JP2008060509A - 配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュール - Google Patents

配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュール Download PDF

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Abstract

【課題】孔の内側に形成する配線の均一性を向上した配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供する。
【解決手段】レーザ装置22と照射光学系23は、ビアホール7の開口部に着弾した充填用液滴Ffに充填用レーザLfを照射し、充填用液滴Ffを充填用レーザLfの照射領域からビアホール7の内方に向けて流動させる。また、レーザ装置22と照射光学系23は、ビアホール7の内方に流動させた充填用液滴Ffの領域に充填用レーザLfを連続して照射し、ビアホール7を充填した充填用液滴Ffを乾燥する。
【選択図】図6

Description

本発明は、配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールに関する。
一般的に、回路モジュールの基板には、ガラスセラミックを利用した低温焼成セラミックス多層基板(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics多層基板)が知られてい
る。LTCC多層基板は、積層したグリーンシートを900℃以下の低温で焼成できるため、内部配線に銀や金などの低融点金属を使用することができ、内部配線の低抵抗化を図ることができる。
多層基板の製造工程には、積層前の各シートにビアホールやスルーホールなどの各種の孔を穿孔する穿孔工程がある。穿孔工程には、孔径の微細化や加工精度の向上を図るため、レーザ光によって穿孔するレーザ加工が利用されている。特許文献1では、孔径を数十マイクロメートルに加工するため、ベース基板の絶縁層にYAGレーザを照射する方法を提案している。特許文献2では、物質溶発率と加工精度の向上を図るため、回路基板の誘電層に中赤外領域のパルスレーザを照射する方法を提案している。
一方、多層基板の製造工程には、積層前の各シートに回路素子や配線のパターンを描画する描画工程がある。描画工程では、描画パターンの高密度化と製造コストの低減を図るため、液状体を液滴にして吐出するインクジェット法が利用されている。特許文献3及び特許文献4は、金属微粒子分散液や導電性ペーストの液滴を対象シートや孔に向けて吐出し、ライン配線やビア配線のパターンを描画する。
特開平5−48269号公報 特表2000−517103号公報 特開2002−100543号公報 特開2003−318542号公報
ところで、特許文献4は、孔の開口部の周辺に向けて液滴を吐出し、開口部の周辺と孔の内側面の双方に液状体を塗布させる。これによって、孔の内側に導電性を付与して、孔の内側を介した電気的接続を可能にする。
しかしながら、開口部の周辺に着弾した液滴は、液滴自身の表面張力によって、その殆どが孔の開口部に定着する。つまり、開口部の周辺に着弾した液滴の殆どは、孔の内側面に沿って十分に濡れ広がることができない。しかも、近年では、多層基板の微細化にともない、孔径(例えば、20μm)が液滴径(例えば、30μm)よりも小さくなる場合がある。こうした場合、開口部の周辺に着弾した液滴は、開口部の全体を覆って孔内部への液状体の濡れ広がりを一層困難にさせる。そのため、単に開口部の周辺に向けて液滴を吐出するだけでは、孔の内側で導電性を損ない、孔の内側を介した電気的接続を不能にする虞があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、孔の内側に形成する配線の均一性を向上した配線形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供することである。
本発明の配線形成方法は、基板に孔を形成する穿孔工程と、前記孔を含む領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出工程と、前記基板に着弾した前記液滴の領域に第1のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を前記第1のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させて前記孔の内側に前記配線形成液を塗布する塗布工程と、を備えた。
本発明の配線形成方法によれば、第1のレーザが、基板に着弾した液滴を第1のレーザの照射領域から孔の内方に向けて流動させる。したがって、第1のレーザを照射する分だけ、孔の内側全体にわたって液滴を濡れ広がらせることができる。この結果、液滴の表面張力や孔のサイズに関わらず、孔の内側全体にわたって、より均一な配線を形成させることができる。
この配線形成方法において、前記穿孔工程は、第2のレーザを基板に照射して前記基板に孔を形成する。
この配線形成方法によれば、第2のレーザを照射して孔を形成させる。そのため、ポンチやドリルによって孔を形成させる場合に比べて高い加工精度を得ることができる。
この配線形成方法において、前記塗布工程は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第1のレーザを照射して前記液滴を乾燥する構成が好ましい。
この配線形成方法によれば、第1のレーザが、基板に着弾した液滴を孔の内方に流動させて、さらに孔の内方で乾燥させる。したがって、液滴の乾燥工程を別途実施する場合に比べて、より簡便な配線形成方法を提供することができる。
この配線形成方法において、前記穿孔工程は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴を前記基板に吐出し、前記穿孔用液滴の領域に前記可視領域又は近赤外領域の第2のレーザを照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、液滴吐出工程は、前記孔を含む前記基板の領域に可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する配線形成液の液滴を吐出し、前記塗布工程は、可視領域又は近赤外領域の前記第1のレーザを前記液滴の領域に照射して前記基板に着弾した前記液滴を前記第1のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させる構成が好ましい。
この配線形成方法によれば、穿孔工程で使用するレーザの波長領域と、塗布工程で使用するレーザの波長領域と、を可視領域又は近赤外領域に統一させることができる。したがって、レーザの照射系を可視領域又は近赤外領域に統一させることができ、より簡便な構成で配線形成方法を提供することができる。
この配線形成方法において、前記穿孔用液滴は、乾燥した状態で前記配線形成液に対する親液性を有する構成が好ましい。
この配線形成方法によれば、乾燥した穿孔用液滴が孔の領域に残存する場合であっても、配線形成液を、穿孔用液滴の残渣に阻害されることなく孔の内側全体にわたって濡れ広がらせることができる。
この配線形成方法において、前記穿孔工程は、前記配線形成液を前記穿孔用液滴にして前記基板に吐出する構成が好ましい。
この配線形成方法によれば、液滴吐出工程で利用する液状体と、穿孔工程で利用する液状体と、を配線形成液に統一させることができる。したがって、穿孔用液滴の液状体を別途利用する場合に比べて、より簡便な配線形成方法を提供することができる。
この配線形成方法において、前記液滴吐出工程は、前記配線形成液の液滴を前記孔の周辺にさらに吐出し、前記塗布工程は、前記孔の周辺に着弾した前記液滴の領域に前記第1のレーザをさらに照射して前記孔の周辺に着弾した前記液滴を乾燥する構成が好ましい。
この配線形成方法によれば、孔の内側と孔の周辺の双方に、連続する均一な配線を形成させることができる。
本発明の液滴吐出装置は、基板に形成された孔を含む前記基板の領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記基板に着弾した前記液滴の領域に前記液滴を流動させる第1のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させるレーザ照射手段と、を備えた。
本発明の液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段は、基板に着弾した液滴に第1のレーザを照射し、液滴を第1のレーザの照射領域から孔の内方に流動させる。したがって、第1のレーザを照射する分だけ、孔の内側全体にわたって液滴を濡れ広がらせることができる。この結果、液滴の表面張力や孔のサイズに関わらず、孔の内側全体にわたって均一な配線を形成させることができる。
この液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記基板に前記孔を形成するための第2のレーザを前記基板に出射する構成であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、第2のレーザを照射して孔を形成させる。そのため、ポンチやドリルによって孔を形成させる場合に比べて高い加工精度を得ることができる。
この液滴吐出装置において、レーザ照射手段は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第1のレーザを照射して前記液滴を乾燥する構成が好ましい。
この液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段は、基板に着弾した液滴を孔の内方に流動させて、さらに孔の内方で乾燥させる。したがって、液滴の乾燥手段を別途搭載する場合に比べて、より簡便な構成の液滴吐出装置を提供することができる。
この液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記液滴吐出手段に対する前記第1のレーザの相対位置と、前記液滴吐出手段に対する前記第2のレーザの相対位置の少なくともいずれか一方を変位する変位手段を備える構成が好ましい。
この液滴吐出装置によれば、第1のレーザの照射経路と第2のレーザの照射経路の双方から液滴吐出手段を離間させることができる。したがって、液滴吐出手段の配置位置に関わらず、所望する領域に向けて各レーザを照射させることができる。
この液滴吐出装置において、前記液滴吐出手段は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴と、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する前記配線形成液の液滴と、を前記基板に吐出し、前記レーザ照射手段は、可視領域又は近赤外領域の前記第2のレーザを前記穿孔用液滴の着弾した領域に照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、可視領域又は近赤外領域の前記第1のレーザを前記配線形成液の液滴の領域に照射して前記配線形成液の液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させる構成が好ましい。
この配線形成方法によれば、共通する可視領域又は近赤外領域のレーザが、基板に孔を形成し、基板に着弾した液滴を孔の内方に流動させる。したがって、共通する可視領域又
は近赤外領域のレーザ装置によって穿孔と配線形成を行うことができ、より簡便な構成の液滴吐出装置を提供することができる。
本発明の回路モジュールは、基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された配線と、を備えた回路モジュールにおいて、前記配線は、上記液滴吐出装置によって形成された。
本発明の回路モジュールによれば、均一な配線からなる回路モジュールを提供することができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1〜図11に従って説明する。まず、本発明の回路モジュール1について説明する。
図1において、回路モジュール1には、板状に形成されたLTCC多層基板2と、そのLTCC多層基板2の上側に、ワイヤーボンディング接続された半導体チップ3と、が備えられている。
LTCC多層基板2は、シート状に形成された複数のLTCC基板4の積層体である。各LTCC基板4は、それぞれガラスセラミック系材料(例えば、ホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミック成分の混合物)の焼結体であって、その厚みが数百μmで形成されている。
各LTCC基板4には、抵抗素子、容量素子、コイル素子などの各種の回路素子5と、各回路素子5を電気的に接続する内部配線6と、スタックビア構造、サーマルビア構造を呈する所定の孔径(例えば、20μm)を有した複数のビアホール7と、該ビアホール7に充填されたビア配線8と、が形成されている。
各内部配線6と各ビア配線8(図1のグラデーションを付した領域)は、それぞれ銀や銀合金などの金属微粒子の焼結体であって、本発明の液滴吐出装置を利用した配線形成方法によって形成される。なお、各LTCC基板4上の位置であって、各内部配線6、各ビアホール7、各ビア配線8の形成される位置を、目標形成位置とする。
次に、上記LTCC多層基板2を製造するための液滴吐出装置10について図2〜図7に従って説明する。図2は、液滴吐出装置10を説明する全体斜視図である。図3は、液滴吐出ヘッド20を説明するための図である。図4〜図6は、それぞれレーザ装置22を説明するための図である。
図2において、液滴吐出装置10は、直方体形状に形成された基台11を有している。基台11の上面には、その長手方向(Y矢印方向)に沿って延びる一対の案内溝12が形成されている。案内溝12の上方には、案内溝12に沿ってY矢印方向及び反Y矢印方向に移動するステージ13が備えられている。ステージ13の上面には、載置部14が形成されて、焼成前のLTCC基板4(以下、単にグリーンシート4Gという。)を載置する。載置部14は、載置された状態のグリーンシート4Gをステージ13に対して位置決め固定して、グリーンシート4GをY矢印方向及び反Y矢印方向に搬送する。
グリーンシート4Gは、400nm〜1200nm(可視領域又は近赤外領域:以下単に、選択波長という。)のレーザに対して高い反射率を有する。グリーンシート4Gは、選択波長のレーザを受けるとき、レーザの殆どを反射して自身の温度上昇を抑制する。
基台11には、Y矢印方向と直交する方向(X矢印方向)に跨ぐ門型のガイド部材15が架設されている。ガイド部材15の上側には、X矢印方向に延びるインクタンク16が配設されている。インクタンク16は、配線形成液としての金属インクFを貯留し、貯留する金属インクFを液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド(以下単に、吐出ヘッドという。)20に所定の圧力で供給する。
金属インクFは、選択波長のレーザに対して高い吸収率を有したインクである。金属インクFには、例えば粒径が数nm〜数十nmの金属微粒子(Au、Ag、Ni、Mnなどの微粒子)を水系溶媒に分散させた水系金属インクを用いることができる。この金属インクFは、乾燥あるいは焼成した状態で、金属インクFに対する高い濡れ性(親液性)を有する。
金属インクFは、所定のエネルギー(充填強度:例えば、50mW/mm)を有した選択波長のレーザを局所的に受けるとき、レーザのエネルギーを金属インクFの並進運動エネルギーに変換する。すなわち、金属インクFは、選択波長のレーザを充填強度で局所的に受けるとき、レーザの照射領域からレーザの照射方向に沿って流動する。
金属インクFは、充填強度よりも高いエネルギー(乾燥強度:例えば、150mW/mm)を有した選択波長のレーザを受けるとき、レーザのエネルギーを効果的に吸収して熱エネルギーに変換し、溶媒あるいは分散媒を蒸発させて乾燥する。
乾燥した状態の金属インクFは、乾燥強度よりも高いエネルギー(穿孔強度:例えば、数W/mm)を有した選択波長のレーザを受けるとき、レーザのエネルギーを効果的に熱エネルギーに変換して昇華する。昇華する金属インクFは、熱エネルギーを下地(グリーンシート4G)に付与して、所定孔径(例えば、20μm)を有した円形孔(ビアホール)をグリーンシート4Gに穿孔する。
ガイド部材15には、そのX矢印方向略全幅にわたって、X矢印方向に延びる上下一対のガイドレール18が形成されている。上下一対のガイドレール18には、反X矢印方向から見てL字状を呈するキャリッジ19が取り付けられている。キャリッジ19は、ガイドレール18に案内されてX矢印方向及び反X矢印方向に移動する。
キャリッジ19の底片19aには、上下方向に貫通する矩形孔(照射孔19h)が形成されている。キャリッジ19の底片19aであって照射孔19hの反Y矢印方向には、液滴吐出ヘッド(以下単に、吐出ヘッドという。)20が搭載されている。また、キャリッジ19の連結部19bであって、照射孔19hの直上には、変位手段を構成する上下一対のZ軸ステージ21a,21bが配設されている。上下一対のZ軸ステージ21a,21bには、それぞれレーザ照射手段を構成するレーザ装置22と照射光学系23が上下動可能に搭載されている。
図3において、吐出ヘッド20の下側には、ノズルプレート24が備えられている。ノズルプレート24は、その下面(ノズル形成面24a)がグリーンシート4Gの上面(吐出面4Ga)と略平行に形成されている。ノズルプレート24は、グリーンシート4Gが吐出ヘッド20の直下に位置するとき、ノズル形成面24aと吐出面4Gaとの間の距離(プラテンギャップ)を所定の距離(例えば、600μm)に保持する。
ノズル形成面24aには、そのX矢印方向略全幅(約1インチ)にわたって配列された360個のノズルNを有する。各ノズルNは、それぞれノズル形成面24aの法線方向に沿ってノズルプレート24に貫通形成されている。各ノズルNの上側には、それぞれインクタンク16に連通するキャビティ25が形成されている。キャビティ25は、インクタ
ンク16からの金属インクFを収容して、対応するノズルNに金属インクFを供給する。各キャビティ25の上側には、上下方向に振動してキャビティ25内の容積を拡大及び縮小する振動板26が貼り付けられている。振動板26の上側には、各ノズルNに対応する複数の圧電素子PZが配設されている。各圧電素子PZは、それぞれ上下方向に収縮及び伸張して振動板26を上下方向に振動させる。上下方向に振動する振動板26は、金属インクFを所定の粒径(例えば、25μm)からなる液滴にして対応するノズルNから吐出させる。
本実施形態では、ビアホール7を穿孔するための液滴を穿孔用液滴Fhとし、内部配線6を形成するための液滴を配線用液滴Fvとし、ビア配線8を形成するための液滴を充填用液滴Ffとする。
各液滴Fh,Fv,Ffは、それぞれ対応するノズルNの反Z矢印方向に飛行して、対向する吐出面4Gaに着弾する。この際、充填用液滴Ffは、ビアホール7の直上に着弾するとき、その粒径(例えば、25μm)をビアホール7の孔径(例えば、20μm)よりも大きくし、かつ、ビアホール7の開口部周辺(吐出面4Ga)とビアホール7の内側(空気)との間で表面エネルギーを不連続にする。このため、ビアホール7の直上に着弾する充填用液滴Ffは、その殆どがビアホール7の内側に濡れ広がることなく、ビアホール7の開口を塞ぐように定着する。
本実施形態では、吐出面4Ga上の位置であって、各ノズルNの直下に対応する位置、すなわち各液滴Fv,Fh,Ffの着弾する位置を、それぞれ着弾位置P1とする。
図4〜図6において、上下一対のZ軸ステージ21a,21bは、それぞれキャリッジ19に配設されたモータに連結駆動されて、それぞれレーザ装置22と照射光学系23をZ矢印方向及び反Z矢印方向に変位する。上下一対のZ軸ステージ21a,21bは、該モータを駆動するための駆動信号を受けてレーザ装置22と照射光学系23を上下方向に配置移動する。
レーザ装置22は、各ノズルN(圧電素子PZ)に対応する複数の半導体レーザLD(図7参照)を有したレーザアレイを搭載している。レーザ装置22は、各半導体レーザLDを駆動するための駆動信号を受けて、所定の強度を有した選択波長のレーザ(例えば、808nmのレーザ)を各ノズルNに対応させて照射光学系23に向けて出射する。
照射光学系23は、各ノズルN(圧電素子PZ)に対応する複数のミラー素子MD(図7参照)を有したデジタルミラーアレイや該ミラーアレイに対応するシリンドリカルレンズを搭載している。照射光学系23は、各ミラー素子MDを駆動するための駆動信号を受けて、レーザ装置22からのレーザを所定の方向に偏向して吐出面4Ga上の位置を照射する。
すなわち、図4に示すように、上下一対のZ軸ステージ21a,21bは、それぞれビアホール7を穿孔するための信号を受けて、レーザ装置22と照射光学系23を穿孔位置(図4の実線位置)に配置移動してグリーンシート4Gに近づける。レーザ装置22は、ビアホール7を穿孔するための信号を受けて、穿孔強度のレーザ(穿孔用レーザLh)を出射する。照射光学系23は、ビアホール7を穿孔するための信号を受けて、その反Z矢印方向に位置する乾燥した穿孔用液滴Fh(穿孔用パターンDh)の領域に向けて穿孔用レーザLhを照射する。穿孔用パターンDhは、穿孔用レーザLhを熱エネルギーに変換し、自身の昇華とともに、ビアホール7を下地(グリーンシート4G)に穿孔する。
これによって、レーザ装置22と照射光学系23は、比較的高い強度の穿孔用レーザL
hをグリーンシート4Gの近傍から照射させることができる。そして、レーザ装置22と照射光学系23は、穿孔用レーザLhに対して高い反射率を有するグリーンシート4Gにビアホール7を穿孔させることができる。
また、図5に示すように、上下一対のZ軸ステージ21a,21bは、それぞれ配線用液滴Fvあるいは穿孔用液滴Fhを乾燥するための信号を受けて、レーザ装置22と照射光学系23を穿孔位置(図5の二点鎖線位置)よりも上方の位置(乾燥位置:図5の実線位置)に配置移動する。レーザ装置22は、配線用液滴Fvあるいは穿孔用液滴Fhを乾燥するための信号を受けて、乾燥強度のレーザ(乾燥用レーザLv)を出射する。照射光学系23は、配線用液滴Fvあるいは穿孔用液滴Fhを乾燥するための信号を受けて、その反Z矢印方向に位置する配線用液滴Fvあるいは穿孔用液滴Fhの領域に向けて乾燥用レーザLvを照射する。配線用液滴Fvあるいは穿孔用液滴Fhは、乾燥用レーザLvを熱エネルギーに変換し、溶媒あるいは分散媒を蒸発して乾燥する。
これによって、レーザ装置22と照射光学系23は、穿孔用レーザLhと共通する光源を利用して配線用液滴Fvあるいは穿孔用液滴Fhを乾燥させることができる、すなわち内部配線6あるいは穿孔用パターンDhを形成させることができる。また、レーザ装置22と照射光学系23は、グリーンシート4Gが乾燥用レーザLvに対して高い反射率を有するため、グリーンシート4Gの熱的損傷を軽減させることができる。
また、図6に示すように、上下一対のZ軸ステージ21a,21bは、充填用液滴Ffを流動させるための信号を受けて、レーザ装置22と照射光学系23を乾燥位置(図6の二点鎖線位置)よりも上方の位置(充填位置:図6の実線位置)に配置移動する。レーザ装置22は、充填用液滴Ffを流動させるための信号を受けて、充填強度のレーザ(充填用レーザLf)を出射する。照射光学系23は、充填用液滴Ffを流動させるための信号を受けて、着弾位置P1に位置する充填用液滴Ffの領域に向けて充填用レーザLfを照射する。充填用液滴Ffは、充填用レーザLfのエネルギーをレーザの照射方向に沿った並進運動エネルギーに変換して、充填用レーザLfの照射方向、すなわちビアホール7の内方に向けて流動する。
これによって、レーザ装置22と照射光学系23は、穿孔用レーザLh及び乾燥用レーザLvと共通する光源を利用して充填用液滴Ffをビアホール7の内方に充填させることができる。また、レーザ装置22と照射光学系23は、充填用レーザLfを充填用液滴Ffに照射し続けることによって、充填用レーザLfをビアホール7の内方で乾燥させることができる。さらに、レーザ装置22と照射光学系23は、吐出ヘッド20の上方から充填用レーザLfを照射させるため、充填用レーザLfの照射方向をビアホール7の深さ方向に近づけることができる。
本実施形態では、吐出面4Ga上の位置であって、照射光学系23が各種レーザを照射する位置を、それぞれ照射位置P2とする。
次に、上記液滴吐出装置10の電気的構成について図7に従って説明する。
図7において、制御装置30は、CPU30A、ROM30B、RAM30Cなどを有している。制御装置30は、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ13の搬送処理、キャリッジ19の搬送処理、液滴吐出ヘッド20の液滴吐出処理、レーザ装置22のレーザ照射処理などを実行する。
制御装置30には、各種操作スイッチとディスプレイを有した入出力装置31が接続されている。入出力装置31は、液滴吐出装置10が実行する各種処理の処理状況を表示す
る。入出力装置31は、ビアホール7を形成するためのビットマップデータ(穿孔用データBDh)と、内部配線6及びビア配線8を形成するためのビットマップデータ(配線用データBDv)を生成し、これら穿孔用データBDh及び配線用データBDvを制御装置30に入力する。
穿孔用データBDhは、各ビットの値(0あるいは1)に応じて各圧電素子PZのオンあるいはオフを規定したデータである。穿孔用データBDhは、吐出ヘッド20(各ノズルN)の通過する描画平面(吐出面4Ga)上の各位置に、それぞれ穿孔用液滴Fhを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、穿孔用データBDhは、吐出面4Gaに規定されたビアホール7の位置に穿孔用液滴Fhを吐出させるためのデータである。
配線用データBDvは、各ビットの値(0あるいは1)に応じて各圧電素子PZのオンあるいはオフを規定したデータである。配線用データBDvは、吐出ヘッド20(各ノズルN)の通過する描画平面(吐出面4Ga)上の各位置に、それぞれ充填用液滴Ffと配線用液滴Fvを吐出するか否かを規定したデータである。すなわち、配線用データBDvは、吐出面4Gaに規定された各ビアホール7の目標形成位置に充填用液滴Ffを吐出させるデータであって、かつ、吐出面4Gaに規定された内部配線6の目標形成位置に配線用液滴Fvを吐出させるためのデータである。
制御装置30には、X軸モータ駆動回路32が接続されている。制御装置30は、X軸モータ駆動回路32に対応する駆動制御信号をX軸モータ駆動回路32に出力する。X軸モータ駆動回路32は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ19を移動させるためのX軸モータMXを正転又は逆転させる。
制御装置30には、Y軸モータ駆動回路33が接続されている。制御装置30は、Y軸モータ駆動回路33に対応する駆動制御信号をY軸モータ駆動回路33に出力する。Y軸モータ駆動回路33は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して、ステージ13を移動させるためのY軸モータMYを正転又は逆転させる。
制御装置30には、Z軸モータ駆動回路34が接続されている。制御装置30は、Z軸モータ駆動回路に対応する駆動制御信号をZ軸モータ駆動回路34に出力する。Z軸モータ駆動回路34は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して、上下一対のZ軸ステージ21a,21bを移動させるためのZ軸モータMZを正転又は逆転させる。すなわち、Z軸モータ駆動回路34は、制御装置30からの駆動制御信号に応答してビアホール7を穿孔するための信号(穿孔位置信号Ph)を生成し、レーザ装置22と照射光学系23を穿孔位置に配置移動させる。また、Z軸モータ駆動回路34は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して配線用液滴Fvと穿孔用液滴Fhを乾燥するための信号(乾燥位置信号Pv)を生成し、レーザ装置22と照射光学系23を乾燥位置に配置移動させる。また、Z軸モータ駆動回路34は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して充填用液滴Ffを流動させるための信号(充填位置信号Pf)を生成し、レーザ装置22と照射光学系23を充填位置に配置移動させる。
制御装置30には、ヘッド駆動回路35が接続されている。制御装置30は、所定の吐出周波数に同期させた吐出タイミング信号LTをヘッド駆動回路35に出力する。制御装置30は、各圧電素子PZを駆動するための駆動電圧COMを吐出周波数に同期させてヘッド駆動回路35に出力する。
制御装置30は、穿孔用データBDhを利用して所定の周波数に同期した穿孔用制御信号SIhを生成し、穿孔用制御信号SIhをヘッド駆動回路35にシリアル転送する。ヘッド駆動回路35は、制御装置30からの穿孔用制御信号SIhを各圧電素子PZに対応
させて順次シリアル/パラレル変換する。ヘッド駆動回路35は、制御装置30からの吐出タイミング信号LTを受けるたびに、シリアル/パラレル変換した穿孔用制御信号SIhをラッチし、穿孔用制御信号SIhによって選択される圧電素子PZにそれぞれ駆動電圧COMを供給する。ヘッド駆動回路35は、制御装置30からの吐出タイミング信号LTを受けるたびに、ラッチした穿孔用制御信号SIhをレーザ駆動回路36と光学系駆動回路37に入力する。
制御装置30は、配線用データBDvを利用して所定の周波数に同期した配線用制御信号SIvを生成し、配線用制御信号SIvをヘッド駆動回路35にシリアル転送する。ヘッド駆動回路35は、制御装置30からの配線用制御信号SIvを各圧電素子PZに対応させて順次シリアル/パラレル変換する。ヘッド駆動回路35は、制御装置30からの吐出タイミング信号LTを受けるたびに、シリアル/パラレル変換した配線用制御信号SIvをラッチし、配線用制御信号SIvによって選択される圧電素子PZにそれぞれ駆動電圧COMを供給する。ヘッド駆動回路35は、制御装置30からの吐出タイミング信号LTを受けるたびに、ラッチした配線用制御信号SIvをレーザ駆動回路36と光学系駆動回路37に入力する。
制御装置30には、レーザ駆動回路36が接続されている。制御装置30は、レーザ駆動回路36に対応する駆動制御信号をレーザ駆動回路36に出力する。レーザ駆動回路36は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して、穿孔用レーザLhを出射するための信号(穿孔強度信号Ih)と、乾燥用レーザLvを出射するための信号(乾燥強度信号Iv)と、充填用レーザLfを出射ための信号(充填強度信号If)を生成する。
レーザ駆動回路36は、穿孔用パターンDhが照射位置P2に位置するとき、ヘッド駆動回路35からの穿孔用制御信号SIhによって選択される半導体レーザLDに穿孔強度信号Ihを供給する。レーザ駆動回路36は、配線用液滴Fvが照射位置P2に位置するとき、ヘッド駆動回路35からの配線用制御信号SIvによって選択される半導体レーザLDに乾燥強度信号Ivを供給する。レーザ駆動回路36は、充填用液滴Ffが着弾位置P1に位置するとき、配線用制御信号SIvよって選択された半導体レーザLDに充填強度信号Ifを供給する。
制御装置30には、光学系駆動回路37が接続されている。制御装置30は、光学系駆動回路37に対応する駆動制御信号を光学系駆動回路37に出力する。光学系駆動回路37は、制御装置30からの駆動制御信号に応答して、穿孔用レーザLhを照射位置P2に向けて照射するための信号(穿孔偏向信号Dh)と、乾燥用レーザLvを照射位置P2に向けて照射するための信号(乾燥偏向信号Dv)と、充填用レーザLfを着弾位置P1に向けて照射するための信号(充填偏向信号Df)を生成する。
光学系駆動回路37は、穿孔用パターンDhが照射位置P2に位置するとき、ヘッド駆動回路35からの穿孔用制御信号SIhによって選択されるミラー素子MDを駆動制御し、対応する半導体レーザLDからの穿孔用レーザLhを穿孔用パターンDhの領域に向けて照射する。レーザ駆動回路36は、配線用液滴Fvが照射位置P2に位置するとき、ヘッド駆動回路35からの配線用制御信号SIvによって選択されるミラー素子MDを駆動制御し、対応する半導体レーザLDからの乾燥用レーザLvを配線用液滴Fvの領域に向けて照射する。レーザ駆動回路36は、充填用液滴Ffが着弾位置P1に位置するとき、ヘッド駆動回路35からの配線用制御信号SIvによって選択されたミラー素子MDを駆動制御し、対応する半導体レーザLDからの充填用レーザLfを充填用液滴Ffの領域に向けて照射する。
次に、上記液滴吐出装置10を利用したLTCC多層基板2の製造方法について説明す
る。まず、グリーンシート4Gにビアホール7を穿孔する穿孔工程について説明する。
図2に示すように、吐出面4Gaが上側になるようにグリーンシート4Gをステージ13に載置する。このとき、ステージ13は、グリーンシート4Gをキャリッジ19の反Y矢印方向に配置する。この状態から、穿孔用データBDhと配線用データBDvが入出力装置31から制御装置30に入力される。制御装置30は、入出力装置31からの穿孔用データBDhと配線用データBDvを格納する。
次いで、制御装置30は、グリーンシート4GがY矢印方向に走査されるときに着弾位置P1がビアホール7の目標形成位置を通過するように、X軸モータ駆動回路32を介してキャリッジ19をセットする。また、制御装置30は、Z軸モータ駆動回路34を介してZ軸モータMZに乾燥位置信号Pvを入力し、レーザ装置22と照射光学系23を乾燥位置にセットする。制御装置30は、キャリッジ19、レーザ装置22、照射光学系23をセットすると、Y軸モータ駆動回路33を介してグリーンシート4Gの走査を開始する。
制御装置30は、グリーンシート4Gの走査を開始すると、穿孔用データBDhを利用した穿孔用制御信号SIhを生成して、穿孔用制御信号SIhと駆動電圧COMをヘッド駆動回路35に転送する。すなわち、制御装置30は、ヘッド駆動回路35を介して各圧電素子PZを駆動制御し、ビアホール7の目標形成位置が着弾位置P1に位置するたびに、選択されたノズルNに穿孔用液滴Fhを吐出させる。図8に示すように、吐出される各穿孔用液滴Fhは、対応するビアホール7の目標形成位置に着弾し、照射位置P2に向けて順次搬送される。
制御装置30は、グリーンシート4Gの走査を開始すると、レーザ駆動回路36と光学系駆動回路37を介して各半導体レーザLDと各ミラー素子MDを駆動制御する。すなわち、図8に示すように、制御装置30は、ビアホール7の目標形成位置(穿孔用液滴Fh)が照射位置P2に位置するたびに、選択された半導体レーザLDからの乾燥用レーザLvを対応する照射位置P2の領域に向けて照射する。照射位置P2を通過する穿孔用液滴Fhは、乾燥用レーザLvによって乾燥して穿孔用パターンDhを形成する。
制御装置30は、吐出面4Gaに穿孔用パターンDhを形成すると、Z軸モータ駆動回路34を介してZ軸モータMZに穿孔位置信号Phを入力し、レーザ装置22と照射光学系23を穿孔位置にセットする。制御装置30は、レーザ装置22、照射光学系23をセットすると、Y軸モータ駆動回路33を介して、最もY矢印方向に位置する穿孔用パターンDhから順に照射位置P2に配置移動させる。
制御装置30は、穿孔用データBDhを利用した穿孔用制御信号SIhを生成して、穿孔用制御信号SIhを再びヘッド駆動回路35に転送する。制御装置30は、ヘッド駆動回路35を介した穿孔用制御信号SIhによってレーザ駆動回路36と光学系駆動回路37に各半導体レーザLDと各ミラー素子MDを駆動制御させる。すなわち、図9に示すように、制御装置30は、穿孔用パターンDhが照射位置P2に位置するたびに、選択された半導体レーザLDからの穿孔用レーザLhを照射位置P2の領域に照射する。照射位置P2に位置する穿孔用パターンDhは、穿孔用レーザLhを熱エネルギーに変換して、下地のグリーンシート4Gにビアホール7を穿孔する。この際、ビアホール7の開口周辺には、穿孔用パターンDhが残存する。穿孔用パターンDhの残渣は、後続する金属インクFに対して親液性を呈する。
これによって、穿孔用レーザLhに対して高い反射率を有するグリーンシート4Gに各ビアホール7を穿孔させることができる。
次に、ビアホール7の領域に充填用液滴Ff及び配線用液滴Fvを吐出する液滴吐出工程と、ビアホール7の内方に充填用液滴Ffを塗布する塗布工程と、について説明する。
まず、制御装置30は、Z軸モータ駆動回路34を介してZ軸モータMZに充填位置信号Pfを入力し、レーザ装置22と照射光学系23を充填位置にセットする。制御装置30は、レーザ装置22、照射光学系23をセットすると、Y軸モータ駆動回路33を介して、最もY矢印方向に位置するビアホール7から順にその中心位置を着弾位置P1(照射位置P2)に配置移動させる。
制御装置30は、配線用データBDvを利用した配線用制御信号SIvを生成して、配線用制御信号SIvと駆動電圧COMをヘッド駆動回路35に転送する。制御装置30は、ビアホール7の中心位置が着弾位置P1に位置するたびに、ヘッド駆動回路35を介して対応する圧電素子PZを駆動制御し、選択されたノズルNから充填用液滴Ffを吐出させる。図10に示すように、吐出された充填用液滴Ffは、対応するビアホール7の開口部に着弾して定着する。
制御装置30は、ヘッド駆動回路35を介した配線用制御信号SIvによって、レーザ駆動回路36と光学系駆動回路37にそれぞれ各半導体レーザLDと各ミラー素子MDを駆動制御させる。すなわち、図10に示すように、制御装置30は、選択された半導体レーザLDからの充填用レーザLfを対応する着弾位置P1の領域(ビアホール7の開口部に定着した充填用液滴Ffの領域)に照射する。充填用液滴Ffは、充填用レーザLfのエネルギーをレーザの照射方向に沿った並進運動エネルギーに変換して、充填用レーザLfの照射方向、すなわちビアホール7の内方に向けて流動し、やがてビアホール7を充填する。この際、流動する充填用液滴Ffは、穿孔用パターンDhの残渣が親液性を有する分だけ、ビアホール7の内方に向けて円滑に濡れ広がる。そして、ビアホール7を充填する充填用液滴Ffは、充填用レーザLfの連続する照射によってビアホール7の内方で乾燥する。
以後同様に、制御装置30は、対象となるビアホール7が充填用液滴Ffで満たされるまで、充填用液滴Ffの液滴吐出処理と、充填用レーザLfのレーザ照射処理と、を交互に繰り返す。
図11に示すように、制御装置30は、ビアホール7を乾燥した充填用液滴Ffで満たしてビア配線8を形成すると、Z軸モータ駆動回路34を介してZ軸モータMZに乾燥位置信号Pvを入力し、レーザ装置22と照射光学系23を乾燥位置にセットする。制御装置30は、レーザ装置22、照射光学系23をセットすると、Y軸モータ駆動回路33を介して、内部配線6の目標形成位置を順次着弾位置P1に配置移動させる。制御装置30は、内部配線6の目標形成位置が着弾位置P1に位置するたびに、ヘッド駆動回路35を介して対応する圧電素子PZを駆動制御し、選択されたノズルNから配線用液滴Fvを吐出させる。吐出された配線用液滴Fvは、内部配線6の目標形成位置に着弾して順次照射位置P2に向けて搬送される。
制御装置30は、ヘッド駆動回路35を介した配線用制御信号SIvによって、レーザ駆動回路36と光学系駆動回路37にそれぞれ各半導体レーザLDと各ミラー素子MDを駆動制御させる。すなわち、図11に示すように、制御装置30は、選択された半導体レーザLDからの乾燥用レーザLvを対応する照射位置P2の領域(配線用液滴Fvの領域)に向けて照射する。照射位置P2を通過する配線用液滴Fvは、乾燥用レーザLvによって乾燥して内部配線6を形成する。
以後同様に、制御装置30は、対象となるビアホール7が着弾位置P1に位置するたびに、レーザ装置22と照射光学系23を充填位置にセットしてビア配線8を形成する。また、制御装置30は、対象となる内部配線6の形成位置が着弾位置P1と照射位置P2に位置するたびに、レーザ装置22と照射光学系23を乾燥位置にセットして内部配線6を形成する。
グリーンシート4Gにビアホール7、ビア配線8及び内部配線6を形成すると、複数のグリーンシート4Gを積層して一括焼成する。これによって、ビアホール7の全体にわたって充填されたビア配線8を有するLTCC多層基板2を形成することができる。
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
(1)上記実施形態によれば、レーザ装置22と照射光学系23は、ビアホール7の開口部に着弾した充填用液滴Ffに向けて充填用レーザLfを照射し、充填用液滴Ffを充填用レーザLfの照射領域からビアホール7の内方に向けて流動させる。したがって、充填用レーザLfを照射する分だけ、ビアホール7の内側全体にわたって金属インクFを濡れ広がらせることができる。この結果、充填用液滴Ffの表面張力やビアホール7のサイズに関わらず、ビアホール7の内側全体にわたって、より均一なビア配線8を形成させることができる。
(2)上記実施形態によれば、レーザ装置22と照射光学系23は、ビアホール7の内方に流動させた充填用液滴Ffの領域に充填用レーザLfを連続して照射する。したがって、ビアホール7の内方に流動させた充填用液滴Ffを、さらにビアホール7の内方で乾燥させることができる。この結果、充填用液滴Ffの乾燥工程を別途実施する場合に比べて、より簡便な方法で均一なビア配線8を形成させることができる。
(3)上記実施形態によれば、液滴吐出ヘッド20は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴Fh、配線用液滴Fv、充填用液滴Ffをそれぞれビアホール7の目標形成位置、内部配線6の目標形成位置、ビアホール7の開口部に吐出する。レーザ装置22と照射光学系23は、穿孔用液滴Fhあるいは配線用液滴Fvの着弾した領域に可視領域又は近赤外領域の乾燥用レーザLvを照射して穿孔用パターンDhあるいは内部配線6を形成する。また、レーザ装置22と照射光学系23は、穿孔用パターンDhに可視領域又は近赤外領域の穿孔用レーザLhを照射してビアホール7を形成する。さらに、レーザ装置22と照射光学系23は、充填用液滴Ffに可視領域又は近赤外領域の充填用レーザLfを照射してビア配線8を形成する。
したがって、穿孔用パターンDh、内部配線6、ビア配線8を形成するためのレーザを、共通する可視領域又は近赤外領域に統一させることができる。そのため、各種レーザの照射系を可視領域又は近赤外領域に統一させることができ、より簡便な構成によって各種配線を形成させることができる。
(4)また、レーザ装置22と照射光学系23は、グリーンシート4Gに対して高い反射率を有するレーザによって、ビアホール7、ビア配線8、内部配線6を形成する。したがって、レーザ照射によるグリーンシート4Gの熱的損傷を軽減させることができる。
(5)しかも、穿孔用液滴Fhと配線用液滴Fvが、共通する金属インクFによって構成される。したがって、穿孔用液滴Fhを形成するための液状体を別途利用する場合に比べて、より簡便な構成で均一なビア配線8を形成させることができる。
(6)上記実施形態によれば、穿孔用液滴Fhは、乾燥した状態で充填用液滴Ffある
いは配線用液滴Fvに対する親液性を有する。したがって、乾燥した状態の穿孔用液滴Fhがビアホール7の領域に残存する場合であっても、金属インクFを、穿孔用液滴Fhの残渣に阻害されることなく所望の領域(例えば、ビアホール7の内方や内部配線6の領域)に濡れ広がらせることができる。
(7)上記実施形態では、配線用液滴Fvをビアホール7の開口部の周辺に吐出し、着弾した配線用液滴Fvの領域に乾燥用レーザLvを照射して内部配線6を形成する。したがって、ビアホール7の開口部の周辺に、ビアホール7の内側(ビア配線8)と連続する均一な配線(内部配線6)を形成させることができる。
(8)上記実施形態によれば、レーザ装置22と照射光学系23は、上下一対のZ軸ステージ21a,21bによって、穿孔位置、乾燥位置、充填位置を配置移動する。したがって、レーザ装置22と照射光学系23を配置移動させる分だけ、液滴吐出ヘッド20を、穿孔用レーザLh、乾燥用レーザLv、充填用レーザLfから離間させることができる。よって、液滴吐出ヘッド20をレーザの照射領域から離間させる分だけ、液滴吐出ヘッド20の配設位置に起因した照射条件の制約を回避させることができる。ひいては、穿孔用レーザLh、乾燥用レーザLv、充填用レーザLfの照射条件(照射位置や偏向角度など)の自由度を拡張させることができる。
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、レーザ装置22からの穿孔用レーザLhを穿孔用パターンDhに照射してビアホール7を形成する構成にした。これに限らず、例えば、ビアホール7をポンチやドリル加工によって穿孔する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、基板を、グリーンシート4Gに具体化した。これに限らず、例えは、基板を、ポリイミド基板やガラエポ基板などに具体化してもよい。この際、レーザの選択波長は、ポリイミド基板やガラエポ基板が高い反射率を有する領域に設定される構成が好ましい。
・上記実施形態では、レーザ装置22と照射光学系23が、それぞれ各ノズルN(圧電素子PZ)に対応する半導体レーザLDと各ノズルN(圧電素子PZ)に対応するミラー素子MDを有する構成した。これに限らず、例えばレーザ装置22と照射光学系23が、それぞれ各ノズルNに共通する半導体レーザとミラーデバイスを有する構成であってもよい。すなわち、レーザ照射手段は、基板に孔を形成する第2のレーザ(穿孔用レーザLh)と、基板に着弾した液滴を流動させる第1のレーザ(充填用レーザLf)と、を基板に向けて照射する構成であればよい。
・上記実施形態では、ビアホール7に充填された充填用液滴Ffを充填用レーザLfによって乾燥させる構成にした。これに限らず、例えば、充填用液滴Ffをビアホール7の内方に充填させた後、レーザ装置22と照射光学系23を乾燥位置に配置移動し、乾燥用レーザLvを着弾位置P1に向けて照射して充填用液滴Ffを乾燥させる構成にしてもよい。さらには、ビアホール7に充填された充填用液滴Ffを所定の乾燥炉で乾燥させる構成にしてもよい。すなわち、本発明は、充填用液滴Ffの乾燥方法に限定されるものではなく、充填用液滴Ffを充填用レーザLfの照射によってビアホール7の内方に流動させる構成であればよい。
・上記実施形態では、液滴吐出手段を、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド20に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。
・上記実施形態では、孔をビアホール7に具体化した。これに限らず、例えば孔をスルーホールに具体化してもよい。
・上記実施形態では、各半導体レーザLDに穿孔強度信号Ih、乾燥強度信号Iv、充填強度信号Ifを供給し、照射するレーザ(穿孔用レーザLh、乾燥用レーザLv、充填用レーザIf)の強度を変調させる構成にした。これに限らず、照射光学系23がレーザ装置22からのレーザをデフォーカスして照射し、レーザの強度を変調させる構成にしてもよい。
本発明の回路モジュールを示す側断面図。 同じく、液滴吐出装置を示す斜視図。 同じく、液滴吐出ヘッドを示す側断面図。 同じく、レーザ照射手段を説明する図。 同じく、レーザ照射手段を説明する図。 同じく、レーザ照射手段を説明する図。 同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。 同じく、LTCC多層基板の製造方法を説明する図。 同じく、LTCC多層基板の製造方法を説明する図。 同じく、LTCC多層基板の製造方法を説明する図。 同じく、LTCC多層基板の製造方法を説明する図。
符号の説明
F…配線形成液としての金属インク、Ff…充填用液滴、Fh…穿孔用液滴、Fv…配線用液滴、1…回路モジュール、4…基板としてのグリーンシート、5…回路素子、6…配線を構成する内部配線、7…孔としてのビアホール、8…配線を構成するビア配線、10…液滴吐出装置、20…液滴吐出ヘッド、21a,21b…変位手段を構成するZ軸ステージ、22…レーザ照射手段を構成するレーザ装置、23…レーザ照射手段を構成する照射光学系。

Claims (13)

  1. 基板に孔を形成する穿孔工程と、
    前記孔を含む領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出工程と、
    前記基板に着弾した前記液滴の領域に第1のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を前記第1のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させて前記孔の内側に前記配線形成液を塗布する塗布工程と、
    を備えたことを特徴とした配線形成方法。
  2. 請求項1に記載の配線形成方法において、
    前記穿孔工程は、第2のレーザを基板に照射して前記基板に孔を形成することを特徴とした配線形成方法。
  3. 請求項1又は2に記載の配線形成方法において、
    前記塗布工程は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第1のレーザを照射して前記液滴を乾燥すること、
    を特徴とした配線形成方法。
  4. 請求項1〜3のいずれか1つに記載の配線形成方法において、
    前記穿孔工程は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴を前記基板に吐出し、前記穿孔用液滴の領域に前記可視領域又は近赤外領域の第2のレーザを照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、
    液滴吐出工程は、前記孔を含む前記基板の領域に可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する配線形成液の液滴を吐出し、
    前記塗布工程は、可視領域又は近赤外領域の前記第1のレーザを前記液滴の領域に照射して前記基板に着弾した前記液滴を前記第1のレーザの照射領域から前記孔の内方に流動させること、
    を特徴とした配線形成方法。
  5. 請求項4に記載の配線形成方法において、
    前記穿孔用液滴は、乾燥した状態で前記配線形成液に対する親液性を有すること、
    を特徴とした配線形成方法。
  6. 請求項4又は5に記載の配線形成方法において、
    前記穿孔工程は、前記配線形成液を前記穿孔用液滴にして前記基板に吐出すること、
    を特徴とした配線形成方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか1つに記載の配線形成方法において、
    前記液滴吐出工程は、前記配線形成液の液滴を前記孔の周辺にさらに吐出し、
    前記塗布工程は、前記孔の周辺に着弾した前記液滴の領域に前記第1のレーザをさらに照射して前記孔の周辺に着弾した前記液滴を乾燥すること、
    を特徴とした配線形成方法。
  8. 基板に形成された孔を含む前記基板の領域に配線形成液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
    前記基板に着弾した前記液滴の領域に前記液滴を流動させる第1のレーザを照射し、前記基板に着弾した前記液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させるレーザ照射手段と、を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
  9. 請求項8に記載の液滴吐出装置において、
    前記レーザ照射手段は、前記基板に前記孔を形成するための第2のレーザを前記基板に出射することを特徴とする液滴吐出装置。
  10. 請求項8又は9に記載の液滴吐出装置において、
    前記レーザ照射手段は、前記孔の内方に流動させた前記液滴の領域にさらに前記第1のレーザを照射して前記液滴を乾燥すること、
    を特徴とする液滴吐出装置。
  11. 請求項9又は10のいずれか1つに記載の液滴吐出装置において、
    前記レーザ照射手段は、前記液滴吐出手段に対する前記第1のレーザの相対位置と、前記液滴吐出手段に対する前記第2のレーザの相対位置の少なくともいずれか一方を変位する変位手段を備えたこと、
    を特徴とする液滴吐出装置。
  12. 請求項8〜11のいずれか1つに記載の液滴吐出装置において、
    前記液滴吐出手段は、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する穿孔用液滴と、可視領域又は近赤外領域のレーザを吸収する前記配線形成液の液滴と、を前記基板に吐出し、
    前記レーザ照射手段は、可視領域又は近赤外領域の第2のレーザを前記穿孔用液滴の領域に照射して前記穿孔用液滴の着弾した領域に前記孔を形成し、可視領域又は近赤外領域の前記第1のレーザを前記配線形成液の液滴の領域に照射して前記配線形成液の液滴を照射領域から前記孔の内方に流動させること、
    を特徴とした液滴吐出装置。
  13. 基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された配線と、を備えた回路モジュールにおいて、
    前記配線は、請求項8〜12のいずれか1つに記載の液滴吐出装置によって形成されたことを特徴とする回路モジュール。
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