TWI249222B - Adhesive sheet for producing semiconductor device, semiconductor device therewith, and manufacturing method therefor - Google Patents
Adhesive sheet for producing semiconductor device, semiconductor device therewith, and manufacturing method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- TWI249222B TWI249222B TW093133583A TW93133583A TWI249222B TW I249222 B TWI249222 B TW I249222B TW 093133583 A TW093133583 A TW 093133583A TW 93133583 A TW93133583 A TW 93133583A TW I249222 B TWI249222 B TW I249222B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- adhesive
- manufacturing
- adhesive layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
1249222 九、發明說明: [發明所屬之技術領域] 本發明係有關可用以製造半導體裝置的黏性片;有關 經由使用該黏性片而製造的半導體裝置;以及有關製造該 ,性片之方法。於半導體裝置的製造中,亦即,半導體= =例如QFN等,係將本發明黏性片以可剝離之形式黏附在 ^線架或電路板(Wiring b〇ard)。本申請案主張2⑽3年U 月7曰提出申請的曰本專利申請案第2〇〇3_3781 18號之優 先權,其内容以引用方式併於本文。 [先前技術] ^近來,由於電子機器例如手提式個人電腦、行動電話 =^ μ小化、製成更為薄、且製成多功能,因此有需要安 裝高密度的電子零件,並將構成電子I置的電子零件高度 集積化。在此等狀況之下’平面安裝(face_m_t)型半導體 袭置,稱為“CSP”,亦即晶片尺寸封裝(Chip Size Packa^ 即成為注意焦點,而取代了 QFP(四方平板封裝(QuadFlat
Package))和SOP(小尺寸封褒(SmaU Out— 。於 CSP中’且特別是在qfn广益道胳 以以(無寺腳四方平板(Quad Flat
Non-㈣)之中,"QFN(無導腳四方平板_ N.㈣)可使用傳統半導體裝置所用之製造技術製造,所 以主要係適用為具彳!⑻個或更少個接腳的低端子數型 (low-顏nber-0f-terminai_type)半導體裝置。 ,、於後文:,係參照第从至51)圖來解說傳統QFW 製造方法。弟5A i 5D圖顯示於QFN製造中之斷面圖, 316466 5 1249222 其係以相對於導線架的半導體裝置之安裝表面垂直切割。 首先,如第5A圖中所顯示,先製備具有眾多半導體裝置 女衣令件(晶粒座部份P〇rti〇n)) 1 2 1與沿著半導體 衣置女I夺件(晶粒座部份(die-pad portion))121周、篇裝設 有許多導腳122的導線架120,然後於該導線架12〇的表 面上黏附上黏性片110,該黏性片11〇具有叠著層112與 形成於該黏著層112上面的耐熱性基底材料(lu j接著, 如第5B圖中所顯示者,在導線架12〇的各個半導體裝置 安裝零件m上面安裝半導體裝置130,將3>導體裝置13〇 與導線架120的導腳122分別透過銲線131連接起來,及 使用模塑樹脂(m〇lding resin)I4〇將半導體裝置13〇等密 封接著,如第5C圖中所顯示者,從導線架i2〇剝掉黏 眭片11〇而得到上面排列著眾多QFN 15〇的qfn單元。 /有關黏性片11〇 >斤用的黏著劑,通常係使用環氧樹脂/ 丙烯腈-丁二烯共聚物(NBR)型黏著劑與矽酮型黏著劑,如 在曰本未審查專利申請案,首次公開第H06-1 8 127號中所 示者。 ^不k於使用環氧樹脂/ NBR型黏著劑或石夕g同型黏著 相傳統黏性片中,通常將黏著層教造成儘可能地薄,例 如5微米,以期抑制所謂“黏著劑殘渣(adhesive residue),,, 亦即’仗導線架剥掉黏性片日夺在導線架的剝離側中所殘留 、站著J之心生。對於此種傳統黏性片會有下列諸項問題。 於使用具有黏著層的黏性片製造傳統QFN 150之情況 中,該黏著劑無法進入導腳之間的間隙,使得黏著層的表 316466 6 1249222 面和導線架的底部皆處於相同的平面之上,如第5a 所顯不者,且由於此結果,如第6圖中所顯示者,導線加 120的底部(安裝於電路板等之令時的外部連 木 位於相對於模塑樹脂14()的底部之相同平面之上:子均係 此外’UA圖為-顯示得自先前所述方法的第奶 二所示傳統^之圖式,且其中顯示出導腳已經以預^ 排狀樣子。亦即,成料料接料的導聊之尖端 無法從傳統QFN中的模塑樹脂表面突出來。於此^ 錢用焊劑安裝於電路板上面的情況中,料接係於 S塑树月日底部的平面上相對於配置有導聊的表面進行。此 ^ ’嚴格說來’於切製㈣單元以分別形成QFN時,可 於相對暴露於側表面的導腳實施蟬接。不過,主要係使用 與模塑樹職輕於相时面上之導腳作料部連 子。因此,於後文中只有提及此等者。 在將桿球!60施加到第6A圖中所示的qfn 15〇時, 如第6B圖中所示者,焊球⑽只會分別黏附在導聊122 底部’且焊球160會形成近似二_維的面接合。 戶’ X相對於周圍安裝(circ職m〇unting)類型 半導體裝置’例如向上黏附成為三維的㈣,當安裝在電 :才反上時’傳統QFN具有相當低的安裝強度,使得焊劑可 f自外部連接端子的底部包覆於端子之側邊,且其安裝可 Λ性(例如電路板的彎曲強度)亦相當的低。 再者如第6C圖中所顯示者,於要安裝的電路板 义面上含有外來物質171 (例如,黏附性物質,如灰塵以及 316466 7 1249222 有配線的部分等,在對應於 中’若該外來物質m的高度情況 消(取決於其尺寸),則焊球16〇 ^ 60的南度所抵 170,或者可於、▲ 士 χ & A "、、去成功地連接電路板 月匕w成不良的電性連接戋 易從電路板Π0剝離。 纟次卜球⑽可能變得容 =者’在製造QFN時之樹脂模塑 Γ脂模塑係在5至崎的壓力且在150至二= 熱下實施。 肛土 2^〇C之加
(在京性片的黏著層會暴露於高溫,使得黏著硬s (在黏者層與導線架 者,合…P “" 者強度)會相對地減退,且名 ^ 4生^核塑溢料”(则之現象,其中係3 =1:塑樹脂的壓力,使黏著層從導線架剝離且使拍 二導腳底側或半導體裝置安裝部份,因- [發明内容] 有鑑於上述情況’乃產生了本發明。亦即,本發明之 一目的為提供製造半導體裝置用之黏性片,其在QFN等的· 半導體裝置之製造中不會有模塑溢料也不會有黏著劑殘渣 殘留之風險’且其可增加對QFN等半導體裝置的電路板之 安裝強度以及安裝可靠性。 制再者本龟明之另一目的為提供一種半導體裝置與其 製造方法,其在QFN等的半導體裝置之製造中不會有模塑 溢料也不會有黏著劑殘渣殘留之風險,具有對於qfn等的 電路板之高安裝強度與高安裝可靠性。 316466 8 1249222 本發明之發明人經徹底研究以期解決上述諸項門預 以 並發明下述製造半導體裝置用之黏性片,半導體裝置〜 及其製造方法。 且衣’ 本發明製造半導體裝置用之黏性片為以可制離形式黏 附至導線架或電路板以用於製造半導體裝置之黏性片,係 包括在其一表面上的黏著層與耐熱性基底材料,其中咳黏 著層包含熱固性樹脂(a)與可剝離性賦予成分(b)。 ° 較佳者,該上述黏性片進一步包含熱塑性樹脂 關該可剝離性賦予成分⑻’較佳者為賴油。再者,該黏 著層較佳係包含與該熱固性樹脂⑷或同時與該埶固:樹 該熱塑性樹脂⑷兩者化學鍵結之該可剝離性賦予 另外,較佳者,上述黏著層於加熱固化之後,在1 π 至25〇°C下的最低貯存模數為不低於1 MPa。較佳者,上 =熱,基底材料為一耐熱性樹脂膜,其具有不低於⑼ ::璃轉換溫度以及5至5〇 ppm/。。之熱膨脹係數;或 ”、、/、 5至50 PPm/°C的熱膨脹係數之金屬箔。 +者且於上迷耐熱性基底材料表面上,於施加有上 述钻者層之相對表面上形成保護膜。 /f須提及者,於此說明書中’“貯存模數(storage _ ulus)的測量條件將在下面的“操作實施例,,中解釋。 =明製造半導體裝置用之黏性片為以可剝離形式黏 =^線架或電路板以用於製造半導體裂置之黏性片,係 ^舌在其表面上的黏著層與耐熱性基底材料,其中,一 316466 9 1249222 部份黏著層係於黏附到導線架及/或電路板 導線架及/或電路板上面的間隙内。 乂 '' 較佳者,上述黏著層的厚度不小於6微米(㈣,且較 1 土者,係構成本發明製造半導體裝置用之黏性片,以… 5本發明黏性片黏附到導線架及/或電路板時,上述== 入邊形成於導線架及/或電路板上面之^ 小於2微米。㈣的冰度不 本發明半導體裝置包括具有_導體元 部連接端子之導線架 女以伤與外 導邮开杜m 及至少—個安、在該半 二S T 上且用模塑樹脂密封的半導體元件,並 中该外部連接端子係從模塑樹脂底部突出。 ,、 之於此說明書中’於安裝有半導體的表面上 W度方向看之情況下’該安裝有 樹脂的“底部(bottom)”。 ^表面稱為桓塑 本發明製造半導體裝置的方法 ,半導體裂置用之黏性片以可剝離的方 半:體安裝部份的導線架或電路板,使得一部份㈣= 形成於導線架或電路板上的間隙内 炎到該半導體安裝部份 /件女 線架或電路板的外部連接尸子^粗疋件笔性連接到該導 架或電路板以及該半=塑樹脂密封該導線 離掉該製造半導體褒置用生=導線架或電路板剝 有優良之可將黏著層從導線;=由於本發明黎性片具 . 木^电路板剝離的性質,因此 316466 10 1249222 若使用此黏性片製造QFNf 殘留下來的可能性。 衣置’則〉又有|占著劍 再者由於—部份黏著層可進入該形成於導線加 路板上的間隙内,因此若使用本發明製造半導财置^之 使用模塑樹脂的密封一沒有發生模塑 出來再:卜:於外部連接端子的尖端係從模塑樹脂底部突 =用因此在將所得半導體裝置安裝到電路板等之上時 广帛二_維形式施加到外部連接端子,藉 度,且亦增高安裝可靠性。 衣強 門隙^=由於在電路㈣與經安裝的半導體裝置之間的 由具有從模塑樹脂底部突出的尖 =:於先前較為拓寬,因此其結果可:i因 性連接❹電路板上’存在外來物質所導致的 r生連接,亚错以改善安裝可靠性。 再者’經由使用本發明製造半導體置 可以提供於製造中沒有模塑溢料也沒有黏著:二=, 風險,對於電路板等有高安裝強度 = 之QFN等半導體裝置。 W良女裝可罪性 [實施方式] 下面要詳細解說本發明。 製造半導體裝置用之黏性片,, 本發明黏性片1〇 (製造半導體裝置用之黏性片)為以 316466 11 1249222 Z離方絲附在導線架及/或電路板之純片,且如第^ 方向之橫斷面,本發明黏性片10大致係由 土包斗11與形成於其表面上的黏著層12所構 成。於本發明中,該黏著層12的組成物為其特徵。 (耐熱性基底材料) f關該耐熱性基底材料u,較佳者為使用耐 膑、金屬箔等。 於製造諸如QFN之半導體裝£中,係使本發明黏性片 晶粒接著程序、打線(wire_b〇nding)程序、以 塑樹脂的密封程序中暴絲15Gi2贼的高溫。 於使用耐熱性樹脂膜作為耐熱性基底材料U的情況 T二若溫度增加至玻璃轉變溫度(Tg)以上時,該耐熱性樹 ,膜的線性膨脹係數會快速地增加,且由於與金屬導線架 等的熱膨脹差異變A,因*匕當冷卻到室溫時,在其上黏附 有姑11片的導線架會有發生彎曲之可能性。當其上黏附有 =性片的導線架於使用模塑樹脂的密封程序中發生彎曲 ^ ‘、’表木專無法具備金屬模具的定位針腳,使得可能發 生不良定位。所以,當使用耐熱性樹脂膜作為耐熱性基底 材料11時,該耐熱性膜的玻璃轉變溫度較佳為不低於150 C 且更佳為不低於180°C。再者,由於金屬導線架等的
熱膨脹差異宜微小,因此該耐熱性樹脂膜在150至250°C 中的熱知脹係數較佳為5至50 ppm/°C,且更佳為1〇至30 Ppm/〇C。 有關具有此等性質之此類耐熱性樹脂膜,可以列舉者 12 316466 1249222 為用聚酿亞胺、聚赫日公 ^ , 聚醚碉、聚苯硫醚、聚醚酮、Ψ ㈣:;;化㈣虫鼠基纖維素、聚驗酿亞胺等所製之膜: 使用用金屬落作為耐熱性基底材料11時,所 孟萄泊f 150至25〇〇C的熱膨脹係數較佳為5至5〇 且更佳為10至30 ρρηι/ζ3(:。 以列舉者為用金、銀、銅、勒“ W此種金屬治,可 鈷、鎳、铲、鈀“n J 、呂、鎂、鈦、鉻、錳、鐵、 八 Ύ ’ ‘、錫等所製造的箔、使用ji卜笼么® ^ :主成分所製成的合〜“及 過程防止:著:N寺半導體裝置中於黏性片剝離 又 子口亥在模塑樹脂與導線竿箄釉#展 12之間的黏著強度Sb ¥良:寻黏者層 較佳為不低於h5。 手(々占考強度比),亦即Sa/Sb, 在S a/S b小於1 5的}主、 黏著劑殘洁m i月於剝離過程中可能發生 者義s目而不是較佳者。應提及者,當 底材料11為耐熱性樹脂膜時,為了使黏著強度二../Sb二 低…較佳係事先對於其上要形軸著 = 讀键化處理,《提高在耐熱性樹脂之;= :強度Sa’該等處理可為例如電晕處理、電;;;間2 处理(pnmer processing)、與噴砂處理。雖然 =二 為輾軋金屬箔(r〇llingmetam 、,萄泊經为類 使㈣強…/cu )電解金屬箱,但為了 於L粗严:的/ +低於丨.5,較佳係使用電解金屬落並 万、經粗糙化的表面上形成黏著 蜀/曰1 者層12再者,於電解金屬箔 316466 13 1249222 中尤其較佳者為電解銅箔。 ‘黏著層” (a)與可剝離性賦予 步包含熱塑性樹脂 本發明黏著層12含有熱固性樹脂 成分⑻作為必需成分,且較佳者進— (C)。 熱固性樹脂(a)為給予黏著 柹晳夕士八日12良好弹性和良好黏^ r到f二:"錯由在製造QFN等之"參合此成分 付到良好的打線性質與樹脂防 脂,可以列舉者盍尸本斑t 貝有關该熱固性拍
rrbenz〇 ‘、、'水素树月曰、二聚氰胺樹脂、笨基胍胺機 曰·、、gUanaminereSin)、甲基胍胺樹脂(咖。g職amnn 不飽和聚酯樹脂、苯二甲酸_ & $ # w 夫南树月曰、 .,i+ 0t 本f馱一烯丙酯樹脂、異氰酸酯樹脂、 私乳树脂、順丁烯二醒 J曰 (nadimide resin)笃。μμ #也 牛氺片烯一酉遊亞胺樹脂 用,也可以將u性樹料以—種單獨地使 也了以將其中二種或更多種—起使用。
尤其,較佳者為使用環氧樹脂及/或酚樹脂,因為人右 的黏者層12可以在打線程序的加W下雜垃 2 咖序的加工溫度下維持:基底材 ]才,、%、、杲木4之間的高黏著強度。 可剝離性賦予成分(b)為經掺合人以在製造_等之 ^片剝離程序中增加可雜性且防止黏 =有關該可剝離性賦予成分⑻,可以列舉者為㈣= 網油與變性矽酮油等。 夕 有關未變性石夕酮油,可以列皇去焱- J以力举者為—曱基聚石夕氧烧類 316466 14 1249222 型、甲基氫聚石夕氧烷類型、甲基笨基聚石夕氧烷類型等。有 關變性矽酮油,可以使用對於熱固性樹脂⑷或者同時對於 熱固性樹脂⑷及熱塑性樹脂⑷兩者都具有㈣反應性之 任何反應性㈣油’與對於此#樹脂都沒有相對反應性的 非反應性矽酮油。 有關前述反應性矽s同油’可以列舉者為胺基變性類 型、環氧基變性類型、緩基變性類型、甲醇變性類型、甲 基丙烯酸變性(methacrylicdenaturati〇n)類&、氮硫基變性 類型、、驗變性類型等,而於另—方面,有關後述非反應性 矽酮油’可以列舉者為聚醚變性類型、甲基苯乙烯基變性 颛型]兀基變性類型、脂肪酸醋變性類型、烧氧基變性類 型、氟變性類型等。 、 、此等石夕酉同油可以一種單獨地使用,也可以將其中二種 或更多種一起使用。 尤其,對於熱固性樹脂⑷或者同時對於熱固性樹脂⑷ =熱塑性樹脂⑷兩者都具有相對反應性之變性賴油者 為較佳,因為上述變師酮油在用來形成黏著層時, 固地,學鍵結到該熱固性樹脂⑷或者熱固性樹脂(相熱 ㈠巾*使付^性增加,且結果導致其黏 成为f在剝離程序中一替# 4,丨雜, _ 殘渣。 斤r “剝離’於疋可高度抑制黏著劑 =黏著層12料含有_性樹脂⑷和可剝離性賦予 成刀⑻,則在QFN等的製造_,_部分料層i 2可進入 /成於‘、.表木或電路板上的毗鄰端子之間的間隙内,然而 316466 15 1249222 有關此之細卽將於後文解說。 再者’經由將熱塑性樹脂〔 + 目4、; 44从, "周—到黏著層12内,則可 賦予挽性,使一部分勒菩爲7 1 幻』 -、 a 12受得容易進導 板的間隙内,且使作為純 或電路 有關熱塑性樹脂(c),可 乂改。。 聚物(NBR)、丙稀腈·丁 —烯 —、歸八
』一烯-本乙烯樹脂(AB 丁二烯乙烯樹脂(SEb X )本乙烯_ 本乙細-丁 _知-笨f梭叫p匕 (SBS)、聚丁二烯、聚 卹本乙烯樹脂 ^ ^ 烯腈、來乙烯基丁醛、聚醯胺、聚 ^ 女 ♦酉曰、聚胺基甲酸酯、聚-甲其 矽氧烷等。 永一T暴 於此等之中,牲5?丨丨Θ曰‘ 萨亞胎、疋,、有醯胺組合的聚醯胺、聚醯胺 0皿亞月女與丙細膳·丁 -、膝4 丁一烯共聚物樹脂等為較佳,因為此等都 具有優良的耐敎性。卜卜楚為 …、 此寻熱塑性樹脂可以一種單猶岫你 用,也可以將其令裡早獨地使 T —禋或更多種一起使用。 再者’熱塑性樹脂g 日w的重I平均分子置較佳者為 ,000 至丄 〇〇〇 〇〇〇,争 ^ , 更仏者為5,000至800,000,且特別較 ^ 者為 105000 至 50〇,〇〇〇。 ^ 、二由將熱塑性樹脂(c)的重量平均分子量限制在上述 在内可以增加黏著層12的凝聚力,進一步抑制黏性片 H中的”劑殘渣,因而為較佳者。 t雖然各成分的量沒有特別限制,不過於調配熱塑性樹 月曰⑷的情況中,熱固性樹脂⑷對熱塑性樹脂(c)的質量比 I V(c))較佳者不超過3·5,更佳者為〇·3至3·5,遠更佳 :、、、〇·3至2.5,且特別較佳者為1至2.5。 16 316466 1249222 方、成刀(a)對(c)的質量比例,亦即(⑷/⑷),超過3.5 的N況中,黏著層12的撓性可能減低。於製造QFN等時 使用杈!树月曰的岔封程序中’黏性片的黏著強度可能減 低:使得導線架等與黏性片可能彼此部份剝離,而可能造 成模塑溢料。再者,也有使—部份黏著層12可能無法進入 ‘線架荨的間隙内之可能性。 另一方面,於質量比例((a)/(c))低於Q 3的情況中,彈 性模數可能減低,因此可能造成不良的打線。 再者,不論熱塑性樹脂⑷存在或不存在,樹脂成分總 里固性樹脂⑷和熱塑性樹脂⑷的總量)對可剝離性賦 予成分(b)之質量比例((⑷+ (c))_較佳為6至2,_,更 佳為10至1,〇〇〇。 成分總量對可剝離性心成分⑻之質量比例 h方、6之^況中,導線架等與黏^ ^ ^ ==用模塑樹脂的密封程序中會有導線架等與黏 片=彼此部份剝離之可能性,因此可能造成模塑溢料。 之所%卜=’於樹脂成分總量對可剝離性賦予成分⑻ 之貝夏比例超過2,〇〇〇之情況中, 斤 ^ ^ _ Λ, 1 V、、表木寻與黏性片之間 殘澄可能殘留之可能性。 耗序中會有黏著劑 尤其,在打線程序之前實施導繞加 導嗖牟的矣而々& 4木的笔漿清潔以清潔 V、·泉木的表面之情況中,此現象則相當顯著。 黏著層12之中,除了上述成之外, 添加其他成分。 316466 17 1249222 =,為了調整熱膨脹係數、熱傳導係數、表 性、#性料’較佳者為添加無機或有機填充料/ =,有關無機填充料,可以列舉者為研模型氧化石夕、 ^^ 礼化鈦乳化鈹、氧化鎂、碳酸 鈣、虱化鈦、氮化矽、氮化硼 碳化欽、碳化錯、碳化錮、雲母、氧鈦二 釔、虱氧化!弓、虱氧化鎂、三氧化録等,或其中在 導入有三甲基矽烷氧基等之物質。 八 有關有機填充料,可以列舉者為由聚醯亞胺、聚舻胺 酿f,、聚義綱、㈣醒亞胺、聚醋酿亞胺、尼龍、聚 石夕乳寻所製成的填充料。於本發明黏性片1()之中,在黏著 經熱固化之後,於150至靴下的最低貯存模數較 仏為不低於iMPa、更佳為不低於1()咖、且特別 低於50 MPa。 於本發明黏性片Π)之中,在黏著層12經熱固化之後, 於150至25(rc下的最低貯存模數較佳為不低於丨奶、 更佳為不低於10MPa、且特別佳為不低於5〇Mpa。 應提及者,“熱固化之後(after heat cunng)”係相當於 晶粒接著程序的熱處理之後,且上述溫度範圍係相當於打 線程序的熱處理溫度。 於製造QFN等之中的打線程序中,係在丨5〇至25(Γ(: 力曰口熱下施加60至120 kHz超音波以將銲線的兩端焊接,使 得半導體裝置與導線架等透過銲線彼此電性連接。 於此時,由於位於導線架等正下方之黏性片1〇的黏著 316466 18 1249222 層12係暴露於上述溫度下,因此其彈性會減低,且易於吸 收超音波’結果導致為該導線架等可能會振動,且可能發 生不良的打線。 不過,若在打線程序的溫度(亦即,在15〇至25〇。〇的 範圍内)下之最低貯存模數不低於! Mpa,則該黏著層Η 可以在打線程序中維持住其高彈性,且導致難以吸收超音 波並可以避免不良的打線。 必須提及者’貯存模數可經由熱固性樹脂⑷對熱塑性 樹脂(c)的質量比例等予以控制。例如,為了使在至 °c下的最低貯存模數不低於1MPa,則可以經由,例如, 使熱固性樹脂⑷對熱塑性樹脂⑷的質量比例不低於〇. 3而 達到’不過其係取決於樹脂之類型。 、雖然本發明黏性片10的製造方法沒有特別的限制,不 過較佳者為澆鑄法(casting methodHD積層法 method)。於洗鑄法中’係製備含有熱固性樹脂⑷、可剝 離性賦予成分(b)、熱塑性樹脂(c)和有需要的其他成分之黏 著劑組成物,然後將該黏著劑組成物直接塗佈到耐熱性基 底材料11之上’且予以乾燥以形成黏著層12。 ♦於積層法中,係將上述黏著劑組成物一次塗佈到可脫 離性膜上,且將其乾燥以形成黏著層12,並於其後再將該 黏著層轉移到耐熱性基底材料丨丨之上。 必須提及者’從可塗性(painta|3ility)等的觀點來看, 較佳者係經由將該熱固性樹脂(a)、可剝離性賦予成分(匕) 與有需要時的熱塑性樹脂(c)分別溶解在有機溶劑内超過工 316466 19 1249222 重量%、較佳為超過5重量%。 有關所使用之有機溶劑, 采.舶心“ 可以列舉者為甲苯和二甲 苯,酮類例如丙酮、甲其 土乙基酮與P基異丁基酮;非質子 生Ϊ彳如—甲基甲酿胺、二 — 酮;與四氫呋喃等。此箄右:女、和&甲基批洛烧 h 寻此寻有機溶劑可以-種單獨地使用, 也可以將其中二種或更多種—起使用。 於本發明黏性片10中,可以在黏
脫離的保護膜(沒有顯干屮、..^ U X 、(又百'·,、員不出)’稭以在製造半導體裝置之前 刻將该保護性膜脫離掉。於此主 千万、此f月况中,則可以在黏性片10 衣k好之後與在使用之前,避免對該黏著層之損宝。口 要做為該保護膜之膜具有可脫離性質,則任何類型的膜都 可以使用,不過可列舉者為諸如下列之膜H聚乙稀、 聚,稀和聚對苯二甲酸乙二醇酉旨,該膜之表面係經使用聚 矽虱樹脂或氟化合物處理過以成為可脫離者。 由於該黏著㉟12含有可剝離性賦予成分⑻,因此本 發明黏性片10具有優良的黏著層12可剝離性。所以,即 使將該黏著層12的厚度增加到大於先前者,於製造QFN 等半導體裝置之中,在從導線架等剝掉黏性片1〇的黏性片 剝離過程中,仍可以將黏性片1〇順利地剝離掉且沒有殘留 黏著劑殘渣之可能性。 如此,由於即使黏著層12較厚於先前者也不怕會殘留 黏著劑殘渣,因此黏著層12可以比先前者較為厚。0因此, 當本發明黏性片10黏附於導線架等時,一部份該黏著層 12可進入該形成於導線架等上面之毗鄰端子之間的間隙 316466 20 1249222
内。雖然黏著層1 2的厘#、乃I 小於又/又有特別限制,不過其較佳為不 6被未,且特別較佳為不小於8财。 經由將該黏著層12的,择R 卡 部份該黏著層12输是可:定為不小於6微米’則-間階允、去, 了乂進入到形成於導線架等之上的 产,因此^的》朱度’具體而言達到不小於2微米之深 提供其外部連接端子的尖端從模塑樹脂底部 八出不小於2微米之半導體裝置。 _ 畤加f卜由於可以使—部份該黏著層12進入到形成於導 =上的間隙内’因此在黏性片ι。與導線架等之間: 黏者強度可以獲得顯著改善。 溢料=能用模塑樹脂的密封程序中也沒有發生模塑 ,p本&明黏性片i G可以同時擁有高黏著強度與清 可剝離性,此兩性質係彼此相矛盾者。 、 由於本發明黏性片10之黏著層12含有熱固_ ⑷’因此於打線程序中,該黏著層12可維持高彈性使得 本發明黏性片10不具有會造成不良打線之可能性。 半導體裝置與其製造方法,, 接著,係根據第2圖和第3圖解釋使用本發明黏 製造半導體裝置的方法之一個具體實例。 、於後文中,係以同日夺製造二個或更多個㈣⑷作為半 導體裝置之情況為例子進行解說。必須提及者,第2圖為 從安裝半導體元件之側看時的導線架平面圖,而第3A至 3F圖為製造中QFN的A至A,斷面圖。 316466 1249222 首先,製備具有如第2圖中所_ 即,導線架2 0裝配著眾多半斤不f ^的導線架2 〇。亦 份切,該等半導體元件安裝^;;m份(晶粒座部 =::::元件,例…二:::上: 女1部伤21的周緣裝配著許多導腳u。 V组兀件 ,、人如第3A圖中所顯示,本發 剝離方式黏附在導線架2“卜表面上,使4:^ 側係在導線架20側(黏性片黏附步驟 " i2 黏附到導線架20之方法,適+者 胃將扃性片1〇 万法適田者為熱積層法、熱壓合法等。 圖中所顯示,於本發明之此步驟中,可 '刀黏者層12進入該形成於導線架20上的間隙(亦 V腳22之間的間隙)之内達不小於2微米之 度0 曰八人,如第3B圖中所顯示,半導體元件3〇,例如ic ^ ‘使用日日粒接著劑(沒有顯示出)從沒有黏附黏性片 勺X侧女衣於導線架2〇的半導體元件安裝部份2工。 φ ‘‘晶粒接著程序,,(dle-attachpr〇cess) 於有需要時’係在要安裝半導體元件30的導線架20 實施電漿清潔。 笔水β潔係在打線程序之前實施,以防止放氣(〇utgas) 成刀’儿積在導線架2〇的表面上。亦即,放氣成分係在安裝 半^體之後且在打線程序之前,於導線架的受熱過程從黏 生片10和晶粒接著劑等產生的。若放氣成分沉積在導線架 22 316466 1249222 2〇的表面上,則可能在打線程序中發生不良的電性連接, 使得產率降低。 其次’如第3C圖中所顯示,半導體元件3〇和導線竿 的導腳22係透過由金線製成的銲線31而彼此電性連接 (打線程序)。再者,如第3D圖中所顯示,導線架鱼半 導體元件30係使用模塑樹脂4〇於第%圖中所示的製造 中將QFN鋪設在樹脂模塑模(resin m〇lding廿⑹内,並且使 用該模塑樹脂(模塑材料)進行轉移鑄模: molding)(晶粒模塑(die m〇ldmg))而密封住。(樹脂模塑程籲 序) 接著,如第3E圖中所顯示,將黏性片1〇從模塑樹脂 4〇和導線架20剝離(黏性片剝離程序)而得到排 QFNs 50的QFN單元。 夕 最後’如第3F圖中所顯示,沿著_s %的 切割QFN單元以製得眾多qFNs 5〇。由於該呀仏5〇得使 用上述本發明黏性片1Q根據上述製造方法製成,因此沒有 發生不良打線、模塑溢料(mold flash)與黏著劑殘〉查之可能籲 12進入該導線架20的間隙之中,如帛3ρ目中所顯^者曰, 故可以得到作為外部連接端子的導腳22《尖端從模 脂40底部突出不小於2微米之_ 5〇。第4a圖^ QFN50之B-B,橫斷面(第2圖中所示之b_b,線)。 此圖式顯示出該導腳係以預定的間距排列。 316466 23 1249222 若將焊球60接著到第4A圖中 4B圖中所示者時,則該谭球60可用三维方™ 5〇,如第 導腳22可為該焊球沿著從作為外=接==使得 之底部起到側邊所包裹。 I連接柒子的導腳22 如此一來,相對於傳統qfn,該 地黏附到作為外部連接端子的導腳22,且在安::二牢固 等之後的安裝強度可顯著地改善。盆 二”板 例如電路板的彎曲強度,可以獲得顯二 間相對於傳統者:更Π, 者,即使電路板二外=:來’如第4C圖中所示 有卜來物貝71(例如,黏附性物質, A IT ’與對應機械損害中配線變形的部分等),也會因 ί所=質Μ的高度為導腳22的突出部份和谭球6〇的高 度所抵 >为,而使得焊球6〇可以與電路板川有良好的接觸。 如此一來,由於外來物質71存在所導致的不良電性連 接與焊球6G從電路板剝離之現象都可以顯著地抑制住。 如上面所解釋’根據本發明’可以提供用以製造半導 體裝置用之黏性片,其在製造卿之中,沒有不良的打 '又有杈塑溢料、不必害怕有殘留黏著劑殘渣之風險、 能夠增加對QFN的電路板之安裝強度與安裝可靠性。 h再者,可以提供QFN和其製造方法,其具有對電路板 等的高安裝強度,與優良的安裝可靠性。 必須提及者’雖然上面的具體實施例係以對使用導線 316466 24 1249222 人々Q N的衣造之應用例子來解說,不過本發明可以應用 於具有任何構造的任何半導體裝置,只要其具有經安裝 其在導線架或電路板上所形成的半導體元件安裝部份上, 且係用模塑樹脂將其密封之半導體元件即可。 ' ~雖然本赉明係藉著操作實施例和比較實施例予 “、。進y ~5兒,不過此等實施例全然不限制到本發明。 ‘操作實施例U,, 將^1中所顯示的諸成分以表i中所顯示的質量比例 在四韻喃溶劑之下混合以製備黏著劑組成物。必須提及 二二::中,也顯示出樹脂成分總量(熱固性樹脂⑷和 二二二脂⑷的總量)對可剝離性賦予成分(b)之質量比例 a) (c))/(b))以及熱固性樹脂⑷/熱塑性樹脂 例(⑷/⑷)(於比較實施例中也一樣)。 貝里比 塗布該黏著劑組成物後,使用聚_胺樹脂 版商扣名稱:ΚΑΡΤ0Ν100ΕΝ,為 Du pontToray co,Ltd :衣=厚度25微米’其玻璃轉變溫度不低於糊。C,熱 t =數為16 ppmrC)作為耐熱性基底材料 =厚度可達丨。微米,將所得膜置於12。。。下乾燥5 : 1里而付到本發明黏性片。 “比較實施例1,, 將表1中所顯示的諸成公本 ,^ 取刀以表1中所顯示的質量比例 在四虱呋喃溶劑之下混合以f 例 備黏者劑組成物。然後,經 由人插作貫施例相同的程库 序幵乂成供比較所用的黏性片,苴 中不同之處在於,於形成黏著 片/、 f τ ’將该黏者劑組成物 316466 1249222 塗布於該膜之上,使得乾燥後的厚度成為5微米。 “比較實施例2” 將表1中所顯示的諸成分以表1中所顯示的質量比例 在甲苯溶劑中混合以製備黏著劑組成物。 然後’將該黏著劑組成物塗布於與操作實施例中相同 的耐熱性基底材料之上,使得乾燥後的厚度成為5微米, 之後,將所得片體置於160°C下乾燥5分鐘而得到供比較 所用的黏性片。 “比較實施例3” 以與比較實施例1相同的程序製備得到一黏性片,不 同處在於將表1中所顯示的諸成分以表1中所顯示的質量 比例在四氫呋喃溶劑之下混合以製備黏著劑組成物。 必須提及者,表1中的諸符號係表示下列成分。 (A1):環氧樹脂(商品名稱“AT-501”為 DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES C〇·,LTD·,所製造,重量平均分 子量 120,000), (A2):環氧樹脂(商品名稱“EPKOTE 828”為JAPAN EPOXY RESINS C〇·,LTD·,所製造), (A3):環氧樹脂(商品名稱“EPKOTE 604,’為 JAPAN EPOXY RESINS CO.,LTD.,所製造), (A4):環氧樹脂(商品名稱“HP-7200”為DAINIPPON INK AND CHEMICALS, INC·所製造), (A5):酚樹脂(商品名稱“TPM”為NIPPON KAYAKU CO·,LTD·所製造), 26 316466 1249222 (A6):酚樹脂(商品名稱“CKM-2400”為 SHOWA HIGH POLYMER C〇·,LTD·所製造), (Bl). ·•變性矽酮油(商品名稱“XC-96-A4464”為GE Toshiba Silicones Co.,Ltd·戶斤製造), (B2):變性矽酮油(商品名稱“KF-105”為Shin-Etsu Chemical Co·,Ltd·所製造), (B3):變性矽酮油(商品名稱“KF-861”為 Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd·所製造), (Cl):丙烯腈-丁二烯橡膠(商品名稱“Nipol 1001”為 Nippon Zeon Co.,Ltd.所製造,重量平均分子量30,000), (C2):聚醯胺樹脂(商品名稱“Macro Melt 6238”為 Henkel Japan Co·,Ltd.所製造), (C3):苯乙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂(商品名稱“Tuftec 从1911”為八5&1^〖&56丨0:〇.,1^(1.所製造,重量平均分子量 110,000), (C4):聚酿亞胺樹脂(為 Tomoegawa Paper Co·,Ltd·所 製造,含芳族基矽氧烷聚醯亞胺,重量平均分子量50,000), (C5):聚烯基矽氧烷/聚烷基氫矽氧烷混合溶液(商品 名稱“X40-3103”為 Shin_Etsu Chemical Co.,Ltd·所製造), (Dl).:硬化力口速劑(為 Shikoku Chemicals Corporation 所製造,為2-乙基4_曱基咪唑) (D2):鉑觸媒溶液(商品名稱“PL 50T”為 Shin-Etsu Chemical Co·,Ltd·所製造)。 (評估) 27 316466 1249222 下面為評估準則與評估方法。 < 貯存模數> 實施例中所製備的轉劑組成物或黏貼組成物塗 :权性膜之上以形成片冑’在與製造上述黏性片或上 相同的條件之下乾燥所得片㉟,其後將該形成之 人晶粒接著程序中相同的條件,亦即在175。〇下進 二。2,:時日熱處理’以製備#有勒著層或黏貼層的脫模性 Ί提及者’ 4具有黏著層或黏貼層的脫模性膜經乾 無後之厚度係調定為〇丨毫米。 將所仔具有黏著層或黏貼層的脫模性膜切割成為5毫 ^ 3。0毫米尺寸’將頻率調定為u Hz’將加熱速率調定 :3 C/分鐘,且使用彈性模數測量裝置(商品名稱: —OVIBRON DDV-II,為 0RIENTECH ⑶,ltd 所製造) 測量在150至2抓限制内的貯存模數。得到在該限制内 之此溫度下的最低貯存模數。 “不良打線” 將各實施例中所得到的黏性片或黏貼片透過積層法黏 附到’所用具有毫米X 60毫米外部尺寸的導線架 (-種金备鎳電鍵銅導線架,4χ 16陣列排列(總共Μ 件)封衣大小10耄米X 10毫米,84根腳)。隨後,於使 用%乳類型晶粒接著劑安裝一虛晶片(如麵乂 chip)(6毫米 X士6毫米’厚度〇.4毫旬(其上面在導線架的半導體元件安 衣。卩伤上具有經氣相沉積之鋁)之後,使用銲線接合裝置 (商 σ口名稱 UTC-470BI”為 SHINKAWA C〇·,LTD·所製造) 316466 28 1249222 ι至、,泉㈣虛4與導腳彼此電性連接 用的荷重為0.59N,所使用的Λ τ n卞件為所使 A 7in〇r u勺加卫日寸間為1〇毫秒/腳,加 熱/皿度為210C ’且USP〇WER為3〇〇 ^後’檢查所得64件之封裝件並幻貞檢出具有不 腳邊連接的封裝件數目作為不良打線產生數。 . “模塑溢料’, ,用=成打線評估之後的導線架進行模塑 吏:铺型模塑樹脂(聯苯基環氧類型,埴充料人曰 ,戰且將壓力調設到1〇 = 予以::;r,並且使用模塑樹脂透過轉移鑄模 後的:二=序)。其後’檢查使用模塑樹脂密封 遠垃泣 偵檢出模塑樹脂漏裂到導腳端子外邻 連接部份(導腳的黏性,1而子外t 刼驻从^ 乃A ^貼片側之表面)且黏附其上之 /破件數目作為模塑溢料產生數。 I占著劑殘渣,, :=塑樹脂密封的導線架之模塑溢料 里的條件下將黏性片或黏貼片㈣。 卡 檢查從其上剝離掉 子外部連接所用…八# 上有殘留黏著劑(於導腳端 逆按所用口Η刀、樹脂模塑 殘留嶋丨殘逢之數目。側寻)之封裝件數目作為有 c導腳尖端突出量,, 自该模塑樹脂底部山* / 估崎i殘㈣線芊而力二:犬出1係利用該用以評 1木而細測量。亦即,使用-表面粗 1249222 ==品名稱“贿CQM贈,,為物心論心 64件4造),對從其上剝離掉黏性片或黏貼片之後所含約 =則,測量在該導腳外部連接側尖端與模 之間的垂直差異,且計算出其平均值。 再者’雖《著層的厚度為1Q微米且比傳統者較為 ^但其根本沒有殘留黏著劑餘。另外,導腳尖端(外部 &接端子)從模塑樹脂底部的突出量不小於2«,使得可 3定安裝中的高度可靠性,亦即,於將所得半導體元件 電路板等之過程中,可以使焊劑以三維方式黏附以 後盍仅導腳底部延伸到側表面之導腳部份。 、相反地,於沒有將可剝離性賦予成分(b)調配到黏著劑 二^物内的比較實施例!和3中,雖然有良好的黏著層貯 2數1在製造半導體裝置之中沒有發生不良打線和模 ^祕料,雖黏著層的厚度為5微米(比操作實施例中者更為 f )不過郃有大量的黏著劑殘渣殘留下來。於沒有調配熱 固性树脂(a)和可剝離性賦予成分(b)而製備黏著劑組成物 、'匕I μ知例2之中,黏著層的貯存模數極低,在製造半 =月且衣置之中,發生非常不良的打線和模塑溢料,且有大 置的黏著劑殘渣殘留下來。再者,由比較實施例1-3所得 到的各半導體裝置不具有從模塑樹脂底部突出的導腳尖 立而’且其安裝可靠性低。 316466 30 1249222 表1 操作 實施例1 操作 實施例2 操作 實施例3 操作 實施例4 操作 貫施例5 比較 實施例1 比較 實施例2 比較 實施例3 熱固性 樹脂(a) A1 40 A2 L 30 30 I A3 20 30 t A4 40 40 A5 60 30 20 A6 20 40 30 30 可剝離t*蛾 予成綱 B1 4 B2 3.5 4 ~ B3 3.5 3.5 熱塑性 樹脂(C) Cl 40 40 40 C2 40 C3 40 C4 40 C5 100 其他 D1 1 1 1 1 1 1 -1 1 D2 2 —(⑻+(c_)— 25 28.57 28.57 28.57 — 25 (a)/(c) 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 表2 最小貯存 模數(MPa) 不良打線 (件) 樹脂漏裂 (件) 黏著劑殘渣 (件) 導腳尖端突 出量(微米) 操作實施例1 20 0 0 0 6 操作實施例2 40 0 0 0 4 操作實施例3 50 0 0 〇 3 操作實施例4 45 0 0 0 4 操作實施例5 40 0 0 —_ 12 _2_- 〇 比較實施例1 30 比較實施例2 0.05 30 12 64 η 比較實施例3 20 0 0 11 \j 0 本發明用以製造半導體裝置之黏性片可應用來製造 QFN等半導《置。本發明之半導體裝置及其製造方法可 較佳地應用於QFN等半導體裝置。 ' 雖然已經在上面說明且闡述本發明的較佳具體實例, 3I6466 31 1249222 不過必須了解者,㈣僅為本發明的範例且不 制性者。在不遺離太名义n0 AA匕& 不限 ,,、… 明的旨意或範圍下可以做出添加、 =和取代’及其他修改。因此,本發明不可視為係受前 面㈣明部份所限制,且其僅受後附中請專利範圍所限定。 [圖式簡單說明] i4第1圖為本發明製造半導體裝置用之黏性片之示意橫 斷面圖。 第2圖為適用於使用本發明體 片製造QFN的導線架之平面圖。 用之…生 第3A至3F圖為顯示使用本發明製造半導體裝置用之 黏性片製造QFN的方法流程圖。 第4A至4C圖為顯示使用本發明製造半導體裝置用之 黏性片製成的QFN之安裝程序圖式。 第5 A至5D圖為顯示使用傳統製造半導體裝置用之黏 性片製造QFN的方法流程圖。 第6A至6C圖為顯示使用傳統製造半導體裝置用之黏 性片所得之QFN的安裝程序圖式。 [主要元件符號說明] 1〇 、 110 黏性片 11 、 111 耐熱性基底材料 12 、 112 黏著層 20 、 120 導線架 21 、 121 半導體裝置安裝部份 22 、 122 導腳 30 半導體元件 31 、 131 銲線 40、HO 模塑樹脂 50 、 150 QFNs 130 半導體裝置 32 3I6466 1249222 電路板 60、160 焊球 70、170 71 > 171 外來物質
Claims (1)
1249222 十、申請專利範圍: · 上—種以可剝離形式黏附到導線架或電路板上用以製造. 半導體裝置之黏性片,係包括: —在其一表面上的黏著層與耐熱性基底材料,其中該 黏著層包含熱固性樹脂(a)與可剝離性賦予成分(b)。 2. 如申請專利範㈣丄項之用以製造半導體裝置之黏性 片,其中該黏性片進一步包含熱塑性樹脂(c)。 3. 如申請專利範㈣】項之用以製造半導體裝置之黏性. 片,其中該可剝離性賦予成分(b)為矽酮油。 籲 4. 如申請專利範圍帛1項之用以製造半導體裝置之黏性 片,其中該黏著層包含與該熱固性樹脂⑷或同時與該 熱固性樹脂(a)及該熱塑性樹脂兩者化學地鍵結之該 可剝離性賦予成分(b)。 5·如申請專利範圍第丨’項之用以製造半導體裝置之黏性 月’其中該黏著層在熱固化之後,具有在15〇至25〇。〇 下不低於1 MPa的最低貯存模數。 6·如申請專利範圍第i項之用以製造半導體裝置之黏性、」 片/、中°亥耐熱性基底材料為一耐熱性樹脂膜,其具有 不低於150。〇的玻璃轉變溫度與5至50 ppm/t之熱膨 脹係數。 7·如申請專利範圍第丨項之用以製造半導體裝置之黏性 片,其中該耐熱性基底材料為一金屬箔,其具有5至 50 ppm/°C的熱膨脹係數。 8·如申請專利範圍第丨項之用以製造半導體裝置之黏性 316466 34 1249222 =1黏f層在面朝該耐熱性基底材料的表面之相 丁衣面上具有一保護膜。 9 ·—種以可剝離形式、^ 半導體震置之黏性片,係=_木或電路板上用以製造 部份面上的黏著層與耐熱性基底材料,其t- 形成於該導線加及/二 ·^電路板之後’係進入 U).如申,專或電路板上的間隙内。 片,其令該黏著声的戸疮丁丨 干冷版衣置之黏性 黏附到導嗖竿及/\干子'於6微米,且於該黏著層* J H木及/或電路板時,兮 導線架或電路板上的編 黏者層進入形成於該 U·-種半導體裝;=之深度不小於2微米。 架或;::導:r安裝部份及外部連接端子之導線 與至少—安裳在該半導體元件安裝部份上且用模夠 树脂密封住的半導體元件,、土 12.-種妾端子係從該模塑樹脂底部突出。 種衣u導體裝置的方法,包括下列步驟: 為性ΙΓΐ:利範圍第1項之用以製造半導體裝置之 :可剝離的方式黏附到具有半導 於該導線力Ό / Η分該黏著層進入形成 、、、良木或黾路板上的間隙之内· 將該半導體元件安裝到該半導體元件安裝部份 ,以將斜導體元件電性連接到該導線架或電路板的 316466 35 1249222 外部連接端子; 使用模塑樹脂密封該導線架或電路板與該半導體 元件;以及 從該導線架或電路板剝離掉該製造半導體裝置用 之黏性片。 36 316466
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003378118A JP4319892B2 (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200522252A TW200522252A (en) | 2005-07-01 |
TWI249222B true TWI249222B (en) | 2006-02-11 |
Family
ID=34688606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093133583A TWI249222B (en) | 2003-11-07 | 2004-11-04 | Adhesive sheet for producing semiconductor device, semiconductor device therewith, and manufacturing method therefor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4319892B2 (zh) |
KR (1) | KR100618640B1 (zh) |
CN (1) | CN1300845C (zh) |
MY (1) | MY140213A (zh) |
SG (1) | SG150377A1 (zh) |
TW (1) | TWI249222B (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100635053B1 (ko) | 2005-06-21 | 2006-10-16 | 도레이새한 주식회사 | 전자부품용 접착테이프 |
JP4538398B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-09-08 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法 |
JP4505644B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2010-07-21 | フジコピアン株式会社 | 固定シート |
JP4505645B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2010-07-21 | フジコピアン株式会社 | 固定シートの貼付方法 |
JP4505646B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2010-07-21 | フジコピアン株式会社 | 固定シート |
JP4505649B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2010-07-21 | フジコピアン株式会社 | 固定シート |
JP5067927B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-11-07 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用接着フィルム |
KR100910672B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2009-08-04 | 도레이새한 주식회사 | 내열성 점착시트 |
KR101073698B1 (ko) | 2009-09-07 | 2011-10-14 | 도레이첨단소재 주식회사 | 점착테이프와 리드프레임의 라미네이션 방법 |
JP2011134851A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置、その製造法、半導体装置接続用配線基材、半導体装置搭載用配線板及びその製造法 |
JP2011134960A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置、その製造法、半導体素子接続用配線基材、半導体装置搭載配線板及びその製造法 |
KR20110087547A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 도레이첨단소재 주식회사 | 내열성 점착시트를 이용한 반도체 장치의 제조방법 |
CN102386107B (zh) * | 2010-09-01 | 2015-04-01 | 群成科技股份有限公司 | 四边扁平无接脚封装方法 |
CN102386105B (zh) * | 2010-09-01 | 2016-02-03 | 群成科技股份有限公司 | 四边扁平无接脚封装方法及其制成的结构 |
CN102386104B (zh) * | 2010-09-01 | 2014-11-12 | 群成科技股份有限公司 | 四边扁平无接脚封装方法 |
TWI510155B (zh) * | 2011-04-26 | 2015-11-21 | Adl Engineering Inc | 半導體封裝結構及其製造方法 |
JP5687230B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2015-03-18 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP5824402B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2015-11-25 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用マスクシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP5925560B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-05-25 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用マスクシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
KR101557841B1 (ko) | 2012-12-07 | 2015-10-06 | 제일모직주식회사 | 이방 전도성 필름 |
JP6322026B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-05-09 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
CN105720021B (zh) * | 2016-01-25 | 2020-02-11 | 苏州日月新半导体有限公司 | 集成电路封装件及其制造方法 |
JP6956492B2 (ja) | 2017-02-02 | 2021-11-02 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6443590B1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-12-26 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体基板加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 |
JP6909171B2 (ja) | 2018-02-12 | 2021-07-28 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP7187906B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2022-12-13 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7447647B2 (ja) * | 2020-04-06 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | 半導体封止成形用仮保護フィルム及びその製造方法、仮保護フィルム付きリードフレーム、封止成形体、並びに、半導体パッケージを製造する方法 |
KR20220160680A (ko) | 2020-05-26 | 2022-12-06 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2022176585A1 (ja) | 2021-02-16 | 2022-08-25 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093830A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sony Corp | チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法 |
JP4173346B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
TWI289155B (en) * | 2002-04-03 | 2007-11-01 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive sheet for producing semiconductor devices |
-
2003
- 2003-11-07 JP JP2003378118A patent/JP4319892B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-03 SG SG200406394-7A patent/SG150377A1/en unknown
- 2004-11-04 MY MYPI20044574A patent/MY140213A/en unknown
- 2004-11-04 KR KR1020040089293A patent/KR100618640B1/ko active IP Right Grant
- 2004-11-04 TW TW093133583A patent/TWI249222B/zh active
- 2004-11-04 CN CNB2004100871776A patent/CN1300845C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005142401A (ja) | 2005-06-02 |
TW200522252A (en) | 2005-07-01 |
KR100618640B1 (ko) | 2006-09-06 |
MY140213A (en) | 2009-11-30 |
JP4319892B2 (ja) | 2009-08-26 |
SG150377A1 (en) | 2009-03-30 |
KR20050044259A (ko) | 2005-05-12 |
CN1300845C (zh) | 2007-02-14 |
CN1617332A (zh) | 2005-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI249222B (en) | Adhesive sheet for producing semiconductor device, semiconductor device therewith, and manufacturing method therefor | |
TWI362708B (en) | A manufacturing method of semiconductor device | |
JP7016039B2 (ja) | 封止用アクリル組成物、シート材、積層シート、硬化物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4421972B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
TW200423316A (en) | Adhesive film for semiconductor, adhesive film attached on metal plate, wiring circuit and semiconductor device with the same, and the manufacturing method for semiconductor device | |
TW201631674A (zh) | 導電性膜狀接著劑、附有膜狀接著劑之切晶帶及半導體裝置之製造方法 | |
KR20190062377A (ko) | 필름상 접착제, 필름상 접착제를 사용한 반도체 패키지의 제조 방법 | |
TW201033319A (en) | Thermal setting type die-bond film | |
TWI299545B (en) | Dicing die adhesive film for semiconductor | |
TW200844202A (en) | Dicing die bond film | |
TW201014894A (en) | Method for manufacturing dicing and die-bonding film | |
JP7143845B2 (ja) | 半導体封止成形用仮保護フィルム | |
TWI375998B (en) | Adhesive sheet for producing a semiconductor device | |
TWI289155B (en) | Adhesive sheet for producing semiconductor devices | |
TWI331784B (en) | Manufacturing method of semiconductor equipment | |
TW201016821A (en) | Thermal setting type die bonding film | |
TW201125946A (en) | Thermosetting die bonding film | |
TW200527552A (en) | Lead frame attached with adhesive film and semiconductor device using the same | |
TWI320053B (zh) | ||
JP5264939B2 (ja) | パッケージ部品及び半導体パッケージ | |
TW200527554A (en) | Adhesive film for manufacturing semiconductor device | |
TWI313481B (en) | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and manufacturing method using the same | |
TW201120177A (en) | Slice like adhesive and tape for wafer processing. | |
WO2020096011A1 (ja) | 半導体装置製造用仮保護フィルム、リール体、及び、半導体装置を製造する方法 | |
US20100119759A1 (en) | Adhesive film for producing semiconductor device |