KR100880335B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 플라즈마디스플레이 패널의 검사 장치 - Google Patents

Abstract

형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 설치된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 또한, 상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 촬상 수단에 의해 촬상하여 휘도 신호 정보를 취득하고, 상기 취득한 휘도 신호 정보와, 미리 구해둔 형광체층 형상 모델과 휘도 신호 정보와의 상관 관계를 비교하여 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 도포 상태(형상 변화)를 구하는 형광체 검사 공정을 갖고, 상기 형광체 검사 공정에 의해 구해진 형광체층의 도포 상태(형상 변화)를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 한다.

형광체 도포 장치, 배면판, 리브, 자외광, 촬상 수단, 휘도 신호 정보

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 검사 장치 {MANUFACTURING METHOD FOR A PLASMA DISPLAY PANEL AND DEVICE FOR TESTING THE SAME}

본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 그것에 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널의 검사 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널의 배면판의 제조에 있어서의 형광체 도포 공정에서의 도포량·도포 위치 제어, 및 도포 결과의 판정을 고정밀도로 행하는 유효한 기술에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하 PDP라고 함)의 제조는, 투명 전극을 배치한 전면판과 발광체를 도포한 배면판을 따로따로 제작하고, 그들을 접합시켜 1매의 패널로 한다. PDP의 배면판에는, 통상적으로，R(적), G(녹), B(청)용의 형광체가, 스트라이프 형상으로 순서대로 반복해 도포되어 있지만, 리브 내에 각 형광체가 균일하게 도포되어 있지 않으면, 표시의 휘도 및 색조가 불균일하게 되는 색 얼룩이 생기거나, 혹은, 임의의 색의 형광체가 이웃한 형광체층으로 비어져 나와 색이 섞이는 혼색이나, 도포 누락에 의해 발광 상태에 놓여질 수 없는 암점이 존재하거나 하는 문제점이 생기는 것으로 되어 있다.

이러한 형광체의 도포 상태에 문제점을 갖는 배면판을, 전면판과 접합시키는 것을 방지하기 위해, 또한, 도포 상태에 문제점이 발생한 경우, 즉시 제조 공정의 문제점 개소를 수정하여 불량 제품을 만들지 않도록 하기 위해서도, 배면판 단체로 검사를 확실하게 행하는 것이 필요하게 된다. 이 검사는, 통상적으로, 자외선을 각 형광체가 도포 피착된 플라즈마 디스플레이 패널 배면판에 조사하고, 형광체층이 여기, 발광한 광을 수광함으로써 행해지고 있다.

예를 들어, 리브 내에 정확하게 형광체층이 도포·형성되었는지의 여부를 검사하기 위한 간편한 방법이, 예를 들어, 일본 특개평11-16498호 공보(특허문헌1)나 일본 특개2001-15030호 공보(특허문헌2)에 개시되어 있다. 이들에 의한 검사 방식을 도20을 이용해서 간단히 설명한다.

형광체 형성이 완성된 배면판(141)에 대하여, 자외광원(142)에 의한 자외광(143)을 조사한다. 이에 의해, 자외광에 의해 형광체가 여기되어 발광한다. 그 때의 발광 광(144)을 카메라(145)로 검출하고, 검출 신호를 처리계(146)에서 취득하여, 결함 상태를 검사한다. 배면판(141) 혹은 자외광원(142)과 카메라(145)를 연속적으로 주사함으로써 배면판 전체면을 검사하는 방식이다. 또한 특허 문헌2에는 검출 카메라(145)는 기판(141)에 대하여 수직 방향에서의 검출 외，45°이하의 각도로부터 검출하는 방식도 개시되어 있다.

또한, 특허문헌1에는, 자외광에 의해 발생하는 오존을 배출하는 기구에 관해서도 개시되어 있다.

상기 특허문헌1 및 2에는, 리브 내에 형성된 형광체층을 자외광에 의해 여기·발광시켜, 기판 상방 혹은, 45°이하의 경사 방향으로부터 검출하는 방법 등이 기재되어 있다. 이들 방식은, 카메라로 검출한 화상 신호를 기준값과 비교하여 형광체의 혼색이나, 미도포, 이물에 의한 형광 불량, 휘도 불균일 등의 결함 판정을 행하는 것으로, 도포 프로세스에서 생기는 리브 내의 형광체층의 형상 변화를 정확하게 행할 수 없다.

이 때문에, 결함에는 이르지 않을 정도의 프로세스 변동에 의해 생기는 형광체 도포 상태의 변화를 파악할 수 없어, 도포 공정 등의 제조 공정으로의 피드백·컨트롤을 실시할 수 없다고 하는 과제가 있었다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 촬상 수단에 의해 촬상하여 화상을 취득하고, 상기 취득한 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 RGB의 각 플레인의 설계 정보를 기초로 하여 각 플레인 사이의 상대 위치를 보정한 후, 상기 RGB 각 플레인끼리를 비교함으로써, 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 형광체층의 결함 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고, 상기 형광체 검사 공정에 의해 얻어진 형광체층의 결함 정보를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 특정 방향으로부터 촬상 수단에 의해 촬상하여 화상을 취득하고, 상기 취득한 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 얻어진 차분 영역끼리를 비교함으로써, 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 결함의 위치, 형상 및 사이즈로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고, 상기 형광체 검사 공정에 의해 얻어진 형광체층의 결함 정보를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 서로 상이한 복수의 방향으로부터 촬상 수단에 의해 촬상하여 화상을 취득하고, 상기 취득한 복수의 화상 각각을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인끼리 비교함으로써 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 결함 모드를 검사하여 결함 모드로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고, 상기 형광체 검사 공정에 의해 얻어진 형광체층의 결함 정보를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 촬상 수단에 의해 촬상하여 휘도 신호 정보를 취득하고, 상기 취득한 휘도 신호 정보로부터 상기 리브 내의 휘도 프로파일의 비대칭성을 구함으로써, 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 도포 상태의 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고, 상기 형광체 검사 공정에 의해 구해진 형광체층의 도포 상태를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서, 상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와, 상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와, 상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와, 상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 장치와, 상기 형광체층이 형성된 RGB 각 플레인의 설계 정보를 취득하고, 상기 촬상 장치에서 취득한 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 RGB의 각 플레인의 설계 정보를 기초로 하여 각 플레인 사이의 상대 위치를 보정한 후, 상기 RGB의 각 플레인끼리를 비교함으로써, 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 형광체층의 결함 정보를 얻는 결함 판정부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서, 상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와, 상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와, 상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와, 상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 특정 방향으로부터 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 장치와, 상기 촬상 장치에서 취득된 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 얻어진 차분 영역끼리를 비교함으로써, 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 결함의 위치, 형상 및 사이즈로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 화상 처리부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서, 상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와, 상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와, 상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와, 상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 서로 상이한 복수의 방향으로부터 촬상하여 복수의 화상을 취득하는 촬상 장치와, 상기 촬상 장치에서 취득한 복수의 화상의 각각을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인끼리 비교함으로써 리브 내에 도포된 형광체층의 결함 모드를 검사하여 결함 모드로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 결함 모드 산출부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서, 상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와, 상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와, 상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와, 상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 촬상하여 휘도 신호 정보를 취득하는 촬상 장치와, 상기 촬상 장치에서 취득한 휘도 신호 정보로부터 리브 내의 중심으로부터 피크 위치의 괴리량을 구하고, 얻어진 피크 위치의 괴리량을 이용하여 리브 내에 도포된 형광체층의 도포 상태의 정보를 얻는 형상·면내 분포 파악부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서, 상기 형광체층을 여기 조명하는 자외광 발생 수단과, 상기 자외광 발생 수단으로부터의 여기 조명에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 발광 광을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 장치와, 상기 촬상 장치에 의해 취득된 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하여 발광 상태의 특징량(휘도 프로파일)을 추출하는 화상 처리부와, 상기 추출된 상기 발광 상태의 특징량과, 형광체층 형상 모델과 발광 상태의 특징량과의 상관 관계를 기록한 데이터로부터 형광체층의 도포 상태(형상 및 프로파일도 포함함)를 산출하는 형상·면내 분포 파악부를 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 상기 화상 처리부에 있어서, 적어도 1방향으로 생성된 화 상을 RGB의 각 플레인으로 분리하여 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 결함의 위치, 형상, 면적(사이즈)을 추출하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 상기 형상·면내 분포 파악부에 있어서, 적어도 2방향으로 생성된 각 화상을 각각 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 한 방향으로부터 촬상한 화상의 RGB의 각 플레인과 다른 방향으로부터 촬상한 화상의 RGB의 각 플레인을 비교하여 결함 모드를 판정하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이의 제조 시스템으로서, 또한, 상기 형상·면내 분포 파악부에서 산출된 형광체층 형상 분포 데이터로부터 형광체 도포 공정에서의 변동을 판정하는 상태 판정부와, 상기 상태 판정부에서 판정된 결과에 기초하여 상기 형광체 도포 공정의 제조 장치의 파라미터를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 한다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 제조 방법에 의하면, PDP의 제조 공정에 있어서의 형광체 형성 프로세스에서의 형광체 도포 상태·형광체층 형상을 정확하게 파악하고, 신속하게 제조 공정으로 피드백할 수 있기 때문에, 수율 향상, 프로세스 개선, 불량 방지에 매우 큰 효과가 있다.

또한, 본 발명의 검사 장치에 의하면, 미세한 결함, 특히 종래는 결함으로 판정되지 않을 정도의 형광체 형상 변화를 파악하여, 프로세스 변동을 섬세하게 파악할 수 있다.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 최량의 형태에 관하여 설명한다.

<실시예1>

본 발명에 관한 PDP의 제조 방법 및 PDP의 검사 장치의 실시예1을 이하에 도면을 이용하여 설명한다.

우선, 본 실시예1의 대상으로 되는 PDP의 단순한 구성을 도19에 도시하여 설명하면, 배면 글래스(201) 상에 스트라이프형의 리브 장벽(202)을 형성하고, 그 내부에 RGB 3색의 발광을 각각 생기게 하는 형광체층(203)을 충전한다. 리브의 상부에는 전면판 글래스(205)를 배치하고, 배면판과의 간극에 가스를 봉입한다． 전면판의 투명 전극(206)과 이것에 직교하는 배면판 내의 어드레스 전극(204) 사이에서 플라즈마 방전(208)을 일으켜 자외선을 발생시킨다. 이 자외선에 의해 각 화소 내의 형광체를 여기 발광시켜, 발광 화소(209)로서, 영상을 만들어 내는 구성으로 되어 있다.

다음에 본 실시예1의 PDP의 제조 공정에 대해서 도13을 이용하여 설명한다. 우선, 전면판 공정에 있어서는, 글래스 기판을 세정한(S100) 후, 투명 ITO 전극을 스퍼터에 의해 형성한다(S101). 다음에 버스 전극을 포토리소그래피(포토마스크 성형 → 에칭 가공) 등에 의해 형성한다(S102). 그리고, 유전체막을 도포·소성한(S103 내지 S105) 후, 보호막인 MgO막을 증착하고, 성막한다(S106).

배면판도 마찬가지로 하여, 글래스 기판 세정으로부터 시작하여(S200), 포토리소그래피 등에 의한 어드레스 전극 형성 후(S201 내지 S206), 유전체막을 형성한다(S207). 그 후에는 전면판 공정과 달리，리브재를 인쇄하고 건조시켜 리브층을 형성한 후(S208), 샌드블러스트용의 마스크를 형성한다(S209). 샌드블러스트 가공(S210)에 의해, 리브를 형성한 후에 소성하여 리브 장벽이 완성된다(S211). 리브 장벽 내에 형광체 페이스트를 인쇄 등에 의해 충전하고, 소성하여 형광체를 리브 장벽 내에 고착시킨다(S212).

마지막으로, 전면판과 배면판이 완성되면 양자를 조립·밀봉 부착한(S300) 후 탈기·방전 가스 도입을 행하고, 밀봉한다(S301). 그리고 구동 회로를 패널에 설치하고(S302), TV 세트로서 조립하여(S303), 완성한다.

여기서, 본 실시예1과 특히 관련이 있는 형광체 인쇄·소성 공정(S212)에 대해서, 도14를 이용하여 자세하게 설명한다. 도14의 (a) 내지 도14의 (g)는 인쇄 방식에 의한 각 공정을 도시하는 도면이다.

우선, 도14의 (a)에 도시한 바와 같이, 리브 형성 완성 후의 배면판(101)이 제1 형광체(R로 함) 도포 장치(도15)에 반송되어, R용 인쇄 마스크(103)에 위치 맞춤된다. 마스크(103)는 미리 결정된 리브 내(102)에 R 형광체 페이스트(104)가 충전되도록 패턴이 배치되어 있으며, 스크린 인쇄의 공법으로 배면판(101) 상으로의 충전이 행해진다. 배면판 전체면으로의 인쇄가 완료된 후, 도14의 (b)에 도시한 바와 같이, R 형광체 충전 배면판(105)은 건조 공정에 의해, 충전된 형광체(106) 내의 용제 성분이 휘발되어 안정적이다.

다음에 도14의 (c)에 도시한 바와 같이 마찬가지로 하여 제2 형광체(G로 함) 도포 공정에 있어서, 상기한 R 형광체 충전 배면판(105)에 대하여, G용 인쇄 마스크(107)를 위치 맞춤하고, 미리 결정된 리브 내에 G 형광체 페이스트(108)가 충전 되도록, 스크린 인쇄를 행한다. 배면판 전체면으로의 인쇄가 완료된 후, 도14의 (d)에 도시한 바와 같이 G 형광체 충전 배면판(109)은 건조 공정에 의해, 충전된 형광체(110) 내의 용제 성분이 휘발되어 안정적이다.

다음에 도14의 (e)에 도시한 바와 같이 제3 형광체(B로 함) 도포 공정에 있어서도 마찬가지로, 전기의 G 형광체 충전 배면판(109)에 대하여, B용 인쇄 마스크(111)를 이용하여, 소정의 리브 내에 B 형광체 페이스트(112)를 충전한다. 기판전체면으로의 인쇄가 완료된 후, 도14의 (f)에 도시한 바와 같이 B 형광체 충전 배면판(113)은 건조 공정에 의해, 충전된 형광체(114) 내의 용제 성분이 휘발되어 안정적이다.

마지막으로 도14의 (g)에 도시한 바와 같이, 소성 공정에서, 상기 전체 형광체가 도포된 배면판(113)을 소성하여, 형광체가 있는 배면판(115)이 완성된다.

이와 같은 형광체 인쇄·소성 공정(S212)에 이용하는 인쇄 장치의 원리를 도15를 이용하여 설명한다. 장치 가대(121) 상에 배면판(124)을 탑재하고, 얼라인먼트 조정한 뒤, 가대(121)에 고정한다. 제조하는 기판 품종, 형광체 종류에 대응한 마스크(122)를 상기 배면판(124) 상에 겹치게 하고, 얼라인먼트 조정을 행한다. 다음으로, 도포 헤드(127)가 마스크(122)의 일단부터 일정 속도로, 화살표(129)의 방향으로, 일정량의 형광체 페이스트(128)를 마스크 상에 라인 형상으로 도포하면서 반대측의 단까지 주사한다. 또한 스키지(126)가 도포 헤드(127)의 후방으로부터 주사되어, 마스크 상의 형광체 페이스트(128)가 마스크 패턴(123)의 개구부로부터 배면판(124)의 소정의 리브(125) 내에 충전된다.

또한，별도의 도포 방식인 디스펜서 방식에 의한 장치의 원리를, 도16을 이용하여 설명한다. 장치 가대(131) 상에 배면판(132)을 탑재하고, 얼라인먼트 조정한 뒤, 가대(131)에 고정한다. 다음으로, 제조하는 기판 품종에 대응한 디스펜서(134)를 복수 탑재한 도포 헤드(135)로, 배면판의 단부터 화살표(136) 방향을 따라, 일정 속도로, 주사한다. 그 때, 각 디스펜서로부터는, 일정량의 형광체 페이스트(134)가, 배면판(132)의 소정의 리브 내(133)에 충전된다. 장치 구성으로부터 분명한 바와 같이 본 방식의 경우에는, 디스펜서(134)에 장전하는 형광체 페이스트 종류를 바꿈으로써, 한번에 전체색의 충전을 행하는 공정으로 하는 것도 가능하다.

다음으로 본 발명에 관한 리브 내에 형성된 형광체층 상태를 검사하는 검사 장치의 실시예에 대해서 도1을 이용하여 설명한다. 검사 대상인 배면판(2)은 시료대(1) 상에 배치되어 유지된다. 시료대(1)는 스테이지 제어부(14)에 의해, 임의의 위치로 제어된다. 또한, 참조부호 13은, 검사 장치 전체를 제어하는 장치 제어부이다. 따라서, 장치 제어부(13)는, 스테이지 제어부(14) 및 형상·면내 분포 파악부(11)에 접속하여 구성된다.

검사 대상의 배면판(2)의 상방에는, 자외광원(3a, 3b)을 배치하고, 각각 반사판(4a, 4b)에 의해 대향하는 자외광을 배면판(2)에 조사한다. 배면판(2)의 리브 내에 형성된 형광체층은 상기 자외광에 의해 여기되어, 형광 광을 발한다.

발생한 형광 광(9a, 9b, 9c)은, 각각, 도1에 도시한 바와 같이 배면판(2)에 대하여 각도가 서로 다른 위치(좌경사 위치, 거의 수직 위치, 우경사 위치)에 배치된 검출 렌즈(5a, 5b, 5c)를 통하여 집광되고, 각각의 광검출기(6a, 6b, 6c)에서 검출된다. 검출 렌즈(5a) 및 광검출기(6a)는 리브의 좌측벽으로부터 발생하는 형광 광(9a)을 제대로 검출할 수 있고, 검출 렌즈(5c) 및 광검출기(6c)는 리브의 우측벽으로부터 발생하는 형광 광(9c)을 제대로 검출할 수 있게 된다. 각 광검출기(6a, 6b, 6c)에서 검출된 신호는, 각각 화상 생성부(7a, 7b, 7c)에서 2차원의 화상으로서 생성되어, 화상 처리부(8a, 8b, 8c)에 보내어진다. 화상 처리부(8a, 8b, 8c)에서는 후술하는 화상 처리에 의해 2차원 화상으로부터, 형광체층의 특징량인 결함의 위치, 형상, 면적(사이즈) 등이 각각 산출되고, 형상·면내 분포 파악부(11)에 보내어진다. 형상·면내 분포 파악부(11)에서는, 후술하는 방법으로, 형광체층에 관한 리브의 높이나 형광체층 등의 형상 설계 치수인 기하학적 설계 치수, 기판(배면판)의 종류 등의 설계 정보·기판 정보(10)와, 미리 구축한 형광체층 형상 모델과 발광 휘도 프로파일 데이터와의 상관 관계 데이터베이스(형상 모델-휘도 프로파일의 상관 관계 데이터베이스)(12)를 이용하여, 검출한 기판의 형광체층의 형상 및 각 형상 파라미터의 패널 면내의 분포 등의 데이터를 산출한다. 상태 판정부(15)에서는, 산출한 상기 데이터에 기초하여, 결함 위치, 결함 모드, 프로세스 변동 등의 상태를 판정하여, 상위 서버(16)에 당해 정보를 업로드한다. 또한 상위 서버(16)에서는, 제조 프로세스를 통합적 관리하고, 필요에 따라, 제조 장치(형광체 도포 장치 : 형광체 인쇄·소성 장치 등)(17)에 지령을 행한다.

다음에, 각 구성에 대해서, 자세하게 설명한다. 도2의 (a)는, 도1에 기재한, 각도가 서로 다른 위치에 배치된 검출 렌즈(대물 렌즈)(5) 및 광검출기(6)의 배치 각도 및 검출 분해능에 관하여 설명한 것이다. 여기서는 설명을 간단하게 하 기 위해, 하나의 검출 렌즈 및 광검출기만 기술하였다.

광검출기(6)는, 예를 들어 지면과 수직한 방향으로 배치된 라인센서로 구성되고, 기판(배면판)(2)을 지면 횡방향으로 주사함으로써, 화소(20a)를 순차적으로 검출하여, 2차원 화상을 촬상한다.

지금, 50인치 PDP 패널을 대상으로 한 경우, 하이비전 화면인 가로 16 : 세로 9의 사이즈로 풀하이비전 규격의 화소수인 가로 1920 화소의 배면판의 리브 간격은, RGB 3색분이 1화소로 되기 때문에, 약 190㎛로 된다(도2의 Lp=190㎛). 또한, 설명을 간단하게 하기 위해 리브벽이 수직이라고 가정하면, 각도 θ의 경사 방향으로부터 패널을 관찰한 경우, 관찰 가능한 리브 측벽부의 길이(Hs)는 Hs=Lp×tanθ(단, 리브 높이(H)를 초과하지 않음)로 나타낸다.

여기서, 일반적으로 사람이 TV를 비스듬한 방향에서 시청하는 시계 각도를 10°라고 하면, 상기 관계식으로부터 Hs=190㎛×tan10°=34㎛로 되어, 리브 측벽부 34㎛분의 형광체가 보이게 된다. 이 상태(한계 각도 10°)에서 시인 가능한 결함이 리브의 측벽부로부터 검출할 필요가 있는 최소 결함 사이즈로 되므로, 광검출기(6)는 관찰 영역 34㎛의 적어도 1/2 정도의 분해능으로 촬상하여 검출하는 것이 필요하게 된다. 따라서, 본 실시예에서는, 광검출기(6)가 리브 측벽 상에 있어서 촬상하여 검출하는 최소 검출 분해능(r)을 15㎛ 정도로 하였다.

경사각 θ에 있어서, 상기 리브 측벽 상에 있어서의 인지 가능한 최소 결함을 검출할 수 있는 최소 검출 분해능(r)을 만족하기 위해서는, 광검출기(6)에 의해 주사 방향으로 촬상 샘플링하여 검출하는 검출 분해능(R)은 R=r/tanθ로 되고, 경 사각 θ이 예를 들어 60°인 경우 광검출기(6)는 주사 방향으로 R=8.7㎛ 정도 간격 이하에서 촬상 샘플링하여 검출할 필요가 있으며, 경사각 θ이 예를 들어 45°인 경우 광검출기(6)는 주사 방향으로 R=15㎛ 정도 간격 이하에서 촬상 샘플링하여 검출할 필요가 있으며, 경사각 θ이 예를 들어 20°인 경우 광검출기(6)는 주사 방향으로 R=41.2㎛ 정도 간격 이하에서 촬상 샘플링하여 검출할 필요가 있다. 이 조건을 표로 나타낸 것이 도2의 (b)이다. 단, 경사각 θ이 90°인 수직 검출에 근접하면 광검출기(6)를 촬상할 수 있는 검출 분해능(R)은 대략 제로로 되고, 리브 측벽 상의 최소 결함을 촬상할 수 없게 된다. 또한, θ>90°의 경우에는 θ<90°와 좌우대칭이기 때문에 설명을 생략한다.

그런데, 광검출기(6)가 촬상 가능한 리브벽 높이(Hs)의 한계는, 리브 높이(H)와 리브 피치(Lp)와의 어스펙트비에 의해 정해진다. 일반적으로, 리브 자체의 제조 상의 제약이나, 형광층의 두께 등에 의해, 리브 피치(Lp)와 리브 높이(H)는 동등 정도이기(어스펙트비 1.0) 때문에, Hs도 최대 190㎛로 하였다. 단, 경사각θ가 45°이상으로 되면 광검출기(6)가 촬상할 수 있는 리브측 높이(Hs)는 리브 피치(Lp)와 동일 정도인 190㎛로 되어, 리브벽의 형광체층의 전체 영역을 촬상할 수 있게 된다. 경사각 θ이 예를 들어 20°로 되면 광검출기(6)가 촬상할 수 있는 리브벽의 높이(Hs)는 69㎛ 정도로 한정되게 된다.

또한, 경사각 θ이 90°에 있어서의 검출 렌즈의 초점 심도를 1로 하면, 경사각 θ의 경사 방향 검출에서는 검출 렌즈의 실효적인 초점 심도는 sinθ배로 되고, 도2의 (b)에 도시한 바와 같이 경사각 θ이 적어질수록 초점 심도가 얕아져, 초점 심도가 깊은 검출 렌즈를 사용할 필요가 있다.

이상 설명한 바와 같이, 실제의 검출계(5a 내지 5c, 6a 내지 6c)의 설계에서는 도2의 (b)에 도시하는 조건 하에서 행하면 된다. 그리고, 서로 대향하는 검출계(5a, 5c; 6a, 6c)를 설치하여 경사각 θ을 50°정도 내지 60°정도의 범위 내로 하면, 검출 렌즈의 초점 심도를 0.8배 정도 이상 확보할 수 있으며, 검출 분해능(촬상 샘플링 간격)(R)이 12.6㎛ 정도 내지 8.7㎛ 정도에서 충분한 주사 속도가 얻어지고, 또한 촬상할 수 있는 리브벽 높이(Hs)는 리브 피치(Lp)와 동일 정도인 190㎛로 되어, 리브벽의 형광체층의 전체 영역을 촬상할 수 있게 된다.

또한, 경사각 θ이 보다 저각도에서의 조건이면, 주사 방향 검출 분해능(R)은 커도 되므로, 보다 고속으로 주사 가능하지만, 미리 충분히 긴 초점 심도를 갖는 검출 렌즈를 탑재하거나, 기판과 검출 렌즈 사이의 거리를 일정하게 유지하는 기능이 필요하게 된다. 역으로, 경사각 θ이 보다 높은 각도에서의 조건이면, 주사 방향 검출 분해능(R)은 적게 할 필요가 있으며, 광검출기의 검출 레이트가 불변이면 검출 속도(주사 속도)를 늦출 필요가 있다.

이어서, 각 화상 처리부(8a, 8b, 8c)에서의 처리예를, 도3 및 도4를 이용하여 상세히 설명한다. 도3은, 각 화상 처리부(8a, 8b, 8c)에서의 처리 플로우를 도시하는 플로우도이다. 도4는 각 화상 처리부(8a, 8b, 8c)에서의 처리 내용의 설명도이다. 또한, 검출 각도 θ에 상관없이, 처리 방식은 동일하므로, 1 검출기로부터 검출된 화상을 이용하여 설명한다. 본 실시예에서는 상기 광검출기(6a, 6b, 6c)는 광휘도 및 색상을 검출 가능한 컬러 검출기로 한다.

본 실시예1에 의한 연속 결함 검출의 처리를 이하에 설명한다. 각 화상 처리부(8a, 8b, 8c)는 처음에 얻어진 검출 화상(701)으로부터, 처리 대상의 화상(42)을 잘라낸다. 설명을 위하여, 연속 위치 어긋남 결함 및 복수의 고립 결함이 존재하는 예를 들었다. 연속 위치 어긋남 결함이 B 형광체 도포 시에 생긴 예를 설명한다(정상품 화상(40)과 비교하면 B 형광체가 모두 R 형광체 방향으로 어긋나 있음).

각 화상 처리부는 검출 화상(701)으로부터 잘라내어진 대상 화상(42)을, 컬러 화상의 RGB의 각 플레인으로 분리한다(S31). 그리고, 각 화상 처리부는, 설계 정보·기판 정보(10)에 저장되어 있는 기판 설계 정보(기판 파라미터)(702)로부터 RGB 배열 방향 및 패널 화소 피치(p)를 얻고, RGB 배열 방향에 대응하여, B 플레인 화상(42b)은 Y 방향으로 +(1/3)×p 시프트시키고, G 플레인 화상(42g)은 Y 방향으로 -(1/3)×p 시프트시킨다(S32). 다음으로 각 화상 처리부는 각 플레인에서의 휘도값이 일치하도록 화상 상에서 게인 조정을 행하여, 휘도 조정 후의 화상(42b', 42r', 42g')을 얻는다(S33). 다음으로, 각 화상 처리부는, 각각의 화상간에서 차분 연산을 행하여, (B 플레인)-(R 플레인)의 차분 화상(44a), (R 플레인)-(G 플레인)의 차분 화상(44b), (G 플레인)-(B 플레인)의 차분 화상(44c)을 출력한다(S34). 이 결과, 각 화상 처리부는, 차분 화상(44a) 중의 라인 형상 결함(46) 및, 차분 화상(44c) 중의 라인 형상 결함(47)에 위치 어긋남 결함이 발생하고 있는 것을 알 수 있다(S35). 어떠한 차분 화상도 B 플레인을 포함하기 때문에 B 형광체에서의 위치 어긋남 결함이라고 판정한다. 또한, 차분 화상(44b) 중의 차분 영역(48)으로부터 고립 결함이 생기고 있는 것도 알 수 있다.

이렇게, 각 화상 처리부는 적어도 1방향(특정 방향)으로부터의 화상을, RGB의 각 플레인으로 분리하고, 각 플레인 사이의 차분 영역을 구함으로써, 종래는 결함으로 판정되지 않을 정도의 형광체 형상 변화를 파악하고, 결함의 위치, 형상, 면적(사이즈)을 특정할 수 있다.

다음에 형상·면내 분포 파악부(11)에서의 결함 모드 판정의 처리예에 대하여 도5 및 도6을 이용하여 상세하게 설명한다. 상기 각 화상 처리부(8a, 8b, 8c)에서의 처리에서, 결함의 위치, 형상, 면적(사이즈)이 판명되기 때문에, 형상·면내 분포 파악부(11)는 결함이 포함되는 영역을 각각의 화상 처리부(8a, 8b, 8c)의 화상 중에서 빼내어, 각 플레인에서의 결함 상태로부터 결함 모드를 판정한다.

즉, 형상·면내 분포 파악부(11)는, 화상 처리부(8a)로부터의 리브의 좌측벽을 촬상하는 화상 중의 R 플레인에서 검출된 결함 영역(51a(r))을, 기판 상의 동일 위치를 파악하고 있는 화상 처리부(8a)로부터의 다른 플레인(G, B)에서의 영역(51a(g), 51a(b)), 및 화상 처리부(8b)로부터의 리브의 바로 위부터 촬상하는 화상 중에서의 플레인(R, G, B)에서의 영역(51b(r), 51b(g), 51b(b)), 및 화상 처리부(8c)로부터의 리브의 우측 측벽을 촬상하는 화상 중의 플레인(R, G, B)에서의 영역(51c(r), 51c(g), 51c(b))와 비교하면, 화상 처리부(8c)로부터의 화상 중의 영역(51c(r), 51c(g), 51c(b))에서는 결함은 없고, B 플레인으로부터의 화상 중의 영역(51a(b), 51b(b))에서도 결함은 없어, 영역(51a(r))에서의 결함 사이즈가 영역(51b(r))에서의 결함 사이즈보다 크고, 마찬가지로 영역(51a(g))에서의 결함 사 이즈가 영역(51b(g))에서의 결함 사이즈보다 크므로, 상기 결함 영역(51a(r))은 도6의 결함(51)에 나타내는 형상이며, G 형광체(61)의 리브 벽면에 R 형광체(62)가 타고 넘은 결함 모드로 판정한다.

형상·면내 분포 파악부(11)는, 마찬가지로 하여, 화상 처리부(8c)로부터의 화상을 기초로 검출되는 영역(52c(g))의 결함은, 다른 영역에 결함이 없기 때문에, 도6의 결함(52)의 형상을 갖는 G리브 벽(63)에서의 형광체 결락 결함으로 판정한다.

또한 형상·면내 분포 파악부(11)는 영역(53a(r))의 결함은, 영역(53b(r)), 영역(53c(r))에 동일 정도의 사이즈의 결함이 있고, 다른 G, B 플레인에 결함이 없기 때문에, 도6의 결함(53)의 형상을 갖는 R 리브(64) 내의 이물(65)에 의한 결함 으로 판정한다.

또한, 형상·면내 분포 파악부(11)는 영역(54a(r))의 결함은, 영역(54b(r)), 영역(54a(b)), 및 영역(54b(b))에 동일 정도의 사이즈의 결함이 있으며, G 플레인 및 화상 처리부(8c)로부터의 화상에 결함이 없기 때문에, 도6의 결함(54)의 형상을 갖는 B 리브(66) 내의 측벽에 R 형광체(67)가 부착된 혼색 결함으로 판정한다.

이렇게 하여, 형상·면내 분포 파악부(11)는 결함 모드를 판정함으로써 형광체층의 도포 공정에 있어서의 프로세스 상태를 정확하게 파악하는 것이 가능하게 된다.

다음에 형상·면내 분포 파악부(11)에서의 형광체층 형상 판정의 처리예를 도7을 이용해서 자세하게 설명한다. 정상적인 형광체층 형상(71), 형광체가 약간 적은 형상(73) 및 형광체층이 우측에 기운 형상(75)에 대하여, 리브의 거의 바로 위 방향으로부터 촬상하여 화상 처리부(8b)로부터 얻어지는 휘도 신호의 프로파일을 각각 참조부호 72, 74, 76으로 한다. 형상·면내 분포 파악부(11)는 이러한 각 휘도 신호의 프로파일(72, 74, 76)에 있어서, 피크 휘도를 p1, p1의 70％ 휘도를 p2로 하고, 휘도 p2 시의 프로파일 폭 p2w, 및 중심으로부터 피크 위치의 괴리량 off (휘도 프로파일의 비대칭성)를 휘도 프로파일로서 산출한다. 형상·면내 분포 파악부(11)는, 또한 산출한 각 파라미터 p2w, off를, 미리 형광체층 형상 모델과 휘도 프로파일의 상관 관계를 구한 데이터인 형상-휘도 모델(12)에 참조함으로써 실제의 형광체층의 형상을 얻는 것이 가능하게 된다.

이와 같이 함으로써, 형상·면내 분포 파악부(11)는 결함으로 판정되지 않을 정도의 형광체 형상 변화를 파악하여, 형광체 도포 공정에 있어서의 프로세스 변동을 섬세하게 파악할 수 있다.

다음으로, 형상·면내 분포 파악부(11) 및 형태 판정부(15)에서의 처리에 대해서 도8을 이용하여 설명한다. 이미 설명한 처리에 의해, 검사 대상 기판 상의 결함 위치, 모드, 사이즈가 판명되므로, 형상·면내 분포 파악부(11)는, 예를 들어 형광체 타고 넘기 결함을 ○표시(81), 혼색 결함을 마름모 표시(82)로 하여 결함 분포 맵(80)을 생성한다. 생성된 결함 분포 맵(80)은 상태 판정부(15)에 보내지고, 예를 들어, 발생 위치에 의해 중앙부인지 주변부인지, 분포 형상에 의해 원호 형상인지 직선 형상인지 랜덤한지 등의 상태 판정이 행해진다. 또한, 절단 처리되는 패널(80a 내지 80f)마다 결함 정보가 기록된다.

형상·면내 분포 파악부(11)는, 이러한 결함 분포 맵을 생성함으로써, 형광체 도포 공정에 있어서의 프로세스 변동의 경향을 신속하게 파악할 수 있다.

다음으로, 별도의 처리예를 도9를 이용하여 설명한다. 형상·면내 분포 파악부(11)는, 도7에서 설명한 중심으로부터의 형광체의 피크 위치의 괴리량 off를, 도9에 도시하는 간격으로 표시한 기하학적 변위량 분포인 어긋남량 맵(90)을 생성한다. 어긋남량의 크기와 방향을 화살표(91, 93)로 나타내고, 어긋남이 없는 경우에는 ○표시(92)로 나타낸다. 상태 판정부(15)에서는, 어긋남량이 큰 위치가 중앙부인지 주변부인지, 어긋남 방향이 일정한지 랜덤한지 등의 상태 판정이 행해진다. 또한, 절단 처리되는 패널(90a 내지 90f)마다 어긋남량 분포가 기록된다.

형상·면내 분포 파악부(11)는, 이러한 어긋남량 맵을 생성함으로써, 형광체 도포 공정에 있어서의 어긋남량의 경향을 신속하게 파악할 수 있다.

이어서, 본 실시예1의 제조 방법에 있어서의 제조 공정에의 제어를 행하는 실시예에 대하여 도10 및 도11을 이용하여 설명한다. 형광체층의 제조 공정인 형광체 도포 공정(S212)에서의 제조 장치(형광체 도포 장치 : 형광체 인쇄·소성 장치 등)(17)는, 상위 서버(16)로부터 전술한 형광체 검사(S220)에 의해, 형광체의 결함의 위치, 형상, 면적(사이즈) 결함 모드, 결함 분포, 어긋남량을 파악할 수 있으므로, 이들 결함의 정보의 전부 또는 일부를 사용하여 상기 형광체 도포 공정(S212)에서의 제조 장치(17)의 파라미터를 체크·수정한다. 구체적으로는, 도10에 도시하는 수정·체크 항목에 나타낸 파라미터군이며, 상술한 스크린 인쇄 방식, 디스펜서 방식마다 특유한 파라미터도 있다. 수정·체크 항목으로서는, 스크린 인 쇄 방식 및 디스펜서 방식에 공통하는 것으로서는, 얼라인먼트(171) 및 기판 클램프 상태(172) 등이 있으며, 스크린 인쇄 방식으로서는 온도(기판, 마스크)(173), 도포량(174), 마스크·패턴 확인(175) 및 마스크·이면 클리닝(176) 등이 있으며, 디스펜서 방식으로서는 온도(기판)(177), 헤드 주사 방향(178), 도포량(179) 및 노즐 막힘 상태(180) 등이 있다. 따라서, 제조 장치(17)는, 예를 들어, 도11에 도시하는 결함-추정 원인 대응표(결함 모드-분포 상태-추정 원인의 대응표)에 따라, 해당하는 각 파라미터 항목을 확인·조정한다. 도11의 추정 원인에 도시하는 숫자는 이하의 조정 항목에 상당한다. 1. 얼라인먼트(X-Y), 2. 얼라인먼트(회전), 3. 기판 클램프, 4. 온도 구배, 5. 도포량, 6. 마스크 패턴, 7. 마스크 이면 오물, 8. 헤드 주사 방향 오차, 9. 노즐 막힘이다. 이들 결함의 정보나 조정해야 할 정보를 형광체 도포 공정(형광체 인쇄·소성 공정)(S212)으로 피드백하면, 형광체 제조 공정에서의 프로세스 상태의 변동을 감소시켜, 안정된 상태에서 제조할 수 있다.

이렇게 본 실시예1의 제조 방법에 의하면, PDP의 제조 공정에 있어서의 형광체 형성 프로세스에서의 형광체 도포 상태·형광체층 형상으로부터 형광체 도포 공정에서의 프로세스 상태를 섬세하고 정확하게 파악하여, 신속하게 형광체 도포 공정으로 피드백해서 형광체 도포 공정의 제조 장치를 제어할 수 있기 때문에, 수율 향상, 프로세스 개선, 불량 방지에 매우 큰 효과가 있다. 또한, 상술한 형광체 검사(S220)에 의해, 결함 모드가 판명되고 있으므로, 수정 가능한지의 여부의 판정도 용이해진다.

다음으로, 본 실시예1에 있어서의 검사 장치의 구성에 대해서 도12를 이용하 여 설명한다. 검사 대상 기판(33)(2)에 대하여, 충분히 긴 거리를 조명 가능한 자외 램프(31(3a, 4a), 32(3b, 4b))에 의해, 자외광을 기판(33)(2)에 조사하는 구성으로 한다. 형광체의 발광 광의 검출 수단은, 각 검출 방향에 대응하여, 검출 소자의 분해능과 1소자당 길이에 의해, 검출 범위를 분할하여, 검출 수단(30a-1 내지 30a-n(5a, 6a), 30b-1 내지 30b-n(5b, 6b), 30c-1 내지 30c-n(5c, 6c))을 배치한다. 검출 소자로서는 컬러 라인 센서를 이용하여, 기판(33)의 주사와 동기하여 화상 검출을 행하는 구성으로 한다.

이러한 구성으로 함으로써, 큰 기판이라도, 고속으로 검사하는 것이 가능하고, 제조 택트 내에서의 검사가 가능해져, 인라인 검사 장치로서 실현 가능하다.

또한 자외광으로서는, 저압 수은등(파장 184㎚, 254㎚) 외, 파장 400㎚ 이하의 자외 레이저를 라인 형상으로 주사하거나 하여 실현 가능하며, 레이저광원으로서는, KrF 레이저(248㎚), KrCl 레이저(222㎚), ArF 레이저(193㎚) 등을 이용할 수 있다.

<실시예2>

다음으로, 본 발명에 관한 형광체 검사 장치의 실시예2에 대하여 도17을 이용하여 설명한다. 도1에 도시하는 형광체 검사 장치의 실시예1에서는 카메라 3대로 3방향으로부터의 화상을 검출한 것에 대해, 본 형광체 검사 장치의 실시예2에서는，1대의 카메라의 방향을 변화시켜 검출하는 것이 특징이다. 다른 구성은 도1과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 도1과 마찬가지로 자외광원(3a, 3b) 및 반사판(4a, 4b)에 의해 자외광을 배면판(2)에 조사한다. 배면판(2)의 리브 내에 형 성된 형광체층은 상기 자외광에 의해 여기되고, 상기 여기된 형광체로부터의 발광을, 기판(배면판)(2)에 대하여 임의의 각도로 설정된 렌즈(5)를 통하여 집광하고, 광검출기(6)에서 검출한다. 검출한 신호는, 화상 생성부(7)에서 2차원의 화상으로서 생성되어, 화상 처리부(8)에 보내어진다. 렌즈(5)와 광검출기(6)는 검출 각도를 임의로 바꾸는 것이 가능한 레일(200) 상에 배치되고, 각도를 바꿈으로써, 복수대의 검출기에서 검출한 것과 마찬가지의 화상을 얻을 수 있다.

본 실시예2에 의하면, 렌즈(5) 및 광검출기(6)를 1대의 카메라로 실현할 수 있으며, 구성의 간소화나 코스트 저감을 도모할 수 있다. 또한, 본 실시예2에 의해 얻어진 화상을, 실시예1과 마찬가지로 처리하여 얻어진 결함이나 조정해야 할 정보를 형광체 도포 공정(S212)으로 피드백하면, 형광체 제조 공정에서의 프로세스 상태의 변동을 감소시켜, 안정된 상태에서 제조할 수 있다.

<실시예3>

다음으로, 형상·면내 분포 파악부(11)에서의 결함 모드 판정의 다른 실시예3에 대해서 도18을 이용해서 설명한다. 도18은, 도5에 도시한 3방향으로부터의 검출예 중, 화상 처리부(8b)로부터의 화상분(중앙)을 생략하고 2 방향의 검출 화상을 이용한 실시예3을 도시한다. 본 실시예3과 같이, 중앙부에서의 검출 화상이 없는 경우에도, 좌우 2방향으로부터의 검출 화상에 있어서도, 리브의 사각에 의한 검출 불능 영역이 없으면, 3방향으로부터의 검출과 마찬가지로 하여 도6에 도시하는 결함 모드(결함 영역(51a(r) 및 51a(g)))를 기초로 R 타고 넘기 결함(51)을 판정하고, 결함 영역(51c(g))을 기초로 G 리브벽 결락 결함(52)을 판정하고, 결함 영 역(53a(r) 및 53c(r))을 기초로 R 리브 내 이물 결함(53)을 판정하고, 결함 영역(54a(r) 및 54a(b))을 기초로 B 리브내 혼색 결함(54)을 판정함)를 특정하는 것이 가능하게 된다.

2방향으로부터의 검출 화상을 이용하고 있기 때문에，3방향으로부터의 검출예와 비교하여 보다 신속하게 처리가 가능하게 된다． 또한, 본 실시예3에 의해 얻어진 결함이나 조정해야 할 정보를 형광체 도포 공정(S212)으로 피드백하면, 실시예1과 마찬가지로, 형광체 제조 공정에서의 프로세스 상태의 변동을 감소시켜, 안정된 상태에서 제조할 수 있다.

도1은 본 실시예의 검사 장치를 도시하는 구성도.

도2는 본 실시예에서의 검출계 배치·분해능 사양의 설명도.

도3은 본 실시예의 화상 처리부에서의 처리 플로우를 도시하는 플로우도.

도4는 본 실시예의 화상 처리부에서의 처리 내용의 설명도.

도5는 본실시예에서의 결함 모드 판정 처리의 설명도.

도6은 결함 모드의 단면 성상을 도시하는 도면．

도7은 형광체층 형상과 검출 휘도 프로파일의 대응을 도시하는 설명도.

도8은 결함 분포 맵의 예를 도시하는 설명도.

도9는 위치 어긋남량 맵의 예를 도시하는 설명도.

도10은 본 실시예의 제조 방법에 있어서의 도포 공정에의 제어를 도시하는 플로우도.

도l1은 결함 모드와 제조 공정에서의 추정 원인의 대응을 도시하는 도면.

도12는 본 실시예에 의한 검사 장치를 도시하는 사시도.

도13은 PDP 제조 공정을 도시하는 플로우도.

도14는 스크린 인쇄 방식에 의한 형광체 도포 공정을 도시하는 설명도.

도15는 스크린 인쇄 방식에 의한 형광체 도포 장치를 도시하는 사시도.

도l6은 디스펜서 방식에 의한 형광체 도포 장치를 도시하는 사시도.

도17은 화상 처리부의 다른 실시예를 도시하는 구성도.

도18은 결함 모드 판정 처리의 다른 실시예를 도시하는 설명도.

도19는 PDP의 구조를 도시하는 설명도.

도20은 종래의 검사 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 장치 시료대

2, 124, 132, 141 : 배면판

3a, 3b, 31, 32, 142 : 자외광원

4a, 4b : UV용 리플렉터

5a, 5b, 5c : 검출 렌즈

6a, 6b, 6c : 광검출기

7a, 7b, 7c : 화상 생성부

8a, 8b, 8c : 화상 처리부

9a, 9b, 9c : 형광 발광 광

10 : 설계 정보·기판 정보 데이터

11 : 형상·면내 분포 파악부

12 : 형광체층 형상-휘도 프로파일 모델 DB

13 : 장치 제어부

14 : 스테이지 제어부

20a : 경사진 방향 검출계에서의 검출 화소열

20b : 수직 검출계에서의 검출 화소열

80a-1 내지 80a-n, 80b-1 내지 80b-n, 80c-1 내지 80c-n : 검출 수단

33 : 검사 대상 배면 기판

40 : 정상 검출 화상

41 : 좌인접 화상

42 : 처리 대상 화상

42b : 화상(42)의 B 성분 화상

42r : 화상(42)의 R 성분 화상

42g : 화상(42)의 G 성분 화상

42b' : 화상(42b)의 Y 방향 시프트와 Gain 조정을 한 화상

42r' : 화상(42r)의 Y 방향 시프트와 Gain 조정을 한 화상

428' : 화상(42g)의 Y 방향 시프트와 Gain 조정을 한 화상

43 : 좌우 인접 화상

44a : 화상(42b')과 화상(42r')의 차분 절대값 화상

44b : 화상(42r')과 화상(42g')의 차분 절대값 화상

44c : 화상(42g')과 화상(42b')의 차분 절대값 화상

46, 47 : 라인 형상 결함

48 : 고립 결함

51a(r) 내지 54c(b) : 각 화상 처리부에서의 결함 화상 영역(각 플레인)

61 : G 형광체층

62 : R 타고넘기 결함

63 : G 형광체 리브 결락 결함

64 : R 형광체층

65 : 이물

66 : B 형광체층

67 : 부착된 R 형광체 입자

71 : 정상적인 형광체층 형상의 단면

72 : 71의 형광체층의 휘도 신호의 프로파일

73 : 형광체가 약간 적은 형상의 단면

74 : 73의 형광체층의 휘도 신호의 프로파일

75 : 형광체층이 기운 형상의 단면

76 : 75의 형광체층의 휘도 신호의 프로파일

80 : 결함 분포 맵

80a 내지 80f, 90a 내지 90f : 절단 처리된 패널

81 : 형광체 타고넘기 결함 위치

82 : 혼색 결함 위치

90 : 형광체 어긋남량 맵

91, 93 : 어긋남량과 방향 화살표

92 : 어긋남 없슴

101 : 리브 형성 완성 후의 배면 기판

102 : R 형광체 충전 개소

103 : R용 인쇄 마스크

104 : R 형광체 페이스트

105 : R 형광체 충전 기판

106 : 충전된 R 형광체

107 : G용 인쇄 마스크

108 : G 형광체 페이스트

109 : G 형광체 충전 기판

110 : 충전된 G 형광체 중

111 : B용 인쇄 마스크

112 : B 형광체 페이스트

113 : B 형광체 충전 기판

114 : 충전된 B 형광체

115 : 형광체가 있는 배면 기판

121, 131 : 장치 가대

122 : 마스크

123 : 마스크 패턴 개구부

125 : 인쇄 대상 리브

126 : 인쇄 스키지

127 : 도포 헤드

128 : 형광체 페이스트

129 : 인쇄 방향

134 : 디스펜서

135 : 도포 헤드

136 : 도포 방향

143 : 자외광

144 : 발광 광

145 : 검출 카메라

146 : 신호 처리 장치

Claims (8)

1. 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서,

   상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 촬상 수단에 의해 촬상하여 화상을 취득하고, 상기 취득한 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 RGB의 각 플레인의 설계 정보를 기초로 하여 각 플레인 사이의 상대 위치를 보정한 후, 상기 RGB의 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 얻어진 차분 영역끼리를 비교함으로써, 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 형광체층의 결함 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고,

   상기 형광체 검사 공정에 의해 얻어진 형광체층의 결함 정보를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.
2. 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서,

   상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 특정 방향으로부터 촬상 수단에 의해 촬상하여 화상을 취득하고, 상기 취득한 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 얻어진 차분 영역끼리를 비교함으로써, 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 결함의 위치, 형상 및 사이즈로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고,

   상기 형광체 검사 공정에 의해 얻어진 형광체층의 결함 정보를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.
3. 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서,

   상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 서로 상이한 복수의 방향으로부터 촬상 수단에 의해 촬상하여 화상을 취득하고, 상기 취득한 복수의 화상 각각을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인끼리 비교함으로써 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 결함 모드를 검사하여 결함 모드로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고,

   상기 형광체 검사 공정에 의해 얻어진 형광체층의 결함 정보를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 제조 방법.
4. 형광체 도포 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 리브 내에 형광체층을 도포하는 형광체 도포 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 있어서,

   상기 배면판의 리브 내에 도포된 형광체층에 자외광을 조사하여 발광시키고, 상기 발광시킨 광을 촬상 수단에 의해 촬상하여 휘도 신호 정보를 취득하고, 상기 취득한 휘도 신호 정보로부터 상기 리브 내의 휘도 프로파일의 비대칭성을 구함으로써, 상기 리브 내에 도포된 형광체층의 도포 상태의 정보를 얻는 형광체 검사 공정을 갖고,

   상기 형광체 검사 공정에 의해 구해진 형광체층의 도포 상태를 상기 형광체 도포 공정으로 피드백하여 상기 형광체 도포 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.
5. 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서,

   상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와,

   상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와,

   상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와,

   상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 장치와,

   상기 형광체층이 형성된 RGB 각 플레인의 설계 정보를 취득하고, 상기 촬상 장치에서 취득한 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 RGB의 각 플레인의 설계 정보를 기초로 하여 각 플레인 사이의 상대 위치를 보정한 후, 상기 RGB의 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 얻어진 차분 영역끼리를 비교함으로써, 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 형광체층의 결함 정보를 얻는 결함 판정부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치.
6. 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서,

   상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와,

   상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와,

   상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와,

   상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 특정 방향으로부터 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 장치와,

   상기 촬상 장치에서 취득된 화상을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인 사이의 차분 영역을 구하고, 얻어진 차분 영역끼리를 비교함으로써, 리브 내에 도포된 형광체층의 결함을 검사하여 결함의 위치, 형상 및 사이즈로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 화상 처리부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치.
7. 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서,

   상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와,

   상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와,

   상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와,

   상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 서로 상이한 복수의 방향으로부터 촬상하여 복수의 화상을 취득하는 촬상 장치와,

   상기 촬상 장치에서 취득한 복수의 화상의 각각을 RGB의 각 플레인으로 분리하고, 상기 분리한 RGB의 각 플레인끼리 비교함으로써 리브 내에 도포된 형광체층의 결함 모드를 검사하여 결함 모드로 이루어지는 형광체층의 결함 정보를 얻는 결함 모드 산출부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치.
8. 플라즈마 디스플레이의 배면판에 형성된 형광체층을 검사하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치에 있어서,

   상기 배면판을 보유 지지하는 보유 지지대와,

   상기 보유 지지대를 주행시키는 구동부와,

   상기 형광체층에 자외광을 조사하는 자외광 조사 광학계와,

   상기 자외광 조사 광학계에 의한 자외광의 조사에 의해 상기 형광체층으로부터 발광하는 광을 촬상하여 휘도 신호 정보를 취득하는 촬상 장치와,

   상기 촬상 장치에서 취득한 휘도 신호 정보로부터 리브 내의 중심으로부터 피크 위치의 괴리량을 구하고, 얻어진 피크 위치의 괴리량을 이용하여 리브 내에 도포된 형광체층의 도포 상태의 정보를 얻는 형상·면내 분포 파악부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 검사 장치.

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