TWI235235B - Method and device for checking a display panel and manufacturing method for the same - Google Patents

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1235235 五、發明說明（9) 101之電介質層102上，設有隔壁103，並在隔壁103 間塗布著紅、綠、藍（以下稱R、G、B )螢光體層104 、：105、106所形成的PDP背面板1 1 ;和配置著顯示電 極107 (使其轉動90°來表示）的電介質層108並覆蓋 著保護膜1 09之前面玻璃1 2所形成。 在此，說明電漿顯示器的發光原理。在顯示電極1 07 與位址電極1 0 1之間的空間內，封入氖和氙的混合氣體 等，在該處施加電壓時，會產生電漿1 1 0，由此，在被 選擇的位置之螢光體會發光，而由各螢光體的發光之組 合，以使其顯示所欲的顏色者。 接著，以PDP背面板爲例，用第2圖說明平面顯示面 板的製造方法。第2圖是將PDP背面板的製造工程，以 簡略化所表示之流程圖。PDP背面板的製造方法是包含 :將作爲PDP背面板的基座之玻璃基板洗淨和乾燥的工 程2 1 0 ;用導電性材料形成直線狀圖案電極之工程220 ;在玻璃基板上形成電介質膜之工程23 0 ;形成隔壁之 工程240 ;在各個隔壁間形成螢光體層之工程25 0 ;及 ，修正螢光體的缺陷部分之工程260所構成。又，對於 在隔壁間形成螢光體層的工程2 5 0詳細說明時，本工程 2 5 0係包含：將液狀螢光體塗布於隔壁間之工程251 ; 檢查螢光體的形成狀態之第1工程（以下稱螢光體檢查 工程（I )) 25 2 ;使液狀螢光體乾燥，以形成螢光體層之 工程25 3 ;及，檢查螢光體的形成狀態之第2工程（以 下稱螢光體檢查工程（Π )) 254所構成。又，對於修正 -11- 1235235 五、發明說明（1〇) 螢光體’的缺陷部分之工程260詳細說明時，其係包含： 對於在螢光體檢查工程（I )所發現的缺陷加以修正之工 程（以下稱缺陷修正工程（I )) 2 6 1 ;和，對於在螢光體 檢查工程（Π )所發現的缺陷加以修正之工程（以下稱缺 陷修正工程（Π )) 262所構成。 又，爲了要在PDP上用RGB 3色的顯色以實現所欲 的色彩顯示時，必須如第1圖所示的形成RGB 3色的螢 光體層，其工程是要反複的實施3次的在隔壁間形成螢 光體層之工程250。 本發明是尤指有關螢光體檢查工程（I )252及螢光體 檢查工程（Π )254。本發明的特徵是依據作爲被檢查物的 基板之構造特性，以決定最合適於螢光體的光學檢查之 光學條件，並將所決定的條件反映於檢查裝置，以高精 度的進行檢查，而在於產生不良基板之際，由缺陷資訊 推測工程異常之原因，立即的修正其工程，以預防在螢 光體層產生缺陷，又，對於不良基板就迅速的加以修正 ’由此以確保成品率者。 接著，用第3、4、5圖說明形成螢光體層所使用的基 板。第3圖是有槽的基板簡略圖，第4圖是有3種槽寬 的槽之基板簡略圖，第5圖是有由隔壁在於其長度方向 以相隔一定間隔所區分的槽之基板簡略圖。 在第3圖中，基板300是由玻璃基板100、多數的直 線狀圖案電極1 〇 1、電介質膜1 02、和多數的隔壁1 〇3 所構成。將基板3 00上的、由多數隔壁1 03中的例如隔 -12- 1235235 五、發明說明（1 1 ) 壁E和隔壁F所夾在中間的隔壁間之空間定義爲槽1 1 5 。又，當然地，在基板3 00上係構成多數的同寬度L之 槽。 在第4圖中，基板3 1 0是由玻璃基板1 00、多數的直 線狀圖案電極1 0 1、電介質膜1 02、和多數的隔壁1 03 所構成。將基板3 1 0上的、由多數隔壁1 03中的例如隔 壁G和隔壁I所夾在中間的隔壁間之空間定義爲槽1 j 6 ，由隔壁I和隔壁J所夾在中間的隔壁間之空間定義爲 槽U 7，由隔壁J和隔壁K所夾在中間的隔壁間之空間 定義爲槽1 1 8。即，在基板3 1 0上係依序構成槽寬爲L1 < L2 < L3的3種槽1 1 6、1 1 7、1 1 8。又，槽的種類雖然 是至少要有2種以上爲理想，但是，並不限定於如第4 圖所示的3種者。 在第5圖中，基板3 20是由玻璃基板100、多數的直 線狀圖案電極1 0 1、電介質膜1 02、和多數的隔壁1 03、 及，形成在與隔壁（以下稱橫肋條）1 1 1所構成。將基 板3 2 0上的、由多數隔壁1 〇 3中的例如由隔壁Μ和隔壁 Ν所夾在中間的部分定爲附有橫肋條槽1 1 9，由隔壁1 〇3 和橫肋條1 1 1所劃分的部分定義爲單元1 20。又，在第 5圖中，多數的附有橫肋條槽1 1 9的槽寬雖爲一定者， 但也可如第4圖的有多種槽寬者。 以下用第6圖舉例說明，對於第3圖所示的、需要形 成螢光體層之基板3 00實施其隔壁間塗布液狀螢光體之 工程2 5 1，形成爲已塗布液狀螢光體狀態之基板。第6 -13- 1235235 五、發明說明（12) 圖是表示塗布在槽內的液狀螢光體和由本發明的螢光體 檢查工程（Π )所取得的輝度信號波形之簡略圖。 如上述的’在PDP中，要用RGB 3色的顯色以實現 所欲的色彩顯示時，必須如第1圖所示的、將RGB螢光 體層以一定的反複順序（例如：BRGBRG )形成之。因 此’如注目於RGB中的一色時，其一色是必須如塗布在 第6圖的槽b、e、h、k之液狀螢光體600、601、602、 6 0 3所示的，要隔著兩條槽按順序的塗布。被塗布在所 欲槽內的液狀螢光體，經實施乾燥工程2 5 3後，其溶媒 成分會被除去，而在槽內形成螢光體層。 又，在第6圖中’槽a、c、d、f、g、i、j、1是成爲 未形成螢光體層的狀態，但，也會有由於工程上的關係 而已形成另一色或另外兩色的螢光體層之情形。 又，用第7圖說明另一例的、對於第3圖所示的需要 形成螢光體層之基板3 00實施其隔壁間塗布液狀螢光體 之工程25 0 —次後，形成爲某一色的營光體層之基板。 第7圖是表示形成在槽內的某一色之螢光體層和由本發 明的螢光體檢查工程（Π )所取得的輝度信號波形之簡略 圖。如上述的、螢光體層7〇〇、701、702、703必須在 槽b、e、h、k中，隔著兩條槽按順序的形成，但，在 此第7圖中，由於工程上的異常，螢光層體701的螢光 體量是被形成的比標準爲少’而在應存在螢光體層的槽 k中，並未形成螢光體層。又，如再對其他兩色實施形 成螢光體層的工程2 5 0時’會以一定的反複順序（例如 -14- 1235235 五、發明說明（13) :BRGBRG)形成RGB螢光體層。 然而，在PDP中可舉出的、決定發光輝度之最重要的 要因之一是形成在槽中的螢光體層之螢光體量。螢光體 的量如太少時輝度會降低，太多時輝度會升高之傾向， 如未被塗布時當然地，不會發光。如在一片基板上，混 在著螢光體量少的槽、多的槽，和未被塗布的槽時，這 些會成爲PDP的發光輝度不勻，在製品上當然成爲不良 品。這些螢光體層的螢光體量不成爲一定的最大原因是 要將液狀螢光體塗布於槽內時，液狀螢光體的塗布不勻 所致者。 要將液狀螢光體塗布於所欲的槽內之手法在一般上爲 眾所周知的是絲網印刷、光刻加工、及噴嘴塗布等，但 ，在於用這些手法塗布液狀螢光體之際，如發生問題時 ，會如第6圖的60 1樣的產生未被塗上液狀螢光體之處 ，或如603樣的、產生完全未被塗布液狀螢光體之槽。 這種在液狀螢光體塗布狀態上有障礙之基板，如經過使 液狀螢光體乾燥以形成螢光體層的工程2 5 3時，會被製 成在一片基板上有不同螢光體量的螢光體層之不良基板 〇 又，在上述的液狀螢光體塗布法中，其產生塗布不勻 的原因可推測爲：在絲網印刷中是絲網的篩眼堵塞或螢 光體塗布裝置的調整不良，在光刻加工中是螢光體塗布 裝置的調整不良或異物的附著於光罩上，在噴嘴塗布中 是噴嘴的堵塞或加壓裝置的異常所引起的塗布壓之偏壓 1235235 五、發明說明（14) 等，而由這些原因所引起的塗布上之障礙如經一度發生 後會連續的產生，遍及於其後的全部基板，而成爲連續 缺陷。 本發明的顯示面板檢查方法是在於螢光體檢查工程（ I )252及螢光體檢查工程（Π )254中，爲了防止上述的 不良基板連續的流出於後續工程，是以儘快且高精度的 測出連續缺陷，而由缺陷資訊推測工程異常的原因，立 即的修正其工程，由此以預防會在螢光體層產生的輝度 不勻缺陷，且，對於不良基板迅速的加以修正以提高製 品的成品率者。 要檢查螢光體的形成狀態時，可用上述的從來技術。 即，使光以某入射角入射於螢光體，由攝影手段從某反 射角度拍攝螢光體來的反射光，而由所取得的攝影輝度 之變化，以檢查螢光體的形成狀態者。然而，檢查對象 如像PDP背面板的、持有複雜的構造特性，而要經過多 數製造工程者時，如未先考慮檢查對象的構造特性後再 調整檢查光的入射角度、反射角度、波長、強度、散射 、偏光方向等的光學條件，則，當被檢查物的製造條件 被變更，形成表面的圖案形狀有改變，或雖爲同一製品 ，而由於其在製造工程的階段上之差異而產生構造特性 的不相同時，會產生檢查精度的降低，或者成爲不能檢 查之問題。 以下，對於從來技術的詳細問題點與依本發明的檢查 方法以解決問題兩者，邊加比較邊說明之。 -16- 1235235 五、發明說明（15) 首先說明在螢光體檢查工程（I )254所做的檢查之情 形。在於螢光體檢查工程（I )2 54當時，檢查對象的螢 光體已以液狀被塗布在基板上的由隔壁所構成之槽內。 又，在此，將其反射光是以和入射光入射角度同一角度 反射之事定義爲正反射，將所正反射的反射光定義爲正 反射光，在於要捕捉光的所定開口角係至少可捕捉到正 反射光時，將反射到該開口角內的光定義爲開口角內反 射光，以用在以下文章中。 在此用第6圖、第8圖、第9圖、第10圖、第11圖 及第1 2圖逐步說明在從來技術、尤指要捕捉正反射光 的光學檢查技術中，對於塗布在基板上的液狀螢光體之 塗布狀態檢查的原理和問題點。在此，第8圖是表示液 狀螢光體的表面形狀（塗布量）與反射光強度的關係（ 以下稱表面形狀與輝度的關係）之簡略圖。第9圖、第 10圖、第11圖及第12圖是表示液狀螢光體的塗布量與 塗布後的表面形狀的關係之簡略圖。 首先，注目於第8圖、第9圖、第10圖、第11圖及 第1 2圖逐步說明液狀螢光體的塗布狀態和可獲得的反 射光輝度之關係。 爲了容易理解，設以某塗布量V 2爲基準時，此時的 液狀螢光體之表面形狀係如第Π圖的液狀螢光體11 0 0 所示，其相對於基板面會成爲平面（平行）者。相對於 此基準，如比言基準爲少的塗布量V 1 (< V 2 )時，其 液狀螢光體的表面形狀係如第10圖的液狀螢光體1000 -17- 1235235 五、發明說明（16) 所示的、其相對於基板面會成爲凹形狀，如比該基準爲 多的塗布量V3 ( > V2 )時，其液狀螢光體的表面形狀 係如第1 2圖的液狀螢光體1 200所示的、其相對於基板 面會成爲凸形狀。 又，如產生液狀螢光體完全未被塗布上去的塗布遺漏 之塗布量V0=0( <V2)時，如第9圖的900所示的， 在槽中並無液狀螢光體的存在，其表面形狀係成爲由隔 壁和電介質層所構成的凹形狀。 如上述的，要捕捉由液狀螢光體表面所反射的反射光 時，在於作爲基準的液狀螢光體1 1 00中，由於其表面 爲平面者，因而可捕捉到由液面的全部範圍1 1 0 1來的 正反射光，其所獲得的輝度信號會成爲最大。 相對的，在液狀螢光體1 0 0 0中，其表面爲凹形狀， 因而，可反射開口角內反射光的部分是成爲第10圖所 示某一範圍1001，因此’可獲得的輝度信號是比液狀營 光體表面1100的爲小。又，此效果是會隨著塗布量V 的減少、也即，液狀螢光體表面凹形狀的比平面形狀越 凹入而越顯著。 又，在液狀螢光體1 200中，其表面爲凸形狀，因而 ，可反射開口角內反射光的部分是成爲第1 2圖所示的 某一範圍1 2 0 1 ’其可獲得的輝度信號是比液狀螢光體 11 00的爲小。又，此效果是會隨著塗布量v的增加、也 即，液狀螢光體表面凸形狀的比平面形狀越凸出而越顯 著。 -18- 1235235 五、發明說明（17) 在塗布遺漏狀態3 00中，其反射面爲平坦者，因而容 易產生正反射。但是，其反射面底部是比被塗布上液狀 營光體的邰分爲低’因而’其開口角內反射光容易被隔 壁所遮斷，可反射開口角內反射光的部分是成爲第9圖 所示的某一範圍9 0 1，其可獲得的輝度信號是比液狀螢 光體Π00的爲小。 將液狀螢光體塗布量、液狀螢光體表面形狀和可獲得 的輝度之關係，以縱軸爲可獲得的輝度、橫軸爲液狀螢 光體塗布量或液狀螢光體表面形狀，用曲線圖表示時， 會成爲第8圖的曲線Q。即，在液狀螢光體表面爲平面 形狀時輝度會成爲最大，表面形狀爲凹凸及塗布遺漏時 可獲得的輝度會減少。在於使用要捕捉正反射光的光學 系統以檢查液狀螢光體的塗布狀態之從來技術中，是利 用以上的液狀螢光體塗布量、液狀螢光體表面形狀及可 獲得的輝度之大小關係，測定液狀螢光體的塗布量，以 判定良品或不良品者。 在此’可舉出從來技術的問題點是如第8圖曲線Q所 示的表面形狀與輝度的關係是在表面爲平面形狀附近可 獲得陡峭的變化，而在其他的表面形狀中，輝度的變化 是很少。此乃意味著在從來技術中，只在於液狀螢光體 的表面形狀中’以其平面部分爲中心的狹窄之表面形狀 (塗布量）範圍，具有檢查靈敏度者，也即，利用曲線 Q的關係之檢查方法中，只能判定液狀螢光體的表面形 狀是平面者或非平面者。要在於從塗布遺漏到表面形狀 -19- 1235235 五、發明說明（18) 爲平面狀態的廣大表面形狀（塗布量）範圍中，以高精 度的測定液狀螢光體的表面形狀、也即塗布量時，必須 如第8圖的曲線R的、使表面形狀與輝度的關係接近於 一定比例。 在從來技術中，表面形狀與輝度的關係會成爲如曲線 Q的原因是在從來技術中，攝影手段是較強勢的傾向於 捕捉只從相對於基板成完全平面的表面來之反射光。對 於此，如構成爲可捕捉從相對於基板成完全平面的表面 和包括非平面表面的一部分之範圍來的反射光之光學系 統時’可獲得如曲線R所示的表面形狀與輝度的關係。 因此，在本發明的檢查方法中，是想辨法提高檢查光的 擴散率，且擴大攝影手段的攝影開口角者。用第1 3圖 、第1 4圖說明這些辨法。 首先，用第1 3圖說明提高檢查光的擴散率可獲得的 效果。未設光擴散手段1310時，平行光1 3 00照舊以平 行的入射光1 3 0 1入射於液狀螢光體表面，而只有反射 光1 3 0 Γ會入射於攝影手段1 3 2 0。也即，在此場合中， 攝影手段1 3 20是只捕捉到從相對於基板面成完全平面 的表面1 3 3 0來的反射光。對於此，如設置光擴散手段 13 10時，平行光1 3 00會由光擴散手段1310所擴散，成 爲從四面八方入射於液狀螢光體表面的擴散光1 3 0 1、 1 3 02、1 3 03入射於液狀螢光體表面，其反射光1301'、 1 3 02’、1 3 031會入射於攝影手段1 320。也即，在此場合 中，攝影手段1 3 20是可捕捉到從相對於基板成完全平 -20- 1235235 五、發明說明（19) 面的表面和包含非平面表面的一部分之範圍1 3 3 1來的 反射光。因此’提高擴散率時，表面形狀與輝度的關係 會接近於曲線R。 其次，用第1 4圖說明擴大攝影手段的攝影開口角可 獲得的效果。以攝影開口角1 420拍攝時，平行光1 40 1 、1 402、1 403會入射於液狀螢光體表面，而只有反射光 140 1’會反射到攝影開口角1 420。也即，在此場合中， 攝影手段是只能捕捉到從相對於基板面成完全平面的表 面1 43 0來的反射光。對於此，如以攝影開口角1 42 1拍 攝時，入射於液狀螢光體表面的平行光1401、1 402、 1 403會在液狀螢光體表面反射後分別成爲反射光1401' 、1 402^ 1 403'，其全部會反射到攝影開口角1421內。 也即，在此場合中，攝影手段是可捕捉到從相對於基板 面成完全平面的表面和包括非平面表面的一部分之範圍 1 43 1來的反射光。因此，擴大攝影手段的攝影開口角時 ，其表面形狀與輝度的關係會接近於曲線R。 又，在一般上，擴大攝影開口角時，入射於攝影手段 的光強度也會增強。在此，如使比攝影手段所具備的感 光元件之容量爲高強度之光入射於感光元件時，並不能 期望可獲得高精度的測定。因此，在攝影手段中要具備 光接收強度衰減手段者爲理想。 又，如已知液狀螢光體表面的反射率是很高，而要提 高對比度時，也可在照明手段和攝影手段中設置偏光方 向選擇手段。 -21 - 1235235 五、發明說明（2〇 ) 在以上的說明中，爲了容易了解，是以取某一條液狀 螢光體爲例所說明者，但實際上必須對多數的液狀螢光 體做檢查。要對塗布在基板上的全部液狀螢光體實施檢 查時，只要使基板的相對於入射光的位置，向橫過形成 在基板上的槽之方向，邊相對的移動邊測定輝度即可。 裝置的詳細構成，在後述之。 首先，在從來技術中，如對於塗布在基板上的全部液 狀螢光體實施如上述的液狀螢光體之檢查時，例如在第 6圖的虛線5位置上，可取得如曲線圖660所示的、對 應於包括液狀螢光體表面形狀在內的基板表面形狀之輝 度信號波形620。此輝度信號波形620如使其與基板表 面形狀相應時，從含有正常塗布的、其表面形狀爲平面 形狀的液狀螢光體600、602之槽b、h可取得較大的輝 度信號，從含有未正常塗布的液狀螢光體601、603的 槽e、k可取得較小値的輝度信號，而從未被塗布液狀 螢光體的槽a、c、d、f、g、i、j、1可取得和槽e、k同 等之輝度。在此，將輝度信號波形620中，對應於有塗 布液狀螢光體的槽，和應塗布液狀螢光體的槽之位置的 部分之輝度頂點設爲6 1 0、6 1 1、6 1 2、6 1 3，在以下稱之 爲輝度峰値。 在於P D P中，液狀螢光體是以所定間隔Lp所塗布， 因而，所取得的輝度信號波形的輝度峰値6 1 0、6 1 1、 6 1 2、6 1 3是當然地會對應於液狀螢光體的塗布間隔，以 某周期性的間隔mLp ( m爲常數）出現。因而，如從輝 -22- 1235235 五、發明說明（21) 度波形6 2 0中，將其與某第N個輝度峰値相距距離m p 的點之輝度峰値抽出，作爲第N +1個輝度峰値’而對全 輝度峰値反複此操作時，可取得從塗布在基板上的各個 槽之液狀螢光體來的輝度峰値。以這些輝度峰値作爲各 個槽的代表輝度，將其依序連接就可獲得輝度峰値波形 640。構成輝度峰値波形640的各値63 0、631、63 2、 63 3是分別對應於各個槽的液狀螢光體之塗布量，而由 輝度波形640以特定槽的位置和塗布在該槽的液狀螢光 體之塗布量。又，如在於輝度峰値波形640中設定適當 的閥値6 5 0，而將低於該閥値6 5 0的輝度峰値6 3 1、6 3 3 抽出，特定對應於輝度峰値63 1、6 3 3的槽，由此以判 定塗布在該槽的液狀螢光體之塗布量是偏離於規定値範 圍。此乃意味著可對於遍及基板長度方向的全長度所有 應塗布液狀螢光體的槽之一部分，檢查其所塗布的液狀 螢光體之塗布量是否在於規定値範圍內者，而當然地， 持有偏離於規定範圍的槽之基板要判定爲不良品。 用從來技術，以對於塗布在基板上的全部液狀螢光體 實施液狀螢光體的查檢之方法，乃如上所述。然而在實 際上的基板製造中’並不一定是以可使其液狀螢光體表 面成爲平面的塗布量V2所製造，而也有以使其表面形 狀成爲凹形狀的塗布量V 1，或以使其表面形狀成爲凸形 狀的塗布量V 3所製造之情形。用第9圖、第1 0圖、第 1 5圖舉例說明在於以塗布量V1製造基板時，如依上述 從來技術對液狀螢光體塗布狀態實施檢查時所會產生的 -23- 1235235 五、發明說明（22) 問題。在此，第1 5圖是表示塗布在槽內的液狀螢光體 和由本發明的檢查方法所取得的輝度信號波形之簡略圖 〇 如第1 0圖所示，表面形狀如爲凹形狀時，其可反射 開口角內反射光的部分很窄，可由液狀螢光體獲得的反 射光輝度是有衰弱的趨勢。相對的，未被塗布液狀螢光 體的槽底部之開口角內反射光雖容易受到隔壁所遮斷， 但，如第9圖所示，其反射面爲平坦者，其反射率高， 而可獲得某程度大小的輝度。其結果是如第1 5圖的曲 線1 5 5 0所示，應檢查的液狀螢光體部和不必檢查的槽 底部來的反射光強度之間並無明確的差異，而要抽出應 檢查的液狀螢光體部來的輝度信號1 5 1 0、1 5 1 1、1 5 1 2、 1 5 1 3會有困難。此乃表示不容易取得輝度峰値波形者。 又，此現象會在於要檢查如第4圖所示的、由兩種以 上寬度的槽所構成的基板之液狀螢光體塗布狀態之場合 中，成爲大問題。對於此，用第1 6圖說明之。第1 6圖 是表示塗布在槽內的液狀螢光體和由本發明的檢查方法 所獲得的輝度信號波形之簡略圖。例如第1 6圖所示， 在於由槽寬成爲LI < L2 < L3的3種類之槽，以按次序 所構成的基板4 0 0中’要檢查在其最窄寬度l 1的槽V 、e·、h’、I中被以比標準量爲少的塗布量所塗布的液狀 螢光體之塗布狀態時，表面形狀如成爲凹形成時，由於 槽寬很窄，從應檢查的液狀螢光體來的開口角內反射光 之強度會極端的衰弱。 -24- 1235235 五、發明說明（23 ) 一方面，從最大寬度L3的槽a’、d，、g’、的底部來 的開口角內反射光，由於其槽寬很大，不易受到隔壁所 遮斷，可獲得的強度會極端的增強。其結果是如第1 6 圖的曲線圖1 65 0所示，從應檢液狀螢光體來的反射光 輝度信號會被不必檢查的槽底部來的反射光輝度信號所 埋沒。如此一來，不僅要抽出從應檢查的液狀螢光體部 來的輝度信號1 6 1 0、1 6 1 1、1 6 1 2、1 6 1 3會有困難，且 不能獲得正確的測定。 在此，將從應檢查的液狀螢光體來的開口角內反射光 輝度信號定義爲信號（以下稱S)，從不必檢查的槽底 部來的開口角內反射光輝度信號定義爲雜訊（以下稱N )，以算出S/N比時，在於從來技術中，如液狀螢光體 的塗布量、槽的寬度、隔壁的高度等的基板之製造條件 被變更時，S/N比會極端的降低，成爲不能檢查之狀態 。又，此問題是在於液狀螢光體的表面形狀爲凹或凸之 中有所不同，但以塗布量V2製造基板時也同樣的會發 生。 以上所舉出的是從來技術之問題時，而以下將說明解 決此問題點的本發明之檢查方法。 要提高上述的S/N比時，在一般上是有（1)增加S和（2) 減少N的兩個手法，但在本發明的檢查方法中’是著重 於（2)減少N者。在於相關本發明的液狀螢光體之塗布狀 態檢查方法中，N是指從不必檢查的槽底部來的開口角 內反射光輝度信號。而要將其減少時’只要不捕捉從槽 -25- 1235235 五、發明說明（24) 底部來的開口角內反射光就可。 要獲得以上的效果時，可列舉的第1圖有效方法是在 於可使從槽底部來的開口角內反射光會全部受到隔壁所 遮斷的光入反射角度之位置實施檢查者。用第17圖、 第18圖、第19圖、第20圖依序說明在於這種檢查方 法中的S與N之關係。在此，第17圖、第1 8圖、第 19圖、第20圖是分別表示光入射反射角爲0或Θ，時， 從槽底面或液狀螢光體表面所反射的反射光狀態之簡略 圖。又如上所述，要捕捉光時，在一般上要捕捉光的手 段是持有所定的開口角者，因而在本技術的說明中，也 將開口角Θ k —倂加以考量。 首先，如第1 8圖所示，在於光入反射角度0 ’處實施 檢查時，從其槽寬爲L 1的、應檢查之液狀螢光體來的 開口角內反射光S會在1 800部分反射到開口角0 k的範 圍。但，在於如第1 7圖的光入反射角度β，中，也會捕 捉到其槽寬爲L3 ( > L1 )的，不必檢查之槽底部1700 來的開口角內反射光Ν。即，會產生如上述第7圖的上 側曲線圖所示之現象，S/N比會顯著的降低，不可能做 到筒精度的檢查。 其次說明以光入反射角度0實施檢查的情形。本方法 的特徵是依據第1 9圖所示的開口角θ k、和構成不必檢 查的槽之設計値的隔壁高度Η及槽寬L 3，以在於可使 要捕捉從槽底部1 9 0 0來的開口角內反射光ν之開口角 Θ k會全部.受到隔壁k所遮斷的條件下，決定光入射角 -26- 1235235 五、發明說明（25) 度0者。即，如第19圖所不，在於光入射角度β中， 並不會捕捉到從不必檢查的槽底部1 900來的開口角內 反射光N，而如第20圖所示的，只可捕捉到從應檢查的 液狀螢光體來的開口角內反射光S者。但是，如將光反 射角度0縮得過小時，反而會變成從應檢查的液狀螢光 體表面來的開口角反射光S會被隔壁所遮斷，S/Ν比會 降低。因而，本發明的檢查方法之特徵是依據第2 0圖 所示的開口角0 k，和構成應檢查的槽之設計値的隔壁 高度Η及槽寬L1，以及所要塗布液狀螢光體的表面高 度Ηρ，以在於可使要捕捉從液狀螢光體表面20 00來的 開口角內反射光S之開口角0 k不會受到隔壁I所遮斷 之條件下，決定光入反射角Θ者。以下式（7)表示以上的 槪念。 [S不會受到隔壁所遮斷的角度]< [N會受到隔壁所遮 斷的角度]…（7) 如第1 9圖、第20圖的一例所示，依據式7所求得的 光入反射角0以實施檢查時，從不必檢查的槽底部來的 開口角內反射光N會被隔壁所遮斷，而從應檢查的液狀 螢光體表面來的開口角內反射光S，可在於開口角0 k 的範圍被所接收。因而，可獲得如第1 6圖的曲線圖 1 6 5 0 ’所示的輝度信號波形1 6 2 0 ’，而可取得要實施高精 度檢查所需的充分之S/Ν比。 要由以上的辦法所取得的曲線圖1 6 5 (T以特定缺陷時 ，如上述的，對於輝度信號波形1 620’設定適當的第1 -27- 1235235 五、發明說明（26) 閥値1630，而測出低於此値的輝度峰値161 Γ、1613’即 可，又，在第1 6圖的例子中，是以液狀螢光體被塗布 的比規定値爲少的缺陷爲例所說明者，但，也可特定液 狀螢光體被塗布的比規定値爲多之缺陷。液狀螢光體如 被塗布的比規定値爲多時，液狀螢光體的表面形狀會接 近於平面狀態，因而如在第8圖所說明的，從缺陷部分 所取得的輝度信號會大於從正常部分所取得的輝度信號 。因此，設定適當的第2閥値1 63 1，而測出高於此値的 輝度峰値1 6 1 4'，就可特定其液狀螢光體被塗布的比規 定値爲多之缺陷。 以上是對於如第4圖、第6圖所示的由至少兩種以上 的槽寬之槽按順序所構成之基板上所塗布的液狀螢光體 塗布狀態之檢查加以說明者，但，對於第3圖、第5圖 、第6圖 '第1 5圖所示的由等間隔的槽寬之槽所構成 的基板，也具同樣的效果。 在具體上，在於如第4圖、第1 6圖所示的，至少由 兩種以上的槽寬之槽按順序所構成的基板上所塗布的液 狀螢光體塗布狀態之檢查中，設形成槽的隔壁之高度爲 Η、螢光體的表面高度爲Hp、由隔壁所形成而要塗布螢 光體的槽之寬度爲La，由隔壁所形成而不塗布螢光體 的槽之寬度爲，求出其在檢查上最適當的光入反射 角Θ時，會成爲下式（2)。又，在此是假定將攝影側的光 圏縮小到極限，開口角β k爲0°爲例所計算者。 2(H - Hp) 2H tan'1 La < 0 € tan-丨 5 …（2) -2 8 - 1235235 五、發明說明（27) 由如此所取得的光入反射角度0以進行檢查時，可取 得要實施如上述的高精度檢查所需之充分的S/N比。又 ，在於上述式（2)的算出中，是假定開口角0k爲〇。者 ，而現實上一定存在著要捕捉光的所定開口角Θ k。因 而，在實際的檢查中，想要取得充分的S/N比時，只要 在式（2)中對開口角0 k的大小加以考慮就可。 又，爲了要提高S/N比而減低N的第2個有效方法是 可列舉如將檢查光的波長限定在3 60nm以下者。如上述 的，在檢查信號中會產生N的原因是從不必檢查的槽底 部、也就是電介質層來反射光會入射於攝影手段。電介 質層的內容物中，含有多量的玻璃成分，玻璃是持有容 器吸收波長3 60nm以下的光之光學特性。因而，在檢查 上使用波長3 60nm以下的光時，仍可取得和從來技術同 樣的從液狀螢光體來的反射光S，但從電介質層來的反 射光N會減低，在結果上，S/N比會升高。 又，爲了要提高S/N比而減低N的第3個有效方法是 可列舉如第21圖所示的、在於不必檢查的槽上設置由 光反射率低的材料所構成之遮罩2 1 3 0。如上述的，在檢 查信號中會產生N的原因是由於從不必檢查的槽底部來 的反射光之入射於攝影手段者。因而，將會反射這種反 射光N的區域用反射率低的遮罩覆蓋，就可只將從應檢 查的液狀螢光體2100、2101、2102、2103來的反射光S 2 1 1 0、2 1 U、2 1 1 2、2 1 1 3以高靈敏度的捕捉，而可取得 高S/N比的測定信號波形2120。 -29- 1235235 五、發明說明（28) 又’爲了要提高S /N比而減低N的第4個有效方法是 可列舉如將被檢查基板製成容易檢查液狀螢光體的形狀 者。在具體上，設形成槽的隔壁之高度爲Η、液狀螢光 體的表面高度爲Ηρ時，將基製成可滿足下式（6)者。 .6 < Ηρ/Η < 0·9 …(6) 滿足此式（6)時，雖然爲了要提高檢查靈敏度而充分的 擴大攝影手段的開口角，但從應檢查的液狀螢光體來的 反射光S仍然會入射於攝影手段，從不必檢查的槽底部 來的反射光Ν是會被隔壁所遮斷，而可容易的設定不入 射於攝影手段的光入反射角Θ。又，如隔壁的高度Η與 液狀螢光體的表面高度Ηρ爲相等時，依上述所說明的 本發明檢查方法之原理，從應檢查的液狀螢光體來的反 射光S之強度會過高，會使比攝影手段所具備的感光元 件之容量爲高強度之光入射於感光元件，並不能期望可 獲得高精度的測定。 又，爲了要提高S/N比而減低Ν的第5個有交方法是 可列舉如：在於要製造第4圖、第1 6圖所示的、由兩 種以上的寬度之槽所構成的基板3 1 0時，是從寬度最大 的槽開始依序進行液狀螢光體的塗布作業者。如上述的 ，檢查的S/Ν比會降低的問題是在於由兩種以上的寬度 之槽所構成的基板3 1 0中，要檢查塗布在槽寬較窄的槽 之液狀螢光體時，從槽寬較大的槽之電介質層來的反射 光之要入射於攝影手段之際，會很明顯，因而’如從槽 寬較大的槽先進行螢光體層的塗布作業，以實施液狀螢 -30- 1235235 五、發明說明（29) 光體的檢查時，從應檢查的液狀螢光體來的反射光S會 入射於攝影手段，從不必檢查的槽寬較窄的槽底部來的 反射光N會被隔壁所遮斷，而可容易的設定不會入射於 攝影手段的光入反射角0。又，要檢查塗布在槽寬較窄 的槽之液狀螢光體時，在槽寬較大的槽中，已完成塗布 作業而成爲被乾燥過的螢光體層之狀態，從不必檢查的 槽來的反射光會減低，其S/N比會提高。 又，本發明的檢查方法之特徵是：其攝影手段係具有 以一維排列的多數之感光元件，設感光元件係配置在與 被檢查基板和光學系統的相對移動方向成直角方向，也 即和形成在基板上的槽相同之方向，而以某一寬度捕捉 從液狀螢光體來的反射光，並將其強度信號作爲二維圖 像資訊，以使用在液狀螢光體之檢查上者。又，本發明 檢查方法中的信號處理手段之特徵是：從攝影手段所取 得的圖像資訊中，將在於感光元件排列方向的感光元件 數個份之輝度資訊相加並平均化，而使用該平均値以取 得平均輝度信號波形者。 將此平均輝度信號波形換成上述的輝度信號波形660 等，然後進行同樣的信號處理’就可以高精度的測定塗 布在第5圖所示基板上的液狀螢光體之塗布量。有關此 事用第5圖、第22圖說明之。 如上述的，第5圖所示的基板係具附有橫肋條之槽 119。此點是與第3圖、第4圖所示的基板300、310不 同之點。在於附有橫肋條之槽1 1 9中塗布液狀螢光體時 -31 - 1235235 五、發明說明（3〇) ’由於液狀螢光體的粘度是比水等爲高，因而，如第22 圖所示在多數的各個單元1 2 0中，會成爲分別被以不同 塗布量塗上液狀螢光體2201、2202、2203、2204之情 形。但是，在於剛塗布液狀螢光體後，如僅注目於攝影 手段的感光元件中之某一像素，而取得其輝度信號波形 時，該感光元件所捕捉的光量會成爲表示塗布在附有橫 肋條的槽1 1 9中的液狀螢光體塗布量之代表値，而想要 測定液狀螢光體整體的塗布量時，並不能獲得正確的測 定。其理由是例如所注目的某一像素如偶然地是在於虛 線的X位置捕捉到從其表面形狀是被塗布成凹形狀的液 狀螢光體2204來的反射光時，會取得如曲線圖22 5 0所 示之輝度信號波形2220，而會判斷爲所塗布的液狀螢光 體之總塗布量爲太少。又，所注目的某一像素如偶然地 是在於虛線V的位置捕捉到從其表面形狀是被塗布成平 面狀的液狀螢光體220 1來的反射光時，會判斷爲所塗 布的液狀螢光體之總塗量爲剛好可塡滿隔壁間之量者。 爲了防止此情形之產生，而要更正確的測定塗布在附 有橫肋條的槽Π 9內之液狀螢光體總塗布量時，是可由 足夠多數的單元所捕捉的、從所塗布的液狀螢光體來的 反射光中，將其多數的輝度平均化’以作爲所塗布的液 狀螢光體塗布量之代表値者。在具體上的信號處理方法 是可由攝影手段所取得的圖像資訊中’將例如第22圖 的虛線χ-χ’間的y寬度範圍的多數個感光元件之輝度資 訊，在於感光元件的看列方向相加並平均化，而用其平 -32- 1235235 五、發明說明（31) 均値以取得曲線圖22 6 0所示之平均輝度信號波形222 1 者°又，當然地，這種手法也可用在塗布在沒有橫肋條 的橫1 1 5、1 1 6、1 1 7、11 8中的液狀螢光體液狀螢光體 塗布量之測定上。 又，在以上說明中，是以從塗布在基板上槽內的全部 液狀螢光體之各自的一部分分別作爲各槽的代表，並向 橫過形成在基板的槽之方向進行檢查爲前提所說明者， 但如用（1)擴大攝影手段的視界、（2)增加攝影手段的數 量、或（3)對於一片被檢查基板，邊變更攝影手段的視界 ，邊進行多次的檢查之手法，以對於遍及基板整面進行 液狀營光體之檢查者，也符合理想。 又，本發明的檢查手段之特徵是具備可測定基板的移 動速度之手段，而可在於不受基板移動速度的偏差之影 響下，以高精度的測定各液狀螢光體的塗布量者。經測 定基板的移動速度，由其所得的結果分別反映於對各個 槽的液狀螢光體塗布量之測定，由此，不必使用到可將 基板以一定速度運送的高價之基板運送手段，而使用較 廉價的、在基板運送速度上會有偏差的基板運送手段， 也可正確的分別測定各個槽之液狀螢光體塗布量。又， 本發明的測定基板移動速度之手段在其測定上並無需要 特別的設備’而可由在於液狀螢光體塗布量的測定中所 取得的輝度信號’以測定基板移動速度者，因而’在成 本上並不造成浪費。 用第23圖說明基板移動速度有變動時會產生的毛病 -33- 1235235 五、發明說明（32) 和其具體上的對策。 如上述的，在PDP中，螢光體層是以所定間隔Lp所 形成。在此假定基板運送速度爲一定時，其所取得的輝 度信號波形之輝度峰値是當然地會以對應於液狀螢光體 的間隔之周期性間隔mLp (m爲常數）出現。又，假定 基板運送速度爲不一定時，所取得的輝度信號波形之輝 度峰値會以和液狀螢光體的間隔Lp所對應的間隔mLp 不同的間隔出現。反過來說，測定輝度峰値的間隔，就 可測定基板移動速度。換言之，如輝度峰値的間隔爲一 定時，基板移動速度也是一定，而如輝度峰値的間隔有 偏差時，基板移動速度中也有偏差者。 又’如考量在於要塗布液狀螢光體於槽內之手段中發 生障礙，以致於某槽內未被塗布液狀螢光體，或雖被塗 上規定値以下的液狀螢光體，但其反射光強度很弱的情 形。在此情形中，從該液狀螢光體來的反射光並不會被 抽出作爲輝度峰値，而會和上述的基板移動速度變化時 同樣’其輝度峰値的間隔會成爲和所定間隔mLp有所不 同者。 如上述的，抽出輝度峰値的處理是從輝度波形中，將 與某第N個輝度峰値只相隔距離mLp之點的輝度峰値作 爲第N+ 1個的輝度峰値抽出，而將此處理反複的實施於 全部的輝度峰値者。因此，如輝度峰値間的距離成爲 mLp以外時，不能認識到第n+ 1個的輝度峰値。在這種 情形時的判斷有兩種，其一是可認爲由於基板的移動速 -34- 1235235 五、發明說明（33 ) 度產生變化’因而輝度峰値的出現位置有所偏差者，另 一是可認爲未被塗上液狀螢光體，或塗布量太少而抽不 出輝度峰値者。後者是被檢查對象的基板之不良，因而 當然地要判定爲不良品，但前者在基板本身上並無缺陷 之處’在此如判定爲不良品時會成爲錯誤檢測。即，輝 度峰値的間隔如成爲所定間隔mLp以外時，必須對其係 基板的不良或者是基板移動速度的偏差加以正確的判定 。因此’經測定基板的移動速度，如移動速度無變化時 ’可判定爲在基板上有不良之處，如移動速度有變化時 ’可判定爲在基上無不良之處。 在此’用第23圖說明測定基板移動速度的具體方法 。首先，當基板移動速度產生變動時，例如速度突然慢 下來時’在於第2 3圖的曲線圖2 3 5 0所示的輝度信號波 形23 00中’如23 03所示的，輝度峰値間隔會無規則的 變化，且可知其係連續的影響到多數條的輝度峰値（η 、〇、Ρ爲常數）。相對的，在於未被塗上液狀螢光體， 或由於塗布量太少而不能抽出該槽的輝度峰値時，在外 表上的輝度峰値間隔23 02會當然地成爲所定間隔mLp 的整數倍。利用此兩者的特徵，以在於輝度峰値的間隔 成爲mLp以外時，判定在實際上是否有不良之處。即， 如輝度峰値間隔成爲mLp的整數倍時，在該處是有缺陷 處23 1 0，在基板的良否上判定爲不良品。相對的，在於 輝度峰値間隔不是mLp的整數倍，或在連續的多數條輝 度峰値之間隔上出現異狀的兩者之中，如至少有任一項 -35- 1235235 五、發明說明（34) 成立時，可判定爲基板上的該部分在攝影中發生基板移 動速度的變動，或者基板上並無缺陷處的存在者。引用 這種信號處理手法時，如在基板的移動速度上有偏差， 也可正確的判定缺陷的有否。爲了說明上的方便，僅述 及基板速度突然慢下來的場合者，而相反的、突然加快 的場合中，也可應用本手法。 在上述所說明的是爲了要構成廉價的裝置，其測定基 板移動速度的手段是利用要測定液狀螢光體塗布量所取 得的信號，以算出基板移動速度之手法者，而當然地， 也可設置測定基板移動速度專用的設備，以作爲基板移 動速度測定手段，並將在該手段所取得的基板移動速度 資訊輸入於信號處理手段，以分別反映於對各個槽的液 狀螢光體塗布量之測定上。在此場合中，如輝度峰値間 的距離成爲間隔mLp以外時，參照基板移動速度測定手 段所取得的如第23圖的曲線圖23 60所示之基板移動速 度資訊，如移動速度無變化時，可判定爲在基板上有缺 陷處23 10，而如23 04所示的基板速度有所變化時，可 判定爲在基板上無不良之處。又，以上是對基板移動速 度上有偏差的情形所說明者，而本發明的檢查手段是只 要使照明手段和攝影手段或者被檢查基板的至少任一方 移動時就可實現。因此，在於這些各設備的移動手段上 有速度偏差的存在時，上述的速度修正手法會成爲有效 的手段。 以上是對本發明的螢光體檢查工程（I )2 52中的檢查 -36- 1235235 五、發明說明（35) 方法之說明者，而以下用第24圖、第25圖、第26圖 說明本發明的螢光體檢查工程（Π )2 54中的檢查方法。 在於螢光體檢查工程（Π )2 54的時刻，由隔壁所構成 的槽內已形成乾燥過的螢光體層（以下只稱螢光體層） 。螢光體層是以螢光體材料爲主的微粒子之凝聚所構成 ，在層的表面形成有多數的微細凹凸。要以從來技術檢 查此螢光體層的形成狀態時，其構成爲如第24圖所示 的，是使入射光2420入射於螢光體量變化較大的螢光 體層之下擺2410，而由攝影手段2440捕捉從下擺2410 來的反射光者。然而，如第24圖所示的，在螢光體層 的層表面會有很大的光散射，以致於從螢光體量爲標準 的螢光體層240 1來的入射於攝影手段2440之散射光 243 1，和從其螢光體層2410來的反射光者。然而，如 第24圖所示的，在螢光體層的層表面會有很大的光散 射，以致於從螢光體量爲標準的螢光體層240 1來的入 射於攝影手段2440之散射光243 1，和從其螢光體量是 比標準爲少的螢光體層2400來的入射於攝影手段2440 之散射光243 0，以及從其螢光體量是比標準爲多的螢光 體層2404來的入射於攝影手段2440之入射光2432之 間的輝度差會很少。又，如由於缺陷而未被形成螢光體 層時，入射光會在電介質層2450反射。電介質層是由 以玻璃粉末爲主的微粒子之凝聚所構成’其係和螢光體 層同樣，在層的表面形成多數的微細凹凸而會產生光散 射，散射光24 60會入射於攝影手段244 0。也即’在從 -37- 1235235 五、發明說明（36) 來技術中，如第2 6圖的曲線U所示，相對於螢光體層 的形狀變化之攝影輝度的變化是很少，難於做到高精度 的測定。 然而，如上述的、PDP所使用的螢光體會在照射紫外 線時激發而發光。又，其發光強度是會受到被照射到紫 外線的部分之螢光體量的影響，其係有螢光體量越多發 光強度越強，螢光體量越少發光強度會越弱之傾向。 本發明的檢查方法是利用此原理者。如第25圖所示 ，將可促使螢光體發光的波長260nm以下之光252 1照 射於螢光體層時，會由螢光量的不同，其螢光發光強度 會有差異。因而，入射於攝影手段2440的螢光發光 2 540、254 1、2542的輝度是如第26圖的曲線X所示的 螢光體量越多會越高，螢光體量越少會越低。又，由於 缺陷而未被形成螢光體層時，不會有螢光發光，其攝影 輝度會更低。即，本發明檢查方法的特徵是利用螢光體 量與螢光發光強度之關係來測定螢光體量，以判定良品 與不良品者。 在以上的說明中，爲了容易了解是以螢光體量不同的 4條相鄰螢光體層所形成之基板樣品爲例所說明者，但 實際上是必須對多數的螢光體層進行檢查。要對形成在 基板上的全部螢光體實施檢查時，是使基板的對於入射 光的位置邊向橫過形成在基板上的槽之方向相對性的移 動，邊進行測定即可。裝置上的詳細構成於後述之。 如上述的，對塗布在基板上的全部螢光體層實施螢光 -38- 1235235 五、發明說明（37) 體層的檢查時，可取得如第7圖的曲線圖所示的對應於 螢光體層的螢光體量之輝度信號波形720。如使該輝度 信號波形720對應於基板上的螢光體層部分時，可從正 常形成的、含有標準螢光體量的螢光螢光體層700、702 之槽b、h取得較大的輝度信號，從含有塗布不正常的 螢光體層701、70 3的槽e、k分別取得較小値的輝度信 號，而從未被形成螢光體層的槽a、c、d、f、g、i、j、 1取得和槽k同等之輝度。在此，將輝度信號波形720 中的、對應於螢光體層已形成的槽或應形成的槽之位置 部分的輝度頂點設爲7 1 1、7 1 2、7 1 3，在以下稱之爲輝 度峰値。 又’槽a、c、d、f、g、i、j、1是成爲未形成螢光體 層的狀態，但視工程上的情況，也有已形成其他的一色 ，或其他兩色的螢光體層之情形。在此情形時，由於要 做檢查的是僅針對於某一顏色的檢查對象者，因而，在 於攝影手段中設置攝影波長選擇手段，以對於作爲檢查 對象的顏色實施檢查。 對於由以上的檢查方法所取得的發光輝度信號波形施 加和本發明的螢光體檢查工程（I )252中的檢查方法所 取得的波形同樣之信號處理，就可判定被檢查基板的良 否。又，也可應用上述的、利用基板移動速度以高精度 的檢測缺陷之手法。 以下用第27圖說明可實現上述的本發明檢查方法及 製造方法之檢查裝置。 -39- 1235235 五、發明說明（38) 第2 7圖是可實現本發明的檢查方法之檢查裝置槪略 圖。本發明的檢查裝置在基本上是包含：可使入射光 2 701入射於被檢查基板300 (或基板310、32〇 )的螢光 體表面之照明手段27 1 0 ;用所定開口角以捕捉從液狀螢 光體表面來的反射光2702或螢光發光2703之攝影手段 2 720 ;和可處理由攝影手段所取得的反射光2702或螢 光發光2703的強度信號之信號處理手段273 1所構成， 照明手段2710和攝影手段2720是由可在於使該兩者的 到反射點的距離不變之下，可使光入反射角度0在20° 〜80°間變化之角度調節機構2743所固定。在螢光體檢 查工程（I )25 2中，要實施本發明的檢查方法時，設形 成槽的隔壁之高度爲Η、螢光體的表面高度爲Hp、由隔 壁所形成而要塗布螢光體的槽之寬度爲La、由隔壁所 形成而不塗布螢光體的槽之寬度爲Lyg時，是以可滿足 下式（3)者爲理想。又，在於螢光體檢查工程（π )2 54中 ，要實施本發明的檢查方法時，未必使光入射角度0與 光接收部272 1的設置角度0 ”爲相同。 2[H - Hp) 2H tan_1 """Τα~ 0 $ tan·1 0 …（3) 又，在對於塗布在基板上的液狀螢光體之長度方向的 、要橫過液狀螢光體之方向，使照明手段2 7 1 0和攝影 手段2720，或者基板300 (或是310、320)的至少任一 方移動，而由攝影手段2 7 2 0連續的拍攝反射光2 7 0 2或 螢光發光2703’就可對基板300 (或是310、320)上的 -40- 1235235 五、發明說明（39) 、遍及於基板移動方向全長之各個槽，分別檢查其螢光 體之形成狀態。 要使照明手段2710和攝影手段2720移動時，例如可 利用高架平台等的移動手段274 1，而要使基板3 00 (或 是3 10、3 20 )移動時例如可利用可裝載基板並將其固定 後移動之平台或滾筒搬運機等之基板運送手段2742。由 攝影手段2720所取得的反射光之強度信號會經過信號 傳送手段2732作爲圖像資訊輸入於信號處理手段273 1 ’由信號處理手段273 1的對該信號之處理，以測定螢 光體的形成狀態，並辨別良品或不良品。 又，對本發明檢查裝置的照明手段27 1 0和攝影手段 2720再詳加說明。首先，在基本上，照明手段2710是 由光源部271 1、出射口 2713、及連接兩者之間的光傳 送部2712所構成。尤其是出射口 2713是爲了使裝置整 體不致大於所需，又可防止光量分散的浪費，其形狀是 形成爲縫隙狀，其寬度是在l〇mm以下，其長度方向的 長度爲1 000mm以下爲理想。又，爲了要用市場上所出 售的標準品之光源來做檢查，而要使測定部位有充分強 度的照明時，縫隙的寬度要在於0.3 mm以上，且要使測 定部位有充分均勻的照明，以進行高精度之檢查時，縫 隙的長度方向之長度是在1 〇mm以上爲理想。 照明手段27 1 0的光源部27 1 1是例如可使用鹵素光源 、金屬鹵化物光源、不可見光光源、高壓水銀燈、低壓 水銀燈、及準分子燈等，光傳送部2 7 1 2是例如可使用 -41 - 1235235 五、發明說明（4〇) 光纖等，出射口 2713是例如可使用將光纖的一末端排 成一列，以使光可成爲直線狀出射之光導器，或在光透 過率低的材料上設置開口部的縫隙板等。又，如由於光 源的種類而不能使光源部27 1 1與出射口 27 1 3分離時， 也可不使用光傳送部2712，而將光源部271 1直接設置 在出射口 2 7 1 3。 又，在出射口 27 1 3上，也可裝上可使出射光擴散以 使表面形狀與輝度的關係接近於成比例之光擴散手段 27 1 4，和，可由出射光中選擇所欲偏光方向的光，以在 於檢查中僅使用所欲偏光方向的光，由此以提高其攝影 的對比度之光偏光方向選擇手段27 1 5兩者之任一項或 兩項者。光擴散手段2714是例如可使用光擴散板等， 而光偏光方向選擇手段27 1 5是例如可使用偏光板等。 又，攝影手段2720的光接收部272 1是由感光元件以 一維排列所構成，例如可使用電荷耦合行感測攝影機， 或光電倍增器等。又，在光接收部272 1上設有可使影 像成像於感光元件上之聚光部2722，聚光部2722是具 備可調整攝影開口角以滿足下式（4)所表示的上限値和下 限値是在通用的光學透鏡之光圈機構中可取得之値。又 ，在本發明的檢查裝置中，出射口 27 1 3的長度方向和 光接收部272 1的感光元件排列方向是與形成在基板上 的螢光體之長度方向相同方向者。 1.2^ F ^ 2.0··· (4) 又，在光接收部272 1上，也可裝上可由反射光中選 -42- 1235235 五、發明說明（41) 擇所欲偏光方向的光，以在於檢查中僅使用所欲偏光方 向的光，由此以提高其攝影的對比度之光偏光方向選擇 手段2723者。光偏光方向選擇手段2723是可使用偏光 板等。又，在光接收部272 1上，也可裝上可使入射於 光接收部272 1的光之強度衰減到可滿足下式（5)之光接 收強度衰減手段2724，光接收強度衰減手段2724是可 使用消光瀘光片等，式（5)的上限値和下限値是設定在當 攝影開口角是採用上述式（4)的範圍時，可做到高精度的 檢查者。 0.3 S OD S 2.0 …（5) 又，在光接收部272 1上，也可裝上可選擇所要攝影 的光波長之攝影波長選擇手段2725。攝影波長選擇手段 2725是可使用有色玻璃濾光片、蒸鍍濾光片等之光學濾 光片。又如上述光接收部272 1已具備攝影波長選擇機 構時，就不必再設置攝影波長選擇手段2725。附有攝影 波長選擇機構的光接收部272 1是例如三板式電荷耦合 彩色行感測攝影機等。 又，依本發明的檢查方法以檢查螢光體的形成狀態時 ，其攝影手段的在於與感光元件排列方向成直角方向之 分辨能力如相對於作爲檢查對象的燈光體寬度爲太大時 ，並不能取得在檢查上所需的充分之輝度資訊，如太小 時，在於1片的基板檢查中所取得的輝度資訊會太多， 在信號處理上會成爲負擔。因此，設攝影手段的分辨能 力爲R，由隔壁所形成而要塗布螢光體的槽之寬度爲 -43- 1235235 五、發明說明（42) L α時，是以可滿足下式（1)的、調整攝影手段的掃描速 度’或調整基板3 00 (或是310、3 20 )的相對於照明手 段2710和攝影手段2720的相對速度兩者中之至少一項 者爲理想。 3 S10…⑴ R 又’在本發明的檢查裝置上，也可裝上可自動的感測 基板之進入，以適時的開始擷取圖像之基板進入感測手 段27 5 1。基板進入感測手段27 5 1是可使用光電感測器 等。 又，在本發明的檢查裝置上，也可裝上可測定基板運 送速度，以使檢查得以高精度化之基板移動速度測定手 段2752。基板移動速度測定手段2752是可使用接觸式 速度計或雷射都卜勒（laser Doppler)式速度計等。 其次’以PDP背面板爲例，說明應用本發明的檢查方 法之顯示面板製造方法。 本發明的製造方法是在於將液狀螢光體塗布於隔壁間 的工程25 1之後，或在於使液狀螢光體乾燥以形成螢光 體層的工程2 5 3之後，緊接著要檢查液狀螢光體或螢光 體層的形成狀態之兩項檢查工程中，至少有任一項是實 施本發明的檢查方法者。 又，本發明的檢查方法之檢查對象並不是例如塑料薄 似的、以連續製造者，而是如PDP背面板的、以每一個 體分開製造者。因此，對每一個體保持一定的檢查靈敏 度，是本發明的檢查方法之對於全部製品的高精度品質 -44- 1235235 五、發明說明（43) 之保障。在此，要對每一個體保持一定的檢查靈敏度時 ，其最重要的要素是其檢查光量。例如在某製造一批內 ，對被檢查基板如果用其光量是在其即將檢查之前爲止 的基板檢查所用的光之50%的光以實施檢查時，由攝影 手段可取得的輝度資訊也只有其即將檢查之前爲止的檢 查之約5 0%程度。因而，檢查的靈敏度會降低是明顯的 事實。 檢查光的強度會在於每次基板檢查時不同的原因之一 是可列舉如照明手段的劣化。又，由於被檢查基板的個 體差異、批號、品種等，對於檢查光的反射特性會有不 同，因而，由攝影手段可取得的輝度資訊會產生差異。 要解決此問題，以在於全部被檢查基板上取得一定的檢 查靈敏度時，必須對照明手段所發出的檢查光之光量加 以控制。 用第28圖說明檢查光的光量修正方法。在此，第28 圖是依本發明的檢查方法和檢查光的修正方法一例之流 程圖。要修正光量時，在檢查開始（28 10)之前，先將作 爲光量修正的目標之光接收量目標値登記在檢查裝置上 (2800)。在檢查開始（2810)後，經過待機（2 820)狀態後， 進行被檢查基板的圖像之擷取（283 0)。將所取得的圖像 信號加以處理（2840)，並判定被檢查基板的良否（2850) 。又，在信號處理之際，取得在基板檢查所獲得的光接 收量資訊（2 8 7 1 )，由此算出可使在於下一基板的檢查中 獲得更接近於最初所設定的接收光量目標値之照明手段 -45- 1235235 五、發明說明（44) 的控制量（2872)，以控制照明手段（2 8 73 )者。由此光量 修正手段，無論是照明手段的劣化、被檢查基板的個體 差異、批號、品種都可經常獲得一定的檢查靈敏度 〇 又，在本發明的檢查方法中，是以可特定螢光體的形 成狀態產生異狀之槽及位置爲其一大特徵者。螢光體的 形成狀態產生異狀時，其原因是在於要將液狀螢體塗布 於槽內之工程251者。在此工程251中，塗布液狀螢光 體的手段是如上述的已知之三種，但發生液狀螢光體的 塗布不良時，無論是那一種，都是在對應於發生塗布不 良的位置之部分會有引起塗布不良的原因。如可特定螢 光體的形成狀態產生異常之槽及位置時，就可知在液狀 螢光體塗布手段的對應於該槽及位置之部分有引起塗布 不良原因之存在，而可立即執行除去塗布不良的原因。 即，如不能特定在液狀螢光體塗布手段中引起塗布不 良原因所存在的位置時，必須對液狀螢光體塗布手段的 整體實施除去不良原因的處理，但，在本發明的製造方 法中，由於可特定引起塗布不良原因所存在的位置，因 而，只對於液狀螢光體塗布手段的特定部分實施除去塗 布不良原因的處理即可。除去塗布不良原因的處理是指 例如液狀螢光體塗布手段爲噴嘴塗布法時，可迅速的更 換噴嘴、或用超音波洗淨機以消除噴嘴的堵塞等。 又，在本發明的製造方法中，在於不良基板上已被特 定其螢光體的形狀產生異常之槽及位置，因而，可將其 -46- 1235235 五、發明說明（45) 加以修正，以再生爲良品者。 用第29圖說明在於螢光體檢查工程（I )2 52中，發現 不良基板時的缺陷修正方法。當本發明的檢查裝置測出 缺陷時，是將持有缺陷處2901、2902的、已塗布著第1 顏色的液狀螢光體之基板3 3 0在於要進入使液狀螢光體 乾燥以形成螢光體層的工程25 3之前，搬進於缺陷修正 工程（I )261。在缺陷修正工程（I )261中，由檢查裝置 取得該基板3 3 0的缺陷位置資訊，將缺陷修正用噴嘴 2 910移動到缺陷290 1的位置，在缺陷位置上塗布液狀 螢光體2920。反複此操作，直到存在於該基板3 3 0上的 全部缺陷被修正完爲止，而在全部缺陷被修正完的時刻 ，將該基板3 3 0搬到使液狀螢光體乾燥以形成螢光體層 的工程2 5 3。 用第30圖說明在於螢光體檢查工程（Π )2 54中，發現 不良基板時的缺陷修正方法。當本發明的檢查裝置測出 缺陷時，是將持有缺陷處3 00 1、3 002的、已被塗布施 工到第2顏色螢光體之基板33 1搬進於缺陷修正工程（Π )2 62。在缺陷修正工程（Π )2 62中，由檢查裝置取得該基 板3 3 1的缺陷資訊，將缺陷修正用噴嘴3 0 1 0移動到缺 陷3 0 0 1的位置，在缺陷位置上塗布液狀螢光體3 0 2 0。 反複此操作，直到存在於該基板3 3 1上的全部缺陷被修 正完爲止，而在全部缺陷被修正完的時刻，將該基板 331搬到使液狀螢光體乾燥以形成螢光體層的工程253 。又，如尙有應塗布施工的螢光體時，也可將其搬到要 -47- 1235235 五、發明說明（46) 在隔壁間塗布液狀螢光體之工程2 5 1。 如上述的，在本發明的製造方法中，是應用本發明的 檢查方法，以高精度的檢查螢光體之形成狀態，當連續 發生缺陷時，迅速的修正工程上之障礙，且將不良品加 以修正以再生爲良品，由此以提供一種在不降低產量之 下，可提高成品率，且以高品質的製造高可靠性基板之 方法爲目的者。 [實施例] 以下再用幾個實施例說明本發明的詳細內容。 本發明的第1實施例是在於第2圖所示的工程中，不 實施螢光體檢查工程（Π )，而僅實施螢光體檢查工程（I ) ，以製造PDP背面板者。作爲製造對象的基板是使用第 3圖、第6圖、第15圖所示的具相同寬度L的槽之基板 。在槽內塗布液狀螢光體的工程25 1是用噴嘴塗布法， 而螢光體檢查工程（I )是用第27圖所示的檢查裝置。 以下針對於液狀螢光體塗布狀態的檢查詳加說明。照 明手段2 7 1 0的光源部2 7 1 1中是使用鹵素光源，將其光 纖引導到寬度〇.5mmx長度100mm的出射口，且，在出 射口設置擴散板和偏光板，攝影手段2720的光接收部 2721中是使用將2042像素的感光元件排列成一維的電 荷耦合行感測攝影機，聚光部2722中是使用通用的聚 光透鏡，攝影開口角0 k是由聚光透鏡的光圈機構將f 水設定在1 .2之事來做決定。 又，當將聚光透鏡的光圈調到最大時，入射於攝影手 -48- 1235235 五、發明說明（47) 段的光強度已超過其所具備的感光元件之容量以上，因 而在聚光透鏡之前設置光接收強度衰減手段2724，以使 入射光強度衰減。光接收強度衰減手段2724是使用通 用的0 D = 0.6之消光濾光片。 又，檢查所用的入射光270 1和反射光2702的光入反 射角0是從背面板設計値和攝影開口角β k算出最適合 於檢查的光入反射角0，並反映出此値者。要處理由攝 影手段2720所取得的輝度資訊之信號處理手段273 1是 使用通用的圖像處理裝置。其詳細內容是從電荷耦合行 感測攝影機所取得的輝度峰値波形中，測定其全部的應 塗布液狀螢光體之槽內所塗布的液狀螢光體之塗布量， 且，對輝度峰値波形設定適當的第1、第2閥値，以檢 查其輝度峰値低於第1閥値、或其輝度峰値高於第2閥 値之槽的液狀螢光體塗布狀態爲不良之事。又，由於是 要對遍及基板整體實施檢查，因而是使基板3 00移動， 而其基板運送手段2742是使用滾筒運送機以實施檢查 者。 又，攝影手段的在於基板運送方向之分辨能力，是以 可保持充分的檢查精度、且可取得不增加信號處理手段 的負擔程度之輝度資訊之條件下，調整攝影機的掃描速 率者。 又，爲了防止基板運送速度的變化所引起的檢查精度 之降低，所採用的手法是由信號處理手段273 1，從檢查 所取得的輝度信號波形之輝度峰値間隔算出基板運送速 -49- 1235235 五、發明說明（48) 度’而參照所算出的結果以判定被檢查基板的良否者。 又，爲了要對於多數的基板都能夠以一定的靈敏度實 施檢查，所採用的手法是從對每一片基板的檢查所取得 的圖像資訊中，算出光量値，並據此算出照明手段的控 制量，以修正光量者。 又，於產生缺陷時，迅速的特定缺陷原因，並修正其 工程，而對於不良基板是要施加以修正工程（I )，修正 其缺陷，再生爲良品者。 使用依據1述算式的、從背面板設計値和攝影開口角 0 k所算出的最合適於檢查之光入反射角β，以實施檢 查之結果，獲得高的S/N比，而容易的可將應檢查的槽 和不必檢查的槽加以區別。又，液狀螢光體的塗布是使 其表面形狀成爲凹狀態者，但如使入射光擴散，使攝影 機的攝影開口角擴大，就可使表面形狀與輝度的關係接 近於成比例，而在於塗布量少的條件下也能提高了其檢 查靈敏度。 在此，在於將液狀螢光體塗布於基板3 00的槽內之工 程中，有過在塗布液狀螢光體所用的噴嘴中有一孔被構 成液狀螢光體的成分之凝聚物所堵塞，而產生液狀螢光 體的塗布不良之事，但，此現象係被上述檢查手段所測 出。又，經特定其不良處的位置，並未將噴嘴從塗布裝 置卸下來分解洗淨，而在於噴嘴仍然裝在塗布裝置上的 狀態下，用超音波洗淨噴嘴的該部分’以排除堵塞的凝 聚物，由此可在於最小限度的不良發生次數下，以最小 -50- 1235235 五、發明說明（49) 限度的修復作業，迴避了連續缺陷之產生。又，對於缺 陷基板是經過缺陷修正工程（I )，將其再生爲良品。 又，在於將液狀螢光體塗布於基板3 00上的槽內之工 程中，有過在塗布液狀螢光體用的噴嘴塗布裝置之加壓 裝置中發生了設定値的異常，而產生被塗上比規定値爲 多的液狀螢光體之塗布不良之事，但此現象係被上述檢 查手段所測出。又，經特定其不良處的位置和塗布量， 推測加壓裝置的適當設定値，將其反映於裝置上，由此 ，可在於最小限度的不良發生次數下，以最小限度的修 復作業，迴避了連續缺陷的產生。又，對於缺陷基板是 經過缺陷修正工程（I )，將其再生爲良品。 又，在檢查中，有過由於滾筒運送機的馬達軸之偏心 所引起而在遍及於多數條份的液狀螢光體上產生了 ± 5 0%程度的基板運送速度之偏差之事，但，並未錯把正 常的液狀螢光體當作缺陷的測出，而能實施高精度之檢 查。 又，在製造工程的運轉中，對多數片基板做過檢查， 其攝影手段所獲得的光量値之偏差是在±5%程度，而能 對多數片的基板以大致一定的靈敏度實施檢查。 又，要製造的基板是被變更爲如第4圖基板3 1 0所示 的、具RGB三色，且槽寬不相同之基板，對於此基板也 和上述同樣地，使用從背面板設計値和攝影開口角β k 所算出的、在檢查上最適當的光入反射角0以實施檢查 之結果，獲得高的S/N比，而可容易的區別出應實施檢 -51 - 1235235 五、發明說明（5〇) 查的槽和不必檢查的槽。在此工程中，也和上述同樣， 產生了液狀螢光體的塗布不良之事，但也將其測出，除 去其缺陷原因，且，將不良基板再生爲良品。 其次，本發明的第2實施例是用第1實施例的製造方 法，以製造第5圖、第22圖所示的附有橫肋條的槽之 基板3 20。此時，照明手段2710的光源部271 1是以可 照射波長3 60nm的光爲主的不可見光，出射口 2713是 用縫隙板，並卸下光傳送部27 1 2。又，設置雷射都卜勒 速度計作爲基板移動速度測定手段2752。 又，此時，信號處理手段所採用的手法是爲了要提高 檢查的精度而累計多數個份的感光元件之輝度資料，以 取得平均輝度波形，以判定基板的良否者。 其結果是，在基板3 20上的、被橫肋條所截斷的各個 單元之液狀螢光體塗布量雖然不同，但經過對攝影機的 2 00像素份感光元件之輝度資訊平均化後，經確認其係 可以高精度的測出不良位置，又，也確認以波長360nm 的光作爲檢查之用時，其S/N比是比第1實施例的檢查 方法爲筒。 在此，在於將液狀螢光體塗布於基板320的槽內之工 程中，有過塗布液狀螢光體用的噴嘴中有20個孔被塗 布前液狀螢光體所含有的雜質同時的堵塞，而產生液狀 螢光體的塗布不良之事，此現象係被上述檢查方法所測 出。此時，經判斷要洗淨全部的孔不如更換噴嘴對工程 的早期修復較有利，而迅速的完成了噴嘴的更換。又將 -52- 1235235 五、發明說明（51) 雜質多液狀螢光體換成另一批的液狀螢光體，由此使工 程獲得完定化。又，對於缺陷基板是經過缺陷修正工程（ I )，將其再生爲良品。 又，在檢查中，有過由於滾筒運送機的馬達軸之偏心 所引起而在遍及於多數條份的液狀螢光體上產生了土 5 0%程度的基板運送速度之偏差之事，但經參考雷射都 卜勒速度計來的基板移動資訊以進行判定後，並未錯把 正常的液狀螢光體當作缺陷的測出，而能實施高精度的 檢查。 其次，本發明的第3實施例是在於第1製造方法中， 其液狀螢光體的塗布是使液狀螢光體的表面高度到達形 成槽的隔壁局度之8 5 %者。 其結果是經確認從檢查對象的液狀螢光體表面來的入 射於攝影機之反射S的強度會大幅的增大，在整體上其 S/N比是比第1實施例的爲高者。 其次，本發明的第4實施例是在於第1製造方法中， 製造如第4圖的基板3 1 0的，在RGB各色的槽寬爲不同 之基板者。此時，是從要塗布於寬度最大的槽之顏色開 始依序進行塗布液狀螢光體，要塗布於最窄寬度的槽之 顏色是在最後塗布。 其結果是在於要檢查塗布在窄小寬度的槽之液狀螢光 體時，經確認從較大寬度的槽所反射而入射於攝影機的 反射光N會大幅的減低，在整體上S/N比是比第1實施 例的檢查方法爲高。 -53- 1235235 五、發明說明（52) 其次，本發明的第5實施例是在於第1製造方法中， 將設計成爲可將不必檢查的槽掩蓋，而只在於作爲檢查 對象的槽之位置持有開口部之鉻遮罩設置在基板上者。 其結果是經確認從不必檢查的槽所反射而入射於攝影 機的反射光N會大幅的減低，在整體上S/N比是比第1 實施例的檢查方法爲高。 其次，本發明的第6實施例是在於第2圖所示的工程 中，不實施螢光體檢查工程（I )，而只實施螢光體檢查 工程（Π )以製造PDP背面板者。作爲製造對象的基板是 使用第3圖、第7圖所示之持有同寬度L之基板。要將 液狀螢光體塗布於槽內的工程25 1是用噴嘴塗布法，而 螢光體檢查工程（Π )是使用第27圖所示的檢查裝置。 以下，針對於螢光體層塗布狀態的檢查裝置詳加說明 。照明手段27 1 0的光源部27 1 1是使用準分子燈，並卸 下出射口 27 13和光傳送部2712。攝影手段2720的光接 收部272 1是使用將2042個像素的感光元件以一維的排 列，並使用可選擇性的分別拍攝R、G、B三色的發光之 三板式彩色電荷耦合行感測攝影機，而聚光部2722是 使用市場所出售的聚光透鏡。 又，檢查所用的入射光270 1之入射角度0爲80°， 要捕捉發光的攝影手段之設置角度0 ”是設定在30°。 要處理由攝影手段2720所取得的輝度資訊之信號處理 手段273 1是使用通用的圖像處理裝置。信號處理的內 容及基板的移動方法是和本發明的第1實施例相同。 -54- 1235235 五、發明說明（53) 又，爲了要對遍及於被檢查基板整面上之螢光體層進 丫了檢查’因而Μ 6台攝影機以和基板上的槽同一*方向排 列的配置，各個攝影機所取得的圖像資訊是分別由各個 的專用圖像處理裝置所處理。 其結果是，經確認不會受到於製造基板時的螢光體層 之塗布條件所影響，而能在於全部的螢光體量範圍，以 高精度的檢查螢光形成狀態。 在此，在於將液狀螢光體塗布於基板300的槽內之工 程中，有過從塗布液狀螢光體用的噴嘴之某一孔中排出 被含在塗布前液狀螢光體內之氣泡，而在螢光體上產生 了與槽同一方向的約l〇mm程度之塗布遺漏之缺陷之事 ，但此係被上述檢查手段所測出，又經在於噴嘴照原樣 裝在塗布裝置上的狀態下，強制性的使剩餘的氣泡排出 ，而以最小限度的修復作業就能使以後的工程安定化， 又，對於缺陷基板是經過缺陷修正工程（Π )，將其再生 爲良品。 又，當然地，要做更高精度的製品之品質管理時，也 可包含本發明製造方法中的螢光檢查工程（I )和螢光體 檢查工程（Π )雙方都實施。 由以上的結果已可確認，本發明的在於PDP背面板之 製造中，對於提高其成品率有很大的貢獻。 又，以上是僅對於在PDP背面板製造中，利用本發明 的檢查方法及檢查裝置以及製造方法的有利之點所說明 者。但，將這些利用在例如以液晶顯示器（LCD)彩色濾 -55- 1235235 五、發明說明（55) 圖。 第10圖液狀螢光體的塗布量爲VI時的塗布後之表面 形狀簡略圖。 第1 1圖液狀螢光體的塗布量爲V2時的塗布後之表面 形狀簡略圖。 第12圖液狀螢光體的塗布量爲V3時的塗布後之表面 形狀簡略圖。 第1 3圖由提高檢查光的擴散率所影響的效果之簡略 圖。 第1 4圖由提高攝影手段的開口率所影響的效果之簡 略圖。 第1 5圖在具有槽的基板上，其表面形狀被塗布成爲 凹形狀的液狀螢光體和依本發明的檢查方法所取得的輝 度信號波形之簡略圖。 > 第1 6圖在具有3種槽寬的槽之基板上，其表面形狀 被塗布成爲凹形成的液狀螢光體和依本發明的檢查方法 所取得的輝度信號波形之簡略圖。 第1 7圖在光入反射角度Θ ’時，從槽底面向開口角內 所反射的反射光狀態之簡略圖。 第18圖在光入反射角度0’時，從液狀螢光體表面向 開口角內所反射的反射光狀態之簡略圖。 第19圖在光入反射角度0時，從槽底面向開口角內 所反射的反射光狀態之簡略圖。 第20圖在光入反射角度Θ時，從液狀螢光體表面向 -57- 1235235 五、發明說明（56) 開口角內所反射的反射光狀態之簡略圖。 第2 1圖可將從不必檢查的槽來的反射光加以遮光之 遮罩簡略圖。 第22圖在具附有橫肋條的槽之基板上所塗布的液狀 螢光體和依本發明的檢查方法所取得的輝度信號波形之 簡略圖。 第23圖由檢查所取得的輝度信號波形與基板運送速 度的關係之簡略圖。 第24圖利用反射光來檢查螢光體層的原理之簡略 圖。 第25圖利用螢光發光來檢查螢光體層的原理之簡略 圖。 第26圖塗布在槽內的螢光體量與螢光發光強度的關 係之簡略圖。 第27圖可實現本發明檢查方法的檢查裝置之槪略 圖。 第28圖修正光量的一例之流程圖。 第29圖在本發明製造方法中的、液狀螢光體缺陷修 正工程之簡略圖。 第30圖在本發明製造方法中的、螢光體層缺陷修正 工程之簡略圖。 [符號說明] 10*·· P D P 1 1…PDP背面板 -58- 1235235 五、發明說明（57) 12··· PDP前面板 100…玻璃基板 1 01…位址電極 1 02…電介質層 1 0 3…隔壁 104…紅色螢光體層 105…綠色螢光體層 106…藍色螢光體層 107…顯示電極 1 0 8…電介質層 109…保護膜 1 1 0…電漿 1 1 1…橫肋條 1 1 5…由隔壁所形成的槽寬L之槽 I 1 6…由隔壁所形成的槽寬L 1之槽 II 7…由隔壁所形成的槽寬L2之槽 11 8…由隔壁所形成的槽寬L3之槽 1 1 9…由隔壁和橫肋條所形成的槽寬L之附有橫肋條 的槽 120…單元 2 1 0…使玻璃基板洗淨和乾燥之工程 220…形成直線狀圖案電極之工程 23 0…形成電介質膜之工程 240…形成隔壁之工程 -59- 1235235 五、發明說明（59) 來的反射光輝度峰値 620、720、1 520、1 620、2120···輝度信號波形 63 0、63 2…從液狀螢光體表面來的反射光輝度峰値之 被抽出的値 63 1…從在槽內有未被塗布的部分之液狀螢光體來的 反射光輝度峰値之被抽出的値 63 3…從未被塗布液狀螢光體來的反射光輝度峰値之 被抽出的値 640、740…輝度峰値波形 65 0、75 0、1 63 0、1631 …閥値 660…在虛線S位置的輝度變化曲線圖 670…從虛線S位置的輝度變化所抽出的輝度峰値之 曲線圖 7 00、7 02…以正常的形成在各個槽內之螢光體層 70 1…以比標準爲少的量所形成之螢光體層 703…在槽內應形成而未被形成之螢光體層 710、712…螢光體層的螢光發光輝度峰値 7 1 1…以比標準爲少的量所形成之螢光體層的螢光發 光輝度峰値 7 1 3…未被形成的螢光體層之螢光發光輝度峰値 73 0、73 2…螢光體層的螢光發光輝度之被抽出的値 73 1…以比標準爲少的量所形成之螢光體層的螢光發 光輝度峰値之被抽出之値 733…未被形成螢光體層的螢光發光輝度峰値之被抽 -61- 1235235 五、發明說明（6〇) 出之値 7 60…在虛線t位置的輝度變化之曲線圖 7 70…從虛線t位置的輝度變化所抽出的輝度峰値之曲 線圖 9 00…塗布遺漏時的槽之斷面 901…在槽中的可反射開口角內反射光之部分 1 00 0…表面爲凹形狀的液狀螢光體之斷面 1001…表面爲凹形狀的液狀螢光體之可反射開口角內 反射光的部分 1 100…表面爲平面形狀的液狀螢光體之斷面 1 1 〇 1…表面爲平面形狀的液狀螢光體之可反射開口角 內反射光的部分 1 200…表面爲凸形狀的液狀螢光體之斷面 1201…表面爲凸形狀的液狀螢光體之可反射開口角內 反射光的部分 1 300、1401、1 402 > 1 403·.·平行光 1301、1 3 02、1 3 03·.·擴散光 1301*、1 3 02'、1 3 03，、1401，、1 402，、1 403 丨…反射光 13 10…光擴散手段 1 320…攝影手段 1 3 3 0、1 430…相對於基板面成爲完全平面的表面 1 3 3 1、1 43 1…包含著相對於基板面成爲完全平面的表 面和非平面的表面之一部分的區域 1 420…狹小的攝影開口角 -62- 1235235 五、發明說明（61) 1421…寬闊的攝影開口角 1 5 5 0…在虛線u位置的輝度變化之曲線圖 16 10’、1612’…使光入反射角度最合適化後從液狀螢 光體表面來的反射光輝度峰値 1 6 1 Γ…使光入反射角度最合適化後從在槽內有未被塗 布的部分之液狀螢光體表面來的反射光輝度峰値 1 6 1 3 ’…使光入反射角度最合適化後從未被塗布的液狀 螢光體來的反射光輝度峰値 1 6 4 1 ’…使光入反射角度最合適化後從在槽中被塗上比 適當値爲多的液狀螢光體來的反射光輝度峰値 1 620’…使光入反射角度最合適化後的輝度信號波形 1 65 0…在虛線v位置的輝度變化之曲線圖 1 6 5 (Γ…使光入反射角度最合適化後在虛線v位置的輝 度變化之曲線圖 1 700…光以角度0 '在槽底部入反射的情形 1 8 00…光以角度0 ’在液狀螢光體表面入反射的情形 1 900…光以角度0在槽底部入反射的情形 2000…光以角度0在液狀螢光體表面入反射的情形 2 1 3 0…由光反射率低的材料所構成之遮罩 2 1 5 0…在虛線w位置的輝度變化之曲線圖 2200…在各個單元中所塗布的量爲不相同的液狀螢光 體 220 1…塗布在單元中的表面爲平面形狀的液狀螢光體 2 2 02、22 04…塗布在單元中的表面爲凹形狀的液狀螢 -63- 1235235 五、發明說明（62) 光體 2203…塗布在單元中的表面爲凸形狀的液狀螢光體 225 0…在虛線X和）c1位置的輝度變化曲線圖 2260···在虛線X和W之間只取y份的信號加以平均所 得之輝度變曲線圖 22 1 0…從表面爲凹形狀的液狀螢光體表面來的反射光 輝度峰値 22 10'…從表面爲平面形狀的液狀螢光體表面來的反射 光輝度峰値 22 1 1…從信號的平均所取得的、液狀螢光體表面來的 反射光輝度峰値 2 22 0…從其表面形狀爲凹形狀的液狀螢光體取得的輝 度信號波形 2 220'…從其表面形狀爲平面形狀的液狀螢光體取得的 輝度信號波形 222 1…將某寬度份的輝度信號平均所取得的輝度信號 波形 2 3 00···基板運送速度有變化時的輝度信號波形 23 0 1…輝度峰値間隔 2 3 02…外觀上的輝度峰値間隔 2 3 03…基板運送速度有變化時的輝度峰値間隔 2 3 04…基板運送速度有在變化的期間 2310···缺陷處 23 20…基板運送速度波形 -64- 1235235 五、發明說明（63) 2 3 5 0…基板運送速度變化時的輝度信號波形之曲線圖 2 3 60…基板運送速度波形的曲線圖 24 0 0…螢光體量少於標準的螢光體層 240 1…螢光體量爲標準的螢光體層 2 4 02…螢光體量多於標準的螢光體層 2410···螢光體層的下擺 2 4 2 0…入射光 2430、 2431、 2432、 2460…散射光 2440···攝影手段 2450···電介質層 252卜··波長260nm以下的光 2540、254 1、2542···螢光發光 270 1…入射光 2702···反射光 2703…螢光發光 27 10···照明手段 271 1…光源部 27 12··.光傳送部 2713···出射口 2 7 1 4…光擴散手段 27 15、2 72 3···光偏光方向選擇手段 2720…攝影手段 272 1…光接收部 2722···聚光部 -65- 1235235 五、發明說明（64) 2724…光接收強度衰減手段 2 725…攝影波長選擇手段 273 1…信號處理手段 273 2…信號傳送手段 274 1…移動手段 2742…基板運送手段 2743…角度調整機構 275 1…基板進入感測手段 2752…基板移動速度測定手段 2 8 00…光接收量目標値設定階段 28 10···檢查開始階段 2820…待機階段 2 8 3 0…圖像擷取階段 2840…信號處理階段 2 8 5 0…檢查結果輸出階段 2860…檢查終了階段 2 8 7 1…光接收量取得階段 2 8 72…照明手段控制量算出階段 2 8 73…光量調整階段 2901、2902、3001、3002···缺陷（處） 2910、30 10···缺陷修正用噴嘴 2 920、3 020…液狀螢光體 3 003…修正過的缺陷 E、F、G、I、J、K、Μ、N …隔壁 -66- 1235235 五、發明說明（65) Η…隔壁的局度 Ηρ…螢光體的表面高度 L、LI、L2、L3…某一槽寬 Lp·.· RGB (紅、綠、藍）3色份的槽寬 P0…塗布遺漏時可獲得的反射光輝度 P 1…液狀螢光體的塗布量爲V1時可獲得的反射光輝 度 P2···液狀螢光體的塗布量爲V2時可獲得的反射光輝 度 P3…液狀螢光體的塗布量爲V3時可獲得的反射光輝 度 Q、R…液狀螢光體的表面形狀（塗布量）與反射光強 度之關係曲線 U…螢光體量與反射光強度之關係曲線 V0、VI、V2、V3…液狀螢光體的塗布量（V0二〇< V 1 < V2 < V3 ) X…螢光體量與螢光發光強度之關係曲線 a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k、1.··由隔壁所形成 的槽寬爲L的槽 a1、d1、g’、j’…由隔壁所形成的槽寬爲L3的槽 b’、e1、h'、k’…由隔壁所形成的槽寬爲L1的槽 c·、Γ、i’、Γ…由隔壁所形成的槽寬爲L2的槽 m、η、ο、p…常數 S、t、U、V、W、X、X 1…從被檢查基板取得輝度丨s 5虎 •67- 1235235 五、發明說明（66) 波形的位置 y…輝度信號的累計寬度 -68-

Claims (1)

12卿日 _______ 六、申請專利範圍 第9 1 1 0 3 9 8 6號「顯不面板之檢查方法和檢查裝置及製造 方法㈠」專利案 (93年9月24日修正） 六申請專利範圍： 1 · 一種顯示面板之檢查方法，係對由基板、隔壁、以及螢 光體層所成的顯示面板之該螢光體層的形成狀態作檢查 ，該隔壁係於基板上取所定間隔作設置，該螢光體層係 在相鄰的2條該隔璧間塗布螢光體而形成， 該檢查方法之特徵爲：具備照明手段、攝影手段、及 信號處理手段，其中，藉由一邊使該基板或使該照明手 段和該攝影手段朝與以所定間隔塗布在基板上的多數條 螢光體層成交叉的方向移動，一邊利用該攝影手段來拍 攝從該照明手段朝該螢光體層以入射角Θ入射的光當中 之、以略同於該入射角0的反射角β反射的光，以測定 該螢光體層之明暗信號，而由所獲得之信號來測定該各 螢光體層的該螢光體之塗布量。 2 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該移動是使用滾筒者。 3 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中包含 可測定基板與攝影手段的相對速度之移動速度測定手 段者。 4 .如申請專利範圍第3項顯示面板之檢查方法，其中 依據該移動速度測定手段所取得的相對速度，以修正 1235235 六、申請專利範圍 該攝影手段所取得的信號，並依據所修正的信號，以測 定每個螢光體層的塗布量者。 5 .如申請專利範圍第3項顯示面板之檢查方法，其中 該移動速度測定手段是依據該攝影手段所取得的各螢 光體層的間隔，以算出速度者。 6 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該螢光體層爲液狀者。 7 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該照明手段是具備可使出射光擴散的光擴散手段者。 8 ·如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該照明手段是具備可從出射光之中選擇所欲偏光方向 的光之光偏光方向選擇手段者。 9 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該照明手段的要使光出射的射出口之形狀爲縫隙狀者。 1 0 .如申請專利範圍第9項顯示面板之檢查方法，其中 該縫隙的寬度是在0.3 mm以上、lOmm以下，縫隙的長 度是在1 0 m m以上1 0 0 0 m m以下者。 1 1 .如申請專利範圍第丨項顯示面板之檢查方法，其中 該攝影手段是具有多數個一維配置之感光元件者。 1 2 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該信號處理手段是將該攝影手段的多數個份感光元件 之信號相加並平均化，而從被平均化的信號波形求出每 個螢光體層的信號峰値，並將信號峰値連接以取得每個 1235235 ^、申請專利範圍 螢光體的信號峰値波形，以由信號峰値波形測定各螢光 體層的螢光體之塗布量者。 1 3 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該攝影手段是具備可從反射光中選擇所欲偏光方向的 光之光偏光方向選擇手段者。 1 4 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該照明手段是照射360ηιτι以下的紫外線，而該攝影手 段是以拍攝360nm以下的紫外線爲主者。 1 5 ,如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 設該攝影手段的分辨能力爲R，由隔壁所形成而要塗 布螢光體的槽之寬度爲La時，其係可滿足下式者 3 ^ L a /R^ 10 。 1 6 ,如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 該信號處理手段是依據該攝影手段所取得的信號算出 該照明手段所入射於基板的檢查光強度，而參照該算出 的檢查光強度，對照明手段進行修正，以使在下一基板 的檢查時，其檢查光的強度可成爲預先所設定的目標値 者。 1 7 .如申請專利範圍第1項顯示面板之檢查方法，其中 入射角0的角度是設定爲，以入射角Θ的光入射於未 塗布螢光體狀態的槽底部後其所獲得之反射角β的反射 光是會被隔壁所遮斷之角度。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項顯示面板之檢查方法，其中 1235235 六、申請專利範圍 設形成槽的隔壁之高度爲Η、螢光體表面高度爲Hp、 由隔壁所形成的要塗布螢光體的槽之寬度爲L α、由隔 壁所形成的不塗布螢光體的槽之寬度爲L /9時，其光的 入射角0係可滿足下式者 2(Η - Ηρ) 2Η tan La < 0 ^ t an ι β 1 9 · 一種顯示面板之檢查裝置，係對由基板、隔壁、以及 螢光體層所成的顯示面板之該螢光體層的形成狀態作檢 查該隔壁係於基板上取所定間隔作設置，該螢光體層係 在相鄰的2條該隔璧間塗布螢光體而形成， 該檢查裝置之特徵爲：具備照明手段、攝影手段、及 信號處理手段，其中，藉由一邊使該基板或使該照明手 段和該攝影手段朝與以所定間隔塗布在基板上的多數條 螢光體層成交叉的方向移動，一邊利用該攝影手段來拍 攝從該照明手段朝該螢光體層以入射角0入射的光當中 之、以略同於該入射角0的反射角Θ反射的光，以測定 該螢光體層之明暗信號，而由所獲得之信號來測定該各 螢光體層的該螢光體之塗布量。 20 .如申請專利範圍第19項之顯示面板之檢查裝置，其中 照明手段和攝影手段是分別設置在可照射和拍攝光入 反射角0的光之位置，而該光入反射角β的光之在於未 塗布螢光體狀態的槽底部之反射光係會被隔壁所遮斷者 2 1 .如申請專利範圍第20項顯示面板之檢查裝置，其中 1235235 六、申請專利範圍 設形成槽的隔壁之高度爲Η、螢光體表面高度爲HP、 由隔壁所形成的要塗布螢光體的槽之寬度爲L ^、由隔 壁所形成的不塗布螢光體的槽之寬度爲L A時，其光的 入射角Θ係可滿足下式者 2{H ~ Hp) ^ 。 1 an 】 Τα < θ £ t an'1 ΐβ 22.如申請專利範圍第20項顯示面板之檢查裝置’其中 設該攝影手段的F數爲F時，其係可滿足下式者 1 .2.0 ° 23 .如申請專利範圍第20項顯示面板之檢查裝置，其係包 含： 光接收強度衰減手段，而設定在該光接收強度衰減手 段的可見光領域之光密度値爲OD時，其係可滿足下式者 0 · 3 S ODS 2.0 。 24 .如申請專利範圍第20項顯示面板之檢查裝置，其係包 含： 在基板的檢查面上設置遮罩，而該遮罩係只在要作爲 檢查對象的螢光體所存在的部分持有開口部者。 25·—種顯示面板之製造方法，其係具備有：在基板上塗 布螢光體的塗布工程和使螢光體乾燥的乾燥工程，其特 徵爲： 在該塗布工程與該乾燥工程之間，具備要檢查螢光體 層的塗布量之檢查手段者。 26.如申請專利範圍第25項顯示面板之製造方法，其中 1235235 :、申請專利範圍 設形成槽的隔壁之高度爲Η、螢光體的表面高度爲Hp 時，其係可滿足下式者 〇 . 6 < Hp/H< 0 . 9 。 27·如申請專利範圍第25項顯示面板之製造方法，在其多 數條的槽是具備至少兩種槽寬，而要對持有相同槽寬的 多數條槽塗布同一種螢光體之顯示面板製造方法中，其 係： 從隔壁間隔較寬的槽開始按順序實施螢光體的塗布者。 28.如申請專利範圍第25項顯示面板之製造方法，其中 該檢查螢光體層塗布量的檢查手段爲申請專利範圍第 1項所記載之檢查方法，而其係至少要在面板化後檢查 螢光體層的發光部分者。 2 9 ·如申請專利範圍第2 5項顯示面板之製造方法，其係包 含： 螢光體層修正手段，而依據該檢查手段的檢查結果， 以修正螢光體層者。 30 .如申請專利範圍第25項顯示面板之製造方法，其中 該檢查螢光體層塗布量的檢查手段爲申請專利範圍第 1項所記載之檢查方法，而於產生缺陷時，停止其塗布 工程，並修正塗布工程中的障礙者。 3 1 ·如申請專利範圍第25項顯示面板之製造方法，其中 該檢查螢光體層塗布量的檢查手段爲申請專利範匱! _ 1項所記載之檢查方法，該塗布工程爲噴嘴塗布法，而 1235235 、申請專利範圍 於產生缺陷時，更換其噴嘴者。 3 2 ·如申請專利範圍第2 5項顯示面板之製造方法，其中 該檢查螢光體層塗布量的檢查手段爲申請專利範圍第 1項所記載之檢查方法，該塗布工程爲噴嘴塗布法，而 於產生缺陷時特定出其堵塞的噴嘴，並利用振動以去除 噴嘴的堵塞者。 33·—種顯示面板之檢查裝置，其係要檢查形成在基板上的 圖案之裝置，其特徵爲包含： 將光照射於基板上的圖案之光照射手段；接收從該圖 案來的光，並輸出影像信號之攝影手段；使該基板與該 攝影手段相對移動之移動手段·，測定基板與攝影手段的 相對速度之移動速度測定手段；和，依據所取得的相對 速度以修正影像信號後，與所定基準値比較，並根據其 與基準値之異同’以判斷圖案的良否之信號處理手段者 〇 3 4 . —種顯示面板之製造方法，係具備有將液狀螢光體在 基板上以所定間隔塗布多數條之塗布工程；和使液狀螢 光體乾燥以形成螢光體層的乾燥工程，其特徵爲： 在該塗布工程與該乾燥工程之間係具備要檢查所塗 布的液狀螢光體塗布量之檢查工程者。