JP4508277B2 - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents

セラミック多層基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4508277B2
JP4508277B2 JP2008180371A JP2008180371A JP4508277B2 JP 4508277 B2 JP4508277 B2 JP 4508277B2 JP 2008180371 A JP2008180371 A JP 2008180371A JP 2008180371 A JP2008180371 A JP 2008180371A JP 4508277 B2 JP4508277 B2 JP 4508277B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
wiring
dummy
dry
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008180371A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009152531A (ja
Inventor
敏之 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008180371A priority Critical patent/JP4508277B2/ja
Priority to US12/260,432 priority patent/US7875140B2/en
Priority to CN2008101781116A priority patent/CN101442883B/zh
Publication of JP2009152531A publication Critical patent/JP2009152531A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4508277B2 publication Critical patent/JP4508277B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は、セラミック多層基板の製造方法に関する。
低温焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co−fired
Ceramics)技術は、グリーンシートと金属との一括焼成を可能にすることから、セラミックの層間に各種の受動素子を組み込んだ素子内蔵基板を具現できる。システム・オン・パッケージ(SOP)の実装技術においては、電子部品の複合化や表面実装部品に発生する寄生効果の最小化を図るため、この素子内蔵基板(以下単に、LTCC多層基板という。)に関わる製造方法が鋭意開発されている。
LTCC多層基板の製造方法では、複数のグリーンシートの各々に受動素子や配線等のパターンを描画する描画工程と、該パターンを有する複数のグリーンシートを積層して圧着する圧着工程と、同圧着工程で得られた圧着体を一括焼成する焼成工程とが順に実施される。
描画工程には、各種パターンの高密度化を図るため、導電性インクを微小な液滴にして吐出する、いわゆるインクジェット法が提案されている(例えば、特許文献1)。このインクジェット法によれば、数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴によりパターンが描画されるために、該液滴の吐出位置を変更することによってパターンの微細化や狭ピッチ化が実現できる。
圧着工程には、各グリーンシートの積層状態の安定化を図るため、該積層体に静水圧を加える、いわゆる静水圧成型法が提案されている(例えば、特許文献2〜4)。この静水圧成型法は、積層体を減圧包装した後に加熱した液体中に該積層体を静置して液体の静圧を上昇させる。これによって、積層体への等方的な加圧が可能になる。
特開2005−57139号公報 特開平5−315184号公報 特開平6−77658号公報 特開2007−201245号公報
上述する描画工程及び圧縮工程におけるパターンの形を図14〜図17に示す。図14(a)は描画工程におけるパターンの形を例示する平面図であり、図14(b)は図14(a)の14−14線断面図である。図15(a)は図14に例示したパターンの圧着工程における形を例示する平面図であり、図15(b)は図15(a)の15−15線断面図である。
図16(a)は描画工程におけるパターンの形を積層された他のパターンとともに例示する平面図であり、図16(b)は図16(a)の16−16線断面図である。図17(a)は図16に例示したパターンの圧着工程における形を例示する平面図であり、図17(b)は図17(a)の17−17線断面図である。
上記描画工程におけるインクジェット法に利用される導電性インクは導電性微粒子の分散系であり、この導電性粒子の粒径としては、一般に数nm〜数十nmが用いられる。図14及び図16に示すように、描画工程を経て形成されたパターン101は、導電性微粒
子102の集合体であるために、仮に溶媒や分散媒が蒸発した場合であっても、焼成工程によって焼成されるまでは高い流動性を持ち続ける。
上記圧着工程においては、例えば図15に示すように、パターン101を挟むグリーンシート103が大気圧によって押圧される。このとき、焼成前の導電性微粒子102は、グリーンシート103との密着力や粒子102間の結合力が弱いため、減圧包装時の大気圧を受けることにより容易に押し潰されてしまう。この結果、上記圧着工程では、パターン101の形がグリーンシート103の主面103aに沿って延びるように変形して所望のパターン領域104(図14及び図15における二点鎖線)から食み出してしまい、隣接するパターン101の間を電気的に接続してしまう問題を招いていた。
また例えば、図16に示すようにグリーンシート103を積層して積層体を形成すると、上層のグリーンシート103のパターン101(導電性微粒子102)と、下層のグリーンシート103のパターン101(導電性微粒子102)とが積層方向において重なり合う部分が生じる。こうした積層体において各グリーンシート103のパターン101が重なり合う部分は、積層体が上下方向から押圧されたときにその押圧力がパターン101の他の部分に比べて相対的に大きく作用する。そのため、図17に示すように、積層方向において重なり合うパターン101の形は、積層方向において重なり合わない部分に比べて特に大きく変形して所望のパターン領域104(図16及び図17における二点鎖線)から大きく食み出してしまう。その結果、積層方向において重なり合うパターン101では、上述するパターン101間の電気的な接続を一層加速させる問題を招いていた。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴を用いて形成したパターンの加工精度を向上させたセラミック多層基板の製造方法及びセラミック多層基板を提供することである。
本発明のセラミック多層基板の製造方法は、複数のグリーンシートの各々に導電性インクの液滴を吐出して前記各グリーンシートに前記導電性インクからなる液状パターンを描画する工程と、前記各液状パターンを乾燥して乾燥パターンを形成する工程と、前記乾燥パターンを有する前記各グリーンシートを積層して積層体を形成し、減圧包装した前記積層体に静水圧を加えることにより圧着体を形成する工程と、前記圧着体を焼成して前記セラミック多層基板を形成する工程とを有したセラミック多層基板の製造方法であって、前記描画する工程は、配線用の液状パターンを描画するとともに、前記配線用の液状パターンの近傍に該配線用の液状パターンと同じ組成を有するダミーの液状パターンを描画する工程であって、前記ダミーの液状パターンは、前記配線用の液状パターンの乾燥した乾燥パターンが前記圧着体を形成する工程において受ける押圧力を該乾燥パターンの近傍に分散するような厚さを有し、且つ、該乾燥パターンとは反対側の端部が該押圧力によって変形するような幅を有することを特徴とする。
本発明のセラミック多層基板の製造方法によれば、配線用の液状パターンの近傍にダミーの液状パターンを描画した。従って、配線用の液状パターンとダミーの液状パターンは、乾燥パターンを形成する工程にて、それぞれ乾燥された配線用の乾燥パターンとダミーの乾燥パターンに加工される。そして、これら配線用の乾燥パターンとダミーの乾燥パターンとは、圧着体を形成する工程にて、上下のグリーンシートから受ける押圧力を相互に分散する。また、これからも明らかなように、例えば積層される各グリーンシートにおいては、配線用の乾燥パターンが積層方向で重畳する領域であっても、こうしたダミーパターンであれば積層方向における他の配線用の乾燥パターンによる押圧力も分散できるようになる。その結果、グリーンシートの押圧による配線用の乾燥パターンとダミーの乾燥パターンの変形を小さくすることができて、セラミック多層基板に形成するパターンの加工精度を向上できる。
このセラミック多層基板の製造方法は、前記描画する工程は、積層される前記各グリー
ンシートの配線用の液状パターンにおいて、他のグリーンシートに描画した配線用の液状パターンが積層方向に重畳する場合に、その重なる領域の近傍にダミーの液状パターンをあわせて描画することが望ましい。
このセラミック多層基板の製造方法によれば、積層方向に重畳する他の配線用の液状パターンがある場合に、その重なる領域の近傍にダミーの液状パターンを描画する。従って、圧着体が形成されるときに、各グリーンシートはその配線用の乾燥パターンに加えられる重畳する他の乾燥パターンからの押圧力をダミーの乾燥パターンへ分散することができる。その結果、各グリーンシートは、配線用の乾燥パターンが特に変形し易い領域において同乾燥パターンの変形を小さくすることができて、セラミック多層基板に形成するパターンの加工精度を向上できる。
本発明のセラミック多層基板の製造方法は、複数のグリーンシートの各々に導電性インクの液滴を吐出して前記各グリーンシートに前記導電性インクからなる液状パターンを描画する工程と、前記各液状パターンを乾燥して乾燥パターンを形成する工程と、前記乾燥パターンを有する前記各グリーンシートを積層して積層体を形成し、減圧包装した前記積層体に静水圧を加えることにより圧着体を形成する工程と、前記圧着体を焼成して前記セラミック多層基板を形成する工程とを有したセラミック多層基板の製造方法であって、前
記描画する工程は、積層される前記各グリーンシートの配線用の液状パターンにおいて、他のグリーンシートに描画した配線用の液状パターン積層方向に重畳させて、その重なる領域の近傍に前記配線用の液状パターンと同じ組成を有するダミーの液状パターンをあわせて描画する工程であって、前記ダミーの液状パターンは、前記配線用の液状パターンの乾燥した乾燥パターンの重なる領域が前記圧着体を形成する工程において受ける押圧力を該重なる領域の近傍に分散するような厚さを有し、且つ、該重なる領域とは反対側の端部が該押圧力によって変形するような幅を有することを特徴とする。
本発明のセラミック多層基板の製造方法によれば、各グリーンシートの配線用の液状パターンにおいて、積層方向に重畳する他のグリーンシートに描画した配線用の液状パターンがあるとき、その重なる領域の近傍にダミーの液状パターンをあわせて描画する。これにより、各グリーンシートは、他のグリーンシートに描画した液状パターンと重畳する領域において、その配線用の液状パターンを乾燥させた配線用の乾燥パターンと、各ダミーの液状パターンを乾燥させた各ダミーの乾燥パターンとが形成される。従って、圧着体が形成されるときに、各グリーンシートは、その配線用の乾燥パターンに加えられる重畳する他の乾燥パターンからの押圧力をダミーの乾燥パターンへ分散させることができる。その結果、各グリーンシートは、配線用の乾燥パターンが特に変形し易い領域において同乾燥パターンの変形を小さくすることができて、セラミック多層基板に形成するパターンの加工精度を向上できる。
このセラミック多層基板の製造方法において、前記描画する工程は、前記圧着体を形成する工程にて前記配線用の液状パターンの乾燥した乾燥パターンと前記ダミーの液状パターンの乾燥した乾燥パターンとの間で前記グリーンシートが撓まないように、前記配線用の液状パターンと前記ダミーの液状パターンを描画することが望ましい。
このセラミック多層基板の製造方法によれば、配線用の液状パターンとダミーの液状パターンの間を、圧着体を形成する工程にてそれらの液状パターンの乾燥した各乾燥パターンの間でグリーンシートが撓まないような距離となるように描画する。従って、乾燥パターンを形成する工程にて形成される配線用の乾燥パターンとダミーの乾燥パターンの間がグリーンシートが撓まない離になり高い密度で配設されるので、圧着体を形成する工程において上下のグリーンシートから受ける押圧力をより好適に相互に分散して支持することができる。その結果、グリーンシートの押圧による配線用の乾燥パターン及びダミーの乾燥パターンの変形をより小さくすることができる。
このセラミック多層基板の製造方法において、前記描画する工程は、前記配線用の液状パターンの両側に前記ダミーの液状パターンを描画することが好適である。
このセラミック多層基板の製造方法によれば、配線用の液状パターンの両側にダミーの液状パターンを描画したので、配線用の乾燥パターンの両側にダミーの乾燥パターンが形
成され、配線用の乾燥パターンとその両側のダミーの乾燥パターンにて相互にグリーンシートから受ける押圧力を分散して支持することができる。その結果、ダミーの乾燥パターンに挟まれて配設された配線用の乾燥パターンの変形を特に小さくすることができる。
このセラミック多層基板の製造方法は、前記乾燥パターンを形成する工程は、前記配線用の液状パターンを乾燥させて配線用の乾燥パターンを形成し、前記ダミーの液状パターンを乾燥させてダミーの乾燥パターンを形成する工程であり、前記配線用の乾燥パターンと前記ダミーの乾燥パターンとは、前記圧着体を形成する工程において前記積層体に静水圧を加えたときに、接触しないことが望ましい。
このセラミック多層基板の製造方法によれば、積層体に静水圧を加えても配線用の乾燥パターンとダミーの乾燥パターンは接触しないので、配線用の乾燥パターンにダミーの乾燥パターンが接触するなどして電気的な影響を与えることがないようにすることができる。
このセラミック多層基板の製造方法は、前記描画する工程は、前記各グリーンシートを加熱して前記ダミーの液状パターンを描画することが好ましい。
このセラミック多層基板の製造方法によれば、各グリーンシートを加熱してダミーの液状パターンを描画する。従って、ダミーの液状パターンは、乾燥により増粘されて濡れ広がりが抑制される。その結果、配線用の液状パターンとダミーの液状パターンとの間隔の長さの精度をより向上させる事ができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図1〜図8に従って説明する。図1は、本発明の製造方法を用いて製造したセラミック多層基板を有する回路モジュールの断面図である。
図1において、回路モジュール10は、セラミック多層基板としての低温焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co−fired Ceramics)多層基板11と、LTCC多層基板11に接続された半導体チップ12とを有する。
LTCC多層基板11は、積層された複数のLTCC基板13を有する。各LTCC基板13は、それぞれグリーンシートの焼結体であって、厚みが数十μm〜数百μmで形成されている。各LTCC基板13の層間には、それぞれ抵抗素子、容量素子、コイル素子等の各種の内部素子14と、各内部素子14に電気的に接続する内部配線15とが内蔵され、各LTCC基板13には、それぞれスタックビア構造やサーマルビア構造を成すビア配線16が形成されている。内部配線15のうち、その配線幅に高い精度が要求される内部配線15の両側には、その内部配線15から所定距離だけ離間した位置にダミー線17が配設されている。内部素子14、内部配線15、ビア配線16、及びダミー線17は、それぞれ導電性微粒子の焼結体であり、導電性インクを用いるインクジェット法によって形成される。尚、本実施形態では、ダミー線17は、内部配線15と同様の部材にて形成されるが、内部配線15の加工精度を向上させるために設けられるものであって、配線としては用いられない。
次に、上記LTCC多層基板11の製造方法を図2〜図8に従って説明する。図2はLTCC多層基板11の製造方法を示すフローチャートであり、図3〜図8はそれぞれLTCC多層基板11の製造方法を示す工程図である。
図2において、LTCC多層基板11の製造方法では、LTCC基板13の前駆体であ
るグリーンシートに液状パターンを描画する描画工程(ステップS11)と、該液状パターンを乾燥する乾燥工程(ステップS12)とが順に実行される。また、LTCC多層基板11の製造方法では、複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程(ステップS13)と、該積層体を減圧包装する減圧包装工程(ステップS14)と、積層体を圧着して圧着体を形成する圧着工程(ステップS15)と、該圧着体を焼成する焼成工程(ステップS16)とが順に実行される。
(描画工程)
図3において、描画工程では、積層シート20と、液滴吐出装置21とが用いられる。積層シート20は、キャリアフィルム22と、キャリアフィルム22に塗布されたグリーンシート23とを有する。
キャリアフィルム22は、描画工程や乾燥工程においてグリーンシート23を支持するためのフィルムであり、例えばグリーンシート23との剥離性や各工程における機械的耐性に優れたプラスチックフィルムを用いることができる。キャリアフィルム22には、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムを用いることができる。
グリーンシート23は、ガラスセラミック粉末やバインダ等を含むガラスセラミック組成物からなる層である。グリーンシート23の膜厚は、内部素子14としてコンデンサ素子を形成する場合に数十μmで形成され、他の層においては100μm〜200μmで形成される。グリーンシート23は、ドクターブレード法やリバースロールコータ法等のシート成形法を用い、分散媒でスラリー化したガラスセラミック組成物をキャリアフィルム22の上に塗布し、該塗布膜をハンドリング可能な状態に乾燥することによって得られる。分散媒としては、例えば界面活性剤やシランカップリング剤等を用いることができ、ガラスセラミック粉末を均一に分散させるものであれば良い。
ガラスセラミック粉末は、0.1μm〜5μmの平均粒径を有する粉末であり、例えばアルミナやフォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合したガラス複合セラミックを用いることができる。また、ガラスセラミック粉末としては、ZnO−MgO−Al2O3−SiO2系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラスセラミック、BaO−Al2O3−SiO2系セラミック粉末やAl2O3−CaO−SiO2−MgO−B2O3系セラミック粉末等を用いた非ガラス系セラミックを用いても良い。
バインダは、ガラスセラミック粉末の結合剤としての機能を有し、焼成工程で分解して容易に除去できる有機高分子である。バインダとしては、例えばブチラール系、アクリル系、セルロース系等のバインダ樹脂を用いることができる。アクリル系のバインダ樹脂としては、例えばアルキル(メタ)アクリレート、アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、ポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート、シクロアルキル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレート化合物の単独重合体を用いることができる。また、アクリル系のバインダ樹脂としては、該(メタ)アクリレート化合物の2種以上から得られる共重合体、あるいは(メタ)アクリレート化合物と不飽和カルボン酸類等の他の共重合性単量体から得られる共重合体を用いることができる。尚、バインダは、例えばアジピン酸エステル系可塑剤、ジオクチルフタレート(DOP)、ジブチルフタレート(DBP)フタル酸エステル系可塑剤、グリコールエステル系可塑剤等の可塑剤を含有しても良い。
積層シート20の縁には、所定孔径からなる円形孔(以下単に、位置決め孔Hという。)が打ち抜き加工によって形成されている。各位置決め孔Hには、載置プレート24の位置決めピン24Pが挿入され、描画面20aの各位置が液滴吐出装置21に対して位置決めされる。
グリーンシート23には、打ち抜き加工やレーザ加工によって、数十μm〜数百μmの孔径からなる図示しない円形孔や図示しない円錐孔(以下単に、ビアホールという。)が貫通形成されている。ビアホールには、導体性ペーストを用いたスキージ法や導電性インクを用いたインクジェット法等によって、銀、金、銅、パラジウム等の導電材料が前工程で充填されている。
液滴吐出装置21は、積層シート20を載置するための載置プレート24と、導電性インクIkを貯留するインクタンク25と、インクタンク25の導電性インクIkを描画面20aに吐出する液滴吐出ヘッド26とを有する。
載置プレート24は、積層シート20と略同じサイズの剛性材料からなる板材であって、積層シート20を位置決めするための位置決めピン24Pと、積層シート20を加熱するためのヒータ24Hとを有する。積層シート20が載置プレート24に載置されるとき、位置決めピン24Pが位置決め孔Hに挿通され、載置プレート24が描画面20aの各位置を液滴吐出ヘッド26に対して位置決めする。また、積層シート20が載置プレート24に載置されるとき、載置プレート24は、ヒータ24Hを駆動し、積層シート20を少なくとも室温(20℃)よりも高い描画温度に加熱する。
導電性インクIkは、導電性微粒子Iaを分散媒Ibに分散させた導電性微粒子Iaの分散系であり、微小な液滴Dを吐出可能にするために、その粘度が20cP以下に調整されている。
導電性微粒子Iaは、数nm〜数十nmの粒径を有する微粒子であり、例えば金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム等の金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。分散媒Ibは、導電性微粒子Iaを均一に分散させるものであれば良く、例えば水や水を主成分とする水溶液系、あるいはテトラデカン等の有機溶剤を主成分とする有機系を用いることができる。
液滴吐出ヘッド26は、インクタンク25に連通するキャビティ27と、キャビティ27に連通するノズル28と、キャビティ27に連結される圧力発生素子29とを有する。キャビティ27は、インクタンク25からの導電性インクIkを受けてノズル28に該導電性インクIkを供給する。ノズル28は、数十μmの開口を有するノズルであり、インクタンク25からの導電性インクIkを収容する。
圧力発生素子29は、キャビティ27の容積を変更する圧電素子や静電容量素子、あるいはキャビティ27の温度を変更する抵抗加熱素子であり、キャビティ27の内部に所定圧力を発生させる。圧力発生素子29が駆動するとき、ノズル28は、導電性インクIkの気液界面(メニスカス)を振動させ、該導電性インクIkを数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴Dにして吐出する。
描画工程では、積層シート20と液滴吐出ヘッド26とが描画面20aの面方向に相対移動し、ノズル28からの複数の液滴Dがそれぞれ描画面20aに着弾して該描画面20aの上で合一する。これによって、所定方向に連続する液状パターンPLが描画面20aの上に形成される。この際、積層シート20の温度が描画温度であることから、液状パターンPLは、分散媒Ibの一部の蒸発によって増粘して描画面20aに沿う濡れ広がりを抑えられる。
図4は、描画面20a上に描画された液状パターンPLを示す。描画面20aに描画された液状パターンPLは、配線用の液状パターンPLaと、該配線用の液状パターンPL
aの両側に描画されたダミーの液状パターンPLbとから構成されている。
配線用の液状パターンPLaは、LTCC基板13において内部配線15を形成させるパターンであり、その幅は、LTCC基板13に所望の幅の内部配線15を形成させる幅(以下単に、パターン幅D1という。)であって、予め実験で求められた値である。
各ダミーの液状パターンPLbは、それぞれ対応する配線用の液状パターンPLaに略平行に形成される。ダミーの液状パターンPLbは、LTCC基板13において配線としては用いられないダミー線17を形成させるパターンであり、その幅は、LTCC基板13に所望の幅のダミー線17を形成させる幅(以下単に、パターン幅D2という。)であって、予め実験で求められた値である。
配線用の液状パターンPLaとそれに対応するダミーの液状パターンPLbとは所定距離離間しており、その所定距離はLTCC基板13に形成された内部配線15とダミー線17とを電気的に接触させない距離(以下単に、幅DSという。)であって、予め実験により求められた値である。
(乾燥工程)
図5において、乾燥工程では、描画工程後の積層シート20が乾燥炉等の乾燥装置に搬入され、液状パターンPLを有する状態で少なくとも室温(20℃)よりも高い乾燥温度に加熱される。積層シート20の温度が乾燥温度であることから、液状パターンPLは、その乾燥をさらに促進させる。これによって、液状パターンPLの分散媒Ibの殆どが蒸発し、導電性微粒子Iaの集合体からなる乾燥パターンPDが描画面20aの上に形成される。
図6において、乾燥工程では、配線用の液状パターンPLaを乾燥させて配線用の乾燥パターンPDaが形成され、ダミーの液状パターンPLbを乾燥させてダミーの乾燥パターンPDbが形成される。すなわち、描画面20a上には複数の配線用の乾燥パターンPDaと複数のダミーの乾燥パターンPDbが形成される。そして、配線用の乾燥パターンPDaとその両側に形成されたダミーの乾燥パターンPDbとの間には、それぞれ幅DSの溝18が形成される。
(積層工程)
図7において、積層工程では、複数のグリーンシート23を積層するためのベースプレート31が用いられる。ベースプレート31は、積層シート20と略同じサイズの剛性材料からなる板材であって、複数のグリーンシート23を位置決めする位置決めピン31Pと、複数のグリーンシート23を加熱するヒータ31Hとを有する。
積層工程では、まず、1層目の積層シート20が、グリーンシート23を上にした状態でベースプレート31に載置される。位置決めピン31Pが位置決め孔Hに挿通されることによって、1層目の積層シート20がベースプレート31に位置決めされる。次いで、2層目の積層シート20が、グリーンシート23を下にした状態でベースプレート31に載置される。2層目の積層シート20は、位置決めピン31Pが位置決め孔Hに挿通されることによって位置決めされ、キャリアフィルム22が剥離されることによって、2層目のグリーンシート23のみが1層目のグリーンシート23の上に積層される。以後同様に、所定層数のグリーンシート23が順に積層され、乾燥パターンPDを内蔵するグリーンシート23の積層体(以下単に、積層体32という。)が形成される。積層体32を形成する間、ベースプレート31は、ヒータ31Hを駆動して各グリーンシート23を少なくとも室温(20℃)よりも高い積層温度に加熱する。
グリーンシート23が他のグリーンシート23に積層されるとき、層間の各乾燥パターンPD(配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDb)は、上下方向のグ
リーンシート23に押圧される。この際、配線用の乾燥パターンPDaの両側にダミーの乾燥パターンPDbがそれぞれ配設されているため、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbは上下方向のグリーンシート23からの上記押圧力を双方に分散することができる。それゆえダミーの乾燥パターンPDaが無い場合に比べて配線用の乾燥パターンPDaへの押圧力が軽減されるために、配線用の乾燥パターンPDaが同押圧力により変形し難くなり、さらにはダミーの乾燥パターンPDbまでもがその押圧力により変形し難くなる。特に、配線用の乾燥パターンPDaは、その両側にダミーの乾燥パターンPDbが配設されることにより、その変形の度合いを効果的に縮小させることができる。
ところで、ダミーの乾燥パターンPDbを挟んで配線用の乾燥パターンPDaと反対側である外側端部Sb1の側では、その近傍に乾燥パターンPDが配設されていないために、外側端部Sb1にてグリーンシート23が撓み、その応力によって外側端部Sb1が変形してしまう。一方、配線用の乾燥パターンPDaの両側には、幅DSの溝18を挟んでダミーの乾燥パターンPDbが配設されているために、配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDbとによりグリーンシート23を支持できる。これにより、グリーンシート23は配線用の乾燥パターンPDaの両側端部Saやダミーの乾燥パターンPDbにおける配線用の乾燥パターンPDaの側の内側端部Sb2では撓み難くなる。そのため、各側端部Sa,Sb2は、グリーンシート23の撓による応力を受け難いために、その変形を抑制することができる。なお、溝18の幅DSが長い場合には、グリーンシート23が撓み易くなるため、幅DSは、予め実施する実験等に基づいてグリーンシート23が溝18にて撓まない最大長さ(所定距離)以下とすることが好ましい。このことにより、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbの変形を一層に抑制することができる。
また、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbは、幅DSの距離だけ離間されていることから、押圧により若干変形されても相互に電気的に接触しない。(減圧包装工程)
図8において、減圧包装工程では、カバープレート33と真空包装袋35とが用いられる。カバープレート33は、ベースプレート31と略同じサイズの剛性材料からなる板材であって、各位置決めピン31Pを挿通可能にする複数の挿通孔33hを有する。真空包装袋35は、ベースプレート31、カバープレート33、及び積層体32を封入可能な柔軟性を有する包装袋である。
減圧包装工程では、まず、位置決めピン31Pがカバープレート33の挿通孔33hに挿通され、ベースプレート31とカバープレート33とによって積層体32が挟持される。ベースプレート31とカバープレート33とは、積層体32を挟持した状態で真空包装袋35に収容され、シーラ等を用いた吸引によって真空包装袋35の内部に真空封入される。真空封入された積層体32は、真空包装袋35、ベースプレート31、及びカバープレート33を介した大気圧を受けて圧着される。
この際に、各乾燥パターンPD(配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDb)が上下方向のグリーンシート23に押圧されるものの、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbが上下方向のグリーンシート23からの押圧力を分散するためにその変形を抑制することができる。
積層体32を真空封入する間、ベースプレート31は、ヒータ31Hを駆動して各グリーンシート23をそれぞれ少なくとも室温(20℃)よりも高い積層温度に加熱する。
(圧着工程)
圧着工程では、減圧包装後の積層体32が静水圧プレス装置に搬入され、該積層体32
に静水圧が加えられることによって圧着体が形成される。この際に、各乾燥パターンPD(配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDb)が上下方向のグリーンシート23に押圧されるものの、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbが上下方向のグリーンシート23からの押圧力を分散するためにその変形を抑制することができる。
積層体32は、静水圧を加えられる間、ヒータ31Hあるいは温水層からの熱量を受けて少なくとも室温(20℃)よりも高い圧着温度に加熱される。
(焼成工程)
焼成工程では、圧着工程で得られる圧着体がベースプレート31から取り出され、該圧着体が所定の焼成炉に搬入されて焼成温度にて焼成される。
焼成工程においては、温度変化によるグリーンシート23と各乾燥パターンPDとの相対的な硬度の変化や、グリーンシート23のバインダが分解除去される過程等において、溝18内にグリーンシート23が充填される。例えば、温度変化においてグリーンシート23が各乾燥パターンPDに対して相対的にやわらかくなると、グリーンシート23は押圧力により各溝18内を埋めるように変形する。そして、LTCC多層基板11においては、各溝18の位置に隙間が形成されないようになっている。
焼成温度は、例えば800℃〜1000℃であって、グリーンシート23の組成に応じて適宜変更される。乾燥パターンPDとしてCuを用いる場合には、酸化防止のため還元雰囲気中で焼成するのが好ましい。銀、金、白金、パラジウム等を用いる場合には大気中で焼成しても良い。焼成工程では、圧着工程における静水圧よりも小さい圧力で圧着体を加圧しながら焼成しても良い。これによれば、LTCC多層基板11の平坦性が向上され、各グリーンシート23の反りや剥離を防止できる。
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
(1)本実施形態によれば、配線用の液状パターンPLaの近傍にダミーの液状パターンPLbを描画した。従って、乾燥工程にて配線用の液状パターンPLaから形成された配線用の乾燥パターンPDaと、ダミーの液状パターンPLbから形成されたダミーの乾燥パターンPDbとは、積層工程、減圧包装工程及び圧着工程にて上下のグリーンシート23から受ける押圧力を相互に分散することができる。その結果、グリーンシート23の押圧による配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbの変形を小さくすることができ、LTCC基板13に形成するパターンの加工精度を向上することができる。
(2)本実施形態によれば、配線用の液状パターンPLaとダミーの液状パターンPLbとの幅DSを、溝18内にグリーンシート23が撓む最大長さ(所定距離)以下にする。従って、配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDbとが高い密度で配設されるために、積層工程、減圧包装工程及び圧着工程において上下のグリーンシート23から受ける押圧力をより好適に相互に分散することができる。その結果、グリーンシート23の押圧による配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbの変形を小さくすることができる。
(3)本実施形態によれば、配線用の液状パターンPLaの両側にダミーの液状パターンPLbを描画するために、配線用の乾燥パターンPDaは、その両側においてグリーンシート23から受ける押圧力をダミーの乾燥パターンPDbへ分散することができる。それゆえ、配線用の乾燥パターンPDaの変形を特に小さくすることでき、層間に内蔵するパターンの加工精度をより一層に向上することができる。
(4)本実施形態によれば、積層体32に静水圧を加えても配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDbとの間が幅DSだけ離間しているために、配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDbとの接触などによる電気的な不都合を来たすことがない。この結果、ダミーの乾燥パターンPDbを別途形成するものの、回路モジュール10において電気的な特性劣化を来たすことがない。
(5)本実施形態によれば、各グリーンシート23(描画シート20)を描画温度に加熱してダミーの液状パターンPLbを描画した。従って、ダミーの液状パターンPLbは、乾燥によって増粘するために描画面20aに沿った濡れ広がりを抑制することができる。その結果、配線用の液状パターンPLaとダミーの液状パターンPLbとの間隔の長さ(幅DS)の精度をより向上させることができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明を具体化した第2の実施形態について、主に図9〜図13に従って説明する。なお、図9〜図13において、先の第1の実施形態と同様の部材には同じ符号を付して示しており、その説明を割愛する。
LTCC多層基板11を構成するLTCC基板13において、内部配線15のうち積層方向において他層に配設された内部配線15等と重なり合う部分であって、その配線幅に高い加工精度が要求される部分には、その内部配線15の両側の近傍にダミー線17が配設されている。LTCC多層基板11は、第1の実施形態と同様に、LTCC多層基板11を製造するための各製造工程を通じて製造される。次に、各製造工程について第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(描画工程)
図9は、描画工程において液状パターンPLが形成された2つのグリーンシート23を示す。図9(a)に示すグリーンシート23(以下単に、第1シート23aという。)と、図9(b)に示すグリーンシート23(以下単に、第2シート23bという。)は、それぞれ別個の積層シート20に形成されたグリーンシート23である。
第1シート23a、及び第2シート23bには、それぞれの描画面20a上にそれぞれの液状パターンPLがそれぞれ描画され、それらの液状パターンPLは、配線用の液状パターンPLaと、該配線用の液状パターンPLaの所定領域の両側の近傍に描画されたダミーの液状パターンPLbとからそれぞれ構成されている。
配線用の液状パターンPLaは、第1の実施形態と同様に、LTCC基板13において内部配線15を形成させるパターンであり、その幅は予め実験で求められたパターン幅D1である。ダミーの液状パターンPLbは、LTCC基板13において配線としては用いられないダミー線17を形成させるパターンであり、その幅は予め実験で求められたパターン幅D2である。また、配線用の液状パターンPLaとそれに対応するダミーの液状パターンPLbとは、LTCC基板13に形成された内部配線15とダミー線17とを電気的に接触させない予め実験により求められた距離(幅DS)だけ離間している。
各ダミーの液状パターンPLbは、上下方向において他層に配設された他の内部配線15等と重なり合う部分(重畳する領域)の近傍に所定の長さで、それぞれ対応する配線用の液状パターンPLaに略平行に配設される。ダミーの液状パターンPLbの長さは、内部配線15の加工精度を向上させて、LTCC基板13に所望の幅の内部配線15を形成させるために必要な長さ(以下単に、ダミーパターン長DC1又はダミーパターン長DC2という。)であって、予め実験で求められた値である。
(乾燥工程)
乾燥工程では、乾燥パターンPDが描画面20aの上に凸形状に形成される。詳しくは、図10(a)及び(b)に示すように、乾燥工程では、第1の実施形態と同様に、配線
用の液状パターンPLaを乾燥させて配線用の乾燥パターンPDaが形成され、ダミーの液状パターンPLbを乾燥させてダミーの乾燥パターンPDbが形成される。すなわち、第1シート23a及び第2シート23bのそれぞれの描画面20a上には複数の配線用の乾燥パターンPDaと複数のダミーの乾燥パターンPDbがそれぞれ凸形状に形成される。また、配線用の乾燥パターンPDaと、その所定領域(重畳する領域)の両側に形成された各ダミーの乾燥パターンPDbとの間には、それぞれ幅DSの溝18が形成される。(積層工程)
図11において、積層工程では、複数のグリーンシート23が積層される。詳しくは、第1の実施形態と同様に、1層目の積層シート20がベースプレート31に位置決めされてから、2層目の積層シート20が、グリーンシート23(第2シート23b)を下にした状態でベースプレート31に載置される。2層目の積層シート20は、位置決めピン31Pが位置決め孔Hに挿通されることによって位置決めされ、キャリアフィルム22が剥離されることによって、2層目のグリーンシート23(第2シート23b)のみが1層目のグリーンシート23の上に積層される。
さらに、3層目の積層シート20が、グリーンシート23(第1シート23a)を下にした状態でベースプレート31に載置される。3層目の積層シート20は、位置決めピン31Pが位置決め孔Hに挿通されることによって位置決めされ、キャリアフィルム22が剥離されることによって、3層目のグリーンシート23(第1シート23a)のみが2層目のグリーンシート23(第2シート23b)の上に積層される。このようにして、所定層数のグリーンシート23が順に積層され、乾燥パターンPDを内蔵するグリーンシート23の積層体(以下単に、積層体32という。)が形成される。
この積層工程では、図12(b)に示すように、第2シート23bの描画面20aの反対側の面に第1シート23aの描画面20aが積層され、ベースプレート31側から見ると図12(a)に示すように、第1シート23aの配線用の乾燥パターンPDaと第2シート23bの配線用の乾燥パターンPDaとが所々で重なる。
第1シート23aの配線用の乾燥パターンPDaは、第2シート23bの配線用の乾燥パターンPDaと重なり合う部分において、その両側にダミーパターン長DC1のダミーの乾燥パターンPDbを有している。また、第2シート23bの配線用の乾燥パターンPDaは、第1シート23aの配線用の乾燥パターンPDaと重なり合う部分において、その両側にダミーパターン長DC1又はダミーパターン長DC2のダミーの乾燥パターンPDbを有している。
尚、第1シート23aのダミーパターン長DC1は、上下方向に重なる第2シート23bの配線用の乾燥パターンPDa及びその両側のダミーの乾燥パターンPDbとに跨る長さに形成されている。また、第2シート23bの各ダミーパターン長DC1,DC2は、上下方向に重なる第1シート23aの各配線用の乾燥パターンPDa及びその両側のダミーの乾燥パターンPDbとに跨る長さに形成されている。
グリーンシート23が他のグリーンシート23に積層されるとき、層間の各乾燥パターンPD(配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDb)は、上下方向のグリーンシート23に押圧される。この際、配線用の乾燥パターンPDaとダミーの乾燥パターンPDbからなる乾燥パターンPDは、グリーンシート23に対して凸設されているため強く押圧される。詳述すると、第1シート23aの乾燥パターンPDと、第2シート23bの乾燥パターンPDとが上下方向において重なる部分は、その部分に上下方向から押圧される力が上下方向に重なる2つの乾燥パターンPDの厚みに応じて集中するために相対的に強く押圧されてしまう。
この際、第1の実施形態と同様に、配線用の乾燥パターンPDaの両側にダミーの乾燥パターンPDbが配設されているため、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbは上下方向のグリーンシート23からの押圧力を双方に分散することができる。その結果、ダミーの乾燥パターンPDbが無い場合に比べて配線用の乾燥パターンPDaへの押圧力が軽減されるために、配線用の乾燥パターンPDaが同押圧力により変形し難くなり、さらにはダミーの乾燥パターンPDbまでもがその押圧力により変形し難くなる。特に、配線用の乾燥パターンPDaは、その両側にダミーの乾燥パターンPDbが配設されることにより、その変形の度合いを効果的に縮小させることができる。
ところで、各ダミーの乾燥パターンPDbは、第1の実施形態と同様に、その外側端部Sb1を変形させる。一方、配線用の乾燥パターンPDaは、その両側に幅DSの溝18を挟んでダミーの乾燥パターンPDbを有しており、その両側端部Saと、ダミーの乾燥パターンPDbの内側端部Sb2との間においてグリーンシート23が撓み難いために、各側端部Sa,Sb2がグリーンシート23の撓による応力を受け難くなり、それゆえ変形し難くなる。
(減圧包装工程)
図13において、減圧包装工程では、真空封入された積層体32は、真空包装袋35、ベースプレート31、及びカバープレート33を介した大気圧を受けて圧着される。この際に、各層の各乾燥パターンPD(配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDb)が重なる部分では、各乾燥パターンPDが上下方向のグリーンシート23に押圧されるものの、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbがその押圧力を分散することにより同押圧力による自身の変形を抑えることができる。
(圧着工程)
圧着工程では、減圧包装後の積層体32が静水圧プレス装置に搬入され、該積層体32に静水圧が加えられることによって圧着体が形成される。この際に、各層の各乾燥パターンPD(配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDb)が重なる部分では、各乾燥パターンPDが上下方向のグリーンシート23に押圧されるものの、配線用の乾燥パターンPDa及びダミーの乾燥パターンPDbが押圧力を分散することにより自身の変形を抑制することができる。
(焼成工程)
焼成工程では、第1の実施形態と同様に、圧着工程で得られる圧着体がベースプレート31から取り出され、該圧着体が所定の焼成炉に搬入されて焼成温度にて焼成される。
以上説明したように、上記のように構成した実施形態によっても先の第1の実施形態の前記(1)〜(5)の効果と同等もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、次のような効果が得られるようになる。
(6)本実施形態の第2シート23bには、第1シート23aに描画した液状パターンPLと重なり合う部分(重畳する領域)に配線用の乾燥パターンPDaが形成され、その重畳する領域の近傍にはダミーの乾燥パターンPDbが形成される。従って、圧着体が形成されるときに、上記重畳する領域においては第2シート23bに形成された配線用の乾燥パターンPDaの厚みに応じた押圧力が第1シート23aから第2シート23bへ加えられるものの、その押圧力を配線用の乾燥パターンPDaと各ダミーの乾燥パターンPDbとに分散することができる。その結果、上記重畳する領域においては、第1シート23aからの押圧による配線用の乾燥パターンPDaの変形とダミーの乾燥パターンPDbの変形とを小さくすることができて、LTCC基板13に形成するパターンの加工精度を向上できる。
(7)本実施形態の第1シート23aには、第2シート23bの液状パターンPLと重畳する領域に配線用の乾燥パターンPDaが形成され、その重畳する領域の近傍にはダミ
ーの乾燥パターンPDbが形成される。従って、圧着体が形成されるときに、上記重畳する領域においては第2シート23bに形成された配線用の乾燥パターンPDaの厚みに応じた押圧力が第2シート23bから第1シート23aへ加えられるものの、その押圧力を配線用の乾燥パターンPDaと各ダミーの乾燥パターンPDbとに分散することができる。その結果、上記重畳する領域においては、第1シート23aと第2シート23bとの間で相互に作用する配線用の乾燥パターンPDaへの押圧力が各ダミーの乾燥パターンPDbへ分散されるために、それぞれの配線用の乾燥パターンPDaの変形を小さくすることができ、ひいてはLTCC基板13に形成するパターンの加工精度を向上できる。
尚、上記各実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記各実施形態では、ヒータ31Hを駆動することによって積層体32を加熱するが、これに限らず、積層体32を加熱しなくても良い。
・上記各実施形態では、ベースプレート31とカバープレート33とによって挟持された積層体32を減圧包装する。これに限らず、例えばベースプレート31に載置された積層体32、すなわちカバープレート33を用いない状態で積層体32を減圧包装しても良く、また積層体32のみを減圧包装する構成であっても良い。
・上記各実施形態の焼成工程は、バインダを酸素雰囲気の下で分解・飛散させた後に、乾燥パターンPDを水素の還元雰囲気の下で焼成することにより、酸化した導電性パターンを還元する構成であっても良い。すなわち、本発明は、焼成工程の温度、時間、雰囲気等に限定されるものではない。
・上記各実施形態では、配線用の液状パターンPLa(配線用の乾燥パターンPDa)とダミーの液状パターンPLb(ダミーの乾燥パターンPDb)との間の距離を幅DSとしたが、LTCC基板13において内部配線15とダミー線17とが電気的に接続しない距離であれば良い。
・上記各実施形態では、配線用の液状パターンPLaの両側にダミーの液状パターンPLbを描画したが、配線用の液状パターンPLaの片側のみにダミーの液状パターンPLbを描画しても良い。
・上記各実施形態では、配線用の液状パターンPLaから幅DSだけ離間した位置にダミーの液状パターンPLbを描画したが、配線用の液状パターンPLaから幅DSだけ離間した位置に他の配線用の液状パターンPLaを描画しても良い。そうすれば、配線用の液状パターンPLaだけでも、グリーンシート23の押圧に対して変形の少ない乾燥パターンPDを形成することができる。
・上記第2の実施形態では、第1シート23aに第2シート23bが直接積層される形態を説明したが、第1シート23aと第2シート23bとの間には、他のグリーンシート23が介在する態様であっても上記と同様の効果を得ることができる。
・上記第2の実施形態では、第1シート23aにおける配線用の液状パターンPLaの近傍と、第2シート23bにおける配線用の液状パターンPLaの近傍とにそれぞれダミーの液状パターンPLbを描画する形態を説明した。これに限らず、配線用の液状パターンの近傍に他の配線用の液状パターンがある場合や乾燥パターンの変形に十分な設計上の余裕を持たせてある場合等においては第1シート23aと第2シート23bのいずれか一方の配線用の液状パターンPLaの近傍のみにダミーの液状パターンPLbを描画する形態であっても良い。
回路モジュールを示す断面図。 セラミック多層基板の製造方法を示すフローチャート。 セラミック多層基板の製造方法を示す工程図。 第1の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法における液状パターンを示す平面図。 第1の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法を示す工程図。 第1の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法における乾燥パターンを示す平面図。 第1の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法を示す工程図。 第1の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法を示す工程図。 第2の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法における液状パターンを示す平面図であって、(a)は一つのグリーンシートに描画された液状パターンを示す図、(b)は他のグリーンシートに描画された液状パターンを示す図。 第2の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法における乾燥パターンを示す平面図であって、(a)は一つのグリーンシートに形成された乾燥パターンを示す図、(b)は他のグリーンシートに形成された乾燥パターンを示す図。 第2の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法を示す工程図。 第2の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法を説明する説明図であって、(a)は2つのグリーンシートを積層したときの平面図、(b)は(a)の12−12線断面図。 第2の実施形態にかかるセラミック多層基板の製造方法を示す工程図。 (a)、(b)は、それぞれ従来例のセラミック多層基板の製造方法を示す図。 (a)、(b)は、それぞれ従来例のセラミック多層基板の製造方法を示す図。 (a)、(b)は、それぞれ従来例のセラミック多層基板の製造方法を示す図。 (a)、(b)は、それぞれ従来例のセラミック多層基板の製造方法を示す図。
符号の説明
D…液滴、H…位置決め孔、DS…幅、Ia…導電性微粒子、Ib…分散媒、Ik…導電性インク、PD…乾燥パターン、PDa…配線用の乾燥パターン、PDb…ダミーの乾燥パターン、PL…液状パターン、PLa…配線用の液状パターン、PLb…ダミーの液状パターン、Sa…側端部、Sb1…外側端部、Sb2…内側端部、10…回路モジュール、11…低温焼成セラミック多層基板(LTCC多層基板)、12…半導体チップ、13…LTCC基板、14…内部素子、15…内部配線、16…ビア配線、17…ダミー線、18…溝、20…積層シート、20a…描画面、21…液滴吐出装置、22…キャリアフィルム、23…グリーンシート、24…載置プレート、24H…ヒータ、24P…位置決めピン、25…インクタンク、26…液滴吐出ヘッド、27…キャビティ、28…ノズル、29…圧力発生素子、31…ベースプレート、31H…ヒータ、31P…位置決めピン、32…積層体、33…カバープレート、33h…挿通孔、35…真空包装袋。

Claims (7)

  1. 複数のグリーンシートの各々に導電性インクの液滴を吐出して前記各グリーンシートに前記導電性インクからなる液状パターンを描画する工程と、
    前記各液状パターンを乾燥して乾燥パターンを形成する工程と、
    前記乾燥パターンを有する前記各グリーンシートを積層して積層体を形成し、減圧包装した前記積層体に静水圧を加えることにより圧着体を形成する工程と、
    前記圧着体を焼成してセラミック多層基板を形成する工程と
    を有したセラミック多層基板の製造方法であって、
    前記描画する工程は、
    配線用の液状パターンを描画するとともに、該配線用の液状パターンの近傍に該配線用の液状パターンと同じ組成を有するダミーの液状パターンを描画する工程であって、
    前記ダミーの液状パターンは、
    前記配線用の液状パターンの乾燥した乾燥パターンが前記圧着体を形成する工程において受ける押圧力を該乾燥パターンの近傍に分散するような厚さを有し、且つ、該乾燥パターンとは反対側の端部が該押圧力によって変形するような幅を有することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
  2. 請求項1に記載のセラミック多層基板の製造方法において、
    前記描画する工程は、
    積層される前記各グリーンシートの配線用の液状パターンにおいて、他のグリーンシートに描画した配線用の液状パターンが積層方向に重畳する場合に、その重なる領域の近傍にダミーの液状パターンをあわせて描画することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
  3. 複数のグリーンシートの各々に導電性インクの液滴を吐出して前記各グリーンシートに前記導電性インクからなる液状パターンを描画する工程と、
    前記各液状パターンを乾燥して乾燥パターンを形成する工程と、
    前記乾燥パターンを有する前記各グリーンシートを積層して積層体を形成し、減圧包装した前記積層体に静水圧を加えることにより圧着体を形成する工程と、
    前記圧着体を焼成してセラミック多層基板を形成する工程と
    を有したセラミック多層基板の製造方法であって、
    前記描画する工程は、
    積層される前記各グリーンシートの配線用の液状パターンにおいて、他のグリーンシー
    トに描画した配線用の液状パターン積層方向に重畳させて、その重なる領域の近傍に前記配線用の液状パターンと同じ組成を有するダミーの液状パターンをあわせて描画する工程であって、
    前記ダミーの液状パターンは、
    前記配線用の液状パターンの乾燥した乾燥パターンの重なる領域が前記圧着体を形成する工程において受ける押圧力を該重なる領域に分散するような厚さを有し、且つ、該重なる領域とは反対側の端部が該押圧力によって変形するような幅を有することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法において、
    前記描画する工程は、
    前記圧着体を形成する工程にて前記配線用の液状パターンの乾燥した乾燥パターンと前記ダミーの液状パターンの乾燥した乾燥パターンとの間で前記グリーンシートが撓まないように、前記配線用の液状パターンと前記ダミーの液状パターンを描画することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法において、
    前記描画する工程は、
    前記配線用の液状パターンの両側に前記ダミーの液状パターンを描画することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法において、
    前記乾燥パターンを形成する工程は、
    前記配線用の液状パターンを乾燥させて配線用の乾燥パターンを形成し、前記ダミーの液状パターンを乾燥させてダミーの乾燥パターンを形成する工程であり、
    前記配線用の乾燥パターンと前記ダミーの乾燥パターンとは、前記圧着体を形成する工
    程において前記積層体に静水圧を加えたときに、接触しないことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法において、
    前記描画する工程は、
    前記各グリーンシートを加熱して前記ダミーの液状パターンを描画することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
JP2008180371A 2007-11-20 2008-07-10 セラミック多層基板の製造方法 Expired - Fee Related JP4508277B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008180371A JP4508277B2 (ja) 2007-11-20 2008-07-10 セラミック多層基板の製造方法
US12/260,432 US7875140B2 (en) 2007-11-20 2008-10-29 Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
CN2008101781116A CN101442883B (zh) 2007-11-20 2008-11-19 陶瓷多层基板的制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007300850 2007-11-20
JP2007309283 2007-11-29
JP2008180371A JP4508277B2 (ja) 2007-11-20 2008-07-10 セラミック多層基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009152531A JP2009152531A (ja) 2009-07-09
JP4508277B2 true JP4508277B2 (ja) 2010-07-21

Family

ID=40921294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008180371A Expired - Fee Related JP4508277B2 (ja) 2007-11-20 2008-07-10 セラミック多層基板の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4508277B2 (ja)
CN (1) CN101442883B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3367764A4 (en) * 2015-10-19 2019-06-26 Hitachi Metals, Ltd. MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677658A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Fujitsu Ltd セラミック多層基板の製造方法
JPH06244559A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Ibiden Co Ltd セラミックス多層基板の製造方法
JP2003133692A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法および形成装置、ならびにこれにより得られる膜構造体、電気光学装置、電子機器、および非接触型カード媒体
JP2004311957A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2007194174A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Seiko Epson Corp 導体パターン用インク、導体パターン、配線基板及び電気光学装置並びに電子機器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057139A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Seiko Epson Corp 多層配線基板とその製造方法
JP2006140288A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Seiko Epson Corp 回路基板、表示モジュール、電子機器及び回路基板の製造方法
JP4379386B2 (ja) * 2005-06-23 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 多層構造形成方法
JP4764729B2 (ja) * 2006-01-27 2011-09-07 コーア株式会社 セラミック多層基板の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677658A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Fujitsu Ltd セラミック多層基板の製造方法
JPH06244559A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Ibiden Co Ltd セラミックス多層基板の製造方法
JP2003133692A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法および形成装置、ならびにこれにより得られる膜構造体、電気光学装置、電子機器、および非接触型カード媒体
JP2004311957A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2007194174A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Seiko Epson Corp 導体パターン用インク、導体パターン、配線基板及び電気光学装置並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101442883A (zh) 2009-05-27
JP2009152531A (ja) 2009-07-09
CN101442883B (zh) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4508277B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP5103206B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2007201273A (ja) 電子部品の製造方法ならびに導体層付きセラミックグリーンシート用導体ペースト。
SE516870C2 (sv) Förfarande vid framställning av keramiska flerskiktsubstrat
US7875140B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP2009123765A (ja) 多層基板の製造方法
JP4998274B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2009158847A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP5103146B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP4953626B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
JP2007123507A (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JP2007266042A (ja) 積層構造体の製造方法
JP2009146983A (ja) 多層基板の製造方法
JP2009182132A (ja) グリーンシート及びグリーンシートの製造方法
JP2009105319A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2009182184A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2009170683A (ja) 多層基板の製造方法
JP2009182292A (ja) 積層シート、及びセラミック多層基板の製造方法
JP4683891B2 (ja) 導体形成用シートおよび導体の形成方法ならびに電子部品の製造方法
JP2009129986A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP3909189B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP4610274B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP3872282B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2009182146A (ja) 絶縁性シート基板の製造方法、及び多層回路基板の製造方法
JP2009105318A (ja) セラミック多層基板の製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100413

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100426

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees