KR20120045475A - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
유기전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120045475A KR20120045475A KR1020100107040A KR20100107040A KR20120045475A KR 20120045475 A KR20120045475 A KR 20120045475A KR 1020100107040 A KR1020100107040 A KR 1020100107040A KR 20100107040 A KR20100107040 A KR 20100107040A KR 20120045475 A KR20120045475 A KR 20120045475A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- emitting layer
- electrode
- hole
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 224
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/361—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공기능층, 상기 정공기능층 상에 위치하는 제 1 발광층, 상기 제 1 발광층 상에 위치하는 제 2 발광층, 상기 제 2 발광층 상에 위치하는 전자기능층 및 상기 전자기능층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 정공기능층과 상기 제 1 발광층은 용융된 것일 수 있다.
Description
본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 제 1 전극과 유기층 또는 유기층들 간의 계면특성을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층을 포함하고 있어 제 1 전극으로부터 공급받는 정공과 제 2 전극으로부터 받은 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
그러나, 상기와 같은 유기전계발광소자는 사용되는 재료나 적층구조 등에 따라 소자의 수명 및 효율에 큰 영향을 미친다. 따라서, 보다 우수한 수명 및 효율을 갖는 유기전계발광소자를 개발하기 위한 연구가 계속 진행 중에 있다.
따라서, 본 발명은 제 1 전극과 유기층 및 유기층들 간의 계면특성을 향상시켜 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공기능층, 상기 정공기능층 상에 위치하는 제 1 발광층, 상기 제 1 발광층 상에 위치하는 제 2 발광층, 상기 제 2 발광층 상에 위치하는 전자기능층 및 상기 전자기능층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 정공기능층과 상기 제 1 발광층은 용융된 것일 수 있다.
상기 제 1 발광층은 호스트로 이루어지고, 상기 제 2 발광층은 호스트 및 도펀트로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 발광층의 호스트와 상기 제 2 발광층의 호스트는 동일한 물질일 수 있다.
상기 제 1 발광층의 두께는 상기 제 2 발광층의 두께에 대해 1 내지 20%일 수 있다.
상기 제 1 발광층의 두께는 5 내지 100nm일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 정공기능층을 형성하는 단계, 상기 정공기능층 상에 제 1 발광층을 형성하는 단계, 상기 정공기능층 및 상기 제 1 발광층을 용융하는 단계, 상기 제 1 발광층 상에 제 2 발광층을 형성하는 단계, 상기 제 2 발광층 상에 전자기능층을 형성하는 단계 및 상기 전자기능층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 1 발광층은 호스트만으로 형성하고, 상기 제 2 발광층은 도펀트 및 상기 제 1 발광층의 호스트와 동일한 호스트로 형성할 수 있다.
상기 정공기능층 및 상기 제 1 발광층을 용융하는 단계는 100 내지 250도의 온도로 용융할 수 있다.
상기 제 1 발광층은 상기 제 2 발광층의 두께에 대해 1 내지 20%의 두께로 형성할 수 있다.
상기 제 1 발광층은 5 내지 100nm의 두께로 형성할 수 있다.
본 발명의 유기전계발광소자는 정공기능층과 제 1 발광층을 용융하여, 제 1 전극과 정공기능층 간의 계면 및 정공기능층과 제 1 발광층 간의 계면의 특성을 향상시키고, 정공기능층과 제 1 발광층 내에 함유된 수분을 제거할 수 있는 이점이 있다. 이에 따라, 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)는 기판(110), 제 1 전극(120), 정공기능층(130), 제 1 발광층(141)과 제 2 발광층(142)을 포함하는 발광층(140), 전자수송층(150), 전자주입층(160) 및 제 2 전극(170)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어질 수 있으며, 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(120)은 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제 1 전극(120)이 투명한 전극인 경우에 제 1 전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 제 1 전극(120)이 반사 전극일 경우에 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.
상기 정공기능층(130)은 제 1 전극(120)으로부터 발광층(140)으로 정공의 주입 및 수송을 원활하게 하는 역할을 하는 것으로, 정공주입층 및 정공수송층을 포함할 수 있다.
정공주입층은 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
그리고, 정공수송층은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 발광층(140)은 제 1 발광층(141) 및 제 2 발광층(142)을 포함할 수 있다.
제 1 발광층(141)은 정공기능층(130)과 콘택하는 층으로, 하나의 호스트로만 이루어질 수 있다. 여기서, 호스트 물질로는 제 2 발광층(142)의 발광 색에 따라 결정되는 것으로 하기에서 서술하기로 한다.
제 1 발광층(141) 상에 위치하는 제 2 발광층(142)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 제 2 발광층(142)은 빛을 내는 도펀트를 포함하여 직접 발광하는 영역일 수 있다.
제 2 발광층(142)은 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나를 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
제 2 발광층(142)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 도펀트는 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제 2 발광층(142)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 도펀트는 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제 2 발광층(142)이 청색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전술한 제 1 발광층(141)은 상기 제 2 발광층(142)의 발광 색에 따라 결정되는 제 2 발광층(142)의 호스트와 동일한 호스트로 이루어진다. 이는 제 2 발광층(142)에서 발광이 일어날 경우 호스트에서 도펀트로의 에너지 전이를 용이하게 하기 위함이다.
한편, 본 발명에서는 전술한 정공기능층(130), 제 1 발광층(141)이 열처리되어 용융된 것일 수 있다.
여기서, 제 1 전극(120)과 직접 콘택하는 정공기능층(130)이 용융되면, 제 1 전극(120)과 정공기능층(130) 간의 계면특성이 향상되고, 정공기능층(130)에 함유된 수분을 제거할 수 있는 이점이 있다.
또한, 정공기능층(130)과 직접 콘택하는 제 1 발광층(141)이 용융되면, 정공기능층(130)과 제 1 발광층(141) 간의 계면특성이 향상되고, 제 1 발광층(141)에 함유된 수분을 제거할 수 있는 이점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 정공기능층(130)과 제 1 발광층(141)을 용융하여, 제 1 전극(120)과 정공기능층(130) 간의 계면 및 정공기능층(130)과 제 1 발광층(141) 간의 계면의 특성을 향상시키고, 정공기능층(130)과 제 1 발광층(141) 내에 함유된 수분을 제거할 수 있는 이점이 있다.
한편, 제 2 발광층(142) 상에 위치하는 전자수송층(150)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또한, 전자수송층(135)은 제 1 전극(120)으로부터 주입된 정공이 발광층(140)을 통과하여 제 2 전극(170)으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 하게 된다.
그리고, 전자수송층(150) 상에 위치하는 전자주입층(160)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자주입층(160)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 전자주입층(160) 상에 위치하는 제 2 전극(170)은 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 제 2 전극(170)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 정공기능층 및 제 1 발광층을 용융함으로써, 제 1 전극과 정공기능층 간의 계면 및 정공기능층과 제 1 발광층 간의 계면 특성을 향상시키고, 정공기능층과 제 1 발광층에 함유된 수분을 제거할 수 있는 이점이 있다.
이하, 전술한 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다.
도 2a를 참조하면, 기판(210) 상에 제 1 전극(220)을 형성한다. 제 1 전극(220)은 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition)을 사용하여 형성할 수 있다.
그리고, 제 1 전극(220)을 형성하기 전에, 기판(210) 상에 게이트 전극, 반도체층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 형성할 수도 있다.
이어, 제 1 전극(220) 상에 정공기능층(230)을 형성한다. 정공기능층(230)은 정공주입층 또는 정공수송층 중 적어도 하나 이상을 형성할 수 있으며, 정공주입층 또는 정공수송층은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다. 이때, 정공주입층은 1 내지 150nm의 두께로 형성할 수 있고, 정공수송층은 5 내지 150nm의 두께로 형성할 수 있다.
다음, 정공기능층(230) 상에 제 1 발광층(241)을 형성한다. 제 1 발광층(241)은 추후 형성된 제 2 발광층(242)의 호스트 물질과 동일한 물질로 형성할 수 있으며, 증발법 또는 기상증착법으로 형성할 수 있다.
이 때, 제 1 발광층(241)은 추후 형성된 제 2 발광층(242)의 두께 대비 1 내지 20%의 두께로 형성될 수 있으며, 5 내지 100nm의 두께로 형성할 수 있다. 보다 바람직하게는 제 1 발광층(241)은 10 내지 35nm의 두께로 형성할 수 있다.
여기서, 제 1 발광층(241)의 두께가 제 2 발광층(242)의 두께 대비 1% 이상으로 형성되면, 제 1 발광층(241)이 용융 공정에서 손상되는 것을 방지할 수 있고, 제 1 발광층(241)의 두께가 제 2 발광층(242)의 두께 대비 20% 이하로 형성되면, 제 2 발광층(242)의 도펀트로의 에너지 전이가 용이하게 일어날 수 있는 이점이 있다.
이어, 도 2b를 참조하면, 정공기능층(230) 및 제 1 발광층(241)에 열을 가해 용융한다. 이 때, 정공기능층(230)과 제 1 발광층(241)의 용융온도는 정공기능층(230)과 제 1 발광층(241)의 유리전이온도(Tg) 이상일 수 있으며, 바람직하게는 100 내지 250도일 수 있다. 여기서, 용융이라는 의미는 고체에서 액체로의 완전한 상변이가 아니라 정공기능층(230) 및 제 1 발광층(241)의 표면이 조금 녹는 정도를 의미한다.
정공기능층(230)이 용융되면, 제 1 전극(220)과 정공기능층(230) 간의 계면 접착력이 향상되고 이로 인해 계면특성이 향상될 수 있다. 그리고, 정공기능층(230)이 유기물로 이루어지기 때문에 유기물 내에 함유된 수분이 외부로 증발되어 제거될 수 있다.
또한, 제 1 발광층(241)이 용융되면, 정공기능층(230)과 제 1 발광층(241) 간의 계면 접착력이 향상되어 계면특성이 향상될 수 있다. 그리고, 제 1 발광층(241) 역시 유기물로 이루어지기 때문에 유기물 내에 함유된 수분이 외부로 증발되어 제거될 수 있다.
이어, 용융 공정이 끝난 후, 제 1 발광층(241) 상에 제 2 발광층(242)을 형성한다. 제 2 발광층(242)은 전술한 바와 같이, 호스트 및 도펀트로 이루어질 수 있으며, 제 2 발광층(242)의 호스트는 제 1 발광층(241)의 호스트와 동일한 물질로 형성할 수 있다. 그리고, 호스트에 포하묀 도펀트는 5 내지 35%의 농도로 도핑될 수 있다.
제 2 발광층(242)은 전술한 제 1 발광층(241)과 같이 증발법 또는 기상증착법으로 형성할 수 있으며, 호스트와 도펀트를 공증착하여 형성할 수 있다.
본 발명에서는 도펀트를 포함하는 제 2 발광층(242)의 형성 전에 용융 공정을 수행한다. 이는 도펀트의 경우 열에 취약하여, 용융 공정 시 도펀트 재료의 열적 변성이 발생되어 소자의 성능이 저하되기 때문이다.
다음, 제 2 발광층(242) 상에 전자수송층(250)을 형성한다. 전자수송층(250)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 전자수송층(250)은 1 내지 50nm의 두께로 형성할 수 있다.
이어, 전자수송층(250) 상에 전자주입층(260)을 형성한다. 상기 전자주입층(260)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 1 내지 50nm의 두께로 형성할 수 있다.
다음, 전자주입층(260) 상에 제 2 전극(270)을 형성하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)를 제조한다.
이하, 본 발명의 유기전계발광소자에 대해 하기 실시예에서 상술하기로 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
유리 기판 상에 발광 면적이 3mm×3mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판 상에 양극인 ITO를 500Å의 두께로 성막하고, 정공수송층인 NPD를 70nm의 두께로 성막하고, 제 1 발광층으로 호스트인 CBP를 5nm의 두께로 성막한 후, 상기 기판을 N2 상압 분위기 하에 100℃로 20분 동안 열처리하여 정공수송층과 제 1 발광층을 용융하였다.
그리고, 다시 증착 챔버에서 제 2 발광층으로 호스트인 CBP와 도펀트인 Ir(PPY)3을(도핑 농도 4%) 30nm의 두께로 성막하였다. 다음 전자수송층인 spiro-PBD를 30nm의 두께로 성막하고, 전자주입층인 LiF를 1nm의 두께로 성막하고, 제 2 전극인 Al을 100nm의 두께로 성막하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
비교예 1
제 1 발광층을 형성하지 않고, 열처리 공정을 수행하지 않았다. 이외의 공정은 전술한 실시예와 동일한 공정 조건 하에 유기전계발광소자를 제작하였다.
비교예 2
제 1 발광층을 형성하지 않았고, 이외의 공정은 전술한 실시예와 동일한 공정 조건 하에 유기전계발광소자를 제작하였다.
비교예 3
제 1 발광층을 형성하지 않고, 열처리 공정을 제 2 발광층까지 형성한 후 수행하였다. 이외의 공정은 전술한 실시예와 동일한 공정 조건 하에 유기전계발광소자를 제작하였다.
상기 실시예, 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 유기전계발광소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표 및 수명을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
|
|
구동전압 (V) |
발광효율 | 색좌표 | 수명(T50) | ||
| cd/A | lm/W | CIE_x | CIE_y | |||
| 비교예1 | 3.85 | 3.96 | 3.23 | 0.140 | 0.064 | 1,560hr |
| 비교예2 | 3.69 | 3.99 | 3.4 | 0.146 | 0.065 | 2,050hr |
| 비교예3 | 3.67 | 2.45 | 2.09 | 0.151 | 0.073 | 950hr |
| 실시예 | 3.82 | 3.93 | 3.23 | 0.145 | 0.064 | 2,430hr |
표 1을 참조하여, 본 발명의 실시예와 비교예 1을 비교하면, 실시예에 따른 유기전계발광소자는 제 1 발광층을 형성하지 않고 열처리 공정을 수행하지 않은 비교예 1에 비해 약 900시간 정도 수명이 향상된 것으로 나타났다.
그리고, 실시예에 따른 유기전계발광소자는 제 1 발광층을 형성하지 않고 열처리를 수행한 비교예 2에 비해 약 380시간 정도 수명이 향상된 것으로 나타났다.
또한, 실시예에 따른 유기전계발광소자는 제 1 발광층을 형성하지 않고 제 2 발광층을 형성한 후 열처리 공정을 수행한 비교예 3에 비해 약 1480시간 정도 수명이 향상된 것으로 나타났다. 특히 비교예 3의 경우, 열처리 공정에서 도펀트 재료의 열적 변성으로 인해 소자의 수명특성이 저하된 것을 알 수 있었다.
상기와 같이, 본 발명의 유기전계발광소자는 정공기능층과 제 1 발광층을 용융하여, 제 1 전극과 정공기능층 간의 계면 및 정공기능층과 제 1 발광층 간의 계면의 특성을 향상시키고, 정공기능층과 제 1 발광층 내에 함유된 수분을 제거할 수 있는 이점이 있다. 이에 따라, 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 실시예에 따라 제조된 유기전계발광소자는 비교예에 비해 구동전압이 약간 상승되나, 그 외의 발광효율, 양자효율, 휘도 및 색좌표 특성을 우수한 것을 알 수 있다.
그리고, 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 유기전계발광소자는 비교예에 비해 수명 특성이 훨씬 우수한 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광소자는 발광층과 전자수송층 사이에 버퍼층을 포함함으로써, 버퍼층에서 발광층의 도펀트로의 직접적인 엑시톤 전이로 인해 유기전계발광소자의 수명 및 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 발광층과 버퍼층의 에너지 배리어로 인해 발광층으로의 전자 주입을 제한하여, 이로 인해 발광층 내에서의 발광영역이 전자수송층 쪽으로 이동시켜 유기전계발광소자의 수명 및 효율을 향상시킬 수 있다.
따라서, 유기전계발광소자의 발광효율, 양자효율, 휘도, 색좌표 및 수명 특성이 향상되고 이에 따라 신뢰성이 우수한 유기전계발광소자를 제공할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공기능층;
상기 정공기능층 상에 위치하는 제 1 발광층;
상기 제 1 발광층 상에 위치하는 제 2 발광층;
상기 제 2 발광층 상에 위치하는 전자기능층; 및
상기 전자기능층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며,
상기 정공기능층과 상기 제 1 발광층은 용융된 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 1 발광층은 호스트로 이루어지고, 상기 제 2 발광층은 호스트 및 도펀트로 이루어진 유기전계발광소자.
- 제 2항에 있어서,
상기 제 1 발광층의 호스트와 상기 제 2 발광층의 호스트는 동일한 물질인 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서,
상기 제 1 발광층의 두께는 상기 제 2 발광층의 두께에 대해 1 내지 20%인 유기전계발광소자.
- 제 4항에 있어서,
상기 제 1 발광층의 두께는 5 내지 100nm인 유기전계발광소자.
- 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 정공기능층을 형성하는 단계;
상기 정공기능층 상에 제 1 발광층을 형성하는 단계;
상기 정공기능층 및 상기 제 1 발광층을 용융하는 단계;
상기 제 1 발광층 상에 제 2 발광층을 형성하는 단계;
상기 제 2 발광층 상에 전자기능층을 형성하는 단계; 및
상기 전자기능층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,
상기 제 1 발광층은 호스트만으로 형성하고, 상기 제 2 발광층은 도펀트 및 상기 제 1 발광층의 호스트와 동일한 호스트로 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,
상기 정공기능층 및 상기 제 1 발광층을 용융하는 단계는 100 내지 250도의 온도로 용융하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,
상기 제 1 발광층은 상기 제 2 발광층의 두께에 대해 1 내지 20%의 두께로 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,
상기 제 1 발광층은 5 내지 100nm의 두께로 형성하는 유기전계발광소자의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100107040A KR20120045475A (ko) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| EP11186648.9A EP2448034B1 (en) | 2010-10-29 | 2011-10-26 | Method of manufacturing an organic light emitting device |
| US13/283,090 US8872216B2 (en) | 2010-10-29 | 2011-10-27 | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
| CN201110339428.5A CN102456842B (zh) | 2010-10-29 | 2011-10-28 | 有机发光器件和制造这种器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100107040A KR20120045475A (ko) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120045475A true KR20120045475A (ko) | 2012-05-09 |
Family
ID=44913204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100107040A KR20120045475A (ko) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8872216B2 (ko) |
| EP (1) | EP2448034B1 (ko) |
| KR (1) | KR20120045475A (ko) |
| CN (1) | CN102456842B (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150010862A (ko) * | 2013-07-19 | 2015-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20160066964A (ko) * | 2014-12-03 | 2016-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150012584A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 타겟 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR101703451B1 (ko) * | 2014-11-06 | 2017-02-09 | 포항공과대학교 산학협력단 | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법 |
| WO2016072810A1 (ko) | 2014-11-06 | 2016-05-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법 |
| KR20160056444A (ko) * | 2014-11-11 | 2016-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN104716265B (zh) * | 2015-03-30 | 2017-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蓝光有机电致发光器件及制备方法、显示面板和显示装置 |
| EP4002509A1 (en) * | 2020-11-20 | 2022-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic apparatus including the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091067A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| JP2001068272A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2003229256A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置用インク組成物 |
| US7799369B2 (en) * | 2002-11-19 | 2010-09-21 | Daniels John J | Organic and inorganic light active devices and methods for making the same |
| JP2005005149A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| KR101100893B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 형성방법 |
| JP4939284B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-05-23 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| ITMI20080122A1 (it) | 2008-01-28 | 2009-07-29 | Santoni & C Spa | Ago per operare il trasferimento di punti di maglia dallo stesso ago ad aghi adiacenti per macchine per maglieria, calzetteria o simili. |
| KR100994118B1 (ko) * | 2009-01-13 | 2010-11-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
-
2010
- 2010-10-29 KR KR1020100107040A patent/KR20120045475A/ko active Search and Examination
-
2011
- 2011-10-26 EP EP11186648.9A patent/EP2448034B1/en active Active
- 2011-10-27 US US13/283,090 patent/US8872216B2/en active Active
- 2011-10-28 CN CN201110339428.5A patent/CN102456842B/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150010862A (ko) * | 2013-07-19 | 2015-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20160066964A (ko) * | 2014-12-03 | 2016-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR101936035B1 (ko) * | 2014-12-03 | 2019-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102456842A (zh) | 2012-05-16 |
| EP2448034A2 (en) | 2012-05-02 |
| CN102456842B (zh) | 2016-11-16 |
| US8872216B2 (en) | 2014-10-28 |
| US20120104451A1 (en) | 2012-05-03 |
| EP2448034A3 (en) | 2013-09-04 |
| EP2448034B1 (en) | 2018-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20110032589A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR102104978B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20120045475A (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20120049639A (ko) | 유기 발광 소자 | |
| KR101329456B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20100073417A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR20100072644A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR20110027484A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101469486B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101398242B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101596969B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR20110001180A (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20110035230A (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| KR20110056715A (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101589744B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101771253B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101773610B1 (ko) | 유기전계발광소자의 제조방법 | |
| KR101291801B1 (ko) | 유기전계발광소자의 제조방법 | |
| KR102016564B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101739131B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR20150076031A (ko) | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| KR102000980B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치 | |
| KR100894649B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR101398389B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR20110064709A (ko) | 유기전계발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20131122 Effective date: 20140923 |