TWI293470B

TWI293470B -

Info

Publication number: TWI293470B
Application number: TW093108161A
Authority: TW
Inventors: Toshimitsu Hirai
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-03-26
Filing date: 2004-03-25
Publication date: 2008-02-11
Also published as: CN100569515C; CN1532053A; US7326460B2; KR100636257B1; KR20040084717A; US20040247797A1; TW200425213A; JP2004311957A

Description

修（更)正本:

1293470 (1) 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於裝置和其製造方法及光電裝置及電子^幾器。【先前技術】於使用於電子電路或積體電路等之配線製造中，{系M 如使用光微影法。此微影法係事先於塗布導電膜之基& ± ，塗布所謂光阻之感光材料，照射電路圖案而顯像，並医[ 應於光阻圖案而以蝕刻導電膜，形成配線。此微影法彳系s 要真空裝置等之大規模設備與複雜工程，且，材料使用效率亦耗費頗大程度而導致製造成本高。對於此，係建議從液體吐出噴嘴液滴狀吐出液體材料之液滴吐出法、使用所謂噴墨法而形成配線圖案方法（例如，參照專利文獻）。以此方法，於基板上直接圖案塗布分散金屬微粒子等之導電性微粒子之機能液之配線用墨水，其後進行熱處理或電射照射轉換爲導電膜圖案。藉由此方法時，係可不用光微影，且過程將大幅度簡單化之同時，也可得到使用少量之原本材料之使用量之優點。〔專利文獻1〕美國專利5 1 32248號說明書但是，於上述之傳統技術中存有如以下之問題。藉由噴墨方式之墨水塗布係可以高解析度吐出、塗布直徑爲# m尺度之液滴。但是，塗於基板上之微小液體之乾燥因極爲快速，更由於於基板上之塗布領域中之端（上 -4-

1293470 丨^^月丨> 修值)正本I (2) 端、下端、右端、左端）中，從微小液體蒸發之溶媒分子分壓（溶媒蒸氣濃度）非常低，故一般來說係快速乾燥。如此於基板上塗布之液狀體之乾燥時間之差係引起導電膜配線之膜厚不均。然後，此膜厚不均係導致導電性等、導氣特性之不均一等之缺陷。本發明係考量如上之點而發明，以提供不產生膜厚不均且可解決電氣特性之不均勻性之裝置和其製造方法及光電裝置及電子機器爲目的。【發明內容】爲了達到上述之目的，本發明係採用以下之構造。本發明之裝置係藉由液滴吐出，於基板上之配線圖案領域，配線導電性膜之裝置；其特徵係於前述基板上之前述配線圖案領域之外側，藉由前述液滴吐出而形成與前述導電性膜電氣性分離之第2導電性膜。因此，於本發明之裝置中，於乾燥快速之基板端部，作爲虛擬配線之第2導電性膜之乾燥雖然進行著，但實際上作爲配線使用之配線圖案領域中，藉由第2導電性膜之存在，溶媒蒸氣濃度（環境）將變得均一，而將導電性膜之乾燥、燒成環境均一後，可使膜厚變爲一定。因此，本發明係可解決起因於膜厚不均等之導電性等、電氣特性之不均勻性。作爲吐出之液滴係可採用含有金屬微粒子之液滴。作爲第2導電性膜係最好係與前述導電性膜相同之材 -5- 1293470 (3) >月（修(更)正、

料所形成。藉由此本發明係由於可不須交換液狀體而連續性吐出 ’故可省下伴隨之液狀體交換作業，且也可提高生產效率又作爲第2導電性膜，最好係與前述導電性膜略爲相同之配列元件符號且連續性形成。例如與導電性膜相同統一配列間隙、配線寬度等之配列元件符號，且因與導電性膜連續性配列，故無個別作成液滴吐出時之點圖案（位元圖）等之必要，也可提高作業性。又’於前述基板設置排水性處理之排水部，與親水性處理之親水部，前述導電性膜及第2導電性膜係爲前述液滴吐出於前述親水部吐出而形成配線之構造亦可。藉由此，於本發明中吐出之液滴一部分即使飛灑於排水部，藉由排水性亦能夠將其彈開而位置於親水部，故可易於形成配線。且本發明之光電裝置係以備有上述之裝置爲其特徵。藉由此，於本發明中係由於以均一膜厚形成配線圖案，故可得到解決引起於配線之膜厚不均之電氣特性之不均勻性之高品質之光電裝置。再者，本發明之電子機器係以具備上述之光電裝置爲其特徵。藉由此，於本發明中係由於以均一膜厚形成配線圖案，故可得到解決引起於配線之膜厚不均之電氣特性之不均勻性之高品質之電子機器。 -6 -

曰修(更)正教f 1293470 (4) 【實施方式】以下，參痈圖1至圖2說明本發明之裝置與其製造方法及光電裝置及電子機器之實施形態。在此，首先說明關於機能液之配線圖案用墨水。藉由液滴吐出法，從液體吐出噴嘴之噴嘴吐出液滴狀之配線圖案用墨水，一般來說係由將導電性微粒子分散爲分散媒之分散液所形成。於本實施形態中，作爲導電性微粒子係例如含有金、銀、銅、鈀、及鎳之中之任一者之金屬微粒子之外，也可使用此等之氧化物及導電性聚合物或超電導體之微粒子等〇此等之導電性微粒子係爲了提高分散性，故也可於表面塗布有機物而使用。於導電性微粒子之表面作爲塗布之塗布劑，係例如可舉出二甲苯、甲苯等有機溶劑或檸檬酸等。導電性微粒子之粒徑最好爲lnm以上0.1 // m以下。當大於0.1// m時，於後述之液體吐出噴嘴之噴嘴可能產生阻塞。又當小於1 nm時，對於導電性微粒子之塗布劑之體積比將變大，且所得到之膜中有機物之比率也過多。作爲分散媒係由於爲可分散上述導電性微粒子之者，當不引起凝聚之物者係無特別限定。例如水之外，係可舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等之酒精類，正丁烷、辛烷、揆烷、12烷、14烷、甲苯、二甲苯、傘花脛、硬炔、茚 1293470 ^ 4 G年 > 月1〉g修(更^ 、雙戊稀、四氫化苯、十氫化奈乙二醇、環已基苯等之炭水化合物、二乙二醇、乙二醇乙二醇、乙二醇甲基乙二醇、二乙二醇、二乙乙二醇、二乙甲基乙醚、二甲氧基乙烷、雙醚（2甲氧基乙基）、二Uf烷等之醚系化合物，再者伸丙基碳酸酯、丁內酯、N—甲基—2—比咯烷酮、二甲基甲醯胺、二甲亞硕、環乙烷酮等之極性化合物。於此等當中，由於關於從微粒子之分散性與分散液之安定性，或易於適用液滴吐出法（噴墨法）之點，最好爲水、酒精類、炭水化合物、醚系化合物，最佳則作爲分散媒係可舉出水、炭水化合物。上述導電性微粒子之分散液之表面張力，最好係於 0.02N/ m以上0.07N/ m以下之範圍內。以噴墨法吐出液體時，當表面張力爲0.02N/ m以下時，由於對於墨水組成物之噴嘴面之沾濕性將增大而易產生飛散，而當超過 0.07N/m以上時，噴嘴先端之彎月之形狀由於不穩定，故較難控制吐出量或吐出時機。爲了調整表面張力，於上述分散液中，於稍微降低與基板接觸之角度之範圍內，亦可微量添加氟素系、矽系、介面活性劑系等之表面張力調節劑。介面活性劑系表面張力調節劑係可提高對液體基板之沾濕性，且改良膜之平直/調平性，可有效於防止膜之微細凹凸產生等。上述表面張力調節劑係應於必要亦可含有酒精、醚、酯、酮等之有機化合物。上述分散液之黏度，最好係爲ImPa · s以上50mPa · 以下。於使用噴墨法將液體材料作爲液滴吐出時，黏度 1293470 G ^月丨）日修(更)正本1 (6) 當小於1 mP a · s時，噴嘴週邊部將因墨水流出而受到污染 ;而黏度當大於50mPa · s時，噴嘴孔之阻塞頻率變高而較難吐出圓滑之液滴。在此作爲液滴吐出法之吐出技術，係可舉出帶電控制方式、加壓振動方式、電氣機械變換式、電氣熱變換方式、靜電吸引方式等。帶電控制方式係以帶電電極給予材料電荷，以偏向電極控制材料之飛翔方向，再從噴嘴吐出技術。又，加壓振動方式係於材料施加3 0 k g / c m 2左右之超高壓，於噴嘴先端側吐出材料之技術；不施加控制電壓之時，材料將直進從噴嘴吐出；當施加控制電壓時，於材料間產生靜電性之相斥，材料將飛散而不從噴嘴吐出。又，電氣機械變換式係爲利用壓電元件接受脈衝性電氣信號而變形之性質之者，藉由壓電元件變形於材料儲存之空間，介由可撓物質而施予壓力，從此空間押出材料再從噴嘴吐出之者。又，電氣熱變換方式係藉由於儲存材料之空間內設置加熱器，故可急速氣化材料而產生氣泡（泡），再藉由閥之壓力而吐出空間內之材料。靜電吸引方式係於儲存材料之空間內施加微小壓力，於噴頭形成材料之彎月型，以此狀態加入靜電引力後引出材料。又，於其它中也可適用利用藉由電場所產生流體之黏性變化之方法，或用放電火花飛散方式等之技術。液滴吐出法係不會浪費所使用之材料且持有於所希望之位置正確配置希望之量之材料。藉由液滴吐出法所吐出之液狀材料（流動體）之一滴量係例如爲 -9 - 1293470 (7)

曰修（更)正車

1 〜3 00ng(nano gram) 〇其次說明有關於製造本發明之裝置時所使用之裝置製造裝置。此裝置製造裝置，係從液滴吐出嘴對於基板藉由吐出 (滴入）液滴，而製造裝置之液滴吐出裝置（噴墨裝置）〇圖1爲表示液滴吐出裝置IJ之槪略構造之斜視圖。液滴吐出裝置IJ係具備著液滴吐出嘴1、X軸方向驅動軸4、Y軸方向驅動軸5、控制裝置CONT、平台7、清潔機構8、機台9和加熱器1 5。平台7係藉由此液滴吐出裝置IJ，而支持設置墨水（液體材料）之基板9之物，且具備著於基準位置固定基板 P之未圖示之固定機構。液滴吐出嘴1係爲具備複數吐出噴嘴之多噴嘴型之液滴吐出嘴，且使Y軸方向與長邊方向一致。複數吐出噴嘴係於液滴吐出嘴1之下方並列於Y軸方向而以一定之間隔設置著。從液滴吐出嘴1之吐出噴嘴，對於支持於平台7之基板P，係吐出含有上述之導電性微粒子之墨水。於X軸方向驅動軸4中，係連接著X軸方向驅動馬達2。X軸方向驅動馬達2爲步進馬達等，當從控制裝置 CONT供給X軸方向之驅動信號時，轉動X軸方向驅動軸 4。當X軸方向驅動軸4轉動時，液滴吐出嘴1係往X軸方向移動。 Y軸方向導引軸5係爲了對於機台9避免移動而固定 -10· 1293470 (8) 著。平台7係備有著γ軸方向驅動馬達3。Υ軸方向驅動馬達3爲步進馬達等，當從控制裝置C〇NT供給Υ軸方向之驅動信號時，平台7係往Υ軸方向移動。控制裝置CONT係於液滴吐出嘴1供給液滴吐出控制用之電壓。又，於X軸方向驅動馬達2，供給控制液滴吐出嘴1往X軸方向移動之驅動脈衝信號；於Υ軸方向驅動馬達3，供給控制平台7往γ軸方向移動之驅動脈衝信清潔機構8係爲清潔液滴吐出嘴1之物。於清潔機構 8係具備著未圖示之Υ軸方向之驅動馬達。藉由此Υ軸方向之驅動馬達之驅動，清潔機構係沿著Υ軸方向導引軸5 移動。此清潔機構8之移動係也藉由控制裝置CONT而加以控制。加熱器15係在此藉由燈管回火而熱處理基板Ρ之手段，進行包含塗布於基板Ρ之液體材料之溶媒蒸發及乾燥。此加熱器1 5之電源之切入及遮斷也藉由控制裝置 CONT而加以控制。液滴吐出裝置U係相對掃描液滴吐出嘴1和支持基板P之平台7之同時，對於基板P吐出液滴。在此，於以下之說明中，將X軸方向作爲掃描方向；而將與X軸方向直線交叉之 Y軸方向作爲非掃描方向。因此，液滴吐出嘴1之吐出噴嘴係於非掃描方向之Y軸方向，一定之間隔並列而加以設置。又，於圖1中，液滴吐出嘴1係雖然對於基板P之進行方向直角配置著，但亦可調整液滴吐 -11 -

1293470 (9) 出嘴1之角度，而對於基板P之進行方向交差。藉由此’因調整液滴吐出嘴1之角度，故可調整噴嘴間之間隙。又，也可任意調節基板p與噴嘴面之距離。圖2爲爲了說明藉由壓電方式之液體材料之吐出原理之圖。於圖2中，隣接於收容液體材料（配線圖案用墨水、功能液）之液體室21，設置著壓電元件22。於液體室21 係介由含有收容液體材料之材料容器之液體材料供給系 23，而供給液體材料。壓電元件22係連接於驅動電路24 而介由此驅動電路24，於壓電元件22施加電壓再藉由變形壓電元件，液體室將變形且從噴嘴25吐出液體材料。此時，藉由變化施加電壓之値，係可控制壓電元件22之扭屈量。同時藉由變化施加電壓之周波數係可控制壓電元件22之扭屈速度。藉由壓電方式之液滴吐出係由於對材料不施加熱，故具有不影響材料之組成之優點。其次，藉由上述之液滴吐出裝置IJ作爲形成配線圖案之光電裝置，說明電漿型顯示裝置。圖3爲表示著本實施形態之電漿型顯示裝置500之分解斜視圖。電漿型顯示裝置（光電裝置）5 00係含有，於相互對向配置之基板501、502及於此等間所形成之放電顯示部 5 1 〇而加以構成。放電顯示部510爲集合複數放電室516之物。於複數放電室516中，紅色放電室516(R)、綠色放電室516( -12- 1293470 β年 7月丨〉曰修(更)正蟓g (10) G)、藍色放電室516(B)之3個放電室516乃成對且構成1畫素而加以配置著。於基板50 1之上面係以特定之間隔條紋狀形成位址電極5 1 1 ;而如覆蓋位址電極5 1 1及基板5 0 1之上面，形成著誘電體層519。於誘電體層5 1 9上，位於位址電極5 1 1、5 1 1間且沿著各位址電極5 1 1，係形成著隔壁5 1 5。隔壁5 1 5係包含著隣接於位址電極5 1 1之寛方向左右兩側之隔壁，和延伸設置於與位址電極511垂直交叉之方向之隔壁。又藉由隔壁5 1 5，對應所切割長方形狀之領域，係形成著放電室 5 1 6 ° 又，於藉由隔壁5 1 5所區劃之長方形狀之領域內側，配置著螢光體517。螢光體517由於爲發出紅、綠、藍之任一者之螢光，故於紅色放電室5 1 6 ( R )之底部配置著紅色螢光體5 1 7 ( R .);於綠色放電室5 1 6 ( G )之底部配置著紅綠螢光體517(G);於藍色放電室516(B)之底部配置著藍色螢光體517(B)。另外，於基板502，於與先前之位址電極51 1垂直交叉之方向，複數之顯示電極5 1 2係以特定之間隔形成條紋狀。更爲了覆蓋此等，係形成著誘電體層513及由MgO 等所形成之保護膜5 1 4。所謂基板5 0 1與5 02係爲了相互垂直交叉前述位址電極51 1…與顯示電極512…，而使之對向且相互貼合著。上述之位址電極5 1 1與顯示電極5 1 2係連接於未圖示 -13- 1293470 (11)

>月（修(更)正本之交流電源。藉由於各電極通電’於放電顯示部5 1 0中螢光體5 1 7將激勵發光，故可顯示全彩。於本實施形態中，藉由上述液滴吐出裝置IJ於基板 5 〇 1 (於圖1中相當於基板P )上，形成上述位址電極5 1 1 之同時，於基板5 02 (於圖1中相當於基板P )上，係使用以下之裝置裝造方法而各形成顯示電極512。其次，作爲本發明裝置製造方法之實施形態一例，說明於電漿型顯示裝置之基板上形成電極等之導電膜配線之方法。有關本實施形態之配線形成方法係於基板上配置導電膜配線用之墨水，於其基板上形成配線用之導電膜圖案 (導電性膜）之方法，包含表面處理工程、材料配置工程及熱處理/光處理工程等。於本例中，作爲導電膜配線用之墨水係使用上述之本發明之配線圖形圖案用墨水。又，於配置墨水時，使用液滴吐出裝置IJ再介由液體吐出嘴1之噴嘴25，作爲液滴而吐出墨水之液滴吐出法，亦即使用噴墨法。在此，作爲液滴吐出裝置之吐出方式係除了壓電方式之外，亦可使用藉由施加熱所急速產生蒸氣，再吐出液體材料之方式等。作爲導電膜配線用之基板係可使用玻璃、石英玻璃、矽晶圓、塑膠薄膜、金屬板等各種之物。又，於此等種之素材基板之表面也包含將半導體膜、金屬膜、誘電體膜、有機膜等形成爲基底層之物。表面處理工程係區分爲排水性基板表面之排水性處理工程和親水性所排水性之基板表面之親水性處理工程。 14-

1293470 (12) 於排水性處理工程中，對於液體材料排水性加工形成導電膜配線之基板表面。具體述之，對於含有導電性微粒子之液體材料之特定接觸角係60〔deg〕以上，但最好成爲90〔deg〕以上110〔deg〕以下，而對於基板進行表面處理。作爲控制表面之排水性（沾濕性）之方法係例如可採用於基板之表面形成自己組織化膜之方法、電漿處理法等〇於自己組織化膜之方法中係於應形成導電膜配線之基板表面，形成由有機分子膜等所組成之自己組織化膜。爲了處理基板表面之有機分子膜係具備著於基板可能結合之官能基，和於其反對側改良親水基或排水基等之基板表面性（控制表面能量）之官能基，和結合此等之官能基之碳元素之鍵或一部分歧之碳元素鍵，於基板結合再自己組織化，形成分子膜例如單分子膜。在此，所謂自己組織化膜係指由可與基板基底層等之構成原子反應可能之結合性官能基與其外之直鎖子形成，藉由直鎖分子之相互作用配向具有極高之配向性之化合物再形成之膜。此自己組織化膜由於配向單分子而加以形成，可作爲極薄之膜厚且也可以分子準位作成均一之膜。亦即，相同分子由於位置於膜之表面，故於膜之表面可助於均一且疏水性或親水性較爲佳。作爲上述之具有高配向性之化合物，例如藉由使用氟烷矽烷爲了使氟烷基位置於膜之表面，配向各化合物且形 -15- 1293470

成自己組織化膜於膜表面附予均一之疏水性。作爲形成自己組織化膜之化合物係可舉出17氟一 1，1，2，2，2二氧化葵三乙氧矽烷、17氟一 1，1，2，2，2二氧化葵三甲氧基矽烷、17氟一 1，1，2，2，2二氧化葵亞鉛酸矽烷、十三氟一 1，1，2，2，二氫化辛三乙氧矽烷、十三氟一 1 ，1，2，2，2二氧化氫化辛三甲氧基矽烷，十三氟一 1， 1，2，2，2二氫化辛亞鉛酸矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷等之氟鹼矽烷（以下稱爲「FAS」）。此等之化合物係可單一使用，亦可組合2種以上使用。又藉由使用FAS 係可得到與基板密着性及優良之疏水性。一般來說FAS係表示爲構造式RnSiX ( 4_n)。在此η 爲1以上3以下之整數，X爲甲氧基、乙氧基、鹵素原子等之加水分解基。又R爲氟烷矽，持有（CF3) ( CF2) X (CH2) y之（在此x爲0以上10以下之整數，y爲0以上4以下之整數）構造，複數個R或X於結合於Si之情況時，R或X係可各自相同亦可相異。X所示之加水分解基係藉由加水分解形成葵烷醇後，與基板（玻璃、矽）之基底之羥安基基反應，以矽氧烷結合與基板結合。另外R 係於表面由於具有（CF2)等之氟元素，故改變材質爲不沾濕基板基底表面（表面能量較低）之表面。由有機分子膜等所形成之自己組織化膜，係於相同之密閉容器中放入上述原料化合物與基板，以室温藉由放置 2〜3天左右於基板上形成。或藉由將密閉容器整體保持於1 〇〇°C，3小時左右於基板上形成。此等雖然爲從氣相 -16- 1293470 4 ¥ > ?i h R 修(更)正浪又 (14) 之形成法，由液相係亦可形成自己組織化膜。例如於含有原料化合物之溶液中浸漬基板，再由於洗淨乾燥故於基板上形成自己組織化膜。又於形成自己組織化膜前，於基板表面照射紫外線或藉由溶煤洗淨等，最好係進行基板表面之前處理。另外於電漿處理法中，以常壓或真空中對基板實施電漿照射。使用於電漿處理之氣體種類，係考量應形成導電膜配線之基板表面材質等’而可作多種選擇。作爲處理氣體係可舉出4氟化甲烷、氟葵烷等。又疏水性加工基板表面處理係具有希望之疏水性之薄膜、例如亦可藉由於基板表面貼合4氟化乙醯加工後之聚醯亞胺薄膜等而加以進行。又亦可將疏水性高之聚醯亞胺薄膜作爲基板使用。基板表面於具有相較於希望之疏水性較高疏水性之情況時，亦可藉由照射170〜400nm之紫外光或於離子環境中曝晒基板等，進行將基板表面親水化之處理再控制基板表面之沾濕性。以下詳細說明關於親水化處理。於親水化處理工程中，於疏水化處理完了階段之基板表面由於具有相較於通常所望之疏水性較高之疏水性，故藉由親水化處理緩和疏水性。作爲親水化處理係可舉出照射170〜400nm之紫外光方法。藉由此可部分性且作爲整體均一破壞形成之疏水性之膜，可緩和疏水性。再者藉由使用因應於配線圖案之光罩而照射紫外光，亦可僅將配線部分親水化。於此情況中由於明確區分基板 -17-

1293470 (15) 表面之疏水部與親水部，故吐出液滴之一部分即使飛散於疏水部也可藉由疏水性彈開而位置於親水部，故可易於形成配線。又，疏水性之緩和程度雖然可以紫外光之照射時間調整，但亦可藉由紫外光之強度、波長、熱處理（加熱）等之組合等進行調整。作爲親水化處理之其他方法係可舉出將氧作爲反應氣體之電漿處理。藉由此可將暫時所形成之疏水性之膜部分性且作爲全體而言係爲均勻之變質，而可緩和疏水性。作爲爲親水化處理之其他方法係可舉出於臭氧環境曝晒基板之處理。藉由此可將暫時所形成之疏水性之膜部分性且作爲全體而言係爲均勻之變質，而可緩和疏水性。於此情況中疏水性之緩和程度係可藉由照射輸出、距離、時間等進行調整。 (材料配置工程）圖4爲表示圖3之電漿顯示裝置之配線中一部分（例如ill址電極）之放大模式圖。於圖4之模式圖中於基板p 上，電極圖案（導電性膜）3 1 (例如相當圖3中之位址電極51)及虛擬圖案（第2導電性膜）32乃各自直線狀形成延伸存在於Y軸方向。電極圖案3 1係配線於，於基板 P上設置螢光體517之配線圖案領域ρι;虛擬圖案32係於配線圖案領域PI外側（周圍）之虛擬領域p 〇，與電極圖案3 1電氣性分離而加以配線。 -18-

1293470 (16) 電極圖案3 1，在此係以線條寬1 2 0 μιη、線條面積240 // m之配例間隙3 6 0 // m所配線。虛擬圖案3 2係與電極圖案3 1以相同之材料所形成，與電極圖案3 1以相同之配列諸兀件符號（線條寬1 2 0 // m、線條面積2 4 0 // m之配例間隙3 60 // m )，且以連續性配列的方式，與於配線圖案領域PI和虛擬配線領域PO所相隣之電極圖案3 1之線條面積也爲240 // m而加以配線。然後，液滴吐出裝置IJ之控制裝置CONT係如圖4 所示，於基板上設定格子狀之複數位元（位元格子）所形成之位元圖，基於於基板P上所設定之位元圖於基板P往 X軸方向掃描之同時，於位元圖中複數位元之中，由於進行對特定位元（形成電極圖案31及虛擬圖案32之複數位元）之液滴之吐出動作，故於基板P上可以相同之工程連續形成電極圖案31及虛擬圖案32。圖5 ( a )〜（c )係表示於基板上配置墨水之順序之一例子。於此工程中從液體吐出噴嘴1吐出液體材料之液滴，於一定之距離（間隙）於基板1上配置其液滴。首先如圖5所示隔開一定之間隔於基板P上順序配置從液體吐出噴嘴1吐出之液滴L 1。於本例中液滴L1之配置間隙P 1係規定設置爲，相較於配置於基板P上後之液滴L1之直徑較爲大。藉由此，配置於基板P上後之各液滴L 1係不須相互接續，而可防止各液滴L 1合體後於基板P上散開。又液滴L1之配置間隙P 1係規定設置爲， -19- 1293470 (17) 相較於配置於基板p上後之液滴L 1之直徑之2倍以下。其次如圖5(b)所示反覆上述液滴之配置動作。亦即與圖5 ( a )所示之上次相同，從液體吐出噴嘴1吐出液體材料之液滴L2，於一定之距離於基板P上配置其液滴L2。此時液滴L2之體積（相當1液滴左右之液體材料之量）及其配置間隙P2係與上次液滴L1相同。又，從上次液滴L1僅以1 / 2間隙位移液滴L2之配置位置，而於配置於基板P上之上次各液滴L 1之中間位置，配置此次之液滴L2。如前所述，於基板P上液滴L1之配置間隙P 1，係相較於配置於基板P上後之液滴L 1之直徑較爲大且爲其直徑之2倍以下。因此於液滴L1之中間位置藉由配置液滴 L2，液滴L2乃一部分重疊於液滴L1，且塡满各液滴L1 間之間隙。藉由複數次反覆如此一連液滴配置動作，係塡滿配置於基板P上之各液滴之間隙，如圖5 ( c )所示於基板P 上形成線狀之連續電極圖案3 1 (或虛擬圖案3 2 )。於此情況中藉由增加反覆液滴配置動作之次數，於基板P上液滴乃依順序重疊，電極圖案31 (或虛擬圖案32)之膜厚亦即從基板P之表面之高度（厚度）將增加。電極圖案 31 (或虛擬圖案32)之高度（厚度）係規定因應於最爲最後膜圖案所必要之理相膜厚，因應於此而決定上述液滴配置動作之反覆次數。 -20 -

1293470 (18) 又液滴吐出條件，特別爲液滴體積及液滴配g 規定爲於基板P上形成之電極圖案31 (或虛擬圖之緣部形狀能夠呈現凹凸微小良好之狀態。又基相係由於事先疏水性加工過，故可控制配置於基板I 滴擴散。因此，可確實將電極圖案3 1(或虛擬圖之緣部形狀，控制爲上述之良好狀態之同時，也I 化0 (熱處理/光處理工程）其次於熱處理/光處理工程中係除去包含於画板上之液滴之散媒或塗布。亦即配置於基板上之3 成用液體材料，係爲了增加微粒子間之電氣性接觸要藉由燒成而完全除去分散媒。又於導電性微粒子之表面爲了提高分散性，灰機物等之塗布劑之情況中，也有必要除去此塗佈。熱處理/光處理工程雖然通常於大氣中進行，必要也可於氮元素、氬、氦等之不活性氣體環境4 熱處理/光處理之處理温度係考量，分散媒之沸觀壓）、環境氣體之種類或壓力、微粒子之分散性或等之熱性舉動、塗布劑之有無或量、基材之耐熱遙再加以適當決定。例如爲了除去由有機物所形成之塗布劑，係窄約30(TC燒成。又於使用塑膠等之基板之時，最好温以上100°C以下進行。 ί間隙係案32) ΐ Ρ表面 >上之液案32) 5於厚膜置於基電膜形而有必塗佈有但應於進行。 (蒸氣氧化性度等，必要以係於室 -21 - 1293470 (19) 如年4 i 日修(更)正糸β 熱處理/光處理係例如使用熱平板、電氣爐等之加熱手段之一般加熱處理之其他，亦可使用燈管回火。作爲使用燈管回火之光之光源係無特別限定，亦可使用紅外線燈、照明用燈泡、YAG雷射、氬雷射、炭酸氣體雷射、XeF 、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl 等之電激分子雷射。此等光源係一般來說雖然使用輸出10W以上5000W 以下之範圍者，但於本實施形態中以100W以上1 000W以下之範圍即可。藉由上述之熱處理/光處理，可確保微粒子間之電氣性接觸，也可將電極圖案31 (或虛擬圖案32)轉換爲導電膜。在此，於圖6表示著於熱處理時之基板上之圖案位置及溶媒蒸氣壓濃度之間係。如此圖所示，於虛擬圖案32所配線之基板端部中，從圖案（液狀體）蒸發之溶媒蒸氣濃度較低且快速進行乾燥。相對於此，於電極圖案3 1所配線之基板內側中藉由虛擬圖案32之存在，溶媒蒸氣濃度係比較於外側較高之數値保持一定。亦即燒成狀態有可能成爲不良之領域（分散媒除去、塗布劑之均一除去）乃成爲配線圖案領域PI 之外側虛擬領域PO。於使用於顯示之領域所配線之電極圖案3 1係成爲良好之燒成狀態。藉由以上之一連串工程，於基板上形成線狀之導電膜圖案（導電膜配線）。如此，本實施形態中係由於藉由液滴吐出，而於配線 22- 正更 /5V '夕 Sr 9 T7 月年 1293470 (20) 圖案領域PI之外側配線虛擬圖案32，故於乾燥·燒成時既使產生溶媒蒸氣濃度之分布，關於電極圖案31也可易於得到良好燒成狀態，也可抑制膜厚不均之產生。因此，能防止傳統上如圖7 (a)所示重疊塗布之各導電膜圖案因乾燥狀態之不均一，使線幅或膜厚未一致之狀況，而如圖7 ( b )所示能產生於線幅、膜厚未偏差之重疊圖形。因此可防止產生起因於膜厚不均之導電性等電氣特性之不均一，而可製造高品質之裝置。又於本實施形態中由於以同一材料形成電極圖案3 1 及虛擬圖案32，故可以同一吐出處理工程（材料配置工程）形成兩圖案3 1、3 2，且減短於液狀體交換所須之時間而可提高生產效率。更於本實施形態中係由於以相同之配列諸元件符號，配置電極圖案3 1及虛擬圖案3 2並進行連續性液滴吐出處理，故無必要個別作成液滴吐出時之位元圖（點圖案），且也可減短作成位元圖所須之時間。又於本實施形態中由於對親水部吐出液滴，吐出之液滴一部分即使飛散於疏水部，乃可藉由疏水性彈開而能夠位置於親水部，而可達到易於形成配線。更因藉由虛擬圖案32進行電阻檢查等、對於電極圖案3 1之導通試驗或密着性試驗等之品質檢查’可防止於電極圖案31產生瑕疵等，且因於端部配置虛擬圖案32，故比較於電極圖案31 也可得到於試驗時之較易於存取之效果。又於上述實施形態中之電極圖案3 1係可適用於圖3 所示之電漿型顯示器中之位址電極511及顯示電極512之 -23- 1293470 (21)

任一電極。其次作爲本發明光電裝置之其他例子，說明關於液晶顯示裝置。圖8爲表示本實施形態之液晶顯示裝置第1基板上之信號電極等的平面布線。本實施形態之液晶顯示裝置係由第1基板，和設置掃描電極等之第2基板（未圖示）’和與第1基板及第2基板間密封之液晶（未圖示）所槪略構成。如圖8所示，於第1基板300上之畫素領域303將複數信號電極310…設置爲多重矩陣狀。各信號電極31(L··· 特別係由對應於各畫素所設置之複數畫素電極部分310a …，和多重矩陣狀連接此等之信號配線部分3 1 Ob…所構成，而往Y方向伸延。又符號3 5 0係爲1晶片構造之液晶驅動電路，介由第 1引繞配線331…連接此液晶驅動電路3 50和信號配線部分310b···之一端側（圖中下方）。又符號340…係爲上下導通端子，藉由上下導通材 3 4卜··連接此上下導通端子340…和未圖示之設置於第2 基板上之端子。又介由第2引繞配線3 32…連接上下導通端子340…和液晶驅動電路3 50。本實施形態中於上述第1基板3 00上所設置之信號配線部分310b···、第1引繞配線331…、及第2引繞配線 3 3 2…係各自基於上述之配線形成方法而加以形成。因此，係可得到解決電氣特性不均一之高品質之液晶顯示裝置 -24- 1293470 (22)

其次，說明關於本發明光電裝置之液晶顯示裝置之其它形態。圖9所示之液晶顯示裝置（光電裝置）901係大致區分時則具備彩色液晶面板（光電面板）902，和連接於液晶面板902之電路基板903。又因應於必要於液晶面板 9 02加設著背光等之照明裝置、其他之附帶機器。液晶面板902係具有藉由密封材904黏接一對基板 905a及基板905b，於此等基板905a及基板905b之間所形成之間隙，亦即是所謂單元間隙中密封著液晶。此等基板905a及基板905b，一般來說係藉由玻璃、合成樹脂等所形成。於基板905a及基板905b之外側表面係貼合著偏光板906a及偏光板906b。又於圖9中省略偏光板906b 之圖示。又於基板905a之內側表面形成電極907a ;於基板 905b之內側表面形成電極907b。此等電極907a、907b係形成爲條紋狀或文字、數字、其他適當之圖案狀。又此等電極 907a、907b 係例如藉由 ITO( Indium Tin Oxide:銦錫氧化物）等之透光性材料所形成。基板905a係對於基板9 05b具有突出之突出部，於此突出部形成複數端子 908。此等端子908係於基板905a上形成電極907a之時，與電極907a同時形成。因此，此等端子908係例如藉由ITO所形成。於此等端子908係包含從電極907a來延伸爲一體之者及介由導電材（不圖示）連接於電極90 7b -25-

1293470 (23) 之者。於電路基板903中，於配線基板909上之特定安裝作爲液晶驅動用1C之半導體元件900。又雖然圖不’於安裝半導體部位以外之特定位置上，亦可安阻、電容體、其他之晶片零件。配線基板909係例）有聚醯亞胺等可撓性之基底基板911上，圖案形成等金屬膜，藉由形成配線圖案9 1 2而加以製造。本實施形態係藉由上述裝置製造方法形成，於液板902之電極907a、907b及電路基板903之配線 912 ° 藉由本實施形態之液晶顯示裝置時，係可得到解氣特性不均一之高品質之液晶顯示裝置。又於前述所示之例子雖然爲被動型之液晶面板，可作爲主動矩陣型液晶面板。亦即於一方基板形成膜體（TFT )，對於各TFT形成畫素電極。又如上所述由噴墨技術形成電氣性連接於各TFT之配線（閘極、原極配線）。另外於對向基板形成對向電極。也可將本發明適如此主動矩陣型液晶面板。作爲光電裝置之其他實施形態’說明關於非接觸式媒體之實施形態。如圖1 〇所示關於本實施形態之觸型卡式媒體（光電裝置）400係於由卡式基體4〇2 式蓋418所形成之框體內’內建半導體積體電路晶片及天線電路4 1 2，藉由未圖不之外部收送信機與電磁置，省略裝電於具：Cu 晶面圖案決電但亦電晶可藉配線用於型卡非接及卡 408 波或 26·

1293470 (24) 靜電電谷結合之至少一'方’目5夠進f了電力供給資料授受之至少另一方。本實施形態中上述天線電路4 1 2係藉由上述裝置製造方法所形成。藉由本實施形之非接觸型卡式媒體時，係可得到解決電氣特性不均一之高品質之非接觸型卡式媒體。其次作爲光電裝置之其他實施形態，說明關於具備電埸釋放元件（電氣釋放元件）之電埸釋放顯示器（Field EmissionDisplay，以下稱爲 FED)。圖11爲說明FED之圖，圖11(a)爲表示構成FED 之陽極基板與陽極基板之配置槪略構成圖，圖11(b)爲於FED中陽極基板具備之驅動電路之模式圖，圖η (c) 爲表示陽極基板之要部之斜視圖。圖11 (a)所示之FED (光電裝置）200係爲對向配置陽極基板200a及陽極基板200b之構造。陽極基板 2 00a係如圖1 1 ( b )所示具備閘極線201與射極線202，與連接於此等閘極線201和射極線202之電埸釋放元件 203，亦即成爲所謂單純矩陣驅動電路。於閘極線201中係成爲可供給閘極信號VI、V2.....Vm，於射極線202 中係成爲可供給射極信號 Wl、W2.....Wn。又陽極基板200b係具有由RGB所構成螢光體；該螢光體藉由電子碰撞而具有發光性質。如圖1 1所示電埸釋放元件203係成爲具有連接於射極線202之射極電極203 a，和連接於閘極線201之閘極 -27- 1293470 (25)

電極203b之構造。更射極電極203a係具備從射極電極 203 a側往閘極電極203b小徑化之射極205之突起部，於與射極205對應之位置，於閘極電極203b形成孔部204 ，於孔部204內配置射極205之先端。於如此FED200中藉由控制閘極線201之閘極信號 VI、V2.....Vm，及射極線202之射極信號Wl、W2、 …、W η，於射極電極2 0 3 a與閘極電極2 0 3 b之間供給電壓，藉由電解作用從射極205往孔部2 04移動電子210，再從射極205之先端釋放電子210。在此藉由該電子210 及陽極基板200b之螢光體之碰撞而發光，故可如期驅動 FED200。於如此構成之FED中，例如射極電極203a或射極線 202，再者聞極電極203b或閘極線201係藉由上記之裝置製造方法所形成。藉由本實施形態之FED時，係可得到解決電氣特性不均一之高品質FED。又本發明所適用之裝置係不限於此等之光電裝置，例如也可適用於導電膜配線所形成之電路基板或半導體之安裝配線等，其他之裝置製造。其次說明關於本發明之電子機器之具體例子。圖1 2 ( a )爲表示攜帶電話一例子之斜視圖。於圖i 2 (a)中600爲表示攜帶電話整體，601爲表示具備上述實施形態之液晶裝置之液晶顯示部。圖1 2 ( b )爲表示打字機、電腦等之攜帶型資訊處理 -28-

1293470 (26) 裝置例子之斜視圖。於圖1 2 ( b )中，裝置、701爲鍵盤等之輸入部、703爲資f 爲表示著具備上述實施形態之液晶裝置之圖12(c)係表示手表型電子機器例圖12(c)中，800爲手表整體，801爲施形態之液晶裝置之液晶顯示部。於圖12 ( a )〜（c )所示之電子機上述實施形態之液晶裝置之機器，故可防或短路等之不良且可小型化、薄型化。又本實施形態之電子機器雖然作爲具之機器，但也可作有機電激發光體顯示裝裝置、FED等、備有其他之光電裝置之電以上雖然參照圖面而說明關於本發明例，但本發明係不限定於相關例。於上述構造零件之各形狀或組合等係爲一例，且之主旨範圍係可基於設計要求等而做各種例如於上述實施形態所形成之第2導明爲虛擬圖案，但不限定於此亦可於端部爲與電極圖案不同之連接配線使用。又導電性膜與第2導電性膜係無必要構成，亦可爲以不同之材料所形成之構成【圖式簡單說明】圖1爲液滴吐出裝置之槪略斜視圖。 7〇〇爲資訊處理訊處理整體，7〇2 液晶顯示部。子之斜視圖。於表不具備上述實器，係由於具備止配線類之斷線有液晶顯示裝置置、電漿型顯示子機器。之最佳實施形態之例中所示之各於本脫離本發明變更。電性膜係雖然說設置連接端子作以同相之材料所: -29 - 年L月修(更)正本^ 1293470 (27) 圖2爲爲了說明藉由電壓方式之液態狀之吐出原理圖〇圖3爲爲電漿型顯示裝置之分解斜視圖。圖4爲表示電漿型顯示裝置之配線一部分之放大模式圖。圖5之（a)〜（c)爲表示於基板上配置墨水之過程圖。圖6爲表示圖形位置與溶媒蒸氣壓濃度之關係圖。圖7爲表示重疊塗布圖案之圖，（a )爲傳統之狀態，（b )爲本發明之狀態。圖8爲表示液晶顯示裝置之第1基板上之平面布線圖〇圖9爲表示液晶顯示裝置其他形態圖。圖1 〇爲非接觸型卡式媒體之分解斜視圖。圖11爲說明FED.之圖。（a)爲展示構成FED之陰極基板與陽極基板的配置之槪略構成圖，（b)爲FED中之陰極基板所具備的驅動電路之模式圖，（c)爲展示陰極基板之重要部位的立體圖。圖12爲表示本發明電子機器之具體例子圖。（a)爲行動電話、（b )爲文書處理機或電腦等之攜帶型資訊處理裝置、（c)爲手錶型電子機器。符號之說明 p 基板 -30- 1293470 (28)

ζ々·~ I

PI 配線圖形領域 P 0 配線圖案領域 3 1 電極圖案（導電性膜） 32 虛擬圖案（第2導電性膜） 200 FED (光電裝置） 3 00 ' 900 液晶顯示裝置（光電裝置） 400 非接觸型卡式媒體（光電裝置） 500 電漿型顯示裝置（光電裝置） 600 攜帶電話本體（電子機器） 700 資訊處理裝置（電子機器） 800 時鐘本體（電子機器） -31 -

Claims

1293470 拾、申請專利範圍第9 3 1 0 8 1 6 1號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國96年9月29日修正 1 一種配線導電性膜之電性裝置，係藉由液滴吐出 ’而於基板上之配線圖案領域，配線導電性膜之裝置；其特徵係於前述基板上之前述配線圖案領域之外側，藉由前述液滴吐出而形成與前述導電性膜電氣性分離之第2導電性膜。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之配線導電性膜之電性裝置，其中，前述第2導電性膜係與前述導電性膜以相同材料所形成。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之配線導電性膜之電性裝置，其中，前述第2導電性膜係以與前述導電性膜略爲相同之配列諸元件符號且連續性形成。 4 .如申請專利範圍第1項所記載之配線導電性膜之電性裝置，其中，前述第2導電性膜之端部係連接端子。 5. 如申請專利範圍第1項所記載之配線導電性膜之電性裝置，其中，於前述基板設置排水性處理之排水部，與親水性處理之親水部，前述導電性膜及第2導電性膜係前述液滴吐出於前述親水部而形成配線。 6. 如申請專利範圍第1項所記載之配線導電性膜之電性裝置，其中，前述液滴包含金屬微粒子。 7. —種光電裝置，其特徵係具備藉由如申請專利範 1293470

圍第1項至第6項之任一項所/記載之配線導電性膜之電性裝置所製造的裝置。 8. —種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第 7項所記載之光電裝置。 9· 一種裝置製造方法，係藉由液滴吐出而於基板上之配線圖案領域，配線導電性膜之裝置製造方法；其特徵係具備有：於前述基板上之前述配線圖案領域之外側吐出液滴，而配線與前述導電性膜電氣性分離之第2導電性膜之工程。 -2 -

I〉曰修(更) 1293470 柒、（一）、本案指定代表圖為：第4圖 (二）、本代表圖之元件代表ϋ簡單說明： 3 1 導電性膜 32 導電性膜 Ρ 基板 Ρ 0 配線圖案領域 Ρ 1 配線圖案領域捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：