JPS5950440A - レジスト膜の現像方法 - Google Patents
レジスト膜の現像方法Info
- Publication number
- JPS5950440A JPS5950440A JP16200282A JP16200282A JPS5950440A JP S5950440 A JPS5950440 A JP S5950440A JP 16200282 A JP16200282 A JP 16200282A JP 16200282 A JP16200282 A JP 16200282A JP S5950440 A JPS5950440 A JP S5950440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- developing
- soln
- resist film
- entire surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発(月の技術分51f
不発、1月ルジスト膜の3見イ線力法に係り、特にL/
シス)It的現像液の簡1ト方法の(攻善に関するもの
1・t=2る。
シス)It的現像液の簡1ト方法の(攻善に関するもの
1・t=2る。
(1))拶術のfj+ Xi
精毘?II紹1加1拶神+ 、 4I K ’I’堺併
犯積回路の製造−1、7j4j T’ i 、基板にレ
ジストを塗布し、これを露光おまひル、4mし−こパタ
ー−・ニングするこ七が頻繁に行なわれている。同時に
経済性上高速化による特性σ〕向」を目的J: L、
−Cノ’クーンの高集積化が進行し、+のたノア+y1
. l、フロートノのメ:、j ff1’で、均一でか
つ平滑なIj’、:+ ′C1[−: l+Vすること
さ同時に現像作業oyにおこる現像′Jtらをなぐずこ
とか要求いねている。
犯積回路の製造−1、7j4j T’ i 、基板にレ
ジストを塗布し、これを露光おまひル、4mし−こパタ
ー−・ニングするこ七が頻繁に行なわれている。同時に
経済性上高速化による特性σ〕向」を目的J: L、
−Cノ’クーンの高集積化が進行し、+のたノア+y1
. l、フロートノのメ:、j ff1’で、均一でか
つ平滑なIj’、:+ ′C1[−: l+Vすること
さ同時に現像作業oyにおこる現像′Jtらをなぐずこ
とか要求いねている。
(c) 穿沫技術と間顯点
従才のトジスト膜現像力θ、について図面を参照してi
ζ)明する1、卯11ン1け従来の現像方法に使用する
現像装置の傭2略構成図であり同図において、]itレ
ジスト現像液を滴下するノスル、 21d基仇2・上
に塗布さ右だレジスト膜であり+ Fl’13已ノスル
1け基板3の回転中心の上方に位慣している。ルは前記
桿状ろを載せる載置台、5&′:i載置台4の]へ而に
配li1゛された具至ヂャンク、6はこの油卆チャ7ノ
ク5および賊賀台4分回転させる駆動モーター。
ζ)明する1、卯11ン1け従来の現像方法に使用する
現像装置の傭2略構成図であり同図において、]itレ
ジスト現像液を滴下するノスル、 21d基仇2・上
に塗布さ右だレジスト膜であり+ Fl’13已ノスル
1け基板3の回転中心の上方に位慣している。ルは前記
桿状ろを載せる載置台、5&′:i載置台4の]へ而に
配li1゛された具至ヂャンク、6はこの油卆チャ7ノ
ク5および賊賀台4分回転させる駆動モーター。
7はfi、1.細裂rri本体の側壁、8け飛散びハ、
た現像液を拮除するための参ト亀孔である。
た現像液を拮除するための参ト亀孔である。
上記従来の現像装置を用いてレジスト膜を現像する場合
、駆動モーター6を停J1シた状態で載置台4上に所定
のレジスト膜2が塗布された児板3を真空ブλ′ツク・
3にてaS固定し次いで駆’ftJ+−c−り−6に上
l′1基板;・罪をll+定の低速回転しながら基仇3
67)回転中心−1にdJ &’、l l’+ 11だ
ノズル]より郊板:i 1++111c 、f見イf1
.(イ: 4−、 m1’ l ツノr iJ”4”+
2]%l (a)に示すこと< +、> ス111“
W” 2か’)3 、rll−\!l 7’jフi+、
、9J:i ty> 中心if ’f’s、 像液(
1か間作・」イ、 こσ)Jうにし“C↓(オノシ回転
による遠心力とlす1督σ) J[J囮γイ’t il
:C11−F fl料てJ−)て同し1(b)に示4”
と、(< け、j (’1. (f’t dかし 二
スト111戸2により一で中子[Jいlまた1、人様、
′〉曲]に全1111にa・桿1した四点1゛現仰どイ
シ尚トハひ回転に−fI:□ l L−’−Lj:定1
141間於オ゛何、−(世41(t・I−。
、駆動モーター6を停J1シた状態で載置台4上に所定
のレジスト膜2が塗布された児板3を真空ブλ′ツク・
3にてaS固定し次いで駆’ftJ+−c−り−6に上
l′1基板;・罪をll+定の低速回転しながら基仇3
67)回転中心−1にdJ &’、l l’+ 11だ
ノズル]より郊板:i 1++111c 、f見イf1
.(イ: 4−、 m1’ l ツノr iJ”4”+
2]%l (a)に示すこと< +、> ス111“
W” 2か’)3 、rll−\!l 7’jフi+、
、9J:i ty> 中心if ’f’s、 像液(
1か間作・」イ、 こσ)Jうにし“C↓(オノシ回転
による遠心力とlす1督σ) J[J囮γイ’t il
:C11−F fl料てJ−)て同し1(b)に示4”
と、(< け、j (’1. (f’t dかし 二
スト111戸2により一で中子[Jいlまた1、人様、
′〉曲]に全1111にa・桿1した四点1゛現仰どイ
シ尚トハひ回転に−fI:□ l L−’−Lj:定1
141間於オ゛何、−(世41(t・I−。
ハ翻・)で11訂g・を紳、マ2./回転に−1−1,
)−てル4現像液(]′を去(仁127・in j:
、L i 111t+fiン14延ブ、L”C各烙・す
る。必曹に応1−. ’T l;itl、、−T l”
:j f、(4,’t+iz 回1+’、 fl 返i
−スl トK 、t ツ1基υ、・′・ 1σ))−:
−:ノ、ト11・+l シ!の現像→す(、了し微細j
z )<クーノか11成2)れる (以」のLtll、
偉力法4−スヒン現(、Q・力υ、と叶ふ)。尚飛酔さ
71だ訃現像液9′に1側壁′2k・て)だ−ノー(I
」1液孔8 K 、Lつて仙除される。
)−てル4現像液(]′を去(仁127・in j:
、L i 111t+fiン14延ブ、L”C各烙・す
る。必曹に応1−. ’T l;itl、、−T l”
:j f、(4,’t+iz 回1+’、 fl 返i
−スl トK 、t ツ1基υ、・′・ 1σ))−:
−:ノ、ト11・+l シ!の現像→す(、了し微細j
z )<クーノか11成2)れる (以」のLtll、
偉力法4−スヒン現(、Q・力υ、と叶ふ)。尚飛酔さ
71だ訃現像液9′に1側壁′2k・て)だ−ノー(I
」1液孔8 K 、Lつて仙除される。
(7カしソ、か1−・−1述したノビン現像方法におい
てノイ1,41z:’+σ・中心111か自・側縁部に
拡かる現像1液の萌1ハIK−屋ひ中心部に供H)きれ
る現像r+sの新鮮度によつ−1、jJ−tJJ 、’
5の中心部のレジヌレζターンと一側縁部のレジストバ
クーンの寸法楯用に多少のバを生均 1、: J/梼・、つ全イ)の斥−な見、イeか!ll
jズ・1.いという問題かンf7.=−+Aこう (,11発1−!1.1σ)N的 体フC1シj4斗I的はかかる問題虞を解消17て均一
で′久)lニジたし・シスト)漢の3見像力IJ、り)
提供に多・る。
てノイ1,41z:’+σ・中心111か自・側縁部に
拡かる現像1液の萌1ハIK−屋ひ中心部に供H)きれ
る現像r+sの新鮮度によつ−1、jJ−tJJ 、’
5の中心部のレジヌレζターンと一側縁部のレジストバ
クーンの寸法楯用に多少のバを生均 1、: J/梼・、つ全イ)の斥−な見、イeか!ll
jズ・1.いという問題かンf7.=−+Aこう (,11発1−!1.1σ)N的 体フC1シj4斗I的はかかる問題虞を解消17て均一
で′久)lニジたし・シスト)漢の3見像力IJ、り)
提供に多・る。
(o) 発I叫ぬ几IJ、成
本発明し」ノル板上に塗布さtまたレジスト肚の更イq
1ノア・ン入−(゛あづ−(lii托己県伏?: −l
!ひ、しつつ、計〕Iわ゛・lクー゛回11.り中心
J″k・ゴ〕る線」−に11i′夕1−1シだゆ数の江
゛イiイつ簡−1臼−×(・j注1’l−i胃より1該
現像rf+を酪、−トして、01]酌井Jj+7全ii
1 +・こ孫tθした少1回転を佇tlL、1所ンi時
間於!?:i I−、、7尺いてい11転し1訃(見、
イ4(本を4(作ンさする一1稈が含−!h−(なるC
−とを稲徴とする。
1ノア・ン入−(゛あづ−(lii托己県伏?: −l
!ひ、しつつ、計〕Iわ゛・lクー゛回11.り中心
J″k・ゴ〕る線」−に11i′夕1−1シだゆ数の江
゛イiイつ簡−1臼−×(・j注1’l−i胃より1該
現像rf+を酪、−トして、01]酌井Jj+7全ii
1 +・こ孫tθした少1回転を佇tlL、1所ンi時
間於!?:i I−、、7尺いてい11転し1訃(見、
イ4(本を4(作ンさする一1稈が含−!h−(なるC
−とを稲徴とする。
(f) 46.11月の実施f列
置=1一本発1!11のす施例((ついてしl iR+
を参照・して貌ii1.l −i ル。第3 図11−
1本発明の一実MI+、例C〕、) L−ジスl」j、
’jの現像方法を実施するための現イ&7・装v1の秘
略イ1″(、戚。
を参照・して貌ii1.l −i ル。第3 図11−
1本発明の一実MI+、例C〕、) L−ジスl」j、
’jの現像方法を実施するための現イ&7・装v1の秘
略イ1″(、戚。
図である。f、″a前図%jii1吋のバト多〕に−)
いでに同−勾すを1・ILtいる。回図例おいて駆動9
−−−クーロを9、LIt’ L、 ;’c′1.I;
IJ?’t +% ’g(召4 )、K 所定ノL/
シストll’zj 2かみ)′!在さt)たノ11、
法3を↓゛l草チー\ンク5にて吸着固定し、(”くし
)でWく小トコ−タ 6によ1)ノ、(板3を早′す
501)・川で低速回転し/・か1、基υバうの回1、
中心4j、il−[に119(・(C1])た杉・発、
の規1;0□−1イ葵が1i11 イ(、t ] 4
0具イIil: l−、−+、 なル1μイ* /?+
’01、ff1Q’t12 %:Mn L T、 X
’<it>l−F孔1.1 ’J、 リlI+1転J+
(’ ii、ス山・土に規(1,・液を滴下ずれ一″第
4図に示rことく、基板3全面上に略同時に現像液1.
3によで1て被覆さtL、 Ikい−C現像液の絽1−
1及(]回転を停Jしする。この、)、うにし−(約]
0秒聞h9枦1[2塗21Iき71にレジスト脆2を該
現像液13によって現イψし。
いでに同−勾すを1・ILtいる。回図例おいて駆動9
−−−クーロを9、LIt’ L、 ;’c′1.I;
IJ?’t +% ’g(召4 )、K 所定ノL/
シストll’zj 2かみ)′!在さt)たノ11、
法3を↓゛l草チー\ンク5にて吸着固定し、(”くし
)でWく小トコ−タ 6によ1)ノ、(板3を早′す
501)・川で低速回転し/・か1、基υバうの回1、
中心4j、il−[に119(・(C1])た杉・発、
の規1;0□−1イ葵が1i11 イ(、t ] 4
0具イIil: l−、−+、 なル1μイ* /?+
’01、ff1Q’t12 %:Mn L T、 X
’<it>l−F孔1.1 ’J、 リlI+1転J+
(’ ii、ス山・土に規(1,・液を滴下ずれ一″第
4図に示rことく、基板3全面上に略同時に現像液1.
3によで1て被覆さtL、 Ikい−C現像液の絽1−
1及(]回転を停Jしする。この、)、うにし−(約]
0秒聞h9枦1[2塗21Iき71にレジスト脆2を該
現像液13によって現イψし。
次U・で回転によって該現イ象沼−13を^(板7・向
上」二りfilf4j除夫1−C除煙1回転を停止する
1 引き続い1円用計浩J](1,1]より回転基鈑h
1f1i−,1に現像液をIM 1− L、 T現像
をくりかλ−ゼけ、所望の均一なバクーシの形成かrl
、I能、と々る。fl、] Th’+ト孔の代りに中心
練土に細長い崗ト溝を設り−Cも同情の効果を得るこL
が−Cきる。
上」二りfilf4j除夫1−C除煙1回転を停止する
1 引き続い1円用計浩J](1,1]より回転基鈑h
1f1i−,1に現像液をIM 1− L、 T現像
をくりかλ−ゼけ、所望の均一なバクーシの形成かrl
、I能、と々る。fl、] Th’+ト孔の代りに中心
練土に細長い崗ト溝を設り−Cも同情の効果を得るこL
が−Cきる。
(g) 発1力の効果
すなわち基板の回転中心さ交わる線」−(・4611列
したG数の現イ(1液滴1・孔より該現像液を朗記基板
全曲に滴下して略同時に彼値されるこ吉により現像の1
141問3:(’、 (フ・よ0液の現悼を力か全面に
わたって均一となり、したがニー・て均一で安定1.た
レジスミ−膜の現(引力法か可能とカリ、高配9品の取
得率ff1lJ:りr、 IL′i’j’c+慴1歩留
向−■で大きな効牙を得ることがCきる4 4 し!+iTi+の簡1+々;悦り]ζ゛151し1
fdfr来の現像方法(てイd、用する現像装置の):
:を略イ14成し1.第2−kLにf:沫の現像方法を
説明するi’j &’) (Q 、9y +’:j”
l’jl 1fll [”、第3図v1木発E3Jjt
7)一実施例のレゾノド1トさの現像方法を実1iiI
iするだめの現像装置σ)概l□i;彊、%D’j l
rl 、第4図1J木発明の一実施例を脱明するだめU
)要部断1Tii図である。
したG数の現イ(1液滴1・孔より該現像液を朗記基板
全曲に滴下して略同時に彼値されるこ吉により現像の1
141問3:(’、 (フ・よ0液の現悼を力か全面に
わたって均一となり、したがニー・て均一で安定1.た
レジスミ−膜の現(引力法か可能とカリ、高配9品の取
得率ff1lJ:りr、 IL′i’j’c+慴1歩留
向−■で大きな効牙を得ることがCきる4 4 し!+iTi+の簡1+々;悦り]ζ゛151し1
fdfr来の現像方法(てイd、用する現像装置の):
:を略イ14成し1.第2−kLにf:沫の現像方法を
説明するi’j &’) (Q 、9y +’:j”
l’jl 1fll [”、第3図v1木発E3Jjt
7)一実施例のレゾノド1トさの現像方法を実1iiI
iするだめの現像装置σ)概l□i;彊、%D’j l
rl 、第4図1J木発明の一実施例を脱明するだめU
)要部断1Tii図である。
図におい−C,2ルジメ1−11桑、31づ基イ丸 コ
]i、I 現(4R#ll&l下孔、 1311」現
像?iVk示f。
]i、I 現(4R#ll&l下孔、 1311」現
像?iVk示f。
第1図
第2図
(CI)
第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 厚板上に塗布孕れたレジスト膜の世、偉力法であって、
前記基板を19j転しつつ、該第Ujの回転中心(!:
交わる線上に配列した複数の」ν1便W号滴下孔りは簡
(ζ溝より該現像液を滴1し一τ、 IIIF、e、基
板全面に被ツした後、 li;1転を停止して所定時間
放置し9次いで回転し、て該現像液を飛散させる寸、稈
が茗1ねてなるζ々を特?L!lる【/ジフト11Qの
現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16200282A JPS5950440A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | レジスト膜の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16200282A JPS5950440A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | レジスト膜の現像方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5950440A true JPS5950440A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15746166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16200282A Pending JPS5950440A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5950440A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5374312A (en) * | 1991-01-23 | 1994-12-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid coating system |
WO2002008832A3 (en) * | 2000-07-25 | 2002-05-02 | Silicon Valley Group | Method for an improved developing process in wafer photolithography |
US7208262B2 (en) | 1998-09-17 | 2007-04-24 | Asml Holdings N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
JPS5552434U (ja) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | ||
JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
JPS569742A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method of photosensitive resin |
JPS5732445A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-22 | Nec Corp | Developing method for photoresist |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP16200282A patent/JPS5950440A/ja active Pending
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US7255975B2 (en) | 1998-09-17 | 2007-08-14 | Asml Holding N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
US7625692B2 (en) | 1998-09-17 | 2009-12-01 | Asml Holding N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
WO2002008832A3 (en) * | 2000-07-25 | 2002-05-02 | Silicon Valley Group | Method for an improved developing process in wafer photolithography |
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