TWI253542B - Positive-working photoresist composition - Google Patents

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1253542 Α7 Β7 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明有關一種於製造電子裝置時使用於微影圖型化 方法中之新穎正型光阻組成物，尤其有關一種化學放大正 型光阻組成物，其於鹼顯影劑水溶液中之溶解度藉著曝照 光化輻射而大幅改變，且可產生具有高反差比及良好圖型 解析度及寬幅聚焦深度寬容度之經圖型化光阻層。 近年來，採用光阻組成物之各種電子·裝置的製造方法 中的趨勢爲可產生圖型解析度細至〇 . 2 5微米或更細之 經圖型化光阻層之微影圖型化方法隨著具.有愈來俞高之積 和度的半導體裝置之漸增需求而實際地應用。就此言之， 現在進行徹底硏究之取向係爲發展一種微影圖型化方法， 採用K r F激光雷射光束作爲使該光阻層曝光之光化輻射 ，而於後續生成過程中產生0 . 1 5至0 . 2 2微米細度 之圖型解析度。 前述具有高度圖型解析度之微微影法的可行性自然係 視所使用之光阻組成物性能而定。例如，日本專利 Kokai 7 — 2 0 9868 及 1〇一186665 係揭示一 種化學放大正型光阻組成物，其樹脂成分係爲一種三元共 聚物，由羥基苯或羥基一 α -甲基苯乙烯單元、苯乙烯單 元及（甲基）丙烯酸第三丁醴單元所組成。 與使用樹脂成分- -由部分羥基由酸可解離溶解度降 低基所取代之聚羥基苯乙烯所組成——之正型光阻組成物 比較之下，前述三元共聚物之優點係爲藉著使用鹼顯影劑 水溶液進行顯影處理，以產生具有優越正交剖面圖型之經 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----^----訂-----111· *5^ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 A7 B7___ 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖型化光阻層’而縮小該未曝光區中之薄膜厚度。然而’ 該三元共聚物於顯影中之此種優勢性質於圖型化之反差比 上仍遠爲不足’即當需要前述極細之圖型化的圖型解析度 時，在顯影劑水溶液中之溶解度藉著曝光所致之變化。 另一方面，日本專利Kokai 8 — 101509提出一 種光阻組成物’採用丙丨布酸1 一丨完基環院醋之均聚物樹月旨 或其與經基苯乙燦之二元共聚物樹脂。然·而，其所提之光 阻組成物之缺陷係因藉由顯影於未曝光區域中減少之薄層 厚度相對大，故無法產生優越之經圖型化光阻層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，日本專利KQkai 9 — 7 3 1 7 3揭示一種正型 光阻組成物，用以使用A r F激光雷射光束曝光，其中該 樹脂成分係藉著採用一種酸可解離基而賦予較高之酸解離 度，該基具有一烷基，取代鍵結酯基及環烴之碳原子。曰 本專利Kokai 1 0-1 6 1 3 1 3提出一種正型光阻組成 物，使用A I* F激光雷射光束曝光時具有更高靈敏度，其 係使用酸可解離基團，具有一於如同前述者之碳原子內導 入至少兩碳原子的烷基。然而，此等光阻組成物不適於使 用K r F激光雷射光束曝光，因爲樹脂成分中缺乏羥基苯 乙烯單元，亦具有當該酸可解離基係爲環.己基時，對於乾 式蝕刻之阻抗相對低的問題。 發明槪述 本發明爲了克服前述習用光阻組成物中之缺點，因而 具有一目的，提出一種新穎之化學放大正型光阻組成物’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 A7 ____B7____ 五、發明說明（3 ) 其適於使用K r F激光雷射光束曝光，可產生藉著曝光而 於鹼顯影劑水溶液中之溶解度大幅變化的光阻層，且產生 具有高反差比及高圖型解析度及大値聚焦深度寬容度之經 圖型化透射層。 因此，本發明化學放大正型光阻組成物係包含——於 有機溶劑中成爲均勻溶液： (A ) —種樹脂化合物，可藉著與酸·相互作用而增加 其於鹼水溶液中之溶解度，基本上係由 (a )羥基苯乙烯單元或羥基一α —.甲基苯乙烯單元 、（b)苯乙烯單元及（c)以下通式所示之（甲基）丙 烯酸1 -烷基環己酯單元 厂 Ί

I —_ch2—c--

L I J C = 0 / 0R!, 其中R1係爲氫原子或甲基，且R2係爲具有1至5個碳原 子之烷基，較佳係爲2至4個碳原子，莫耳比個別係爲 40至8 0百分比，10至40百分比及.2至30百分比 •，及 (B )輻射敏感性酸生成劑，可藉著照射光化輻射而 釋出酸。 較佳係作爲組分（A )之樹脂成分係爲兩種不同之樹 脂化合物，各具有組份（A )之定義，但單體單元（b ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----r---訂---------線· 1253542 A7 B7_____ 五、發明說明（4 ) 及（C )之旲耳比相異。 亦佳之情況係該光阻組成物另外包括（C )脂族三級 胺化合物及/或（D )含磷之合氧酸或其酯，各爲特定用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 量。 本發明另外提出一種化學放大正型光阻組成物’包含 (A ) —種樹脂化合物，可藉著與酸.相互作用而增加 其於鹼水溶液中之溶解度，基本上係由 (a )羥基苯乙烯單元或羥基—α -.甲基苯乙烯單元 、（b)苯乙烯單元及（c)以下通式所示之（甲基）丙 烯酸1 -烷基環己酯單元 Γ R1 Ί 1 ——CH2-C--

I J c = o , & ( 其中R1係爲氫原子或甲基，且R2係爲具有1至5個碳原 子之烷基，較佳係爲2至4個碳原子；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (B ) —種輻射敏感性酸生成劑，可藉著照射光化_ 射而釋出酸，可於基材表面上形成一薄層，其於2 3 °C下 於4 . 5重量百分比氫氧化四甲基銨水溶液中溶解胃1M 厚度之速率係介於每秒0 . 0 1至1 0 0毫微米 ，或較佳係由每秒1至3 0毫微米。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1253542 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明（5 ) 較佳具體實例詳述 本發明光阻組成物之前述獨特調配物係爲本發明者進 行徹底硏究之結果，前述目的達到一意外之發現，可使用 由特定莫耳比例之單體單元（a ) 、 （ b )及（c )組成 之三元共聚樹脂作爲膜形成性樹脂成分，以得到具有優越 性能之光阻組成物。 即，於本發明光阻組成物中作爲成分·（ A )之樹脂組 份係爲三元共聚樹脂，由特定莫耳比之（a )羥基- α -甲基苯乙；):希單元、（b)苯乙烯單元及（.c)(甲基）丙 烯酸1 -烷基環己酯單元所組成。該單體單元（c )係爲 提供酸可解離基團的單元，該基團於鹼水溶液中對於該樹 脂具有降低溶解度之效果，當本發明光阻組成物於一基材 上之薄層經圖型化曝照光化輻射時，該1 -烷基環己基與 曝光區中自成分（B )所釋出之酸相互作用而產生解離。 當作爲成分（A )之樹脂組份係爲由單體單元（a ) 、（b)及（c)所組成之前述三元共聚物時，未曝光區 中之光阻層對於鹼水溶液之溶解攻擊具有高阻抗，使得藉 顯影形成之經圖型化光阻層具有優越之正交剖面圖型，具 有高反差比及圖型解析度及高値聚焦深度.容許度，未曝光 區中之膜厚度幾乎未減少。 表示單體單元（c )之通式中由R2所表示之基團係爲 具有1至5個碳原子之正烷基或分枝鏈烷基，例如甲基、 乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基及第 三丁基及各種異構戊基，其中具有2至4個碳原子者較有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----：----tr.---------線 1253542 A7 B7 五、發明說明（） 利於得到高反差比、高圖型解析度及高値聚焦深度容許度 〇 考慮靈敏度及經圖型化光阻層之剖面圖型的情況下， 構成作爲成分（A )之樹脂組分的單體單元的個別種類之 莫耳比係爲：由4 0至8 0百分比或較佳由5 0至7 0百 分比之單元（a);由10至40百分比或較佳由15至 3 0百分比之單元（b);及由2至3 0·百分比或較佳由 5至20百分比之單元（c)。 作爲成分（A )之樹脂組份視情況係.爲兩種或多種三 元共聚樹脂之組合物，各具有前述成分（A)之定義。尤 其’成分（A )較佳係爲兩種不同樹脂（a _ 1 )及（a 一 2)之組合物，其中於（A— 1 )中，單體單元（a ) 、（b)及（c)之莫耳比係由50至70百分比之單體 單元（a)、由10至30百分比之單體單元（b)及由 10至20百分比之單體單元（c)，而（A — 2)係由 50至70百分比之單體單元（a)、由20至40百分 比之單體單元（b )及由2至1 0百分比之單體單元（c )’ （A— 1) ： (A— 2)之重量比係介於90:1至 3〇：5〇之範圍內，較佳係由8〇：2.〇至55 : 45 〇 作爲成分（A )之樹脂組份另外視情況係爲共聚樹脂 ，除單體單元（a) 、（b)及（c)之外，包含低莫耳 比之其他種類單體單元，其係由除產生單體單元（c )之 (甲基）丙烯酸1 -烷基環己酯以外之已知（甲基）丙烯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 l·---訂·---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 A7 ___B7 五、發明說明（7 ) 酸酯單體衍生。選擇該第四種及其他共聚單體之標準係由 樹脂層於2 3 °C之4 . 5重量百分比氫氧化四甲基銨水溶 液中之膜厚度減少率表示，其應介於0 . 〇 1至1 〇 〇毫 微米/秒之範圍內，較佳係由1至3 〇毫微米/秒之範圍 內。 本發明光阻組成物中之其他必要組分係爲成分（B ) ，其係爲輻射敏感性酸生成劑’或即可藉著光化輻射分解 而釋出酸之化合物。習用於化學放大光阻組成物之各種已 知輻射敏感性酸生成性化合物皆可毫無限制地使用於此情 況，其中以具有1至1 〇個碳原子之磺酸氟烷酯的翁鹽化 合物特佳。 該種翁鹽化合物之實例係包括三氟甲磺酸及九氟甲磺 酸二苯基鎭、三氟甲磺酸及九氟甲磺酸雙（4 -第三丁基 苯基）鎭、三氟甲磺酸及九氟甲磺酸三苯基锍、三氟甲磺 酸及九氟甲磺酸三（4 -甲基苯基）銃等，其中以三氟甲 磺酸及九氟甲磺酸雙（4 -第三丁基苯基）鎭特佳，唯前 述翁鹽化合物中之任一種皆可單獨或兩種或多種組合使用 〇 本發明光阻組成物中作爲成分（B ).之輻射敏感性酸 生成劑的用量係介於每1 0 0重量百分比作爲成分（A ) 之樹脂組份由1至1 0重量份數之範圍內。當成分（B ) 之用量太低時，經圖型化光阻層難以形成，而當其用量太 大時，均勻溶液形式之光阻組成物的製備因爲該化合物於 有機溶劑中之溶解度有限而具有困難，或即使可得到均勻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1Ό - ---------------^—訂---------i.^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1253542 A7 B7 五、發明說明（） 溶液，該溶液仍具有長期之儲存安定性降低之困擾。 除了前述必要組份即成分（A )及（B )之外，本發 明光阻組成物較佳含有脂族三級胺化合物以作爲成分（C )，以改善該經圖型化光阻層·之剖面圖型及該光阻層經成 像曝照光化輻射後的潛像保持安定性。 適用於此種目的之脂族三級胺化合物的實例係包括三 甲基胺、三乙基胺、三正丙基胺、三異丙基胺、三正丁基 胺、三異丁基胺、三-第三丁基胺、三戊基胺、三乙醇胺 、三丁醇胺等，其中以三乙醇胺基特佳，.唯前述胺化合物 之任一種皆可單獨或兩種或多種結合使用。在考慮對於經 曝光之光阻層的保持安定性、靈敏度及經圖型化光阻層之 剖面圖型之影響下，該胺化合物於本發明光阻組成物中之 用量——若有添加——係介於每1 0 0重量份數成分（A )爲0 . 1至1 . 0重量份數之範圍內。 另外，本發明光阻組成物較佳係與含磷之合氧酸或其 酯——作爲成分（D )摻合，以確定經圖型化光阻層之剖 面圖型的良好正交性，當於具有各種材料之塗層包括氮化 矽即S iN、S i 3N4及S i〇N、氮化钽、含磷及/ 或硼之玻璃PSG、BSG及BPSG等之基材表面形成 該光阻層時，不會有外裙曳尾及向上之狹窄。 適用之含磷合氧酸實例係包括磷酸、亞磷酸、膦酸及 亞膦酸。此等含磷酸之酯亦可作爲成分（D )，包括該酸 之單甲酯、單苯酯、單苄酯、二甲酯、二正丁酯、二苯酯 及二千酯，其中以膦酸苯酯尤佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) L----訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（9 ) 成分（D )於本發明光阻組成物中-一若有添加—一 之用量係介於每1 〇 〇重量份數成分（A)由〇 . 〇 1至 5重量份數之範圍內，或較佳係由〇 · 1至2 · 0重量份 數。當成分（D )之用量太低時，當然無法達成必要之改 善，而當其用量太高時，該光阻層可能產生薄膜厚度於成 像曝照光化輻射後於顯影處理中減少厚度之問題。 本發明光阻組成物係於均勻溶液之形式下使用，其係 藉著將特定量之前述必要成分及選擇性成分溶解於適當之 有機溶劑中而製備。適用之有機溶劑的實例係包括酮類溶 劑諸如丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊基酮及2 -庚酮、多元醇及其衍生物諸如乙二醇、乙二醇單乙酸酯、 二伸乙基二醇、二伸乙基二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇 單乙酸酯、二伸丙基二醇及二伸丙基二醇單乙酸醚及其單 甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚及單苯醚、環醚諸如二噁 烷及酯類諸如乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯 、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯 及乙氧基丙酸乙酯，唯不特別限制。此等有機溶劑可單獨 或兩種或多種混合使用。 前述方式製備之本發明光阻劑組成物當然另外摻以各 種已知習用於光阻組成物之添加劑，包括限定量之用以改 善該光阻層之薄膜性質之輔助樹脂、安定劑、著色劑、表 面活性劑等。 使用本發明光阻組成物之微影圖型化方法與使用習用 光阻組成物者無特別相異之處。例如，視情況具有前述塗 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱)ΓΤ2^ "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 A7 ____JB7_____ 1〇 五、發明說明（） 料之塗膜及有機防反射劑之防反射塗膜之基材諸如半導體 矽晶圓係使用適當之塗佈機諸如旋塗機均勻地塗佈本發明 光阻組成物，之後進行預先烘烤處理’以於該基材表面上 形成乾燥光阻層。之後，該光阻層經由具有圖型之光罩圖 型化曝照光化輻射諸如κ r F激光雷射光束’以於該光阻 層中建立潛像，之後進行曝光後烘烤處理。預先烘烤處理 及曝光後烘烤處理所使用之每個溫度皆應係1 3 0 °C或更 高，或較佳1 4 0°C或更高，因爲成分（A)中1 一烷基 環己基之酸可解離性係低於習用酸可解離基諸如乙醛基及 第三丁氧碳氧基。 於曝光後烘烤處理之後具有潛像之光阻層隨之使用鹼 顯影劑水溶液諸如0 . 1至1 0重量百分比氫氧化四甲基 銨水溶液進行顯影處理，以形成對於光罩圖型具有高保真 度之正型經圖型化光阻層。 本發明光阻組成物亦適於藉電子束掃描以圖型化。 下文中，藉實施例進一步詳述本發明正型光阻組成物 ，然而，絕不限制本發明之範圍。以下描述中， ''份數〃 一辭皆意指 ''重量份數〃。 實施例1 藉著於2 0 0份乳酸乙酯中溶解6 7份第一共聚物樹 脂--以下稱爲A 1 ’重量平均分子量爲8 0 0 0且由 6 7莫耳百分比之4 -羥基苯乙烯單元、2 2莫耳百分比 之苯乙烯單元及11莫耳百分比之甲基丙烯酸1一乙基環 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -TT- --------------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線- 1253542 A7 -----—_B7___________ 五、發明說明（11) 己酯單元所組成、3 3份第二共聚物樹脂- -以下稱爲樹 脂A 2 ’重量平均分子量爲8 〇 〇 〇且由6 7莫耳百分比 之4 -羥基苯乙烯單元、2 9莫耳百分比之苯乙烯單元及 4莫耳百分比之甲基丙烯酸1 一乙基環己酯單元所組成、 3 · 0份三氟甲磺酸二苯基銚、〇 · 1份三乙醇胺及 0 · 1份膦酸苯酯而製備均勻溶液形式之正型光阻組成物 ’另外添加基於溶液總量爲1 · 〇重量百分比之含氟之表 面活性劑（Fluorad FC-171，3M Co.之產物），之後經由 〇 · 2微米孔徑之膜濾器過濾該溶液。單獨由樹脂a 1或 A 2所形成之塗膜於2 3 °C下於4 · 5重量百分比氫氧化 四甲基銨水溶液中的膜厚縮減速率個別係爲〇 · 5毫微米 /秒及2毫微米/秒，而樹脂A1與A2之67 ·· 33重 量混合物之膜厚縮減速率係爲1 · 〇毫微米/秒。 表面上具有6 0毫微米厚之防反射塗液（AR3， Shipley Co·之產物）的防反射塗膜之半導體矽晶圓係於旋塗 器上均勻地塗佈先前製備之光阻溶液，之後於1 4 0 t下 於熱板上預先烘烤9 0秒，以形成厚度爲0 · 4 5微米之 光阻層。 所形成之光阻層係於縮小投影曝光Ji(M〇delFPA-3 000EX3，NA = 0.6，Canon Co.製造）上經由半色調光罩圖型曝 照K r F激光雷射光束歷經9 0秒，之後於2 3 °C下於2 • 3 8重量百分比氫氧化四甲基銨溶液中進行槳式顯影處 理歷經6 0秒，之後於1 0 0 °C下進行顯影後之烘烤處理 歷經6 0秒，以產生正型經圖型化光阻層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----：----訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 A7 ____B7_ 12 五、發明說明（） 所得之經圖型化光阻層的圖型解析度良好，故可於良 好解析度下得到0 . 1 5微米直徑的孔洞圖型。形成 〇· 1 5微米直徑之孔洞圖型時，聚焦深度容許度係爲 1 .〇5微米。 實施例2 用以形成經圖型化光阻層之實驗方法基本上係與實施 例1相同，不同處爲形成該光阻溶液時，樹脂A 1之用量 係隨著樹脂A2之省略而由6 7份增至1 〇 〇份。 所得之經圖型化光阻層的圖型解析度良好，故可於良 好解析度下得到具有0 . 1 6微米直徑的孔洞圖型。形成 〇· 1 6微米直徑之孔洞圖型時，聚焦深度容許度係爲 〇· 9〇微米。 施氟 實九 與之 係量 上同 本用 基使 法， 方時 驗液 實溶 之阻 層光 阻該 光成 化形 型爲 圖處 經同 成不 形， 3 以同 例用相 施 1 實 例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鎭 基 苯 二 酸 磺 甲 氟層 三阻 換光 置化 鎭型 基圖 苯經 二之 酸得 磺所 烷 洞 孔 有之 具徑 到直 。 得米米 下微微 度 6 ο 析 Γ-Η 解 · · 好 ο ο ο 圖微 的 6 型 良 於 可 故 好 良 度 析 解 型 洞 孔 的 徑 直 米 度 許 容 度 深 焦 聚 成 形 。爲 型係 圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1253542 A7 五、發明說明（13) 對照例1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用以形成經圖型化光阻層之實驗方法基本上係與實施 μ 1相同，不同處爲形成該光阻溶液時，使用1 0 0份第 Ξ S共聚物樹脂取代樹脂A 1及A 2 ，其重量平均分子量 ί系爲8 〇 〇 〇 ，由4 5莫耳百分比之甲基丙烯酸1 一乙基 胃£ I旨單元及5 5莫耳百分比之4 -羥基苯乙烯單元所組 成。 . 所得之經圖型化光阻層的圖型解析度顯然遜於前述實 施例’其中該解析孔洞圖型直徑之下限係爲〇 . 2 〇微米 ’ 該經圖型化光阻層係具有向下變窄之剖面圖型。形成 0 · 2 〇微米直徑之孔洞圖型時，聚焦深度容許度係爲 0 · 4微米。 對照例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用以形成經圖型化光阻層之實驗方法基本上係與實施 例1相同’不同處爲形成該光阻溶液時，使用6 7份第四 種共聚物樹脂-一重量平均分子量係爲1 0 0 0 0，由 6 5莫耳百分比之4 -羥基苯乙烯單元、2 0莫耳百分比 之苯乙烯單元及1 5莫耳百分比之丙烯酸第三丁酯單元所 組成-一及3 3份第五種共聚物樹脂——重量平均分子量 丄〇000 ，由75莫耳百分比之4 一羥基苯乙烯、2〇 莫耳百分比之苯乙烯單元及5莫耳百分比之丙烯酸第三丁 醋單元所組成--的組合物置換樹脂A 1及A 2，而含氟 之表面活性劑係由用量基於溶液總量計爲〇 · 1重量百分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1253542 A7 B7 14 五、發明說明（） 比之含氟及含砂之表面活性劑（Megafac R-08，Dai-nippon

Ink Chemical C◦.之產物）所取代。 所得之經圖型化光阻層的圖型解析度未特別較前述實 施例差，產生充分解析之具有0 . 1 5微米直徑的孔洞圖 型，形成0 · 1 5微米直徑之孔洞圖型時，聚焦深度容許 度係爲0 . 7 5微米。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 :17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 8 8 8 8 ABCD

   1253542 六、申請專利範圍 _9a a. -g] 第8 9 1 1 05 08號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國93年3月8日修正 1 · 一種化學放大正型光阻組成物，其包含下列物質 而在有機溶劑中成均勻溶液形式： (A ) —種樹脂化合物，其可藉著與酸相互作用而增 加其於鹼水溶液中之溶解度，基本上係由 (a )羥基苯乙烯單元或羥基一 α 一甲基苯乙烯單元 、（b)苯乙烯單元及（c)以下通式所示之（甲基）丙 烯酸1 -烷基環己酯單元所組成 — R1 Ί I —C Η 2一 C-- L I J c = o 0Ri 其中R 1係爲氫原子或甲基，且R 2係爲具有1至5個碳原 子之烷基，（a )、 （ b )、 （ c )之莫耳比各爲4 0至 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 80百分比，10至40百分比及2至30百分比；及 (Β )輻射敏感性酸生成劑，其可藉著照射光化輻射 而釋出酸，其係爲具有1至1 0個碳原子之氟烷基磺酸根離 子作爲陰離子之鏠鹽化合物，其量爲每1 0 0重量份數成 分（Α)爲1至10重量份數；及 (C )脂族三級胺化合物，係爲三烷醇胺化合物，其 量爲每100重量份數成分（Α)爲0.01至1.0重量份數。 本纸張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -1 - 1253542 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2。如申請專利範圍第1項之化學放大正型光阻組成 物，其中作爲成分（A )之樹脂組份基本上係爲由莫耳比 個別爲5 0至7 0百分比、1 0至3 〇百分比及1 〇至 2 0百分比的單體單元（a ) · ( b )及（c )所組成之 第一共聚物樹脂5與基本上係由莫耳比個別爲5 0至7 0 百分比、2 0至4 0百分比及2至10百分比的單體單元 (a ) 、 （ b )及（c )所組成之第二共聚物樹脂，以 9 0 : 1 0至5 0 : 5 0之重量比例組合而成。 3 ·如申請專利範圍第1項之化學放大正型光阻組成 物，其另外包含： (D)含磷之合氧酸化合物，用量爲每1 0 0重量份 數成分（A)由〇·01至5·0重量份數。 4 .如申請專利範圍第1項之化學放大正型光阻組成 物，其中所示單體單元（c )之通式中由R2所表示之烷基 係具有2至4個碳原子。 5 .如申請專利範圍第1項之化學放大正型光阻組成 物，其中該三烷醇胺化合物係爲三乙醇胺。 6 .如申請專利範圍第3項之化學放大正型光阻組成 物5其中成分（D )係爲膦酸苯酯。 7 · —種化學放大正型光阻組成物，其包含： (A ) —種樹脂化合物，其可藉著與酸相互作用而增 加其於鹼水溶液中之溶解度，基本上係由 (a )羥基苯乙烯單元或羥基- α -甲基苯乙烯單元 、（b )苯乙烯單元及（c )以下通式所示之（甲基）丙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X'297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C 鯓 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253542 as B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 烯酸1 -烷基環己酯單元所組成 Γ RJ Ί I —C Η 2 - C L ί J c = o I 〇 0R! 其中R1係爲氫原子或甲基，且R2係爲具有1至5個碳原 子之烷基，較佳係爲2至4個碳原子，（a ) 、（ b ) 、（ c )之莫耳比各爲40至80百分比，10至40百分比及2至30 百分比；及 (B ) —種輻射敏感性酸生成劑，其可藉著照射光化 輻射而釋出酸，且可於基材表面上形成一薄層，其於2 3 。(：下於4 . 5重量百分比氫氧化四甲基銨水溶液中溶解而 縮減厚度之速率係介於每秒1至30毫微米之範圍內’其量 爲每100重量份數成分（A)爲1至1〇重量份數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尺 張 -紙 本 CN 準 標 I家 I國 I國 -t 用 I適 A i釐 公 7 9 2 X