JP2009123765A - 多層基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】液滴を用いて形成したパターンの加工精度を向上させた多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】各グリーンシート23を積層する前に、液状パターンPLにレーザ光Lを照射し、液状パターンPLを介して液状パターンPLと接触している面を発熱させる。そして、該液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面を、局所的に形が崩れる程度に一瞬溶解させる。この液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面の溶解によって、液状パターンPLがその溶解部分に沈み込みグリーンシート23に液状パターンPLの形状の凹部30が形成されて、その凹部30に囲まれるように、液状パターンPLが配置される。液状パターン中の導電性微粒子Iaの流動性をなくし、パターンの潰れや変形は防止して、精度の高いパターンを形成する。
【選択図】図4

Description

本発明は、多層基板の製造方法に関する。
低温焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics )技術は、グリーンシートと金属との一括焼成を可能にすることから、セラミックの層間に各種の受動素子を組み込んだ素子内蔵基板を具現できる。システム・オン・パッケージ(SOP)の実装技術においては、電子部品の複合化や表面実装部品に発生する寄生効果の最小化を図るため、この素子内蔵基板(以下単に、LTCC多層基板という。)に関わる製造方法が鋭意開発されている。
LTCC多層基板の製造方法では、複数のグリーンシートの各々に受動素子や配線等のパターンを描画する描画工程と、該パターンを有する複数のグリーンシートを積層して圧着する圧着工程と、圧着体を一括焼成する焼成工程とが順に実施される。
描画工程には、各種パターンの高密度化を図るため、導電性インクを微小な液滴にして吐出する、いわゆるインクジェット法が提案されている(例えば、特許文献1)。インクジェット法は、数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴を用い、該液滴の吐出位置の変更によってパターンの微細化や狭ピッチ化を可能にする。
前記圧着工程には、各グリーンシートの積層状態の安定化を図るため、該積層体に静水圧を加える、いわゆる静水圧成型法が提案されている(例えば、特許文献2〜4)。静水圧成型法は、積層体を減圧包装し、加熱した液体中に該積層体を静置して液体の静圧を上昇させる。これによって、積層体への等方的な加圧を可能にする。
特開2005−57139号公報 特開平5−315184号公報 特開平6−77658号公報 特開2007−201245号公報
図9(a)は描画工程によるパターンの平面図であり、図9(b)は図9(a)のA−A断面図である。図10(a)は圧着工程によるパターンの平面図であり、図10(b)は図10(a)のA−A断面図である。
インクジェット法に利用される導電性インクは、導電性微粒子の分散系であり、導電性粒子の粒径としては、一般的に、数nm〜数十nmが用いられる。図9(a)、(b)に示すように、描画工程を経てグリーンシート100に形成されたパターン101は、導電性微粒子102の集合体であり、焼成工程によって焼成されるまで、その状態を維持し続ける。
上記圧着工程においては、パターン101を挟むグリーンシート100が大気圧によって押圧される。焼成前の導電性微粒子102は、グリーンシート100との密着力や粒子間の結合力が弱いため、図10(a)、(b)に示すように、減圧包装時の大気圧によって容易に押し潰されてしまう。この結果、上記圧着工程では、パターン101がグリーンシート100の主面100aに沿って延びるように変形し、所望のパターン領域104(図9及び図10における二点鎖線)から食み出し、隣のパターン101と接触しショート
してしまう問題があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴を用いて形成したパターンの加工精度を向上させた多層基板の製造方法を提供することである。
本発明の多層基板の製造方法は、導電性微粒子を含んだ液状体を吐出手段にて液滴にして熱可塑性基板に吐出して、前記熱可塑性基板に液状パターンを描画する描画工程と、前記描画工程で液状パターンを描画した複数の前記熱可塑性基板を積層して積層体を形成する積層工程と、前記積層体を加圧し圧着体を形成する圧着工程とを有した多層基板の製造方法であって、前記積層工程の前に、前記熱可塑性基板に描画された液状パターンに対して、光を照射し、前記液状パターンでの光熱変換により、前記液状パターンを発熱させて、前記液状パターンと接触する熱可塑性基板の面を軟化させて前記液状パターンの形状の凹部を形成し、その凹部に前記液状パターンを配置させる軟化工程を設けた。
本発明の多層基板の製造方法によれば、各熱可塑性基板を積層する前に、熱可塑性基板を軟化させて凹部を形成し、その凹部に液状パターンが収容されるようにした。従って、積層工程において、液状パターンの流動性が抑えられパターンの潰れが未然に防止される。
この多層基板の製造方法において、前記圧着工程にて前記圧着体を形成した後、前記圧着体を焼成する焼成工程を含んでもよい。
この多層基板の製造方法によれば、圧着体を焼成することにより多層基板が形成される。
この多層基板の製造方法において、前記軟化工程は、前記液状パターンを発熱させて、前記液状パターンと接触する熱可塑性基板の面を溶解させて前記液状パターンの形状の凹部を形成してもよい。
この多層基板の製造方法によれば、各熱可塑性基板を積層する前に、熱可塑性基板を溶解させることによってその溶解部分に凹部が形成される。
この多層基板の製造方法において、前記描画工程は、前記熱可塑性基板を、形が崩れない温度に加熱しながら描画してもよい。
この多層基板の製造方法によれば、熱可塑性基板は形が崩れない程度に加熱されているので、少ないエネルギーのレーザ光でグリーンシートの形を崩す程度に軟化させ凹部を形成することができる。
この多層基板の製造方法において、前記圧着工程は、前記積層体を真空包装袋に収容して、前記真空包装袋内を減圧して前記積層体を減圧包装した後、前記真空包装袋内にて減圧包装された前記積層体に、静水圧を加えて前記圧着体を形成してもよい。
この多層基板の製造方法によれば、積層体が減圧包装中に加圧されたり、積層体が静水圧を加えられているときでも、液状パターン中の導電性微粒子の流動性はなく、パターンの潰れや変形は防止できる。
この多層基板の製造方法において、前記静水圧を加えて前記圧着体を形成するとき、前記熱可塑性基板を加熱しながら前記静水圧を加えてもよい。
この多層基板の製造方法によれば、熱可塑性基板を軟化でき、積層体に静水圧を加えて圧着体を形成しているときでもパターンの押圧変形を、より確実に抑えられる。
この多層基板の製造方法において、前記熱可塑性基板はグリーンシートであり、前記光はレーザ光であってもよい。
この多層基板の製造方法によれば、各グリーンシートを積層する前に、レーザ光にてグリーンシートを軟化させて凹部を形成し、その凹部に液状パターンが収容される。従って、積層工程において、グリーンシートに描画された液状パターンの流動性が抑えられパターンの潰れが未然に防止される。
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図1〜図8に従って説明する。図1は、本発明の製造方法を用いて製造したセラミック多層基板からなる回路モジュールの断面図である。
図1において、回路モジュール10は、多層基板としての低温焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics )多層基板11と、LTCC多層基板11に接続された半導体チップ12とを有する。
LTCC多層基板11は、積層された複数のLTCC基板13を有する。各LTCC基板13は、それぞれ熱可塑性基板としてのグリーンシートの焼結体であって、厚みが数十μ〜数百μmで形成されている。各LTCC基板13の層間には、それぞれ抵抗素子、容量素子、コイル素子等の各種の内部素子14と、各内部素子14に電気的に接続する内部配線15とが内蔵され、各LTCC基板13には、それぞれスタックビア構造やサーマルビア構造を成すビア配線16が形成されている。
そして、内部素子14、内部配線15、及びビア配線16は、それぞれ導電性微粒子の焼結体であり、導電性インクを用いるインクジェット法によって形成される。
次に、上記LTCC多層基板11の製造方法を図2〜図8に従って説明する。図2はLTCC多層基板11の製造方法を示すフローチャートであり、図3〜図6はそれぞれLTCC多層基板11の製造方法を示す工程図である。
図2において、LTCC多層基板11の製造方法では、LTCC基板13の前駆体であるグリーンシートに液状パターンを描画する描画工程(ステップS10)と、該液状パターンと接触するグリーンシートの面を軟化させて液状パターン形状の凹部を形成し、その凹部に該液状パターンを配置させる軟化工程(ステップS11)と、該液状パターンを乾燥する乾燥工程(ステップS12)が順に実行される。次に、LTCC多層基板11の製造方法では、複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程(ステップS13)と、該積層体を減圧包装する減圧包装工程(ステップS14)と、該積層体を圧着して圧着体を形成する圧着工程(ステップS15)と、該圧着体を焼成する焼成工程(ステップS16)とが順に実行される。
(描画工程)
図3において、描画工程では、対象物としての積層シート20と、液滴吐出装置21とが用いられる。積層シート20は、キャリアフィルム22と、キャリアフィルム22上に形成されたグリーンシート23とからなる。
キャリアフィルム22は、描画工程や軟化工程においてグリーンシート23を支持するためのフィルムであり、例えばグリーンシート23との剥離性や各工程における機械的耐性に優れたプラスチックフィルムを用いることができる。キャリアフィルム22には、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムを用いることができる。
グリーンシート23は、ガラスセラミック粉末やバインダ等を含むガラスセラミック組成物からなる層である。グリーンシート23の膜厚は、内部素子14としてコンデンサ素子を形成する場合に数十μmで形成され、他の層においては100μm〜200μmで形成される。このグリーンシート23は、ドクターブレード法やリバースロールコータ法等のシート成形法を用い、分散媒でスラリー化したガラスセラミック組成物をキャリアフィルム22の上に塗布し、該塗布膜をハンドリング可能な状態に乾燥することによって得られる。
分散媒としては、例えば界面活性剤やシランカップリング剤等を用いることができ、ガラスセラミック粉末を均一に分散させるものであれば良い。
ガラスセラミック粉末は、0.1μm〜5μmの平均粒径を有する粉末であり、例えばアルミナやフォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合したガラス複合セラミックを用いることができる。また、ガラスセラミック粉末としては、ZnO−MgO−Al2O3−SiO2系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラスセラミック、BaO−Al2O3−SiO2系セラミック粉末やAl2O3−CaO−SiO2−MgO−B2O3系セラミック粉末等を用いた非ガラス系セラミックを用いても良い。
バインダは、ガラスセラミック粉末の結合剤としての機能を有し、後工程の焼成工程で分解して容易に除去できる有機高分子である。バインダとしては、例えばブチラール系、アクリル系、セルロース系等のバインダ樹脂を用いることができる。アクリル系のバインダ樹脂としては、例えばアルキル(メタ)アクリレート、アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、ポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート、シクロアルキル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレート化合物の単独重合体を用いることができる。また、アクリル系のバインダ樹脂としては、該(メタ)アクリレート化合物の2種以上から得られる共重合体、あるいは(メタ)アクリレート化合物と不飽和カルボン酸類等の他の共重合性単量体から得られる共重合体を用いることができる。
なお、バインダは、例えばアジピン酸エステル系可塑剤、ジオクチルフタレート(DOP)、ジブチルフタレート(DBP)フタル酸エステル系可塑剤、グリコールエステル系可塑剤等の可塑剤を含有しても良い。
積層シート20の縁には、所定孔径からなる円形孔(以下単に、位置決め孔Hという。)が打ち抜き加工によって形成されている。各位置決め孔Hには、載置プレート24の位置決めピン24Pが挿入され、積層シート20の描画面20aの各位置が液滴吐出装置21に対して位置決めされる。
グリーンシート23には、打ち抜き加工やレーザ加工によって、数十μm〜数百μmの孔径からなるビアホールが貫通形成されている。ビアホールには、導体性ペーストを用いたスキージ法や導電性インクを用いたインクジェット法等によって、銀、金、銅、パラジウム等の導電材料が前工程で充填されている。
図3において、液滴吐出装置21は、積層シート20を載置するための載置プレート24と、液状体としての導電性インクIkを貯留するインクタンク25と、インクタンク25の導電性インクIkを描画面20aに吐出する吐出手段としての液滴吐出ヘッド26とを有する。
載置プレート24は、積層シート20と略同じサイズの剛性材料からなる板材であって、積層シート20を位置決めするための位置決めピン24Pと、積層シート20を加熱するためのヒータ24Hとを有する。そして、積層シート20が載置プレート24に載置されるとき、位置決めピン24Pを位置決め孔Hに挿通させることにより、載置プレート2
4は描画面20aの各位置を液滴吐出ヘッド26に対して位置決めする。また、載置プレート24に積層シート20を載置しているとき、載置プレート24は、ヒータ24Hを駆動し、積層シート20を予め定めた描画温度に加熱するようになっている。
導電性インクIkは、導電性微粒子Iaを分散媒Ibに分散させた導電性微粒子Iaの分散系であり、微小な液滴Dを吐出可能にするために、その粘度が20cP以下に調整されている。
導電性微粒子Iaは、数nm〜数十nmの粒径を有する微粒子であり、例えば金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム等の金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。そして、本実施形態では、導電性微粒子Iaとして銀微粒子を用いている。
分散媒Ibは、導電性微粒子Iaを均一に分散させるものであれば良く、例えば水や水を主成分とする水溶液系、あるいはテトラデカン等の有機溶剤を主成分とする有機系を用いることができる。
液滴吐出ヘッド26は、インクタンク25に連通するキャビティ27と、キャビティ27に連通するノズル28と、キャビティ27に連結される圧電素子29とを備えている。キャビティ27は、インクタンク25からの導電性インクIkを収容し、インクタンク25からの該導電性インクIkをノズル28に供給する。ノズル28は、数十μmの開口を有するノズルである。圧電素子29は、キャビティ27の容積を変更する素子であり、キャビティ27の内部に所定圧力を発生させる。圧電素子29が駆動するとき、ノズル28は、導電性インクIkの気液界面(メニスカス)を振動させ、該導電性インクIkを数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴Dにして吐出する。
描画工程では、積層シート20と液滴吐出ヘッド26とが描画面20aの面方向に相対移動し、ノズル28からの複数の液滴Dがそれぞれ描画面20aに着弾して該描画面20aの上で合一する。これによって、所定方向に連続する液状パターンPLが描画面20aの上に形成される。
なお、積層シート20の温度が予め定めた描画温度で加熱されていることから、グリーンシート23は形を崩さない程度に軟化されているとともに、液状パターンPLは分散媒Ibの一部の蒸発によって増粘して描画面20aに沿う濡れ広がりが抑えられるようになっている。
(軟化工程)
図4において、軟化工程では、液滴吐出ヘッド26に形成されたノズル28に対応した数の半導体レーザLSを備えた半導体レーザ装置LD(図5参照)が用いられ、グリーンシート23に描画された液状パターンPLに対して、半導体レーザLSからレーザ光が照射される。半導体レーザLSの波長は、前記導電性インクIkとの間で光熱変換が効率よく行われ、導電性インクIkを瞬時に発熱させその熱で接触しているグリーンシート23の面を形が崩れる程度に溶解させることができる吸収波長であって、かつグリーンシート23を透過する透過波長である。
半導体レーザ装置LDの各半導体レーザLSは、本実施形態では前記液滴吐出装置21に実装され、液滴吐出ヘッド26とともに液滴吐出装置21にて駆動制御されるようになっている。そして、液滴吐出ヘッド26を駆動して該描画面20aに連続する液状パターンPLに形成すると同時に、半導体レーザLSを駆動させて液滴吐出ヘッド26にて形成されて行く液状パターンPLに対してレーザ光Lが照射される。
液状パターンPLにレーザ光Lが照射されると、液状パターンPLは光熱変換により発熱し、該液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面が局所的に形が崩れる程度に一瞬溶解させられる。液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面が局所的に一瞬溶解することによって、その溶解部分に液状パターンPLが沈み込みグリーンシート23に液状パターンPLと同形状の凹部30が形成される。そして、その描画面20aに凹設された凹部30に、液状パターンPLが囲まれるように配置される。
ここで、上記した液滴吐出装置21の電気的構成を図5に従って説明する。
図5において、制御装置50は、CPU50A、ROM50B、RAM50Cなどを有している。制御装置50は、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、載置プレート24の搬送処理、液滴吐出ヘッド26の移送処理、吐出ヘッド26の液滴吐出処理、ヒータ24Hの加熱処理、半導体レーザ装置LDの各半導体レーザLSの駆動処理などを実行する。
制御装置50には、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置51が接続されている。入出力装置51は、液滴吐出装置21が実行する各種処理の処理状況を表示する。入出力装置51は、グリーンシート23に液状パターンPLを形成するためのビットマップデータBDを生成し、そのビットマップデータBDを制御装置50に入力する。
ビットマップデータBDは、各ビットの値(0あるいは1)に応じて各圧電素子29のオンあるいはオフを規定したデータである。ビットマップデータBDは、吐出ヘッド26(各ノズル28)の通過する描画平面20a上の各位置に、液滴Dを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、ビットマップデータBDは、描画平面20aに規定された液状パターンPLの目標形成位置に液滴Dを吐出させるためのデータである。
制御装置50には、X軸モータ駆動回路52が接続されている。制御装置50は、駆動制御信号をX軸モータ駆動回路52に出力する。X軸モータ駆動回路52は、制御装置50からの駆動制御信号に応答して、液滴吐出ヘッド26を移動させるためのX軸モータMXを正転又は逆転させる。制御装置50には、Y軸モータ駆動回路53が接続されている。制御装置50は、駆動制御信号をY軸モータ駆動回路53に出力する。Y軸モータ駆動回路53は、制御装置50からの駆動制御信号に応答して、載置プレート24を移動させるためのY軸モータMYを正転又は逆転させる。
制御装置50には、ヘッド駆動回路54が接続されている。制御装置50は、所定の吐出周波数に同期させた吐出タイミング信号LTをヘッド駆動回路54に出力する。制御装置50は、各圧電素子29を駆動するための駆動電圧COMを吐出周波数に同期させてヘッド駆動回路54に出力する。
制御装置50は、ビットマップデータBDを利用して所定の周波数に同期したパターン形成用制御信号SIを生成し、パターン形成用制御信号SIをヘッド駆動回路54にシリアル転送する。ヘッド駆動回路54は、制御装置50からのパターン形成用制御信号SIを各圧電素子29に対応させて順次シリアル/パラレル変換する。ヘッド駆動回路54は、制御装置50からの吐出タイミング信号LTを受けるたびに、シリアル/パラレル変換したパターン形成用制御信号SIをラッチし、パターン形成用制御信号SIによって選択される圧電素子29にそれぞれ駆動電圧COMを供給する。
制御装置50には、ヒータ駆動回路55が接続されている。制御装置50は、駆動制御信号をヒータ駆動回路55に出力する。ヒータ駆動回路55は、制御装置50からの駆動制御信号に応答して、ヒータ24Hを駆動して載置プレート24に載置したグリーンシー
ト23を予め定めた描画温度になるように加熱制御する。
制御装置50には、レーザ駆動回路56が接続されている。制御装置50は、ヘッド駆動回路54と同様に、所定の照射周波数に同期させた照射タイミング信号LTbをレーザ駆動回路56に出力する。制御装置50は、半導体レーザ装置LDの各半導体レーザLSからレーザ光Lを出射するための駆動電圧COMbを照射周波数に同期させてレーザ駆動回路56に出力する。
制御装置50には、載置プレート24をY矢印方向に移動して、液滴吐出ヘッド26から液滴Dを吐出させて液状パターンPLを形成するとき、半導体レーザ装置LDの各半導体レーザLSからレーザ光Lを出射するための駆動電圧COMbをレーザ駆動回路56に出力する。
この場合、制御装置50は、前記ビットマップデータBDを利用して所定の周波数に同期したレーザ照射のためのパターン形成用制御信号SIbを生成し、パターン形成用制御信号SIbをレーザ駆動回路56にシリアル転送する。レーザ駆動回路56は、制御装置50からのパターン形成用制御信号SIbを各半導体レーザLSに対応させて順次シリアル/パラレル変換する。レーザ駆動回路56は、制御装置50からの照射タイミング信号LTbを受けるたびに、シリアル/パラレル変換したパターン形成用制御信号SIbラッチし、パターン形成用制御信号SIbによって選択される半導体レーザLSにそれぞれ駆動電圧COMbを供給する。
このように、構成されることによって、液滴吐出装置21は、液滴Dを吐出して液状パターンPLを描画しながら、その描画した液状パターンPLに対してレーザ光Lが照射され、該液状パターンPLを光熱変換により発熱させて、該液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面を局所的に形が崩れる程度に溶解させる。そして、液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面が一瞬溶解され、該液状パターンPLがその溶解部分に沈み込みグリーンシート23に液状パターンPLの形状の凹部30が形成され、図4に示すように、その凹部30に液状パターンPLが囲まれるように配置される。
そして、グリーンシート23に描画された液状パターンPLをグリーンシート23に形成された凹部30に配置されると、次に乾燥工程に移る。
(乾燥工程)
図6において、乾燥工程では、軟化工程後の積層シート20が乾燥炉等の乾燥装置に搬入され、凹部30に収容配置された液状パターンPLを有する状態で予め定めた乾燥温度に加熱される。積層シート20の温度が予め定めた乾燥温度であることから、凹部30に収容配置された液状パターンPLは、その乾燥をさらに促進させる。これによって、液状パターンPLの分散媒Ibの殆どが蒸発し、導電性微粒子Iaの集合体からなる乾燥パターンPDが描画面20aに形成された凹部30に配置形成される。
なお、予め定めた乾燥温度が過剰に高くなると、キャリアフィルム22とグリーンシート23が熱変形を来たし、積層工程時における他の積層シート20との位置精度が損なわれてしまう。そこで、乾燥温度は例えば40℃〜80℃であり、積層工程時の位置精度を確保できるように、積層シート20の組成や導電性インクIkの組成に応じて適宜選択される。
そして、乾燥工程が完了すると、次に積層工程に移る。
(積層工程)
図7において、積層工程では、複数のグリーンシート23を積層するためのベースプレート31が用いられる。ベースプレート31は、積層シート20と略同じサイズの剛性材
料からなる板材であって、複数のグリーンシート23を位置決めする位置決めピン31Pと、複数のグリーンシート23を加熱するヒータ31Hとを有する。
積層工程では、まず、1層目の積層シート20が、グリーンシート23を上にした状態でベースプレート31に載置される。位置決めピン31Pが位置決め孔Hに挿通されることによって、1層目の積層シート20がベースプレート31に位置決めされる。次いで、2層目の積層シート20が、グリーンシート23を下にした状態でベースプレート31に載置される。2層目の積層シート20は、位置決めピン31Pが位置決め孔Hに挿通されることによって位置決めされ、キャリアフィルム22が剥離されることによって、2層目のグリーンシート23のみが1層目のグリーンシート23の上に積層される。
以後同様に、所定層数のグリーンシート23が順に積層され、凹部30に配置された乾燥パターンPDを内蔵するグリーンシート23の積層体(以下単に、積層体32という。)が形成される。
積層体32を形成する間、ベースプレート31は、ヒータ31Hを駆動して各グリーンシート23をそれぞれ予め定めた積層温度に加熱する。予め定めた積層温度は、グリーンシート23を軟化させるための温度であり、より好ましくは、グリーンシート23の硬度を乾燥パターンPDの硬度よりも低くする温度である。
グリーンシート23が他のグリーンシート23に積層されるとき、層間の乾燥パターンPDは、上下方向のグリーンシート23に押圧される。このとき、乾燥パターンPDは、凹部30に収容配置されているので、各グリーンシート23からの応力が加わっても、潰されてばらばらになったり変形することはない。
しかも、本実施形態では、積層時のグリーンシート23が軟化しているため、グリーンシート23が乾燥パターンPDとグリーンシート23との間を埋めるように変形する。そのため、乾燥パターンPDに加わる応力の不均一な分布がグリーンシート23の変形によって補正され、乾燥パターンPDの表面には、その略全体にわたり等方的な応力が加えられる。
よって、この積層工程での乾燥パターンPDの潰れや変形は、抑制される。
さらに、予め定めた積層温度を高くしてグリーンシート23の硬度を乾燥パターンPDの硬度よりも低くする場合には、乾燥パターンPDの潰れや変形を、より確実に抑制できる。
なお、予め定めた積層温度が過剰に高くなると、バインダが熱分解を開始するため、圧着前の積層体32に熱収縮を来たしてしまう。そこで、予め定めた積層温度は例えば40℃〜80℃であり、グリーンシート23の熱収縮を抑えられるように、グリーンシート23の組成や導電性インクIkの組成に応じて適宜選択される。
(減圧包装工程)
図8において、減圧包装工程では、カバープレート33と真空包装袋35とが用いられる。カバープレート33は、ベースプレート31と略同じサイズの剛性材料からなる板材であって、ベースプレート31の各位置決めピン31Pを挿通可能にする複数の挿通孔33hを有する。真空包装袋35は、ベースプレート31、カバープレート33、及び積層体32を封入可能な柔軟性を有する包装袋である。
減圧包装工程では、まず、位置決めピン31Pがカバープレート33の挿通孔33hに挿通され、ベースプレート31とカバープレート33とによって積層体32が挟持される。ベースプレート31とカバープレート33は、積層体32を挟持した状態で真空包装袋
35に収容され、シーラ等を用いた吸引によって真空包装袋35の内部に真空封入される。真空封入された積層体32は、真空包装袋35、ベースプレート31、及びカバープレート33を介した大気圧を受けて圧着される。
(圧着工程)
圧着工程では、減圧包装後の積層体32が静水圧プレス装置に搬入され、該積層体32に静水圧が加えられることによって圧着体が形成される。積層体32は、静水圧を加えられる間、ヒータ31Hあるいは温水層からの熱量を受けて予め定めた圧着温度に加熱される。予め定めた圧着温度はグリーンシート23を軟化させるための温度であり、より好ましくは、グリーンシート23の硬度を乾燥パターンPDの硬度よりも低くする温度である。これによれば、静水圧下でグリーンシート23が軟化することから、乾燥パターンPDの略全体を等方的な加圧できる。よって、前記と同様に、この圧着工程において、乾燥パターンPDの潰れや変形は抑制される。
(焼成工程)
焼成工程では、圧着工程で得られる圧着体がベースプレート31から取り出され、該圧着体が所定の焼成炉に搬入されて焼成される。焼成温度は、例えば800℃〜1000℃であって、グリーンシート23の組成に応じて適宜変更される。
乾燥パターンPDとしてCuを用いる場合には、酸化防止のため還元雰囲気中で焼成するのが好ましい。銀、金、白金、パラジウム等を用いる場合には大気中で焼成しても良い。焼成工程では、圧着工程における静水圧よりも小さい圧力で圧着体を加圧しながら焼成しても良い。これによれば、LTCC多層基板11の平坦性が向上され、各グリーンシート23の反りや剥離を防止できる。
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
(1)上記実施形態によれば、各グリーンシート23を積層する前に、軟化工程を設け、液状パターンPLにレーザ光Lを照射して液状パターンPLを介して液状パターンPLと接触している面を発熱させる。そして、該液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面を形が崩れる程度に一瞬溶解させる。この液状パターンPLと接触するグリーンシート23の面の一瞬の溶解によって、液状パターンPLがその溶解部分に沈み込みグリーンシート23に液状パターンPLの形状の凹部30が形成され、その凹部30に液状パターンPLが囲まれるように配置されるようにした。
その結果、液状パターンPLが凹部30に囲まれるため、積層工程を含む後工程において、液状パターン中の導電性微粒子Ia(銀微粒子)の流動性はなく、パターンの潰れや変形は防止でき、精度の高いパターンを形成することができる。
また。描画工程において、グリーンシート23を形が崩れない程度に加熱したので、少ないエネルギーのレーザ光Lでグリーンシート23を溶解でき凹部30を形成できる。
(2)本実施形態によれば、積層工程において、積層時のグリーンシート23の温度を積層温度に加熱した。従って、積層時のグリーンシート23が軟化している分だけ、積層時の押圧による乾燥パターンPDにかかる負荷は低減し変形等が抑えられる。この結果、層間に内蔵するパターンの加工精度を向上できる。
(3)本実施形態によれば、減圧包装工程において、グリーンシート23の温度を積層温度に加熱した。従って、減圧包装時のグリーンシート23が軟化している分だけ、大気圧による乾燥パターンPDにかかる負荷は低減し変形等が抑えられる。この結果、LTCC基板13に形成するパターンの加工精度を向上できる。
(4)本実施形態によれば、圧着工程において、該積層体32に静水圧が加えられることによって圧着体が形成される。積層体32が静水圧を加えられる間、グリーンシート2
3の温度を圧着温度に加熱した。従って、圧着時のグリーンシート23が軟化している分だけ、圧着による乾燥パターンPDにかかる負荷は低減し変形等が抑えられる。この結果、層間に内蔵するパターンの加工精度を向上できる。
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、描画工程において、グリーンシート23の温度を描画温度に加熱したが、これを省略してもよい。
・上記実施形態では、積層工程において、グリーンシート23の温度を積層温度に加熱したが、これを省略してもよい。
・上記実施形態によれば、圧着工程において、グリーンシート23の温度を圧着温度に加熱したが、これを省略してもよい。
・上記実施形態では、ベースプレート31とカバープレート33とによって挟持された積層体32を減圧包装した。これに限らず、例えばベースプレート31に載置された積層体32、すなわちカバープレート33を用いない状態で積層体32を減圧包装しても良く、また積層体32のみを減圧包装する構成であっても良い。
・上記実施形態によれば、軟化行程においてレーザ光Lを用いた。これに限定されるものではなく、要は、導電性インクIkとの間で光熱変換が効率よく行われ、導電性インクIkを瞬時に発熱させその熱で接触しているグリーンシート23の面を形が崩れる程度に溶解させることができる吸収波長であって、かつグリーンシート23を透過する透過波長であればよく、例えば、赤外線ランプつかって赤外線を液状パターンに照射しても、同様な効果を得ることができる。
・上記実施形態によれば、グリーンシート23を用いて多層基板としてのセラミック多層基板11を製造した。これに限らず、例えば、熱可塑性基板としてのグリーンシート23に代えてスパーエンジニアリングプラスチックよりなる熱可塑性絶縁フィルムを用いて、多層基板を製造してもよい。
この場合、熱可塑性絶縁フィルムに液状パターンを描画し、積層行程前に、液状パターンにレーザ光を照射して液状パターンを介して液状パターンと接触している面を発熱させる。そして、該液状パターンと接触する熱可塑性絶縁フィルムの面を形が崩れる程度に一瞬溶解させる(軟化行程)。この液状パターンと接触する熱可塑性絶縁フィルムの面の一瞬の溶解によって、液状パターンがその溶解部分に沈み込み熱可塑性絶縁フィルムに液状パターンの形状の凹部が形成され、その凹部に液状パターンが囲まれるように配置する。
その後、乾燥工程及び積層行程を経て、熱プレス機で圧着することに多層基板が形成されることになる。
・上記実施形態では、液滴吐出手段を、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド26に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。
回路モジュールを示す断面図。 セラミック多層基板の製造方法を示すフローチャート。 セラミック多層基板の製造方法の描画工程を示す図。 セラミック多層基板の製造方法の軟化工程を示す図。 液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。 セラミック多層基板の製造方法の乾燥工程を示す図。 セラミック多層基板の製造方法の積層工程を示す図。 セラミック多層基板の製造方法の減圧包装工程を示す図。 従来例のセラミック多層基板の製造方法の描画工程を示す図であって、(a)はグリーンシートの平面図、(b)はグリーンシートの断面図。 従来例のセラミック多層基板の製造方法の圧着行程を示す図であって、(a)はグリーンシートの平面図、(b)はグリーンシートの断面図。
符号の説明
D…液滴、Ia…導電性微粒子、Ik…導電性インク、L…レーザ光、LD…半導体レーザ装置、LS…半導体レーザ、PL…液状パターン、PD…乾燥パターン、11…セラミック多層基板、23…グリーンシート、26…液滴吐出ヘッド、30…凹部、32…積層体、35…真空包装袋。

Claims (7)

  1. 導電性微粒子を含んだ液状体を吐出手段にて液滴にして熱可塑性基板に吐出して、前記熱可塑性基板に液状パターンを描画する描画工程と、
    前記描画工程で液状パターンを描画した複数の前記熱可塑性基板を積層して積層体を形成する積層工程と、
    前記積層体を加圧し圧着体を形成する圧着工程と
    を有した多層基板の製造方法であって、
    前記積層工程の前に、前記熱可塑性基板に描画された液状パターンに対して、光を照射し、前記液状パターンでの光熱変換により、前記液状パターンを発熱させて、前記液状パターンと接触する熱可塑性基板の面を軟化させて前記液状パターンの形状の凹部を形成し、その凹部に前記液状パターンを配置させる軟化工程を設けたことを特徴とする多層基板の製造方法。
  2. 請求項1に記載の多層基板の製造方法において、
    前記圧着工程にて前記圧着体を形成した後、前記圧着体を焼成する焼成工程を含むことを特徴とする多層基板の製造方法。
  3. 請求項1又は2に記載の多層基板の製造方法において、
    前記軟化工程は、前記液状パターンを発熱させて、前記液状パターンと接触する熱可塑性基板の面を溶解させて前記液状パターンの形状の凹部を形成することを特徴とする多層基板の製造方法。
  4. 請求項1〜3のいずれか1に記載の多層基板の製造方法において、
    前記描画工程は、前記熱可塑性基板を、形が崩れない温度に加熱しながら描画することを特徴とする多層基板の製造方法。
  5. 請求項1〜4のいずれか1に記載の多層基板の製造方法において、
    前記圧着工程は、前記積層体を真空包装袋に収容して、前記真空包装袋内を減圧して前記積層体を減圧包装した後、前記真空包装袋内にて減圧包装された前記積層体に、静水圧を加えて前記圧着体を形成する特徴とする多層基板の製造方法。
  6. 請求項5に記載の多層基板の製造方法において、
    前記静水圧を加えて前記圧着体を形成するとき、前記熱可塑性基板を加熱しながら前記静水圧を加えることを特徴とする多層基板の製造方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか1に記載の多層基板の製造方法において、
    前記熱可塑性基板はグリーンシートであり、前記光はレーザ光であることを特徴とする多層基板の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5406991B2 (ja) * 2010-07-22 2014-02-05 パナソニック株式会社 導電性フィルムの製造方法
CN108031992A (zh) * 2017-12-29 2018-05-15 苏州德龙激光股份有限公司 Ltcc超快加工系统及其方法
CN108738239A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 康达智株式会社 图案形成片、图案制造装置以及图案制造方法
JP2022056735A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677658A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Fujitsu Ltd セラミック多層基板の製造方法
JPH09320363A (ja) * 1996-06-03 1997-12-12 Canon Inc 透明導電回路形成装置
JP2003198100A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Mitsuboshi Belting Ltd 電気回路を有する基板の製造方法
JP2005081335A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp パターン形成方法、導電性薄膜、電気光学装置、電子機器
JP2007081357A (ja) * 2005-08-17 2007-03-29 Tdk Corp 多層セラミック基板の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677658A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Fujitsu Ltd セラミック多層基板の製造方法
JPH09320363A (ja) * 1996-06-03 1997-12-12 Canon Inc 透明導電回路形成装置
JP2003198100A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Mitsuboshi Belting Ltd 電気回路を有する基板の製造方法
JP2005081335A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp パターン形成方法、導電性薄膜、電気光学装置、電子機器
JP2007081357A (ja) * 2005-08-17 2007-03-29 Tdk Corp 多層セラミック基板の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5406991B2 (ja) * 2010-07-22 2014-02-05 パナソニック株式会社 導電性フィルムの製造方法
CN108738239A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 康达智株式会社 图案形成片、图案制造装置以及图案制造方法
CN108031992A (zh) * 2017-12-29 2018-05-15 苏州德龙激光股份有限公司 Ltcc超快加工系统及其方法
JP2022056735A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7303168B2 (ja) 2020-09-30 2023-07-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

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