TWI233316B - Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same Download PDF

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TWI233316B
TWI233316B TW093102532A TW93102532A TWI233316B TW I233316 B TWI233316 B TW I233316B TW 093102532 A TW093102532 A TW 093102532A TW 93102532 A TW93102532 A TW 93102532A TW I233316 B TWI233316 B TW I233316B
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Hisao Haku
Gaku Harada
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Sanyo Electric Co
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Description

1233316 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲’關於具備有機電激發光元件的有機電激發 光裝置及該製造方法。 【先前技術】 近年來,伴隨資訊機器的多樣化,對比一般被使用的 CR丁(陰極射線管)消耗電力少的平面顯示元件的需求變 高。作爲如此地平面顯示元件之一,有高效率、薄型、輕 量、低視野角依賴性等之特徵的有機電激發光(以下,略 記爲有機EL。)元件被注目,正踴躍的進行使用此有機 EL元件的顯示器的開發。 有機EL元件爲,由電子注入電極和電洞注入電極各 個向發光部內注入電子和電洞,使被注入的電子及電洞在 發光中心再結合而有機分子爲激發態,此有機分子由激發 態回到基態時產生螢光的自發光型的元件。 此有機EL元件爲,可由選擇爲發光材料的螢光物質 使發光色變化,對多彩、全彩等的顯示裝置的應用的期待 變高。因爲有機EL元件在低電壓可面發光,也可利用作 爲液晶顯示裝置等的背光。如此地有機EL元件爲,在現 在,向數位相機和攜帶式電話等的小型顯示器的應用發展 的階段。 有機EL元件對水分極弱,具體的爲,有金屬電極和 有機層的界面在水分的影響下變質、電極剝離、金屬電極 (2) 1233316 氧化而爲局電阻、有機材料自體因水分而變質地現象產 生。依此’驅動電壓之上昇、暗點(不發光缺陷)的發生及 成長或發光亮度的減少等發生,有不能確保充分的信賴性 的問題。 因此’於有機EL元件,只要不能防止水分的浸入就 不能確保充分的信賴性。因此,爲了防止水分的浸入能用 第17圖所示的構造。第17圖爲,先前的有機EL裝置的 模式的斷面圖。 於第1 7圖,在基板1上設置複數的有機EL元件 50。各有機EL元件50爲,依序包含電洞注入電極、電 洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入 層及電子注入電極。於第17圖,僅圖示電洞注入電極 2 ° 在先前的有機EL裝置爲,在基板1的外周部塗佈封 止劑1 1,具備乾燥劑3 1在內部、玻璃或金屬製的封止罐 20J覆蓋複數的有機EL元件50地蓋於基板1上,以由紫 外線或熱使封止劑1 1硬化,接著金屬製的封止罐2(U在 基板1上。如此,有機E L元件5 0與外氣隔絕。 然而,在第17圖的有機EL裝置900,在製造時在封 止劑1 1的內部有發生氣泡的場合。在此時,不能充分防 止向有機EL元件50的水分的浸入。 而且在第17圖的有機EL裝置900,爲了封止有機 EL元件50而使用封止罐20J。在此,考慮因乾燥劑31的 水分的膨脹等而必要設置在封止罐20J內的有機EL元件 (3) 1233316 50與乾燥劑31之間的空間。然而,封止罐20:[的厚度變 大,薄型化變爲困難。 所以,形成覆蓋有機EL元件的有機物EL層的有耐 濕性的光硬化樹脂層,在其之上部已固著的非透水性之小 基板的有機EL元件之構造,被提案出來(參照日本特開平 5-182759 號公報)。 若依此有機EL元件之構造,因爲由耐濕性之光硬化 樹脂層及非透水性之基板由外氣隔絕有機EL元件,可實 現有機EL元件本身的薄型化。 然而,爲了在光硬化性樹脂層降低透水性而添加矽或 玻璃之類的塡料,則產生光硬化樹脂層之黏度的上昇及白 色化。 由光硬化樹脂層之黏度的上昇,光硬化樹脂層的膜厚 之均勻化變得困難,大面積化也變得困難。而且,在將光 由光硬化樹脂層之上面側取出至外部的構造,充分取出於 有機EL層發生的光變爲困難。 更且,在光硬化樹脂層黏合非透水性基板時,在此等 的界面氣泡進入的可能性變高。 另一方面’作爲在黏合基板之際防止氣泡之發生的方 法’在像素面板之上設置由紫外線硬化樹脂等構成的密封 劑’在該密封劑上配置以補強薄板補強的玻璃蓋,由滾輪 之按壓力將玻璃蓋黏合於密封劑而防止氣泡之浸入的方法 被提案出來(參照日本特開2002- 1 1 0349號公報)。 在此場合,雖然由滾輪之按壓力防止氣泡的殘留,但 (4) 1233316 發生玻璃蓋的位置偏移及鞍形變形,難以將玻璃蓋以均勻 的厚度黏合。 上述以外,爲了防止在爲了封止發光元件的封止材料 發生氣泡,將在玻璃基板上已設置的發光元件由邊緣接著 劑及玻璃蓋板形成的設置一部的開口且包圍後,使用真空 槽而在由邊緣接著劑及玻璃蓋板形成的中空部由開口部充 滿封止材料,在大氣中使封止材料硬化,該方法被提案出 來(參照日本特開2001-284(M3號公報)。 在此場合,注入於包圍發光元件的中空部的封止材料 爲,因爲在真空中被塡充可防止氣泡的發生。然而,因爲 封止材料的硬化在大氣壓下進行,由設置在中空部的開口 部有發生氣泡的可能性。 【發明內容】 本發明的目的爲,提供不包含氣泡、且以均勻的厚度 可封止有機電激發光元件,同時能薄型化的有機電激發光 裝置的製造方法。 本發明的其他目的爲,提供能薄型化的有機電激發光 裝置。 本發明之更其他的目的爲,提供能薄型化且充分的防 止水分之浸入的有機電激發光裝置。 本發明之更其他的目的爲,提供能薄型化且有均勻的 厚度、同時充分的防止水分之浸入的有機電激發光裝置。 按照本發明的一個態勢的有機電激發光裝置的製造方 -8- (5) 1233316 法爲,具備了在基板上形成1或複數的有機電激發光元件 的工程、和將爲了封止1或複數的有機電激發光元件的1 種類以上的封止劑,設置於基板及封止板的至少一方的工 程、和在減壓氣氛中將基板和封止板通過封止劑黏合的工 程、和將通過封止劑黏合的基板及封止板在大氣中取出而 使封止劑硬化的工程。 若依此有機電激發光裝置之製造方法,在基板上形成 1或複數的有機電激發光元件,設置1種類以上的封止劑 於基板及封止板的至少一方。接著,在減壓氣氛中將基板 和封止板通過封止劑而黏合。之後,取出通過封止劑已黏 合的基板及封止板於大氣中,硬化封止劑。 在此場合,因爲基板和封止板的黏合在減壓氣氛中進 行,能防止於封止劑內部發生氣泡。 而且,在減壓氣氛中通過封止劑已黏合基板和封止板 後,因爲取出已黏合的基板在大氣中,塡充於基板上之有 機電激發光元件與封止板之間的封止劑,通過封止板由外 部接受均勻的壓力,因而’基板和封止板以均勻的厚度被 黏合。 更且,因爲在基板上已形成的1或複數的有機電激發 光元件中通過封止劑而黏合封止板’比使用封止罐而封止 有機電激發光元件的場合更可實現薄型化。 1種類以上的封止劑爲包含一種類的第1之封止劑和 他種類的第2之封止劑,第1之封止劑有比第2之封止劑 低的黏度,將第]之封止劑封止基板上的1或複數的有機 (6) 1233316 電激發光元件地設置,將第2之封止劑在基板上的外周部 包圍1或複數的有機電激發光元件地設置亦可。 在此場合,因爲第1之封止劑及第2之封止劑於硬化 時受到由外部向內部的大氣壓,可防止比第2之封止劑黏 度低的第1之封止劑向外部浅漏。 更且,因爲第2之封止劑的黏度比第1之封止劑的黏 度高,硬化前的第2之封止劑有比第1之封止劑高的保形 性,可防止第2之封止劑向第1之封止劑浸入而高度變 低。因此,可防止在基板與封止板的黏合時有機電激發光 元件直接接觸到封止板。 按照本發明其他的態勢的有機電激發光裝置爲,具備 基板、和在基板上配置1或複數的有機電激發光元件、和 爲了封止1或複數的有機電激發光元件的複數種類之封止 劑,將1或複數的有機電激發光元件以複數種類之封止劑 之中一種類的第1之封止劑封止,將包圍1或複數的有機 電激發光元件地基板上之外周部,由其他種類的第2之封 止劑封止。 在此場合,將在基板上配置的1或複數的有機電激發 光元件,以複數種類之封止劑之中一種類的第1之封止劑 封止,將包圍1或複數的有機電激發光元件地基板上之外 周部,由其他種類的第2之封止劑封止。依此,比使用封 止罐而封止有機電激發光元件的場合更可實現薄型化。 第1之封止劑有比第2之封止劑低的黏度亦可。在此 場合,黏度低的第1之封止劑爲,因爲在1或複數的有機 (7) 1233316 電激發光元件的全體容易擴大,所以製造變爲容易。更 且,因爲第2之封止劑的黏度比第1之封止劑的黏度高, 可防止在硬化前第2之封止劑向第1之封止劑浸入而高度 變低。 在第1之封止劑添加塡料亦可。在此場合,由在第1 之封止劑添加塡料,第1之封止劑的耐濕性提高。因而, 可充分的防止向有機電激發光元件的水分浸入。 在第1之封止劑添加乾燥劑亦可。在此場合,由在第 1之封止劑添加乾燥劑將包含在第1之封止劑中的水分吸 收至乾燥劑。因而,可充分的防止向有機電激發光元件的 水分浸入。 第1之封止劑爲接著劑亦可。在此場合,由接著劑硬 化封止1或複數的有機電激發光元件。 第1之封止劑爲薄板狀之黏著劑亦可。在此場合,因 爲第1之封止劑是固體,比黏度低的封止劑容易處理。而 且,因爲作爲固體的第1之封止劑本身有一定的厚度,所 以有機電激發光裝置的厚度之均勻性提高。 在第2之封止劑添加塡料亦可。在此場合,由在第2 之封止劑添加塡料,第2之封止劑的耐濕性提高。因而, 可充分的防止向有機電激發光元件的水分浸入。 在第2之封止劑添加乾燥劑亦可。在此場合,由在第 2之封止劑添加乾燥劑將包含在第2之封止劑中的水分吸 收至乾燥劑。因而,可充分的防止向有機電激發光元件的 水分浸入。 (8) 1233316 第2之封止劑接於1或複數的有機電激發光元件亦 可。在此場合,因爲以使第2之封止劑接觸於1或複數的 有機電激發光元件,可將於廣大範圍的基板上的外周部由 第2之封止劑封止,能不擴大基板上之外周部的非發光領 域,更且充分的防止向有機電激發光元件的水分之浸入。 在基板通過複數種類之封止劑黏合封止板亦可。在此 場合,將基板上之1或複數的有機電激發光元件由複數種 類之封止劑封止同時,因爲由封止板被封止,可充分防止 向有機電激發光元件的水分之浸入。 更且,於第1之封止劑爲薄板狀之黏著劑的場合,可 事先在封止板上先黏上薄板狀之黏著劑,能謀求製造工程 的簡化。 在對向基板的封止板之面設置收納乾燥劑的收納部亦 可。在此場合,由在封止板之面設置收納乾燥劑的收納 部,在爲了封止1或複數的有機電激發光元件的複數種類 之封止劑中包含的水分,吸收至乾燥劑。因而,更充分的 防止向有機電激發光元件的水分之浸入。 封止板由透光性材料構成,在對向基板的封止板之面 也可設置彩色濾光片。尙且,在本明細書中,稱「彩色濾 光片」的用語中,也包含CCM(色彩轉換媒體)。在此場 合,於在基板上已形成的有機電激發光元件發生的光,通 過彩色濾光片及封止板而取出至外部。依此,可實現頂部 發光構造的有機電激發光裝置。 將1或複數的有機電激發光元件以由單層或複數層構 (9) 1233316 成的保護膜被覆亦可。在此場合,因爲將有機電激發光元 件以由非透水性單層或複數層構成的保護膜被覆,可充分 的防止向有機電激發光元件的水分之浸入。 按照在本發明之更其他的局面的有機電激發光裝置 爲,具備基板、和在基板上配置的1或複數的有機電激發 光元件、爲了封止基板上的1或複數的有機電激發光元件 的封止劑、和在基板通過封止劑黏合的封止板,基板與封 止板之間的封止劑之外周面被形成至凹狀。 於該有機電激發光裝置,由於在製造時已設置於基板 與封止板之間的封止劑受到由外部向內部的壓力,封止劑 的外周面被形成至凹狀。依此,封止劑在內部不包含氣泡 而緻密的形成。因而,可充分的防止向有機電激發光元件 的水分之浸入。 而且,因爲可防止在由有機電激發光元件拉出至外部 的端子部封止劑超出而附著,變爲不必除去附著於端子部 的封止劑的工程。 【實施方式】 以下,關於有關第〗〜第9之實施之形態的有機電激 發光(以下,略記爲有機EL)裝置及該製造方法,根據第1 圖〜第5圖說明。 (第1之實施之形態) 第1圖爲,(a)爲有關第1之實施形態的有機EL裝置 -13- (10) 1233316 之模式的斷面圖、第1(b)圖爲第1(a)圖之有機EL裝置之 一部之擴大圖。尙且,有關第1之實施形態的有機EL裝 置1 0 0爲有由上面側取出光的頂部發光構造。 於第1(a)圖之有機EL裝置100爲,在基板1上配置 有機EL元件50至矩陣狀。各有機EL元件50構成像 素。在單純矩陣型(被動型),用玻璃基板作爲基板1;在主 動矩陣型,作爲基板1,可用在玻璃基板上具備了複數之 TFT(薄膜電晶體)及平坦化層的TFT基板。 在此,以相互垂直的3方向作爲X方向、Y方向及Z 方向。X方向及Y方向爲,對基板1之表面平行的方向, Z方向爲對基板1之表面垂直的方向。複數之有機EL元 件5 0爲沿著X方向及Y方向排列。 如第1(b)圖所示,有機EL元件50爲,有電洞注入 電極2、電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5、電子輸 送層6、電子注入層7及電子注入電極8的層疊構造。排 列電洞注入電極2爲沿X方向而連續的或在每個電極 上,電子注入電極8沿著Y方向排列。鄰接的有機EL元 件5 0間由以保護層材料構成的元件分離用絕緣層分離。 電洞注入電極2爲,由ITO(銦錫氧化物)等之金屬化 合物、Ag(銀)等之金屬或合金構成的透明電極、半透明電 極或不透明電極。電子注入電極8爲,由ITO等之金屬化 合物、金屬或合金構成的透明電極。電洞注入層3、電洞 輸送層4、發光層5、電子輸送層6、電子注入層7爲由 有機材料構成。 (11) 1233316 於第1(a)圖,在基板1上的複數之有機EL元件50 之上部設置封止劑1 0,在基板1上的外周部爲設置如包 圍複數之有機EL元件5 0之全周地封止劑1 1。在封止劑 1 0的上面側爲通過彩色濾光片2 1而接著封止板20。一體 形成彩色濾光片21在封止板20上。封止板20及彩色濾 光片21由玻璃或塑膠等之透明的材料構成。尙且,作爲 彩色濾光片 21,例如,亦可用記載於日本特開2 0 02 - 2 99 0 5 5號公報的CCM(色彩轉換媒體)。 如此地,在本實施之形態,設置包圍複數之有機EL 元件5 0地封止劑1 0,更且設置包圍封止劑1 0之外周部 地封止劑1 1。於是,在複數的有機EL元件5 0之外周部 設置二重的封止劑1 〇、1 1。封止劑1 1之寬度11爲約 1 〜5 m m 〇 在有機EL元件50之電.洞注入電極2與電子注入電 極8之間施加驅動電壓則發光層5發光。於發光層5發生 的光爲,通過電子注入電極 8、封止劑10、彩色濾光片 21及封止板20取出至外部。 說明關於在有機EL裝置1 00使用的封止劑1 〇、1 1。 於本實施之形態,調整封止劑1 1的黏度變爲比封止劑1 0 的黏度高。封止劑1 〇、Π的黏度爲,由使用材料之種類 以及添加於各個封止劑1 〇、1 1的塡料或乾燥劑等之添加 物的種類及添加量而決定。 封止劑1 〇、Π爲,由紫外線硬化型、可見光硬化 型、熱硬化型、由紫外線及熱的複合硬化型、或用紫外線 (12) 1233316 後硬化型之樹脂或接著劑構成。 具體的爲’在封止劑10爲,可用尿素樹脂系、三聚 氰胺樹脂系、酚樹脂系、間苯二酚樹脂系、環氧樹脂系、 不飽和聚酯樹脂系、氨基甲酸乙酯樹脂系、或丙烯樹脂系 等之熱硬化性樹脂系之樹脂;醋酸乙烯樹脂系、乙烯-醋 酸乙烯共聚物樹脂系、丙烯樹脂系、聚氰基丙烯酸酯樹脂 系、聚乙烯醇樹脂系、聚醯胺樹脂系、聚烯烴樹脂系、熱 可塑性氨基甲酸乙酯樹脂系、飽和聚酯樹脂系或纖維素系 等之熱可塑性樹脂系之樹脂;丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲 酸酯、環氧丙烯酸酯、丙烯酸三聚氰胺酯、丙烯酸樹脂丙 烯酸酯等的各種丙烯酸酯或用氨基甲酸酯多元酯等之樹脂 的遊離基光硬化型接著劑;用環氧樹脂、乙烯基酯樹脂 等的樹脂的陽離子系光硬化型接著劑、硫醇附加型樹脂系 接著劑、聚氯丁烯橡膠系、腈橡膠系、苯乙烯-丁二烯橡 膠系、天然橡膠系、丁基橡膠系、或矽膠系等之橡膠系; 乙烯基·酚醛樹脂、氯丁二烯-酚醛樹脂、腈-酚醛樹脂、 尼龍-酚醛樹脂或環氧-酚醛樹脂等的複合系的合成高分子 接著劑等。 而且,在封止劑1 1,可用在使用作爲封止劑1 0的上 述材料中添加了塡料之物。 添加於封止劑11的塡料爲,由 si〇(氧化矽)、 Si ON(氧氮化矽)或SiN(氮化矽)等之無機材料或 Ag、 Ni(鎳)或A1(鋁)等之金屬材料構成。封止劑11爲,因爲 添加塡料,比被使用的材料本身提高了黏度及耐濕性。 (13) 1233316 尙且’封止劑1 ο爲,對波長約400nn)〜8 00ηΐΏ的可見 光’有約30%以上的透過率爲理想、有約7〇%以上的透過 率更理想。 以下’說明關於有關本實施之形態的有機EL裝置 1 〇 〇之製造方法。 首先’形成複數的有機E L元件5 0在基板1上。接 著’在彩色德光片21和已一體形成的封止板20之下面 (彩色爐光片2 1側)外周部,將添加了塡料的封止劑u由 網版印刷法均勻的成膜。尙且,由分注器均勻的塗上封止 劑1 1於封止板2 0的外周部亦可。而且,不塗佈封止劑 1 1在封止板20的下面外周部而在基板1的上面外周部成 膜或塗佈亦可。 續而,在封止板2 0的中央部滴下封止劑1 0。將封止 劑1 〇及於封止板2 0面全體而每一少量以等間隔多數量滴 下亦可。在此場合,因爲在封止板2 0的面全體封止劑1 〇 容易擴大,後述的基板1和封止板2 0的黏合可在短時間 內進行。 其後,在真空室內,進行封止板20與基板1的黏 合。在開始,在大氣壓下於已開放的真空室內,裝配封止 板2 0和具備複數的有機EL元件5 0的基板1在各個基板 夾具。在此狀態,密閉真空室,將真空室內減壓至所定之 真空度。依此,真空室內成爲真空狀態。 接著,於真空狀態之真空室內,由操作基板夾具進行 對向封止板2 0與基板1地調整位置,重疊封止板2 0和基 (14) 1233316 板1。於是,進行再度調整位置,以所定壓力黏合封止板 2 0和基板1。 黏合封止板2 0和基板1後,解除真空室內之真空狀 態,由真空室內取出已相互黏合的基板1及封止板20。 最後,將基板1與封止板20之間的封止劑1 0、1 1以接照 各個材料的硬化方法使其硬化,完成有機EL裝置100。 若依上述的製造方法,因爲有機EL裝置100的基板 1與封止板20的黏合在真空室內之真空中進行,可防止 在封止劑1 〇、1 1的內部發生氣泡。 而且,在真空中由封止劑1 0、1 1進行了基板1與封 止板2 0的黏合後,在大氣壓中進行封止劑1 0、1 1的硬化 處理。依此,硬化前之封止劑1 0、1 1受到由外部向內部 的大氣壓,封止劑1 1的外周面如第1(a)圖所示地變形至 凹狀。然後,封止劑1 〇、1 1以此狀態被硬化。 在此場合,因爲封止劑1 0、1 1受到由外部向內部的 大氣壓,可防止黏度低的封止劑1 〇向外部洩漏。此結 果,可防止由電洞注入電極2已拉出至封止劑11之外部 的電極端子上附著封止劑1 〇。 而且,塡充黏度低的封止劑1 0在基板1上的有機EL 元件50與封止板20之間。然後,有機EL元件50上的 封止劑1 0,由在大氣中取出,通過封止板2 0受到由外部 均勻的壓力。因而,於基板1與封止板20黏合時,封止 劑1 〇容易擴大至全體,基板1與封止板20以均勻的厚度 被黏合。 (15) 1233316 更且,因爲在基板1上已形成的複數之有機EL元件 50之上面通過封止劑10、11黏合封止板20,比覆蓋第 17圖之封止罐20:[的場合,可實現薄型化。 而且,依添加塡料至封止劑1 1,封止劑1 1比被使用 的材料自體提高了黏度及耐濕性。由此,封止有機EL元 件5 0的封止劑1 0之外周部由有高黏度及高耐濕性的封止 劑1 1包圍,而且封止劑1 0的上面側由非透水性的封止板 20覆蓋。因而,可充分的防止向有機EL元件50的水分 之浸入。 更且’因爲封止劑1 1的黏度比封止劑1 0的黏度高, 硬化前的封止劑1 1有比封止劑1 0高的保形性,可防止封 止劑1 1向封止劑1 0浸入而高度變低。因此,可防止在基 板1與封止板20的黏合時有機EL元件50直接接觸到封 止板2 0。 而且’因爲在封止劑10不添加成爲白色化之主要原 因的塡料,可將由有機EL元件5 0發光的光通過封止劑 1 〇而充分的取出於外部。 更且,用同一材料作爲封止劑1 0、1 1的場合,因爲 由於在封止劑1 1添加塡料可得上述效果,材料之費用減 低變爲可能。 尙且,於上述之有機EL裝置100之製造時,有在基 板1與封止板2 0黏合時,基板1與封止板2 0之全面受到 大氣壓,和由互相押住基板1與封止板2 0,封止劑1 ]的 外周面變爲難以變形至凹狀的場合。因而,爲了使n的 (16) 1233316 外周面變形至凹狀,事先在基板1與封止板20之間設置 有所定的高度的複數之襯墊亦可。在此場合,由在基板1 與封止板20之間以等間隔先配置複數的襯墊,在基板1 及封止板2 0的全面受到大氣壓的場合,基板]與封止板 2 0之間隔由複數的襯墊維持。依此,封止劑1 1的外周面 因大氣壓變形至凹狀。 而且,於本實施形態,在封止劑1 1的外周面不變形 至凹狀時(例如,在不變形時或變形至凸狀時等),也與有 上述同樣的效果,即是,可實現以基板1與封止板2 0以 均勻的厚度的黏合、薄型化及防止向有機EL元件5 0的 水分之侵入。 尙且,本實施形態的有機EL元件 50的封止構造 爲,也可適用在將有機EL元件50發生的光由基板1的 裏面側取出的背發光構造。 於有背發光構造的有機EL裝置,在電洞注入電極2 可用由ITO等之金屬化合物、金屬或合金構成的透明電 極,在電子注入電極8可用,由ITO等之金屬化合物、金 屬或合金構成的透明電極、半透明電極或不透明電極。而 且,彩色濾光片21,可設置在基板1的裏面或基板1與 電洞注入電極2之間。 (第2之實施之形態) 第2圖爲有關第2之實施形態的有機EL裝置之模式 的斷面圖。有關第2之實施之形態的有機EL裝置1 00 -20- (17) 1233316 爲,除了以下之點,與有關第1之實施之形態的有機EL 裝置1 0 0有相同的構造,由與第]之實施之形態同樣的製 造方法製造。 基板1上的外周部之封止劑1 1的寬度t2(向基板1表 面平行方向的尺寸)爲,形成比於第1之實施之形態的封 止劑11之寬度11(約1〜5111111)厚。封止劑11的寬度12約 2〜10 mm。在本實施之形態爲,設置包圍複數之有機EL元 件5 0地封止劑1 1。即是,在基板1上的外周部設置封止 劑1 1 一重,封止劑1 1接於外周部的有機E L元件5 0。在 此場合,不擴大基板1上之外周部之非發光領域,更可充 分的防止向有機EL元件50的水分之浸入。 (第3之實施之形態) 有關第3之實施之形態的有機EL裝置1 0 0爲,除了 以下之點,有與第2圖之有機EL裝置100有相同的構 造,由與第1之實施之形態同樣的製造方法製造。 在基板1上的外周部之封止劑1 1爲,使用添加了塡 料及乾燥劑之物。添加至封止劑1 1的乾燥劑爲,由氧化 鈣、硫化鈣、氯化鈣、氧化鋇或氧化緦等之化學吸附劑或 活性碳、矽膠或沸石等的物理吸附劑構成。封止劑1 1的 材料爲,可用於第1之實施之形態所示之物。 由向封止劑11添加乾燥劑,在封止劑11中所含的水 分被吸收至乾燥劑。因而,更可充分的防止向有機E L元 件5 0的水分之浸入。 (18) 1233316 (第4之實施之形態) 有關第4之實施之形態的有機EL裝置1 0 0爲,除了 以下之點,有與第2圖之有機E L裝置1 〇 〇有相同的構 造,由與第1之實施之形態同樣的製造方法製造。 在基板上於封止有機EL元件5 0的封止劑1 0爲,可 用添加了塡料之物。作爲被添加至封止劑1 0的塡料爲, 可用以於第1之實施之形態添加至封止劑1 1的塡料而所 示的塡料。尙且,添加至封止劑1 〇的塡料之含有率爲, 最好比添加至封止劑11的塡料之含有率極低。 由在封止劑1 0添加塡料,封止劑1 0的耐濕性提高。 依此,更可充分的防止向有機EL元件 50的水分之浸 入。 在添加至封止劑1 〇的塡料含有率極低的場合,因爲 減低由塡料的添加的白色化,可將由有機EL元件5 0發 生的光通過封止劑1 〇向外部充分的取出。而且,因爲, 黏度的上昇也減低,於基板1與封止板20黏合時,封止 劑1 〇容易擴大至全體,能以均勻的厚度黏合基板1與封 止板2 0。 添加至封止劑1 〇的塡料之折射率爲最好在封止劑1 〇 之折射率的± 1 〇 °/〇以內。 在由塡料的添加量變少,可確保封止劑1 〇的透過率在 7 0 %以上時,可不控制塡料的折射率。 於本實施形態,添加了塡料的封止劑1 〇爲,對波長 約4 0 0 n m〜8 0 0 n m的可見光,有約3 0 %以上之透過率爲理 -22- (19) 1233316 想,有約70 %以上之透過率更理想。 (第5之實施之形態) 有關第5之實施之形態的有機EL裝置1()()爲,除了 以下之點,有與第2圖之有機EL裝置100有相同的構 造,由與第1之實施之形態同樣的製造方法製造。 於本實施形態,添加了塡料的封止劑1 0爲,對波長 約4 0 0 n m〜8 0 0 n m的可見光,有約3 0 %以上之透過率爲理 想,有約70%以上之透過率更理想。 在基板1上外周部之封止劑1 1爲,可用添加塡料及 乾燥劑之物。作爲添加至封止劑1 1的乾燥劑爲,可用於 第3之實施之形態所示的乾燥劑。封止劑1 1的材料爲, 可用於第1之實施之形態所示之物。 由在封止劑1 〇、1 1添加塡料提高封止劑1 0、1 1的耐 濕性,由在封止劑1 1添加乾燥劑吸收在封止劑1 1中所含 的水分至乾燥劑。因而,更可充分的防止向有機EL元件 5 〇的水分之浸入。 在添加至封止劑1 〇的塡料含有率極低的場合,因爲 減低由塡料的添加的白色化,可將由有機EL元件50發 生的光通過封止劑10向外部充分的取出。而且,因爲, 黏度的上昇也減低,於基板1與封止板2 0黏合時,封止 劑10容易擴大至全體,能以均勻的厚度黏合基板1與封 止板2 0。 I233316 (20) (第6之實施之形態) 有關第6之實施之形態的有機E L裝置1 以下之點,有與第2圖之有機EL裝置1〇〇 造,由與第1之實施之形態同樣的製造方法製 在基板1上封止有機EL元件50的封止j 板1上之外周部之封止劑1 1爲,可用添加墳 之物。 作爲添加至封止劑1 〇、1 1的塡料爲,可 實施之形態所示的塡料,作爲乾燥劑爲,可用 實施之形態所示的乾燥劑。尙且,添加至封止 料之含有率爲,最好比添加至封止劑11的塡 極低。 於本實施形態,添加了塡料及乾燥劑聲 爲,對波長約 400nm〜8 00nm的可見光,有約 透過率爲理想,有約7 〇 %以上之透過率更理想 由在封止劑1 〇、1 1添加塡料提高封止劑 性,由在封止劑1 0、1 1添加乾燥劑吸收在封 中所含的水分至乾燥劑。因而,更可充分的 EL元件50的水分之浸入。 在添加至封止劑1 〇的塡料含有率極低的 減低由塡料的添加的白色化,可將由有機EL 生的光通過封止劑1 〇向外部充分的取出。而 黏度的上昇也減低,於基板1與封止板2〇黏 劑1 0容易擴大至全體’㊆以均句的厚度黏合: 0 0爲*除了 有相同的構 造。 削1 0及在基 :料及乾燥劑 用於第1之 以於第3之 劑10的塡 料之含有率 J封止劑1 〇 30%以上之 〇 1 0的耐濕 止劑1 0、1 1 防止向有機 場合,因爲 元件50發 且,因爲, 合時,封止 _板1與封 -24- (21) 1233316 止板20。 (第7之實施之形態) 第3圖爲有關第7之實施形態的有機EL裝置之模式 的斷面圖。有關第7之實施之形態的有機el裝置1 〇〇 爲’除了以下之點’有與第2圖之有機EL裝置100有相 同的構造,除了以下之點,由與第丨之實施之形態同樣的 製造方法製造。 於本實施之形態’取代於第2之實施之形態用的封止 劑10而用封止劑12。作爲封止劑12,具體的爲,可用聚 氯丁烯橡膠系、腈橡膠系、苯乙烯-丁二烯橡膠系、天然 橡膠系、丁基橡膠系或矽膠系等的橡膠系的黏著劑(黏著 薄板)。 於有機EL裝置1〇〇之製造時,在事先與彩色濾光片 21 —體形成的封止板20之下面中央部(於黏合時複數之 有機EL元件50之上部位置)先貼上封止劑12。在此場 合’封止劑1 1的成膜或塗佈後,在真空室內,進行封止 板20與基板1的黏合。 尙且’封止劑12之向封止板20的黏合作業爲’以添 加了塡料的封止劑1 1的網版印刷法成膜或由分注器在塗 佈之後進彳7亦可。 因爲封止劑12是固體,比黏度低的封止劑容易處 理。而且,因爲爲固體的封止劑12自體有一定的厚度, 可以均勻的厚度黏合基板1與封止板20,提高膜厚的均 -25 - 1233316 (22) 勻性。更且,封止劑12爲,能事先先黏附在封止板20 上,可謀求製造工程的簡化。 於本實施形態,封止劑 12爲,對波長約 4〇Onm〜8 00nm的可見光,有約 30%以上之透過率爲理 想,有約7 0 %以上之透過率更理想。 尙且,於本實施形態,作爲封止劑1 1可用用於上述 第2〜第5之實施之形態的封止劑11,可顯現與上述同樣 的效果。 (第8之實施之形態) 第4圖爲有關第8之實施形態的有機EL裝置之模式 的斷面圖。有關第8之實施之形態的有機EL裝置1 00 爲,除了以下之點,有與第3圖之有機EL裝置1 00有相 同的構造,由與第7之實施之形態同樣的製造方法製造。 於本實施形態,取代於第7之實施之形態使用的封止 板20而用在外周部的近邊形成溝30的封止板20a。在溝 3 0,收納乾燥劑3 1。 於有機EL裝置1〇〇之製造時,在事先與彩色濾光片 21 —體形成的封止板20之下面外周部近邊形成溝30,在 溝3 0的內部收納乾燥劑3 1。乾燥劑31爲有液狀或固體 (薄板)狀的形態,具體的爲,可用於第3之實施之形態所 示的材料。尙且,形成溝3 0在覆蓋封止劑1 2的位置。 由在封止板2 0之下面外周部近邊之溝3 0收納乾燥劑 3】,吸收封止劑1 2中所含的水分至乾燥劑。因而,更可 -26- (23) 1233316 充分的防止向有機E L元件5 0的水分之浸入。 更且,因爲溝3 0覆蓋至封止劑12,可防止乾燥劑3 1 與封止劑1 1接觸而反應。而且,因爲乾燥劑3 1收納在封 止板2 0的溝3 0內,即使在因吸水而產生乾燥劑3 1的體 積膨脹時,可防止由向封止劑1 2施加應力而降低密著 性。 尙且,於本實施形態,作爲封止劑1 1可用用於上述 第2〜第5之實施之形態的封止劑1 1,可顯現與上述同樣 的效果。 (第9之實施之形態) 第5圖爲,有關第9之實施形態的有機EL裝置之模 式的斷面圖。有關第9之實施之形態的有機EL裝置100 爲,除了以下之點,有與第2圖之有機EL裝置100有相 同的構造,由與第1之實施之形態同樣的製造方法製造。 於本實施形態,在有機EL元件5 0的上面及側面形 成保護膜13。作爲保護膜13,可用由氧化矽、氧氮化矽 或氮化矽等之無機膜或聚對二甲苯等之高分子膜構成的單 層膜或複層膜。 於有機EL裝置100之製造時,在向基板1上的有機 EL元件50之形成後,在有機EL元件50之上面及側面形 成由真空蒸鍍法、CVD法(化學蒸鍍法)或噴鍍法等之各種 成膜法形成了保護膜1 3後,與第6之實施之形態通過同 樣之封止劑而黏合基板1與封止板20,封止有機EL元件 -27- (24) 1233316 50 〇 在此場合,因爲在有機EL元件5 0形成非透水性的 保護膜1 3,更可充分的防止向有機EL元件5 0的水分之 浸入。尙且,於第6之實施之形態取代封止劑1 0,在使 用於第7及第8之實施形態被使用的封止劑1 2的場合, 亦可得同樣的效果。 而且,於本實施之形態,作爲封止劑1 0、1 1可用於 上述第2〜第5之實施之形態被使用的封止劑1 0、1 1,可 顯現與上述同樣之效果。 以上,於第1〜第9之實施之形態,封止劑1 〇、12相 當於第1之封止劑、封止劑1 1相當於第2之封止劑。 而且,於上述第2〜第9之竇施之形態,爲了與第1 之實施之形態同樣使封止劑1 1的外周面變形至凹狀,也 可使用襯墊。 [實施例] 在實施例1〜9爲,在基板上形成單體之有機EL元 件,隨上述第1〜第9之實施之方法封止有機EL元件。 [實施例1] 第6圖爲,圖示有關實施例1的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。在實施例1爲,由上述第1之實施形 態之方法進行封止。 如第6圖所示,在基板1上形成單體之有機EL元件 -28- (25) 1233316 50。在基板1上之有機EL元件50之上部及外周部設置 封止劑1 〇,在基板1上之封止劑1 0的外周部設置封止劑 1 1。在封止劑1 〇之上面側接著封止板2 〇。 首先,形成有機EL元件50於基板1上,作爲基板 1,使用了玻璃基板。 有機EL元件50爲,有電洞注入電極2、電洞注入層 3、電洞輸送層4、發光層5、電子輸送層6、電子注入層 7及電子注入電極8的層疊構造。用銀作爲電洞注入電極 2、用鎂銀合金作爲電子注入電極8。 接著,在封止板20之下面外周部,將已添加塡料的 封止劑1 1由網版印刷法均勻的成膜,在封止板2 0之中央 部滴下封止劑1 〇。 在封止板2 0使用玻璃。如第1表所示,在封止劑i 〇 用紫外線硬化型環氧樹脂,在封止劑丨〗使用添加了 3 〇% 之氧化砂(塡料)的紫外線硬化型環氧樹脂。封止劑1 〇的 黏度爲5Pa. s、封止劑丨丨的黏度爲5〇pa· s。 —一^_ [第 1 表] ___封止劑1 〇 封止劑η 材料 硬化型環氧樹脂 紫外線硬化型環氧樹脂 塡料 一 氧化矽(30%) 乾燥劑 一 — 黏度 5 P a · s 50Pa · s -29- (26) 1233316 之後,爲了黏合封止板2 0與基板1,將封止板2 0及 基板1導入真空室內。 於在大氣壓下開放的真空室內,將封止板2 0與具備 有機EL元件5 0的基板1裝配於各個基板夾具。在此狀 態,密閉真空室,將真空室內減壓至所定之真空度。 接著,於真空狀態之真空室內,由操作基板夾具進行 對向封止板20與基板1地調整位置,重疊封止板20與基 板1。因而,進行再度調整位置,將封止板20與基板1 以所定之壓力黏合。 黏合封止板20與基板1之後,解除真空室內之真空 狀態,由真空室內取出相互黏合的基板1及封止板20。 最後,以紫外線照射基板1與封止板2 0之間的封止劑 1 〇、1 1使其硬化,結束有機EL元件5 0的封止。 封止劑1 1之寬度tl(在基板1表面平行方向的尺寸) 約1〜5mm,基板1之下面與封止板20的上面之間的厚度 約 0.5 〜2.0mm 〇 [實施例2] 第7圖爲,圖示有關實施例2的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。在實施例2,由上述第2之實施之形 態之方法進行有機EL元件50之封止。封止構造除了以 下之點,與第6圖之封止構造相同,封止步驟除了以下之 點,與實施例1相同。 在對封止板2 0之下面外周部成膜封止劑n時,形成 -30- 1233316 (27) 封止劑1 1之寬度t2(在基板1表面平行方向之尺寸)比於 實施例1在封止劑1 1之寬度11變爲較厚。 於本實施例2,如第2表所示,在封止劑1 0用紫外 線硬化型環氧樹脂,在封止劑1 1使用添加了 3 0 %之氧化 砂(塡料)的紫外線硬化型環氧樹脂。封止劑1 〇的黏度爲 5Pa· s、封止劑11的黏度爲50Pa· S。 [第2表] 封止劑1 0 封止劑1 1 材料 紫外線硬化型環氧樹脂 紫外線硬化型環氧樹脂 罈料 _ 氧化矽(30% ) 乾燥劑 — 黏度 5 P a · s 5 0 P a · s
封止以上地有機E L元件5 0在基板1上的結果,封 止劑1 1之寬度12約2〜1 0 m m。 [實施例3 ] 第8圖爲,圖示有關實施例3的有機jgL元件之封止 構造模式的斷面圖。在實施例3,由上述第3之實施之形 態之方法進行有機EL元件50之封止。封止構造除了以 下之點’與第7圖之封止構造相同,封止步驟除了以下之 點’與實施例1相同。 取代第7圖之封止劑Π,使用添加了塡料及乾燥劑 -31 - (28) 1233316 的封止劑1 1 a。 於本實施例3,如第3表所示,在封止劑1 〇用紫外 線硬化型環氧樹脂,在封止劑1 1 a使用添加了 3 〇 %之氧化 石夕(塡料)及3 °/〇的氧化鈣的紫外線硬化型環氧樹脂。封止 劑1〇的黏度爲5Pa· s、封止劑lla的黏度爲50Pa· [第3表1 封止劑1 0 封止劑1 1 a 材料 紫外線硬化型環氧樹脂 紫外線硬化型環氧樹脂 塡料 — 氧化矽(30% ) 乾燥劑 — 氧化鈣(3%) 黏度 5 P a · s 5 0 P a · s 如以上地封止有機E L元件5 0在基板1上的結果, 封止劑1 la之寬度t2約爲2〜l〇mm。 [實施例4 ] 第9圖爲,圖示有關實施例4的有機el元件之封止 構造模式的斷面圖。在實施例4,由上述第4之實施之形 態之方法進行有機EL元件5 0之封止。封止構造除了以 下之點,與第7圖之封止構造相同,封止步驟除了以下之 點’與實施例1相同。 取代第7圖之封止劑1 〇,使用添加了塡料的封止劑 1 0a ° -32- (29) 1233316 於本實施例4,如第4表所示,在封止劑1 〇 a用添加 了 5 %氧化矽(塡料)的紫外線硬化型環氧樹脂,在封止劑 1 1使用添加了 30%之氧化矽(塡料)的紫外線硬化型環氧樹 脂。封止劑1 0 a的黏度爲 8 P a · s、封止劑l 1的黏度爲 50Pa · s 〇 [第4表] 封止劑1 0 a 封止劑1 1 材料 紫外線硬化型環氧樹脂 紫外線硬化型環氧樹脂 塡料 氧化砂(5 % ) 氧化矽(30%) 乾燥劑 _ 黏度 8 P a · s 5 0 P a · s 如以上地封止有機EL元件5 0在基板1上的結果, 戈寸止劑11之寬度t2約爲2〜10mm。 [實施例5] 第1 〇圖爲,圖示有關實施例5的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。在實施例5,由上述第5之實施之 形態之方法進行有機EL元件5 0之封止。封止構造除了 & T之點’與第7圖之封止構造相同,封止步驟除了以下 之點’與實施例1相同。 取代第7圖之封止劑1 0,使用添加了塡料的封止劑 1 。而且’取代第7圖之封止劑丨丨,使用添加了塡料及 -33- (30) 1233316 乾燥劑的封止劑11 a。 於本實施例5,如第5表所示,在封止劑1 〇 a用添加 了 5 %氧化矽(塡料)的紫外線硬化型環氧樹脂,在封止劑 11a使用添加了 30%之氧化矽(塡料)及3%的氧化鈣的紫外 線硬化型環氧樹脂。封止劑的黏度爲8Pa · s、封止 劑11 a的黏度爲5 0 P a · s。 [第5表] 封止劑l〇a 封止劑1 1 a 材料 紫外線硬化型環氧樹脂 紫外線硬化型環氧樹脂 塡料 氧化矽(5% ) 氧化矽(3 0 % ) 乾燥劑 一 氧化金ξ (3 %)_ 8 P a · s 5 0 P a · s
如以上地封止有機E L元件5 0在基板1上的結果 封止劑11a之寬度t2約爲2〜〗0mm。 [實施例6;| 第11圖爲,圖示有關實施例6的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。在實施例6,由上述第6之實施之 形態之方法進行有機EL元件5 0之封止。封止構造除了 以下之點,與第7圖之封止構造相同,封止步驟除了以下 之點’與實施例1相同。 取代第7圖之封止劑1 〇,使用添加了塡料及乾燥劑 -34- (31) 1233316 的封止劑1 0 b,而且,取代第7圖之封止劑n,使用添加 了塡料及乾燥劑的封止劑1 1 a。 於本貫施例6 ’如第6表所示,在封止劑1 〇 b用添加 了 5 %氧化矽(塡料)及3 %的氧化鈣的紫外線硬化型環氧 樹脂,在封止劑1 la使用添加了 30%之氧化矽(塡料)及 3 %的氧化鈣的紫外線硬化型環氧樹脂。封止劑丨的黏 度爲8Pa · s、封止劑1 la的黏度爲50Pa · s。 [第6表] 封止劑1 Ob 封止劑1 1 a 材料 紫外線硬化型環氧樹脂 紫外線硬化型環氧樹脂 塡料 氧化矽(5% ) 氧化矽(30% ) 乾燥齊!1 氧化鈣(3%) 氧化鈣(3%) 黏度 8 P a · s 5 0 P a · s 如以上地封止有機EL元件5 0在基板1上的結果, 封止劑11a之寬度t2約爲2〜10mm。 [實施例7] 第1 2圖爲,圖示有關實施例7的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。在實施例7 ’由上述第7之實施之 形態之方法進行有機EL元件5 0之封止。封止構造除了 以下之點,與第7圖之封止構造相同,封止步驟除了以下 之點,與實施例1相同。 - 35- (32) 1233316 取代第7圖之封止劑1 〇,使用封止劑1 2。而且,作 爲有機EL元件50之封止步驟,在向封止板20之封止劑 1 1的成膜作業之前,在封止板20之下面中央部(於黏合 時複數之有機EL元件50之上部位置)黏上封止劑12。因 而,不進行於實施例2向封止板20的封止劑1 0之滴下作 業。 於本實施例7,如第7表所示,在封止劑1 1使用添 加了 30%之氧化矽(塡料)的紫外線硬化型環氧樹脂,在封 止劑1 2使用丁基系橡膠的黏著薄板(黏著層)。封止劑1 1 的黏度爲50Pa _ s。 [第7表]
如以上地封止有機EL元件5 0在基板1上的結果 封止劑1 1之寬度t2約爲2〜1 Omm。 [實施例8] 第13圖爲’圖不有關實施例8的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。在實施例8,由上述第8之實施之 -36- I233316 (33) 形態之方法進行有機E L元件5 0之封止。封止構造除了 以下之點,與第1 2圖之封止構造相同,封止步驟除了以 下之點,與實施例7相同。 取代第1 2圖之封止板20,使用了在外周部近邊已形 成溝30的封止板20a。在溝30,收納了乾燥劑31。 作爲有機EL元件50之封止步驟,事先在封止板20 之下面外周部近邊形成溝3 0,由在溝3 0之內部收納乾燥 劑31製作封止板20a。尙且,向封止板20a之下面中央 部之黏附爲,封止劑1 2如覆蓋溝3 0地進行。 於本實施例8,如第8表所示,在封止劑1 1使用添 加了 30%之氧化矽(塡料)的紫外線硬化型環氧樹脂,在封 止劑1 2使用丁基系橡膠的黏著薄板(黏著層)。封止劑i ! 的黏度爲50Pa· s。
如以上地封止有機EL元件5 0在基板1上的結果, 封止劑1 1之寬度t2約爲1〜5mm。 - 37 - 1233316 (34) [實施例9] 第14圖爲,圖示有關實施例9的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。在實施例9’由上述第9之實施之 形態之方法進行有機EL元件5 0之封止。封止構造除了 以下之點,與第7圖之封止構造相同,封止步驟除了以下 之點,與實施例1相同。 在有機EL元件5 0之上面及側面形成保護膜1 3。取 代第 7圖之封止劑1〇,使用添加了塡料及乾燥劑的封止 劑1 〇b。而且,取代第7圖之封止劑11,使用添加了塡料 及乾燥劑的封止劑1 1 a。 作爲有機EL元件5 0之封止步驟,在向基板1上形 成有機EL元件50後在有機EL元件50之上面及側面以 噴鍍法形成保護膜1 3。在對封止板2 0之下面外周部封止 劑1 1之成膜時,形成了封止劑1 1 a寬度t2比於實施例1 封止劑1 1之寬度tl變厚。之後,通過封止劑i〇b、1 la 黏合基板1與封止板20,封止了有機EL元件50。 於本實施例9,如第9表所示,在保護膜1 3,使用氮 化矽之單層膜,在封止劑1 0 b用添加了 5 %氧化矽(塡料) 及3 %的氧化鈣的紫外線硬化型環氧樹脂,在封止劑u a 使用添加了 30%之氧化矽(塡料)及3%的氧化鈣的紫外線 硬化型環氧樹脂。封止劑1 〇 b的黏度爲8 P a · s、封止劑 11a的黏度爲50Pa· s。 -38- (35) 1233316 [第9表] 封止劑l〇b 封止劑1 1 a 保護膜1 3 材料 紫外線硬化型環 紫外線硬化型環 氮化矽單層 氧樹脂 氧樹脂 膜 塡料 氧化矽(5% ) 氧化矽(3 0 % ) / 乾燥劑 氧化鈣(3%) 氧化鈣(3 % ) / 黏度 8 P a · s 5 0 P a · s / 如以上地封止有機EL元件5 0在基板1上的結果, 封止劑1 1 a之寬度12約爲1〜1 〇 in in。 [比較例] 在比較例爲,在基板上形成單體之有機EL元件,隨 以下所示的方法封止有機EL元件。 第1 5圖爲,圖示有關比較例的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。 如第1 5圖所示,在基板1上形成單體之有機EL元 件5 0。在基板1上之有機EL元件5 0之上部及外周部設 置封止劑1 〇,在封止劑1 〇之上面側接著封止板2 0。 首先,形成有機EL元件50於基板1上。作爲基板 1,使用了與實施例1〜9同樣的玻璃基板。 有機EL元件50爲,有與實施例1〜9同樣的構造, 被用作爲電洞注入電極2及電子注入電極8的電極也與實 施例1〜9相同。 -39- (36) 1233316 接著,在封止板20滴下封止劑10。在封止板20使 用了玻璃。如第1 〇表所示,在封止劑1 0使用了紫外線硬 化型環氧樹脂。封止劑1 〇的黏度爲5 P a · s。 [第1 〇表] 封止劑1 0 材料 紫外線硬化型環氧樹脂 塡料 一 乾燥劑 一 黏度 5 P a · s 之後,在大氣中將封止板20與基板1通過封止劑1 0 互相重疊,在該狀態,由用滾輪由封止板2 0的一邊至他 邊而給予按壓力黏合封止板20與基板1。最後,以紫外 線照射基板1與封止板20之間之封止劑1 〇使其硬化。終 了有機EL元件50之封止。 於本比較例,因爲在大氣中進行基板1與封止劑1 〇 之黏合,在已被硬化的封止劑1 〇內部確認出氣泡40。 [評價] 有關於上述實施例1〜9及比較例已被封止的有機EL 元件5 0由以下之方法進行高溫多濕試驗。 在高溫多濕試驗,將已被封止的有機EL元件5 0,於 溫度8 5 °C、濕度8 5 %之環境下使其連續發光,而經時的 -40- 1233316 (37) 測定由電洞注入電極2之邊緣的非發光領域之擴大。尙且 有機E L元件5 0之非發光領域之判定以目視進行,算出 由電洞注入電極2之邊緣的非發光領域之距離。 圖示有關實施例1〜9及比較例之有機EL元件5〇之 高溫多濕試驗之結果於第11表及第16圖。第16圖爲’ 圖不於比較例及實施例1〜9已被封止的有機E L元件之@ 溫多濕試驗之結果的線圖。 [第11 表] 置時間 \(hr) 對象 \ 0 100 200 300 400 5〇〇 由 比較例 0 67 93.8 115.9 137 15〇_^ 電 實施例1 0 44.8 62.7 77.5 89.6 1〇〇^ 極 實施例2 0 33.6 47.4 58.1 67.2 邊 實施例3 0 29.1 4 1 50.3 58.2 緣 實施例4 0 28.1 40 49 57 之 實施例5 0 22.4 3 1.6 38.7 44.8 距 實施例6 0 17.9 25.3 30.9 35.8 離 實施例7 0 23 33 40 46 (μιη) 實施例8 0 15 24 29 34 3 實施例9 0 2.24 3.16 3.88 4.47 5〆
如第Π表所示,由比較例已被封止的有機EL元件 -41 - 1233316 (38) 50爲,於100小時連續發光時由電洞注入電極2的邊緣 經過67 // m而判斷出非發光領域、於200小時連續發光 時由電洞注入電極2的邊緣經過93.8 // m而判斷出非發光 領域、於3 00小時連續發光時由電洞注入電極2的邊緣經 過1 15.9 μ m而判斷出非發光領域。而且,於400小時連 續發光時由電洞注入電極2的邊緣經過1 3 7 // m而判斷出 非發光領域、於5 00小時連續發光時由電洞注入電極2的 邊緣經過1 5 0 // m而判斷出非發光領域。此場合的非發光 領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線h 1。 一方面,由實施例1已被封止的有機EL元件 5 0 爲,比由比較例已被封止的有機EL元件50的非發光領 域之經時變化,抑制了約3 3 %非發光領域之發生及擴大。 此場合的非發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線 jl ° 由實施例2已被封止的有機EL元件5 0爲,比由比 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域之經時變 化,抑制了約5 0%非發光領域之發生及擴大。此場合的非 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 2。 由實施例3已被封止的有機EL元件50爲,比由比 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域之經時變 化,抑制了約5 6 %非發光領域之發生及擴大。此場合的非 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 3。 由實施例4已被封止的有機E L元件5 0爲,比由比 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域之經時變 -42 - (39) 1233316 化,抑制了約5 7%非發光領域之發生及擴大。此 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 4。 由實施例5已被封止的有機EL元件5 0爲 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域 化,抑制了約66%.非發光領域之發生及擴大。此 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 5。 由實施例6已被封止的有機EL元件50爲 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域 化,抑制了約73 %非發光領域之發生及擴大。此 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 6。 由實施例7已被封止的有機EL元件5 0爲 較例已被封止的有機E L元件5 0的非發光領域 化,抑制了約66%非發光領域之發生及擴大。此 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 7。 由實施例8已被封止的有機EL元件5 0爲 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域 化,抑制了約75%非發光領域之發生及擴大。此 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 8。 由實施例9已被封止的有機EL元件50爲 較例已被封止的有機EL元件5 0的非發光領域 化,抑制了約96%非發光領域之發生及擴大。此 發光領域之經時變化圖示於第1 6圖之曲線j 9。 由以上的結果,由實施例1〜9已被封止的有 件50爲,都在大氣中進行封止作業,且比僅以Ϊ 場合的非 ,比由比 之經時變 場合的非 ,比由比 之經時變 場合的非 ,比由比 之經時變 場合的非 5比由比 之經時變 場合的非 ,比由比 之經時變 場合的非 機EL元 寸止劑1 0 -43- 1233316 (40) 封止的比較例之有機EL元件5 0,於連續發光時減低劣化 的進行。 而且,於上述各實施例已被封止的有機EL元件50 的全體之厚度爲,約0.5〜2.0 mm。對此,如第17圖所示 在取代封止劑1〇而用了封止罐20J的場合,在全體變爲 需要2.2 mm以上之厚度。因而,於上述各實施例製作的 有機EL元件50可實現薄型化。 [圖式簡單說明】 第1圖爲,(a)爲有關第1之實施形態的有機EL裝置 之模式的斷面圖、第1(b)圖爲第1(a)圖之有機EL裝置之 一部之擴大圖。 第2圖爲,有關第2之實施形態的有機EL裝置之模 式的斷面圖。 第3圖爲,有關第7之實施形態的有機EL裝置之模 式的斷面圖。 第4圖爲,有關第8之實施形態的有機EL裝置之模 式的斷面圖。 第5圖爲,有關第9之實施形態的有機EL裝置之模 式的斷面圖。 第6圖爲,圖示有關實施例1的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。 第7圖爲,圖示有關實施例2的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。 -44 - (41) 1233316 弟8圖爲’圖不有關貫施例3的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。 第9圖爲,圖不有關實施例4的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。 弟10圖爲’圖不有關實施例5的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。 第11圖爲’圖不有關實施例6的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。 第12圖爲,圖示有關實施例7的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。 第13圖爲,圖示有關實施例8的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。 第14圖爲,圖示有關實施例9的有機EL元件之封 止構造模式的斷面圖。 第1 5圖爲,圖示有關比較例的有機EL元件之封止 構造模式的斷面圖。 第1 6圖爲,圖示於比較例及實施例1〜9已被封止的 有機EL元件之高溫多濕試驗之結果的線圖。 第17圖爲,以往之有機EL裝置之模式的斷面圖。 [圖號說明] 1 :基板 2 :電洞注入電極 3 :電洞注入層 - 45- (42) (42)1233316 4 :電洞輸送層 5 :發光層 6 :電子輸送層 7 :電子注入層 8 :電子注入電極 1 0 :封止劑 1 0 a :封止劑 1 0 b :封止劑 1 1 :封止劑 1 2 :封止劑 1 3 :保護膜 2 0 :封止板 2 1 :彩色濾光片 30 :溝 3 1 :乾燥劑 4 0 :氣泡 50 :有機EL元件 I 〇〇 :有機EL裝置 900 :有機EL裝置 II :封止劑1 1之寬度 t2 :封止劑1 1之寬度 -46-

Claims (1)

  1. (1) 1233316 拾、申請專利範圍 1. 一種有機電激發光裝置之製造方法,係具備:在基 板上形成1或複數的有機電激發光元件的工程、 和將爲了封止前述1或複數的有機電激發光元件的1 種類以上的封止劑,設置於前述基板及封止板的至少一方 的工程、 和在減壓氣氛中將前述基板和前述封止板通過前述封 止劑黏合的工程、 和將通過前述封止劑黏合的前述基板及前述封止板在 大氣中取出而使前述封止劑硬化的工程。 2. 如申請專利範圍第1項所記載的有機電激發光裝置 之製造方法,其中,前述1種類以上的封止劑爲包含一種 類的第1之封止劑和他種類的第2之封止劑,前述第1之 封止劑有比前述第2之封止劑低的黏度,設置前述第1之 封止劑封止前述基板上的前述1或複數的有機電激發光元 件,設置前述第2之封止劑在基板上的外周部包圍1或複 數的有機電激發光元件。 3. —種有機電激發光裝置,係具備: 基板、 和配置在前述基板上1或複數的有機電激發光元件、 和爲了封止前述1或複數的有機電激發光元件的複數種類 之封止劑, 將前述1或複數的有機電激發光元件以前述複數種類 之封止劑之中一種類的第1之封止劑封止’將包圍前述1 一 47- (2) 1233316 或複數的有機電激發光元件的前述基板上之外周部,由其 他種類的第2之封止劑封止。 4.如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,前述第1之封止劑有比前述第2之封止劑低的 黏度。 5 .如申請專利範圍第4項所記載的有機電激發光裝 置,其中,在前述第1之封止劑添加塡料。 6. 如申請專利範圍第4項所記載的有機電激發光裝 置,其中,在前述第1之封止劑添加乾燥劑。 7. 如申請專利範圍第4項所記載的有機電激發光裝 置,其中,前述第1之封止劑由接著劑構成。 8. 如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,前述第1之封止劑由薄板狀之黏著劑構成。 9. 如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,在前述第2之封止劑添加塡料。 1 〇.如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,在前述第2之封止劑添加乾燥劑。 n .如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,前述第2之封止劑接於前述1或複數的有機電 激發光元件。 12.如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,在前述基板通過前述複數種類之封止劑黏合封 止板。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載的有機電激發光裝 -48- (3) 1233316 置,其中,在對向前述基板的前述封止板設置收納乾燥劑 的收納部。 1 4 ·如申請專利範圍第12項所記載的有機電激發光裝 置’其中,前述封止板由透光性材料構成,在對向前述基 板的前述封止板之面設置彩色濾光片。 1 5 ·如申請專利範圍第3項所記載的有機電激發光裝 置,其中,前述1或複數的有機電激發光元件由單層或複 數層構成的保護膜被覆。 16.—種有機電激發光裝置,係具備: 基板、 和配置在前述基板上的1或複數的有機電激發光元 件、 和爲了封止前述基板上的1或複數的有機電激發光元 件的封止劑、 和在前述基板通過前述封止劑黏合的封止板, 基板與封止板之間的封止劑之外周面被形成至凹狀。
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