JP2008060509A - 配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】孔の内側に形成する配線の均一性を向上した配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供する。
【解決手段】レーザ装置２２と照射光学系２３は、ビアホール７の開口部に着弾した充填用液滴Ｆｆに充填用レーザＬｆを照射し、充填用液滴Ｆｆを充填用レーザＬｆの照射領域からビアホール７の内方に向けて流動させる。また、レーザ装置２２と照射光学系２３は、ビアホール７の内方に流動させた充填用液滴Ｆｆの領域に充填用レーザＬｆを連続して照射し、ビアホール７を充填した充填用液滴Ｆｆを乾燥する。
【選択図】図６

Description

本発明は、配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールに関する。

一般的に、回路モジュールの基板には、ガラスセラミックを利用した低温焼成セラミックス多層基板（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics多層基板）が知られてい
る。ＬＴＣＣ多層基板は、積層したグリーンシートを９００℃以下の低温で焼成できるため、内部配線に銀や金などの低融点金属を使用することができ、内部配線の低抵抗化を図ることができる。

多層基板の製造工程には、積層前の各シートにビアホールやスルーホールなどの各種の孔を穿孔する穿孔工程がある。穿孔工程には、孔径の微細化や加工精度の向上を図るため、レーザ光によって穿孔するレーザ加工が利用されている。特許文献１では、孔径を数十マイクロメートルに加工するため、ベース基板の絶縁層にＹＡＧレーザを照射する方法を提案している。特許文献２では、物質溶発率と加工精度の向上を図るため、回路基板の誘電層に中赤外領域のパルスレーザを照射する方法を提案している。

一方、多層基板の製造工程には、積層前の各シートに回路素子や配線のパターンを描画する描画工程がある。描画工程では、描画パターンの高密度化と製造コストの低減を図るため、液状体を液滴にして吐出するインクジェット法が利用されている。特許文献３及び特許文献４は、金属微粒子分散液や導電性ペーストの液滴を対象シートや孔に向けて吐出し、ライン配線やビア配線のパターンを描画する。
特開平５−４８２６９号公報 特表２０００−５１７１０３号公報 特開２００２−１００５４３号公報 特開２００３−３１８５４２号公報

ところで、特許文献４は、孔の開口部の周辺に向けて液滴を吐出し、開口部の周辺と孔の内側面の双方に液状体を塗布させる。これによって、孔の内側に導電性を付与して、孔の内側を介した電気的接続を可能にする。

しかしながら、開口部の周辺に着弾した液滴は、液滴自身の表面張力によって、その殆どが孔の開口部に定着する。つまり、開口部の周辺に着弾した液滴の殆どは、孔の内側面に沿って十分に濡れ広がることができない。しかも、近年では、多層基板の微細化にともない、孔径（例えば、２０μｍ）が液滴径（例えば、３０μｍ）よりも小さくなる場合がある。こうした場合、開口部の周辺に着弾した液滴は、開口部の全体を覆って孔内部への液状体の濡れ広がりを一層困難にさせる。そのため、単に開口部の周辺に向けて液滴を吐出するだけでは、孔の内側で導電性を損ない、孔の内側を介した電気的接続を不能にする虞があった。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、孔の内側に形成する配線の均一性を向上した配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供することである。

本発明の配線形成方法は、基板に孔を形成する穿孔工程と、前記孔を含む領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出工程と、前記基板に着弾した前記液滴の領域に第１のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を前記第１のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させて前記孔の内側に前記配線形成液を塗布する塗布工程と、を備えた。

本発明の配線形成方法によれば、第１のレーザが、基板に着弾した液滴を第１のレーザの照射領域から孔の内方に向けて流動させる。したがって、第１のレーザを照射する分だけ、孔の内側全体にわたって液滴を濡れ広がらせることができる。この結果、液滴の表面張力や孔のサイズに関わらず、孔の内側全体にわたって、より均一な配線を形成させることができる。

この配線形成方法において、前記穿孔工程は、第２のレーザを基板に照射して前記基板に孔を形成する。

この配線形成方法によれば、第２のレーザを照射して孔を形成させる。そのため、ポンチやドリルによって孔を形成させる場合に比べて高い加工精度を得ることができる。

この配線形成方法において、前記塗布工程は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第１のレーザを照射して前記液滴を乾燥する構成が好ましい。

この配線形成方法によれば、第１のレーザが、基板に着弾した液滴を孔の内方に流動させて、さらに孔の内方で乾燥させる。したがって、液滴の乾燥工程を別途実施する場合に比べて、より簡便な配線形成方法を提供することができる。

この配線形成方法において、前記穿孔工程は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴を前記基板に吐出し、前記穿孔用液滴の領域に前記可視領域又は近赤外領域の第２のレーザを照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、液滴吐出工程は、前記孔を含む前記基板の領域に可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する配線形成液の液滴を吐出し、前記塗布工程は、可視領域又は近赤外領域の前記第１のレーザを前記液滴の領域に照射して前記基板に着弾した前記液滴を前記第１のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させる構成が好ましい。

この配線形成方法によれば、穿孔工程で使用するレーザの波長領域と、塗布工程で使用するレーザの波長領域と、を可視領域又は近赤外領域に統一させることができる。したがって、レーザの照射系を可視領域又は近赤外領域に統一させることができ、より簡便な構成で配線形成方法を提供することができる。

この配線形成方法において、前記穿孔用液滴は、乾燥した状態で前記配線形成液に対する親液性を有する構成が好ましい。

この配線形成方法によれば、乾燥した穿孔用液滴が孔の領域に残存する場合であっても、配線形成液を、穿孔用液滴の残渣に阻害されることなく孔の内側全体にわたって濡れ広がらせることができる。

この配線形成方法において、前記穿孔工程は、前記配線形成液を前記穿孔用液滴にして前記基板に吐出する構成が好ましい。

この配線形成方法によれば、液滴吐出工程で利用する液状体と、穿孔工程で利用する液状体と、を配線形成液に統一させることができる。したがって、穿孔用液滴の液状体を別途利用する場合に比べて、より簡便な配線形成方法を提供することができる。

この配線形成方法において、前記液滴吐出工程は、前記配線形成液の液滴を前記孔の周辺にさらに吐出し、前記塗布工程は、前記孔の周辺に着弾した前記液滴の領域に前記第１のレーザをさらに照射して前記孔の周辺に着弾した前記液滴を乾燥する構成が好ましい。

この配線形成方法によれば、孔の内側と孔の周辺の双方に、連続する均一な配線を形成させることができる。

本発明の液滴吐出装置は、基板に形成された孔を含む前記基板の領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記基板に着弾した前記液滴の領域に前記液滴を流動させる第１のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させるレーザ照射手段と、を備えた。

本発明の液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段は、基板に着弾した液滴に第１のレーザを照射し、液滴を第１のレーザの照射領域から孔の内方に流動させる。したがって、第１のレーザを照射する分だけ、孔の内側全体にわたって液滴を濡れ広がらせることができる。この結果、液滴の表面張力や孔のサイズに関わらず、孔の内側全体にわたって均一な配線を形成させることができる。

この液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記基板に前記孔を形成するための第２のレーザを前記基板に出射する構成であってもよい。

この液滴吐出装置によれば、第２のレーザを照射して孔を形成させる。そのため、ポンチやドリルによって孔を形成させる場合に比べて高い加工精度を得ることができる。

この液滴吐出装置において、レーザ照射手段は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第１のレーザを照射して前記液滴を乾燥する構成が好ましい。

この液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段は、基板に着弾した液滴を孔の内方に流動させて、さらに孔の内方で乾燥させる。したがって、液滴の乾燥手段を別途搭載する場合に比べて、より簡便な構成の液滴吐出装置を提供することができる。

この液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記液滴吐出手段に対する前記第１のレーザの相対位置と、前記液滴吐出手段に対する前記第２のレーザの相対位置の少なくともいずれか一方を変位する変位手段を備える構成が好ましい。

この液滴吐出装置によれば、第１のレーザの照射経路と第２のレーザの照射経路の双方から液滴吐出手段を離間させることができる。したがって、液滴吐出手段の配置位置に関わらず、所望する領域に向けて各レーザを照射させることができる。

この液滴吐出装置において、前記液滴吐出手段は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴と、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する前記配線形成液の液滴と、を前記基板に吐出し、前記レーザ照射手段は、可視領域又は近赤外領域の前記第２のレーザを前記穿孔用液滴の着弾した領域に照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、可視領域又は近赤外領域の前記第１のレーザを前記配線形成液の液滴の領域に照射して前記配線形成液の液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させる構成が好ましい。

この配線形成方法によれば、共通する可視領域又は近赤外領域のレーザが、基板に孔を形成し、基板に着弾した液滴を孔の内方に流動させる。したがって、共通する可視領域又
は近赤外領域のレーザ装置によって穿孔と配線形成を行うことができ、より簡便な構成の液滴吐出装置を提供することができる。

本発明の回路モジュールは、基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された配線と、を備えた回路モジュールにおいて、前記配線は、上記液滴吐出装置によって形成された。

本発明の回路モジュールによれば、均一な配線からなる回路モジュールを提供することができる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図１１に従って説明する。まず、本発明の回路モジュール１について説明する。

図１において、回路モジュール１には、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、そのＬＴＣＣ多層基板２の上側に、ワイヤーボンディング接続された半導体チップ３と、が備えられている。

ＬＴＣＣ多層基板２は、シート状に形成された複数のＬＴＣＣ基板４の積層体である。各ＬＴＣＣ基板４は、それぞれガラスセラミック系材料（例えば、ホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミック成分の混合物）の焼結体であって、その厚みが数百μｍで形成されている。

各ＬＴＣＣ基板４には、抵抗素子、容量素子、コイル素子などの各種の回路素子５と、各回路素子５を電気的に接続する内部配線６と、スタックビア構造、サーマルビア構造を呈する所定の孔径（例えば、２０μｍ）を有した複数のビアホール７と、該ビアホール７に充填されたビア配線８と、が形成されている。

各内部配線６と各ビア配線８（図１のグラデーションを付した領域）は、それぞれ銀や銀合金などの金属微粒子の焼結体であって、本発明の液滴吐出装置を利用した配線形成方法によって形成される。なお、各ＬＴＣＣ基板４上の位置であって、各内部配線６、各ビアホール７、各ビア配線８の形成される位置を、目標形成位置とする。

次に、上記ＬＴＣＣ多層基板２を製造するための液滴吐出装置１０について図２〜図７に従って説明する。図２は、液滴吐出装置１０を説明する全体斜視図である。図３は、液滴吐出ヘッド２０を説明するための図である。図４〜図６は、それぞれレーザ装置２２を説明するための図である。

図２において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を有している。基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形成されている。案内溝１２の上方には、案内溝１２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動するステージ１３が備えられている。ステージ１３の上面には、載置部１４が形成されて、焼成前のＬＴＣＣ基板４（以下、単にグリーンシート４Ｇという。）を載置する。載置部１４は、載置された状態のグリーンシート４Ｇをステージ１３に対して位置決め固定して、グリーンシート４ＧをＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送する。

グリーンシート４Ｇは、４００ｎｍ〜１２００ｎｍ（可視領域又は近赤外領域：以下単に、選択波長という。）のレーザに対して高い反射率を有する。グリーンシート４Ｇは、選択波長のレーザを受けるとき、レーザの殆どを反射して自身の温度上昇を抑制する。

基台１１には、Ｙ矢印方向と直交する方向（Ｘ矢印方向）に跨ぐ門型のガイド部材１５が架設されている。ガイド部材１５の上側には、Ｘ矢印方向に延びるインクタンク１６が配設されている。インクタンク１６は、配線形成液としての金属インクＦを貯留し、貯留する金属インクＦを液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２０に所定の圧力で供給する。

金属インクＦは、選択波長のレーザに対して高い吸収率を有したインクである。金属インクＦには、例えば粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍの金属微粒子（Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｎなどの微粒子）を水系溶媒に分散させた水系金属インクを用いることができる。この金属インクＦは、乾燥あるいは焼成した状態で、金属インクＦに対する高い濡れ性（親液性）を有する。

金属インクＦは、所定のエネルギー（充填強度：例えば、５０ｍＷ／ｍｍ^２）を有した選択波長のレーザを局所的に受けるとき、レーザのエネルギーを金属インクＦの並進運動エネルギーに変換する。すなわち、金属インクＦは、選択波長のレーザを充填強度で局所的に受けるとき、レーザの照射領域からレーザの照射方向に沿って流動する。

金属インクＦは、充填強度よりも高いエネルギー（乾燥強度：例えば、１５０ｍＷ／ｍｍ^２）を有した選択波長のレーザを受けるとき、レーザのエネルギーを効果的に吸収して熱エネルギーに変換し、溶媒あるいは分散媒を蒸発させて乾燥する。

乾燥した状態の金属インクＦは、乾燥強度よりも高いエネルギー（穿孔強度：例えば、数Ｗ／ｍｍ^２）を有した選択波長のレーザを受けるとき、レーザのエネルギーを効果的に熱エネルギーに変換して昇華する。昇華する金属インクＦは、熱エネルギーを下地（グリーンシート４Ｇ）に付与して、所定孔径（例えば、２０μｍ）を有した円形孔（ビアホール）をグリーンシート４Ｇに穿孔する。

ガイド部材１５には、そのＸ矢印方向略全幅にわたって、Ｘ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール１８が形成されている。上下一対のガイドレール１８には、反Ｘ矢印方向から見てＬ字状を呈するキャリッジ１９が取り付けられている。キャリッジ１９は、ガイドレール１８に案内されてＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動する。

キャリッジ１９の底片１９ａには、上下方向に貫通する矩形孔（照射孔１９ｈ）が形成されている。キャリッジ１９の底片１９ａであって照射孔１９ｈの反Ｙ矢印方向には、液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２０が搭載されている。また、キャリッジ１９の連結部１９ｂであって、照射孔１９ｈの直上には、変位手段を構成する上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂが配設されている。上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂには、それぞれレーザ照射手段を構成するレーザ装置２２と照射光学系２３が上下動可能に搭載されている。

図３において、吐出ヘッド２０の下側には、ノズルプレート２４が備えられている。ノズルプレート２４は、その下面（ノズル形成面２４ａ）がグリーンシート４Ｇの上面（吐出面４Ｇａ）と略平行に形成されている。ノズルプレート２４は、グリーンシート４Ｇが吐出ヘッド２０の直下に位置するとき、ノズル形成面２４ａと吐出面４Ｇａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定の距離（例えば、６００μｍ）に保持する。

ノズル形成面２４ａには、そのＸ矢印方向略全幅（約１インチ）にわたって配列された３６０個のノズルＮを有する。各ノズルＮは、それぞれノズル形成面２４ａの法線方向に沿ってノズルプレート２４に貫通形成されている。各ノズルＮの上側には、それぞれインクタンク１６に連通するキャビティ２５が形成されている。キャビティ２５は、インクタ
ンク１６からの金属インクＦを収容して、対応するノズルＮに金属インクＦを供給する。各キャビティ２５の上側には、上下方向に振動してキャビティ２５内の容積を拡大及び縮小する振動板２６が貼り付けられている。振動板２６の上側には、各ノズルＮに対応する複数の圧電素子ＰＺが配設されている。各圧電素子ＰＺは、それぞれ上下方向に収縮及び伸張して振動板２６を上下方向に振動させる。上下方向に振動する振動板２６は、金属インクＦを所定の粒径（例えば、２５μｍ）からなる液滴にして対応するノズルＮから吐出させる。

本実施形態では、ビアホール７を穿孔するための液滴を穿孔用液滴Ｆｈとし、内部配線６を形成するための液滴を配線用液滴Ｆｖとし、ビア配線８を形成するための液滴を充填用液滴Ｆｆとする。

各液滴Ｆｈ，Ｆｖ，Ｆｆは、それぞれ対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行して、対向する吐出面４Ｇａに着弾する。この際、充填用液滴Ｆｆは、ビアホール７の直上に着弾するとき、その粒径（例えば、２５μｍ）をビアホール７の孔径（例えば、２０μｍ）よりも大きくし、かつ、ビアホール７の開口部周辺（吐出面４Ｇａ）とビアホール７の内側（空気）との間で表面エネルギーを不連続にする。このため、ビアホール７の直上に着弾する充填用液滴Ｆｆは、その殆どがビアホール７の内側に濡れ広がることなく、ビアホール７の開口を塞ぐように定着する。

本実施形態では、吐出面４Ｇａ上の位置であって、各ノズルＮの直下に対応する位置、すなわち各液滴Ｆｖ，Ｆｈ，Ｆｆの着弾する位置を、それぞれ着弾位置Ｐ１とする。

図４〜図６において、上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂは、それぞれキャリッジ１９に配設されたモータに連結駆動されて、それぞれレーザ装置２２と照射光学系２３をＺ矢印方向及び反Ｚ矢印方向に変位する。上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂは、該モータを駆動するための駆動信号を受けてレーザ装置２２と照射光学系２３を上下方向に配置移動する。

レーザ装置２２は、各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対応する複数の半導体レーザＬＤ（図７参照）を有したレーザアレイを搭載している。レーザ装置２２は、各半導体レーザＬＤを駆動するための駆動信号を受けて、所定の強度を有した選択波長のレーザ（例えば、８０８ｎｍのレーザ）を各ノズルＮに対応させて照射光学系２３に向けて出射する。

照射光学系２３は、各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対応する複数のミラー素子ＭＤ（図７参照）を有したデジタルミラーアレイや該ミラーアレイに対応するシリンドリカルレンズを搭載している。照射光学系２３は、各ミラー素子ＭＤを駆動するための駆動信号を受けて、レーザ装置２２からのレーザを所定の方向に偏向して吐出面４Ｇａ上の位置を照射する。

すなわち、図４に示すように、上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂは、それぞれビアホール７を穿孔するための信号を受けて、レーザ装置２２と照射光学系２３を穿孔位置（図４の実線位置）に配置移動してグリーンシート４Ｇに近づける。レーザ装置２２は、ビアホール７を穿孔するための信号を受けて、穿孔強度のレーザ（穿孔用レーザＬｈ）を出射する。照射光学系２３は、ビアホール７を穿孔するための信号を受けて、その反Ｚ矢印方向に位置する乾燥した穿孔用液滴Ｆｈ（穿孔用パターンＤｈ）の領域に向けて穿孔用レーザＬｈを照射する。穿孔用パターンＤｈは、穿孔用レーザＬｈを熱エネルギーに変換し、自身の昇華とともに、ビアホール７を下地（グリーンシート４Ｇ）に穿孔する。

これによって、レーザ装置２２と照射光学系２３は、比較的高い強度の穿孔用レーザＬ
ｈをグリーンシート４Ｇの近傍から照射させることができる。そして、レーザ装置２２と照射光学系２３は、穿孔用レーザＬｈに対して高い反射率を有するグリーンシート４Ｇにビアホール７を穿孔させることができる。

また、図５に示すように、上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂは、それぞれ配線用液滴Ｆｖあるいは穿孔用液滴Ｆｈを乾燥するための信号を受けて、レーザ装置２２と照射光学系２３を穿孔位置（図５の二点鎖線位置）よりも上方の位置（乾燥位置：図５の実線位置）に配置移動する。レーザ装置２２は、配線用液滴Ｆｖあるいは穿孔用液滴Ｆｈを乾燥するための信号を受けて、乾燥強度のレーザ（乾燥用レーザＬｖ）を出射する。照射光学系２３は、配線用液滴Ｆｖあるいは穿孔用液滴Ｆｈを乾燥するための信号を受けて、その反Ｚ矢印方向に位置する配線用液滴Ｆｖあるいは穿孔用液滴Ｆｈの領域に向けて乾燥用レーザＬｖを照射する。配線用液滴Ｆｖあるいは穿孔用液滴Ｆｈは、乾燥用レーザＬｖを熱エネルギーに変換し、溶媒あるいは分散媒を蒸発して乾燥する。

これによって、レーザ装置２２と照射光学系２３は、穿孔用レーザＬｈと共通する光源を利用して配線用液滴Ｆｖあるいは穿孔用液滴Ｆｈを乾燥させることができる、すなわち内部配線６あるいは穿孔用パターンＤｈを形成させることができる。また、レーザ装置２２と照射光学系２３は、グリーンシート４Ｇが乾燥用レーザＬｖに対して高い反射率を有するため、グリーンシート４Ｇの熱的損傷を軽減させることができる。

また、図６に示すように、上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂは、充填用液滴Ｆｆを流動させるための信号を受けて、レーザ装置２２と照射光学系２３を乾燥位置（図６の二点鎖線位置）よりも上方の位置（充填位置：図６の実線位置）に配置移動する。レーザ装置２２は、充填用液滴Ｆｆを流動させるための信号を受けて、充填強度のレーザ（充填用レーザＬｆ）を出射する。照射光学系２３は、充填用液滴Ｆｆを流動させるための信号を受けて、着弾位置Ｐ１に位置する充填用液滴Ｆｆの領域に向けて充填用レーザＬｆを照射する。充填用液滴Ｆｆは、充填用レーザＬｆのエネルギーをレーザの照射方向に沿った並進運動エネルギーに変換して、充填用レーザＬｆの照射方向、すなわちビアホール７の内方に向けて流動する。

これによって、レーザ装置２２と照射光学系２３は、穿孔用レーザＬｈ及び乾燥用レーザＬｖと共通する光源を利用して充填用液滴Ｆｆをビアホール７の内方に充填させることができる。また、レーザ装置２２と照射光学系２３は、充填用レーザＬｆを充填用液滴Ｆｆに照射し続けることによって、充填用レーザＬｆをビアホール７の内方で乾燥させることができる。さらに、レーザ装置２２と照射光学系２３は、吐出ヘッド２０の上方から充填用レーザＬｆを照射させるため、充填用レーザＬｆの照射方向をビアホール７の深さ方向に近づけることができる。

本実施形態では、吐出面４Ｇａ上の位置であって、照射光学系２３が各種レーザを照射する位置を、それぞれ照射位置Ｐ２とする。

次に、上記液滴吐出装置１０の電気的構成について図７に従って説明する。

図７において、制御装置３０は、ＣＰＵ３０Ａ、ＲＯＭ３０Ｂ、ＲＡＭ３０Ｃなどを有している。制御装置３０は、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ１３の搬送処理、キャリッジ１９の搬送処理、液滴吐出ヘッド２０の液滴吐出処理、レーザ装置２２のレーザ照射処理などを実行する。

制御装置３０には、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置３１が接続されている。入出力装置３１は、液滴吐出装置１０が実行する各種処理の処理状況を表示す
る。入出力装置３１は、ビアホール７を形成するためのビットマップデータ（穿孔用データＢＤｈ）と、内部配線６及びビア配線８を形成するためのビットマップデータ（配線用データＢＤｖ）を生成し、これら穿孔用データＢＤｈ及び配線用データＢＤｖを制御装置３０に入力する。

穿孔用データＢＤｈは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定したデータである。穿孔用データＢＤｈは、吐出ヘッド２０（各ノズルＮ）の通過する描画平面（吐出面４Ｇａ）上の各位置に、それぞれ穿孔用液滴Ｆｈを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、穿孔用データＢＤｈは、吐出面４Ｇａに規定されたビアホール７の位置に穿孔用液滴Ｆｈを吐出させるためのデータである。

配線用データＢＤｖは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定したデータである。配線用データＢＤｖは、吐出ヘッド２０（各ノズルＮ）の通過する描画平面（吐出面４Ｇａ）上の各位置に、それぞれ充填用液滴Ｆｆと配線用液滴Ｆｖを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、配線用データＢＤｖは、吐出面４Ｇａに規定された各ビアホール７の目標形成位置に充填用液滴Ｆｆを吐出させるデータであって、かつ、吐出面４Ｇａに規定された内部配線６の目標形成位置に配線用液滴Ｆｖを吐出させるためのデータである。

制御装置３０には、Ｘ軸モータ駆動回路３２が接続されている。制御装置３０は、Ｘ軸モータ駆動回路３２に対応する駆動制御信号をＸ軸モータ駆動回路３２に出力する。Ｘ軸モータ駆動回路３２は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ１９を移動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。

制御装置３０には、Ｙ軸モータ駆動回路３３が接続されている。制御装置３０は、Ｙ軸モータ駆動回路３３に対応する駆動制御信号をＹ軸モータ駆動回路３３に出力する。Ｙ軸モータ駆動回路３３は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して、ステージ１３を移動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。

制御装置３０には、Ｚ軸モータ駆動回路３４が接続されている。制御装置３０は、Ｚ軸モータ駆動回路に対応する駆動制御信号をＺ軸モータ駆動回路３４に出力する。Ｚ軸モータ駆動回路３４は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して、上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂを移動させるためのＺ軸モータＭＺを正転又は逆転させる。すなわち、Ｚ軸モータ駆動回路３４は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答してビアホール７を穿孔するための信号（穿孔位置信号Ｐｈ）を生成し、レーザ装置２２と照射光学系２３を穿孔位置に配置移動させる。また、Ｚ軸モータ駆動回路３４は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して配線用液滴Ｆｖと穿孔用液滴Ｆｈを乾燥するための信号（乾燥位置信号Ｐｖ）を生成し、レーザ装置２２と照射光学系２３を乾燥位置に配置移動させる。また、Ｚ軸モータ駆動回路３４は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して充填用液滴Ｆｆを流動させるための信号（充填位置信号Ｐｆ）を生成し、レーザ装置２２と照射光学系２３を充填位置に配置移動させる。

制御装置３０には、ヘッド駆動回路３５が接続されている。制御装置３０は、所定の吐出周波数に同期させた吐出タイミング信号ＬＴをヘッド駆動回路３５に出力する。制御装置３０は、各圧電素子ＰＺを駆動するための駆動電圧ＣＯＭを吐出周波数に同期させてヘッド駆動回路３５に出力する。

制御装置３０は、穿孔用データＢＤｈを利用して所定の周波数に同期した穿孔用制御信号ＳＩｈを生成し、穿孔用制御信号ＳＩｈをヘッド駆動回路３５にシリアル転送する。ヘッド駆動回路３５は、制御装置３０からの穿孔用制御信号ＳＩｈを各圧電素子ＰＺに対応
させて順次シリアル／パラレル変換する。ヘッド駆動回路３５は、制御装置３０からの吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した穿孔用制御信号ＳＩｈをラッチし、穿孔用制御信号ＳＩｈによって選択される圧電素子ＰＺにそれぞれ駆動電圧ＣＯＭを供給する。ヘッド駆動回路３５は、制御装置３０からの吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに、ラッチした穿孔用制御信号ＳＩｈをレーザ駆動回路３６と光学系駆動回路３７に入力する。

制御装置３０は、配線用データＢＤｖを利用して所定の周波数に同期した配線用制御信号ＳＩｖを生成し、配線用制御信号ＳＩｖをヘッド駆動回路３５にシリアル転送する。ヘッド駆動回路３５は、制御装置３０からの配線用制御信号ＳＩｖを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。ヘッド駆動回路３５は、制御装置３０からの吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した配線用制御信号ＳＩｖをラッチし、配線用制御信号ＳＩｖによって選択される圧電素子ＰＺにそれぞれ駆動電圧ＣＯＭを供給する。ヘッド駆動回路３５は、制御装置３０からの吐出タイミング信号ＬＴを受けるたびに、ラッチした配線用制御信号ＳＩｖをレーザ駆動回路３６と光学系駆動回路３７に入力する。

制御装置３０には、レーザ駆動回路３６が接続されている。制御装置３０は、レーザ駆動回路３６に対応する駆動制御信号をレーザ駆動回路３６に出力する。レーザ駆動回路３６は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して、穿孔用レーザＬｈを出射するための信号（穿孔強度信号Ｉｈ）と、乾燥用レーザＬｖを出射するための信号（乾燥強度信号Ｉｖ）と、充填用レーザＬｆを出射ための信号（充填強度信号Ｉｆ）を生成する。

レーザ駆動回路３６は、穿孔用パターンＤｈが照射位置Ｐ２に位置するとき、ヘッド駆動回路３５からの穿孔用制御信号ＳＩｈによって選択される半導体レーザＬＤに穿孔強度信号Ｉｈを供給する。レーザ駆動回路３６は、配線用液滴Ｆｖが照射位置Ｐ２に位置するとき、ヘッド駆動回路３５からの配線用制御信号ＳＩｖによって選択される半導体レーザＬＤに乾燥強度信号Ｉｖを供給する。レーザ駆動回路３６は、充填用液滴Ｆｆが着弾位置Ｐ１に位置するとき、配線用制御信号ＳＩｖよって選択された半導体レーザＬＤに充填強度信号Ｉｆを供給する。

制御装置３０には、光学系駆動回路３７が接続されている。制御装置３０は、光学系駆動回路３７に対応する駆動制御信号を光学系駆動回路３７に出力する。光学系駆動回路３７は、制御装置３０からの駆動制御信号に応答して、穿孔用レーザＬｈを照射位置Ｐ２に向けて照射するための信号（穿孔偏向信号Ｄｈ）と、乾燥用レーザＬｖを照射位置Ｐ２に向けて照射するための信号（乾燥偏向信号Ｄｖ）と、充填用レーザＬｆを着弾位置Ｐ１に向けて照射するための信号（充填偏向信号Ｄｆ）を生成する。

光学系駆動回路３７は、穿孔用パターンＤｈが照射位置Ｐ２に位置するとき、ヘッド駆動回路３５からの穿孔用制御信号ＳＩｈによって選択されるミラー素子ＭＤを駆動制御し、対応する半導体レーザＬＤからの穿孔用レーザＬｈを穿孔用パターンＤｈの領域に向けて照射する。レーザ駆動回路３６は、配線用液滴Ｆｖが照射位置Ｐ２に位置するとき、ヘッド駆動回路３５からの配線用制御信号ＳＩｖによって選択されるミラー素子ＭＤを駆動制御し、対応する半導体レーザＬＤからの乾燥用レーザＬｖを配線用液滴Ｆｖの領域に向けて照射する。レーザ駆動回路３６は、充填用液滴Ｆｆが着弾位置Ｐ１に位置するとき、ヘッド駆動回路３５からの配線用制御信号ＳＩｖによって選択されたミラー素子ＭＤを駆動制御し、対応する半導体レーザＬＤからの充填用レーザＬｆを充填用液滴Ｆｆの領域に向けて照射する。

次に、上記液滴吐出装置１０を利用したＬＴＣＣ多層基板２の製造方法について説明す
る。まず、グリーンシート４Ｇにビアホール７を穿孔する穿孔工程について説明する。

図２に示すように、吐出面４Ｇａが上側になるようにグリーンシート４Ｇをステージ１３に載置する。このとき、ステージ１３は、グリーンシート４Ｇをキャリッジ１９の反Ｙ矢印方向に配置する。この状態から、穿孔用データＢＤｈと配線用データＢＤｖが入出力装置３１から制御装置３０に入力される。制御装置３０は、入出力装置３１からの穿孔用データＢＤｈと配線用データＢＤｖを格納する。

次いで、制御装置３０は、グリーンシート４ＧがＹ矢印方向に走査されるときに着弾位置Ｐ１がビアホール７の目標形成位置を通過するように、Ｘ軸モータ駆動回路３２を介してキャリッジ１９をセットする。また、制御装置３０は、Ｚ軸モータ駆動回路３４を介してＺ軸モータＭＺに乾燥位置信号Ｐｖを入力し、レーザ装置２２と照射光学系２３を乾燥位置にセットする。制御装置３０は、キャリッジ１９、レーザ装置２２、照射光学系２３をセットすると、Ｙ軸モータ駆動回路３３を介してグリーンシート４Ｇの走査を開始する。

制御装置３０は、グリーンシート４Ｇの走査を開始すると、穿孔用データＢＤｈを利用した穿孔用制御信号ＳＩｈを生成して、穿孔用制御信号ＳＩｈと駆動電圧ＣＯＭをヘッド駆動回路３５に転送する。すなわち、制御装置３０は、ヘッド駆動回路３５を介して各圧電素子ＰＺを駆動制御し、ビアホール７の目標形成位置が着弾位置Ｐ１に位置するたびに、選択されたノズルＮに穿孔用液滴Ｆｈを吐出させる。図８に示すように、吐出される各穿孔用液滴Ｆｈは、対応するビアホール７の目標形成位置に着弾し、照射位置Ｐ２に向けて順次搬送される。

制御装置３０は、グリーンシート４Ｇの走査を開始すると、レーザ駆動回路３６と光学系駆動回路３７を介して各半導体レーザＬＤと各ミラー素子ＭＤを駆動制御する。すなわち、図８に示すように、制御装置３０は、ビアホール７の目標形成位置（穿孔用液滴Ｆｈ）が照射位置Ｐ２に位置するたびに、選択された半導体レーザＬＤからの乾燥用レーザＬｖを対応する照射位置Ｐ２の領域に向けて照射する。照射位置Ｐ２を通過する穿孔用液滴Ｆｈは、乾燥用レーザＬｖによって乾燥して穿孔用パターンＤｈを形成する。

制御装置３０は、吐出面４Ｇａに穿孔用パターンＤｈを形成すると、Ｚ軸モータ駆動回路３４を介してＺ軸モータＭＺに穿孔位置信号Ｐｈを入力し、レーザ装置２２と照射光学系２３を穿孔位置にセットする。制御装置３０は、レーザ装置２２、照射光学系２３をセットすると、Ｙ軸モータ駆動回路３３を介して、最もＹ矢印方向に位置する穿孔用パターンＤｈから順に照射位置Ｐ２に配置移動させる。

制御装置３０は、穿孔用データＢＤｈを利用した穿孔用制御信号ＳＩｈを生成して、穿孔用制御信号ＳＩｈを再びヘッド駆動回路３５に転送する。制御装置３０は、ヘッド駆動回路３５を介した穿孔用制御信号ＳＩｈによってレーザ駆動回路３６と光学系駆動回路３７に各半導体レーザＬＤと各ミラー素子ＭＤを駆動制御させる。すなわち、図９に示すように、制御装置３０は、穿孔用パターンＤｈが照射位置Ｐ２に位置するたびに、選択された半導体レーザＬＤからの穿孔用レーザＬｈを照射位置Ｐ２の領域に照射する。照射位置Ｐ２に位置する穿孔用パターンＤｈは、穿孔用レーザＬｈを熱エネルギーに変換して、下地のグリーンシート４Ｇにビアホール７を穿孔する。この際、ビアホール７の開口周辺には、穿孔用パターンＤｈが残存する。穿孔用パターンＤｈの残渣は、後続する金属インクＦに対して親液性を呈する。

これによって、穿孔用レーザＬｈに対して高い反射率を有するグリーンシート４Ｇに各ビアホール７を穿孔させることができる。

次に、ビアホール７の領域に充填用液滴Ｆｆ及び配線用液滴Ｆｖを吐出する液滴吐出工程と、ビアホール７の内方に充填用液滴Ｆｆを塗布する塗布工程と、について説明する。

まず、制御装置３０は、Ｚ軸モータ駆動回路３４を介してＺ軸モータＭＺに充填位置信号Ｐｆを入力し、レーザ装置２２と照射光学系２３を充填位置にセットする。制御装置３０は、レーザ装置２２、照射光学系２３をセットすると、Ｙ軸モータ駆動回路３３を介して、最もＹ矢印方向に位置するビアホール７から順にその中心位置を着弾位置Ｐ１（照射位置Ｐ２）に配置移動させる。

制御装置３０は、配線用データＢＤｖを利用した配線用制御信号ＳＩｖを生成して、配線用制御信号ＳＩｖと駆動電圧ＣＯＭをヘッド駆動回路３５に転送する。制御装置３０は、ビアホール７の中心位置が着弾位置Ｐ１に位置するたびに、ヘッド駆動回路３５を介して対応する圧電素子ＰＺを駆動制御し、選択されたノズルＮから充填用液滴Ｆｆを吐出させる。図１０に示すように、吐出された充填用液滴Ｆｆは、対応するビアホール７の開口部に着弾して定着する。

制御装置３０は、ヘッド駆動回路３５を介した配線用制御信号ＳＩｖによって、レーザ駆動回路３６と光学系駆動回路３７にそれぞれ各半導体レーザＬＤと各ミラー素子ＭＤを駆動制御させる。すなわち、図１０に示すように、制御装置３０は、選択された半導体レーザＬＤからの充填用レーザＬｆを対応する着弾位置Ｐ１の領域（ビアホール７の開口部に定着した充填用液滴Ｆｆの領域）に照射する。充填用液滴Ｆｆは、充填用レーザＬｆのエネルギーをレーザの照射方向に沿った並進運動エネルギーに変換して、充填用レーザＬｆの照射方向、すなわちビアホール７の内方に向けて流動し、やがてビアホール７を充填する。この際、流動する充填用液滴Ｆｆは、穿孔用パターンＤｈの残渣が親液性を有する分だけ、ビアホール７の内方に向けて円滑に濡れ広がる。そして、ビアホール７を充填する充填用液滴Ｆｆは、充填用レーザＬｆの連続する照射によってビアホール７の内方で乾燥する。

以後同様に、制御装置３０は、対象となるビアホール７が充填用液滴Ｆｆで満たされるまで、充填用液滴Ｆｆの液滴吐出処理と、充填用レーザＬｆのレーザ照射処理と、を交互に繰り返す。

図１１に示すように、制御装置３０は、ビアホール７を乾燥した充填用液滴Ｆｆで満たしてビア配線８を形成すると、Ｚ軸モータ駆動回路３４を介してＺ軸モータＭＺに乾燥位置信号Ｐｖを入力し、レーザ装置２２と照射光学系２３を乾燥位置にセットする。制御装置３０は、レーザ装置２２、照射光学系２３をセットすると、Ｙ軸モータ駆動回路３３を介して、内部配線６の目標形成位置を順次着弾位置Ｐ１に配置移動させる。制御装置３０は、内部配線６の目標形成位置が着弾位置Ｐ１に位置するたびに、ヘッド駆動回路３５を介して対応する圧電素子ＰＺを駆動制御し、選択されたノズルＮから配線用液滴Ｆｖを吐出させる。吐出された配線用液滴Ｆｖは、内部配線６の目標形成位置に着弾して順次照射位置Ｐ２に向けて搬送される。

制御装置３０は、ヘッド駆動回路３５を介した配線用制御信号ＳＩｖによって、レーザ駆動回路３６と光学系駆動回路３７にそれぞれ各半導体レーザＬＤと各ミラー素子ＭＤを駆動制御させる。すなわち、図１１に示すように、制御装置３０は、選択された半導体レーザＬＤからの乾燥用レーザＬｖを対応する照射位置Ｐ２の領域（配線用液滴Ｆｖの領域）に向けて照射する。照射位置Ｐ２を通過する配線用液滴Ｆｖは、乾燥用レーザＬｖによって乾燥して内部配線６を形成する。

以後同様に、制御装置３０は、対象となるビアホール７が着弾位置Ｐ１に位置するたびに、レーザ装置２２と照射光学系２３を充填位置にセットしてビア配線８を形成する。また、制御装置３０は、対象となる内部配線６の形成位置が着弾位置Ｐ１と照射位置Ｐ２に位置するたびに、レーザ装置２２と照射光学系２３を乾燥位置にセットして内部配線６を形成する。

グリーンシート４Ｇにビアホール７、ビア配線８及び内部配線６を形成すると、複数のグリーンシート４Ｇを積層して一括焼成する。これによって、ビアホール７の全体にわたって充填されたビア配線８を有するＬＴＣＣ多層基板２を形成することができる。

次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。

（１）上記実施形態によれば、レーザ装置２２と照射光学系２３は、ビアホール７の開口部に着弾した充填用液滴Ｆｆに向けて充填用レーザＬｆを照射し、充填用液滴Ｆｆを充填用レーザＬｆの照射領域からビアホール７の内方に向けて流動させる。したがって、充填用レーザＬｆを照射する分だけ、ビアホール７の内側全体にわたって金属インクＦを濡れ広がらせることができる。この結果、充填用液滴Ｆｆの表面張力やビアホール７のサイズに関わらず、ビアホール７の内側全体にわたって、より均一なビア配線８を形成させることができる。

（２）上記実施形態によれば、レーザ装置２２と照射光学系２３は、ビアホール７の内方に流動させた充填用液滴Ｆｆの領域に充填用レーザＬｆを連続して照射する。したがって、ビアホール７の内方に流動させた充填用液滴Ｆｆを、さらにビアホール７の内方で乾燥させることができる。この結果、充填用液滴Ｆｆの乾燥工程を別途実施する場合に比べて、より簡便な方法で均一なビア配線８を形成させることができる。

（３）上記実施形態によれば、液滴吐出ヘッド２０は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴Ｆｈ、配線用液滴Ｆｖ、充填用液滴Ｆｆをそれぞれビアホール７の目標形成位置、内部配線６の目標形成位置、ビアホール７の開口部に吐出する。レーザ装置２２と照射光学系２３は、穿孔用液滴Ｆｈあるいは配線用液滴Ｆｖの着弾した領域に可視領域又は近赤外領域の乾燥用レーザＬｖを照射して穿孔用パターンＤｈあるいは内部配線６を形成する。また、レーザ装置２２と照射光学系２３は、穿孔用パターンＤｈに可視領域又は近赤外領域の穿孔用レーザＬｈを照射してビアホール７を形成する。さらに、レーザ装置２２と照射光学系２３は、充填用液滴Ｆｆに可視領域又は近赤外領域の充填用レーザＬｆを照射してビア配線８を形成する。

したがって、穿孔用パターンＤｈ、内部配線６、ビア配線８を形成するためのレーザを、共通する可視領域又は近赤外領域に統一させることができる。そのため、各種レーザの照射系を可視領域又は近赤外領域に統一させることができ、より簡便な構成によって各種配線を形成させることができる。

（４）また、レーザ装置２２と照射光学系２３は、グリーンシート４Ｇに対して高い反射率を有するレーザによって、ビアホール７、ビア配線８、内部配線６を形成する。したがって、レーザ照射によるグリーンシート４Ｇの熱的損傷を軽減させることができる。

（５）しかも、穿孔用液滴Ｆｈと配線用液滴Ｆｖが、共通する金属インクＦによって構成される。したがって、穿孔用液滴Ｆｈを形成するための液状体を別途利用する場合に比べて、より簡便な構成で均一なビア配線８を形成させることができる。

（６）上記実施形態によれば、穿孔用液滴Ｆｈは、乾燥した状態で充填用液滴Ｆｆある
いは配線用液滴Ｆｖに対する親液性を有する。したがって、乾燥した状態の穿孔用液滴Ｆｈがビアホール７の領域に残存する場合であっても、金属インクＦを、穿孔用液滴Ｆｈの残渣に阻害されることなく所望の領域（例えば、ビアホール７の内方や内部配線６の領域）に濡れ広がらせることができる。

（７）上記実施形態では、配線用液滴Ｆｖをビアホール７の開口部の周辺に吐出し、着弾した配線用液滴Ｆｖの領域に乾燥用レーザＬｖを照射して内部配線６を形成する。したがって、ビアホール７の開口部の周辺に、ビアホール７の内側（ビア配線８）と連続する均一な配線（内部配線６）を形成させることができる。

（８）上記実施形態によれば、レーザ装置２２と照射光学系２３は、上下一対のＺ軸ステージ２１ａ，２１ｂによって、穿孔位置、乾燥位置、充填位置を配置移動する。したがって、レーザ装置２２と照射光学系２３を配置移動させる分だけ、液滴吐出ヘッド２０を、穿孔用レーザＬｈ、乾燥用レーザＬｖ、充填用レーザＬｆから離間させることができる。よって、液滴吐出ヘッド２０をレーザの照射領域から離間させる分だけ、液滴吐出ヘッド２０の配設位置に起因した照射条件の制約を回避させることができる。ひいては、穿孔用レーザＬｈ、乾燥用レーザＬｖ、充填用レーザＬｆの照射条件（照射位置や偏向角度など）の自由度を拡張させることができる。

尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、レーザ装置２２からの穿孔用レーザＬｈを穿孔用パターンＤｈに照射してビアホール７を形成する構成にした。これに限らず、例えば、ビアホール７をポンチやドリル加工によって穿孔する構成にしてもよい。

・上記実施形態では、基板を、グリーンシート４Ｇに具体化した。これに限らず、例えは、基板を、ポリイミド基板やガラエポ基板などに具体化してもよい。この際、レーザの選択波長は、ポリイミド基板やガラエポ基板が高い反射率を有する領域に設定される構成が好ましい。

・上記実施形態では、レーザ装置２２と照射光学系２３が、それぞれ各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対応する半導体レーザＬＤと各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対応するミラー素子ＭＤを有する構成した。これに限らず、例えばレーザ装置２２と照射光学系２３が、それぞれ各ノズルＮに共通する半導体レーザとミラーデバイスを有する構成であってもよい。すなわち、レーザ照射手段は、基板に孔を形成する第２のレーザ（穿孔用レーザＬｈ）と、基板に着弾した液滴を流動させる第１のレーザ（充填用レーザＬｆ）と、を基板に向けて照射する構成であればよい。

・上記実施形態では、ビアホール７に充填された充填用液滴Ｆｆを充填用レーザＬｆによって乾燥させる構成にした。これに限らず、例えば、充填用液滴Ｆｆをビアホール７の内方に充填させた後、レーザ装置２２と照射光学系２３を乾燥位置に配置移動し、乾燥用レーザＬｖを着弾位置Ｐ１に向けて照射して充填用液滴Ｆｆを乾燥させる構成にしてもよい。さらには、ビアホール７に充填された充填用液滴Ｆｆを所定の乾燥炉で乾燥させる構成にしてもよい。すなわち、本発明は、充填用液滴Ｆｆの乾燥方法に限定されるものではなく、充填用液滴Ｆｆを充填用レーザＬｆの照射によってビアホール７の内方に流動させる構成であればよい。

・上記実施形態では、液滴吐出手段を、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２０に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。

・上記実施形態では、孔をビアホール７に具体化した。これに限らず、例えば孔をスルーホールに具体化してもよい。

・上記実施形態では、各半導体レーザＬＤに穿孔強度信号Ｉｈ、乾燥強度信号Ｉｖ、充填強度信号Ｉｆを供給し、照射するレーザ（穿孔用レーザＬｈ、乾燥用レーザＬｖ、充填用レーザＩｆ）の強度を変調させる構成にした。これに限らず、照射光学系２３がレーザ装置２２からのレーザをデフォーカスして照射し、レーザの強度を変調させる構成にしてもよい。

本発明の回路モジュールを示す側断面図。 同じく、液滴吐出装置を示す斜視図。 同じく、液滴吐出ヘッドを示す側断面図。 同じく、レーザ照射手段を説明する図。 同じく、レーザ照射手段を説明する図。 同じく、レーザ照射手段を説明する図。 同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。 同じく、ＬＴＣＣ多層基板の製造方法を説明する図。 同じく、ＬＴＣＣ多層基板の製造方法を説明する図。 同じく、ＬＴＣＣ多層基板の製造方法を説明する図。 同じく、ＬＴＣＣ多層基板の製造方法を説明する図。

符号の説明

Ｆ…配線形成液としての金属インク、Ｆｆ…充填用液滴、Ｆｈ…穿孔用液滴、Ｆｖ…配線用液滴、１…回路モジュール、４…基板としてのグリーンシート、５…回路素子、６…配線を構成する内部配線、７…孔としてのビアホール、８…配線を構成するビア配線、１０…液滴吐出装置、２０…液滴吐出ヘッド、２１ａ，２１ｂ…変位手段を構成するＺ軸ステージ、２２…レーザ照射手段を構成するレーザ装置、２３…レーザ照射手段を構成する照射光学系。

Claims (13)

1. 基板に孔を形成する穿孔工程と、
   前記孔を含む領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出工程と、
   前記基板に着弾した前記液滴の領域に第１のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を前記第１のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させて前記孔の内側に前記配線形成液を塗布する塗布工程と、
   を備えたことを特徴とした配線形成方法。
2. 請求項１に記載の配線形成方法において、
   前記穿孔工程は、第２のレーザを基板に照射して前記基板に孔を形成することを特徴とした配線形成方法。
3. 請求項１又は２に記載の配線形成方法において、
   前記塗布工程は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第１のレーザを照射して前記液滴を乾燥すること、
   を特徴とした配線形成方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線形成方法において、
   前記穿孔工程は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴を前記基板に吐出し、前記穿孔用液滴の領域に前記可視領域又は近赤外領域の第２のレーザを照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、
   液滴吐出工程は、前記孔を含む前記基板の領域に可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する配線形成液の液滴を吐出し、
   前記塗布工程は、可視領域又は近赤外領域の前記第１のレーザを前記液滴の領域に照射して前記基板に着弾した前記液滴を前記第１のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させること、
   を特徴とした配線形成方法。
5. 請求項４に記載の配線形成方法において、
   前記穿孔用液滴は、乾燥した状態で前記配線形成液に対する親液性を有すること、
   を特徴とした配線形成方法。
6. 請求項４又は５に記載の配線形成方法において、
   前記穿孔工程は、前記配線形成液を前記穿孔用液滴にして前記基板に吐出すること、
   を特徴とした配線形成方法。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線形成方法において、
   前記液滴吐出工程は、前記配線形成液の液滴を前記孔の周辺にさらに吐出し、
   前記塗布工程は、前記孔の周辺に着弾した前記液滴の領域に前記第１のレーザをさらに照射して前記孔の周辺に着弾した前記液滴を乾燥すること、
   を特徴とした配線形成方法。
8. 基板に形成された孔を含む前記基板の領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
   前記基板に着弾した前記液滴の領域に前記液滴を流動させる第１のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させるレーザ照射手段と、を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
9. 請求項８に記載の液滴吐出装置において、
   前記レーザ照射手段は、前記基板に前記孔を形成するための第２のレーザを前記基板に出射することを特徴とする液滴吐出装置。
10. 請求項８又は９に記載の液滴吐出装置において、
    前記レーザ照射手段は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第１のレーザを照射して前記液滴を乾燥すること、
    を特徴とする液滴吐出装置。
11. 請求項９又は１０のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
    前記レーザ照射手段は、前記液滴吐出手段に対する前記第１のレーザの相対位置と、前記液滴吐出手段に対する前記第２のレーザの相対位置の少なくともいずれか一方を変位する変位手段を備えたこと、
    を特徴とする液滴吐出装置。
12. 請求項８〜１１のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
    前記液滴吐出手段は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴と、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する前記配線形成液の液滴と、を前記基板に吐出し、
    前記レーザ照射手段は、可視領域又は近赤外領域の第２のレーザを前記穿孔用液滴の領域に照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、可視領域又は近赤外領域の前記第１のレーザを前記配線形成液の液滴の領域に照射して前記配線形成液の液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させること、
    を特徴とした液滴吐出装置。
13. 基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された配線と、を備えた回路モジュールにおいて、
    前記配線は、請求項８〜１２のいずれか１つに記載の液滴吐出装置によって形成されたことを特徴とする回路モジュール。
    

Images