TWI245588B - Figure-forming method and wire-layout figure forming method, photoelectronic device, and electric machine - Google Patents

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1245588 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於在基材上形成薄膜圖型的圖型之形成方法 、以及使用該薄膜圖型的配線圖型之形成方法，光電裝置 及電子機器。 【先前技術】 習知具有半導體積體電路等之微細配線圖型的裝置（ device )之製造方法大多採用微影成像技術法，但是，使 用液滴噴出法（ink jet )之裝置製造方法漸漸被注目。習 知技術曾揭示，使用液滴噴出法形成微細配線圖型時，爲 能達成圖型配線寬度之精確度，預先於基材上施予圖型化 形成疏液區域與親液區域，將液滴選擇性配置於親液區域 之方法。下述專利文獻1揭示藉由化學氣相蒸鍍法對基板 上設置之單分子薄膜施予圖型化之技術。 專利文獻1 :特開2000-282240號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 但是，上述習知技術存在以下問題。亦即，上述專利 文獻1揭示之技術，係藉由照射紫外線或電子射束將單分 子薄膜由基板上除去而施予圖型化之構成，因此需要高成 本、且大型之裝置。 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供一種藉由簡單 -4 - (2) 1245588 、低成本之裝置構成、可以對薄膜施予圖型化之圖型形成 方法。另一目的爲提供使用該薄膜形成配線圖型的配線圖 型之形成方法，具有該配線圖型之光電裝置及電子機器。 (用以解決課題的手段） 爲解決上述問題，本發明之圖型之形成方法，其特徵 爲：在包含光熱轉換材料用以將光能轉換爲熱能的基材上 設置薄膜，對上述基材照射光，藉由除去照射區域所對應 上述基材上之上述薄膜而對該薄膜施予圖型化。上述薄膜 可由有機薄膜、單分子薄膜或包含光引發劑的單體之其中 任一構成。依本發明，藉由在基材上設置光熱轉換材料， 可將照射光之光能有效轉換爲熱能，將該熱能供給至薄膜 。因此，不必如習知使用電子射束或紫外線，可以獲得薄 膜除去用之足夠之熱能。因此，使用之光照射裝置之選擇 範圍更廣，不必使用高價位大型之光照射裝置即可獲得足 夠熱能可由基材上良好除去薄膜並施予圖型化。 本發明之圖型之形成方法中可以採用：將包含上述光 熱轉換材料之光熱轉換層、和上述基材及上述薄膜分開設 置之構成，或者採用於上述基材混合有上述光熱轉換材料 之構成，任一構成均可將照射光之光能轉換爲熱能，將該 熱能供給至薄膜。光熱轉換層獨立設置時可採用，將上述 光熱轉換層設於上述基材上之設有上述薄膜之一面，或者 採用將上述光熱轉換層設於上述基材上之未設有上述薄月莫 之另一面。採用將上述光熱轉換層設於上述基材上之設有 -5- 1245588 ' (3) 上述薄膜之一面之構成時，特別是將該光熱轉換層設於上 述基材與上述薄膜之間，使薄膜對於外部呈露出狀態，依 此則薄膜可以圓滑露出外部。 本發明之圖型之形成方法中可採用，由上述基材之設 有上述薄膜之一面照射上述光的構成，亦可採用由上述基 材之未設有上述薄膜之另一面照射上述光。由一面測照射 光時，可以不介由基材對薄膜或光熱轉換層照射光，可以 消除例如介由基材引起之光回折或散射等之光照射位置之 搖擺等之發生，可於所要位置照射光以所要圖型對薄膜施 予圖型化。另外，由另一面照射光時，於基材與薄膜間設 置光熱轉換層，則光介由基材可直接照射至光熱轉換層， 可以有效將光能轉換爲熱能，可將該熱能供給至薄膜。此 情況下，被供給熱能之薄膜之一部分可以圓滑露出外部。 又，本發明之圖型之形成方法中，可依據上述薄膜來 決定由上述一面或另一面之其中之一面照射上述光。例如 對於照射光之波長，薄膜爲吸收該波長光之材料時，於薄 膜下層側設置光熱轉換層之構成時，若由薄膜上層側對薄 膜直接照射光，則該光被薄膜吸收而無法到達下層之光熱 轉換層之情況會發生。 因此，此情況下，由薄膜下層側（基材背面側）照射 光即可。 本發明之圖型之形成方法中，上述光爲雷射光，照射 之光具有和上述光熱轉換材料對應之波長。依此則可有效 將照射於光熱轉換材料之光能轉換爲熱能。特別是使用紅 -6- 1245588 ' (4) 外線雷射光作爲光時，可以爲較便宜之裝置構成。 本發明之圖型之形成方法中可採用，介由具有特定圖 型之遮罩對上述基材照射上述光。依此則，可形成照射光 之光束直徑以下之微細薄膜圖型。另外，亦可採用使上述 基材相對於上述光進行移動而進行照射之構成。亦即，使 照射光（雷射光）與基材相對移動而描繪薄膜圖型亦可， 依此構成可以省略製造遮罩之步驟。 本發明之配線圖型之形成方法，其特徵爲：在使用上 述圖型之形成方法所形成具有薄膜圖型之上述基材上，配 置含有配線圖型形成用材料之液滴而形成配線圖型。依本 發明，依據液滴噴出法可以抑制消費材料之浪費，形成良 好之微細配線圖型。 本發明之光電裝置，其特徵爲：具有上述配線圖型之 形成方法所形成配線圖型者。本發明之電子機器，其特徵 爲：具有上述光電裝置者。依本發明提供之光電裝置及具 有其之電子機器，因具備使用液滴噴出法形成之微細配線 圖型’可以發揮所要性能。又，光電裝置可爲液晶顯示裝 置、有機EL顯示裝置及電漿顯示裝置。 又’使用本發明之圖型之形成方法所形成薄膜圖型， 亦可以形成彩色濾光片、液晶顯示裝置、有機EL裝置、 電發顯示裝置、微透鏡、及DNA晶片等之各構成要素。 上述液滴噴出法，係使用具備噴頭之液滴噴出裝置予 以實現’該液滴噴出裝置包含液滴噴射裝置，其具有液滴 噴頭（】nk jet head )。液滴噴射裝置之液滴噴頭微，可藉 - 7 - 1245588 ' (5) 由液滴噴射法將含有功能性液體之液狀材料之液滴以定量 噴出，例如可以相當於1點之1〜300毫微克之液狀材料 以定量、繼續滴下的裝置。又，液滴噴出裝置亦可爲分布 器（dispenser )裝置。 液狀材料，係指具備可由液滴噴出裝置之噴頭之噴嘴 噴出（可以滴下）之黏度的媒體，可爲水性或油性。只要 具備黏度（流動性）可由噴嘴噴出即可，即使混入固體物 質而全體具備流動性亦可。又，液狀材料內含之材料可爲 加熱至融點以上會溶解者，或者於溶媒中以微粒被攪拌者 ’除溶媒以外亦可添加染料或顏料等其他功能性材料。 又’上述功能性液體係指，含有功能性材料之液狀材 料’配置於基材上可以發揮特定功能者。功能性材料有例 如：包含彩色濾光片之液晶顯示裝置形成用的液晶顯示裝 置形成用材料、有機EL顯示裝置之形成用的有機EL顯 示裝置形成用材料、電漿顯示裝置之形成用的電漿顯示裝 置形成用材料、以及流通電力之配線圖型之形成用金屬被 包含的配線圖型形成用材料等。 【實施方式】 (薄膜圖型之形成方法） 以下參照圖面說明本發明之圖型之形成方法。圖1爲 本發明之薄膜圖型之形成方法使用的圖型形成裝置之一實 施形態之槪略構成圖。於圖1，圖型形成裝置1 〇具備： 雷射光源11用於射出具有特定波長之雷射光束；及載置 -8 - 1245588 ' (6) 台12，用於支撐基材1作爲處理對象；於基材〗上面設 有光熱轉換層4’該光熱轉換層4之上層設有薄膜2。本 實施形態中，雷射光源1 1使用近紅外線半導體雷射（波 長 8 3 0 n m ) 0 以下說明中，水平面內特定方向設爲X軸方向，水 平面內和X軸方向正交之方向設爲Y軸方向，分別和X 軸幾Y軸正交的方向（垂直方向）設爲Z軸方向。 載置台12構成爲可於支撐基材1之狀態下於X軸方 向與Y軸方向移動，基材1藉由載置台12之移動相對於 雷射光源11射出之光束可進行移動。另外，載置台1 2亦 可於Z軸方向移動。於雷射光源11與載置台12支撐之基 材1之間設有光學系（未圖示）。 藉由支撐基材1的載置台12之於Z軸方向移動，可 以調整基材1相對於上述光學系焦點之位置。雷射光源 11射出之光束可以照射於載置台12所支撐之基材1 (薄 膜2及光熱轉換層4)。 基材1可用例如玻璃基板或透明性高分子等。透明性 高分子可爲例如聚對苯二甲酸乙二醇酯等之聚酯、聚丙烯 基、聚環氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚颯等。以 該透明性高分子形成基材1時厚度較好爲10〜500 // m。 如此則基材1可形成帶狀、捲成捲軸狀，可保持於旋轉盤 等予以搬運（移動）。 又，於此，基材1被於ΧΥ*向並行移動之載置台12 支撐，但是基材1 1保持於旋轉盤時，旋轉盤可於水平行 -9- 1245588 (7) 進方向（掃描方向、X軸方向）、旋轉方向（Y軸方向） ，及垂直方向（Z軸方向）移動。 光熱轉換層4，係和基材1及薄膜2獨立設置，本實 施形態中設於基材1之設有薄膜2之表面側，具體言之爲 ，設於基材1與薄膜2之間。光熱轉換層4，係含有將光 能轉換爲熱能之光熱轉換材料的層。構成光熱轉換層4之 光熱轉換材料可用習知者，只要是能有效將雷射光轉換爲 熱之材料即可，並未特別限制，例如可爲鋁、其氧化物及 /或其硫化物構成之金屬層，或炭黑、石墨、或添加紅外 線吸收色素等之高分子構成之有機層等。紅外線吸收色素 可爲例如蒽醌系、二硫醇鎳錯化物系、深藍系、偶氮鈷錯 化物系、二亞銨系、squarylium系、 花青系、萘花青系 等。又’亦可以環氧樹脂等合成樹脂作爲黏著劑，於該黏 著劑樹脂溶解或分散上述光熱轉換材料而設於上述基材i 上。另外，不溶解或分散於黏著劑，將上述光熱轉換材料 設於基材1上亦可。 光熱轉換層4使用上述金屬層時，可藉由真空蒸鍍法 、電子射束蒸鍍法或濺射法形成於基材1上。光熱轉換層 4使用上述有機層時，可使用一般之薄膜塗敷法、例如携 壓塗敷法、旋轉塗敷法、照相塗敷法、反向輥塗敷法、棒 狀塗敷法、微型照相塗敷法、刮刀塗敷法等形成於基材玉 上。 薄膜2由有機薄膜構成時，於光熱轉換層4 (基材工 )上，例如藉由化學氣相蒸鍍法、浸漬法、蒸鍍法、旋轉 -10 - (8) 1245588 塑模法、化學吸附法、自組裝薄膜形成法等形成。本實施 形態中，有機薄膜2係由F A S (氟院基砂院）之單分子薄 膜構成。單分子薄膜之形成材料例如可爲接面活性劑使用 之八癸基胺等。 又，薄膜2之形成方法，可使用一般之薄膜塗敷法、 例如擠壓塗敷法 '旋轉塗敷法 '照相塗敷法、反向輥塗敷 法、棒狀塗敷法、微型照相塗敷法等形成於光熱轉換層4 (基材1 )上。於此情況下之薄膜2之塗敷方法中，較好 是除去基材1表面帶電之靜電而將薄膜形成用功能性液體 均勻塗敷於基材1，各方法使用之裝置較好是安裝有除電 裝置。 以下參照圖2說明圖型之形成步驟。如圖2 ( a )所 示，於基材1之設有薄膜2之上面（表面）側，照射具有 特定光束直徑之雷射光束。藉由雷射光束之照射，該照射 位置對應之基材1與基材1上之光熱轉換層4被加熱。光 熱轉換層4吸收照射之雷射光束，將光能轉換爲熱能。光 熱轉換層4產哼之熱能使和該光熱轉換層4鄰接之薄膜2 之一部分氣化或分解，由基材1上予以選擇性除去。依此 則如圖2 ( b )所示，光被照射之照射區域（照射位置） 對應之薄膜2之一部分被由基材〗除去，薄膜2被施予圖 型化。 照射光之後，光熱轉換層4 (後述圖4之實施形態爲 基材1)由薄膜2被除去之除去區域3露出。於光熱轉換 層4(基材1)上形成薄膜2之前，對光熱轉換層4(基 -11 - 1245588 Ο) 材1 )施予親液性處理’則藉由光照射可是具有親液性之 光熱轉換層4(基材1)露出。 又，親液性處理可以藉由紫外線（UV )照射處理、 〇2電漿處理等進行。FAS構成之薄膜（單分子薄膜）2具 有疏液性，因此藉由薄膜2被圖型化可於基材1上形成疏 液區域與親液區域。 此時，相對於照射之雷射光束使載置台12沿著XY 平面移動，則和該載置台1 2之移動軌跡對應之除去區域 3被描繪。依此則於基材1上形成薄膜圖型。 如上述說明，藉由在基材1上設置含有光熱轉換材料 之光熱轉換層4，可以有效將照射光之光能轉換爲熱能， 該熱能可以供給至薄膜2。因此，不必如習知使用電子射 束或或紫外線時，亦可對該薄膜2供給該薄膜2除去用之 足夠熱能。 因此，使用之光照射裝置之選擇範圍變大，不必使用 高價位、大規模之光照射裝置情況下，亦可供給足夠熱能 、可有效由基材1上除去薄膜2而進行圖型化。 又，薄膜2亦可由包含光引發劑之單體形成。單體可 藉由雷射光束照射而由基材1上除去。因此’將包含光引 發劑及單體之塗敷液體（功能性液體）塗敷於基材1上’ 藉由雷射光束照射形成薄膜圖型後，藉由光引發劑引起之 光照射產生聚合（光硬化），而可形成被施予圖型化之薄 膜2。又，包含光引發劑及單體之塗敷液體，可藉由上述 一般之薄膜塗敷法（擠壓塗敷法、旋轉塗敷法、照相塗敷 -12- (10) 1245588 法、反向輥塗敷法、棒狀塗敷法、微型照相塗敷法）等形 成於光熱轉換層4 (基材1 )上。 又，形成有機薄膜2之化合物較好是一部分具有可以 和光熱轉換層4 (基材1 )產生化學相互作用（氫結合、 靜電相互作用、酸鹽基相互作用、疏液性相互作用、共車尼 結合等）之官能基。官能基可爲羧基、胺基、羥基、硫醇 基、異氰酸酯基、醛基、酮基、醯胺基、醯亞胺基等。亦 可爲具有院氧基、鹵基、院基、氨基之砂基等。另外，亦 可爲銨基、吡啶鑰基等離子基。 有機薄膜2與光熱轉換層4(基材1)之相互作用， 較好是可以熱容易切斷之氫結合或酸鹽基相互作用等較弱 之相互作用。又，欲對形成有機薄膜2之面形成相互作用 ，較好是如上述說明，進行紫外線（UV )照射處理、02 電漿處理、氧處理、鹼處理等之親液性處理。 又，本實施形態中，藉由移動支撐基材1之載置台 12而於基材1上描繪除去區域3，但是，於基材1停止狀 態下移動照射光束亦可，移動基材1及光束雙方亦可。另 外，移動基材1時，除以載置台12移動XY平面內之構 成以外，如上述說明，保持於旋轉盤狀態予以移動亦可。 如圖3所示，光熱轉換層4設於基材1與薄膜2之間 時，由基材1上未設置薄膜2之背面側對基材1照射光束 亦可。此情況下，基材1由可透過光束之透明材料構成。 如此則光可介由基材1直接照射至光熱轉換層4 ’光熱轉 換層4可以順利將照射光之光能轉換爲熱能，可以除去鄰 - 13- (11) 1245588 接薄膜2之照射區域（照射位置）對應之一部分而形成圖 型。又，將光熱轉換層4設於基材1與薄膜2之間，使薄 膜2對外部呈露出狀態，則光照射區域對應之薄膜2之一 部分可以順利露出外部。 又，由基材.1背面側介由基材1照射光至光熱轉換層 4之構成時，光通過基材1時有可能產生散射（回折）， 因此，較好是預先測定該散射狀態，依據該測定結果調整 照射條件，由基材1背面側照射光以使光照射至光熱轉換 層4之所要位置。又，由基材1之表面側及背面側雙方照 射光亦可。 又，依據薄膜2之特性（材料特性）來決定由基材1 之表面側或背面側熱一方照射光亦可。例如，相對於照射 光之波長，薄膜2爲吸收該波長光之材料時，如圖2所示 ，由表面側照射光時，光會被薄膜2吸收而有可能無法到 達下層側之光熱轉換層4，因此此情況下，決定由基材χ 背面側照射光即可。 如圖4所示，可以採用將光熱轉換層4設於基材1上 之未設置薄膜2之背面側。此情況下，光較好是由基材i 背面側（設置光熱轉換層4之面側）照射光。此時，欲使 光熱轉換層4產生之熱能有效傳達至表面側設置之薄膜2 ，需最適當選擇基材1之厚度及材料。又，光熱轉換層4 設於基材1之表面側及背面側雙方亦可。 又，上述各實施形態中，例如參照圖3說明之實施形 態中，使用透明之基材1，但圖2及4說明之實施形態中 -14- (12) 1245588 ，基材1可爲不透明者，圖4之實施形態中。即使基材1 爲不透明亦具有良好之熱傳導性。 又，圖I-4說明之實施形態中，光熱轉換材料係設於 和基材1及薄膜2不同之層，（光熱轉換層4 )，但是， 於基材1存在光熱轉換材料亦可，於薄膜2混合光熱轉換 材料亦可。此種構成時亦可將照射光之光能轉換爲熱能， 將熱能供給至薄膜2。又，於混合有光熱轉換材料之基材 工’另外設置光熱轉換層4亦可。 另外，含有光熱轉換材料之光熱轉換層4與薄膜2個 別設置時，光照射後於基材1上有可能殘留光熱轉換層4 ’但是，例如於殘留有光熱轉換層4之除去區域3配置包 含，藉由熱處理或光處理可以呈現導電性之材料的功能性 液體，由基材1背面側對光熱轉換層4照射光，藉由光熱 轉換層4產生之熱可於上述材料出現導電性。又，藉由熱 處理或光處理可以呈現導電性之材料有後述之有機銀化合 物等。 設置光熱轉換層4時，較好是照射具有對應光熱轉換 材料之波長的光。亦即，依據使用之光熱轉換材料可以被 有效吸收之光之波長帶域會有不同，因此藉由照射具有對 應光熱轉換材料之波長光，可以有效將光能轉換爲熱能。 換言之，依據照射光選擇使用之光熱轉換材料。本實施形 態中，雷射光源使用近紅外線半導體雷射（波長830nm ) ，因此光熱轉換材料較好是使用可以吸收紅外線〜可視光 帶域之光的材料。 1245588 (13) 又，光熱轉換層4設於基材1與薄膜2之間時，於光 熱轉換層4與薄膜2之間、當基材1上形成有薄膜2時在 基材1與薄膜2之間，亦可設置包含氣體產生材料之氣體 產生層，用於依據光照射或加熱產生氣體。氣體產生材料 爲，吸收光或吸收光能被轉換之熱能時會產生分解反應而 放出氮氣體或氫氣體者，藉由產生之氣體提供用於除去薄 膜 2 之能量。此種氣體產生材料可由 PETN ( pentaerythritol tetranitrate)與 TNT ( trinitrotoluene)構 成之群之中選擇之至少一種物質。 又，於光熱轉換層4與薄膜2之間可設置中間層，以 使光熱轉換層4之光熱轉換作用均勻化。此種中間層形成 材料可爲滿足上述要件之樹脂材料。此種中間層，可將特 $組成之樹脂組成物藉由例如旋轉塗敷法、照相塗敷法、 壓模塗敷法等習知塗敷法塗敷於光熱轉換層4表面之後乾 燥形成。雷射光束照射時，藉由光熱轉換層4之作用將光 能轉換爲熱能，該熱能經由中間層之作用被均勻化。因此 ’光照射區域對應之部分之薄膜2被提供均勻之熱能。 以下說明薄膜（單分子薄膜）2之形成方法之一例之 自組裝薄膜形成法。自組裝薄膜形成法，係於基材1表面 开^成由有機分子膜構成之自組裝薄膜。有機分子薄膜具有 可與基材1結合之官能基；於相反側變化親液基或疏液 基等之基材1之表面特性（控制表面能量）的官能基；及 結合彼等官能基的碳之直鏈或者一部分分支的碳鏈，與基 材1結合’藉由自行組織化而形成分子薄膜、例如單分子 -16- (14) 1245588 薄膜。 於此所謂自組裝薄膜（自組裝單分子薄膜：SAM ( Self Assembled Monolayer))係指，由可與基材之底層 等之構成原子反應的結合性官能基、以及以外之直鏈分子 形成，藉由直鏈分子之相互作用配向形成具有極高配向性 之化合物而成的薄膜。該自組裝薄膜，係使單分子配向形 成，因此可以使膜厚極薄化，而且成爲分子位準均勻之薄 膜。亦即，相同分子位處於薄膜表面，因而於薄膜表面可 以提供均勻、且極佳疏液性或親液性。 上述具有高配向性之化合物，係使用上述氟氧基矽烷 (FAS )，各化合物被配向而使氟氧基位於薄膜表面而形 成自組裝薄膜，於薄膜表面賦予均勻之疏液性。形成自組 裝薄膜之化合物之FAS有例如十七氟·1，1，2,2四羥基癸基 三乙氧基矽烷、十七氟-1，1，2,2四羥基癸基三甲氧基矽烷 、十七氟-1，1，2,2四羥基癸基三氯矽烷、十三氟-l，i，2,2 四羥基辛基三乙氧基矽烷、十三氟-1，1，2,2四羥基辛基三 甲氧基矽烷、十三氟-1，1，2,2四羥基辛基三氯矽烷、三氟 丙基三甲氧基矽烷等之氟氧基矽烷。彼等化合物可以單獨 使用或者組合2種以上使用。又，藉由FAS之使用可以 獲得與基板之密接性良好之疏液性。 FAS —般以構造式Rn-Si-X(4.n)表示。其中n爲1以 上、3以下之整數，X爲甲氧基、乙氧基、鹵素原子等之 加水分解基。R爲氟烷基，具有（CF3) ( CF2 ) X ( ch2 ) y之構造（其中χ爲0以上、10以下之整數，y爲0以上 -17 - (15) 1245588 、4以下之整數），多數個R或X與S i結合時，R或X 全爲相同或不同均可。X表示之加水分解基爲，藉由加水 分解形成矽烷醇，與基板底層之羥基反應產生矽氧烷結合 而與基板結合。 另外，R爲表面具有（CF3)等氟基，可以改變特性 成爲不會認潤溼基板底層表面（表面能量低）之表面。 圖5爲於基材1(光熱轉換層4)上形成由FAS構成 之自組裝薄膜（FAS薄膜）的FAS處理裝置40之槪略構 成。FAS處理裝置40，砂於基材1(光熱轉換層4)上形 成由FAS構成之自組裝薄膜。如圖5所示，FAS處理裝 置40具備：腔室41;設於腔室41內、用於保持基材1 的保持器42 ;及收納液相狀態之FAS (液體FAS )的容 器43。於室溫環境下將基材1與收容液體FAS之容器43 放置於腔室41內，則容器43內之液體FAS由容器43開 口部4 3 a以氣相放出至腔室4 1，例如大約2〜3天時間， 於基材1 (光熱轉換層4 )上形成由F A S構成之自組裝薄 膜。又，將腔室41全體維持大約1 〇 〇 °C、大約3小時則 於基材1 (光熱轉換層4 )上形成自組裝薄膜。又，上述 係說明氣相之形成法，但是由液相亦可以形成自組裝薄膜 。例如’於含有原料化合物之溶液中浸漬基材1，洗淨乾 燥後可於基材1上形成自組裝薄膜。 又’疏液性薄膜亦可爲藉由電漿處理髮形成之氟化聚 合膜。 於電發處理中，係於常壓或真空中對基板施予電漿照 -18 - (16) 1245588 射。電漿處理使用之氣體，可以考慮欲形成之配線圖型之 基材1之表面材質等予以選擇。處理氣體可爲例如四氟化 甲烷、全氟己烷等。 圖6爲對被施予FAS處理之基材1，介由具有特定圖 型之遮罩15照射紅外線雷射光之模樣。如無6所示，形 成薄膜圖型時，對具有和欲形成之薄膜圖型對應之圖型的 遮罩15照射光束，經由遮罩15之光被照射至具有光熱轉 換層4之基材1亦可。於圖6，遮罩15配置成和載置台 12支撐之基材1上之薄膜2密接。雷射光源11射出之光 束照射至遮罩15。通過遮罩15之光被照射至載置台12 支撐之基材1。藉由照射光產哼之熱使薄膜2之一部分被 除去，形成薄膜圖型。藉由遮罩15之使用，可以形成較 雷射光源1 1射出光束之直徑更微細之薄膜圖型。另外， 如圖1之說明，使光束與基材1相對移動而描繪薄膜圖型 (除去區域3 )則可以省略製造遮罩1 5之步驟。 又，圖2之例中，係於遮罩15與基材1密接狀態下 對遮罩15照射光，但是在遮罩15與基材1分離狀態下對 遮罩15照射光，使通過遮罩15之光照射至基材1亦可。 (實施例） 準備分散有顆粒直徑20nm之炭黑的聚對苯二甲酸丁 二醇酯（PBT )製薄片，對該薄片照射紫外線光（波長 17 2n m )施予光洗淨之同時，賦予親液性。紫外光於薄片 表面附近被吸收，僅光照射測之面被施予親液性，薄片本 -19- (17) 1245588 身之物性沒有變化。準備具有疏液性之八癸基胺作爲形成 單分子薄膜之材料。將八癸基胺於六癸烷溶液（0.1 w t % )、於室溫浸漬2分鐘形成單分子薄膜。將收容有上述化 合物之瓶與薄片配置於聚4氟化乙稀製容器中施予減壓， 提升容器全體溫度至8 0度，保持1小時。結果，八癸基 胺蒸發’於薄片上產生化學氣相蒸鍍而形成有機薄膜2。 將該薄片保持於旋轉盤，使旋轉盤以50rpm旋轉之同時， 使用1 1W輸出之近紅外線半導體雷射裝置對薄片照射波 長83 〇nm之雷射光束。該光照射區域對應之區域之有機 薄膜2是否被除去，可以測定對水之接觸角予以確認。光 照射前薄片對水之接觸角爲90度，光照射後對水之接觸 角爲1 〇度，依此則可以確認藉由雷射光照射可以除去具 有疏液性之有機薄膜2之一部分。 (配線圖型之形成方法） 以下說明在具有上述說明之方法所形成薄膜圖型的基 材1上形成配線圖型的方法。 圖7爲在形成有薄膜2之圖型的基材1上，形成配線 圖型之方法之模式圖。本實施形態中，爲能將配線圖型形 成用材料配置於基材1上，使用液滴噴出法用於噴出含有 配線圖型形成用材料之功能性液體之液滴。於液滴噴出法 ，係於噴頭20與基材1呈對向狀態下，由噴頭20對薄膜 2之除去區域3噴出含有配線圖型形成用材料之功能性液 體之液滴。因爲薄膜（單分子薄膜）2具有疏液性’除去 -20- 1245588 (18) 區域3之薄膜2被除去而具有親液性。又，本實施形態中 ，如圖7所示，於基材〗表面側設有薄膜2，背面側設有 光熱轉換層4。 液滴噴出法之噴出技術有例如帶電控制方式、加壓振 動方式、電熱轉換方式、靜電吸引方式、電機轉換方式等 。帶電控制方式，係藉由帶電電極使材料帶有電荷，以偏 向電極控制材料之飛翔方向而由噴嘴噴出者。加壓振動方 式，係對材料施加30kg/ cm2超高壓，而由噴嘴前端側噴 嘴材料者’未施加控制電壓時材料直線前進由噴嘴噴出， 施加控制電壓時於材料間引起靜電反壓，材料飛散不由噴 嘴噴出。又’電熱轉換方式，係藉由貯存材料之空間內設 置之加熱器，使材料急速氣化產生氣泡，藉由氣泡壓力噴 出空間內之材料者。靜電吸引方式，係對貯存材料之空間 內施加微小壓力，於噴嘴形成材料之彎月形狀，於此狀態 下施加靜電引力而噴出材料者。電機轉換方式，係利用壓 電元件接受脈衝信號變形之特性，藉由壓電元件變形、介 由可撓性物質對貯存材料之空間施加壓力，由該空間擠壓 出材料而由噴嘴噴出者。此外還有利用電場產生之流體黏 性變化的方式、或者放電火花飛翔之方式等技術亦可適用 。液滴噴出法具有材料之浪費少、而且可於所要位置正確 配置需要量材料之優點。又，液滴噴出法噴出之液狀材料 滴之羞例如爲1〜3 0 0毫微克。本實施形態中，使用電 機轉換方式（壓電方式）。 Η 8爲壓電方式之功能性液體（液狀材料）之噴出原 -21 · (19) 1245588 理說明圖。 於圖8，噴頭20具備：液體室21，用於收容功能性 液體（含有配線圖型形成用材料之液狀材料），及壓電元 件22，其鄰接該液體室21被設置。於液體室21，介由包 含收容功能性液體之材料槽的供給系23被供給功能性液 體。壓電元件22接於驅動電路24，介由該驅動電路24 對壓電元件2 2施加電壓使壓電元件2 2變形，據以使液體 室21變形，而由噴嘴25噴出功能性液體。此情況下，藉 由變化施加電壓之値來控制壓電元件22之誤差量。又， 藉由變化施加電壓頻率可以控制壓電元件22之誤差速度 。壓電方式之液滴噴出並不對材料加熱，因此不容易對材 料組成產生影響，此爲其優點。 以下說明配線圖型之形成順序。使用特定溶媒等洗淨 基材1之後，依上述方法於基材1上設置光熱轉換層4。 之後，對該基材1施予紫外線照射處理或〇2電漿處理賦 予親液性。之後’藉由上述說明之方法形成薄膜2 ’照射 光形成薄膜圖型。依此則可於基材1上具有疏液性之薄膜 2之一部分，形成具有親液性之除去區域3。 之後，使用噴頭20於基材1上之除去區域3配置含 有配線圖型形成用材料之功能性 '液體之液滴_以_行材*料 配置步騾。於此使用有機銀化合物作爲構成配線圖型形成 用材料之導電性材料，使用二乙烯乙二醇二乙基醚作爲溶 媒（分散媒）’噴出含有該有機銀化合物之功能性液體。 如圖7所示，於材料配置步驟’係由噴頭20噴出含有配 -22- (20) 1245588 線圖型形成用材料之功能性液體作爲液滴。噴出之液滴被 配置於基材1上之除去區域3。此時，具有親液性之除去 區域3之周圍，係被具有疏液性薄膜2包圍，因此可以阻 止液滴擴散至特定位置以外。又，藉由薄膜2之疏液性， 即使噴出之液滴之一部分掉落於薄膜2之上時亦可流落至 除去區域3。另外，基材1露出之除去區域3被賦予親液 性，因此噴出之液滴於除去區域3更容易擴散，依此則功 能性液體可以均勻配置於特定位置。 又’功能性液體亦可使用於分散媒分散有導電性微粒 子的分散液體。導電性微粒子，除例如含有金、銀、銅、 鋁、鈀（P d )、或鎳之中至少1種之金屬微粒子以外，亦 可使用彼等之氧化物、以及導電性聚合物或超電導體之微 粒子等。分散媒，只要能分散上述導電性微粒子不使產生 凝結者即可，並未特別設限。除水以外例如可用甲醇、乙 醇、丙醇、丁醇等之乙醇類、！^七、n _辛烷、癸烷、十二 烷、四癸烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、暗煤、茆、 雙戊稀、四氫化萘、十氫化萘、環己基苯等之碳化氫系化 合物、或乙烯乙二醇二甲基醚、乙烯乙二醇二乙基醚、乙 烯乙二醇甲基乙基醚、二乙烯乙二醇二甲基醚、二乙烯乙 二醇二乙基醚、二乙烯乙二醇甲基乙基醚、i，2-二甲氧 基乙烷、雙（2-甲氧基乙基）醚、二噁烷等之醚系化合 物、丙烯酸酯、7 -丁內酯、N -乙基-2-吡咯烷酮、二甲基 甲醢胺、二甲基亞碼、環己酮等極性化合物。彼等之中就 微粒子分散特性及分液特性之穩定性、或液滴噴出法之適 -23 - (21) 1245588 用容易觀點而言，較好爲水、乙醇類、碳氫系化合物、醚 類化合物，更好之分散媒爲水、碳氫系化合物。 材料配置步驟（液滴噴出步驟）之後進行燒結步驟。 對含有導電性材料之功能性液體進行燒結處理據以獲得導 電性。特別是有機銀化合物時，藉由燒結處理除去有機成 份殘留銀粒子則可以發現導電性。因此，對材料配置步驟 後之基材1進行熱處理或光處理之其中至少一方作爲燒結 處理。熱處理/光處理通常於大氣中進行，必要時亦可於 N (氮）' Ai*、He (氨）等惰性氣體環境中進行。熱處理 /光處理之處理溫度，可以考量溶媒沸點（蒸汽壓）、環 境氣體種類或壓力、微粒子分散特性或有機銀化合物、氧 化物等之熱噸做、塗敷材料之有無或量、基材之耐熱溫度 等予以適當決定。例如，欲除去有機銀化合物之有機成份 時需於大約200 °C進行燒結。又，使用塑膠等基材時，較 好是於室溫以上、100 °C以下進行。藉由上述步驟，噴出 步驟後之導電性材料（有機銀化合物）藉由銀粒子之殘留 而轉換爲具有導電性之配線圖型。 又，材料配置步驟之後進行中間乾燥步驟（或燒結步 驟），彼等材料配置步騾與中間乾燥步驟（燒結步驟）交 互重複進行多次即可於除去區域3積層配線圖型形成用材 料。 又，燒結步驟之後，或者薄膜圖型（除去區域3 )形 成用之光照射步驟之後之特定時間，可以除去基材1背面 設置之光熱轉換層4。例如藉由特定溶劑洗淨可由基材i -24 - 1245588 (22) &去光熱轉換層4。又，材料配置步驟（液滴噴出步驟） t &或燒結步驟之後等之特定時間，可以除去基材1上全 @薄膜2。例如照射雷射光可由基材1上除去薄膜2之全 部。 又，本實施形態中，使用液滴噴出法形成配線圖型。 {旦胃亦可藉由例如鍍層法對除去區域3配置配線圖型形成 用材料。 (電發顯示裝置） 以下參照圖9說明具有本發明之配線圖型形成方法所 形成配線圖型之光電裝置之一例的電漿顯示器（電漿顯示 裝置）。圖9爲位址電極5 1 1及匯流排電極5 12a被製造 之電漿顯示器500之分解斜視圖。該電漿顯示器500槪略 由：互呈對向配置之玻璃基板501與玻璃基板502，以及 形成於彼等間的放電顯示部5 i 〇構成。 放電顯示部510，係由多數個放電室516集合，多數 個放電室 516之中、紅色放電室 516(R)、綠色放電室 516(G)、藍色放電室5 16(B)之3個放電室516成對 構成1畫素而被配置。於玻璃基板5 0 1上面以特定間隔配 置直條狀位址電極5 1 1，覆蓋彼等位址電極5 11與玻璃基 板501上面而形成介質層519，又，於介質層519上、於 位址電極5 11、5 11間沿著各位址電極5 11形成間隔壁 5 15。又，於間隔壁515、於其長邊方向特定位置、在和 位址電極5 1 1正交方向以特定間隔被隔開（未圖示），基 -25- (23) 1245588 本上形成鄰接位址電極5 11寬度方向左右兩側之間隔壁、 以及朝和位址電極5 1 1正交方向延伸之間隔壁所區隔之長 方形狀區域，和彼等長方形狀區域對應地形成放電室5 1 6 ，彼等長方形狀區域成爲3對而構成1畫素。又，於間隔 壁5 1 5區隔之長方形狀區域內側配置螢光體5 1 7。螢光體 5 1 7爲發出紅、綠 '藍之任一螢光者，於紅色放電室5 1 6 (R )底部配置紅色螢光體5 1 7 ( R )，於綠色放電室5 1 6 (G)底部配置綠色螢光體517(G)，於藍色放電室516 (B)底部配置藍色螢光體517(B)。 於玻璃基板502側，於和先前之位址電極5 1 1正交之 方向以直條狀、以特定間隔形成由多數I TO構成之透明 顯示電極512之同時，形成金屬構成之匯流排電極512a 用於補償高電阻之I TO。又，覆蓋彼等而形成介質層 5 13，另外形成MgO構成之保護膜514。上述玻璃基板 5 0 1與玻璃基板5 0 2之基板2，係以上述位址電極5 1 1與 透明顯示電極5 12互呈正交、對向地相互貼合，於基板 501、間隔壁515以及玻璃基板502側形成之保護膜514 所包圍空間部分進行排氣封入稀有氣體形成放電室5 1 6。 又，玻璃基板502側形成之透明顯示電極512相對於各放 電室516各被各被配置2個。位址電極511幾透明顯示電 極5 12連接於交流電源（未圖示），對各電極通電而於必 要位置之放電顯示部510對螢光體517產生激光而可以進 行彩色顯示。 本例中，特別是上述位址電極5 1 1及匯流排電極 -26- (24) 1245588 5 1 2 a係由本發明之配線圖型形成方法形成。亦即，關於 彼等位址電極5 1 1或匯流排電極5 1 2a，特別是就其之圖 型化有利觀點而言，可以藉由噴出分散有金屬膠質材料（ 例如金膠質或銀膠質）或導電性微粒子（例如金屬微粒子 )而成之功能性液體予以乾燥、燒結而形成。另外，關於 螢光體517，亦可以藉由將螢光體材料溶解於溶媒或分散 於分散媒而成功能性液體，藉由噴頭20噴出該功能性液 體予以乾燥、燒結而形成。 (彩色濾光片） 以下參照圖1 〇說明使用本發明之薄膜製造液晶顯示 裝置之彩色濾光片之步驟。又，本實施形態之薄膜並非單 分子薄膜，而是由具有特定高度（厚度）之有機薄膜構成 堤堰部（暗矩陣）用於隔離基材上之特定區域。首先，如 圖10 ( a )所示，於透明基板（基材）P之一面形成暗矩 陣（堤堰部）52。該暗矩陣52爲用於隔離彩色濾光片形 成區域者，係藉由本發明之堤堰部形成方法形成者。形成 堤堰部時，使用光引發劑及單體及黑色昇華性材料，於後 述光照射步驟可使堤堰部硬化。 之後，如圖1〇 ( b )所示，由噴頭20噴出彩色濾光 片用功能性液體之液滴54，使其掉落於濾光片單元53。 噴出之功能性液體54之量，係考量加熱步驟（乾燥 '燒 結步驟）之功能性液體之體積減少而設爲充分之量。 如上述說明，於基板P上之全部濾光片單元5 3塡充 -27- (25) 1245588 液滴5 4之後，使用加熱器加熱基板P至特定溫度（例如 約7 0 °C )。藉由該加熱處理，功能性液體之溶媒蒸發、 功能性液體之體積減少。體積減少太多時，在獲得彩色濾 光片之充分薄膜厚度之前，重複進行液滴噴步驟及加熱步 驟。藉由該處理使功能性液體內含之溶媒蒸發，最終僅殘 留功能性液體內含之固態成份（功能性材料）而變爲薄膜 化，如圖10 ( C )所示成爲彩色濾光片55。 之後，使基板P平坦化，爲保護彩色濾光片55，如 圖10 ( d )所示，於基板P上形成保護膜5 6以覆蓋彩色 濾光片55或暗矩陣52。保護膜56形成時，可採用例如 自旋塗敷法、輥塗敷法、或模塑法等，但是和彩色濾光片 5 5同樣亦可使用上述噴出裝置進行。之後，如圖1 0 ( e ) 所示，於保護膜5 6全面藉由濺射法或真空蒸鍍法形成透 明導電膜5 7。之後，對透明導電膜5 7施予圖型化，如圖 10(f)所示，使畫素電極58與濾光片單元53對應施予 圖型化。又，液晶顯示面板之驅動使用 TFT時不需要該 圖型化。上述彩色濾光片之製造，係適用上述噴頭20， 因此可以連續噴出彩色濾光片材料，因此可以良好地形成 彩色濾光片之同時，可以提升生產性。 (有機EL顯示裝置） 、以下參照圖11說明使用本發明之堤堰部製造有機EL 顯不裝置之步驟。又，本實施形態之薄膜並非單分子薄膜 ’而是由具有特定高度（厚度）之有機薄膜構成，構成堤 堰部用於區隔基材上之特定區域。圖1 1爲使用噴頭20製 -28- 1245588 (26) 造一部分構成要素之有機EL顯示裝置之側斷面圖。首先 ，說明該有機EL顯示裝置之槪略構成。又，此處形成之 有機EL顯示裝置成爲本發明之光電裝置之一實施形態。 如圖1 1所示，該有機EL裝置3 01，係於基板（基材） 3 1 1、電路元件部3 2 1、畫素電極3 3 1、堤堰部3 4 1、發光 元件351'陰極361、（對向電極）及封裝基板371構成 之有機EL元件302上，連接可撓性基板（未圖示）之配 線及驅動I C (未圖示）而成者。電路元件部3 21形成於 基板311上，多數個畫素電極331桮列於電路元件部321 上。於各畫素電極331間以格子狀形成堤堰部341，於堤 堰部341所產生凹部開口 344形成發光元件351。陰極 361形成於堤堰部341及發光元件351之上部全面，於陰 極361上積層封裝基板371。 堤堰部341係由第1堤堰部30，及積層於其上之第 2堤堰部343構成，形成該堤堰部341時，係使用本發明 之薄膜圖型形成方法。 包含有機EL元件之有機EL裝置301之製程具有： 形成堤堰部341之堤堰部形成步驟；適當形成發光元件 351之電漿處理步驟；形成發光元件351的發光元件形成 步驟；形成陰極361的對向電極形成步驟；及將封裝基板 371積層、封裝於陰極361上的封裝步驟。 發光元件形成步驟，係於凹部開口 344、亦即畫素電 極331上形成電洞注入層35 2及發光層353而形成發光元 件35 1，具備電洞注入層形成步驟及發光層形成步驟。電 -29- 1245588 (27) 洞注入層形成步驟，係具備：第1噴出步驟，可將第1功 能性液體噴出於各畫素電極33 1上用於形成電洞注入層 3 5 2 ;及第1乾燥步驟，可使噴出之第i功能性液體乾燥 、形成電洞注入層352。發光層形成步驟具備··第2噴出 步驟’可將第2功能性液體噴出於電洞注入層3 5 2上用於 形成發光層353 ;及第2乾燥步驟，可使噴出之第2功能 性液體乾燥、形成發光層353。 於該發光元件形成步驟，於電洞注入層形成步驟之第 1噴出步驟，及發光層形成步驟之第2噴出步驟係使用上 述噴頭20。 (電子機器） 以下說明具備上述光電裝置（液晶顯示裝置、有機 EL顯示裝置、電漿顯示裝置等）之電子機器之適用例。 Η 1 2 ( a )爲fj動電δ舌之一例之斜視圖。，於圖1 2 ( a ) ’符號1000表示行動電話本體，符號1〇〇1表示使用上述 光電裝置之顯示部。圖12(b)爲手錶型電子機器之一例 之斜視圖。於圖12 ( b )，符號〗i 〇 〇表示手錶本體，符 號1101表示使用上述光電裝置之顯示部。圖12(c)爲 文字處理機、個人電腦等攜帶型資訊處理裝置之一例之斜 視圖。於圖12 ( c )，符號12〇〇表示資訊處理裝置，符 號1202表示鍵盤等之輸入部，i2〇4表示資訊處理裝置本 體，符號1206表示使用上述光電裝置之顯示部。圖12( a )〜（c )之電子機器，具備上述實施形態之光電裝置， •30· (28) 1245588 因此可以實現顯不品質良好、具有明亮畫面顯示之電子機 器。 又，除上述之例以外，本發明之光電裝置亦可適用以 下電子機器之顯示部，例如液晶電視、觀景型、監控直視 型攝錄放映機、汽車導航裝置、呼叫器、電子記事本、計 算機、文字處理機、工作站、視訊電話、POS終端機、電 字紙、、具觸控面板之機器等。 (微透鏡） 圖13爲使用本發明之薄膜圖型形成微透鏡之步驟之 一例。本實施形態之薄膜，係由例如FAS膜等形成之具 有疏液性之單分子薄膜構成。 本例中，首先、如圖 13(a)所示，由噴頭 2 0對基 板（基材）P上噴出透光性樹脂構成之液滴622a並塗敷 之。又，由各噴頭20噴出液滴622a時，於該噴出之前， /本發明之薄膜圖型被形成於基板P上，液滴622a被配置 於具有親液性之除去區域3。 基板P，當微透鏡適用例如螢幕用之光學膜時，可使 用由醋酸纖維素或丙稀纖維素等纖維素系樹脂、聚氯化乙 稀基、聚乙稀、聚丙稀、聚酯等透明樹脂（透光性樹脂） 構成之透光性薄片或透光性薄膜。又，基板可使用玻璃、 聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚颯、非晶質聚稀、聚對苯二甲酸 乙二醇酯、聚甲基甲基丙稀酸酯等透明材料（透光性材料 )構成之基板。 -31 - 1245588 (29) 透光性樹脂可爲例如聚甲基甲基丙稀酸酯、聚羥基乙 基甲基丙稀酸酯、聚環己基甲基丙稀酸酯等之丙稀基系樹 月旨、聚二乙烯乙二醇二稀丙基碳酸酯、聚碳酸酯等之稀丙 基系樹脂、甲基丙稀樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯系 樹脂、聚氯化乙稀基系樹脂、聚醋酸乙稀基系樹脂、纖維 素系樹脂、聚醯胺系樹脂、氟素系樹脂、聚丙稀系樹脂、 聚苯乙稀系樹脂等之熱可塑性或熱硬化性樹脂，可使用彼 等之其中一種，或混合多數種使用。 但是，本例中透光性樹脂使用放射線照射硬化型者， 該放射線照射硬化型，係於上述透光性樹脂混合雙咪唑系 化合物等之光聚合引發劑而成者，藉由光聚合引發劑之混 合可被賦予放射線照射硬化特性。放射線爲可視光線、紫 外線、遠紫外線、X線設限、電子線等之總稱，一般使用 紫外線。 依據需要之單一微透鏡尺寸將此種放射線照射硬化型 透光性樹脂之液滴622a之1個或多數個噴出於基板p上 ’則該液滴622a構成之透光性樹脂623藉由其表面張力 成爲如圖13 ( a )所示之突出形狀（大略半球形狀）。如 上述說明，對欲形成之單一微透鏡噴出、塗敷特定量透光 性樹脂，依所要之微透鏡個數分進行該塗敷處理，對彼等 透光性樹脂623照射紫外線等放射線，如圖13 ( b )所示 使其硬化成爲硬化體623a。又，噴頭20噴出之相當於液 滴6 22a —滴之容量會依噴頭20或噴出之液狀材料而不同 ，通常設爲約lpL〜20pL。 1245588 (30) 之後如圖13 ( c )所示，由噴頭20將需要個數之分 散有多數個光擴散性微粒子626之液滴622b噴出至彼等 硬化體623a之各個之上，使其附著於硬化體623 a表面。 光擴散性微粒子626可爲例如二氧化矽、氧化鋁、二氧化 鈦、碳酸鈣、氫氧化鋁、丙稀基樹脂、有機聚矽氧烷樹脂 、聚苯乙烯、尿素樹脂、甲醛縮合物等微粒子，可使用彼 等之其中一種或混合多數種使用。但是，光擴散性微粒子 6 26欲發揮足夠之光擴散性時，該微粒子需爲透光性時， 其之折射率與上述透光性樹脂之折射率需具備足夠之差。 因此，光擴散性微粒子6 26爲透光性時，在滿足此條件下 依據使用之透光性樹脂適當選擇使用。此種光擴散性微粒 子6 26預先分散於適合之溶劑（例如透光性樹脂使用之溶 劑，依此則可以調整於噴頭20可以噴出之液狀材料。此 時較好是對光擴散性微粒子626表面施予接面活性劑披覆 處理或溶融樹脂披覆處理據以提升光擴散性微粒子626對 溶劑之分散性，藉由該處理可以將噴頭20噴出之良好流 動性附加於光擴散性微粒子6 2 6。又，藉由表面處理之接 面活性劑可依光擴散性微粒子624種類適當選擇陽離子系 、陰離子系、非離子系、兩性、聚矽氧烷系、氟樹脂系等 〇 又’光擴散性微粒子626較好是使用顆粒直徑200nm 以上、500nm以下者。於此範圍內，顆粒直徑200nm以 上可以確保良好之光擴散性，5 OOnm以下可以確保噴頭1 之噴嘴之良好噴出特性。 -33- (31) 1245588 又，光於分散有光擴散性微粒子6 26之液滴622b之 噴出，可以使用合透光性樹脂之液滴622a之噴出使用之 噴頭20相同者，或者不同者。使用相同者時可以簡化包 含噴頭20之裝置構成。使用不同者時可依各功能性液體 (透光性樹脂構成之功能性液體與光擴散性微粒子24構 成之功能性液體）使用專用之噴頭，塗敷之功能性液體切 換時不需進行噴頭洗淨，可以提升生產性。 之後進行加熱、減壓、或者加熱減壓處理使分散有光 擴散性微粒子624之液滴622b中之溶劑蒸發，如此則硬 化體623a表面被液滴622b之溶劑軟化而使光擴散性微粒 子6 26附著，隨著溶劑蒸發、硬化體623a表面再度硬化 ，光擴散性微粒子 624被固定於透光性樹脂之硬化體 623a表面。藉由光擴散性微粒子 624被固定於硬化體 623a表面，如圖13 ( d )所示，可獲得表面分散有光擴散 性微粒子624之本發明之微透鏡625。 使用液滴噴出法形成由透光性樹脂623與光擴散性微 粒子624構成之凸形狀（大略半球形狀）之微透鏡625， 不必如金屬模具成型法或射出成型法等之需要成型金屬模 具，另外幾乎不會發生材料損失。 因此，可以達成製造成本之降低。另外，獲得之微透 鏡625爲凸形狀（大略半球形狀），該微透鏡可於例如 3 60度廣角範圍內（方向）獲得均勻之光擴散，而且藉由 光擴散性微粒子626之復合化，可使獲得之微透鏡具有較 高之光擴散特性。 -34- (32) 1245588 (DNA晶片） 圖1 4爲：使用本發明之薄膜圖型形成之作爲檢測機 器之DNA晶片之實施形態之說明圖，（a )爲平面圖’（ b )及.（c )爲A-A斷面圖。又，DNA晶片相關技術揭示 於例如特開平1〇- 1 68386號公報、特開2000-232883號公 報。 於圖14 ( a )及（b )，本例之DNA晶片，系於基材 900上設置反應膜902而構成者，本實施形態中’於反應 膜902周圍設置具有疏液性之薄膜903。薄膜903由具有 疏液性之單分子薄膜構成’形成DNA晶片用反應膜902 之反應劑可使用例如DNA斷片。 將預先判明遺傳子配列之數十〜數百種類之DNA斷 片含於溶液中，固定於基材900上。如圖13 ( c )所示， 本例之D N A晶片，係由基材9 0 0背面射入光，通過反應 膜902而取出者。本例DNA晶片之使用時，係作成液狀 之遺傳子樣本905，將其配置於晶片上，當發現與樣本適 合之遺傳子存在時，藉由捕捉反應而於反應膜902產生反 應使氯基配列被特定，藉由合成之螢光染料發出螢光。 上述DNA晶片之製造時，首先，於基材900上形成 薄膜903，之後，依據本發明之薄膜圖型形成方法形成具 有除去區域3的薄膜圖型。之後，藉由噴頭20，由噴頭 20將反應劑噴出至除去區域3，而於基材900上形成反應 膜902，依此製造DNA晶片。 (33) 1245588 又，於具有光熱轉換層之基材900上全面預先設置反 應膜902，對該反應膜902照射光據以除去光照射之照射 區域所對應反應膜902而施予圖型化，於基材900上以離 散方式配置反應膜902亦可。之後，對以離散方式配置之 反應膜902配置遺傳子樣本905亦可。 [圖式簡單說明】 圖1:本發明之圖型之形成方法使用的圖型形成裝置 之一實施形態之槪略構成圖。 圖 2 :本發明之圖型之形成方法之一實施形態之模式 圖。 圖3 :本發明之圖型之形成方法之另一實施形態之模 式圖。 圖4 :本發明之圖型之形成方法之另一實施形態之模 式圖。 圖5 :本發明之薄膜之形成步驟之一例之模式圖。 圖6:本發明之圖型之形成方法使運的圖型形成裝置 之另一實施形態之槪略構成圖。 圖7 :本發明之配線圖型之形成方法之一實施形態之 模式圖。 圖8 :本發明之配線圖型之形成方法使用的噴頭之槪 略構成圖。 圖9 :具備本發明之配線圖型形成方法所形成配線圖 型的光電裝置之一例的電漿顯示裝置之分解斜視圖。 -36- (34) 1245588 圖1 0 ·使用本發明之圖型形成方法所形成薄膜而製 造的光電裝置之一例之圖，爲液晶顯示裝置之彩色濾光片 之製程之〜彳列。 · 圖1 1 :使用本發明之圖型形成方法所形成薄膜而製 造的光電裝置之一例之圖，爲有機EL顯示裝置之側斷面 圖。 圖12:具備本發明光電裝置之電子機器之一例。 圖13:使用本發明之薄膜圖型形成微透鏡之步驟之 鲁 模式圖。 圖14:使用本發明之薄膜圖型形成之DNA晶片之一 實施形態之模式圖。 【主要元件符號說明】 1 :基材 2 :薄膜（單分子薄膜） 3 :除去區域 籲 4 :光熱轉換層 1 1 :光源 15 :遮罩 20 :噴頭 -37-

Claims (1)

1. (1) 1245588 十、申請專利範圍 1. 一種圖型之形成方法，其特徵爲：在包含光熱轉 換材料用以將光能轉換爲熱能的基材上設置薄膜，對上述 基材照射光，藉由除去照射區域所對應上述基材上之上述 薄膜而對該薄膜施予圖型化。 2. 如申請專利範圍第1項之圖型之形成方法，其中 上述薄膜爲有機薄膜。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 上述薄膜爲單分子薄膜。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 上述薄膜爲包含光引發劑之單體。 5 .如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 包含上述光熱轉換材料之光熱轉換層，係和上述基材 及上述薄膜分開設置。 6 .如申請專利範圍第5項之圖型之形成方法，其中 上述光熱轉換層，係設於上述基材上之設有上述薄膜 之一面。 7 ·如申請專利範圍第5項之圖型之形成方法，其中 上述光熱轉換層，係設於上述基材與上述薄膜之間。 8 .如申請專利範圍第5項之圖型之形成方法，其中 上述光熱轉換層，係設於上述基材上之未設有上述薄 -38- (2) 1245588 膜之另一面。 9·如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 於上述基材混合有上述光熱轉換材料。 10·如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 由上述基材上之設有上述薄膜之一面照射上述光。 11·如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 由上述基材上之未設有上述薄膜之另一面照射上述光 c 1 2 .如申請專利範圍第1 〇項之圖型之形成方法，其 中 依據上述薄膜來決定由上述一面或另一面之其中之一 照射光。 13. 如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 介由具有特定圖型之遮罩對上述基材照射光。 14. 如申請專利範圍第1或2項之圖型之形成方法， 其中 _ 使上述基材相對於上述光進行移動而進行照射。 15. —種配線圖型之形成方法，其特徵爲：在使用申 請專利範圍第1至1 4項中任一項之形成方法所形成具有 薄膜圖型之上述基材上，配置含有配線圖型形成用材料之 -39- (3) 1245588 液滴而形成配線圖型。 16. —種光電裝置，其特徵爲：具有申請專利範圍第 1 5項之形成方法所形成配線圖型者。 17. 一種電子機器，其特徵爲：具有申請專利範圍第 16項之光電裝置者。

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