TWI249657B - Method for reducing precipitation of developing reactant by lowering a sudden change in ph and apparatus for reducing fluid impingement force on a polymer to be developed on a substrate thereby improving yield and line width control performance - Google Patents

Method for reducing precipitation of developing reactant by lowering a sudden change in ph and apparatus for reducing fluid impingement force on a polymer to be developed on a substrate thereby improving yield and line width control performance Download PDF

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TWI249657B
TWI249657B TW088115847A TW88115847A TWI249657B TW I249657 B TWI249657 B TW I249657B TW 088115847 A TW088115847 A TW 088115847A TW 88115847 A TW88115847 A TW 88115847A TW I249657 B TWI249657 B TW I249657B
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fluid
developer
nozzle
flushing
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Ed C Lee
Murthy Krishna
Reese Reynolds
John Salois
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Description

1249657 A7 ------ B7 五、發明說明（1 ) 扭_關申請案交互參i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本申請案是接續自1 9 9 8年9月共同待審之美國專 利60/100，738，目前待審中，該申請案的內容 ’倂入本文參考，如同本文完整的宣告。 1明背景 1 ·發明領域 廣義言之’本發明與微電子製造的領域有關，更明確 地說’本發明與增進液體聚合物之產率及線寬性能有關。 2 ·相關技術討論 製版術在持續進步的半導體工業中是主要驅策力之一 ’以獲致更小的特徵尺寸及增進產率◦更明確地說，增進 關鍵尺寸（C D )控制與減少製程-引入之瑕疵及微粒數 量兩者需要同時滿足。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在製作線覓更小的圖案方面，顯影液模組法扮演了重 要角色。在光阻膜上製造高及低溶解液的區域，經過一連 串光學製版處理步驟後進行顯影處理，在顯影期間，經由 一濕式法，將轉移到光阻膜上的影像顯影成3維結構。接 下來的蝕刻處理（大多數是乾蝕）將此影像轉移成基底（ 矽、二氧化矽、複矽等）。 目前已有多種很好的顯影方法。一般來說，典型的顯 影處理包括兩主要部分。第一部分，在低速旋轉的晶圓上 噴灑顯影液，接著靜態攪拌成形，並經過長時間的靜止或 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249657 A7 B7 五、發明說明（2 ) 振盪步驟，高溶解率的區域即被蝕去，在膜上產生一 3 -維的影像。所製作之圖案影像的品質，側壁角及C D控制 的値，全都受顯影處理之第一部分的極大影響◦在化學濕 •式鈾刻後立刻以去離子（D I )水沖洗，主要功用是洗去 被溶解的光阻及混有極少顆粒的顯影液，並計算在已製作 圖案之晶圓上瑕疵數。自然，淸洗步驟在增進製版處理之 產率上極爲重要。 直到現在，尙未完全滿足上述對關鍵尺寸之控制、減 少製程造成之瑕疵數、減少製程造成之微粒數等的要求。 吾人所需的是針對所有這些問題同時解決的答案。 發明槪述 本發明的主要目的是增進產率。本發明另一個主要目 的是增進C D控制能力。本發明提供一種解決晶圓軌跡工 具（wafer track tool)之顯影液模組（developer fluid module )中這些問題的方法。 在實施例中實施的本發明第一種態樣是根據一種藉降 低p Η的突然改變以使顯影作用物之沈澱物減至最少的方 法，該方法的步驟包括：以添加之顯影液對基底上至少〜 部分的聚合物層顯影；接著允許至少部分該添加之顯影液 駐留在該聚合物上，以便將後續之ρ Η的突然改變控制在 最小：並接著以另一種添加之流體沖洗該聚合物。在實施 例中實施的本發明第二種態樣是根據一種藉降低ρ Η的突 然改變以使顯影作用物之沈澱物減至最少的方法，該方法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249657 Α7 Β7 五、發明說明（3 ) 的步驟包括：以最初添加之顯影液對基底上至少一部分的 聚合物顯影；接著以另外添加之顯影液沖洗該聚合物以便 將後續之P Η的突然改變控制在最小；並接著以另一種添 •加之流體沖洗該聚合物。在實施例中實施的本發明第三種 態樣是根據一種藉降低Ρ Η的突然改變以使顯影作用物之 沈澱物減至最少的方法，該方法的步驟包括：以添加之顯 影液對基底上至少一部分的聚合物層顯影；接著將該基底 與添加的緩衝液接觸，藉以使至少部分的該顯影液與至少 部分該添加的緩衝液混合，以便將後續之Ρ Η的突然改變 控制在最小；並接著以另一種添加之流體沖洗該聚合物。 在實施例中實施的本發明第四種態樣是根據一種基底 上要被顯影之聚合物層之流體沖擊力最小的裝置，藉以增 進產率及線寬控制性能，該裝置包括：一噴嘴包括：一適 合供應流體的歧管；與該歧管耦合的許多流體導管；以及 位於該許多流體導管內的許多管狀插入物。在實施例中實 施的本發明第五種態樣是根據一種對基底上要被顯影之聚 合物層之流體沖擊力最小的裝置，藉以增進產率及線寬控 制性能，該裝置包括：一噴嘴包括：一適合供應顯影液的 顯影液歧管；與與該顯影歧管耦合的許多顯影液導管；一 適合供應沖洗液的沖洗歧管；以及與沖洗液歧管耦合的許 多沖洗液導管，其中，該顯影液歧管及該沖洗歧管是錯置 的，以縮小該噴嘴的外部寬度。在實施例中實施的本發明 第六種態樣是根據一種對基底上要被顯影之聚合物層之流 體沖撃力最小的裝置，藉以增進產率及線寬控制性能，該 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 裝置包括：一噴嘴包括：一適合供應顯影液的顯影液歧管 ;與顯影歧管耦合的許多顯影液出口； 一適合供應沖洗液 的沖洗歧管·，以及與沖洗歧管耦合的許多沖洗液出口，且 •該許多沖洗液出口的配置定義一條沖洗液軸，其中該噴嘴 連接到一托架’適合相對於該基底升降該噴嘴，並重新定 位該至少一條沖洗軸，以使實質上與該基底之中心垂線共 平面。 從以下的描述並配合附圖，將可更明瞭本發明這些及 其它目的及態樣◦不過，必須瞭解，以下的描述雖然說明 本發明的較佳實施例及許多特定細節，但這些只是用於說 明並非用於限制。在本發明的範圍內可做許多改變及修改 ，不會偏離本發明的精神，且本發明將包括所有這類修改 〇 圖式簡單說明 參考構成本說明書之一部分的非限制用實施例及附圖 ，將可很容易明瞭本發明之構想的優點及特徵，以及本發 明所提供之組件及模型系統的操作，其中相同的參考編號 (如果出現於一幅以上的圖）指不相同部分。必須注意， 圖中所說明的特徵並非按比例繪製。 圖1說明表示本發明之實施例之多孔噴嘴的底部斜視 圖； 圖2說明表示本發明之實施例之多孔噴嘴的頂部斜視 圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂------— 1249657
五、發明說明（5 圖3說明圖2所示多孔噴嘴的剖面圖； 圖4說明表示本發明之實施例之多孔噴嘴 的頂視圖； 圖5說明圖 圖6說明圖 圖7說明圖 圖8說明圖 圖9說明圖 圖1 0說明 圖1 1說明 圖1 2 A說 視圖； 圖1 2 B說 的剖面圖； 圖1 3 A說 視圖； 圖1 3 B說 面的剖面圖； 圖1 4說明 4所示多孔噴嘴的端視圖； 4所示多孔噴嘴沿A - A線的剖面圖； 4所示多孔噴嘴的底視圖； 4所示多孔噴嘴的頂部斜視圖； 4所示多孔噴嘴沿B - B線的剖面圖； 圖4所示多孔噴嘴沿C - C線的剖面圖； 圖4所示多孔噴嘴沿D — D線的剖面圖； 明表示本發明之實施例之噴嘴插入物的端 明圖1 2 A所示之噴嘴插入物沿F — F線 明表示本發明之實施例之噴嘴插入物的端 明圖1 3 A所示之噴嘴插入物沿E 一 E剖 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 圖4所示多孔噴嘴A - A線的斜視剖面圖 圖1 5說明本發明之實施例的顯影速率是 之距離的函數，其顯影液軸偏離〇毫米。 圖1 6說明本發明之實施例的顯影速率是 之距離的函數，其顯影液軸偏離5毫米。 圖1 7說明本發明之實施例的顯影速率是 與基底中心 與基底中心 與基底中心 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 1249657 A7 B7 五、發明說明 之距離的函 圖1 8 之距離的函 • 圖1 9 基底上空間 圖2〇 基底上空間 圖2 1 基底上空間 圖2 2 基底上空間 (6 ) 數，其 說明本 數，其 A - 1 位置的 A - 2 位置的 A - 2 位置的 A — 2 位置的 顯影液 發明之 顯影液 9 D說 函數， 0 D說 函數， 1 D說 函數， 2 D說 函數， 軸偏離 實施例 軸偏離 明本發 其顯影 明本發 其顯影 明本發 其顯影 明本發 其顯影 1 0毫米。 的顯影速率是與基底中心 2 0毫米。 明之實施例的顯影速率是 液軸偏離0毫米； 明之實施例的顯影速率胃 液軸偏離5毫米； 明之實施例的顯影速$胃 液軸偏離1 0毫米； 明之實施例的顯影速率胃 液軸偏離2 0毫米； 主要元件對照表 1 〇 〇 多 孔 噴 嘴 1 〇1 出 □ 1 〇 5 刖 端 面 1 1〇 主 臂 1 1 5 底 面 部 1 3〇 進 □ 歧管 2 〇 〇 多 孔 噴 嘴 2 0 5 刖 端 面 2 1 〇 第 一 臂 2 2 0 第 __ 臂 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0 進口歧管 3〇1 35 隔板 340 42 曲道 345 60 第二入口通道 62 曲道 365 8 0 底部面 400 出口 第一入口通道 導管 第二管狀插入物 多孔噴嘴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 1249657 A7 B7 五、發明說明（ 4 0 5 4 15 4 2 5 5 1〇 5 2 0 6 5 5 6 6 5 6 7 0 7〇1 7 10 8 10 8 2 0 10 0 5 10 10 10 15 12 10 14 10 14 3 0
第一入口 第三入口 頂表面 第二歧管 端表面 外部端 歧管底表面 導管 出口 第二歹[J 4 1〇 4 2 0 5 0 5 5 15 6 5 0 6 6 0 6 8 0 7 0 5 7 15 入口 頭
第一歧管 第三歧管 管狀插入物 內部端 底表面 中央歹ij 第三歹[J 可旋轉固定托架 第一縱向端 第一入口室 第二入口室 第三入口室 圓形橫截面 室 1 高度 420 膛孔段 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例描述 以下將參考非限制的實施例更完整地解釋本發明及其 各種特徵及優點的細節。對於習知組件及處理技術的描述 將予省略，以免枝節模糊了本發明的細節。 本發明包括微結構（例如微電子結構）的光學製版處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) 理。典型上，這些結構要被蝕刻，聚合物的功能是做爲冪 罩，以遮蔽結構中要保留的部分，至少不受蝕劑的影響。 聚合物是可以被顯影的負或/及正光阻。本發明也可以使 ’用資料處理法，將描述聚合物處理狀態的特性轉換成信號 ’以促使各獨立硬體單元的交互連接；例如，重新定位噴 嘴或改變旋轉速率。 本發明包括藉使用新式的多孔輸送裝置（噴嘴）以減 少光學製版步驟中所使用之液體聚合物在顯影處理期間的 瑕疵密度。多孔輸送裝置的重要態樣是減小液滴的衝擊。 輸送系統在顯影液模組中，存在均勻之空氣層流場乃首要 事物。此裝置由於極佳的沖洗動作，可大幅降低瑕疵密度 。此外，此多孔噴嘴系統可以支援兩種不同化性的顯影液 (除了化學沖洗液外），不會有任何交叉污染。此輸送系 統可降低顯影液及去離子水之液體的衝擊力，因此避免圖 案摺疊，這是小特徵尺寸之產率管理的嚴重問題。 本發明可以晶圓軌跡工具之顯影液模組中的一部分。 在本申請案中，本發明可以被分類成包括1 )支援噴灑2 種不同顯影液流體的多孔噴嘴系統，之間沒有任何串擾， 2 )幾何形狀相同或類同的第二多孔噴嘴系統，在沖洗步 驟期間用於噴灑去離子水，3 )實施1 )或2 )部分以支 援雙化性顯影液以及在整個顯影過程中低沖擊力的要求。 本發明包括經由在曝光之晶圓上均勻散布顯影液，以降低 因顯影液模組所造成之關鍵尺寸（C D )的變異。當晶圓 軌跡系統的顯影液模組中包括了此裝置，即可增進整體的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
1249657 五、發明說明（9 ) C D控制能力。軌跡系統可與縮小投影曝光裝置耦合。本 文中所使用的、'耦合〃這個名詞意指連接，不一定直接連 接’也不定是機械連接。 本發明有助於防止已顯影之光阻結構的摺疊，它也包 括降低p Η的突然改變。、、突然〃這個名詞，在本文中是 用來描述ρ Η改變的特徵，其定義是兩折曲點間ρ η相對 於時間之改變，兩點間的時間周期大約小於1秒，小於大 約0 · 1秒較佳，小於大約〇 · 〇 1秒更佳。此種兩折曲 點幾乎同時發生的情況稱之爲階梯函數。 本發明包括許多多孔噴嘴的設計，可以將顯影液及去 離子水輸送到基底上要被顯影的聚合物層上。噴嘴之出口 所排列成的幾何形狀可提供最佳的空間液體流率，同時使 滴落物最少。本發明包括經由減弱液體對膜的沖搫力以有 助於防止已顯影的光阻結構因沖撃而摺疊。本發明提供的 多孔噴嘴，至少在一個孔中有噴嘴插入物。此插入物可以 由相對於噴嘴之工作流體之摩擦係數（包括靜態與動態） 低的材料製成。 本發明之插入物的材料可延伸越過其所在位置。此延 伸可向內’藉以使插入物延伸進入輸入的歧管。此延伸也 可向外，藉以使插入物延伸超過噴嘴本體的底部。 插入物向內延伸的優點是在歧管內部的功用如同一空 氣均衡補充器，藉以影響相對於孔之靜態壓力的均衡。插 入物向外延伸的優點是避免殘餘的工作流體累積於噴嘴本 體的底表面，雖然有以反向壓力將工作流體吸回以減少此 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 1249657 A7 --------- B7___ 五、發明說明（10 ) 種殘餘累積的嘗試。 本發明包括將工作流體歧管錯置，可將歧管的主軸相 互拉近。錯置歧管的優點是可使多孔噴嘴的整體寬度變窄 。即使是只有兩支歧管，錯置都很有用，特別是當孔間靜 態壓力均衡的功能要求而使得歧管之範圍所定義的體積增 加時。 本發明包括一個噴嘴頭經由策略地配置數排孔，可噴 灑具有不同化性的2種顯影液，以及1種沖洗用的去離子 水（D I ) ’因此，所有的噴灑都可在一個位置完成。此 允許使用旋轉汽缸致動器將頭排放位置移動到單一的噴灑 位置。不需要使用伺服定位控制。D I的排孔位於中央， 以沖洗整個晶圓。化學顯影液的排孔最小偏移5毫米，因 爲從以下更詳細討論的製程資料顯示，5毫米的偏移量確 實可增進製程結果。噴灑孔內可以壓入小半徑端的管子。 這些管子至少具有兩項優點。第一，小半徑端沒有表面可 供液體黏附。有任何液體黏附於此底表面會導致噴灑流被 拉離中心。此外，在低部水平表面如有液體，會致使兩流 合一成爲一較大的液流。當頭上兩不同化學品間無污染是 關鍵時，此特別是個問題。第二，當壓成管子，尖端形成 徑向緣或端，可以有非常光滑的內表面，以避免因流體黏 附造成的行差。微小的表面行差會致使液流偏向。粗糙表 面會導致無法控制的液體黏附，此將導致化學品乾涸及污 染。氣泡被吸回的機會減少，因爲液體-空氣介面形狀被 控制得很多。孔的位置交錯，以允許顯影液保持5毫米的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 1249657 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) 偏離，並允許3列孔在1 . 5吋寬的頭內。所有的孔都策 略性配置，以使噴灑頭是一單構件。 圖1說明噴灑一種化學流體的多孔噴嘴1 0 0的實施 •例。噴嘴1 0 0從前端面1 0 5到背端面的最大寬度等於 晶圓接受液體的半徑。噴嘴1 0 0包括主臂1 1 0，具有 許多導管沿著噴嘴1 〇 〇之底表面1 1 5縱軸排列。流體 從入口歧管1 3 0進入，接著流體通過噴嘴經由許多出口 1 0 1散布於旋轉的晶圓上。本本實施例中，出口 1 0 1 橫過主臂1 1 〇的寬度直線排列。噴嘴1 0 0的寬度允許 晶圓旋轉完整一圏後，噴灑的流體完全覆蓋整個晶圓。如 此’噴嘴1 0 0提供均勻且快速的流體散布，是增進C D 控制的重要要求。 圖2顯示本發明的另一種實施例，其中多孔噴嘴 2 0 0包括進口歧管2 3 0，用以接收1或2種不同化性 的流體。流體從進口歧管2 3 0進入，可以在第一臂 210及第二臂220間分配。每一臂210、 220的 出口 3 0 1的排列可以不同，也可以相同（如圖3所示） ’視噴嘴2 0 〇的應用而定。噴嘴2 0 〇也具有介於前端 面2 0 5與背端面間的寬度，等於晶圓的直徑，藉以晶圓 旋轉完整一圈後，顯影液可以覆蓋整個晶圓。 圖3是噴嘴2 0 0的橫剖面圖，顯示進口歧管2 3〇 被分割以適合接收具有不同化性的兩種流體，如顯影液及 去離子水。隔板3 3 5分隔進口歧管2 3 0內的流體流。 圖2顯示進口歧管2 3 0導引一種流體流進入第一入口通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -14- (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) tr---------MW. 1249657 δ7 Β7 五、發明說明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 道340。第一入口通道340包括一曲道342，與第 一臂2 1 0內的導管3 4 5連接。歧管導引另一種流體流 進入第二入口通道3 6 0。入口通道3 6 〇包括一曲道 •362，與第二臂220內的第二管狀插入物365連接 。噴嘴2 0 0底部面3 8 0上的出口 3 0 1以直線排列橫 跨噴嘴2 0 0的寬度爲佳，雖然也有其它種排列方式，將 進一步描述。噴嘴2 0 〇的結構，適合使用2種不同化性 的顯影液，具有溫度控制，在噴灑期不會有任何交叉污染 。噴嘴2 0 0也適合噴灑去離子水，可與顯影液一起或分 開噴灑。不過，相同型式的噴嘴2 0 0也可以整合單或雙 化性型的顯影液。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的另一重要特徵是此噴嘴的沖擊力比單孔噴嘴 小很多，這是因爲多孔的緣故。C D尺寸較小傾向深寬比 高，衝撃力降低對其而言非常重要。由於流體的沖擊力容 易使得圖案摺疊。本發明的實施例降低顯影液及去離子水 的沖擊力。整個顯影液過程的沖擊力可降至最小，因此確 保較小特徵尺寸之圖案製作法的可靠度，且比習知技術的 產率提筒。多孔噴嘴使用顯影液及去離子水的另一重要優 點是可增加製程的自由。此外，多孔噴嘴增進了液體輸送 及散布能力，確保整體製程中機械過程改變的順應性，例 如旋轉速率及流體噴灑率。因此，本發明所提供之其它附 加優點是可縮短顯影液處理的總時間，同時保持C D控制 及良好的瑕疵及微粒性能。 圖4說明本發明的另一種實施例，其多孔噴嘴4〇〇 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公羞） (131249657 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明 可噴灑1或 可以噴灑2 定位在一個 包括一頂表 收要噴灑的 置是第一入 去離子水， 4 2 5上的 噴嘴4 ◦〇 二入口 4 1 入口 4 1 5 頭4 2 0的 端表面5 2 4〇5連接 口 4 1〇連 4 1 5連接 ，在端表面 最好位於端 管5 1 5以 側。 圖6是 5 1 5及許 2種 種顯 位置 面4 顯影 □ 4 第三 2或 的整 5錯 的中 端表 0最 ，供 接， ，供 2或 表面 顯影液及 影液及去 完成所有 2 5，具 液或/及 0 5供第 入口 4 1 多個入口 體尺寸。 置，第二 央及/或 面5 2 0 /或去 離子水 的噴灑 有3個 去離子 一種顯 5供第 以錯置 在圖4 入口位 偏離。 离隹子水°由於噴嘴4〇〇 ’医I此’噴嘴4 〇 〇可以 。噴嘴4〇〇的頭4 2〇 入〇或入口歧管，用以接 水。在圖4中，較佳的配 影液’第二入口 4 1 0供 二種顯影液。在頂表面 胃佳’以節省空間及縮小 中’第一入口405與第 於第一入口 4 0 5及第三 示具有內部歧管之 圖5顯 顯示開有孔室，與入口對應 好是包括第一歧管5 第二 5與第一入口 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一種顯 供去離子 第二種顯 多個歧管 5 2 0的 影液， 水，第 影液。爲進一 最好相 中央， 對稱分 歧管 互錯置 第二歧 配於第 管5 1 〇與第二入 515與第三入口 步縮小噴嘴的尺寸 。第一歧管5 0 5 管5 1 〇及第三歧 一歧管5 0 5的兩 沿著圖4之A - A線的橫剖面，顯示第二歧管 多導管6 7 0的例子，導管6 7 〇沿著縱軸垂 直開孔通過底表面6 8 0。第三歧管 的結構最好與 第一及/或第二歧管505、 510相同’姐對其做非常 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249657 A7 B7 五、發明說明（14) 詳細的說明，以代表整個實施例。如第三歧管5 1 5的示 例，每一個導管670都包括一管狀插入物650 ’具有 一內部端6 6 0及外部v而6 5 5。每一*個管狀插入物 .6 5 0的內部端6 6 0最好延伸進入第三歧管5 1 5內部 一個高度。進入到第三歧管5 1 5內的流體不會被排放’ 直到第三歧管5 1 5內的液面高度超過內部端6 6 0的高 度。如此，內部端6 6 0定義一個貯儲器’其所定義的深 度從管狀插入物6 5 0的內部端6 6 0到歧管底表面 6 6 5。按此方法’內部_ 6 6 0的局度可以用來保持第 三歧管5 1 5內固定或等於對應之流體導管6 7 0的靜壓 力。同樣地，管狀插入物6 5 0的外部端6 6 5也延伸超 過噴嘴4 0 0的底表面6 8 0。 管狀插入物6 5 0具有非常光滑的內表面，以使表面 沒有疵痕或減至最少，否則顯影液或去離子水流會偏向。 表面光滑的管狀插入物6 5 0也可避免氣泡的回吸，因爲 管狀插入物6 5 0內的液體一空氣介面受到控制。管狀插 入物6 5 0在歧管內側及噴嘴外側也具有很薄的徑向緣， 如此可以減少管狀插入物與流過之流體間相互接觸的面積 。此能使噴嘴4 0 0避免發生顯影液及/或去離子水之流 體流與導管接觸的相關問題，如流體黏附或其他致使液流 偏離中心的其它問題。此外，延伸超過噴嘴4 0 0的外部 端6 6 5可避免液流在底表面6 8 0糾合在一起。 圖7說明出口在噴嘴4 0 0之底表面6 8 0上的較佳 排列方式。出口可按圖所示般直線排列，或錯置排列以節 ----------看------- —訂--------- MW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 1249657 A7 B7 五、發明說明（15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 省所佔面積。在實施例中，出口 7 0 1的中央列7 0 5散 布去離子水，因此整個晶圓可被沖洗。出口 7 0 1的第二 及第三列7 1 0及7 1 5分別耦合到第二歧管5 1 0及第 •三歧管5 1 5，用以噴灑至少一種，最好是兩種顯影液。 圖8說明噴嘴4 0 0的斜視圖，其中入口 4 0 5、 4 10、4 1 5錯置或偏離。噴嘴4 0 0包括在第一縱向 端8 2 0上的可旋轉固定托架8 1 0，用以將噴嘴固定到 晶圓上方的支臂或台架上。噴嘴很小，從頂表面4 2 5到 底表面680的較佳垂直高度1·5吋。 圖9是圖4之噴嘴4 0 0沿B — B線的剖面圖。如圖 9所示的噴嘴4 0 0，包括第一歧管5 0 5，與許多第一 管狀插入物6 5 0 a耦合。同樣地，第二歧管5 1 0與許 多第二管狀插入物6 5 0 b耦合，第二歧管5 1 5與許多 弟二管狀插入物6 5 0 c親合。每一^個第一*、第二及第二 管狀插入物650a、 650b、 65〇c最好分別向各 自的第一、第二及第三歧管505、 510、 515內部 延伸，因此，每一個管狀插入物的向內延伸端6 6 0 a、 660b、 660c在各自對應的歧管內定義一貯儲器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 每一個歧管5 0 5、5 1 0、5 1 5內部貯儲器的高度可 由向內延伸端660a、 66〇b、 66〇c的長度分別 定義，如圖12、 13及隨附文字的描述。 圖1 0是圖4之噴嘴4 0 0沿C 一 C線的剖面圖。如 圖1 0所示，每一個入口使用與歧管相關或成形爲歧管一 部分的一或多個室與歧管耦合。特別是，圖1 0顯示第一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7______ 五、發明說明（16 ) 入口 4 0 5以第一入口室1 〇 〇 5與第一歧管5 0 5耦合 ，第三入口以第三入口室1〇15與第三歧管515耦合 。圖1 1是圖4之噴嘴4 0 〇沿D - D線的剖面圖。如同 .其它入口及歧管，圖1 1顯示第二入口 4 1 〇以第二入口 室1 1 1 0與第二歧管管5 1 〇耦合。在其它實施例中’ 再增加的入口可以使用相同的結構與對應的室及歧管耦合 。圖10及11也提供管狀插入物650a、 65〇b、 6 5 0 c的另一種透視圖，從噴嘴4 〇 〇的底表面6 8 0 延伸，以避免不同歧管的液流糾合在一起。 圖1 2 A及1 2 B說明本發明所使用之管狀插入物 6 5 0的一種實施例。如圖1 2 A所示，管狀插入物包括 一圓形橫截面1 2 1 0。不過，本發明的其它實施例可以 使用非圓形橫截面，包括方形或多邊形。管狀插入物 6 5 0的長度可以由保持管狀插入物之歧管的垂直位置決 定，或由管狀插入物之內部端6 6 0所定義之貯儲器之所 欲深度來定義。圖1 2 A顯示的管狀插入物6 5 0較短， 適用於較靠近底表面6 8 0的歧管，例如用於第一歧管 5 0 5或第二歧管5 1 5。另者，圖1 2A之管狀插入物 也可用來在第二歧管5 1 0中定義一較淺的貯儲器。 圖1 3 A及1 3 B說明另一種管狀插入物的實施例。 如同前一個實施例，圖1 3 A的管狀插入物包括一圓形橫 截面。圖1 3 B所示的管狀插入物較長，適合用於較其它 歧管距底表面6 8 0遠的歧管。因此，圖1 3 A的管狀插 入物6 5 0適合用於第二歧管5 1 0。圖1 3 B的管狀插 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1249657 ___B7____ 五、發明說明（17 ) 入物也可以在第一歧管5 0 5或第三歧管5 1 5內產生較 深的貯儲器。噴嘴的深度以1 · 5吋最佳，管狀插入物 6 5〇的範圍在0 · 3 2 5吋到0 · 6 6 5吋之間，如圖 • 1 2B及1 3B所示。 圖1 4是噴嘴4 0 0的橫剖面斜視圖。第一入口 4 0 5及第二入口 4 1 0在噴嘴4 0 0的頂表面4 2 5上 是偏離中央或錯置排列。端面5 2 0包括第一^歧管5〇5 及第二歧管5 1 0。在本實施例中以第二歧管5 1 0例示 本實施例中的其它歧管，並詳細描述之。第二歧管5 1 0 包括一加大的室1 4 1 0，與構成第二歧管5 1 0其餘部 分的膛孔段1 4 2 0結合。第二入口室1 〇 1 〇耦合第二 入口 4 1 0及第二歧管5 1 0。管狀插入物6 5 0 b延伸 通過導管6 7 0，以使外部端6 5 5延伸超過底表面 6 8 0。同樣地，內部端6 6 0形成超過第二歧管底表面 6 6 5的一高度1 4 3 0，當第二歧管5 1 0接收流體時 ，它定義一貯儲器的深度。按此方法，諸如去離子水的流 體經由第二入口 4 1 0接收並經第二歧管5 1 0的膛孔段 1 4 2 0散布。在流體的位準未超過過度1 4 3 0前，流 體使第二歧管5 1 0形成一貯儲器。一旦流體超過高度 1 4 3 0，流體從內部端6 6 0進入並通過管狀插入物 6 5 0 b，從外部端6 5 5流出。流出噴嘴4 0 0的的流 體，例如去離子水提供一柔順的沖洗流體。 雖然並未限制任何特定的性能指示器或診斷鑑定器， 但本發明之較佳實施例可以經由測定出現於橫過晶圓表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20 - 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（18) 之實質均勻的顯影速率加以鑑定。以簡單且習知的 I P E C Awmap速率圖或旋轉速率測試執行出現實質均 勻的顯影速率的測試不會有過度的實驗。 • 執行旋轉速率測試以決定在顯影液噴灑期間，旋轉之 晶圓的中心與最接近之顯影流間可容許的偏離。所使用的 標準是增加偏離量直到顯影出現不均勻。在絕大多數噴灑 噴嘴的設計中，知道此種固有偏離對顯影模組是非常重要 的。 圖1 5 — 1 8提供在晶圓上的所做的顯影測試，以偏 離0、5、 1 0及2 0毫米之噴嘴，同時在噴灑期間改變 旋轉速率（6 0到2 5 0 〇 r m p )。測試發現，偏離至 少要大於5毫米，才不會對整個晶圓的顯影均勻性造成不 良影響。假設噴嘴的設計是偏離5毫米或更小不會造成晶 圓中心的顯影不均勻。在5到1 0毫米之間的某點，流體 不再浸濕晶圓的中央，且顯影受到大幅抑制。晶圓的旋轉 速率與偏離間多少有些交互作用，且在1 〇毫米的偏離邊 界最明顯。 本發明的較佳實施例包括在一條長度等於晶圓半徑的 棒上有3列平行的孔。此單噴嘴可以噴灑去離子水及顯影 液。由於臂的徑向位置在晶圓上方以氣壓缸完成，因此， 無論是噴灑何種流體，相對於晶圓只需配置一個噴嘴。因 此，在晶圓正中央上方僅只有一組孔，且去離子水的噴灑 是要最接近晶圓中央的流體。典型的顯影程序是在旋轉的 晶圓上噴灑流體，因此，如果噴灑太靠外，離心力將有礙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - --------------------訂---------^A__w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（19) 流體到達中央。此項測試是決定噴灑的顯影液偏離中央多 遠就會影響顯影速率的均勻性。 顯影液從偏離中央0、 5、 10及20毫米等固定處 •噴灑。噴灑期間初始的旋轉會改變，離心力的差會與中心 偏離父互作用用致影響顯影液到達晶圓中心。使用的旋轉 速率爲60、 600、 120 0 (標準）及2500 r p m 。 現請參閱圖1 9 A - 2 2 D，選擇副顯影（sub-develop )技術測試顯影品質的數項理由包括：（丄）副顯 影技術較線寬測定快速；（2 )副顯影技術較線寬或E。 測定的解析度高，且較E °測定的主觀性較差；（3 )相 對於只有少數幾個不連續的位置，副顯影技術可以使用整 個晶圓區域；以及（4 )曝光及顯影速率遠高於E ° ，且 顯影過程對顯影速率的影響，遠比其它因子重要，例如擺 動曲線（swing curve )、Microscan 強度一致性、P E B — 致性等。當光阻膜接近完全失去保護，顯影趨勢朝向單純 的蝕刻處理。除了定性測試顯影後整個晶圓之顏色的一致 性外，還以I P E C Acumap厚度測定系統整個晶圓之光 阻移除的差異。雖然此項工具可在整個晶圓上每隔1毫米 測定一次厚度（多於3 0，0 0 0個位置），但在此報告 中實際上只使用中心1 2 1個曝光場計算。 測試使用基線化學，T〇K 9 ’及方法。顯影法經過 修改以在噴灑顯影液及去離子水期間不必移動。使用較佳 實施例的噴嘴做顯影噴灑。它經過調整以最中心的孔在晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（20) 圓中心上方0偏離。在顯影程序的攪拌部分，從6 0 . 5 秒縮短到5 · 5秒。曝光劑量使用1 2毫焦耳/公分（ E °的劑量大約6 · 5 - 7 · 0毫焦耳/公分）。顯影液 •流量計設定在大約3 · 8，雖然沒有核對體積，但根據過 去的經驗，使用此種流量計大約在5 0毫升左右。對所有 晶圓的處理是一次全部P E B，接著分批顯影，按隨意的 順序改變每一片晶圓的顯影參數。 決定顯影速率的方法，首先測定P E B後顯影前之晶 圓中2片的厚度，減去顯影後1 2 1的位置的光阻厚度。 在方法中，假設顯影前晶圓與晶圓間的厚度差可略之不計 ，且代表的晶圓做爲顯影前晶圓，用來計算所有的速率。 被移去的光阻除以顯影時間（噴灑+攪拌+恢復），在本 測試中所有晶圓的顯影時間都是1 0秒。 測定p E B與顯影間之初始厚度很重要的理由有二。 第二，很多習知的顯影速率計算法是使用曝光前的厚度完 成。由於厚度會從原本8500A中損失1000A，此 可更精確地估算出顯影速率。第二，曝光區域淸晰可見， 且在每一片晶圓上都能看到橫過晶圓上的特徵圖案。這對 做爲橫過晶圓之相對去保護（deprotecUon)的測量很有用 處，且某些報告中也注意到此點。它具有與顯影方法無關 的良好特性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 23- --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1249657 B7 五、發明說明（21 ) 顯影部分所使用的方法如下： 操作 時間（秒） 速率（rpm) 臂長X(毫米） 旋轉 1.0 60-2500 0-20 顯影噴灑 1.0 同上 同上 顯影噴灑 2.0 20 同上 旋轉 6.5 0 同上 旋轉 0.5 1200 同上 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24- 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（22) 此項測試的結果綜述如下表’· 臂位置速率平均速率速率標％均勻性％均勻性最大速最小速範圍速 準差 率 率 率 毫米 rpm A/秒 A/秒 (σ /ave) (mg/ave) A/秒 A/秒 A/秒 以下各列對應於各個晶圓 〇 60 610.9 28.2 4.6% 20.5% 679.8 554.6 125.2 0 600 639.3 2406 3.8% 16.6% 698.7 592.6 106.1 0 1200 608.9 21.9 3.6% 14.4% 660.7 572.8 87.9 0 1200 611.2 24.1 3.9% 17.6% 677.0 569.6 107.4 0 2500 646.6 26.4 4.1% 20.6% 728.3 595.1 133.2 5 60 610.0 31.1 5.1% 20.6% 685.7 560.3 125.4 5 600 622.7 28.9 4.6% 20.8% 707.1 577.8 129.3 5 1200 638.8 24.4 3.8% 16.8% 698.0 590.8 107.2 5 2500 647.7 23.4 3.6% 17.1% 711.9 600.8 111.1 10 60 582.6 29.2 5.0% 21.1% 656.3 533.6 122.7 10 600 639.9 25.9 4.0% 20.2% 724.3 595.1 129.2 10 1200 606.3 30.7 5.1% 42.0% 690.4 435.9 254.5 10 2500 639.8 32.7 5.1% 46.7% 712.4 413.4 299.0 20 60 607.9 63.8 10.5% 112.9% 686.8 0.7 686.1 20 600 593.8 60.0 10.1% 113.4% 672.5 -10. 673.4 20 1200 629.4 66.6 10.6% 114.9% 723.1 -0.3 723.4 20 2500 639.0 64.9 10.2% 112.0% 717.1 1.2 716.0 以下各列是由上述資料按臂位置或旋轉速率組合而成 All 60 602.8 42.4 7.0% 113.8% 686.8 0.7 686.1 All 600 623.9 42.1 6.7% 116.2% 724.3 -1.0 725.2 All 1200 618.9 39.5 6.4% 116.9% 723.1 -0.3 723.4 All 2500 643.3 40.4 6.3% 113.0% 728.3 1.2 727.2 〇 all 623.4 29.8 4.8% 27.9% 728.3 554.6 173.7 5 all 629.8 30.7 4.9% 24.1% 711.9 560.3 151.6 10 all 617.2 38.3 6.2% 50.4% 724.3 413.4 310.9 20 all 617.5 66.1 10.7% 117.2% 723.1 -1.0 724.1 以下各列是由上段組成，但移除中心點的資料 All 60 604.1 32.4 5.4% 30.1% 686.6 505.0 181.8 All 600 625.1 30.8 4.9% 37.8% 724.3 487.7 236.6 All 1200 620.3 29.6 4.8% 33.7% 723.1 513.9 209.2 All 2500 645.1 26.0 4.0% 33.2% 728.3 514.0 214.3 〇 all 623.4 29.9 4.8% 27.9% 728.3 554.6 173.7 5 all 629.9 30.8 4.9% 24.1% 711.9 560.3 151.6 10 all 617.9 35.9 5.8% 30.9% 724.3 533.6 190.7 20 all 622.7 34.6 5.6% 37.8% 723.1 487.7 235.4 ----------看------- —訂--------- §. (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 離5到 0最差 旋轉速 中心的 毫米。 對均一 心的傾 配穿過 中有相 對高速 料，0 ，偏離 ，圖1 視器上 放大） 較晶圓 看出， ，'、孔 顯影速 液噴灑 離5到 體停止 ，毫無 影響加 1249657 五、發明說明（23 就整體來說，在偏 中斷。5稍優於0 ; 2 但在噴灑期間也可看出 •毫米者。可預知，位在 任，特別是1 0及2 0 間的差異，在此，範圍 它1 2 0個點的稀釋中 第二階的多項線適 轉速率間做比較，資料 實表中所看到的趨勢： 在中心與其它部分的資 的一致，在1 0毫米處 除了 一個重複之外 的I P E C圖。（在監 。監視圖的優點是可以 保持固定，因此可以比 是在刻度之外。在此可 ，從偏離1 0慧米開始 顯影液接觸到晶圓，且 測試證實，對顯影 受到5毫米。從中心偏 最靠近的顯影液流，流 的顯影速率被大幅抑制 大損失。較大的偏離使 A7 B7 1 〇毫米的之間的資料明顯 ◦臂的位置是主要的影響， 率的影響，特別是偏離1〇 單點要爲不均一負大部分責 爲捕捉晶 性的測定 向。 資料可以 當的散射 而言，主 及毫米顯 與速率間 9 A - 2 所看的效 。跨過不 間的相對 也可以很 〃在中心 率非常低 而言，偏 1 0毫米 接觸晶圓 疑問會對 劇。流體 圓中心與其餘部分 比標準差有用，其 很容易 。圖1 要的不 然比更 有交互 2 D顯 果遠優 同顏色 一致性 明顯在 形成， 地在不同旋 5 — 1 8 證 一致是發生 大的偏離來 作用。 示所有晶圓 於印出的圖 的速率範圍 。灰及白區 晶圓上看到 很少或沒有 離中心至少可以忍 之間的某些點以及 中心，造成一區域 晶圓的產率造成重 首度接觸晶圓與旋 ----------------訂--------- 暴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- 1249657 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（24) 轉速率交互作用較輕，很明顯主要出現在1 0毫米偏離的 邊界條件。對一致性實際的量測，5毫米偏離稍優於〇， 但在本測試中並無重大差異。 • 這些結果顯示，噴嘴的設計不會導致在晶圓中心顯影 速率的不一致，只要最中心的液流離間中心不超過5毫米 良[1可。 發明優點 代表本發明的實施例是一種具成本效益及優點的方法 或/及噴嘴，至少具有以下的理由。本發明增進了顯影液 模組的C D控制能力。本發明減少了顯影處理期間的瑕疵 及微粒，藉以增進最終元件產率。本發明結合了用於製程 中顯影及沖洗部分的低沖擊力噴嘴，使得對已顯影之特徵 的沖擊力減到最小，必然使得圖案的摺疊最小，因此增進 兀件的產率。本發明具有很寬的製程自由度，且因此降低 了對製程變化的敏感度。本發明包括改良沖洗動作，使得 顯影處理的總時間縮短，因此使產出量增加。噴嘴的優點 包括整體的設計：在單個頭上有3列孔，如有需要，其中 2列供顯影液1列供去離子水。噴嘴的優點包括體積小， 例如’ 3重頭之噴嘴寬度僅1 · 5吋。噴嘴的優點還包括 成本低。噴嘴的優點還包括整體的設計，很容易製造。噴 嘴的優點還包括具有光滑內表面的管狀插入物，用以增進 顆粒性能。 本發明在本文中所揭示的所有實施例不需要過度的實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -27- —--------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249657 Δ7 Α7 Β7 五、發明說明（25) 驗就可實現及實用。雖然以上揭示了發明人爲發明硏討所 完成的最佳模式，但本發明的實用並不限於此。因此，熟 悉此方面技術的人士應瞭解，本發明可以實用於本文特定 •描述以外的其它方面。 例如，各個組件不需要製造成所揭示的形狀或按所揭 示的結構組合，事實上可以是任何形狀，事實上可以任何 結構組合。此外，各個組件也不需要以所揭示的材料製造 ，事實上可以任何適合的材料製造。此外，雖然本文所描 述的多孔噴嘴與模組實體上分離，將可證明多孔噴嘴也可 與使用它的裝置結合爲一體。此外，所揭示之每一實施例 中揭示的所有單元及特徵，都可以與所揭示之其它實施例 中揭示的所有單元及特徵相結合或取代，除非這些單元或 特徵互斥。 將可證明，本發明之特徵的各種附加、修改、及重新 配置都不偏離本發明基本構想的的精神與範圍。本發明所 附申請專利範圍所定義的範圍及它們的相等物，將涵蓋所 有此類的附加、修改、及重新配置。所附申請專利範圍不 能解釋成包括裝置-加-功能的限制，除非某項申請專利 範圍項中使用 ''裝置-用於〃字眼做明確限定。本發明的 權宜實施例由所附申請專利範圍附屬項加以區別。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •28- ----------看------- 訂--------- i (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

Claims (1)

1249657 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 附件4A : 第881丨5 847號專利申請案 中文申請.專利範圍替換本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國94年1 1月23日修正 1 · 一種用於降低對基底上要被顯影之聚合物層之流 體沖擊力的裝置’藉以增進產率及線寬控制性能，該裝置 包括= 一噴嘴包括： 一適合供應流體的流體歧智與第二岐管，其中該流體 歧管與第二歧·管錯置以使該噴嘴的外部寬度較該噴嘴可達 到的標稱（nominal )外部寬度縮小，且前題爲該流體歧管 與該第二歧管不交叉或該流體歧管與該第二歧管不交錯； 與該歧管耦合的多個流體導管；以及 位於該多個流體導管內的多個管狀插入物。 2 · —種用於降低基底上要被顯影之聚合物層之流體 沖擊力的裝置，藉以增進產率及線寬控制性能，該裝置包 括： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一噴嘴包括： 一適合供應顯影液的顯影液歧管； 與該顯影歧管耦合的多個顯影液導管；‘ 一適合供應沖洗液的沖洗歧管； 該沖洗液歧管耦合的多個沖洗液導管， 其中，該顯影液歧管及沖洗歧管是錯置的’以使該噴 嘴的外部寬度較該噴嘴可達到的標稱外部寬度縮小，且前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐）-1 - 1249657 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ^ __ P8_________六、申請專利範圍 題爲該流體歧管與該另一條歧管不交叉或該流體歧管與該 另〜條歧管不交錯；以及 多個管狀插入物，其位於i )該多個顯影液導管及 i i )該多個沖洗液導管的至少一者之中。 3 . —種用於降低對基底上要被顯影之聚合物層之流 體沖擊力的裝置，藉以增進產率及線寬控制性，該裝置包 括： 一噴嘴包括： 一適合供應顯影液的顯影液歧管； 與顯影歧管耦合的多個顯影液導管； 一適合供應沖洗液的沖洗歧管； 與沖洗歧管耦合的多個沖洗液導管， 其中該顯影液歧管與該沖洗歧管錯置，以使該噴嘴白勺 外部寬度該噴嘴可達到的標稱外部寬度縮小，且前題舄_ 流體歧管與該另一條歧管不交叉或該流體歧管與該另〜# 歧管不交錯；以及 多個管狀插入物，其位於i )該多個顯影液導管及 i i )該多個沖洗液導管之一或二者之中，其中該多個管 狀插入物向外延伸超過該噴嘴的底部。 4 . 一種用於降低基底上要被顯影之聚合.物層之流體 沖擊力的裝置，藉以增進產率及線寬控制性能，該裝置包 括： 一噴嘴包括： 一適合供應顯影液的顯影液歧管； 本^：尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（21(^297公釐） '， ^^ (請先閲讀背面、V注意事項再填寫本頁) 丨« 裝 訂 1249657 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 與該顯影歧管耦合的多個顯影液導管； 一適合供應沖洗液的沖洗歧管； 該沖洗液歧管耦合的多個沖洗液導管， 其中，該顯影液歧管及沖洗歧管是錯置的，以使該噴 嘴的外部寬度較該噴嘴可達到的標稱外部寬度縮小，且前 題爲該流體歧管與該另一條歧管不交叉或該流體歧管與該 另一條歧管不交錯；以及 多個管狀插入物，其位於i )該多個顯影液導管及 i i )該多個沖洗液導管之一或二者之中，其中該多個管 狀插入物向內延#進：Λ該流體歧管，以定義一貯儲器，使 該貯儲器保持與該多個流體導管大致上相同的靜壓。 5 · —種用於降低流體沖擊力之多孔噴嘴，包括： 一單一入口歧管，其被形成具有分流（partition)以供 應多個分立的液流； 與該歧管分流供應的多個液流耦合的多個流體導管； 以及 位於各個該多個流體導管內的多個管狀插入物以降低 的流體沖擊力方式來分散多種流體。 6 ·如申請專利範圍第5項之多孔噴嘴，其中該多個 管狀插入物向外延伸超過該噴嘴的底部。 . 7 .如申請專利範圍第5項之多孔噴嘴，其中該多個 管狀插入物向內延伸進入該流體歧管，以定義一貯儲器， 使該貯儲器保持與該多個流體導管大致上相同的靜壓。 8 .如申請專利範圍第5項之多孔噴嘴，其中該多個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T -1¾ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249657 A8 B8 C8 D8 ______ 六、申請專利範圍 流體導管延著一定義的流體導管軸排列。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 ·如申請專利範圍第5項之多孔噴嘴，進一步包括 一與該噴嘴耦合的室，該室適合提供一空氣層流場。 1 0 ·如申請專利範圍第1項的裝置，其中該噴嘴包 括另一入口歧管。 1 1 . 一種於分散多種流體之晶圓顯影液模組中降低 流體沖擊力的裝置，包括： 一用於分散流體之多孔噴嘴，包括： 一形成於該多孔噴嘴中而適合供應顯影液的顯影液歧 管； · 與該顯影歧管耦合的多個顯影液噴嘴； 一形成於該多孔噴嘴中而適合供應沖洗液的沖洗歧管 ;其中該顯影液歧管及沖洗歧管是錯置的，以使該噴嘴的 外部寬度較該噴嘴可達到的標稱外部寬度縮小，且前提爲 該顯影液歧管與該沖洗歧管不交叉或該顯影液歧管與該沖 洗歧管不交錯； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與該沖洗歧管耦合的多個沖洗液噴嘴，且該多個沖洗 液噴嘴延著一沖洗液軸排列；以及 多個管狀插入物，其位於i )該多個顯影液噴嘴及 i i)該多個沖洗液噴嘴之一或二者之中/ . 其中該多孔噴嘴以降低的流體沖擊力方式來供應顯影 液與沖洗液之個別分散。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項的裝置，其中該多個 管狀插入物向外延伸超過該噴嘴的底部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1249657 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項的裝置，其中該多個 管狀插入物向內延伸進入該流體歧管，以定義一貯儲器， 使該貯儲器保持與該多個噴嘴大致上相同的靜壓。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項的裝置，進一步包括 一與該噴嘴耦合的室，該室適合提供一空氣層流場。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項的裝置，其中該多個 顯影液噴嘴延著一顯影液液軸排列，且該顯影液軸基本上 與該沖洗液軸共平面。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項的裝置，其中該顯影 液軸基本上與該沖洗液軸平行。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 -
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