1235975 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係屬於主動矩陣驅動方式的光電裝置之技術領 域，特別是屬於在基板上的積層構造中具備畫素開關用之 薄膜電晶體 （Thin Film Tr an s i s t o r，以下，稱爲 「TFT」。）之形式的光電裝置及其製造方法，以及將其 當成光閥而具備的電子機器之技術領域。另外，本發明也 屬於電子紙張等之電氣移動裝置或EL(電激發光）裝置或 使用電子放射元件之裝置（Field Emissi〇n Display(場發 射顯示器）以及 Surface-Conduction Electron-Emitter Display (表面傳導電子放射顯示器））等之技術領域。 【先前技術】
在TFT主動矩陣驅動形式的光電裝置中，如在設置 於各畫素的畫素開關用之TFT的通道區域照射入射光， 則由於光的激勵而發生光洩漏電流，TFT的特性產生變 化。特別是，在投影機之光閥用的光電裝置的情形，入射 光的強度高之故，對於TFT的通道區域或其周圍區域進 行入射光的遮光變得很重要。 因此，在以往，乃藉由規定設置於對向基板的各畫素 之開口區域的遮光膜，或者在TFT陣列基板上，通過 TFT之上，而且，由A1 (鋁）等金屬膜形成的資料線，以遮 住此種通道區域或其周圍區域而構成。另外，也有在面對 TFT陣列基板上的TFT之下側的位置，例如設置由高融 -5- (2) 1235975 點金屬所成的遮光膜。 如此，如在TFT的下側也設置遮光膜，則可防患自 TFT陣列基板側的背面反射光，或在藉由三稜鏡等組合多 數的光電裝置以構成一個光學系統時，由其他光電裝置穿 透三稜鏡等而至之投射光等的返光射入該光電裝置的TFT 於未然。 但是，如依據上述之各種遮光技術，存在有以下的問 題點。即首先，如依據在對向基板上或TFT陣列基板上 形成遮光膜之技術，則遮光膜和通道區域之間，由立體來 看’介有液晶層、電極、層間絕緣膜等，相當地分開，對 於斜斜射入兩者間的光，遮光性不充分。特別是，在被當 成投影機的光閥使用的小型光電裝置中，入射光係以透鏡 縮小來自光源的光之光束，含無法忽視斜斜射入之成分的 程度（例如，由垂直於基板之方向傾斜1 0度至1 5度之成 分有1 〇%之程度）故，對於此種斜斜的射入光的遮光性不 充分，則在實踐上會成爲問題。 此外，由沒有遮光膜的區域進入光電裝置內的光在基 板的上面或形成在基板的上面之遮光膜的上面或資料線的 下面（即面對通道區域之側的內面）被反射後，此種反射 光或者此進而在基板的上面或遮光膜或資料線的內面被反 射的多重反射光，最終也有到達TFT的通道區域之情 形。 特別是，隨著謀求應依據近年來之顯示影像的高品質 化之一般要求的光電裝置之高精細化或畫素間距的微細 -6 - (3) 1235975 化，隨著應顯示更明亮的影像而提入射光的強度’如依 據上述之習知的各種遮光技術’更難於施行充分的遮光’ 由於TFT之電晶體特性的變化’而有產生閃燦等’顯示 影像的品質降低之問題點。 另外，爲了提高此種耐光性，雖也可考慮加大遮光膜 的形成區域，但是，在加大遮光膜的形成區域上，根本上 要求須提高使顯示影像的亮度提升之各畫素的開口率，產 生其之實現變得困難的問題點。另外，如上述般，有鑑於 由於遮光膜，即TFT之下側的遮光膜或由資料線等所成 之TFT的上側之遮光膜等的存在，會發生起因於斜射光 之面內反射光或多重反射光，在胡亂加大遮光膜的形成區 域上，也有導致此種面內反射光或多重反射光的增加之難 於解決的問題點。 【發明內容】 本發明係有鑑於上述問題點而成者，其課題在於，藉 提高對於薄膜電晶體的半導體層之遮光性能，抑制光洩漏 電流的發生，因此可顯示無閃爍等之高品質的影像之光電 裝置。另外，本發明也以提供由具備此種光電裝置所成之 電子機器爲課題。 爲了解決前述課題，本發明之光電裝置係具備··於基 板上，向第1方向延伸存在的資料線，和延伸存在於交叉 在前述資料線之第2方向的掃描線，和對應於前述資料線 及前述掃描線的交叉範圍，加以配置之畫素電極及薄膜電 (4) 1235975 晶體’和電氣連接於前述薄膜電晶體及前述畫素電極的蓄 積容量，和配置於前述資料線及前述畫素電極間之遮蔽 層。而且，構成前述蓄積容量之一對之電極之一方，乃由 包含低阻抗膜之多膜層所構成。 如依據本發明之光電裝置，構成前述蓄積容量之一對 之電極之一方（以下，有單單稱爲「一方電極」。），乃 由包含低阻抗膜之多膜層所構成。 如依據此種構造，可實線該一方電極之高功能化（例 如，該一方電極所具有之作爲固定電位側容量電極的功能 外，一倂具體其他功能等）。特別是，本發明的該多層膜 係含有低阻抗膜，即例如鋁、銅、鉻等金屬單體，或者包 含彼等之材料等，與習知的多晶矽或WSi相比，其電氣 阻抗低的材料故，可達成高電氣傳導度。 在本發明的光電裝置之一形態中，前述多層膜乃令下 層以光吸收性之膜構成，令上層以光反射性之膜構成。 如依據此構造，可使直接射入之光在上層反射，返光 在下層被吸收。 另外，在本發明之光電裝置的其他形態中，構成前述 蓄積容量之一對之電極之一方，乃構成沿前述第2方向所 形成之容量線之一部份的同時，該容量線乃由包含前述低 阻抗膜之多層膜所成。 如依據此形態，首先，構成蓄積容量之一對之電極之 一方，即以上述所定義之一方電極，乃構成沿第2方向’ 即掃描線的形成方向所形成之容量線之一部份。基於此’ -8- (5) 1235975 例如’爲了將上述一方電極設爲固定電位，對於各設置在 每一畫素所得之蓄積容量之一方電極，不需要各別設置將 彼等設爲固定電位用之導電材等，可採用每一容量線連接 於固定電位源等形態。因此，如依據本形態，可謀求製造 工程之簡化，或者製造成本之低廉化等。 另外，在本形態中，特別是，容量線由含前述低阻抗 膜之多層膜所成。如依據此構造，在容量線的高功能化， 例如’該容量線所具有之作爲固定電位側容量電極的功能 外’可實現一倂具有其他功能等。特別是，本發明之該多 層膜含低阻抗膜，即例如鋁、銅、鉻等金屬單體，或者含 彼等之材料等與習知的多晶矽或WSi相比，其電氣阻抗 低的材料故，可達成高電氣傳導度。而且，藉由此高電氣 傳導度之達成，在本形態中，容量線的狹小化，即蓄積容 量的狹小化可不伴隨特別的限制而加以實現。因此，本形 態也可大爲有助於開口率的提升之謀求上。換言之，在習 知上’起因於因容量線狹小化所產生的高阻抗化之串音的 發生或燒毀等之發生得以防止。 另外’本形態之容量線乃由含前述之低阻抗膜之多層 膜所成故，在該低阻抗膜之外，也可將由實現防止對於薄 膜電晶體之光入射的光遮蔽功能之其他材料所成的膜，當 成該容量線的構成要素而一倂具備。 另外，如本發明般，如由多層膜構成容量線，可使作 爲蓄積容量之功能穩定化。即例如，如可達成以上舉例所 示之低阻抗化的目的，雖可只以一層之該材料來構成容量 -9- (6) 1235975 線’但是，當成蓄積容量本來應有的作爲電容器之功能有 無法充分達成的情形。因此，在本發明中，如上述般，藉 由以2層以上的膜以構成容量線，在其之一層中，即使使 用具有某種特別功能的材料’在其他層中，可補償性地使 用應達成作爲蓄積容量的功能之材料故，不會發生如上述 之問題。 另外，在本發明中’於容量線上，可謀求上述之功能 化故，光電裝置的設計自由度也得以提升。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述容量線，在 其之上層具有前述低阻抗膜的同時，其之下層具有由光吸 收性材料所成之膜。 如依據此形態，在容量線中，可謀求以下所述之多功 能化。首先，容量線的上層具有前述低阻抗膜故，例如， 假定光由該上層側射入的情形’該光變成在該低阻抗膜的 表面被反射’可防止其直接到達薄膜電晶體。此係基於該 材料一般具有高光反射率。 另一方面，容量線的下層例如由多晶矽等之光吸收性 材料所成故，例如，可防患在射入光電裝置內部後，在前 述低阻抗膜的表面’或者前述資料線的下面等反射等之結 果所產生的所謂迷失光到達薄膜電晶體於未然。即此種迷 失光的全部或一部份在容量線的下層被吸收故，可降低該 迷失光到達薄膜電晶體的可能性。 另外，在本發明中’前提爲容量線乃「由多層膜所 成」故，例如，在本形態中，即使在容量線的下層存在 •10- 1235975 (7) 鋁，在其之下層存在多晶矽，可在該鋁的更上層存在由別 的材料所成的膜，或者在該多晶矽的更下層存在由別的材 料所成的膜，或者在該鋁以及該多晶矽之間存在由別的材 料所成的膜之形態等，不用說也可以。另外，依據情形， 當然也可由上依序爲鋁、多晶矽以及鋁等之構造。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述低阻抗膜乃 由鋁所成。 如依據此形態，鋁是非常低阻抗的材料故，上述之作 用和效果可更確實達成。即鋁的阻抗値與上述多晶矽或 WSi相比，大約爲1/ 100。 另外，如依據容量線含鋁之本構造，則也可獲得如下 的作用和效果。在習知上，容量線如已經敘述般，是由多 晶矽單體或WSi等構成故，基於這些材料所引起的收縮 力或壓縮力，在形成於該容量線上的層間絕緣膜等會產生 大的應力，但是，在本形態中，不會產生該種問題。即在 習知上，由於前述應力的存在，層間絕緣膜的厚度有一定 的限制，如使其太薄，會因該應力而破壞。在本形態中， 可不考慮該種應力的存在故，可使層間絕緣膜的厚度比習 知的小，因此，可謀求光電裝置整全體的小型化。 在本發明之光電裝置的一形態中，前述薄膜電晶體乃 具有包含向長度方向延伸之通道範圍，和由該通道範圍更 向長度方向延伸之通道鄰接範圍的半導體層，於該通道範 圍之側邊，具有遮光部。在本發明之光電裝置的一形態 中，前述掃描線乃具有向前述長度方向交握之方向延伸的 -11 - (8) 1235975 同時，由平面視之，包含重疊於前述通道範圍之前述 電晶體之閘極電極的本體部，和由平面視之’於前述 範圍之側邊，由前述本體部向前述長度方向突出’成 述遮光部之水平性突出部。 如依據此形態，掃描線從由平面視之，包含薄膜 體的閘極電極的本體部起，在通道範圍之側邊中，具 著通道鄰接範圍而突出的水平性突出部。因此，不單 描線中含閘極電極的本體部，特別以藉由水平性突出 光吸收或光反射，至少可部份地阻止對於基板面斜斜 的入射光以及返光，以及基於這些的內面反射光及多 射光等之斜光射入通道範圍及通道鄰接範圍。此時， 是藉由配置在由通道鄰接範圍之層間距離非常小的位 即一般只分開閘極絕緣膜的厚度之層間位置的水平性 部以進行遮光，可非常有效地進行該遮光。 例如，在基板上，於薄膜電晶體之下側設置下側 膜之情形，可獲得在層間距離比較小的下側遮光膜和 爲遮光膜之掃描線的水平性突出部或本體部之間夾住 鄰接範圍或通道範圍之構造故，可獲得對於斜光有非 的遮光性能。 其結果爲，如依據本形態，可提高耐光性，即使 力的入射光或返光射入之嚴苛的條件下，藉由光洩漏 降低的薄膜電晶體，可良好地開關控制畫素電極，最 可明亮地顯示高對比之影像。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述本體部 薄膜 通道 爲前 電晶 有沿 以掃 部之 進行 重反 特別 置， 突出 遮光 作用 通道 常高 在強 電流 終， 和前 -12- (9) 1235975 述水平性突出部乃由同一種膜形成爲一體。 如依據此形態，在製造該光電裝置時，遮 部可以和本體部一同形成掃描線的工程形成故 了形成該突出部而追加的工程。因此，可謀求 積構造以及製造製程的簡化。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述 含前述閘極電極處成爲寬度廣地加以形成。 如依據此形態，掃描線的本體部乃包含前 處成爲寬度廣地加以形成故，可提升藉由寬度 的通道範圍或通道鄰接範圍對於斜光的遮光性 在製造該第1光電裝置時，如此在將本體部的 爲寬度廣上，只需在掃描線的平面圖案加上少 可，不需要追加的工程。 另外，在具備水平性突出部的形態中，前 出部乃由平面視之，於每前述通道範圍，各位 側及汲極側之前述通道鄰接範圍之兩側，各別 如依據此形態，每一薄膜電晶體成爲在其 汲極側以及彼等之兩側設置有合計4個突出部 由這些突出部，可提升對於由立體性之各種方 斜光之遮光性能。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述 晶體乃具有包含向長度方向延伸之通道範圍的 具備將前述薄膜電晶體之前述通道範圍，至少 的上側遮光膜，前述上側遮光膜乃至少部份上 光用的突出 ，不需要爲 基板上的堆 本體部乃包 述閘極電極 廣之本體部 能。另外， 特定處形成 許的變更即 述水平性突 於前述源極 突出者。 之源極側及 。因此，藉 向所射入的 前述薄膜電 半導體層， 由上側被覆 ，於正交在 -13- (10) 1235975 前述通道範圍之長度方向的剖面上，由前述通 之，形成成爲凹狀者。 如依據此形態，具備至少由上側被覆通道 遮光膜，前述上側遮光膜至少部份上，於正交 範圍之長度方向的剖面上，由前述通道範圍側 成爲凹狀。即下側形成成爲凹狀。因此，與上 平坦之情形相比，藉由該上側遮光膜可更有效 基板面斜斜進行的入射光以及基於入射光以及 反射光以及多重反射光等之斜光最終由斜上側 圍。 例如，在基板上，於薄膜電晶體的下側設 膜的情形，可獲得在下側遮光膜和上側遮光膜 通道範圍之構造故，可獲得對於斜光有非常 能。此時，下側遮光膜至少部份上，乃與前述 的凹凸上下相反，在正交在通道範圍的長度 上，由通道範圍側視之，形成成爲凹狀。 其結果爲，如依據本形態，可提高耐光性 力的入射光或返光射入之嚴苛的條件下，藉由 降低的薄膜電晶體，可良好地開關控制畫素電 可明亮地顯示高對比之影像。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述 乃具有包含向前述第1方向延伸之通道範圍之 前述掃描線乃具有於前述通道範圍，包含藉由 對向配置之前述薄膜電晶體之閘極電極的同時 道範圍側視 範圍之上側 在前述通道 視之，形成 側遮光膜爲 地阻止對於 返光之面內 射入通道範 置下側遮光 之間，夾持 高的遮光性 上側遮光膜 方向之剖面 ，即使在強 光洩漏電流 極，最終， 薄膜電晶體 半導體層， 閘極絕緣膜 ，向由平面 -14- (11) 1235975 視之，與前述第1方向交叉之第2方向延伸之本線部，具 有由平面視之，由前述通道範圍向前述第2方向，由僅離 開特定距離之處的前述本線部，延伸設置包圍前述半導體 層之包圍部。 如依據此形態，掃描線具有由平面視之，由前述通道 範圍向前述第2方向，由僅離開特定距離之處的前述本線 部，延伸設置包圍前述半導體層之包圍部。因此，不單掃 描線中含閘極電極的本體部，特別是藉由包圍部之光吸收 或光反射，至少可部份地阻止對於基板面進行的入射光以 及返光，以及基於這些的內面反射光及多重反射光等之斜 光射入通道範圍及通道鄰接範圍。此時，特別是藉由配置 在由通道範圍或通道鄰接範圍的層間距離非常小的位置， 即一般僅離開閘極絕緣膜之厚度的層間位置之包圍部以進 行遮光，而且，對於傾斜在任一方向之光，也藉由包圍部 進行遮光，可非常有效地進行該遮光。 此結果爲，如依據本形態，可提高耐光性，即使在強 力的入射光或返光射入之嚴苛的條件下，藉由光洩漏電流 降低的薄膜電晶體，可良好地開關控制畫素電極，最終， 藉由本發明可明亮地顯示高對比之影像。 另外，有鑑於此種技術效果，在本發明中，所謂「由 平面視之，包圍半導體層」，乃在由平面視之，於半導體 層的周圍不中斷地延伸而形成包圍部的意義外，於包含由 平面視之，在半導體層的周圍，在通道範圍的下側周圍具 有若干中斷而形成包圍部，或斷續地形成包圍部之情形 -15- 1235975 (12) 外，也含點狀分布爲島狀之包圍部的情形等廣義槪念。 在此形態中，特別視前述半導體層之源極範圍的一部 份以及汲極範圍的一部份，分別被設爲接觸孔開孔範圍， 前述包圍部係含前述接觸孔開孔範圍而包圍前述半導體 層。 如依據此種構造，可將半導體層的源極範圍或汲極範 圍藉由接觸孔連接於例如資料線、畫素電極或蓄積容量或 到達彼等之中繼配線或中繼層。而且，此時，特別是藉由 包圍部，可提升接觸孔開孔範圍之周圍的遮光性能。因 此，即使設置有接觸孔，也可進行可靠性高的遮光。 在此種構造中，進而前述源極範圍以及前述汲極範圍 中之至少其中一方，係含前述接觸孔開孔範圍，與前述通 道範圍的寬度形成爲同一寬度。 如依據此種構造，可將包含接觸孔開孔範圍而與通道 範圍爲同一寬度的源極範圍或汲極範圍，藉由由平面視 之，在比較接近彼等之位置中，平面形狀爲矩形之包圍部 予以包圍覆蓋。 另外，在具有此包圍部之形態中，特別是，前述掃描 線乃更具有由前述通道範圍向前述第2方向，由僅離開特 定距離之處的前述本線部，向前述基板之垂直方向突出之 垂直性突出部。 如依據此形態，本線部包含突出在基板的垂直方向之 垂直性突出部故，可藉由含垂直性突出部之本線部立體性 被覆通道範圍，可進一步提高遮光性能。特別是’在掃描 -16- (13) 1235975 線位於通道範圍的上側之所謂頂部閘極型的情 藉由含垂直性突出部之本線部，由上側立體性 圍之構造。另外，關於包圍部之特定距離和垂 之特定距離，可以相同，也可以不同。 在具備前述之包圍部的形態中，進而前述 具有由前述包圍部突出在前述基板的垂直方向 出部。 如依據此形態，藉由本線部之垂直性突出 部的垂直性突出部，可立體地被覆通道範圍， 高遮光性能。特別是，在掃描線位於通道範圍 謂頂部閘極型之情形，可獲得藉由分別含垂直 本線部以及包圍部，由上側立體地被覆通道範 另外，這些垂直性突出部可連續地突出，也 出。 在本發明之光電裝置的其他形態中’前述 乃具有包含向前述第1方向延伸之通道範圍之 前述掃描線乃具有於則述通道範圍’包含藉由 對向配置之前述薄膜電晶體之閘極電極的同時 視之，與前述第1方向交叉之第2方向延伸之 有由平面視之，由前述通道範圍向前述第2方 開特定距離之處的前述本線部’向下方突出 部。 如依據此形態，掃描線具有由平面視之’ 範圍向前述第2方向’由僅離開特定距離之處 形，可獲得 被覆通道範 直性突出部 掃描線可更 之垂直性突 部以及包圍 能進一步提 之上側的所 性突出部的 圍之構造。 可各別地突 薄膜電晶體 半導體層， 閘極絕緣膜 ，向由平面 本線部，具 向，由僅離 之垂直突出 由前述通道 的前述本線 -17- (14) 1235975 部’向下方突出之垂直突出部。因此，不單以掃描線中含 閘極電極的本體部，特別以藉由突出部，在接近該通道範 圍或通道鄰接範圍之位置中，藉由本線部以及突出部，對 於基板面進行的入射光以及返光，以及基於彼等之面內反 射光以及多重反射光等之斜光射入通道範圍以及通道鄰接 範圍予以立體性地遮光故，可非常有效地進行該遮光。 其結果爲，如依據本形態，可提高耐光性，即使在強 力的入射光或返光射入之嚴苛的條件下，藉由光洩漏電流 降低的薄膜電晶體，可良好地開關控制畫素電極，最終， 藉由本發明可明亮地顯示高對比之影像。 在含上述垂直性突出部之形態中，特別是在前述基板 上更具備至少由下側被覆前述通道範圍之下側遮光膜，前 述垂直性突出部可在其之前端部與前述下側遮光膜接觸。 如依據此構造，可獲得在層間距離比較小的下側遮光 膜和作用爲遮光膜之掃描線的包圍部或本體部之間夾住通 道鄰接範圍或通道範圍之構造。而且，通道鄰接範圍或通 道範圍所存在之下側遮光膜和掃描線的包圍部以及本體部 之間的空間，藉由突出部，設爲至少部份上被封閉之空 間。因此，對於傾斜在任一方向的斜光，都可獲得非常高 之遮光性能。 另外，如依據本形態，例如，不令薄膜電晶體的閘極 電極和掃描線形成在同一層，令閘極電極和掃描線形成爲 各別的層，而且’其中的掃描線可利用本形態的下側遮光 膜。即在此情形’下側遮光膜也可兼具作爲掃描線的功 -18- (15) 1235975 能。另外，也可以是即使閘極電極和掃描線形成在同一 層，也可令下側遮光膜具有作爲掃描線的功能之形態。在 此情形下，就某一薄膜電晶體，變成並列設置有二條掃描 線，關於該掃描線，成爲可採用冗餘構造。藉此，即使在 一方的掃描線發生了斷線等之某種故障，也可使用另一方 的掃描線故，可獲得更高可靠性之優點。 另外，如上述般，在下側遮光膜也兼具掃描線的功能 之情形，該下側遮光膜需要對應被排列呈矩陣狀之薄膜電 晶體的各行而形成爲條紋狀。 或者，在前述基板上更具備至少由下側被覆前述通道 範圍之下側遮光膜，前述垂直性突出部可不與前述下側遮 光膜接觸。 如依據此種構造，可獲得在層間距離比較小的下側遮 光膜和作用爲遮光膜之掃描線的包圍部或本體部之間夾住 通道鄰接範圍或通道範圍之構造。而且，通道鄰接範圍或 通道範圍所存在之下側遮光膜和掃描線的包圍部以及本體 部之間的空間，藉由突出部，設爲至少部份上被封閉之空 間。因此，對於傾斜在任一方向的斜光，都可獲得非常高 之遮光性能。 另外，如此在採用不使下側遮光膜和掃描線接觸的構 造時，則不管下側遮光膜的導電性，都可防止由於下側遮 光膜的電位變動所致之不好影響，例如，對於薄膜電晶體 的不好影響於未然。 在本發明之光電裝置的其他形態中，前述薄膜電晶體 -19- (16) 1235975 乃具有包含向前述第1方向延伸之通道範圍之半導體層， 前述掃描線乃具有於前述通道範圍，包含藉由閘極絕緣膜 對向配置之前述薄膜電晶體之閘極電極的同時，向由平面 視之，與前述第1方向交叉之第2方向延伸之本線部，該 本線部乃配置於挖掘在前述基板上之溝內的同時，包含將 前述通道範圍，由側方至少被覆一部份之溝內部份。 如依據此形態，掃描線具有由平面視之，向第2方向 延伸的本線部。此處，特別是，此本線部中配置在溝內的 溝內部份乃由側方至少部份地被覆通道範圍。因此，藉由 此溝內部份之光吸收或光反射，至少可部份地阻止對於基 板面斜斜進行的入射光以及特別是對於背面斜斜進行的返 光，以及基於彼等之內面反射光以及多重反射光等之斜光 射入通道範圍以及通道鄰接範圍。如此藉由提高耐光性， 即使在強力的入射光或返光射入之嚴苛的條件下，藉由光 洩漏電流降低的薄膜電晶體，可良好地開關控制畫素電 極，最終，可明亮地顯示高對比之影像。 此外，此掃描線的本線部包含溝內部份而成故，藉由 增加垂直於第2方向之剖面的溝內部份的剖面積以及位於 溝外的溝外部份的剖面積，也可降低掃描線的配線阻抗。 如此，如使掃描線的配線阻抗降低，最終，可謀求光電裝 置的高精細化或畫素間距的微細化，可進行高品質之影像 顯示。由以上的結果，藉由本發明可明亮地顯示高品質的 影像。 另外，在本發明中，如此至少部份地配置有掃描線的 -20- (17) 1235975 本線部之溝可直接挖掘在基板，也可挖掘在堆積於基板上 之基材絕緣膜。 在本發明之光電裝置的其他形態中’前述薄膜電晶體 乃具有包含向前述第1方向延伸之通道範圍之半導體層， 則述掃描線乃具有於前述通道範圍’包含藉由閘極絕緣膜 對向配置之前述薄膜電晶體之閘極電極的同時，向由平面 視之，與前述第1方向交叉之第2方向延伸之本線部，該 本線部由包含在向前述第2方向延伸的同時，配置於挖掘 在前述基板上之溝內的溝內部份，以及在向前述第2方向 延伸的同時，配置在前述溝外的溝外部份而成。 如依據此形態，掃描線具有由平面視之，向第2方向 延伸的本線部。此處特別是，此本線部含分別向第2方向 延伸之溝內部份以及溝外部份故，因應垂直於第2方向之 剖面的溝內部份以及溝外部份的合計剖面積，掃描線的配 線阻抗降低。例如，由於與液晶的定向不良等之光電物質 的動作不良之關係，在規定液晶等的光電物質的層厚之基 板表面中所被容許的段差，有一定的界限，有鑑於此，與 形成在平坦面上之傳統的掃描線或完全被塡埋在溝內的掃 描線比較，對於基板上的堆積構造之合計膜厚，可增加掃 描線的剖面積之本發明的構造，在實用上大爲有利。 如此，藉由降低掃描線的配線阻抗，可降低由於掃描 訊號之訊號延遲所致的串音、閃燦等之發生，最終，可謀 求光電裝置的高精細化或畫素間距的爲性化，可顯示高品 質的影像。 -21 - (18) 1235975 另外，在本發明中，如此部份地配置有掃描線的本線 部之溝，可直接挖掘在基板，也可挖掘在堆積在基板上的 基材絕緣膜。 如以上所述般，在藉由使掃描線具備特別的要素’例 如，水平性突出部、包圍部等，以可進行對於半導體層之 遮光的形態中，特別是，前述掃描線可由包含金屬或合金 的遮光膜形成。 如依據此形態，掃描線由含金屬或合金的遮光膜所形 成，更具體爲例如由含Ti(鈦）、Cr(鉻）、W(鎢）、Ta(鉅）、 Mo(鉬）、Pb(鉛）等高融點金屬中至少其中一種的金屬單 體、合金、金屬矽化物、多晶金屬矽化物、堆積彼等者等 所形成。因此，藉由由此種遮光膜所成的掃描線之本體部 以及突出部，可更提升通道範圍或通道鄰接範圍對於斜光 的遮光性能。 但是，掃描線不以此種遮光膜形成，而是由多晶矽膜 等形成，也可獲得因應其之光吸收特性的遮光性能。 在此形態中，前述掃描線具有金屬膜和矽膜的多層構 造。如依據此構造，可更提升遮光性能。 在本發明之光電裝置的其他形態中，構成前述掃描 線、前述資料線、前述蓄積容量的一對之電極及前述遮蔽 層之至少一部份乃由遮光性材料所成，前述至少一部份乃 在於前述堆積構造中，構成內藏遮光膜。 如依據此形態，構成基板上的堆積構造之各種要素乃 由遮光性材料形成，形成規定光透過範圍的遮光膜。藉 -22- (19) 1235975 此，成爲在基板上具備有所謂「內藏遮光膜」’可避免由 於對於薄膜電晶體的半導體層之光入射’而產生光洩漏電 流，在影像上產生閃爍等之事態於未然。即可提升對於薄 膜電晶體乃至其之半導體層的耐光性。即如將薄膜電晶體 形成在基板上的最下層，或接近其之層，則前述的掃描 線、資料線、蓄積容量以及遮蔽層都變成形成在該薄膜電 晶體的上側故，由彼等所成的遮光膜可稱爲「上側遮光 膜」。 另外，在本形態所謂的「遮光性材料」是例如由含 Ti(鈦）、Cr(鉻）、W(鎢）、Ta(鉅）、Mo(鉬）、Pb(鉛）等高融 點金屬中至少其中一種的金屬單體、合金、金屬矽化物、 多晶金屬矽化物、堆積彼等者等所形成。另外，此「遮光 性材料」也可包含鋁（A1 )。 另外，在本形態中，特別是前述的各種要素之全部， 雖不用說可構成「內藏遮光膜」，但是，最好設延伸存在 於相互交叉的方向之二個要素的至少一組構成該「內藏遮 光膜」。例如，容量線沿著前述掃描線延伸存在的第2方 向形成，該容量線的一部份爲構成前述蓄積容量的一對之 電極的一方之情形中，該容量線以及前述資料線由遮光性 材料形成’乃是彼等構成「內藏遮光膜」之構造。如依據 此種構造’ 「內藏遮光膜」的形狀成爲格子狀，此係可適 當地對應通常所採用作爲前述之畫素電極的排列形態之矩 陣狀排列的關係。 另外’在本發明中，雖可採用如上述之各種形態，但 -23- (20) 1235975 是，在上述的本發明之各種形態中，不管記載 範圍之各申請項的引用形式，基本上可自由地 和別的形態。但是，由於事情之性質上的關係 相容的情形。例如，對於對掃描線具備水平性 態，組合由包含低阻抗膜之多層膜以形成容 等。當然，也可以合倂具有三個以上的形態以 置。 爲了解決前述課題，本發明之其他的光電 備：於基板上，向第1方向延伸存在的資料線 在於交叉在前述資料線之第2方向的掃描線， 述資料線及前述掃描線之交叉範圍，加以配置 及薄膜電晶體，和電氣連接於前述薄膜電晶體 電極的蓄積容量，和配置於前述資料線及前述 之遮光層。而且，構成前述蓄積容量之一對 方，乃由包含低阻抗膜之多層膜所構成。 如依據本發明之其他的光電裝置，藉由具 本發明的光電裝置略同樣的構造，可享受與在 中所達成的作用效果略同樣的作用效果。而且 中，特別是代替前述的光電裝置的遮蔽層，而 膜的形式故，可有效遮蔽由薄膜電晶體的上側 藉此，在該薄膜電晶體的半導體層中，不會發 流。 爲了解決前述課題，本發明之電子機器乃 本發明的光電裝置而成。但是’包含其之各種: 於申請專利 組合一形態 ，也有無法 突出部的形 量線之形態 構成光電裝 裝置，乃具 ，和延伸存 和對應於前 之畫素電極 及前述畫素 畫素電極間 之電極之一 備與上述之 該光電裝置 ，在本發明 設置有遮光 射入之光， 生光洩漏電 具備上述之 肜態。 -24- (21) 1235975 如依據本發明之電子機器，由具備前述之本發明的光 電裝置所成故，對於薄膜電晶體之半導體層的光入射受到 抑制’可實現能顯示由於光洩漏電流所引起的影像上之閃 燥等幾乎都不會產生的高品質的影像的投射型顯示裝置、 液晶電視、行動電話、電子記事簿、文字處理器、尋像器 型或監視器直視型之錄像機、工作站、電視電話、p 〇 S終 端、觸控面板等之各種電子機器。 由以下說明的實施形態，可使本發明之此種作用以及 其他的優點變得淸楚。 【實施方式】 在以下中，一面參考圖面一面說明本發明之實施形 態°以下的實施形態係將本發明之光電裝置適用於液晶裝 置者。 (第1實施形態） 第一，參考第1圖至第4圖說明關於本發明之第1實 施形態的光電裝置之畫素部的構造。此處，第1圖係顯示 構成光電裝置之影像顯示範圍而形成爲矩陣狀的多數畫素 之各種元件、配線等之等效電路。第2圖係形成有資料 線、掃描線、畫素電極等之TFT陣列基板的相鄰接之多 數的畫素群的平面圖。另外，第3圖係爲了顯示第2圖中 的重要部位，具體爲資料線、遮蔽層以及畫素電極間的配 置關係，主要只抽出彼等之平面圖。第4圖係第2圖之 -25- (22) 1235975 Α·Α’剖面圖。另外，第4圖中，將各層、各 在圖面上可辨識程度的大小故，該各層、各 比例尺。 第1圖中’在構成本實施形態之光電裝 範圍而形成爲矩陣狀之多數的畫素’分別形 9a和開關控制該畫素電極9a之TFT30，被 號之資料線6a係電氣連接在該TFT30的源 線6a的影像訊號SI、S2.....Sn可以此順 供給，也可對於相鄰接的多數之資料線6 a 地加以供給。 另外，掃描線3a電氣連接在TFT30的 的時序，脈衝性地將掃描訊號G1、G2、… 序依線順序施加在掃描線3 a而構成。畫素調 連接在TFT30的汲極，藉由只在一定期間 TFT30關閉其之開關，以特定的時序寫入由 供給的影像訊號SI、S2.....Sn。 藉由畫素電極9a而寫入光電物質之一 定位準的影像訊號SI、S2.....Sn係在形 的對向電極之間被保持一定期間。液晶基於 位準，分子集合之定向或秩序產生變化，據 可做灰階顯示。如爲常白模式，則因應各畫 加的電壓，對於入射光的透過率減少，如爲 因應各畫素單位所被施加的電壓，對於入射 加，整體而言，具有因應影像訊號之對比的 構件爲了設爲 構件係爲不同 置的影像顯不 成有畫素電極 供應有影像訊 極。寫入資料 序而依線順序 彼此，每一群 閘極，以特定 、Gm以此順 I極9 a係電氣 將開關元件之 資料線6a所 例的液晶之特 成於對向基板 所施加的電壓 此而調變光， 素單位所被施 常黑模式，則 光的透過率增 光由光電裝置 -26- (23) 1235975 射出。 此處，爲了防止所保持的影像訊號洩漏，附加與形成 在畫素電極9a和對向電極之間的液晶容量並聯之蓄積容 量7 〇 °此蓄積容量7 0係與掃描線3 a並排設置，含固定 電位側容量電極的同時，也含固定爲一定電位的容量電極 3 0 0 〇 在以下中，參考第2圖至第4圖，說明藉由上述資料 線6a、掃描線3a、TFT30等之上述的電路動作得以實現 之光電裝置的實際構造。 首先，第2圖中，畫素電極9a係在TFT陣列基板10 上呈矩陣狀地設置爲多數個（藉由虛線部 9a，來顯示輪 廓）’沿著畫素電極9a的各縱橫之邊界設置資料線6a以 及掃描線3 a。資料線6 a係如之後敘述般，由包含鋁膜等 堆積構造所成，掃描線3a例如由導電性的多晶矽膜等所 成。另外，掃描線3a係在半導體層la中，配置爲由圖中 向右上的斜線範圍所示之通道範圍1 a’相面對，該掃描線 3 a作用爲閘極電極。即在掃描線3 a和資料線6 a的交叉 處’分別設置掃描線3 a的本線部作爲閘極電極而對向配 置在通道範圍la，之畫素開關用的TFT30。 接著，光電裝置如第2圖的A-A’線剖面圖之第4圖 所示般，例如，具備由石英基板、玻璃基板、矽基板所成 之TFT陣列基板1 0，和與此對向配置，例如由玻璃基板 或石英基板所成之對向基板20。 如第4圖所示般，在TFT陣列基板1 0側設置有前述 -27- (24) 1235975 的畫素電極9a，在其上側設置有被施以摩擦處理等之特 定的定向處理的定向膜16。畫素電極9a例如由ITO膜等 透明導電膜所形成。另一方面，在對向基板2 0側設置有 涵蓋其全面之對向電極2 1，在其下側設置有被施以摩擦 處理等之特定的定向處理之定向膜22。其中，對向電極 21係與前述畫素電極9a同樣地，例如由ITO膜等透明導 電性膜所形成’前述的定向膜1 6以及22例如由聚亞醯胺 膜等透明的有機膜所形成。在如此對向配置的T F T陣列 基板1 〇以及對向基板20之間，於藉由後述的密封材（參 考第20圖以及第2 1圖）所包圍的空間裝入液晶等之光電 物質，形成液晶層5 0。液晶層5 0係在沒有施加來自畫素 電極9a的電場之狀態下，藉由定向膜16以及22而取得 特定的定向狀態。液晶層5 0例如由混合了 一種或數種的 向列型液晶之光電物質所形成。密封材係將TFT基板1 0 以及對向基板2 0在其之四周予以貼合之例如由光硬化性 樹脂或熱硬化性樹脂所成之接著劑，混入有保持兩基板間 的距離爲特定値之玻璃纖維或玻璃珠等之間隔物。 另一方面，在TFT陣列基板1〇上，於前述的畫素電 極9a以及定向膜16之外，具備有含彼等之各種的構造成 爲堆積構造之構造。如第4圖所示般，此堆積構造係由 TFT陣列基板1 〇起依序爲含下側遮光膜〗〗a之第1層、 含TFT3 0以及掃描線3a等之第2層、含蓄積容量70以 及資料線6a等之第3層、含遮蔽層400等之第4層、含 前述畫素電極9a以及定向膜16等之第5層（最上層）形 -28- (25) 1235975 成。另外，在第1層及第2層間設置基材絕緣膜1 2，在 第2層以及第3層間設置第1層間絕緣膜4 1，在第3層 以及第4層間設置第2層間絕緣膜42，在第4層以及第5 層間設置第3層間絕緣膜43，以防止前述各要素間短 路。另外，在這些各種絕緣膜12、41、42以及43中，例 如也還設置有電氣連接TFT30之半導體層la中的高濃度 源極區域1 d和資料線6a之接觸孔等。在以下中，關於這 些各要素，由下起依序進行說明。 首先，在第1層設置下側遮光膜1 1 a。此下側遮光膜 11a由平面視之，被圖案化爲格子狀，藉此以規定各畫素 的開口範圍（參考第2圖）。在下側遮光膜1 1 a的掃描線 3a和資料線6a交叉的範圍中，形成倒角畫素電極9a的 角落而突出的範圍。 而且，在本實施形態中，特別是，此下側遮光膜11a 乃由其下層具備防止金屬層Ml的氧化，其上層具備防止 金屬層Ml的氧化之阻障層B1之二層構造所形成。藉 此，堆積構造中，在形成比此下側遮光膜1 1 a還上方的構 造要素時，即使進行高溫處理工程（例如，在形成後述的 TFT30時的退火處理等），由於其上層具備有阻障層B1 故’可防止金屬層Μ1的氧化於未然。另外，關於此下側 遮光膜1 la，爲了避免其電位變動對於TFT30帶來不好影 響’可由影像顯示範圍延伸設置至其四周而與定電位源連 接。 接著，第2層係設置有TFT30以及掃描線3a。如第 -29- (26) 1235975 4 圖所示般，TFT30 具有 LDD(Lightly Doped Drain:輕度 摻雜汲極）構造，其構成要素係如上述般，具備作用爲閘 極電極之掃描線3 a、例如由多晶矽膜形成，藉由自掃描 線3 a的電場而形成通道的半導體層1 a之通道範圍1 a '、 含絕緣掃描線3 a和半導體層1 a之閘極絕緣膜之絕緣膜 2、半導體層1 a之低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區 域1 c以及高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域1 e。 另外，TFT30最好具有如第4圖所示之LDD構造， 但是也具有不在低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域 1 c進行不純物的植入之偏置構造，也可將由掃描線3 a的 一部份所成的閘極電極當成遮罩，以高濃度植入不純物， 自我對準地形成高濃度源極區域以及高濃度汲極區域之自 我對準型TFT。另外，在本實施形態中，雖設爲只將1個 之畫素開關用 TFT30的閘極電極配置在高濃度源極區域 1 d以及高濃度汲極區域1 e間的單閘極構造，但是，在彼 等之間配置2個以上的閘極電極亦可。如此，如以雙閘 極’或者三閘極以上構成TFT，可防止通道和源極以及汲 極區域的接合部的洩漏電流，能夠降低關閉時的電流。另 外’構成TFT30的半導體層la可爲非單結晶層，也可爲 單結晶層。在單結晶層的形成上，可使用貼合法等周知的 方法。藉由設半導體層la爲單結晶層，特別可謀求周邊 電路的高性能化。 在以上說明的下側遮光膜1 la之上，且在TFT30之 下’例如設置有由矽氧化膜等所成之基材絕緣膜1 2。基 -30- (27) 1235975 材絕緣膜12在由下側遮光膜1 la層間絕緣TFT30的功能 外，藉由形成在TFT陣列基板1 〇的全面，具有防止因於 TFT陣列基板10的表面硏磨時的粗糙或淸洗後殘留的污 染等導致畫素開關用TFT30的特性改變之功能。 而且，在本實施形態中，特別是在此基材絕緣膜1 2 挖掘有由平面視之，在半導體層1 a的兩側與通道長相同 寬度，或者比通道長還長的溝（形成爲接觸孔狀的溝） 12cv，對應此溝12cv，被堆積在其上方之掃描線3a含有 在下側形成爲凹狀的部份（第2圖中，爲了避免複雜化， 未圖示出，參考第5圖。）。另外，藉由埋住此溝12c v 整體而形成掃描線3a，成爲在該掃描線3a延伸設置與其 形成爲一體之水平性突出部3 b。藉此，如第 2圖所示 般，TFT30的半導體層la由平面視之，成爲被由側方被 覆，至少由此部份的光的入射受到抑制。另外，水平性突 出部3 b也可只在半導體層1 a的單側。另外，關於此溝 1 2 c v以及堆積在其上的掃描線3 a以及水平性突出部3 b， 之後參考第5圖以後，重新詳細談及。 且說，接續前述第2層，在第3層設置有蓄積容量 70以及資料線6a。蓄積容量70係藉由電氣連接TFT30 的高濃度汲極區域1 e以及畫素電極9 a而作爲畫素電位側 容量電極之第1中繼層71，和作爲固定電位側容量電極 的容量電極3 00藉由介電質膜75對向配置而形成。如依 據此蓄積容量70，可顯著提高畫素電極9a的電位保持特 性。另外，關於本實施形態之蓄積容量70，觀看第2圖 -31 - (28) 1235975 的平面圖便可明白，形成爲不到達幾乎對應畫素電極9a 的形成範圍之光透過範圍，換言之，形成在遮光範圍內。 即蓄積容量7〇係形成在與鄰接資料線6a間的掃描線3a 重疊之範圍，和在掃描線3 a與資料線6 a交叉的角落’下 側遮光膜1 1倒角畫素電極9a的角落之範圍。藉此，光電 裝置整體的畫素開口率可維持爲比較大，藉此，可顯示更 明亮的影像。 更詳細爲，第1中繼層7 1例如由導電性多晶矽膜形 成，作用爲畫素電位側容量電極。但是，第1中繼層71 也可由含金屬或合金的單一層膜或多層膜構成。在多層膜 的情形下，可設下層爲光吸收性的導電性之多晶矽膜，設 上層爲光反射性的金屬或合金。另外，此第1中繼層71 在作用爲畫素電位側容量電極的功能外，也具有藉由接觸 孔83、85以及89而中繼連接畫素電極9a和TFT30之高 濃度汲極區域1 e之功能。此第1中繼層71如第2圖所示 般，形成爲具有與後述的容量電極300之平面形狀略相同 的形狀。 容量電極3 00係作用爲蓄積容量70的固定電位側容 量電極。在第1實施形態中，爲了使容量電極300成爲固 定電位，係藉透過接觸孔87而與設爲固定電位之遮蔽層 400取得電氣連接所完成。 但是，如後述般，在將容量電極3 00和資料線6a形 成爲各別的層之形態中，最好例如藉由採取將該容量電極 3〇〇與由配置了畫素電極9a之影像顯示範圍l〇a延伸設 -32- (29) 1235975 置至其四周之定電位源電氣連接等手段，以將該容量電極 3 0 〇維持爲固定電位。即此處所述之「定電位源」，可爲 供應給資料線驅動電路1 0 1的正電源或負電源的定電位 源，也可爲供應給對向基板2 0的對向電極2 1之定電位 源。 而且，在本實施形態中，特別是形成與此容量電極 3 0 0爲同一膜之資料線6a。此處，所謂「同一膜」是指同 一層，或在製造工程階段，同時形成之意。但是，容量電 極3 00以及資料線6a間並非平面形狀爲連續地形成，而 是兩者間在圖案化被斷開。 具體爲如第2圖所示般，容量電極3 00係與掃描線 3 a的形成範圍重疊，即沿著圖中X方向斷開形成，資料 線6a與半導體層1&的長度方向重疊，即延伸存在於圖中 Y方向而形成。更詳細爲，容量電極3 00係具備：沿著掃 描線3 a延伸的本線部，和第2圖中，在鄰接半導體層1 a 的範圍中，沿著該半導體層la而突出於圖中上方之突出 部（圖中可見如略梯形狀之部份），和對應後述的接觸孔 8 5處稍微變細之中間細部。其中突出部對蓄積容量70的 形成範圍之增加有貢獻。 另一方面，資料線6a具有沿著第2圖中Y方向直線 延伸的本線部。另外，位於半導體層1 a的第2圖中上端 之高濃度汲極區域le具有與蓄積容量7 0的突出部範圍重 疊’在右方彎曲90度直角之形狀，此係爲了避開資料線 6a’謀求該半導體層ia和蓄積容量70的電氣連接之故 -33- (30) 1235975 (參考第4圖）。 在本實施形態中，實施圖案化等以呈現上述之形狀， 容量電極3 00以及資料線6a爲同時形成。 另外，如第4圖所示般，這些容量電極300以及資料 線6 a係形成爲具有下層爲由導電性的多晶矽所成之層， 上層爲由鋁所成之層的二層構造的膜。其中，關於資料線 6a，雖藉由後述之貫穿介電質膜75的開口部之接觸孔81 而與TFT30的半導體層la電氣連接，但是，該資料線6a 採用如上述之二層構造，而且，前述之第1中繼層71由 導電性的多晶矽膜所成，因此，該資料線6 a以及半導體 層1 a間的電氣連接，可直接地藉由導電性之多晶矽膜而 貫現。即由下起依序成爲弟1中繼層之多晶砂膜、資料線 6a的下層之多晶矽膜以及其之上層的鋁膜。因此，可良 好地保持兩者間的電氣連接。在本實施形態中，資料線 6a和容量電極300雖設爲導電性多晶矽層和鋁層之二層 構造，但是也可設爲由下層起依序爲導電性多晶砂層、銘 層、氮化鈦層之三層構造。 如依據此構造，氮化鈦層作用爲防止接觸孔8 7的開 口時之蝕刻穿透之阻障金屬。 另外，容量電極3 00以及資料線6a係含光反射性能 比較優異的鋁，而且，由於含光吸收性能比較優異的多晶 矽之故，可作用爲遮光層。即如依據這些，可將對於 TFT30的半導體層la之入射光（參考第4圖）的進行在 其上側予以遮住。 -34- (31) 1235975 如第4圖所示般，介電質膜75例如由膜厚5〜200nm 程度的比較薄的HTO(High Temperature Oxide:高溫氧化 物）膜、LTO(Low Temperature Oxide :低溫氧化物）膜等氧 化矽膜，或氮化矽膜等構成。由使蓄積容量70增大的觀 點而言，在可充分獲得膜的可靠性限度下，介電質膜75 愈薄愈好。而且，在本實施形態中，如第4圖所示般，介 電質膜75特別成爲具有下層爲氧化矽膜75 a，上層爲氮 化矽膜75b之二層構造。上層的氮化矽膜75b係被圖案化 爲收容在遮光範圍（非開口範圍）內。藉此，藉由介電率 比較大的氮化矽膜75b的存在，可增加蓄積容量70的容 量値之外，盡管如此，藉由氧化矽膜75a的存在，並不會 降低蓄積容量70的耐壓性。如此，藉由使介電質膜75成 爲二層構造，可享受相反之二種作用和效果。另外，有著 色性的氮化矽膜75b係不被圖案化形成在光透過之範圍 故，可防止透過率降低。另外，藉由氮化膜7 5 b的存在， 可防止水侵入TFT30於未然。藉此，在本實施形態中， 不會導致TFT30的磷介電壓的上升之情況，可比較長期 的裝置使用。另外，在本實施形態中，介電質膜7 5雖係 具有二層構造，但是依據情形，例如，也可具有氧化矽 膜、氮化矽膜以及氧化矽膜等之三層構造，或其以上的堆 積構造而構成。 在以上說明的TFT30乃至掃描線3a上，且在蓄積容 量70乃至資料線6a之下，例如形成NSG(非矽酸玻璃）、 PSG(磷矽酸玻璃）、BSG(硼矽酸玻璃）、BPSG(硼磷矽酸玻 -35- (32) 1235975 璃）等之矽酸玻璃膜、氮化矽膜或氧化矽膜等，或最好由 N S G所成之第1層間絕緣膜4 1。而且，在此第1層間絕 緣膜41開孔電氣連接TFT30的高濃度源極區域Id和資 料線6a之接觸孔8 1。另外，在第1層間絕緣膜4 1開孔 電氣連接TFT30的高濃度汲極區域le和構成蓄積容量70 的第1中繼層71之接觸孔8 3。 另外，在這些二個接觸孔中，於接觸孔8 1的形成部 份中，不形成前述的介電質膜75，換言之，在該介電質 膜75形成開口部。此係在該接觸孔8 1中，需要藉由第1 中繼層7 1而謀求低濃度源極區域1 b和資料線6a間的電 氣導通之故。即此種開口部如設置在介電質膜75，也可 獲得在對於TFT30的半導體層la進行氫化處理時，可使 該處理所用的氫通過該開口部而容易到達半導體層la之 作用和效果。 另外，在本實施形態中，可藉由對於第1層間絕緣膜 41進行約1〇〇〇 °C的燒成，以謀求植入構成半導體層la或 掃描線3 a之多晶矽膜的離子之活化。 且說，接續前述第3層，在第4層形成有遮光性的遮 蔽層400。此遮蔽層400如由平面視之，如第2圖以及第 3圖所示般，係形成爲分別延伸在第2圖中X方向以及Y 方向之格子狀。在該遮蔽層400中’關於延伸存在於第2 圖中 Y方向之部份，特別是形成爲被覆資料線6a，且寬 度比該資料線6a廣。另外，關於延伸存在於第2圖中X 方向的部份，爲了確保形成後述的第3中繼電極402之範 -36- (33) 1235975 圍，在各畫素電極9a的一邊之中央附近具有缺口部。另 外，在分別延伸存在於第2圖中XY方向之遮蔽層4〇〇的 交叉部份的角落中，對應前述之容量電極3 00的略梯形狀 的突出部而設置略三角形狀的部份。遮蔽層400可與下側 遮光膜11a爲相同寬度，寬度可比下側遮光膜11a廣，也 可比其窄。 此遮蔽層400係由配置了畫素電極9a之影像顯示區 域10a向其四周延伸設置，藉由與定電位源電氣連接，而 被設爲固定電位。另外，此處所述之「定電位源」可爲供 應給資料線驅動電路1 0 1的正電源或負電源之定電位源， 可爲供應給對向基板20的對向電極2 1之定電位源。 如此，如藉由覆蓋資料線6a的整體而形成的同時 (參考第3圖），而被設爲固定電位的遮蔽層400之存 在，可排除產生在該資料線6a以及畫素電極9a間的容量 耦合的影響。即可事先避免因應對於資料線6a的通電， 畫素電極9a的電位變動之事態，可降低在影像上發生沿 著該資料線6a之顯示不均等的可能性。在本實施形態 中，更由於遮蔽層400係形成爲格子狀故，關於掃描線 3a延伸存在之部份，也可不使無用的容量耦合產生而予 以抑制。另外，遮蔽層4 0 0的上述三角形的部份，可排除 產生在容量電極3 00和畫素電極9a之間的容量耦合的影 響，基於此，可獲得與上述略相同的作用和效果。 另外，在第4層形成與此種遮蔽層400爲同一膜，本 發明稱爲「中繼層」之一例的第2中繼電極402。此第2 -37- (34) 1235975 中繼電極402係具有藉由後述的接觸孔89而中繼構成蓄 積容量70的第1中繼層71以及畫素電極9a間的電氣連 接之功能。另外，這些遮蔽層400以及第2中繼電極402 間係與前述的容量電極3 00以及資料線6a相同，並非平 面狀爲連續形成，而係形成爲兩者間在圖案化被斷開。 另一方面，上述的遮蔽層400以及420係具有下層由 鋁所成之層，上層由氮化鈦所成之層的二層構造。藉此， 首先，期待氮化鈦可作爲接觸孔89之開口時的蝕刻穿透 防止的阻障金屬之作用和效果。另外，在第2中繼電極 402中，下層之由鋁所成之層係與由I TO等所成之畫素電 極 9a連接。在此情形下，特別是後者的連接變成可良好 進行。此點可與：假如採用直接連接鋁和ITO之形態，在 兩者間產生電蝕，由於鋁的斷線，或氧化鋁的形成所導致 的絕緣等之故，無法實現理想的電氣連接相對照。如此， 在本貫施形態中’藉由可良好地實現第2中繼電極402和 畫素電極9 a的電氣連接，得以良好地維持對於該畫素電 極9a之電壓施加，或者畫素電極9a之電位保持特性。 另外，遮蔽層400以及第2中繼電極402由於含光反 射性能比較好的鋁，且含光吸收性能比較好的氮化鈦故， 可作用爲遮光層。即如依據這些，可將對於TFT30的半 導體層la之入射光（參考第2圖）的進行由其之上側予 以遮住。另外，關於此事，如已經敘述過的，就前述之容 量電極3 0 0以及資料線6 a也相同。在本實施形態中，這 些遮蔽層400、第2中繼電極402、容量電極300以及資 -38- (35) 1235975 料線6a —面成爲構築在TFT陣列基板10上的堆積構造 的一部份，一面可作用爲構成遮住來自上側對於TFT30 的光入射之上側遮光膜（或如著眼於構成「堆積構造的一 部份」之點，則爲「內藏遮光膜」）。另外，如依據此 「上側遮光膜」或「內藏遮光膜」之槪念，在上述構造之 外，掃描線3 a或第1中繼層71等也可考慮爲含於其中 者。總之，在解釋爲最廣義的前提下，如係構築在TFT 陣列基板1 〇上而由不透明材料所成的構造，則可稱爲 「上側遮光膜」或「內藏遮光膜」。 在以上說明的前述資料線6a之上，且在遮蔽層400 之下，形成 NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽酸玻璃膜、 氮化矽膜或氧化矽膜等，或者更好爲由NSG所成之第2 層間絕緣膜42。在此第2層間絕緣膜42分別開有電氣連 接前述遮蔽層400與容量電極3 00之接觸孔87、以及電 氣連接第2中繼電極402和第1中繼層71之接觸孔85。 另外，在第1實施形態中，藉由形成有前述之第2中繼電 極4 02，畫素電極9a以及TFT30間的電氣連接係藉由三 個接觸孔83、85、以及89，即藉由三個層間絕緣膜41、 42、以及43而進行。如此，如連結比較短小的接觸孔， 以謀求畫素電極9a和TFT30間的電氣連接時，比起藉由 比較大的接觸孔來實現其，基於該短小的接觸孔之製造容 易性，可獲得以更低成本，且更高可靠性進行光電裝置的· 製造之優點。 另外，對於第2層間絕緣膜42，藉由關於第1層間 -39- (36) 1235975 絕緣膜41所進行之前述的燒成’以謀求容量電極300的 邊界附近所產生的應力的緩和。 最後，如上述般，畫素電極9a在第5層形成爲矩陣 狀，在該畫素電極9a上形成定向膜丨6。此畫素電極9a 可爲角落被截掉之形狀。而且，在此畫素電極9a之下形 成 NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽酸玻璃膜、氮化矽膜 或氧化矽膜等，或者最好由BPSG所成之第3層間絕緣膜 43。在此第3層間絕緣膜43開有電氣連接畫素電極9a以 及前述第2中繼層402間的接觸孔89。另外，在本實施 形態中，特別是第 3層間絕緣膜 43的表面爲藉由 CMP(Chemical M e c h an i c a 1 Ρ ο 1 i s h i n g :化學機械硏磨）處理 等而予以平坦化，降低由於存在於其下方之各種配線或元 件等所致之段差而引起的液晶層50的定向不良。但是， 不如此對第3層間絕緣膜43施以平坦化處理，藉由在 TFT陣列基板10、基材絕緣膜12、第1層間絕緣膜41以 及第2層間絕緣膜42中的至少其一挖掘溝，以塡埋資料 線6a等之配線或TFT30等，以進行平坦化處理亦可。或 者，也可不進行第3層間絕緣膜43的平坦化處理，只以 上述之溝進行平坦化處理。 (關於對於TFT之光遮蔽的構造） 在以下，說明關於對於上述之TFT30的光遮蔽之構 造，更詳細爲，含該TFT30的閘極電極之掃描線3a以及 基材絕緣膜1 2的溝1 2cv、或者下側遮光膜1 1 a等相關的 -40- (37) 1235975 構造。 (其一：依據設置有由形成在基材絕緣膜12的溝12cv和 掃描線3 a延伸設置的水平性突出部3 b之例的光遮蔽） 首先，第一，參考第5圖至第8圖，詳細說明掃描線 3 a以及水平性突出部3 b的構造以及作用和效果，以及控 掘在基材絕緣膜1 2的溝1 2cv之構造以及作用和效果。此 處，第5圖係與半導體層la —同地摘錄第2圖中的掃描 線3 a的水平性突出部3ba以及挖掘在基材絕緣膜1 2之溝 12cv而顯示的平面圖，第6圖係第5圖之B-B’剖面圖， 第7圖係第5圖之C-C’剖面圖。另外，第8圖係第5圖 之D-D’剖面圖。 如由第5圖至第8圖所示般，在基材絕緣膜1 2，沿 著資料線6a而在半導體層la的兩側挖掘溝12cv。掃描 線3a的水平性突出部3b部份地被塡埋在溝12cv內，另 外，藉由第1層間絕緣膜41，第1中繼層7 1以及容量電 極300對應溝12cv而部份凹陷。藉此，在由第6圖至第 8圖所示之各剖面圖上，掃描線3 a的水平性突出部3 b、 容量電極3 00等係對應溝12cv而含下側形成爲凹狀的部 份。另外，在此形態中，藉由水平性突出部3 b被塡埋在 溝12cv內，該水平性突出部3b也一倂具有溝12cv的深 度方向之垂直性突出部的性質。 如依據此形態，第1，在以多晶矽所成的掃描線3 a 設置水平性突出部3 b之故，不單藉由掃描線3 a中作用爲 -41 - (38) 1235975 閘極電極的本體部，特別是藉由水平性突出部3 b主要用 於吸收光，反射一部份光，至少可部份地阻止對於TFT 陣列基板1 0的基板面斜斜進行的入射光以及返光，以及 基於彼等之內面反射光以及多重反射光等斜光射入通道範 圍1 a以及其鄰接範圍，即低濃度源極區域1 b以及低濃度 汲極區域1 c。此時，藉由接近半導體層1 a之水平性突出 部3 b以及掃描線3 a的本體部來進行遮光故，可非常有效 地進行該遮光。 另外，第2，由上側被覆半導體層1 a而作用爲上側 遮光膜之掃描線3a (含水平性突出部3b)、第1中繼層 71以及容量電極3 00分別含對應溝12cv而在下側形成爲 凹狀之部份故，與上側遮光膜爲平坦的情形相比，藉由該 上側遮光膜可更有效地阻止對於基板面斜斜進行的入射 光、以及基於入射光與返光之內面反射光以及多重反射光 等斜光最終由斜上側射入通道範圍1 a以及其鄰接範圍。 即藉由下側爲凹狀，或者上側爲凸狀之上側遮光膜的上面 部份，擴散來自上側之斜光之傾向因應溝1 2cv而變強 故，最終，可降低由斜上側射入通道範圍1 a以及其鄰接 範圍的光量。另外，基於同樣的理由，也可使下側遮光膜 1 1 a至少部份地，與上述的上側遮光膜的凹凸上下相反， 上側爲凹狀，即下側爲凸狀地形成。 此處，在本實施形態中，如第2圖以及第4圖所示 般，藉由各種遮光膜，由上下進行對於TFT30的遮光。 即對於由光電裝置的上側，即入射光的入射側所射入的入 -42- (39) 1235975 射光，容量電極3 00以及遮蔽層400等作用爲上側遮光 膜。另一方面，對於由該光電裝置的下側，即入射光的射 出側所射入的返光，下側遮光膜1 1 a如文字所示，作用爲 下側遮光膜。因此，在掃描線3 a設置水平性突出部3 b之 必要性，或藉由溝12cv對上側遮光膜之容量電極3 00等 賦予特別的形狀之必要性也不用考慮。但是，入射光係含 對於基板1 〇，由斜方向射入之斜光。因此，斜光在基板 1 〇的上面或下側遮光膜1 1 a的上面等反射，或者在上側 遮光膜的下面反射，進而，彼等在該光電裝置內的其他界 面反射，而產生內面反射光、多重反射光。因此，即使在 TFT30的上下具備各種遮光膜，藉由兩者間的間隙進入之 斜光存在故，如本實施形態般，以半導體層1 a的側邊進 行遮光的水平性突出部3b，或藉由對應溝12cv之凹狀部 份的遮光效果大。 如上述般，如依據本實施形態之光電裝置，藉由設置 水平性突出部3b以及溝1 2cv，耐光性得以提高，即使在 強力的入射光或返光射入之嚴苛條件下，藉由光洩漏電流 降低之 TFT30，也可良好地開關控制畫素電極 9a，最 終，可顯示明亮高對比的影像。 此外，在本實施形態中，上側遮光膜是由含水平性突 出部3b之掃描線3a、容量電極300、遮蔽層400等之一 部份而成，整體上，可謀求TFT陣列基板1 0的堆積構造 以及製造工程的簡化。另外，在本實施形態中，水平性突 出部3b由於由與掃描線3a爲同一膜而形成爲一體故，爲 -43- (40) 1235975 了形成水平性突出部3 b，並不需要追加的工程。 另外，在本形態中，溝1 2 c v並不到達下側遮光膜 1 la，因此，包含被覆該溝12cv的底面而形成之水平性突 出部3 b以及深度方向的垂直突出部的掃描線3 a並不與下 側遮光膜1 1 a接觸。因此，即使下側遮光膜丨1 a爲導電 膜，也可防止其電位變動所帶給掃描線3 a之不好的影 饗。 在以上說明的形態中，可與下側遮光膜1 1 a的情形相 同，由含金屬或合金的遮光膜（含Ti、Cr、W、Ta、Mo 等之高融點金屬中的至少一種的金屬單體、合金、金屬矽 化物、多晶金屬矽化物、堆積彼等者等）來構成掃描線 3 a。如依據此種構造，藉由掃描線3 a以及水平性突出部 3b，可提高反射性能，能更提升通道範圍la’或通道鄰接 範圍對於斜光的遮光性能。 另外，水平性突出部3b雖對於各通道範圍la’形成爲 4個，但是，即使只形成在通道範圍la’的單側，或者即 使只是形成在第2圖中的通道範圍la’的上側或下側，也 可獲得某種程度的類似效果。例如，有鑑於半導體層1 a 的四周之配線或元件等的配置，在通道範圍1 a’的兩側或 上下兩方難於形成合計4個的水平性突出部3b時，無須 對配置多加勉強，可只在單側或上側或下側，於各通道範 圍設置3個以下的水平性突出部3 b。 (其之2:藉由前述的水平性突出部3b被置換爲包圍部 -44 - (41) 1235975 3c之例子的光遮蔽） 第二，參考第9圖至第11圖，說明對於掃描線 形成包圍半導體層la之包圍部3c的形態。此處，第 係與第5圖爲相同意思之圖，顯示該圖的水平性突 3 b被置換爲包圍部3 c之情形的形態之平面圖，第1 第9圖之E-E’剖面圖，第11圖係第9圖之F-F’剖面 另外，第12圖係變形形態之第9圖的E-E’剖面圖。 如第9圖至第1 1圖所示般，在本形態中，由平 之，由通道範圍la’沿著掃描線3a，由僅離開特定距 處的前述掃描線3 a的本線部，延伸設置包圍通道範|j 以及接觸孔開孔範圍，即含分別開有接觸孔83以及ί 範圍等之半導體層la全體的包圍部3c以代替前述的 性突出部3 b。其他構造例如此包圍部3 c也塡埋在溝 內，藉此，關於一倂具有溝12cv的深度方向之垂直 出部的性格等，與前述之其一的構造略相同。 而且，依據此種形態，可獲得在層間距離比較小 側遮光膜1 1 a和上側遮光膜間夾持半導體層1 a之 故，可獲得對於垂直基板面之光，基本上非常高的遮 能。而且，特別是如第1 〇圖以及第1 1圖所示般，即 於基板面斜斜進行的入射光以及返光，以及基於彼等 面反射光以及多重反射光等斜光L1以及L3發生時 之一部份在到達半導體層1 a之前階段，不單藉由掃 3 a的本線部，特別是藉由包圍部3 c的光吸收或光反 可衰減至低光強度的光L2以及L4。此時，藉由配置 9圖 出部 0圖 圖。 面視 離之 g la "的 水平 1 2 c v 性突 的下 構造 光性 使對 之內 ，其 描線 射， 在自 -45- (42) 1235975 半導體層1 a的層間距離非常小的位置之包圍部3 c以進行 遮光，而且，藉由包圍部3c，對於傾斜在任一方向的光 L 1以及L3，也進行遮光，可非常有效地進行該遮光。 另外，在此形態中，特別是含開有接觸孔8 1以及8 3 之接觸孔開孔範圍而包圍半導體層la故，可提升一般容 易漏光之接觸孔8 1以及83附近的遮光性能。 另外，在本形態中，如第12圖所示般，可代替如前 述第1 〇般之構造，設垂直性突出部與下側遮光膜1 1 a接 觸之形態。如依據此形態，變成半導體層1 a被配置在封 閉的空間內之形式，對於該半導體層1 a的遮光可更好地 實現。即如此，使下側遮光膜1 1 a和掃描線3 a接觸之形 態，在前述之第5圖至第8圖中，也可同樣地實現。 但是，在這些情形中，有由於下側遮光膜1 1 a的電位 變動而受到不好影響的情形，此已經加以敘述過。由此’ 使與下側遮光膜1 1 a接觸或不接觸，可在比較考慮對於半 導體層1 a的遮光必要性’和由於下側遮光膜1 1 a的電位 變動而承受的不好影響後，因應各種狀況而適當決定之。 另外，在本形態中，也可沿著掃描線3 a的包圍部3 C 全部而挖掘溝12 cv，形成涵蓋包圍部3〇的全部而突出於 下方之突出部，即垂直性突出部。另外，如本形態般’設 置包圍部3 c的情形下，如形成半導體層1 a的接觸孔開孔 範圍的寬度和該通道範圍1a的寬度爲相同，則可由平面 視之，在比較接近半導體層la的位置，藉由平面形狀爲 矩形的包圍部3c以被覆半導體層1a的四周。因此’認爲 -46 - (43) 1235975 可獲得更高的光遮蔽效果。 另外，此外，在上述中，藉由包圍部3c形成爲被塡 埋在溝1 2 c v內，雖可做成一倂具有作爲垂直性突出部的 性質者，但是，在本形態中，即使單單是設置環繞半導體 層la的四周而只具有水平性部份的包圍部者，也可期待 與其相應的作用和效果得以發揮。本發明也在其範圍內涵 蓋該種形態。 (其之3 :藉由設置有沿著掃描線3 a而延伸存在的溝 12cva之例子的光遮蔽） 第三，參考第13圖至第16圖，說明設置有沿著掃描 線3a而延伸存在的溝12cva，而且，該掃描線3a的本線 部一部份被塡埋在該溝12cva內之形態。此處，第13圖 係與第2圖相同意思之圖，顯示與該圖只在沿著掃描線 3a的溝12cva係設置在基材絕緣膜12之點爲不同的形態 之平面圖，第14圖係第13圖的G-G’剖面圖。另外，第 1 5圖以及第1 6圖係對於第1 4圖之變形形態的第1 3圖的 G - G ’剖面圖。 掃描線3a係配置在沿著掃描線3a而延伸存在的溝 1 2c va內，同時，含由側方部份地被覆通道範圍la’以及 其之鄰接範圍的溝內部份而成。因此，依據此種形態，藉 由此溝內部份的光吸收或光反射，可部份地阻止對於基板 面斜斜進行的入射光以及特別是對於背面斜斜進行的返 光，以及基於彼等之內面反射光以及多重反射光等之斜光 -47- (44) 1235975 射入通道範圍la’以及其之鄰接範圍。如此，藉由提高耐 光性，即使在強力的入射光或返光射入之嚴苛條件下’藉 由光洩漏電流降低的TFT30，也可良好地控制畫素電極 9 a ° 另外，在此形態中，如第1 5圖所示般，也可代替在 上述的第14圖中，掃描線3a爲一層構造，而形成由含由 遮光性材料所成的第1層3 1 1以及由光吸收材料所成的第 2層3 1 2之堆積體所成的掃描線3 a’。在此情形下，第1 層 311例如由 WSi、TiSi等形成。第2層312例如由 SiGe、或與半導體層la爲同一層之多晶矽膜等形成。如 此，即使形成掃描線 3a’，因應掃描線3a’中配置在溝 12c va內的溝內部份，對於通道範圍la’以及其之鄰接範 圍的遮光性能得以提高，同時，可降低掃描線的配線阻 抗。另外，由SiGe等所成的第2層312在TFT30中，即 使作爲與閘極氧化膜對向配置的閘極電極，也可作用得很 好。另外，第1層3 1 1和第2層3 1 2的堆積順序也可上下 相反。 或者如第16圖所示般，也可不完全埋住溝I2cva而 形成掃描線3 a ”。如此，即使形成掃描線3 a ”，因應掃描 線 3 a”中配置在溝12cva內的溝內部份，對於通道範圍 1 a ’以及其之鄰接範圍的遮光性能得以提高，而且，掃描 線的配線阻抗可降低。 在關於以上所述之各種光遮蔽的構造以及作用和效果 中，總之，藉由可有效防止對於TFT30之自上側或下側 -48- 1235975 (45) 的光入射，或者由側方的光入射，進而由斜向之光入射， 可極力防止TFT30的光洩漏電流的發生。即前述之上側 遮光膜或內藏遮光膜的存在，也對此種作用和效果大有貢 獻。 即掃描線3a、資料線6a、容量電極300、遮蔽層400 等堆積構造中，由形成在TFT30的上側之不透明材料所 成的各種要素，藉由事先防止對於該TFT30的半導體層 1 a之自上側的光入射，同樣可抑制該半導體層1 a之光洩 漏電流的發生。 其結果爲，如依據本實施形態，TFT30的開關動作可 正確進行，能避免在該半導體層la中，由於光洩漏電流 流通，而經常施加有所謂偏壓之狀態故，也可實現高頻驅 動。另外，如可有效地進行對於T F T 3 0的光遮蔽，在想 要實現光電裝置的小型化時，並不會產生特別的故障。即 由於必須顯示一定亮度的影像之關係，即使小型化了光電 裝置’但是’卻需要因應此之一定的畫素開口率，如此一 來，在「小型化」上，會有對於TFT30之光入射的危險 性提高之側面。 藉由以上，結果如依據本實施形態之光電裝置，可將 施加在畫素電極的電壓儘可能維持爲一定，可一面實現小 型化、高精細化，一面以高頻驅動來顯示高品質的影像。 (第2實施形態：遮蔽層和資料線形成在各別層的情形） 在以下中，參考第17圖至第19圖，說明關於本發明 -49- (46) 1235975 之第2實施形態的光電裝置。此處，第17圖係與第2圖 相同意思之圖，爲形成有資料線、掃描線、畫素電極等之 TFT陣列基板的相鄰接之多數的畫素群之平面圖。另外， 第18圖係與第3圖相同意思之圖，爲第17圖之A-A’剖 面圖。另外，第1 9圖係顯示第2實施形態中之特徵性的 氮化膜的形成形態平面圖。另外，第2實施形態的光電裝 置係具備與前述的第1實施形態之光電裝置的畫素部的構 造略同樣的構造。 因此，在以下中，只就第2實施形態中特徵性的部份 加上主要的說明，關於剩餘的部份，則適當地省略其說明 而予以簡化。 如第1 8圖所示般，在第2實施形態中，與第4圖相 比，構成蓄積容量70之上部電極的容量電極300和資料 線6a並非構成爲同一膜之點，另外，伴隨其，層間絕緣 膜增加，即新另外設置一層：「第4層間絕緣膜44」之 點，而且，與閘極電極3a爲同一膜地形成有中繼電極 7 1 9之點，有此三點大爲不同。依據此，由TFT陣列基板 1 0上依序由含兼爲掃描線之下側遮光膜1 1 a的第1層、 含具有閘極電極3aa之TFT30等之第2層、含蓄積容量 70之第3層、含資料線6a之第4層、形成有遮蔽層404 之第5層、含前述之畫素電極9a以及定向膜16等之第6 層（最上層）所形成。另外’在第1層以及第2層間設置 有基材絕緣膜1 2，在第2層以及第3層間設置有第1層 間絕緣膜41，在第3層以及第4層間設置有第2層間絕 -50- (47) 1235975 緣膜42，在第4層以及第5層間設置有第3層間絕緣膜 4 3，在第5層以及第6層間設置有第4層間絕緣膜4 4， 以防止前述各要素間短路。 另外’代替在第1實施形態的第2層形成有掃描線 3 a，在第2實施形態中，形成代替掃描線3 a之閘極電極 3a，同時，新形成與其爲同一膜之中繼電極719。以下， 更詳細說明各層的構造。 首先，在第2層形成與半導體層la的通道範圍la，對 向的閘極電極3 a。此閘極電極3 a並不如第1實施形態之 掃描線3 a般形成爲線狀，而係因應半導體層1 a或通道範 圍la’島狀地形承載TFT陣列基板10上，而形成爲島 狀。另外，在第2實施形態中，因應此，成爲接觸孔之溝 12cv的底部具有與第1層的下側遮光膜1 la的表面接觸 之深度，而且，該下側遮光膜11a形成爲向第17圖中X 方向延伸存在的條紋狀。藉此，形成在溝12cv上的閘極 電極3a變成藉由該溝12cv而與下側遮光膜11a電氣連 接。即在第2實施形態中，掃描訊號係通過下側遮光膜 1 1 a而供應給閘極電極3 a。換言之，第2實施形態之下側 遮光膜1 1 a係擔負作爲掃描線之功能。 另外，如第1 7圖所示般，第2實施形態之下側遮光 膜1 la係沿著資料線6a延伸存在的方向具有突出部。藉 此，第2實施形態的下側遮光膜1 1 a也可發揮不比第1實 施形態之格子狀的下側遮光膜1 1 a遜色的遮光功能。但 是，由相鄰接的下側遮光膜1 1 a延伸的突出部並不相互接 -51 - (48) 1235975 觸，而係相互電氣絕緣。如非如此，無法使下側遮光膜 1 1 a作用爲掃描線。另外，下側遮光膜Π a在與資料線6a 交叉之範圍中，形成有倒角畫素電極9a的角落而突出的 範圍。 而且，在第2實施形態中，特別是形成有與前述之閘 極電極3a爲同一膜之中繼電極719。中繼電極719由平 面視之，如第1 7圖所示般，形成爲位於各畫素電極9a的 一邊的略中央之島狀。中繼電極719和閘極電極3a由於 係形成爲同一膜故，在後者例如由導電性多晶矽膜等形成 的情形下，前者也還是由導電性多晶矽膜等所形成。 接著，在第3層形成有構成70的第1中繼層71、介 電質膜75以及容量電極300。其中，第1中繼層71係以 多晶矽形成。而且，容量電極300畢竟不與資料線6a同 時形成故，如第1實施形態般，計入排除對於該資料線 6a以及TFT30間的電氣連接之顧慮之意，不一定要採用 銘膜以及導電性多晶砂膜之二層構造。因此，該容量電極 3 00例如與下側遮光膜1 ia相同，可由含Ti、Cr、w、 Ta、Mo等高融點金屬中至少其中一種的金屬單體、合 金、金屬砂化物、多晶金屬砂化物、堆積彼等者之遮光性 材料所構成。如依據此，容量電極300可更發揮作爲「上 側遮先膜」或「內藏遮光膜」之功能（但是，關於構成第 2實施形態之容量電極3 0 0的材料，參考後述）。 另外，基於同樣理由，即藉由容量電極3 〇〇和資料線 6a形成在各別的層’在本形態中，不需要謀求同一平面 -52- (49) 1235975 內的兩者間之電氣絕緣。因此’容量電極3 00可形 延伸存在於掃描線3 a之方向的容量線的一部份。 另一方面，形成在第4層的資料線6a可爲錯 或者鋁合金。 雖在以上所述之閘極電極3a以及中繼電極 上，且在70之下形成有第1層間絕緣膜4 1，但是 1層間絕緣膜41與前述略相同’可以NSG、PSG、 BPSG等矽酸玻璃膜、氮化矽膜或氧化矽膜等構 外，在此第1層間絕緣膜4 1開有配置成與第1中 的第18圖中下面具有電氣連接點之接觸孔881。 變成可謀求第1中繼層71以及中繼電極719間的 接。另外，爲了謀求中繼電極719和後述的第2 6a2之電氣連接，在第1層間絕緣膜41開有也貫 的第2層間絕緣膜42而開孔的接觸孔8 82。 而且，在第2實施形態中，特別是如前述般， 構成的資料線 6a，由下層起依序形成具有由鋁形 (參考符號 41A)、由氮化鈦形成之層（參 41TN)、由氮化矽膜形成之層（參考符號401 )之 造的膜。氮化矽膜40 1係被圖案化爲被覆其下層之 氮化鈦層之稍微大的尺寸。其中，資料線6a藉由 比較低的材料之鋁，可沒有延誤地實現對於畫素1 之影像訊號的供給。另一方面，藉由形成對於阻止 入資料線 6a上之作用比較優異的氮化矽膜， TFT30的耐濕性提升，可實現其之長壽命化。氮化 >成作爲 丨單體、 7 19之 :，該第 BSG、 成。另 繼層71 藉此， 電氣連 中繼層 穿後述 由鋁等 成之層 考符號 三層構 鋁層和 和阻抗 極 9 a 水分侵 可謀求 矽膜係 -53- (50) 1235975 期望電漿氮化矽膜。 另外，關於本實施形態之氮化矽膜4 0 1係在資料線 6a上之外，在排列爲矩陣狀之畫素電極9a以及作爲形成 穿透彼等之間隙而配置的資料線6a以及掃描線3 a之範 圍，所被規定的影像顯示範圍1 〇a的四周，也形成爲口字 狀。另外，此氮化鈦膜以及氮化矽膜40 1的厚度，例如可 形成爲1〇〜l〇〇nm之程度，更好爲10〜30nm之程度。 藉由以上，關於本實施形態之氮化矽膜401係在TFT 陣列基板1 〇上，形成爲整體如第1 9圖所槪略顯示之形 狀。另外，第19圖中，存在於影像顯示範圍l〇a的四周 之氮化矽膜40 1對防止水分侵入構成後述的資料線驅動電 路 101或掃描線驅動電路 1 04之 CMOS(Complementary MOS:互補金屬氧化半導體）型TFT有大的貢獻（參考第 20圖）。但是，氮化物與其他一般的材料相比，可預測 乾蝕刻等之蝕刻率變小故，在前述之影像顯示範圍1 Oa的 四周範圍形成氮化矽膜401時，需要在該範圍內形成接觸 孔等之情形下，可在該氮化矽膜401內預先形成對應該接 觸孔的位置之孔。此如在實施如第1 9圖所示之圖案化 時，一倂進行，可有助於製造工程的簡化。 另外，在第4層形成與資料線6a爲同一膜之遮蔽層 用中繼層6al以及第2中繼層6a2 (但是，緣由多少與第 1實施形態之「第2中繼層」有所不同）。其中，前者係 電氣連接遮光性的遮蔽層404和容量電極300用的中繼 層，後者爲電氣連接畫素電極9a和第1中繼層71用的中 -54- (51) 1235975 繼層。另外，這些不用說，係藉由與資料線6a相 所構成。 雖然在以上所述的蓄積容量70之上，且在 6a、遮蔽層用中繼層6al以及第2中繼層6a2之下 第2層間絕緣膜42，但是，該第2層間絕緣膜42 前述略相同，由 NSG、PSG、BSG、BPSG等矽 膜、氮化矽膜或氧化矽膜等構成。 在容量電極300爲使用鋁的情形，需要以電3 在低溫進行薄膜形成。另外，在此第2層間絕緣膜 有對應前述的遮蔽層用中繼層6a 1以及第2中繼層 接觸孔801以及前述的接觸孔882。 接著，在第5層形成有遮光性的遮蔽層404。 係與前述的遮蔽層400相同，可以上層由氮化鈦 層、下層由鋁所成之層的二層構造來構成，另外， 形，也可以ITO其他的導電性材料構成。此遮蔽層 藉由前述的遮蔽層用中繼層6al而與容量電極300 接。藉此，遮蔽層4 04被設爲固定電位，與上述第 形態相同，得以排除產生在畫素電極9a以及資料箱 的容量閃爍。 另外，在此第5層形成有與遮蔽層40 4爲同一 3中繼層406。 在以上所述之資料線6a上，且遮蔽層404之 有第3層間絕緣膜43。關於構成此第3層間絕緣聘 材料等，可與前述的第2層間絕緣膜42相同。但 同材料 資料線 形成有 係可與 酸玻璃 n cvd 42開 6a2之 此例如 所成之 依據情 404係 電氣連 1實施 秦6 a間 膜之第 下形成 ! 43的 是，資 -55- (52) 1235975 料線6 a等如前述般，在含鋁等之情形下，爲 曝露於高溫環境下，該第3層間絕緣膜4 3最 CVD法等低溫薄膜形成法來形成。 另外’在此第3層間絕緣膜4 3形成有電 層404和前述的遮蔽層用中繼層6al用之接觸 過前述的第2中繼層6a2，形成有對應第3中 接觸孔8 0 4。 剩餘構造成爲，在第6層形成有畫素電極 向膜16的同時，在該第6層以及第5層間形 間絕緣膜44，在該第4層間絕緣膜44開有電 電極9a和第3中繼層406用的接觸孔89者。 另外，在前述的構造中，關於第3中繼層 與由ITO等所成的畫素電極9a直接接觸故， 的電蝕。因此，如考慮及此，遮蔽層404以及 406以和第1實施形態相同，設爲由鋁以及氮 二層構造爲佳。另外，即使以ITO來構成遮蔽 第3中繼層406，在遮蔽層404以及遮蔽層用 間，或者第3中繼層4〇6以及第2中繼層6a2 免ITO和鋁的直接接觸故，不需要擔心發生電 或者，在第2實施形態中’如前述般’容 可構成爲容量線的一部份故，爲了將該容量電; 固定電位，可將該容量線延伸設置至影像顯示5 而連接於定電位源，遮蔽層404也還是可自己 接於定電位源之故，在採用該種構造之情形’ 了避免將其 好利用電漿 氣連接遮蔽 孔8 0 3，通 繼層406的 丨9 a以及定 成有第4層 氣連接畫素 406係成爲 應注意前述 第3中繼層 化鈦所成的 層404以及 中繼層6al 間，可以避 蝕。 量電極300 極3 00設爲 範圍1 0 a外 本身獨自連 不需要設置 -56- (53) 1235975 電氣連接兩者間的接觸孔8 Ο 1以及8 〇 3。因此，在此情 形，構成遮蔽層404以及容量電極300的材料選擇，或、、隹 行遮敝層用中繼層6al的材料選擇時（該遮蔽層用中繼層 6a 1本來就不需要），不需要顧慮「電蝕」的發生。 在如前述之構造的第2實施形態之光電裝置鐘，首 先’很淸楚可達成與前述第1實施形態之光電裝置略同樣 的作用和效果。即與第1實施形態相同，藉由沿著半導體 層la而形成有溝12cv，對於TFT30的半導體層la之光 遮蔽可有效地進行，能夠顯示無閃爍等之高品質的影像。 而且’在第2實施形態鐘，特別是藉由在資料線6a 上，且在影像顯示範圍10a的四周上形成有氮化砂膜 401，可更提升TFT30的耐濕性。即如已經敘述般，氮化 膜或氮化物由於阻止水分的侵入或擴散的作用優異故，可 防止水分侵入TFT30的半導體層la於未然。在第2實施 形態中，此外在構成遮蔽層404、第3中繼層406等或堆 積容量70的介電質膜75中，雖可使用氮化膜，關於這些 全部的構造，如具備該種氮化膜，則水分侵入防止作用可 更有效發揮。當然也可爲全部不設置「氮化膜」之形態。 另外，在第2實施形態中，氮化矽膜4〇1在第4層 中，除了影像顯示範圍1 〇 a外的範圍，只存在於資料線 6a上之故，不會有大的內部應力集中’氮化矽膜401本 身不會因內部應力而導致破壞，另外’由於該應力作用於 外部，而使存在於氮化矽膜4 0 1的四周之例如第3層間絕 緣膜43等產生龜裂。此如假定氮化膜設置在1陣列基 -57- (54) 1235975 板1 0上全面之情形便可更爲明白。 另外，第2實施形態的氮化鈦膜以及氮化矽膜40丨其 厚度可小至10〜l〇〇nm之程度，更好爲小至1〇〜3〇nm之程 度故，前述之作用和效果可更有效地享受到。 進而在此之外，在第2實施形態中，特別是藉由設置 有中繼電極7 1 9，可以獲得如下的作用和效果。即在第4 圖中，爲了謀求TFT30以及畫素電極9a間的電氣連接， 如同圖的接觸孔85般，需要在構成蓄積容量70的更下層 之電極的第1中繼層71的圖中「上面」中謀求接觸。 但是，在此種形態中，於容量電極300以及介電質膜 7 5的形成工程中，在蝕刻那些的前驅膜時，必須實施一 面使位於其正下方之第1中繼層71健全地存在，一面實 行該前驅膜的蝕刻之非常困難的製造工程。特別是如本發 明般，在使用高介電率材料以作爲介電質膜75的情形 中’一般而言，其之蝕刻困難，而且，容量電極300的蝕 刻率和該高介電率材料的蝕刻率變得不一致等之條件爲主 因，該製造工程的困難性更高。因此，在此種情形下，於 第1中繼層7 1中，發生所謂「穿透」等之可能性大。如 此一來’在不好情形下，也有在構成蓄積容量70之容量 電極300以及第1中繼層71間產生短路之虞等產生。 因此’如本形態般，藉由設置中繼電極7 i 9，藉由使 第1中繼層71的圖中「下面」具有電氣連接點，以實現 TFT30以及畫素電極9a間的電氣連接，則如前述之不當 狀況不會發生。爲什麼呢？由第18圖也可明白，在本形 •58- (55) 1235975 態中，必須一面蝕刻容量電極3 Ο 〇以及介電質膜7 5的前 驅膜，一面使第1中繼層71殘留的工程成爲不需要之 故。 基於以上，如依據本形態，由於不需要經過如前述之 困難的蝕刻工程故，可良好實現第1中繼層71以及畫素 電極9a間的電氣連接。此係只能藉由中繼電極719以實 現兩者間的電氣連接之故。換言之ϊ基於问樣理由，如依 據本形態，在容量電極3 0 0以及第1中繼層71間產生短 路的可能性極小。即可適當地形成無缺陷之蓄積容量 70 〇 進而此外，在第2實施形態中，特別是如前述般，可 將容量電極3 00當成容量線的一部份而予以形成故，關於 對應每一畫素而設置的各容量電極，不需要各別設置將彼 等設爲固定電位的導電材等，如採用於每一該容量線連接 固定電位源等之形態即可。因此，如依據本實施形態，可 謀求製造工程的簡化，或製造成本的低廉化。 另外，如此關於含容量電極之容量線，與前述第1實 施形態相同，也可形成爲具有含鋁膜以及多晶砂膜之二層 構造。容量線如包含鋁膜，在該容量線可享受高的電氣傳 導度。藉此’在此種形態中’可不伴隨特別限制而實現該 容量線的狹小化，即蓄積容量7 0的狹小化。因此，在第 2實施形態中，可謀求開口率的進一步提升。另外，由別 的觀點而說，在習知上，容量線係以多晶砂或wsi等材 料單體構成故’ 一想要提升開口率而使進行狹小化，則因 -59- (56) 1235975 爲前述材料爲高阻抗故，會產生串音或燒損等，但是，在 第2實施形態中，蒙受此種不當狀況之虞變不見。 即在此種形態中，鋁膜具有光反射性，多晶矽膜具有 光吸收性之故，如在前述第1實施形態中也敘述過般，也 可期待容量線作用爲遮光層。進而，在此種容量線中，與 習知相比’其內部應力可變小（鋁的內部應力比w S i等 小）。因此，在此形態中，可使由連接於容量線所成的第 3層間絕緣膜4 3等儘可能薄，可更好地實現光電裝置的 小型化。 (光電裝置的整體構造） 參考第20圖以及21圖，說明如前述般構成的各實施 形態之光電裝置的整體構造。另外，第20圖係將TFT陣 列基板與形成在其上之各構成要素一同地從對向基板20 側所見之平面圖，第21圖係第20圖之H-H，剖面圖。 在第2 0圖以及2 1圖中，於關於本實施形態之光電裝 置中，TFT陣列基板10和對向基板20係對向配置著。在 T F T陣列基板1 0和對向基板2 0之間封裝入液晶5 0，T F T 陣列基板1 〇和對向基板20係藉由設置在位於影像顯示範 圍10a的四周之密封範圍的密封材52而相互接著。 密封材5 2爲了貼合兩基板，例如由紫外線硬化樹 脂、熱硬化樹脂等形成，可藉由紫外線、加熱等予以硬 化。另外’本實施形態之液晶裝置如爲投影機用途之以小 型來進行放大顯示的液晶裝置時，則在此密封材5 2中散 -60- (57) 1235975 佈將兩基板間的距離（基板間間隔）設爲特定値用的玻璃 纖維’或者玻璃珠等之間隔材（間隔物）。或者如該液晶 裝置爲如液晶顯示器或液晶電視般以大型進行等倍顯示的 液晶裝置時，此種間隔材可包含在液晶層5 0中。 在密封材5 2的外側範圍，藉由以特定時序對資料線 6a供給影像訊號，以驅動該資料線6a之資料線驅動電路 1 〇 1以及外部電路連接端子1 0 2係沿著T F T陣列基板1 0 的一邊而設置，藉由以特定時序對掃描線3 a供給掃描訊 Ο 號，以驅動掃描線3a之掃描線驅動電路1〇4係沿著鄰接 ® 此一邊之二邊而設置。 另外，如供應給掃描線3 a的掃描訊號延遲不成爲問 題，不用說，掃描線驅動電路104可只設於單邊。另外， 也可將資料線驅動電路101排列在沿著影像顯示範圍10a 之邊的兩側。 在TF T陣列基板1 0的剩餘一邊設置有連接設置在影 像顯示範圍1 〇a的兩側之掃描線驅動電路1 04間的多數之 配線1 〇 5。 另外，在對向基板20的角落部之至少一處’設置在 TF T陣列基板1 0和對向基板2 0之間取得電氣導通的導通 材 10 6° 第21圖中，在TFT陣列基板10上形成了晝素開關 用之TFT或掃描線、資料線等配線後的畫素電極9a上’ 形成定向膜。另一方面，在對向基板20上於對向電極21 之外，也於最上層部形成有定向膜。另外’液晶層50例 -61 - (58) 1235975 如由混合一種或多種的向列液晶之液晶而成， 的定向膜間取得特定的定向狀態。 另外，在TFT陣列基板10上，於這些資 路1 0 1、掃描線驅動電路1 0 4等之外，也可形 的時序對多數的資料線6a施加影像訊號之取 於影像訊號各對多數的資料線6a供給特定電 先充電訊號的預先充電電路、檢查製造途中或 光電裝置之品質、缺陷等之檢查電路等。 (電子機器） 接著，關於將以上詳細說明的光電裝置當 之電子機器的一例之投射型彩色顯示裝置的實 其之整體構造，特別是光學構造做說明。此處 係投射型彩色顯示裝置的圖式性剖面圖。 第22圖中，本實施形態的投射型彩色顯 例的液晶投影機1 1 00係準備3個含驅動電路 陣列基板上之液晶裝置的液晶模組，各別當成 光閥100R、100G以及100B使用所構成之投 晶投影機1 1 〇〇中，投射光如由金屬鹵化物燈 的燈單元1 102 —發出，藉由3片反射鏡1 106 分色鏡1108，被分成對應RGB之三原色的光 以及B，分別被導入對應各色之光閥i〇〇R、 100B。此時，特別是B光，爲了防止由於長 致的光損失，藉由由入射透鏡1122、繼電器透 在這些一對 料線驅動電 成：以特定 樣電路、先 位位準之預 出貨時的該 成光閥使用 施形態，就 ，第 22圖 不裝置之一 搭載在TFT RGB用的 影機。在液 等白色光源 以及2片的 成分R、G 1 0 0 G以及 的光路所導 鏡1 1 2 3以 -62- (59) 1235975 及射出透鏡1 1 24所成之繼電器透鏡系統1 1 2 1所導入。而 且，對應藉由光閥l〇〇R、l〇〇G以及100B所分別被調變 之三原色的光成分，在藉由分色鏡Π12而再度合成後， 藉由投射透鏡 Η 14而當成彩色影像被投射於螢幕1 120 上。 本發明並不限定於前述之實施形態，在不違反由申請 專利範圍以及詳細說明書全體所可讀取的發明之要旨，或 者思想之範圍內，可適當加以變更，伴隨該種變更之光電 裝置以及電子機器也還是包含在本發明的技術範圍。光電 裝置可使用在電氣移動裝置或EL(電激發光）裝置或使用 電子放射元件之裝置（Field Emission Display(場發射顯 示器）以及 S u r f a c e - C ο n d υ c t i ο n Electron-Emitter Display (表面傳導電子放射顯示器））等。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示設置在構成本發明之第1實施形態的光 電裝置之影像顯示範圍之矩陣狀的多數畫素之各種元件、 配線等之等效電路的電路圖。 第2圖係形成有本發明之第1實施形態的光電裝置之 資料線、掃描線、畫素電極等之TFT陣列基板的相鄰接 之多數的畫素群的平面圖。 第3圖係只抽出第2圖中的重要部位的平面圖。 第4圖係第2圖的A-A’剖面圖。 第5圖係與半導體層一同地摘錄第2圖中的掃描線 -63- (60) 1235975 3 a的水平性突出部以及挖掘在基材絕緣膜之溝而顯示的 平面圖。 第6圖係第5圖之B-B’剖面圖。 第7圖係第5圖之C-C’剖面圖。 第8圖係第5圖之D-D’剖面圖。 第9圖係與第5圖同樣意思的圖，顯示該圖的水平性 突出部由包圍部所置換之情形的形態。 第10圖係第9圖之E-E’剖面圖。 第1 1圖係第9圖之F-F’剖面圖。 第12圖係變形形態之第9圖的E-E’剖面圖。 第1 3圖係與第2圖相同意思的圖，顯示沿著掃描線 之溝乃設置在基材絕緣膜之點係與該圖不同之形態圖。 第14圖係第13圖之G-G’剖面圖。 第15圖係關於第14圖之變形形態的第13圖之G-G’ 剖面圖。 第16圖係關於第14圖之變形形態的第13圖之G-G’ 剖面圖。 第17圖係形成有本發明之第2實施形態的光電裝置 之資料線、掃描線、畫素電極等之TFT陣列基板的相鄰 接之多數的畫素群之平面圖。 第18圖係第17圖之A-A’剖面圖。 第1 9圖係顯示氮化膜之形成形態（資料線上以及影 像顯示範圍外）的平面圖。 第20圖係由對向基板側觀看本發明之實施形態的光 •64- (61) 1235975 電裝置之TFT陣列基板和形成在其上之各構成要素的平 面圖。 第21圖係第20圖之H-H’剖面圖。 第2 2圖係顯示本發明之電子機器的實施形態之投射 型彩色顯示裝置的一例之彩色液晶投影器之圖式剖面圖。 符號說明 la:半導體層，la’ ：通道範圍，2:絕緣膜，3a:掃 描線，3 b :水平性突出部（含垂直性突出部），3 c :包圍 部（含垂直性突出部），6a:資料線，9a:畫素電極， 10 : TFT陣列基板，1 la :下側遮光膜，Ml :金屬層， B1 :阻障層，12 :基材絕緣膜，12cv、12cva :溝，30 : TFT，43 :第 3層間絕緣膜，75b :氮化矽膜，81、82、 83、85、87、89:接觸孔，300:容量電極，400:遮蔽 層，402 :第2中繼層
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