TWI251447B - Organic EL element and method of producing the same - Google Patents

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1251447 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機E L (電致發光）元件，及亦關於其 之製造方法。 【先前技術】 有機EL元件係經構造成將單位面積之電極相對置於基 板上方，將其中一個電極使用作為施加正電壓之陽極，將 另一電極使用作為施加負電壓之陰極，及將包括發光層之 有機材料層插置於電極之間的表面發射裝置。當於電極之 間施加電壓時，電子自陰極注入至發光層中，電洞自陽極 注入至發光層中，及於發光層中發生電子-電洞再結合，因 而導致發光。當將複數個此種有機E L元件於基板上方以矩 陣形成為單元表面發射元件，然後再以點陣系統驅動時， 可形成可顯示高鮮明度影像之自發光平面顯示器。 此一有機EL元件之特徵在於發光層係由有機材料所形 成。為注入電子或電洞及改良電子-電洞再結合之效率，通 常將電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層、及電子輸送 層選擇性地置於發光層與電極之間，且各層係由約3 0至 2 0 0奈米之薄層所形成。如前所述，有機E L元件之有機材 料層係由薄膜之堆疊所構成。因此，當外來物質在層之成 長過程中進入有機材料層，或當電極粗糙時，易於成長步 驟中產生局部未成長部分。結果，形成一結構，其中此種 未成長部分有由於漏電流之產生而導致於電極之間之部分 短路、異常發射及暗點形成等等的傾向。 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 於例如 JP-A-2001-68272 及 JP-A-2000-91067 中揭示一 種技術作為以上問題的對策。在此技術中，將電洞注入及 輸送材料於陽極（電洞注入電極）上方在寺於或1¾於材料之 玻璃轉移溫度的溫度下熱處理，及前述之未成長部分經由 使用熱熔合材料與鄰近材料合併的現象而被覆蓋。 在習知之技術中，將形成於陽極上方及由電洞注入及輸 送材料所製成之一層熱處理，以覆蓋局部未成長部分。會 產生前述問題之外來物質諸如灰塵或粗糙通常甚大於各有 機材料層之膜厚。因此，即使當經熱處理之一層之未成長 部分可經由層之加熱程序而被覆蓋時，亦有會在堆疊於外 來物質或粗縫上之另一層中形成未成長部分的可能性。在 於另一層中形成未成長部分之情況中，會以如同前述情況 相同之方式產生此種由於發生漏電流所致之異常發射及暗 點形成的問題。 在要堆疊多個有機材料層時，不同的材料係視層之功能 使用。然而，此等材料並不一定具有令人滿意的界面接面 性質。因此，視所選擇之材料而定，電荷無法平順地穿越 界面，而無法得到優異的電壓-電流特性。 相對地，在將形成於電極上方之有機材料層熱處理之情 況中，表面狀態會發生輕微的變性。因此，當將另一有機 材料層堆疊於層上方時，會有在堆疊有機材料層之間之界 面的接面性質減損，且電子或電洞之穿越通過界面受阻的 可能性。在此情況，亦會有所得有機E L元件之電壓-電流 特性受到不利影響，及亮度特性退化的可能性。 6 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 【發明内容】 本發明之一目的為處理以上問題。換言之，本 的係諸如當經由堆疊複數個有機材料層而形成有 件時，不會於堆疊層中形成局部未成長部分，且 生由於產生漏電流所致之在電極之間的部分短路 射及暗點形成等等，及可使電荷相當良好地穿越 有機材料層之間之界面，及確保有機EL元件之令 亮度特性。 為達成目的，根據本發明之有機EL元件及有斗 之製造方法至少包含下列形態。 一種有機EL元件，其中將第一電極形成於基才 將包括至少一發光層之複數個有機材料層堆疊於 上方，及將第二電極形成於有機材料層上方，其 兩有機材料層在等於或南於分別構成有機材料層 玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度下熱處 少兩有機材料層具有供電子或電洞穿越之界面。 一種製造有機EL元件之方法，其中將第一電才 基板上方，將包括至少一發光層之複數個有機材 於第一電極上方，及將第二電極形成於有機材料 其中此方法包含下列步驟：成長至少兩有機材料 少兩有機材料層具有供電子或電洞穿越之界面； 長之有機材料層在等於或高於分別構成有機材料 之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度下熱 【實施方式】 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 發明之目 機E L元 可避免發 、異常發 通過堆疊 人滿意的 I； E L元件 ί上方， 第一電極 中將至少 之材料之 理，此至 k形成於 料層堆疊 層上方， 層，此至 及將經成 層之材料 處理。 7 1251447 現將參照附圖更詳細說明本發明之較佳具體例。 以下將參照附圖說明本發明之一具體例。圖1及2係說 明本發明之一具體例之有機EL元件之圖式。此有機EL元 件具有將第一電極2形成於基板1上方，將有機材料層3 堆疊於第一電極2上方，及將第二電極4形成於有機材料 層3上方之基本形態。 關於第一特徵，如圖1所示，有機材料層3之至少兩有 機材料層3 A、3 B具有供電子或電洞穿越之界面3 A !、3 A 2、 3Βι、3B2。兩有機材料層3 A、3 B係由在等於或南於分別構 成有機材料層之材料之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點 之溫度下熱處理之層所形成。 根據此形態，即使當在第一電極2或某一個有機材料層 上方存在外來物質諸如灰塵或粗糙時，亦將堆疊於電極或 層上之至少兩有機材料層3 A、3 B熱處理。因此，於各層中 形成局部未成長部分之比相較於在單一層上方進行加熱程 序之情況顯著地降低，以致可有效率地防止產生諸如由於 在有機EL元件中發生漏電流所致之異常發射及暗點形成 的問題。即使係在相對於各層厚度大之外來物質的情況 中，由於將多層熱處理使其炫合，因而外來物質可被較僅 於單一層上進行加熱程序之習知情況大兩倍以上之厚度包 圍，且可確實地避免未成長部分。因此，可改良產品良率， 且可降低製造成本。 由於將成長於另一有機材料層之表面上之有機材料層 熱處理，因而成長於另一有機材料層之表面上之有機材料 8 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 層經熔合及仿形至表面，以致可使在層間之界面的接面性 質較於僅藉由薄膜成長堆疊此等層之情況中者優良。因 此，電荷可平順且均勻地穿越界面，可在預設的電壓-電流 特性下確保令人滿意的亮度特性，且可相較於僅藉由基於 蒸氣沈積等等之薄膜成長堆疊此等層之情況改良熱安定 性。 關於除前述特徵外的第二特徵，此具體例之特徵在於構 成有機材料層3或有機材料層3 B之任一者之材料的玻璃轉 移點較構成相對於有機材料層3 B在基板1之側上方之有機 材料層3 A之材料的玻璃轉移點低。換言之，在具有支承基 板/第一電極1 /有機材料層（1 )/.../有機材料層（m ) /有機材料層（η )/... /第二電極4之結構之有機EL 元件中5使用材料ί以致構成有機材料層（IJ))之材料的玻璃 轉移點T g m大於構成有機材料層（η )之材料的玻璃轉移點 T g η或T g m > T g η，且將各層在層之玻璃轉移溫度附近之溫 度下熱處理。 根據此形態，當要將形成於已經熱處理之有機材料層3Α 上方之有機材料層3 Β熱處理時，加熱程序係在構成層之材 料之玻璃轉移點附近的溫度下進行，因而可進行熔合有機 材料層3 Β之加熱程序，而不會使置於層3 Β下方之有機材 料層3Α熔融。因此，可使各層熔合，而不會使形成於層下 方之有機材料層的物性改變，由此可防止形成未成長部分。 關於除前述特徵外的第三特徵，此具體例之特徵在於有 機材料層3係以分別構成有機材料層之材料之降低玻璃轉 312/發明說明書(補件)/93-08/93〗16368 9 1251447 移點之次序堆疊於基板1上方。根據此形態，當要將其中 一個有機材料層3熱處理時，將加熱程序之溫度設於構成 層之材料之玻璃轉移點附近，因而可於層上方進行加熱程 序，而不會不利地影響置於層下方之層。 關於除前述特徵外的第四特徵，此具體例之特徵在於將 相鄰堆疊之至少兩有機材料層3 C、3 D之各者在等於或高於 構成有機材料層3 C或3 D之材料之玻璃轉移點及等於或低 於材料熔點之溫度下熱處理（見圖2 )。根據此形態，亦對 堆疊於已經熱處理之有機材料層上方之有機材料層施行加 熱程序。因此，即使當已經熱處理之有機材料層之表面變 性時，堆疊於表面上之有機材料層亦經熔合及仿形至表 面，以致可使在層間之界面的接面性質變優良。結果，電 荷可平順且均勻地穿越界面，可在預設的電壓-電流特性下 確保令人滿意的亮度特性，且可改良熱安定性。 以下將說明具有此等特徵之有機EL元件的各組件。 a. 基板 根據待由有機EL元件形成之顯示器面板的形狀，基板1 可具有任何一種形狀諸如平板狀形狀、薄膜狀形狀、及球 體形狀。基板可由諸如玻璃、塑膠、石英、或金屬之材料 製成。在要形成其中之光係自基板側發射之底部發射顯示 器面板的情況中，使用透明材料。相對地，在要形成其中 之光係自與基板相對之侧發射之頂部發射顯示器面板的情 況中，可使用具有任何透明度之材料。在底部發射顯示器 面板之情況中之材料的較佳例子為透明玻璃及透明塑膠。 10 3〗2/發明說明書(補件)/93-08/93】16368 1251447 b. 電極 可將形成於基板1上方之第一電極2及形成於有機材料 層3上方之第二電極4之任一者使用作為陽極或陰極。陽 極係由具較陰極高之功函數的材料所製成，或由金屬諸如 鉻（C r )、翻（Μ 〇 )、鎳（N i )、或鉑（P t )之薄膜，或透明導體 諸如氧化銦（I η 2 0 3 )、I T 0、或I Z 0之薄膜所構成。相對地， 陰極係由具較陽極低之功函數的材料所製成，或由金屬諸 如鋁（A 1 )或鎂（M g )、非晶形半導體諸如經摻雜之聚苯胺或 經摻雜之聚伸苯基-伸乙稀基、或氧化物諸如C r 2 0 3、N i 0、 或Μ Π2〇5之薄膜所構成。通常將光發射通過之電極形成為 透明電極。或者，可使用其中第一電極2及第二電極4兩 者係由透明材料製成，及將反射薄膜設置於與光發射側相 對之側上方之形態，將反射薄膜設置於第一電極2之側上 方以形成頂部發射元件之形態，或將反射薄膜設置於第二 電極4之側上方以形成底部發射元件之形態。 關於在基板1上方以點陣形成複數個有機EL元件之電 極結構，可使用以下系統之任一者：將多個第二電極4形 成為與以條紋方式形成之多個第一電極2正交，將有機EL 元件形成於第一電極2及第二電極4之各別相交表面，及 經由對選定的第一及第二電極施加電壓而驅動有機E L元 件之被動驅動系統；及將各別顯示器單元之單元電極（像元 電極）於基板1上方形成為第一電極2，將覆蓋單元電極之 共同電極形成為第二電極4，及利用各別主動元件諸如薄 膜電晶體驅動顯示器單元之主動驅動系統。第一電極2可 11 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 經由薄膜成長諸如蒸氣沈積或濺鍍形成，及經由應用光 罩、微影術等等圖案化。第二電極4可經由薄膜成長諸如 蒸氣沈積或濺鍍形成，及經由應用光罩、電極隔膜等等圖 案化。 c .有機材料層 有機材料層3通常係經由電洞輸送層、發光層、及電子 輸送層所組成之有機發光功能層所形成。在本發明中，發 光層可以單層形成。發光層可以多層形成。或者，可堆疊 發光層、電洞輸送層、及電子輸送層，替代單層堆疊。.可 將電洞輸送層及電子輸送層之一或兩者省略。可根據顯示 器面板之用途插入有機功能層諸如電洞輸送層及電子輸送 層。 有機材料層之堆疊可利用下列方法形成：濕式方法，包 括塗布方法諸如旋塗法或蘸塗法，及印刷方法諸如噴墨法 或網印法；或乾式方法諸如蒸氣沈積法或雷射轉移法。 當將在基板1之側上方之第一電極2設為陽極，將第二 電極4設為陰極，及將有機材料層3以構成層之材料之降 低離子化位能之次序堆疊時，電荷可平順地於層之間輸 送，且可延長元件之壽命。 雖然以下顯示形成電洞注入層及電洞輸送層之電洞注 入及輸送材料、形成發光層之發光材料、及形成電子注入 層及電子輸送層之電子注入及輸送材料的明確例子，但本 發明之具體例並不受限於此等材料，且可根據功能適當地 選擇其他材料。 12 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 電洞注入及輸送材料：在用於構成電洞注入層之材料 中，其之離子化位能應低（5 . 0電子伏特或以下）。電洞輸 送層僅需具高電洞移動率。關於電洞輸送層之材料，可選 擇任一種習知之化合物。 此等材料之明確例子為：D卜啉化合物諸如酞青素銅 (Cu-Pc);星狀（starburst)胺諸如m-MTDATA;芳族第三胺 諸如聯苯胺聚合物、4，4 ’ -雙[N - ( 1 -萘基）-N -苯胺基]聯苯 (NPB)、及N -苯基-對苯二胺（PPD);二苯乙烯化合物諸如 4-(二-對甲苯胺基）-4’-[4-（二-對曱苯胺基）苯乙烯基]二 苯乙烯；及有機材料諸如三唑衍生物、及苯乙烯基胺化合 物。亦可使用將低分子量電洞注入及輸送有機材料分散於 聚合物諸如聚碳酸酯中之聚合物分散材料。 發光材料：發光材料之明確例子為：芳族二次曱基化合 物諸如4, 4，-雙（2, 2’-二苯乙烯基）聯苯（DPVBi);苯乙烯 基苯化合物諸如1，4 -雙（2 -甲基苯乙烯基）苯；三唑衍生物 諸如3-(4-聯苯）-4 -苯基-5-第三丁苯基-1，2, 4-三唑 (T A Z )；螢光有機材料諸如蔥醌衍生物、及苐酮衍生物；螢 光有機金屬化合物諸如（8 -經嗜琳）铭錯合物（A 1 q 3 );聚合 物材料諸如聚對伸苯基伸乙烯基（P P V )、聚烯烴、及聚乙烯 基咔唑（P V K );及將來自三重激子之磷光使用於發光之有機 材料諸如鉑錯合物及銥錯合物。發光材料可僅由此一發光 材料構成，或者可包含電洞輸送材料、電子輸送材料、添 加劑（供體、受體等等）、發光摻雜劑等等。此等材料可分 散於聚合物材料或無機材料中。 13 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 電子注入及輸送材料：電子注入層係插置於電子輸送層 與陰極之間。將促進電子自陰極之注入之具大電子親和力 的材料使用作為電子注入層。電子輸送層僅需具有將自陰 極注入之電子輸送至發光層之功能。關於電子輸送層之材 料，可選擇任一種習知之化合物。 此種材料之明確例子為：矽環戊二烯（矽羅（s i 1 ο 1 e ))衍 生物諸如P y P y S P y P y ;有機材料諸如經硝基取代之苐酮衍 生物、及蔥S昆二甲烧衍生物；8 - σ奎琳醇衍生物之金屬錯合 物諸如參（8 -經ϋ奎琳）紹（A 1 q 3);三°坐化合物諸如金屬酜青 素、及3-(4-聯苯）-5-(4-第三丁苯基）-4_苯基-1，2，4-三 唑（T A Z );垮二唑化合物諸如2 - ( 4 -聯苯基）-5 - ( 4 -第三丁 基）-1 , 3，4 -,二唑（P B D );及金屬氧化物諸如L i 0 2。 圖3 A及3 B係說明形成有機E L元件之製造方法之圖式。 圖3A係概略顯示製造方法之流程的流程圖，及圖3B係顯 示在此方法中形成有機材料層之步驟流程的流程圖。如圖 3 A所示，在基本製造步驟中，將第一電極2形成於基板1 上（S 1 )，將包括至少一發光層之多個有機材料層3堆疊於 第一電極2上方（S 2 )，及將第二電極4形成於有機材料層 3上方（S3)。 此製造方法具有以下的特徵步驟。換言之，此方法具有 於成長至少兩具有供電子或電洞穿越之界面之有機材料層 3 A、3 B之步驟（S 2 1 )之後，將有機材料層3 A、3 B在等於或 南於分別構成有機材料層3 A、3 B之材料之玻璃轉移點及寻 於或低於材料熔點之溫度下熱處理之步驟（S 2 2 )。將參照圖 14 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 3 B說明要將前述之有機E L元件之具體例中之所 料層3熱處理的情況。當利用各種成長方法之其 法而成長一有機材料層的成長步驟（S 2 1 )結束時， 移至立即於層上施行加熱程序之加熱步驟（S 2 2 )。 材料層上重複此程序。當最上方的有機材料層經 有機材料形成步驟（S 2 )結束，及將控制轉移至後 電極形成步驟（S 3 )。或者，於成長多個有機材料 (S 2 1 )結束後，可對經於成長步驟（S 2 1 )中成長之 有機材料層施行加熱步驟（S 2 2 )。 加熱步驟（S 2 2 )可以下列方式進行。將加熱單f 於其中成長有機材料層之薄膜成長室中，及於薄 束後，視需要進行加熱程序。或者，可另外設置一 可將其上經成長有機材料層之基板1自各別的薄 移至加熱室，然後可於加熱室中進行加熱程序。 單元，可使用加熱器加熱、I R輻照等等。雖然將謂 但各別對應於前述有機EL元件之具體例之製造d 用類似的加熱步驟而進行。 [實施例] 以下將說明進一步的明確例子。 [實施例1 ] 首先，利用蒸氣沈積或濺鍍於玻璃基板上方形 薄膜作為以預定間隔設置成彼此平行之第一電極 用微影術將其圖案化成期望形狀。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度4 5奈米之一； 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 有有機材 中一種方 將控制轉 於各有機 處理時， 續的第二 層之步驟 一批多個 匕設置於 膜成長結 加熱室， 膜成長室 關於加熱 ，明省略， f法係使 成ITO之 ，然後利 7 &青素 15 1251447 銅（C ιι - P c )作為電洞注入層。利用蒸氣沈積於電洞注入層上 方形成厚度40奈米之一層PPD作為第一電洞輸送層。 利用設置於其中成長第一電洞輸送層之薄膜成長室中 之加熱單元，設定等於或高於P P D之玻璃轉移點T g = 1 3 0 °C 之範圍之加熱溫度，明確言之為1 3 0至1 8 0 °C ，及以1 4 0 至150 °C較佳，及將第一電洞輸送層於薄膜成長室中熱處 理，以於減壓或真空狀態下熔合。加熱時間係約5分鐘。 使用加熱器加熱或ii化物燈作為加熱單元。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度40奈米之一層NPB作 為第二電洞輸送層。同樣地，將第二電洞輸送層在等於或 高於NPB之玻璃轉移點Tg = 98°C之溫度範圍内（明確言之為 1 0 0至1 3 0 °C )熱處理使其熔合。此時，加熱程序係在等於 或低於第一電洞輸送層之Tg之溫度下進行，因此第一電洞 輸送層不會炫融。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度8 0奈米之一層A 1 q 3作 為電子輸送及至少一發光層。此外，蒸氣沈積厚度10奈米 之一層Li〇2作為電子注入層，及將A1堆疊於電子注入層 上方作為第二電極。 [實施例2 ] 利用蒸氣沈積或濺鍍於玻璃基板上方形成I TO之薄膜作 為以預定間隔設置成彼此平行之第一電極，然後利用微影 術將其圖案化成期望形狀。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度4 5奈米之一層係為星 形化合物之2 - T N A T A作為電洞注入層。以與前述實施例類 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 16 1251447 似之方式，將電洞注入層在等於或高於2 - T N A Τ A之玻璃轉 移點T g = 1 1 0 °C之溫度範圍内（明確言之為1 1 0至1 6 0 °C，及 以1 1 5至1 3 5 °C較佳）熱處理使其熔合。利用蒸氣沈積在電 洞注入層上方形成厚度40奈米之一層NPB作為電洞輸送 層。以如前所述之類似方式，將電洞輸送層在等於或高於 N P B之玻璃轉移點T g = 9 8 °C之溫度範圍内（明確言之為1 0 0 至1 1 0 °C )熱處理使其熔合。此時，電洞輸送層係在等於或 低於電洞注入層之Tg之溫度下加熱，因此電洞注入層不會 熔融。 接下來，以如實施例1之類似方式，利用蒸氣沈積方法 連續堆疊至少一發光層、電子注入層、及陰極。在此情況， 2-TNATA之離子化位能為Ip = 5.1電子伏特，及NPB之離子 化位能為I p = 5 . 4電子伏特。因此，在由實施例所製得之有 機EL元件中，可達到優異的耐用性。 [實施例3 ] 利用蒸氣沈積或濺鍍於玻璃基板上方形成I T 0之薄膜作 為以預定間隔設置成彼此平行之第一電極，然後利用微影 術將其圖案化成期望形狀。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度4 0奈米之一層P P D作 為電洞輸送層。以如前所述之類似方式，將電洞輸送層在 等於或高於P P D之玻璃轉移點T g = 1 3 0 °C之溫度範圍内（明 確言之為1 3 0至1 8 0 °C ，及以1 4 0至1 5 0 °C較佳）熱處理使 其炫合。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度5 0奈米之一層A 1 q 3 17 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 (T g = 1 7 5 °C ，I p = 6 . 1電子伏特）作為發光層。利 在發光層上方形成一層PyPySPyPy(Tg = 90°C ，] 伏特）作為電子輸送層。其後以如前所述之類似 子輸送層在等於或高於PyPySPyPy之Tg之溫肩 確言之為9 0至1 3 0 °C，及以1 0 0至1 2 0 °C較佳） 熔合。此時，由於將電子輸送層在低於堆疊於 下方之電洞輸送層及發光層之材料之Tg的溫肩 理，因而電洞輸送層及發光層不會熔融。其後 1類似之方式堆疊電子注入層及陰極。 [實施例4 ] 於基板上方蒸氣沈積作為陰極材料之A 1作為 極，然後再圖案化。利用蒸氣沈積於第一電極 度50奈米之一層A1Q3作為電子輸送層。 接下來，利用蒸氣沈積形成厚度40奈米之一 稀基伸芳基衍生物（IDE120(Idemitsu Kosan C 產品），T g = 1 0 6 °C )作為發光層。其後將發光層 於I D E 1 2 0之T g之溫度範圍内（1 2 0至1 7 0 °C，以 °C較佳）熱處理使其熔合。 接下來，利用蒸氣沈積於發光層上方形成厚 之一層N P B ( T g = 9 8 t )作為電洞輸送層。其後將 在等於或高於NPB之Tg之溫度範圍内（明確言 1 3 0 °C ，以1 1 0至1 2 0 °C較佳）熱處理使其熔合 蒸氣沈積形成厚度40奈米之一層m-MTDATA(Tg 電洞注入層。接著將電洞注入層在等於或高於 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368

用蒸氣沈積 [P二6. 1電子 方式，將電 L範圍内（明 熱處理使其 電子輸送層 :下熱處 以如實施例 7第一電 上方形成厚 -層二苯乙 〇 . , L t d .之 在等於或高 1 30 至 150 度40奈米 電洞輸送層 之為1 0 0至 。其後利用 = 7 5°C )作為 m-MTDATA 18 1251447 之T g之溫度範圍内（明確言之為7 5至1 Ο 5 °C，以8 0至1 Ο Ο °C較佳）熱處理使其熔合。利用蒸氣沈積於電洞注入層上方 形成I T 0作為陽極。 根據說明於上之具體例及實驗，將形成有機EL元件之 至少兩有機材料層在％於或南於分別構成有機材料層之材 料之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度下熱處理， 此至少兩有機材料層具有供電子或電洞穿越之界面。因 此，不會於堆疊層中形成局部未成長部分，且可防止發生 由於產生漏電流所致之在電極之間之部分短路、異常發射 及暗點形成。再者，可使電荷相當良好地穿越通過堆疊有 機材料層之間之界面，及確保有機EL元件之令人滿意的亮 度特性。此外，可獲致足夠的熱安定性及延長的壽命期。 已呈現前述本發明之較佳具體例之說明作為敘述及說 明用。其並非巨細靡遺，或要將本發明限制為所揭示之確 切形式，且可依據以上之教示或可由實施本發明而對其進 行修改及變化。選擇及說明具體例係為了說明本發明之原 理及其之實際應用，以使熟悉技藝人士可將本發明利用於 各種具體例，及所考慮之特殊用途適合的各種修改。本發 明之範圍係由隨附之申請專利範圍及其之對等内容所定 義。 【圖式簡單說明】 本發明之此等及其他目的及優點將可由以上之詳細說 明結合附圖而更加明白，其中： 圖1係說明本發明之一具體例之有機EL元件之圖式； 19 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 圖2係說明本發明之具體例之有機EL元件之圖式； 圖3A及3B係說明製造本發明之具體例之有機EL元件 之方法之圖式。 (元件符號說明） 1 基板 2 第一電極 3 有機材料層 3 A 有機材料層 3 A 1 界面 3 A 2 界面 3 B 有機材料層 3Βι 界面 3B2 界面 3 C 有機材料層 3D 有機材料層 4 第二電極 20

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Claims (1)

1251447 拾、申請專利範圍： 1 . 一種有機E L元件，包含·· 基板； 形成於基板上方之第一電極； 堆疊於第一電極上方之包括至少一發光層之複數個有 機材料層；及 形成於有機材料層上方之第二電極， 其中，將至少兩有機材料層在等於或高於分別構成有機 材料層之材料之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度 下熱處理，該至少兩有機材料層具有供電子或電洞穿越之 界面。 2. 如申請專利範圍第1項之有機E L元件，其中，構成 任一有機材料層之材料之玻璃轉移點較構成相對於該任一 有機材料層在基板側上方之有機材料層之材料的玻璃轉移 點低。 3. 如申請專利範圍第1項之有機E L元件，其中，該有 機材料層係以分別構成有機材料層之材料之下降玻璃轉移 點之次序堆疊於基板上方。 4. 如申請專利範圍第1項之有機E L元件，其中，將至 少兩有機材料層之各者在等於或高於構成有機材料層之材 料之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度下熱處理， 該至少兩有機材料層係相鄰堆疊。 5 . —種有機E L元件之製造方法，其中將第一電極形成 於基板上方，將包括至少一發光層之複數個有機材料層堆 21 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368 1251447 疊於第一電極上方，及將第二電極形成於有機材料層上 方，該方法包含下列步驟： 成長至少兩有機材料層，該至少兩有機材料層具有供電 子或電洞穿越之界面；及 將經成長之有機材料層在等於或高於分別構成有機材 料層之材料之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度下 熱處理。 6 ·如申請專利範圍第5項之有機E L元件之製造方法， 其中’構成任一有機材料層之材料之玻璃轉移點較構成相 對於該任一有機材料層在基板側上方之有機材料層之材料 的玻璃轉移點低。 7 .如申請專利範圍第5項之有機E L元件之製造方法， 其中，該有機材料層係以分別構成有機材料層之材料之下 降玻璃轉移點之次序堆疊於基板上方。 8 .如申請專利範圍第5項之有機E L元件之製造方法， 其中，將至少兩有機材料層之各者在等於或高於構成有機 材料層之材料之玻璃轉移點及等於或低於材料熔點之溫度 下熱處理，該至少兩有機材料層係相鄰堆疊。 22 312/發明說明書(補件)/93-08/93116368