最低。 -10- (6) 1254301 經由一'種在下述光g5錄媒體上光學地§5錄資訊的方法 ，也可達成本發明的上述及其它目的。該光記錄媒體包含 基體、保護層，以選用自矽、鍺、錫、鎂、銦、鋅、鉍、 及鋁等元素爲主成分的第一記錄層，以及位在第一記錄層 附近且以銅爲主成分之第二記錄層所構成，光學地記錄資 訊的方法包含以具有既定功率的雷射光束透過基體及保護 層其中之一照射到第一記錄層與第一記錄層的步驟’藉以 使包含在第一記錄層之主成分元素與包含在第二記錄層之 主成分元素混合以形成一區域。 在本發明中，第二記錄層與第一記錄層接觸較佳。 在本發明中，第一記錄層以選用自鍺、矽、鎂、鋁及 錫等元素做爲主成分較佳。如果第一記錄層以選用自鍺、 矽、鎂、鋁及錫等元素做爲主成分，可進一步增進再生信 號的C/ N比。 在本發明中，在第二記錄層中加入選用自鋁、矽、鋅 、鎂、金、錫、鍺、銀、磷、鉻、鐵及鈦等元素至少其中 之一較佳，在第二記錄層中加入選用自鋁、鋅、錫、金等 元素至少其中之一更佳。 如果在二記錄層中加入選用自鋁、矽、鋅、鎂、金、 錫、鍺、銀、磷、鉻、鐵及欽等元素至少其中之一，或在 第二記錄層中加入選用自鋁、鋅、錫、金等元素至少其中 之一，可明顯增進第二記錄層抵抗氧化或硫化的穩定性， 並可有效地防止光記錄媒體的外觀劣化，諸如由於包含在 第二記錄層中之銅的腐蝕導致第二記錄層剝落，或經過長 -11 - (7) 1254301 時間儲存後，光記錄媒體的反射係數改變。 在本發明中，較佳的光記錄媒體進一步包含位於保護 層與第一或第二記錄層其中之一間位在保護層側的第一電 介質層，以及位於基體與第一或第二記錄層其中另一之間 的第二電介質層，當以雷射光束照射以記錄資訊時，它能 可靠地防止基體或保護層因熱而變形。此外，由於可防止 在第二記錄層中做爲主成分的銅被腐蝕，可以更有效地防 止所記錄的資訊經過長時間後劣化。 在本發明中，保護層具有透光能力較佳，且第一記錄 層配置在保護層側較佳，以及，第二記錄層配置在基體側 較佳。若爲此情況，可以使用低功率的雷射光束記錄資訊 〇 在本發明中，保護層具有透光能力，且光記錄媒體的 基體與第二電介質層間進一步包含一反射層較佳。若爲此 情況，經由多次干涉效果，可提高被記錄區與未被記錄區 間反射係數的差異，藉以得到較高的再生信號（C/ N比 )° 在本發明中，基體具有透光性較佳，且第一記錄層配 置在基體側以及第二記錄層配置在保護層側較佳。若爲此 情況，經由多次干涉效果，可提高記錄區與非記錄區間反 射係數的差異，藉以得到較高的再生信號（C/ N比）。 在本發明中，基體具有透光能力，且光記錄媒體的基 體與第一電介質層間進一步包含一反射層較佳。若爲此情 況，經由多次干涉效果，可提高記錄區與非記錄區間反射 -12- (8) 1254301 係數的差異，藉以得到較高的再生信號（C / N比）。 在本發明中，當所成形的第二記錄層與第一記錄層接 觸時，第一記錄層配置在保護層側以及第二記錄層配置在 基體側較佳。此能增進與第二記錄層接觸之第一記錄層的 表面光滑度，因爲以銅爲主成分的第二記錄層具有極佳白勺 表面光滑度。 從以下配合附圖所做的描述中，將可明暸本發明的以 上及其它的目的與特性。 【實施方式】 如圖1 ( b )所示，本發明之較佳實施例的光記錄媒 體1包括基體40、保護層30、以及成形在基體4〇與保護 層30之間的第一記錄層11及第一記錄層12。此外，第 一電介質層21成形在保護層3〇與第一記錄層Η之間， 以及，第二電介質層22成形在基體40與第二記錄層12 之間。 基體40做爲一支撐物，用以支撐第二電介質層22、 第二記錄層12、第一記錄層11、第一電介質層21及保護 層3 0。用於成形基體40的材料並無特殊限制，只要基體 40能支撐上述各層即可。基體40可以使用玻璃、陶瓷、 樹脂或類似物做爲材料。在這些材料間，以用樹脂成形基 體4〇較佳，因爲樹脂很容易成形。適合成形基體4〇的說 明例包括聚碳酸鹽樹脂、丙烯樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯 樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙樹脂、矽樹脂、氟聚化物、 -13- (9) 1254301 acrylonitrile 丁二烯苯乙烯樹脂、腫旨樹脂及類似物。從 容易製造、光學特性等的角度觀，其中以聚碳酸鹽樹脂最 適合用來成形基體40。 基體40的厚度並無特定限制，但以〇.〇5毫米到2.4 毫米較佳。如果基體4 0薄於〇. 〇 5毫米就很難成形。另一 方面，如果基體4〇厚於2.4毫米，則光記錄媒體1的重 量增加，變得難於處理。基體40的形狀並無特殊限制， 不過一般是碟形、卡形或片形。 第一電介質層21與第二電介質層22用於保護第一記 錄層11與第一記錄層11。經由第一電介質層21與第二 電介質層22的保護，可以防止長時間後以光學記錄的資 訊劣化。此外，由於第二電介質層22的功能也包括防止 基體4 0及類似物受熱變形，因此也可有效地防止由於基 體4 0等變形使得抖動惡化。 用於成形第一電介質層21與第二電介質層22的介電 材料並無特殊限制，只要是透明，能用於成形第一電介質 層21與第二電介質層22之介電材料的主成分包含氧化物 、硫化物、氮化物或這些化物的混合物。更明確地說，爲 防止基體40等因受熱變形以及保護第一記錄層11與第二 S己錄層12’桌一電介質層21與第二電介質層22的主成 分以包含以下至少其中之一的介電材料較佳，包括Al2〇 3 、AIN、ZnO、ZnS、GeN、GeGrN > CeO ^ SiO > Si02 ' SiN、及SiC，第一電介質層21與第二電介質層22以包 g ZnS· Si〇2做爲主成分更佳。 (10) 1254301 第一電介質層21與第二電介質層22可使用相同的介 電材料或不同的介電材料成形。此外，第一電介質層2 i 與第二電介質層22至少其中之一可以是多層結構，包括 複數層介電膜。 在本說明書中’“電介質層的主成分包含某介電材料” 之陳述思ί曰包含在電介質層中之介電材料量最多的介電材 料。ZnS· Si02意指ZnS與Si02的混合物。 第一電介質層21與第二電介質層22的厚度並無特殊 限制，但以3奈米到2 0 0奈米較佳。如果第一電介質層 2 1或第二電介質層2 2的厚度薄於3奈米，則很難獲得上 述優點。另一方面，如果第一電介質層21或第二電介質 層22的厚度厚於200奈米，則成形第一電介質層21及第 二電介質層2 2的時間太長，因而影響到光記錄媒體1的 生產量，且也可能由於出現於第一電介質層21及/或第 二電介質層22上的應力致使光記錄媒體i中產生裂痕。 保護層3 0的功能是在使用或儲存光記錄媒體1時用 以避免第一記錄層11與第二記錄層12受損。 按照本實施例所構造的光記錄媒體1，是以雷射光束 穿過保護層3 0照射在第一記錄層1 1及第二記錄層丨2以 將資訊記錄於其上，因此，保護層3 0必須具有透光能力 。用於成形保護層3 0的材料並無特殊限制，只要透明即 可，且保護層3 〇例如可以使用能被紫外線硬化的樹脂成 形。紫外線硬化之樹脂的說明例包括Dainippon Printing Co.製造的SD698 (產品程式）°除了以紫外線硬化的樹 (11) 1254301 脂之外，保護層3 0也可使用可透光的樹脂片以及任何接 合或黏著劑成形。 保護層3 0的厚度並無特殊限制，但以1微米到200 微米較佳。如果保護層3 0的厚度薄於1微米，則很難達 到保護第一記錄層1 1與第二記錄層1 2的效果。另一方面 ，若保護層3〇厚於200微米，則保護層30的厚度以及光 記錄媒體1整體的機械精確度變得很難控制。 第一記錄層11與第二記錄層12是用來記錄資訊。在 本實施例中，第一記錄層1 1配置在保護層3 0側，第二記 錄層12配置在基體40側。第一記錄層11與第二記錄層 1 2按此方式配置有利於使用低功率的雷射光束記錄資訊 〇 在本實施例中，第一記錄層11以選用自矽、鍺、錫 、鎂、銦、鋅、鉍、及鋁等元素做爲主成分，第二記錄層 1 2則以銅爲主成分。 爲大幅增進再生信號的C/Ν比，第一記錄層1 1以 選用自鍺、矽、鎂、鋁、錫等元素做爲主成分較佳，第一 記錄層1 1以包含矽做爲主成分更佳。 包含在第二記錄層12中的主成分是銅，當被雷射光 束照射時，能與第一記錄層1 1中的元素快速地混合，藉 以將資料快速地記錄在第一記錄層1 1與第二記錄層〗2內 〇 爲增進第一記錄層11的記錄感受性，可在第一記錄 層11內另添加選用自鎂、錦、銅、銀、金等一或多種元 -16- (12) 1254301 素。 爲增進儲存可靠度與第二記錄層1 2的記錄感受性’ 可在二記錄層中另添加選用自鋁、矽、鋅、鎂、金、錫、 鍺、銀、磷、鉻、鐵及鈦等元素至少其中之一。 在這些元素中，在第二記錄層1 2中以添加鋁、矽、 鋅、鎂及/或金較佳。特別是，當鋁添加到第二記錄層 12中時，可以明顯地增進第二記錄層1 2對氧化或硫化的 穩定性，也能有效地防止第二記錄層1 2之主成分銅的腐 蝕致使第二記錄層1 2剝落造成光記錄媒體1的外觀劣化 ，以及經過長期儲存後光記錄媒體1的反射係數改變。 另一方面，從增進記錄感受性的角度來看，在第二記 錄層1 2內添加金、鋅、錫至少其中一種元素較佳。特別 是，如果是在第二記錄層1 2內添加金，可以明顯地提高 第二記錄層1 2的記錄感受性。 爲增進第二記錄層12的儲存可靠度與記錄感受性’ 在第二記錄層12中添加鋁及金最佳。 在第二記錄層1 2中添加元素的量，以等於或大於1 原子％並小於5 0原子％較佳。當在第二記錄層1 2中添加 鋁時，所添加的鋁量等於或大於5原子％並小於45原子 %較佳，以及，當在第二記錄層12中添加鲜時’所添加 的鋅量等於或大於2原子％並小於4 5原子％較佳。另一 方面，當在第二記錄層12中添加鎂時’所添加的鎂量等 於或大於5原子％並小於3 0原子％較佳，以及，當在第 二記錄層1 2中添加金時，所添加的金量等於或大於5原 -17- (13) 1254301 子％並小於4 5原子％較佳。此外，當在第一記錄層1 2中 添加砂時，所添加的砍量等於或大於2原子％並小於3 0 原子％較佳。 第一記錄層1 1與第二記錄層1 2的厚度並無特殊限制 ，只要被雷射光束L 1 0照射之區域的第一記錄層1 1主成 分元素與第二記錄層12主成分兀素能迅速地融合或擴散 以迅速地形成第一記錄層11主成分元素與第二記錄層12 主成分元素混合的區域即可’但第一記錄層11與第二記 錄層1 2的總厚度等於或小於10 〇奈米較佳，等於或小於 5 0奈米更佳。 當第一記錄層11與第二記錄層12的總厚度超過100 奈米時，第一記錄層與第二記錄層12之主成分元素的 混合速率會降低，變得很難以高速記錄資訊。 另一方面，第一記錄層1 1與第二記錄層1 2的總厚度 以等於或大於2奈米較佳。如果第一記錄層1 1與第二記 錄層12的總厚度小於2奈米，則在雷射光束L 1 0照射之 前與之後反射係數的改變很小，致使無法得到高強度的再 生信號。 第一記錄層11與第二記錄層12各別的厚度並無特定 限制，但爲明顯增進資訊感受性與大幅提高雷射光束L i 〇 照射前後反射係數的改變，第一記錄層1 1的厚度以1到 3 0奈米較佳，第二記錄層12的厚度以1到3 0奈米較佳 。此外，第一記錄層11與第二記錄層12的厚度比定義在 0.2到〇 . 5較佳。 -18- (14) 1254301 具有上述結構的光記錄媒體1，例如可按下述方法製 造。 首先在基體4〇上成形第二電介質層22，並預先成形 預亥!| 槽(pre-grooving ) 〇 第二電介質層22可以經由氣相生長法成形，使用含 有形成第二電介質層22所需元素的化學物種。氣相生長 法的說明例包括真空沈積法、濺鍍法等。 接著在第二電介質層22上成形第二記錄層12。第二 記錄層1 2也可經由氣相生長法成形，使用含有形成第二 記錄層1 2所需元素的化學物種。 接者在弟一^日3錄層12上成形第_*記錄層11。第一*記 錄層11也可經由氣相生長法成形，使用含有形成第一記 錄層1 1所需元素的化學物種。 在本實施例中’由於弟一記錄層12是以銅爲主成分 ，因此，第二記錄層12具有極佳的表面光滑度，且因此 第一記錄層11是成形在具有極佳表面光滑度的基礎上。 接著，在第一記錄層11上成形第一電介質層21。第 一電介質層2 1也可經由氣相生長法成形’使用含有形成 第一電介質層21所需元素的化學物種。 最後，在第一電介質層21上成形保護層30。保護層 3 0可以經由將丙烯類紫外線硬化樹脂或環氧紫外線硬化 樹脂溶解在溶劑中，以製備樹脂溶液’並以旋鍍法將樹脂 溶液施加於第一電介質層2 1 ° 至此，光記錄媒體1製造完成。 -19 - (15) 1254301 以下將描述在上述結構的光記錄媒體1中記錄資訊的 方法例。 如圖1(a)所示，首先以具有既定功率的雷射光束 L 1 〇穿過保護層3 0照射到第一記錄層1 1與第二記錄層1 2 上。 如圖2所示，此致使被雷射光束L 1 0照射的區域形成 由第一記錄層11主成分元素與第二記錄層12主成分元素 組成的混合區1 3。 用於光學記錄的雷射光束L10波長以250奈米到900 奈米較佳。 此外，爲能快速地混合第一記錄層1 1主成分元素與 第二記錄層12主成分元素並形成混合區13，要將雷射光 束L 1 0照射在保護層3 0表面上的功率設定在等於或高於 1 . 5晕;瓦。 當第一記錄層11與第二記錄層12的主成分元素混合 時，該區域的反射係數明顯改變。由於所形成之混合區 1 3的反射係數與混合區1 3四周區域的反射係數有極大差 異，因此，當再生以光學記錄的資訊時，能得到高的再生 信號（C/ N比）。 當雷射光束L10投射出時，第一記錄層11與第二記 錄層12被雷射光束L10加熱。不過，在本實施例中，在 第一記錄層1 1與第二記錄層1 2的外側配置有第一電介質 層21與第二電介質層22。因此，能有效地防止第一記錄 層11與第二記錄層12因受熱變形。 -20- (16) 1254301 在本實施例中，由於第二記錄層1 2的主成分是銅’ 因此，第二記錄層12具有極佳的表面光滑度，因此，它 可明顯地增進記錄特性，特別是當以小直徑光點的雷射光 束L 1 0記錄資訊時。 圖3顯示本發明另一較佳實施例之光記錄媒體的放大 橫斷面圖。 如圖3所示，按照此實施例的光記錄媒體2，除了在 基體40與第二電介質層22間另包括一反射層50之外， 其餘結構與圖1所示的光記錄媒體1相同。 配置反射層5〇是爲了當使用雷射光束L10在第一記 錄層1 1與第二記錄層1 2上光學地記錄資訊時，經由多次 干涉效果以提高記錄區與非記錄區間反射係數的差異，藉 以得到較高的再生信號（C/ N比）。 用來成形反射層5 0的材料並無特殊限制，只要能反 射光即可，反射層5 0可成形自鎂、鋁、鈦、鉻、鐵、銘 、鎳、銅、鋅、鍺、銀、鉑、金等。在這些材料間，成形 反射層5 0的金屬材料要具有高的反射特性，諸如鋁、金 、銀、銅，或至少包含這些金屬其中之一的合金，例如錦 與鈦的合金。 製造本實施例之光記錄媒體2的方法，除了反射層 50外其餘與前述的光記錄媒體1相同。反射層5〇例如可 經由氣相生長法成形，使用含有形成第反射層5 〇所需元 素的化學物種。 此外，在本實施例之光記錄媒體2上記錄資訊的方法 (17) 1254301 ’與在圖1所示之光記錄媒體1上記錄資訊的方法相同。 在本實施例中，由於光記錄媒體2包括以與圖1及2 所不之光g5錄媒體1相同方法成形的第一記錄層1 1與第 二記錄層1 2 ’當雷射光束L 1 0投射到光記錄媒體2上時 ，被雷射光束L 1 0照射之區域的第一記錄層1 1主成分元 素與第二記錄層12主成分元素混合。因此，資訊即以高 速及高感受性記錄在光記錄媒體2上。 在本實施例中，由於光記錄媒體2的基體40與第二 電介質層22間包括反射層50，當雷射光束L10在第一記 錄層11與第二記錄層12上光學地記錄資訊時，記錄區與 非記錄區間反射係數的差異經由多次干涉效果而加大，藉 以得到較高的再生信號（C/ N比）。 圖4顯示本發明又一較佳實施例之光記錄媒體的放大 橫斷面圖。 按照本實施例的光記錄媒體3，除了基體40具有光 透射能力外，其餘與圖1所示光記錄媒體1的結構相同。 在本實施例中，光記錄媒體3的基體40具有光透射 能力，且成形基體40的材料與成形圖1所示光記錄媒體 1之基體40或成形圖1所示光記錄媒體1之保護層30的 材料相同。 按照本實施例之光記錄媒體3的基體40厚度，與圖 1所示光記錄媒體1之基體4 0的厚度相同較佳。 當在具有上述結構的光記錄媒體3上記錄資訊時，雷 射光束L10穿過基體40照射到第二記錄層12與第一記錄 -22- (18) 1254301 層1 1。 在本實施例中，由於成形光記錄媒體3之第一記錄層 11與第二記錄層12的方法與圖1及2所示光記錄媒體i 的方法相同，當雷射光束L 1 0投射到光記錄媒體3時，被 雷射光束L 1 0照射區域的第一記錄層Π主成分元素與第 二電介質層22主成分元素混合’因此’資訊即以高速及 高感受性記錄在光記錄媒體3上。 此外，與圖1所示的光記錄媒體1相同，當再生光學 地記錄的資訊時，可得到高的再生信號（C/ N比）。 此外，在按照本實施例的光記錄媒體3中，可有效地 防止以光學記錄的資訊經過長時間後劣化。 圖5顯示本發明又另一較佳實施例之光記錄媒體的放 大橫斷面圖。 按照本實施例的光記錄媒體4，除了在保護層3 0與 第一電介質層2 1間包括一反射層5 0外，其餘結構與圖4 所示光記錄媒體3同。 當在具有上述結構的光記錄媒體4上記錄資訊時，雷 射光束L10是穿過基體40照射在第二記錄層12與第一記 錄層1 1上。 在本實施例中，由於成形光記錄媒體4之第一記錄層 1 1與第二記錄層1 2的方法與圖i及2所示光記錄媒體1 的方法相同，當雷射光束L 1 0投射到光記錄媒體4時，被 雷射光束L 1 0照射區域的第一記錄層n主成分元素與第 二電介質層22主成分元素混合，因此，資訊即以高速及 -23- (19) 1254301 高感受性記錄在光記錄媒體4上。 此外，與圖1所示的光記錄媒體1相同，當再生光學 地記錄的資訊時，可得到高的再生信號（c/N比）° 此外，在按照本實施例的光記錄媒體4中’可有效地 防止以光學記錄的資訊經過長時間後劣化。 此外，由於按照本實施例之光記錄媒體4的保護層 30與第一電介質層21間包括反射層50，因此，與圖3所 示的光記錄媒體2相同，當雷射光束L10在第一記錄層 1 1與第二記錄層1 2上光學地記錄資訊時，記錄區與非記 錄區間反射係數的差異經由多次干涉效果而加大’藉以得 到較高的再生信號（C/ N比）。 製作例與比較例 在下文中，將描述製作例與比較例，藉以進一步明瞭 本發明的優點。 製作例1 按下述方法製造與圖1所示光記錄媒體1結構相同的 光記錄媒體。 首先將厚度1.1毫米直徑120毫米的聚碳酸鹽基體置 入濺鍍設備中。接著，使用濺鍍法在聚碳酸鹽的基體上順 序地成形厚度60奈米含有ZnS及Si〇2之混合物的第二電 介質層、厚度6奈米以銅爲主成分的第二記錄層、厚度6 奈米以矽爲主成分的第一記錄層、以及厚度60奈米含有 -24- (20) · 1254301
ZnS及Si02之混合物的第一電介質層° 此外，使用旋鍍法在第一電介質層上被覆以溶解在溶 劑中之丙烯類紫外線硬化樹脂的樹脂溶液以形成被覆層’ - 並以紫外線照射被覆層以形成厚度1 0 0微米的保護層。 · 包含在第一電介質層與第二電介質層中之ZnS與 Si02混合物中ZnS與Si02的莫爾比爲80 : 20。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例2 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 鍺爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例3 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 錫爲主成分。 ^ 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例4 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 鎂爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例5 -25- (21) 1254301 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 鋁爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例6 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 銅爲主成分，第二記錄層以矽爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例7 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 銅爲主成分’弟一記錄層以鍺爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例8 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 銅爲主成分，第二記錄層以錫爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 製作例9 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 銅爲主成分，第二記錄層以鎮爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 -26- (22) 1254301 製作例1 〇 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 銅爲主成分，第二記錄層以鋁爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 比較例1 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 碳爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 比較例2 按製作例1的方法製造光記錄媒體，唯第一記錄層以 銅爲主成分，第二記錄層以碳爲主成分。 按此方法總共製造5片光記錄媒體。 在製作例1到1 〇及比較例1及2所製造的光記錄媒 體上按下述方式記錄資訊。 特別是，將製作例1到10及比較例1及2每一例所 製造的5片光記錄媒體置入Pulstec Industrial Co.，Ltd.所 製造的DDU1 〇〇〇光記錄媒體評估設備中，並按下述條件 將資訊光學地記錄於其上。 記錄資訊所使用的雷射光束爲波長405奈米的藍光雷 射光束，且使用數値光圏0.85的物鏡將雷射光束通過保 護層聚光在每一片光記錄媒體上，且是按下列的記錄信號 條件將資訊光學地記錄於其上。 -27- (23) 1254301 在製作例與比較例的各片光記錄媒體上，是以 从不同功 率的雷射光束進行資訊的光學地記錄。 記錄信號的條件如下：
調制碼：（1.7) RLL 通道位元長度：0.12微米 記錄直線速度：5 . 3米/秒 通道時脈：66MHz 記錄信號：8 T 接著使用上述的光記錄媒體評估設備再生每一光記錄 媒體上所記錄的資訊，並測量再生信號的C/ N比。當再 生資訊時，雷射光束的波長設定在405奈米，物鏡的數値 光圈設定在0.85，雷射光束的功率設定在〇·3毫瓦。 當使用以下功率的雷射光束記錄時，光記錄媒體的再 生信號可得到最高的C/ N比。雷射光束之功率的定義是 雷射光束在保護層上的功率。 製作例1 : 6.0毫瓦 製作例2 : 4.7毫瓦 製作例3 : 6.7毫瓦 製作例4: 7.0亳瓦（*) 製作例5 : 7 · 0毫瓦（* ) 製作例6 : 6.7毫瓦 製作例7 : 5 .3毫瓦 製作例8 : 5.3毫瓦 製作例9 : 7.0毫瓦（* ) -28- (24) 1254301 製作例1 0 : 7.0毫瓦（* ) 比較例1 : 7 · 0毫瓦（* ) 比較例2 : 7.0毫瓦（* ) 用於實驗之光記錄媒體評估設備的雷射光束最大功率 爲7.0毫瓦。因此，當雷射光束的功率增加到7.0毫瓦時 C/ N比仍未飽合時，則視爲要再生最大C/N比所需的 雷射功率超過7.0毫瓦。所需雷射光束的功率値達7.0毫 瓦者都加註星號。 製作例1之每一光記錄媒體之再生信號的C/ N比與 雷射光束之功率間的關係見表1。 第一與第二記錄 層的總厚度 (奈米） 記錄時雷射光 束的功率 (毫瓦） 再生信號的 C/N比 (8T)(dB) 製作例1 12 3.0 49.3 製作例1 12 4.0 54.2 製作例1 12 5.0 55.2 製作例1 12 6.0 55.7 製作例1 12 7.0 55.6 表1
再按照製作例1到1 〇及比較例1及2製造光記錄媒 體，並以相同的方法光學地記錄資訊，所使用的雷射光束 功率能得到最大c/ N比的再生信號。 -29- (25) !2543〇1 在記錄了資訊之後’立刻測量每一片光記錄媒體之再 生信號的C/ N比。 測量的結果顯示於表2。
-----*一 第一記錄層 第二記錄層 8T ( dB ) 測量結果 --------- 製作例1 矽 銅 55.7 ◎ 製作例2 鍺 銅 49.8 ◎ 製f乍例3 錫 銅 3 1.4 ◎ -------- 製作例4 鎂 銅 18.4 〇 製作例5 鋁 銅 18.7 〇 製作例6 銅 矽 5 1.0 ◎ 製作例7 銅 鍺 54.1 ◎ 製作例8 銅 錫 43.5 ◎ 製作例9 銅 鎂 17.8 〇 製作例1 0 銅 鋁 19.8 〇 比較例1 碳 銅 無法測得 X 比較例2 銅 碳 無法測得 X 表2
從表1可知，在記錄資訊後立刻再生之信號的C/N 比，按照製作例1到1 0所製造的每一片光記錄媒體都具 有可測量的位準。在按照製作例1到3及製作例6到8製 造的每一片光記錄媒體’在記錄資訊後立刻再生之信號的 C/ N比特別高，都大於3 0分貝’可知它們記錄與再生特 -30- (26) 1254301 性極佳。 反之，按照比較例1及2製造的每一個光記錄媒體’ 在記錄資訊後立刻再生，發現無法測量到信號的c / N比 ，即無法記錄及再生資訊。 此外，測量按照製作例1製造之光記錄媒體的雜訊位 準與非記錄區的反射係數，在記錄資訊之後立刻再生的信 號最大。 接著，爲決定光記錄媒體在實際使用環境中的可靠度 ，將其維持在遠比預期遭遇之最嚴重實際環境更嚴苛的環 境中。特別是，按照製作例1製造的光記錄媒體接受儲存 試驗，維持在溫度8 0 °c及相對濕度8 5 %中5 0小時。在此 試驗之後，再次測量雜訊位準與非記錄區的反射係數，並 計算反射係數的下降率。 測量結果見表3 雜訊位準（分貝） 初始値 -64. 1 儲存試驗後 -57.6 反射係數下降率 27% 表3 如表3所示，吾人發現，當將按照製作例1製造的光 記錄媒體維持在溫度8 0 °C及相對濕度8 5 %中5 〇小時後， 它的雜訊位準增加6.5分貝，且它的非記錄區反射係數下 降了 27%。此外，當檢視光記錄媒體的外觀，吾人發現 -31 - (27) 1254301 以銅爲主成分的第二記錄層從第二電介質層剝離。吾人可 想見，雜訊位準增加，反射係數降低，以銅爲主成分的第 二記錄層剝落，都是第二記錄層之主成分銅的腐鈾所引起 〇 雖然，在實際的使用中，雜訊位準上升及反射係數下 降並不會造成再生信號的錯誤率極度地增加，但也有一些 實際上的問題，因此，吾人想要儘量抑制這些變化。另一 方面，如前文中的解釋，由於儲存試驗是將其維持在遠比 預期遭遇之最嚴重實際環境更嚴苛的環境中，因此，按照 製作例1製造的光記錄媒體在實際的使用環境中，以銅爲 主成分的第二記錄層應該不會剝落。不過，爲確保高的儲 存可靠度，吾人想要防止以銅爲主成分之第二記錄層在該 儲存試驗期間也不會剝落。 因此，吾人在以銅爲主成分的第二記錄層中添加各種 添加物，以實驗光記錄媒體之儲存可靠度與添加物之種類 及添加量間的關係。 製作例11 按以下方法製造與圖2所示光記錄媒體2結構相同的 光記錄媒體。 首先將厚度1.1毫米直徑120毫米的聚碳酸鹽基體置 入濺鍍設備中。接著，使用濺鍍法在聚碳酸鹽的基體上順 序地成形厚度100奈米以含銀合金爲主成分的反射層、厚 度28奈米含有ZnS及Si〇2之混合物的第二電介質層、厚 -32- (28) 1254301 度5奈米以銅爲主成分鋁爲添加物的第二記錄層、厚度5 奈米以砂爲主成分的第一記錄層、以及厚度22奈米S有 ZnS及Si02之混合物的第一電介質層。 此外，使用旋鍍法在第一電介質層上被覆以溶解在溶 劑中之丙烯類紫外線硬化樹脂的樹脂溶液以形成被覆層’ 並以紫外線照射被覆層以形成厚度1 〇 〇微米的保護層。 包含在第一電介質層與第二電介質層中之 ZnS與 Si02混合物中ZnS與Si02的莫爾比爲80: 20。 製作例1 2 按製作例1 1之方法製造光記錄媒體，唯在第二記錄 層中添加鋅以取代鋁。 製作例1 3 按製作例1 1之方法製造光記錄媒體，唯在第二記錄 層中添加鎂以取代鋁。 製作例1 4 按製作例11之方法製造光記錄媒體，唯在第二記錄 層中添加金以取代鋁。 製怍例1 5 按製作例11之方法製造光記錄媒體，唯在第二記錄 層中添加政以取代$呂。 -33- (29) !254301 製作例1 6 按製作例1 1之方法製造光記錄媒體，唯在第二記錄 層中添加鋁及金。 按前述相同的方法，將資訊光學地記錄到按照製作例 1 1到製作例1 6所製造的每一個光記錄媒體中，在記錄資 訊後立刻測量雜訊位準與非記錄區的反射係數。 接著，將按照製作例1 1到製作例1 6所製造的每一個 光記錄媒體接受儲存試驗，將其維持在溫度8 〇 °C及相對 _度8 5 %中5 0小時。在此試驗之後，再次測量雜訊位準 與非記錄區的反射係數，並計算反射係數的下降率。 測量與計算的結果顯示於表4到表9。 圖6到10對應於表4到9。圖6 ( a ) 、7 ( a ) 、8 ( a ) 、9 ( a )及1 Ο ( a )中的曲線顯示反射係數的下降率 隨著添加物之量的變化，以及圖6(b) '7(b) 、8(b )、9 ( b )及1 〇 ( b )中的曲線顯示資訊記錄後立即的雜 訊位準與經過儲存試驗後之雜訊位準隨著添加物之量的變 化。 由於本發明的第二記錄層是以銅爲主成分，因此，表 4到9及圖6到1 0中添加物量超過5 0原子％的資料僅供 參考。 -34- (30) 1254301 添加的量(原子％) 5 9 17 27 34 48 66 反射係數下降率 19% 17% 5% 4% -4% 8% 22% 雜訊位準 初始値 -65.2 -65.3 -65.3 -65.3 -65.3 -65.3 63.8 (分貝） 儲存試驗後 -60.9 -63.3 -64.4 -65.0 -65.3 64.5 -62.6 外觀 差 良好 良好 良好 良好 良好 良好
添加的量（原子％) 2 5 23 32 38 43 64 反射係數下降率 27% 27% 26% 25% 23% 23% 18% 雜訊位準 初始値 - 64.9 -65.0 -65.0 -64.5 -64.2 -64.4 -60.1 (分貝） 儲存試驗後 58.7 59.7 -63.6 -63.6 -63.4 -62.8 58.5 外觀 良好 良好 良好 良好 良好 良好 良好 表5 添加的量（原子％ ) 5 10 21 39 58 反射係數下降率 21% 13% 2% 3% 6% 雜訊位準 初始値 64.5 -65.2 -64.4 64.8 -65.3 (分貝） 儲存試驗後 -63.6 -64.8 -63.3 -63.9 -63.5 外觀 差 良好 良好 良好 良好
表6 35- (31) 1254301 添加的量（原子％) 5 13 28 45 64 反射係數下降率 17% 15% 12% 19% 14% 雜訊位準 初始値 -64.3 -64.6 -64.9 -64.7 -65.2 (分貝） 儲存試驗後 -61.2 -62.3 -62.7 -63.1 -63.9 外觀 良好 良好 良好 良好 良好
添加的量（原子％) 2 7 18 32 45 反射係數下降率 17% 12% 9% 2% 4% 雜訊位準 初始値 -64.3 -64.6 -64.5 -64.7 64.1 (分貝） 儲存試驗後 -61.2 -62.3 -63.1 -63.2 -61.1 外觀 良好 良好 良好 良好 良好 表8 添加的量 銘 17 24 23 (原子％) 金 0 6 13 反射係數下降率 5% 9% 2% 雜訊位準 初始値 -65.3 -65.8 -65.8 (分貝） 儲存試驗後 -64.4 -65.6 -65.6 外觀 良好 良好 良好 記錄厚度（毫瓦） 6.6 5 4.9
表9 -36- (32) 1254301 從表4及圖6(a)及6(b)可看出，當在以銅爲主 成分的第二記錄層中添加鋁並使其量等於或大於5原子％ 時，在儲存試驗後之雜訊位準上升及反射係數下降的情形 受到抑制。不過，當添加到第二記錄層中的鋁量過多時， 在記錄資訊後的初始雜訊位準會增加，且反射係數下降率 也會增加。此外，當添加到第二記錄層中的鋁量等於或大 於9原子％時，雜訊位準及反射係數的增加被抑制，且以 銅爲主成分的第二記錄層也不再出現剝離。 此外，從表5及圖7 ( a )及7 ( b )可看出，當在以 銅爲主成分的第二記錄層中添加鋅並使其量等於或大於2 原子％時，在儲存試驗後之雜訊位準上升及反射係數下降 的情形受到抑制。不過，當添加到第二記錄層中的鋅量過 多時，在記錄資訊後的初始雜訊位準會增加。此外，當添 加到第二記錄層中的鋅量等於或大於2原子％時，雜訊位 準的增加及反射係數的下降被抑制，且以銅爲主成分的第 二記錄層也不再出現剝離。 此外，從表6及圖8 ( a )及8 ( b )可看出，當在以 銅爲主成分的第二記錄層中添加鎂並使其量等於或大於5 原子％時，在儲存試驗後之雜訊位準上升及反射係數下降 的情形受到抑制。不過，當添加到第二記錄層中的鎂量過 多時，記錄感受性會迅速地劣化。因此，雷射光束的功率 必須提高，資訊的記錄也變得困難。此外，當添加到第二 記錄層中的鎂量等於或大於1 0原子％時，雜訊位準的增 加及反射係數的下降被抑制，且以銅爲主成分的第二記錄 (33) 1254301 層也不再出現剝離。 此外，從表7及圖9(a)及9(b)可看出’當在以 銅爲主成分的第二記錄層中添加金並使其量等於或大於5 原子％時，在儲存試驗後之雜訊位準上升及反射係數下降 的情形受到抑制。不過’如果僅添加少量的金’添加金所 得到的效果實質上被飽合。此外，當添加到第二記錄層中 的金量等於或大於5原子％時，雜訊位準的增加及反射係 數的下降被抑制，且以銅爲主成分的第二記錄層也不再出 現剝離。 此外，從表8及圖10(a)及10(b)可看出，當在 以銅爲主成分的第二記錄層中添加矽並使其量等於或大於 2原子％時，在儲存試驗後之雜訊位準上升及反射係數下 降的情形受到抑制。不過，當添加到第二記錄層中的矽量 過多時，C / N比會降低。此外，當添加到第二記錄層中 的矽量等於或大於2原子％時，雜訊位準的增加及反射係 數的下降被抑制，且以銅爲主成分的第二記錄層也不再出 現剝離。 此外，從表9可看出，當在以銅爲主成分的第二記錄 層中添加鋁及金時，在儲存試驗後之雜訊位準上升及反射 係數下降的情形受到抑制。此外，以銅爲主成分的第二記 錄層也不再出現剝離。此外，與在第二記錄層中僅添加鋁 的情況相較，記錄感受性獲增進。 因此，製作例1 1到1 6證明，經由在以銅爲主成分的 第一記錄層中添加銘、鋅、鎂、金、砂 '或錦及金，當光 -38- (34) 1254301 記錄媒體被長時間保持在嚴苛環境中時’雜訊位準上升及 反射係數下降的情形都受到抑制’且以銅爲主成分的第二 記錄層也不再出現剝離。 現已參考特定實施例及製作例顯示及描述了本發明。 不過，須暸解，本發明並不限於所描述的細節’各樣的變 化及修改都不偏離所附申請專利範圍的範圍。 例如，雖然在上述的實施例及製作例中，第一記錄層 1 1與第二記錄層1 2是相互接觸地成形，但相互接觸地成 形絕非成形第一記錄層1 1與第二記錄層1 2之必要’只要 第二記錄層1 2在第一記錄層1 1的附近，其位置只要能使 被雷射光束照射之區域的第一記錄層1 1主成分元素與第 二記錄層1 2主成分元素形成混合區即可。此外，在第一 記錄層11與第二記錄層12之間可插入一或多個其它層， 諸如電介質層。 此外，雖然在上述實施例及製作例中的光記錄媒體1 、2、3、4包括第一記錄層1 1與第二記錄層12，但光記 錄媒體除了第一記錄層與第二記錄層之外，還可包括以選 用自矽、鍺、錫、鎂、銦、鋅、鉍、及鋁等元素做爲主成 分的一或多層記錄層及以銅爲主成分的一或多層記錄層。 此外，雖然在上述實施例及製作例中將第一記錄層 1 1配置在保護層3 0側以及第二記錄層1 2配置在基體40 側，但也可將第一記錄層1 1配置在基體40側以及第二記 錄層配置在保護層3 0側。 此外，雖然在上述實施例及製作例中的光記錄媒體1 -39- (35) 1254301 、2、3、4包括第一電介質層2i與第二電介質層22以及 第一記錄層11與第二記錄層12配置在第一電介質層21 與第二電介質層22之間。不過光記錄媒體1、2、3、4並 非絕對需要包括第一電介質層21與第二電介質層22，即 ，光記錄媒體1、2、3、4可以沒有電介質層。此外，光 記錄媒體1、2、3、4可包括單層電介質層，若爲此情況 ’該電介質層相對於第一記錄層i i與第二記錄層1 2可配 置在基體4 0側或保護層3 0側。 g照本發明，所提供的光記錄媒體可使用對環境衝擊 最小的材料製造，且可以高感受性記錄資訊，且可以高感 受性從其再生資訊。 此外’按照本發明，所提供的光記錄媒體具有絕佳表 面光滑度的記錄層，當以縮小光點的雷射光束記錄資訊且 當以縮小光點的雷射光束再生資訊時的特性可獲增進。 此外，按照本發明，所提供的光記錄媒體即使長時間 維持在嚴苛環境中時，雜訊位準增加及反射係數下降率都 可被抑制，且以銅爲主成分的第二記錄層不會剝離。 此外，按照本發明，提供一種可在光記錄媒體上以高 感受性光學地記錄資訊的方法。 【圖式簡單說明】 圖1 ( a )是本發明較佳實施例之光記錄媒體的部分 切開斜視圖。 圖1 ( b )是圖1 ( a )中符號R所指示區域的放大橫 -40- (36) 1254301 斷面圖。 圖2是圖1(a)中符號r所指示之區域被雷射光束 照射後的放大橫斷面圖。 圖3顯示本發明另一較佳實施例之光記錄媒體的放大 橫斷面圖。 圖4顯示本發明又一較佳實施例之光記錄媒體的放大 橫斷面圖。 圖5顯不本發明又另一較佳實施例之光記錄媒體的放 大橫斷面圖。 圖6 ( a )的曲線圖顯示按製造例i 1所製造的光記錄 媒體的反射係數下降率與添加物之量的變化。 圖6 ( b )的曲線圖顯示按製造例1 1所製造的光記錄 媒體在記錄資訊後之立即的雜訊位準與經過儲存試驗後之 雜訊位準與添加物量的變化。 圖7 ( a )的曲線圖顯示按製造例1 2所製造的光記錄 媒體的反射係數下降率與添加物之量的變化。 圖7 ( b )的曲線圖顯示按製造例1 2所製造的光記錄 媒體在記錄資訊後之立即的雜訊位準與經過儲存試驗後之 雜訊位準與添加物量的變化。 圖8 ( a )的曲線圖顯示按製造例1 3所製造的光記錄 媒體的反射係數下降率與添加物之量的變化。 圖8 ( b )的曲線圖顯示按製造例1 3所製造的光記錄 媒體在記錄資訊後之立即的雜訊位準與經過儲存試驗後之 雜訊位準與添加物量的變化。 -41 - (37) 1254301 圖9 ( a )的曲線圖顯示按製造例1 4所製造的光記錄 媒體的反射係數下降率與添加物之量的變化。 圖9 ( b )的曲線圖顯示按製造例1 4所製造的光記錄 媒體在記錄資訊後之立即的雜訊位準與經過儲存試驗後之 雜訊位準與添加物量的變化。 圖1 0 ( a )的曲線圖顯示按製造例1 5所製造的光記 錄媒體的反射係數下降率與添加物之量的變化。 圖1 0 ( b )的曲線圖顯示按製造例1 5所製造的光記 錄媒體在記錄資訊後之立即的雜訊位準與經過儲存試驗後 之雜訊位準與添加物量的變化。
元件表 L 1 0 雷 射 光 束 1 光 記 錄 媒 體 2 光 記 錄 媒 體 3 光 記 錄 媒 nS. 4 光 記 錄 媒 體 11 第 一 記 錄 層 12 第 二 記 錄 層 13 混 合 區 2 1 第 一 電 介 質 層 22 第 二 電 介 質 層 30 保 護 層 40 基 體 -42 - 1254301 (38)

Claims (1)

1254301 ⑴ 拾、申請專利範園 1. 一種光記錄媒體，包含基體、保護層、含有一選 自由矽、鍺、錫、鎂、銦、鋅、鉍、及鋁所組成之群中的 元素做爲主成分的第一記錄層、以及位在第一記錄層附近 且含有銅做爲主成分的第二記錄層。 2. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其中，第 二記錄層被形成而與第一記錄層相接觸。 3. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其中，第 一記錄層含有一選自由鍺、矽、鎂、鋁及錫所組成之群中 的元素做爲主成分。 4. 如申請專利範圍第2項的光記錄媒體，其中，第 一^記錄層含有一*選自由錯、砂、錶、錦及錫所組成之群中 的元素做爲主成分。 5. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其中，至 少一選自由鋁、矽、鋅、鎂、金、錫、鍺、銀、磷、鉻、 鐵及鈦所組成之群中的元素被添加到第二記錄層。 6. 如申請專利範圍第2項的光記錄媒體，其中，至 少一選自由鋁、矽、鋅、鎂、金、錫、鍺、銀、磷 '鉻、 鐵及鈦所組成之群中的元素被添加到第二記錄層。 7. 如申請專利範圍第5項的光記錄媒體，其中，至 少一選自由鋁、鋅、錫、金所組成之群中的元素被添加到 第二記錄層。 8. 如申請專利範圍第6項的光記錄媒體，其中，g 少一選自由鋁、鋅、錫、金所組成之群中的元素被添加到 -44- (2) 1254301 第二記錄層。 9. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，另包含一 位於保護層與位於該保護層側上之第一及第二記錄層的其 中一者之間的第一電介質層，以及一位於基體與第一及第 二記錄層的另一者之間的第二電介質層。 10. 如申請專利範圍第2項的光gS錄媒體’另包含一* 位於保護層與位於該保護層側上之第一及第二記錄層的其 中一者之間的第一電介質層，以及一位於基體與第一及第 二記錄層的另一者之間的第二電介質層。 11. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其中，保 護層具有透光能力，且其中，第一記錄層係配置在保護層 側上，並且第二記錄層係配置在基體側上。 12. 如申請專利範圍第2項的光記錄媒體，其中，保 護層具有透光能力，且其中，第一記錄層係配置在保護層 側上，並且第二記錄層係配置在基體側上。 13. 如申請專利範圍第1 1項的光記錄媒體，另包含 一位於基體與第二電介質層之間的反射層。 14. 如申請專利範圍第12項的光記錄媒體，另包含 一位於基體與第二電介質層之間的反射層。 15. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其中，基 體具有透光能力，且其中，第一記錄層係配置在基體側上 ，並且第二記錄層係配置在保護層側上。 16. 如申請專利範圍第2項的光記錄媒體，其中，基 體具有透光能力，且其中，第一記錄層係配置在基體側上 -45- (3) 1254301 ’並且第二記錄層係配置在保護層側上。 17. 如申請專利範圍第1 5項的光記錄媒體，另包含 一位於保護層與第一電介質層之間的反射層。 18. 如申請專利範圍第1 6項的光記錄媒體，另包含 一位於保護層與第一電介質層之間的反射層。 19. 如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其中，第 一記錄層係配置在保護層側上，並且第二記錄層係配置在 基體側上。 20. 如申請專利範圍第2項的光記錄媒體，其中，第 一記錄層係配置在保護層側上，並且第二記錄層係配置在 基體側上。 2 1.如申請專利範圍第1項的光記錄媒體，其被視組 構爲單次寫入式的光記錄媒體。 22. 如申請專利範圍第2項的光記錄媒體，其被組構 爲單次寫入式的光記錄媒體。 23. 一種光學地記錄資訊於光記錄媒體上的方法，該 光記錄媒體包含基體、保護層、含有一選自由矽、鍺、錫 、鎂、銦、鋅、鉍、及鋁所組成之群中的元素做爲主成分 的第一記錄層，以及一位在第一記錄層附近且含有銅做爲 主成分的第二記錄層，光學地記錄資訊的方法包含以具有 預定功率之雷射光束透過基體及保護層的其中一者來照射 第一記錄層與第二記錄層的步驟，藉以形成一區域，而在 該區域中，使包含在第一記錄層中做爲主成分之元素與包 含在第二記錄層中做爲主成分之元素相混合。 -46- (4) 1254301 24.如申請專利範圍第23項光學地記錄資訊的方法 ，其中，第二記錄層被形成而與第一記錄層相接觸。 25如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其中，第一記錄層的含有一選自由鍺、矽、鎂、鋁及 錫所組成之群中的元素做爲主成分。 2 6.如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法，其中，第一記錄層含有一選自由鍺、矽、鎂、鋁及錫 所組成之群中的元素做爲主成分。 27.如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其中，至少一選自由鋁、矽、鋅、鎂、金、錫、鍺、 銀、磷、鉻、鐵及鈦所組成之群中的元素被添加到第二記 錄層。 2 8.如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法，其中，至少一選自由鋁、矽、鋅、鎂、金、錫、鍺' 銀、磷、鉻、鐵及鈦所組成之群中的元素被添加到第二記 錄層。 29.如申請專利範圍第27項之光學地記錄資訊的方 法，其中，至少一選自由鋁、鋅、錫、金中所組成之群中 的元素被添加到第二記錄層。 3 0.如申請專利範圍第28項之光學地記錄資訊的方 法，其中，至少一選自由鋁、鋅、錫、金中所組成之群中 的兀素被添加到第二記錄層。 3 1 .如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其中，光記錄媒體另包含一位於保護層與位於該保護 -47- (5) 1254301 層側上之第一及第二記錄層的其中一者之間的第一電介質 層，以及一位於基體與第一及第二記錄層的另一者之間的 第二電介質層。 32. 如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法，其中，光記錄媒體另包含一位於保護層與位於該保護 層側上之第一及第二記錄層的其中一者之間的第一電介質 ，以及一位於基體與第一及第二記錄層的另一者之間的第 二電介質層。 33. 如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其中，保護層具有透光能力，且其中，第一記錄層係 配置在保護層側上，並且第二記錄層係配置在基體側上。 34. 如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法，其中，保護層具有透光能力，且其中，第一記錄層係 配置在保護層側上，並且第二記錄層係配置在基體側上。 3 5.如申請專利範圍第3 3項之光學地記錄資訊的方 法，另包含一位於基體與第二電介質層之間的反射層。 36. 如申請專利範圍第34項之光學地記錄資訊的方 法，另包含一位於基體與第二電介質層之間的反射層。 37. 如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其中，基體具有透光能力，且其中，第一記錄層係配 置在基體側上，並且第二記錄層係配置在保護層側上。 3 8 .如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法’其中，基體具有透光能力，且其中，第一記錄層係配 置在基體側上，並且第二記錄層係配置在保護層側上。 -48- (6) 1254301 39. 如申請專利範圍第37項之光學地記錄資訊的方 法，另包含一位於保護層與第一電介質層之間的反射層。 40. 如申請專利範圍第3 8項之光學地記錄資訊的方 法，另包含一位於保護層與第一電介質層之間的反射層。 4 1.如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其中，第一記錄層係配置在保護層側上，並且第二記 錄層係配置在基體側上。 42. 如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法，其中，第一記錄層係配置在保護層側上，並且第二記 錄層係配置在基體側上。 43. 如申請專利範圍第23項之光學地記錄資訊的方 法，其被組構爲單次寫入式的光記錄媒體。 44. 如申請專利範圍第24項之光學地記錄資訊的方 法，其被組構爲單次寫入式的光記錄媒體。
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