JP4294521B2 - ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
レジストパターンの微細化に対応するために、例えば、二層レジスト法、リフトオフ法、電子線リソグラフィー法等が提案されているが、アスペクト比が高い微細なレジストパターン、特に微細でアスペクト比の高い孤立パターンを安定して形成できるようにするには、好適なレジスト特性を有するホトレジストの開発が望まれていた。
本発明のネガ型レジスト組成物は、シルセスキオキサン樹脂(A)(以下、(A)成分ということがある)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、(B)成分ということがある)と、架橋剤成分(C)とを含む。
かかるネガ型レジスト組成物にあっては、露光により(B)成分から酸が発生すると、該酸が作用し、(A)成分と(C)成分との間で架橋が起こり、露光された部分がアルカリ不溶性となる。
シルセスキオキサン樹脂(A)は、前記一般式(I)で表される構成単位(a1)と、前記一般式(II)で表される構成単位(a2)とを有する。
上記一般式(III)中、R 3 としては、炭素数1〜5の直鎖状または分岐状の低級アルキル基、中でもメチル基が最も好ましい。また、−OR3の結合位置は、o位、m位及びp位のいずれでもよいが、工業的にはp位が好ましい。
また、Mw/Mnは、特に限定するものではないが、好ましくは1.0〜6.0、さらに好ましくは1.0〜2.0である。この範囲よりも大きいと解像度、パターン形状が劣化するおそれがある。
本発明において、(B)成分は、従来の化学増幅型レジスト組成物において使用されている公知の酸発生剤から特に限定せずに用いることができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類、ジアゾメタンニトロベンジルスルホネート類などのジアゾメタン系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、以下に示す構造をもつ1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物A、分解点135℃)、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン(化合物B、分解点147℃)、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物C、融点132℃、分解点145℃)、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物D、分解点147℃)、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン(化合物E、分解点149℃)、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物F、分解点153℃)、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物G、融点109℃、分解点122℃)、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物H、分解点116℃)などを挙げることができる。
(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜30質量部、好ましくは1〜15質量部とされる。上記範囲より少ないとパターン形成が十分に行われないおそれがあり、上記範囲を超えると均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となるおそれがある。
架橋剤成分(C)としては、公知の化学増幅型のネガ型ホトレジストの架橋剤として通常使用されているもの、例えばヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基から選ばれる少なくとも1個の架橋形成基を有するものの中から任意に選ぶことができ、特に制限はない。
このような架橋剤としては、例えばメラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、グリコールウリルなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、具体的にはヘキサメトキシメチルメラミン、ビスメトキシメチル尿素、ビスメトキシメチルビスメトキシエチレン尿素、テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、テトラキスブトキシメチルグリコールウリルなどを挙げることができる。
これらの中でも、尿素にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、例えばビスメトキシメチル尿素は、配合量に大きく左右されず良好なパターンが形成され、ネガ型ホトレジスト組成物の調製がしやすく特に好適に用いられる。
(C)成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のネガ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物(D)(以下、(D)成分という)を配合させることができる。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良いが、アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
(D)成分の具体例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のアルキルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールのアミンが挙げられる。これらのうち、炭素数7〜15のアルキル基を有する第2級または第3級の脂肪族アミンが好ましい。炭素数が7〜15のアルキル基を有することによって、該脂肪族アミンが、形成されたレジストパターン中で拡散しにくいため均等に分布できる。本発明において、特にトリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ドデシルアミンのようなアルキルアミンが好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらは、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
また、前記(D)成分との配合による感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(E)(以下、(E)成分という)を含有させることができる。なお、(D)成分と(E)成分は併用することもできるし、いずれか1種を用いることもできる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ‐n‐ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸‐ジ‐n‐ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
本発明のネガ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。
本発明のネガ型レジスト組成物は、上述の(A)成分、(B)成分、(C)成分等の材料を有機溶剤に溶解させて製造することができる。
有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールまたはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
本発明のネガ型レジスト組成物によれば、二層レジスト法により微細パターンを形成するのに好適なレジスト特性が得られ、膜減りを防止しつつ、微細な孤立パターンを安定して形成することができる。
そして本発明のネガ型レジスト組成物は、微細な孤立ラインパターンを安定して形成するのに好適なレジスト特性を有するとともに、イオン性エッチング時における磁性膜とのエッチングレートに適度な差がある為、膜減りを防止しつつ、高アスペクト比のレジストパターンを形成することができる。従って、磁性膜パターンの微細化を実現することができる。
電子線リソグラフィには、加速電圧2〜5kV程度の低加速電子線リソグラフィと、加速電圧30〜100kV程度の高加速電子線リソグラフィがあり、それぞれマスクを介して電子線を照射する方法と、マスクを用いずに直接描画する方法がある。本発明のネガ型ホトレジスト組成物はいずれにも好適に用いることができる。
また、高加速電子線リソグラフィーを用いる場合には、レジスト膜を透過して蓄積された電子の影響(バックスキャタリング)により、現像時に不溶であるべき部位まで電子線照射を受けた状態となることがある。この場合、ポジ型レジストにあっては溶解特性が不安定になり、レジストパターンの膜減り等が生じることがあるが、本発明のネガ型レジスト組成物にあっては、電子線が照射された部分は不溶化されるので、かかるバックスキャタリングによるレジストパターンの膜減り等の不都合を回避できる。
本発明のネガ型ホトレジスト組成物によれば、これらネガ型としての利点を損なうことなく、良好なレジスト特性が得られ、レジストパターンの微細化を達成することができる。かかる効果が得られるのは、ベース樹脂となる(A)成分を、前記(a1)単位と前記(a2)単位を有するコポリマーで構成したことによるものと考えられる。
以下、本発明のネガ型レジスト組成物を用い、二層レジスト法によりレジストパターンを形成する方法の実施形態を説明する。
まず、支持体上に、有機層を形成する。
支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたものなどを例示することができる。基板としては、例えばシリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウムなどの金属製の基板や、ガラス基板などが挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金などが使用可能である。
有機層を形成するための有機膜材料は、その上に形成されるレジスト層のような感光性を必ずしも必要とするものではない。半導体素子や液晶表示素子の製造において、下地材として一般的に用いられている、レジスト材料や樹脂材料を用いればよい。
分子量500以下の低核体の含有量(質量%)は、このGPC法による分析結果を、横軸にフラクション番号、縦軸に濃度をとってグラフとし、全曲線下面積に対する、分子量500以下の低分子フラクションの曲線下面積の割合(%)を求めることにより測定される。
また、分子量500以下の低核体の含有量が1質量%以下であることにより、微細な凹凸を有する基板に対する埋め込み特性が良好になる。低核体の含有量が低減されていることにより埋め込み特性が良好になる理由は明らかではないが、分散度が小さくなるためと推測される。
該レジスト積層体における、上部のレジスト層及び下部の有機層の厚さは、目的とするレジストパターンのアスペクト比と有機層のドライエッチングに要する時間を考慮したスループットのバランスから、トータルとして、好ましくは15μm以下、より好ましくは6μm以下である。トータルの下限値は特に限定されないが、好ましくは0.3μm以上、より好ましくは0.35μm以上である。
上部のレジスト層の厚さは、好ましくは30〜500nm、より好ましくは50〜300nmである。レジスト層の厚さをこの範囲内とすることにより、レジストパターンを高解像度で形成できる、ドライエッチングに対する十分な耐性が得られる等の効果がある。
下部の有機層の厚さは、好ましくは100nm〜14000nm、より好ましくは300〜5000nmである。有機層の厚さをこの範囲内とすることにより、高アスペクト比のレジストパターンが形成できる、基板エッチング時に十分なエッチング耐性が確保できる等の効果がある。
なお、有機層とレジスト層の間に、有機系または無機系の反射防止膜を設けてもよい。
電子線を用いる場合は、特に、低加速電子線を用いることが好ましく、具体的には、マスクを用いる低加速電圧電子ビーム方式の等倍リソグラフィ(LEEPL:Low Energy Electron beam Projection Lithography)等に好適に用いることができる。
続いて、これをアルカリ現像液、例えば0.05〜10質量%、好ましくは0.05〜3質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。その後、リンス処理、乾燥処理等を適宜行うことによって、上部のレジスト層をパターニングして、上部レジストパターンを形成する。
ドライエッチングの方法としては、ダウンフローエッチングやケミカルドライエッチング等の化学的エッチング;スパッタエッチングやイオンビームエッチング等の物理的エッチング;RIE(反応性イオンエッチング)等の化学的・物理的エッチングなどの公知の方法を用いることができる。
エッチングガスとしては、酸素、二酸化硫黄等があるが、酸素プラズマによるエッチングは解像度が高いこと、本発明の(A)成分が酸素プラズマに対する耐エッチング性が高いこと、汎用的に用いられている等の理由で、好ましくは酸素が用いられる。
このときのエッチング法としてはハロゲン系ガスを用いたエッチング法を好ましく用いることができる。
また、下部の有機層と上部のレジスト層が積層された積層体を用いてレジストパターンを形成するので、アスペクト比が高いパターンを形成する場合でもレジスト層を薄膜化することができる。一般的に、レジスト層を薄膜化することによって解像性が向上する一方で、ラインエッジラフネスやホールパターンのエッジラフネス(まとめてエッジラフネスというときがある)が顕著となる傾向があるが、特に本発明におけるレジスト層を構成しているレジスト組成物は、薄膜化した場合にも好適なアルカリ溶解性を得ることができるので、エッジラフネスの発生を低減させることができる。
以下、本発明のネガ型レジスト組成物を用いて磁性膜パターンを形成する方法の第1の実施形態として、リフトオフ法を用いて磁気ヘッドのリード部を形成する方法を図1を参照しながら説明する。
基板1は特に限定されず、シリコンウェーハ等が用いられる。基板1には、例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS)等のシランカップリング剤を用いて表面改質処理を行ってもよい。
基板1上の磁性膜2’に用いられる磁性体としては、公知慣用のものでよいが、例えば、Ni,Co,Cr,Pt等の元素を含むものが用いられ、単独で用いても良いし、数種の磁性体を基板上に積層させて用いても良い。磁性膜2’の膜厚は、好ましくは100〜1000nm程度に形成される。
磁性膜2’上の下地膜を形成する材料は特に限定されない。その中で、アルカリ可溶性の材料として例えばシプレー社製のポリメチルグルタルイミド(polymethylglutarimide 以下PMGIと略す)からなる塗布液等が挙げられる。アルカリ不溶性の材料として、従来、下層反射防止膜(BARC)として用いられている材料からなる塗布液や、前述した露光後の現像の際に用いられるアルカリ現像液に対して不溶性であり、且つ従来のドライエッチング法でエッチング可能な有機膜等を用いることができる。該材料からなる塗布液をスピンコーターによって塗布し、乾燥して下地膜3’を形成する。下地膜3’の厚さは300〜14000nm、好ましくは400〜5000nm程度が好適である。
また、アルカリ不溶性の下地膜を用いた場合は、レジストパターン4をマスクとして、下地膜3’をオーバーエッチングすることで、図1(b)に示した様な幅の狭い下地膜3’のパターン(下地膜パターン)3と、これより幅広のレジスト膜4’のレジストパターン4からなる断面羽子板状のリフトオフ用のパターン5が得られる。
続いて、スパッタリングを行うことにより、図1(d)に示したように、パターン5の上と、磁性膜パターン2の周囲の基板1の上に電極膜6が形成される。
この後、アルカリ可溶性の下地膜を用いた場合は、再度アルカリ現像液を用いて、下地膜パターン3を溶解する。アルカリ不溶性の下地膜を用いた場合は、磁性膜に悪影響を与えない方法であれば特に限定されないが、剥離液や酸素プラズマアッシングなどの公知の方法を用いることができる。これにより、レジスト膜4’のレジストパターン4が除去され、図1(e)に示した様に基板1とその上に形成された所定の幅の磁性膜パターン2と、その周囲に形成された電極膜6とからなる磁気ヘッドのリード部10が得られる。
特に本発明のネガ型レジスト組成物は、選択的露光に電子線を用いて、微細な孤立ラインパターンを形成するのに好適であり、電子線を用いた露光工程におけるスループットも良好である。したがって、磁気ヘッドのリード部の微細化に好適に対応することができ、磁気記録媒体の高密度化に寄与できる。
以下、本発明のネガ型レジスト組成物を用いて磁性膜パターンを形成する方法の第2の実施形態として、二層レジスト法を用いて磁気ヘッドのライト部を形成する方法を図2を参照しながら説明する。
まず、図2(a)に示す様に、基板1’の上に磁性膜11’を積層する。
基板1’および磁性膜11’は、上記磁性膜パターン形成方法(1)と同様である。
レジスト膜14’の厚さは30〜500nm、好ましくは、50〜300nm程度が好適である。
現像時間は、所望のレジストパターン形状が得られるように設定することができるが、短すぎるとパターンが裾引きとなったり、未露光部やその他の部分で溶け残りが起きたりするし、長すぎると膜減りが起こることがあるので、好ましくは25〜180秒間の範囲内とするのが好ましく、最も好ましいのは30〜120秒間の範囲内とするのが良い。
下地膜12’をエッチングする際に、その上層のレジストパターン14と下地膜12’とでエッチングの選択比が取れることから、レジストパターン14と下地膜パターン12との積層体からなるパターンのアスペクト比を高くすることができる。
特に、イオン性エッチング時における、レジストパターン14と下地膜パターン12とのエッチングレートと、磁性膜11’のエッチングレートとに適切な差を設けることによって、図2(d)に示すように、微細で且つアスペクト比の高い磁性膜パターン11を形成することが可能である。該微細で且つアスペクト比の高い磁性膜パターンを用いることで、磁記記録の高密度化を図ることができ好ましい。
以上のようにして、基板1’とその上に形成された所定の幅の磁性膜パターン11とからなる磁気ヘッドのライト部が得られる。
また本発明のネガ型レジスト組成物は、選択的露光に電子線を用いて、微細な孤立ラインパターンを形成するのに好適であり、電子線を用いた露光工程におけるスループットも良好である。したがって、磁気ヘッドのライト部の微細化に好適に対応することができ、磁気記録媒体の高密度化に寄与できる。
合成例1
かきまぜ機、還流冷却器、滴下漏斗及び温度計を備えた500ml三つ口フラスコに、炭酸水素ナトリウム1.00モル(84.0g)と水400mlを投入し、次いで滴下漏斗からp‐メトキシベンジルトリクロロシラン0.36モル(92.0g)とフェニルトリクロロシラン0.14モル(29.6g)とをジエチルエーテル100mlに溶かして2時間にわたってかきまぜながら滴下したのち、1時間還流した。反応終了後、反応生成物をジエチルエーテルで抽出し、抽出液からジエチルエーテルを減圧下に留去した。
このようにして得た加水分解生成物に10質量%−水酸化カリウム水溶液を加え、200℃で2時間加熱することにより、p‐メトキシベンジルシルセスキオキサン72モル%とフェニルシルセスキオキサン28モル%からなる共重合体A1(64.4g)を製造した。
合成例1において、フェニルトリクロロシランを用いなかったこと以外は、同様な方法を用いて行い、下記[化6]で表されるポリ-p‐ヒドロキシベンジルシルセスキオキサンを製造した。質量平均分子量は3000、分散度(Mw/Mn)は約1.5であった。
下記の(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、および(E)成分をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに均一に溶解し(固形分濃度3.5質量%)、ネガ型ホトレジスト組成物を調製した。
(B)成分としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを10質量部用いた。
(C)成分としては、下記化学式(1)で表される架橋剤を10質量部、
(D)成分としては、トリオクチルアミンを0.8質量部、
(E)成分として、サリチル酸を0.32質量部を用いた。
該有機層上に、先に調製したネガ型レジスト組成物をスピンナーを用いて塗布し、90℃で90秒間プリベーク処理(以下PABと記載することもある)し、乾燥することによりレジスト層を形成し、レジスト積層体を形成した。上部のレジスト層の厚さが50nmのものと、100nmのものの2種類を作製した。
次いで、該レジスト層に対し、電子線描画装置(製品名:HL−800D、HITACHI社製)を加速電圧70kVの設定で用い、描画を行った。
次いで、110℃、90秒間の条件で露光後過熱処理(以下PEBと記載することもある)し、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で60秒間現像処理した。この後、純水にて30秒リンスし、振り切り乾燥を行った後、100℃、60秒間の加熱乾燥を行うことによって、上部レジストパターンを形成した。
この上部レジストパターンをマスクとして、高真空RIE装置(東京応化工業社製)を用いて、酸素プラズマによるドライエッチングを行うことによって、下部有機層をパターニングして下部パターンを形成した。
上部レジスト層の厚さが50nm、100nmのいずれの場合も、ラインアンドスペースパターン(L/S)における解像度は50nmであり、孤立ラインパターン(Iso−Line)における解像度は70nmであった。また、レジストパターンの膜減りも無かった。
なお、膜厚50nm/100nmの際、固形分濃度がそれぞれ3.5質量%/5質量%となるように調節した。
予め、HMDSで表面改質処理された8インチシリコンウェーハ上に、実施例1と同じネガ型レジスト組成物をスピンナーを用いて塗布し、90℃で90秒間PAB処理し、乾燥することによりレジスト層を形成した。レジスト層の厚さが100nmのものと、200nmのものの2種類を作製した。
次いで、該レジスト層に対し、電子線描画装置(製品名:HL−800D、HITACHI社製)を加速電圧70kVの設定で用い、描画を行った。
しかる後、実施例1と同様にして、PEB処理、現像処理、リンス、振り切り乾燥、および加熱乾燥を行って、レジストパターンを形成した。
レジスト層の厚さが100nm、200nmのいずれの場合も、ラインアンドスペースパターンにおける解像度は50nmであり、孤立ラインパターンにおける解像度は70nmであった。また、レジストパターンの膜減りも無かった。
なお、膜厚100nm/200nmの際、固形分濃度がそれぞれ5質量%/15質量%となるように調節した。
下記表1に示すように、ネガ型レジスト組成物を調製し、実施例3、5、7、9、11、13、15、17、19、21及び23は実施例1と同様な方法を用いて行った。また、実施例4、6、8、10、12、14、16、18、20、22、24及び比較例1は実施例2と同様な方法を用いて行った。実施例1〜24の条件および評価結果を表2,3に示す。
また、表には記載していないが、実施例1〜24において、レジストパターンの膜減りは無かった。
PAG1は、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを示し、
PAG2は、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートを示し、
PAG3は、ビス−O−(n−ブチルスルホニル)−α−ジメチルグリオキシムを示し、
PAG4は、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンを示し、
化学式(1)〜(3)は、上記[化7]の化学式(1)〜(3)で表される化合物をそれぞれ示し、
PMは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを示し、
PEは、プロピレングリコールモノメチルエーテルを示す。
また、表2,3において、L/Sはラインアンドスペースパターンにおける解像度を示し、Iso−Lineは孤立ラインパターンにおける解像度を示す。
Claims (9)
- 下記化学式(I)
前記酸発生剤成分(B)と前記架橋剤成分(C)との組合せが、(B)フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするスルホニウム塩と(C)グリコールウリル系又はメラミン系の架橋剤との組合せ、又は(B)オキシムスルホネート系酸発生剤と(C)エチレン尿素系の架橋剤との組合せ、又は(B)オキシムスルホネート系酸発生剤とジアゾメタン系酸発生剤の混合物と(C)エチレン尿素系の架橋剤との組合せである、
ことを特徴とするネガ型レジスト組成物。 - 前記シルセスキオキサン樹脂(A)が、前記構成単位(a1)50〜95モル%、前記構成単位(a2)5〜40モル%、および前記構成単位(a3)0〜20モル%を有する請求項1または2のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
- 前記シルセスキオキサン樹脂(A)の質量平均分子量(Mw)が1000以上15000以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
- さらに、含窒素有機化合物(D)を含有する請求項1〜4のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
- 支持体上に有機層を設け、該有機層上に請求項1〜5のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いてレジスト層を設ける工程と、該レジスト層をパターニングして上部レジストパターンを形成する工程と、該上部レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行うことによって前記有機層をパターニングして下部レジストパターンを形成する工程と、前記上部レジストパターンおよび下部レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって前記支持体にパターンを形成する工程とを有する二層レジスト法である、パターン形成方法。
- 磁性膜上に、請求項1〜5のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンをマスクとしてイオン性エッチングを行うことにより前記磁性膜をパターニングする工程を有する磁性膜パターン形成方法。
- 磁性膜上に形成された下地膜パターンと、該下地膜パターン上に請求項1〜5のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンからなるリフトオフパターンをマスクとしてイオン性エッチングを行うことにより前記磁性膜をパターニングする工程を有する磁性膜パターン形成方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いて形成されたレジスト層に対して電子線による選択的露光を行う工程を有するレジストパターン形成方法。
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