TWI228266B - Management system, management method and apparatus, and management apparatus control method - Google Patents

Description

1228266 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 管理方法有 曝光設備， 成在網線上 電力依使一 光光線波長 之NA或縮短 之方法，曝 :i -線電燈移 !爲248nm和 已被使用作 :準分子雷射 波長1 3 n m之 :光源，或同 是以下一代 本發明與一種管理工業裝置之管理系統和 關，且尤其是與一曝光設備中之有效對位有關 【先前技術】 電路之微圖案案化和密度之增加需要一 加以製造一裝置，以較局之解析電力使一形 之電路圖案投射在一晶圓上。電路圖案解析 網線圖案投射在晶圖上之投射光學系統之曝 和N A (數値光圈）而定。增加投射光學系統 曝光光線之波長可增加解析電力。至於後者 光光源從g、線電燈移至i -線電燈，且進而從 至準分子雷射。如準分子雷射，也有振盪波| 193nm之KrF準分子雷射和ArF準分子雷射，且 爲一曝光設備之光源。 目前，一使用較短振盪波長爲157nm之F: 之VUV (真空紫外線）曝光設備，及一使用 EUV光源（例如，一雷射電漿光源，緊縮電獎 步加速器光源）之EUV (極紫外線）曝光設備 之曝光設備加以檢驗的。 與電路微圖案化一起，以高精確度對準-上面有形成一 電路圖案之網線及上面有投射電路圖案之晶圓的需求亦已上 升。必要之精確度通常爲電線寬度之1/3。例如’在180-nm (2) 1228266 設計規則中之必要精確度爲1/3，即60nm。 已提出各種裝置結構並加以檢驗供作商用。因個人電腦 等之散佈，微圖案已從如DRAM之記憶體移至CPU晶片。就 進一步之IT革命，在稱爲家用無線LAN和藍芽之通記系統裝 置，使用頻率爲77GHz之車用雷達所代表之高速公路交通系 統 （ITS:智慧型傳輸系統），及使用頻率爲24GHz至38GHz 之無線存取系統 （LMDS:局部多點分佈服務）中所使用之 MMIC (毫米波單晶積體電路）等之開發將使電路進而微圖 案化。 也有提出各種半導體裝置之製程。作爲解決曝光設備 不足深度之平面化技術，W-CMP (鎢化學機械式拋光）法 已是過時技術。取代的是，Cii雙波紋法已得到很大之注意 〇 使用各種半導體裝置之結構與材料。例如，有提出一 種P-HEMT (僞晶高電子移動性電晶體）和M-HEMT (變形-HEMT)，其藉由結合如GaAs和InP之化合物，和使用SiGe， SiGeC等之HBT (異質接面雙極電晶體）而形成。 在半導體工業之目前狀況下’在使用如曝光設備之半 導體製造設備中必須對應各曝光方法和各個產品設定許多 之設備參數。這些參數並非彼此無關，而是彼此緊密相關 〇 這些參數値，傳統上已經由負責製造裝置者之錯誤嘗 試法所決定。要決定最佳之參數値需花長期時間。如果， 例如’決定參數値後發生程序誤差，製造即根據該誤差加 (3) 1228266 以變更。以這變更，必須再變更製造裝置之參數値。而且 在這情況中，要花長期時間加以決定最佳之參數値。 在半導體裝置生產中，直到啓動製造裝備後，開始大 量生長花的時間有限。要決定各參數値能花之時間亦有限 。依據CoO (擁有成本），必須延長製造設備之操作時間 。要變更已決定之參數値必須快速。在這情況下，非常難 以製造各參數具有一最佳參數値之各種半導體裝置。甚至 使用原先能達成高良率之製造設備，如無法使各參數之參 數値最佳化，則會降低良率。這種低良率導致高製造成本 ，小出貨量，及弱競爭力。 【發明內容】 爲克服習知之缺點，已完成本發明，並如其說明目的 ，允許以另一工業裝置中之指定工業裝置，適當地反應一 預定參數之最佳結果參數値，並允許有效地設定該參數値 〇 本發明之另一說明目的在允許以一工業裝置，在大量 生產期間使一預定參數之參數値最佳化並允許在另一工業 裝置中適當地反映該參數値。 根據本發明，藉由提供一管理多數工業裝置之管理系 統達成前項目的，包含： 多數工業裝置，該裝置連接至一網路；以及 反映裝置，該裝置是用於在至少一剩下之工業裝置中 反映多數工業裝置之其中一裝置之參數値變化。 -8- (4) 1228266 根據本發明，藉由提供一管理連接至一網路之多數工 業裝置之管理方法，達成前項目的，包含： 一變更多數工業裝置之其中一裝置參數値變更步驟； 以及 一在至少一剩下之工業裝置中反映變更步驟中變更之 反映步驟。 根據本發明，藉由提供一管理多數工業裝置之管理設 備，達成前項目的，包含： 連結裝置，該裝置經由一網路連接多數工業裝置；以 及 反映裝置，該裝置是用於在至少一剩下之工業裝置中 反映多數工業裝置之其中一裝置之參數値變化。 根據本發明，藉由提供一管理設備控制方法，達成前項 目的，該管理設備管理連接至一網路之多數工業裝置，包 含： 一變更多數工業裝置之其中一裝置參數値之變更步驟 ;以及 在至少一剩下之工業裝置中，經由網路反映變更步驟 中多數工業裝置之其中一裝置之參數値變更之反映步驟 〇 從聯合隨圖之下列說明中，本發明之其它特性和優點 將顯而易見，其中，在其整個圖中，相同之參註字母表示 相同或類似之零件。 (5) 1228266 【實施方式】 現在將根據隨圖詳細說明本發明之較佳實施例。 <第一實施例> 第1和2圖表示根據第一實施例之一半導體製造系統。 在根據第一實施例之一管理系統之下列說明中，將稱對應 一大量生產設備，使一對位參數最佳化並被應用到一半導 體曝光設備之對位系統的一種系統爲OAP (大量生產中對 位參數之最佳化）。在這專利說明書中之參數包含之參數 可由數値，和如非數値之試樣照配置與對位方法之條件所 設定。變數亦包含除數値外，如選項，和產生條件之設備 變動元件。例如，要加以最佳化之參數爲一對位記號之記 號線寬度，對位記號之記號寬度，對位記號之記號元件間 隔，全球對位中之試樣照配置/數量，一對位光學系統之 照明模式（中心波長，波長寬度，及σ )，訊號處理區寬 度，及訊號處理區中心距離。 第1圖爲一表示根據第一實施例一整體曝光管理系統 之示意管理圖。第一實施例之曝光管理系統包含由一 LAN6 (例如，一室內LAN)所連接之多數半導體曝光設備 (在第1圖中之半導體曝光設備1和2)，一覆蓋檢視設備3 ’一中央處理單元4，及一資料庫5。中央處理單元4從半 導體曝光設備1和2及覆蓋檢視設備3收集各種測量値等， 並將他們儲在資料庫5中。雖然半導體曝光設備1和2在大 量生產下操作’但中央處理單元4使參數値達最佳化。並 -10- (6) 1228266 通知半導體曝光設備1和2這些參數値。 第8圖爲一用於說明第1圖中半導體曝光設備1之整體 佈置圖。半導體曝光設備1使晶圓1 5曝光至一網線1 2之圖 案。 在第8圖中，參照數6 0 2表示一雷射源。作爲曝光光線 用之放射雷射光束是由一·照明光學系統6 1 5加以成形，並 放射網線1 2之圖案。 網線1 2是保持在第8圖之一平台6 1 4上，該平台可在X · Y 平面中之一網線掃瞄方向中移動。參照數6 13表示具有一預 定降低倍率之投射系統。經由照明光學系統6 1 5所照明之網 線1 2圖案是經由投射系統6 1 3投射在晶圓1 5之一照片區上， 並使晶圓1 5曝光至圖案。使晶圓1 5塗上一抗蝕劑（感光劑） 並藉曝光形成一潛像。經由一晶圓夾6 1 2將晶圓1 5放在一晶 圓平台6 1 1上。如第9圖中所示，參照數6 1 7表示一能檢測形 成在晶圓15上一對位記號14之離軸對位光學系統。 晶圓平台611所在台面中（X和Y軸方向），以垂直方向 (Z軸方向），且繞各別軸，控制定位之傾斜和旋轉方向，移 動所放置之晶圓1 5。利用晶圓平台6 1之Z軸定位，使投射系 統6 1 3聚焦在晶圓1 5上。 注葸到網線平台6 1 4和晶圓平台6 1 1之移動和定位控制是 根據由一感測器（未示出）藉測量有關平台位置和態勢之 資訊所得到之位置資訊。 網線平台614和晶圓平台61 1連接至一控制器640並以即 時同步控制互換資料。雷射源602亦連接至控制器640並能達 -11 - (7) 1228266 成控制發射時序及與平台6 1 4和6 1 1移動同步之控制。控制器 64 0連接至LAN6。雖然第8圖中未表示，半導體曝光設備1亦 包含如第3圖中所示之一 TTL對位光學系統（稍後會說明） 〇 根據第一實施例之OAP序列將參考第2圖加以說明。假 設將一要曝光之晶圓載入半導體曝光設備1，並在半導體曝 光設備中放置一相對應之網線（第2圖中未示出）。 在這狀態中，半導體曝光設備以對於一工作所設定之 參數値實施稱爲AGA (高級全球對位）之全球對位。此時得 到一晶圓位率，晶圓旋轉，及位移量（所有這些將稱爲AGA 測量結果（α ))(程序1 1)。在這實例中，以配有雷射千擾 儀之Χ-Υ平台精確度測量晶圓位置。將AGA測量結果 （α ) 傳輸至控制OAP之PC/WS4 (資料傳輸18)。 利用平台驅動資訊再次驅動平台。以工作所設定參數値 以外之參數値（例如，當參數爲AGA所使用試樣照之數量時 ，該數量即自先前所設定之數量加以變更）實施AGA測量， 並得到一晶圓倍率，晶圓旋轉，及位移量（程序1 2)。類似 於利用工作所設定之先前參數値所得到之AGA測量結果（α )將這些AGA測量結果 （/3 )亦傳輸至PC/WS4 (資料傳輸 18)。而且，將在AGA測量中所檢測之所有對.位訊號傳輸至 PC/WS4 (資料傳輸18)。傳輸一對位訊號至PC/WS4加以控 制0AP之一系統稱爲ADUL (對位資料上載）。注意到試樣照 爲一在AGA中實際測量其位置之照片。 得到所有資料後，以工作所設定之參數値，根據AGA測 -12- (8) 1228266 量結果（α)實施曝光處理（程序13)。在半導體曝光設 備1和2中執行程序1 1至1 3。藉由一顯像設備（未示出）將一 曝光晶圓加以顯像。 PC/WS4將所收到之晶圓倍率，晶圓旋轉，和位移量儲 存在資料庫中，作爲AGA測量結果 （α )和（石）（程序15) 。PC/WS4對於AGA中所檢測之對位訊號實施異於AGA測量結 果（α )和（/?)處理之另一訊號處理（對應於參數値之 變更）。PC/WS4估算AGA測量結果 （r )，作爲假晶圓倍 率，晶圓旋轉，和位移量，並將他們儲存在資料庫中（程 序1 5)。雖然處理方法相同（訊號處理可因變更訊號處理方 法而變），另一訊號處理包含處理區寬度之變更，該處理 區寬度限制使用在訊號處理中之訊號範圍。 以覆蓋檢視設備3檢視顯像晶圓加以測量對位結果（檢 視結果）（程序14)。將檢視結果傳輸至PC/WS4 (資料傳輸 19)，並對應已被儲存在資料庫中之半導體曝光設備之 AGA測量結果（α)，將其儲存在資料庫中（程序15)。 在資料庫5中將由所有半導體曝光設備之對位系統所保 持之效能資訊片段加以對齊。將這些資訊片段亦適當地傳輸 至PC/WS4 (資料傳輸20)並當作決定一參數値之資訊使用。 TIS (工具引起之位移）資訊意爲 ''各半導體曝光設備之對 位系統所保持之資訊〃。在第一實施例中， ''各半導體曝 光設備之對位系統所保持資訊〃與如第3或9圖中所示之一 對位光學系統之特性有關。此後將稱這種資訊爲TIS資訊。 根據第一實施例之一 TTL對位光學系統將參考第3圖加 -13- 1228266 Ο) 以說明。第3圖爲一表示半導體曝光設備1之放大圖’該裝 置是一投射光學系統13 ’用於將網線12圖案投射在晶圓15上 。對位方法爲一經由投射光學系統^檢測一對位記號之TTL (透過透鏡）。對位光學系統包含一影像感測元件7 ’ 一分光 束器8，一透鏡9，一鏡片11 ’及一引入對位光線之照明光學 系統1 〇。對位光學系統之影像感測元件7經由投射光學系統 13檢測晶圓15上之對位記號I4之影像，實施影像處理，因此 得到對位記號1 4之位置。半導體曝光設備根據結果使網線 12和晶圓15對位。 爲了在TTL對位光學系統中形成一高品質對位記號影像 而調整對位光學系統，使得在對位光學系統內反向修正投射 光學系統中所產生之對位光線像差。這種調整使像差落在出 貨之規格中。然而，剩餘像差非爲〇。甚至假如，例如，所 有晶圓或這批號內之WIS誤差未變更時，剩餘像差和半導體 製程所造成對位記號測量値誤差（此後稱爲WIS (晶圓引起 之位移））間之協合作業變更各半導體曝光設備之對位記號 檢測誤差量。 由此，事先掌握TIS資訊，根據該量實施稍後要說明之 決定，並能對應各半導體曝光設備變更參數値。TIS資訊包 含如第4圖中所示一對位光學系統（含一投射光學系統）之 音差，球面像差，散光，及CIS (彩色影像位移），如，準 直性和光學特性之像差。尤其是，CIS表示當對位光學系統 中之光學組件傾斜時所產生之彩色像差量。由一半導體曝 光設備所對位之CIS和對位偏置量變成彼此有相互關係。 -14- (10) 1228266 回頭參數第2圖，根據AGA測量結果（含具一設定參數 値之AGA測量結果（α )，具一未設定參數値之AGA測量結 果（/3 )，及由訊號處理之假AGA測量結果（r ))和覆蓋 檢視設備3所測量之一實際對位誤差之檢視結果間之比較， PC/WS4決定爲工作所設定之目前所用參數値是否爲最佳（ 程序1 6)。決定結果如半導體曝光設備1中目前所用之參數 値爲最佳，則繼續曝光而不變更半導體曝光設備1之參數値 (程序17)。 如在程序1 6中決定要變更目前之參數値，即要得到所設 定參數値以外一較佳對位結果所預測之參數値存在時，則在 半導體曝光設備1所處理之後續批號中反映由PC/WS4所計算 之最佳參數値（程序18)。這是在半導體曝光設備1中參數 値最佳化之處理。 將說明的是在另一半導體曝光設備（半導體曝光設備 2)中反映參數値最佳化·處理結果之一種程序。在這處理中 ，是否要變更半導體曝光設備2之參數値是藉由比較，例如 ，作爲對位光學系統其中一段TIS資訊之音差量而決定的（ 程序19)。令CM 1爲半導體曝光設備1之音差量，而CM2爲 半導體曝光設備2之音差量，作爲半導體曝光設備1中所反 映之相同參數値亦反映在半導體曝光設備2中，爲CMUCM2 或CMUCM2 (程序20)。對於CM1>CM2，不變更半導體曝 光設備2之參數値（程序21)。 當要變更其參數値之一參數與音差量有高度相互關係時 ，就半導體曝光設備2之音差量大或等於半導體曝光設備1 -15- (11) 1228266 而言，最好決定在半導體曝光設備2中所設定且在半導體曝 光設備1中所決定非爲最佳之一參數値不是最佳値。亦能決 定半導體曝光設備1中之參數値變更是類似於或比半導體曝 光設備2中之最佳化更有效。因此，半導體曝光設備1中之 參數變更亦反映在半導體曝光設備2中。相反地，當半導體 曝光設備2之音差量爲小時，變更與音差量有高度相互關係 之參數値在最佳化上並非那麼有效，而決定維持已最佳化之 目前現狀。在這情況下，在半導體曝光設備2中未變更任何 參數値。 藉重複以上處理程序，甚至依程序變動，對後續批號之 參數値組合加以最佳化。根據TIS資訊加以決定是否在另一 半導體曝光設備中反映一半導體曝光設備之最佳參數値。 參數値是在決定要反映一參數値之半導體曝光設備中所反 映的。有效地使系統內一半導體曝光設備中之一參數値達 最佳化。 注意到曝光管理系統中之半導體曝光設備數量不限於 兩個。管理三或更多半導體曝光設備之TIS資訊片段並對剩 餘之半導體曝光設備施加一半導體曝光設備之最佳化處理 。此時，根據如上所述之TIS資訊，決定否要執行各半導體 曝光設備中一參數之最佳化。類似地變更並將決定要執行 最佳化之一半導體曝光設備中之一參數値加以最佳化。 在第一實施例中，藉比較音差量之數値加以決定是否要 反映後續批號中之參數値。根據資料庫5中之累積資訊可適 當地變更這種準則。例如，如果後續資料表現出甚至在具有 -16 - (12) 1228266 相同音差量之半導體曝光設備中之參數値變更未改善對位 結果’或設備P最佳化處理之必要性增加時，在具有相同音 差量之半導體曝光設備中即不實施爲求最佳化之參數値變 更。另外’如未改善對位結果時，考慮到音差値和球面像差 値而改變這準則。如有需要亦可增加系統內覆蓋檢視設備3 和PC/WS4之數量。 桌3圖中說明第一實施例之τ T L對位系統，但對位系統 並不限於此。參數値最佳化方法可被應用至，例如一離軸對 位系統。 以一離軸對位光學系統測量一對位記號位置之原理將參 考第9圖加以說明。第9圖爲一表示離軸對位光學系統6 1 7主 要建構組件之方塊圖。來自光源9 1 8之照明光線被分光束器 91 9反射，通過透鏡920，並將對位記號14照在晶圓15上。來 自對位記號14之繞射光源通過透鏡920，分光束器919，和透 鏡921，由分光束器922所分開，並由CCD感測器923和924所 接收。對位記號14由透鏡920和921放大約100之成像倍率， 並在CCD感測器923和924上形成影像。CCD感測器923和924 分別測量對位記號14之X和Y位置。一感測器針對另一感測 器圍繞光軸旋轉90°。 X和Y方向間之測量原理相同，並將說明X位置之測量。 將說明的是位置測量對位記號1 4。如第1 0 A圖中所示，第一 實施例中之對位記號14包含多數（第10A圖中爲四個）條狀 位置檢測記號（亦稱爲對位記號之 ''元件"）32，該記號在 對位測量方向（X方向）爲4μπι而在非測量方向（Y方向） -17- 1228266 (13) 爲30μιη並以預設之間隔 α = 20μιη)排列在X方向上。如第 10Β圖中所示，藉蝕刻使各元件32之切面結構成凹陷，並使 元件32塗覆一抗蝕劑（未示出）。 第11圖表示由CCD感測器923和924藉接收反射光線所達 成之一對位訊號’該反射光線是以照明光線和光電式轉換光 線照射多數位置檢測記號32而得到的。第11圖中所示之四記 號訊號受到適當之訊號處理，並檢測到其元件位置（第11 圖中由左依序爲Ml ’ M2 ’ M3和Μ4)。這些元件間之間隔 (第11圖中由左依序爲LI，L2和L3)將稱爲 ''記號元件間隔 〇 如第12 A圖中所示，以上所提及之參數包含考慮到照片 A至照片L組合之全球對位試樣照配置。 ''全球對位〃根據 使用位置資訊之預估計算爲一種將一晶圓平台移動至曝光位 置之對位方法。第12A圖爲一表示在晶圓15上AGA試樣照位 置之示意圖。 以上所提及之參數亦包含記號元件3 2之寬度和線寬。第 10A和10B圖中所示之對位記號14之記號元件32爲凹陷，但 爲消除晶圓表面上之任何凹陷，最近之程序採取的是只有外 框爲凹陷之記號元件3 2。如第1 2B圖中所示，由此之故，作 爲對位測量方向中記號元件32長度之記號寬度ML，及作爲 記號元件32框線寬度之記號線寬MLW可爲對位參數。第12B 圖爲一表示記號元件32之示意平面圖。 而且，以上所提及之參數包含如上述，限制在對位訊號 處理中所使用訊號帶之有效訊號處理區寬度。第12C爲一表 -18- (14) 1228266 示第1 1圖中對位訊號部位Μ 1之放大圖。將對位訊號處理成 得到如晶圓倍率，晶圓旋轉量和位移量之對位結果。如代表 取得作爲一有效訊號部位之有效訊號處理區寬度WW，或處 理區中心與對位訊號中心間之距離（處理區中心距離）WC 變更時，所得到之晶圓倍率，晶圓旋轉量，及位移量亦變更 。因此，訊號處理區寬度WW和訊號處理區中心距離WC可亦 爲對位參數。 採用音差作爲決定是否反映後續批號中一最佳參數値之 準則。這種準則不限於此，且可爲第4圖中所示之另一 TIS資 訊。當準則只爲CIS或準直性時，則將第2圖中所示之決定關 係：CM1 S CM2 (程序19)變更爲Cl S C2或T1 S T2。根據這關 係決定是否要變更一參數値。 使用根據第一實施例之OAP系統能使對位參數値達最佳 化，不像一習知曝光系統，除大量生產和檢驗參數値外，不 需供應一特殊晶圓（所謂的領先傳送晶圓）。半導體曝光 設備之有效效能亦獲改善而未降低大量生產之生產力。 <第二實施例> 在第一實施例中，決定是否要反映在另一曝光設備中 由一指定曝光設備所達成最佳化之參數値。如要反映這參 數値’則在另一曝光設備中直接使用最佳化之參數値。在 第二實施例中，由一指定曝光設備所達成最佳化之一參數 値乘以一根據TIS所決定之係數，即，最佳化參數是根據 一 TIS比較結果加以變更並反映在另一曝光設備中。 -19- (15) 1228266 本發明之第二實施例將根據第5圖加以說明。第5圖中 之程序50相當於第2圖中之程序18。 如第一實施例中之說明，PC/WS4使用一指定之半導 體曝光設備1 ’並根據（1)使用一工作設定之參數値（= 所設定參數値）所得到之AG A測量結果和此時所得到之一 對位訊號’ （2)使用工作所設定參數値以外之一參數値 (=未設定之參數値）所得到之A G A測量結果和此時所得到 之一對位訊號’及（3)以一覆蓋檢視設備3，在使用工作 設定之參數値曝光後，藉檢視一曝光晶圓所得到之檢視結 果（程序11至1 6)加以決定是否有一參數値組合比目則設 定之參數値組合更適當。如更適當之參數値組合存在，最 佳參數値則反映在半導體曝光設備1 (程序5 0)中。 之後，比較作爲安裝在半導體曝光設備1中一對位系 統之對位光學系統之其中一段T I S資訊之音差量C Μ 1，及 作爲安裝在半導體曝光設備2中一對位系統之對位光學系 統之其中一段TIS資訊之音差量CM2加以決定如何在半導 體曝光設備2中反映在半導體曝光設備1中所反映之參數値 。例如，對於CM 1< CM2時，以一係數K1乘以一半導體曝 光設備1中所反映之參數値所計算得到之一參數値是反映 在半導體曝光設備2 (程序52)中。對於CM1=CM2時，與 半導體曝光設備1中所反映3相同參數値亦反映在半導體曝 光設備2中（程序53)。對於CM1>CM2時，以一係數K2乘 以一半導體曝光設備1中所反映之參數値所計算得到之一 參數値是反映在半導體曝光設備2中（程序54)。曝光作 -20- 1228266 (16) 業是利用以這方式所設定之參數値加以執行白 。注意到變更之參數値是乘以一係數，但參數 參數値變更前後之差）可乘以一係數。 在第二實施例中，根據TI s資訊中之音差 向饋入之半導體曝光設備或參數値，但可依g 示另一 TIS資訊加以決定。根據PC/WS4所累積 適當地變更要乘以一參數値之係數K 1和K2之 數値。例如，當光學系統等隨著時間之變化後 數K 1和K2數値變成不適當時，即設定新係數 們變更參數。在這情況下，根據AGA測量結果 定和未設定參數値之A G A測量結果和藉訊號處 測量結果），和有關一覆蓋檢視設備之TIS資 果間相互關係之資料加以決定係數變更方向 變更量。如果，例如，乘以係數K1但結果未改 於第一實施例，下次可乘以1而非K 1 (=在原先 用之一直接使用參數値）。 <第二實施例> 將說明的是本發明之第三實施例。第一和 中之OAP可簡要表示如下。第一和第二實施例 一順向饋入系統。那就是，在使用一工作設定 AGAglj量中和使用工作設定參數値以外參數値 得到AGA測量結果和對位訊號。比較一覆蓋檢 AGA測量結果（這可包含訊號處理之假AGA測 勺（程序55) 値變更量 （ 量決定要順 |第4圖中所 之資料庫可 數値爲最佳 所計算之係 ，並利用他 (含具有設 理之假A G A 訊和測量結 (變/減）和 善，則類似 設備中所使 第二實施例 中之OAP爲 之參數値之 之AGA測量 視備結果和 量結果）， -21 - (17) 1228266 並得到一最佳參數値且能供後續之批號使用。 在 '' 順向饋入〃中，未使用領先傳送，但對先前批號 結果實施各種數値處理，並在後續批號中使用數値程序之結 果。考慮到在使用具有長期運轉時間之昂貴半導體曝光設 備是優於依據Co〇，使用一領先傳送晶圓之預處理之情況而 提出''順向饋入〃。在目前所設定參數幾乎是正確之前提下 可將 ''順向饋入〃有效地應用至許多大量生產廠地。 相反地，第三實施例應用OAP至一迴授系統。在第三實 施例中， ''迴援〃意爲預處理。每次開始一批曝光時即將稱 爲領先傳送晶圓之數個晶圓加以對位。使領先傳送晶圓曝光 ，由覆蓋檢視設備得到一偏置，並將結果輸入，作爲對半 導體曝光設備之偏置。之後，處理該批中剩餘之晶圓。更 明確地說，在第三實施例中，在使用一工作設定之參數値之 領先傳送晶圓之AGA測量中和使用工作設定參數値以外二參 數値之領先傳送晶圓之AGA測量得到AGA測量結果和對位訊 號。比較覆蓋檢視設備結果和AG A測量結果（這可包含訊號 處理之假AGA測量結果），並得到一最佳參數値且能供該批 中剩餘晶圓之AGA測量使用。 雖然爲一小量批號等特別實施CD-SEM測量，卻以覆蓋 檢視設備得到一偏置。在這情況中，能更有效地加以應用第 三實施例。 在上述實施例中，可將在運送一半導體曝光設備之一 檢視步驟中所得到之資訊儲存在一資料庫中作爲TIS資訊。 另外，可使用一 TIS測量參考晶圓，週期性地測量TIS資訊， -22- 1228266 (18) 將TIS資訊適當地更新在資料庫中。 如上述，根據上述實施例，在大量生產期間能以一工業 裝置決定一參數値是否爲最佳値，且能使該參數値最佳化。 因此，除大量生產外，不需任何長時間和高成本可使參數値 最佳化。工業裝置能以高生產力和高設備效能加以使用。能 完成一具有優良CoO之製造系統。 在上述實施例中，工業裝置爲一半導體曝光設備，並 使晶圓對位參數値達最佳化。然而，本發明不限於他們。例 如，可將本發明應用至一 CMP設備或一半導體曝光設備之 晶圓聚焦功能。 在上述OAP中，由覆蓋檢視設備得到檢視結果。另外， 例如，以一掃瞄電子顯微鏡SEM可得到一檢視結果，使一參 數値達最佳化。 <半導體裝置製程> 將說明的是使用上述半導體曝光設備之半導體裝置製 程。第6圖表示一半導體裝置整體製造程序之流程。在步 驟S 20 1 (電路設計）中，設計一半導體裝置電路。在步驟 S 202 (光罩形成）中，形成一具有所設計電路圖案之光罩 。在步驟S203 (晶圓形成）中，使用如爲矽之材料形成一 晶圓。在稱爲預製程之步驟S204 (晶圓製程）中，使用備 置之光罩和晶圓，以蝕刻術在晶圓上形成一實際電路。稱 爲後製程之步驟S 205 (組裝）爲使用在步驟S 204中所形成 之晶圓形成一半導體晶片之步驟，並包含一組裝程序（晶 -23- (19) 1228266 圓切割和打線）和封裝程序（晶片封裝）。在步驟S 206 ( 檢視）中，在步驟S205中所製造之半導體裝置受到如操作 確δ忍測Η式和耐久測3式之檢測。在這些步驟後，完成半導體 裝置並出貨（步驟S 2 0 7 )。例如’在各別專門工廠中實施 預製程和後製程’且各個工廠接收一遠端維護系統之維護。 生產管理和設備維護所用資訊是經由網際網路或專門網路在 預製程工廠和後製程工廠之間通訊。 第7圖表示晶圓製程之詳細流程。在步驟S 2 i i中（氧 化），使晶圓表面氧化。在步驟S 2 1 2 ( C V D )中，在晶圓 表面上形成一絕緣膜。在步驟S 2 1 3中（電極形成）以氣 相沈積法在晶圓上形成一電極。在步驟S 2 1 4 (離子植入） 中，將離子植入晶圓中。在步驟S 2 1 5 (抗触劑處理）中， 塗覆一感光劑至晶圓。在步驟S216 (曝光）中，以上所提 及曝光設備使晶圓曝光或一光罩之電路圖案，並將這電 路圖案印製在晶圓上。在步驟S 2 1 6 (顯像）中，使所曝光 之晶圓顯像。在步驟S2 18 (蝕刻）中，將所顯像之抗蝕劑影 像外之抗蝕劑加以蝕刻。在步驟S2 1 9 (抗蝕劑移除）中，移 除蝕劑後不必要之抗蝕劑。重複這些步驟，在晶圓上形成多 個電路圖案。以上述之管理系統使這製程中所使用之曝光設 備達最佳化，該管理系統能防止由固定參數所造成隨著時間 等形成之質降。甚至假如隨著時間發生變化，亦能廣泛使 曝光設備達最佳化而不致停止大量生產，與習知技術比較 ，增加了半導體裝置之生產力。 上述實施例已使在作爲基底之晶圓上形成一半導體裝 -24- 1228266 (20) 置之半導體曝光設備成爲一範例。本發明亦能被應用至另 一曝光設備上，如一用於使一玻璃基底曝光加以生產一液 晶顯示器之曝光設備，一用於在作爲基底之球面半導體之 球面上形成一積體電路之曝光設備，或一使用電子束或離 子束作爲光源之帶電粒子束曝光設備。 當供應一儲存軟體程式碼，加以實現上述實施例功能 之儲存媒體至一系統或設備，且該系統或設備之電腦（或 CPU或MPU)讀取並執行儲存在儲存媒體中之軟體碼時亦 能達成本發明之目的。 在這情況中，從儲存媒體所讀取之程式碼實現上述實 施例之功能，且儲存程式碼之儲存媒體構成本發明。

供應程式碼之儲存媒體包含一軟碟，硬碟，光碟，磁 光碟，CD-ROM，CD-R，磁帶’非揮發性記憶卡，和ROM 〇 當電腦執行所讀取之程式碼時即實現上述實施例之功 能。而且’當在電腦上執fr之〇 s (操作系統）等根據程式 碼指令實施部分或全部實際處理程序時即實現上述實施例 之功能。 當從儲存媒體所讀出之程式碼被寫入插入電腦中--功 能擴充卡之記憶體中或連接至電腦之一功能擴充單元之記 憶體中時，且功能擴充卡或功能擴充單元之CPU根據程式 碼指令實施部份或所有實際處理程序時亦實現上述實施例 之功能。 根據本發明，如以上已說明者’能使一指定工業裝置之 -25- 1228266 (21) 一最佳化參數値適當地反映在另一工業裝置中，在整個系 統中有效率地設定該參數値。 根據本發明，使用利用爲一預定參數所設定之參數値以 外之參數値，藉由操作一工業裝置所得到之操作結果和實 際變更參數所得到之實際操作結果，允許在大量生產期間由 工業裝置使參數値達最佳化，並允許將參數値適當反映在 另一工業裝置中。工業裝置之參數値可輕易地達到最佳化 而不致降低大量生產之生產力。設備之有效效能增加，造成 高生產力和高良率。 因能完成許多明顯廣泛不同之本發明實施例，而不偏離 其精神和範圍，要了解的是，除請求項目中所定義者外，本 發明並不限於其特定實施例。 【圖式簡單說明】 被倂入並構成專利說明書一部份之隨圖說明本發明之實 施例並與說明一起，作爲解釋本發明之原理。 第1圖爲一表示根據第一實施例一整體曝光管理系統之 示意管理圖； 第2圖爲一用於說明處理決定根據第一實施例之半導體 製造系統中，一最佳參數値並決定是否反映該參數値之流 程圖； 第3圖爲一表示半導體曝光設備之TT2對位光學系統圖

第4圖爲一表示半導體曝光設備之設備相關資訊 （TI S -26- (22) 1228266 資訊）表； 第5圖爲一表示處理決定另一半導體曝光設備中一最 佳參數値並決定如何反映該參數値之流程圖； 第6圖爲一用於說明一裝置製程之製程圖； 第7圖爲一用於說明一晶圓製程之製程圖； 第8圖爲一用於說明受到根據本發明第一實施例之工 業裝置管理之一半導體曝光設備之整體佈置圖； 第9圖爲一表示一對位單元617主要建構組件之方塊圖 第1 Ο A圖爲一對位記號1 4之表示圖。 第1 Ο B圖爲一表示對位記號1 4切面結構之切面圖； 第1 1圖爲一對位訊號之表示圖。 第12A圖爲一表示晶圓15上一 AG A試樣照配置之示意 _。 第12B圖爲一表示記號元件32之示意平面圖；以及 第1 2 C圖爲一表示第1 1圖中部份對位訊號之放大圖 $荽元件對照表 6 1 7 對位單元 14 15 3 2 1 對位記號 晶圓 記號元件 半導體曝光設備 半導體曝光設備 27- 2 (23)1228266 3 覆蓋檢視設備 4 中央處理單元 5 資料庫 6 區域網路 12 網線 602 雷射源 6 15 照明光學系統 614 平台 613 投射系統 6 11 平台 612 晶圓夾 617 離軸對位光學系統 640 控制器 13 投射光學系統 10 照明光學系統 7 影像感測元件 8 分光束器 9 透鏡 11 鏡片 918 光源 9 19 分光束器 920 透鏡 921 透鏡 922 分光束器 1228266 (24) 923 CCD感測器 924 C C D感測器 32 位置檢測記號

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Claims (1)

1228266 拾、申請專利範圍 第92 1 09620號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 3年7月19日修正 1. 一種管理多數曝光裝置之管理系統，該系統包含： 多數曝光裝置，該裝置是連接至一網路；以及 反映裝置，該裝置用於反映在至少一剩餘用於執行 曝光操作之曝光裝置中，該多數曝光裝置之其中一曝光 裝置之關於曝光操作之參數値變更。 2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中，該反映裝 置反映根據該數曝光裝置之特性資訊所選取之剩餘曝光 裝置中，該曝光裝置之參數値變更。 3. 如申請專利範圍第1項之系統，其中，該反映裝 置根據該多數曝光裝置之特性資訊片段加以變更在變更 該曝光裝置一參數後所得到之一値，並反映剩餘曝光裝 置中之變更値。 4. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含： 保持裝置，該裝置是用於保持代表各該多數曝光裝置 特性之特性資訊； 最佳化裝置，該裝置是用於使該多數曝光裝置之其中 一曝光裝置之一參數値達最佳化；以及 決定裝置，該裝置根據特性資訊加以決定由各該多數 曝光裝置之該最佳化裝置所達成最佳化之參數値之反映方 1228266 式， 其中，該反映裝置根據該決定裝置所決定之反映方式， 以最佳化參數値使剩餘曝光裝置之一參數値達最佳化。 5. 如申請專利範圍第4項之系統，其中，該最佳化裝 置根據具有一設定參數之該曝光裝置操作結果，具有一設 定參數以外參數値之該曝光裝置操作結果，及/或估算結果 ，使該曝光裝置之參數値達最佳化。 6. 如申請專利範圍第4項之系統，其中，該保持裝置 包含一保持各曝光裝置特性資訊之資料庫。 7. 如申請專利範圍第2項之系統，其中， 該特性資訊與一對位檢測系統之光學特性有關。 8. 如申請專利範圍第7項之系統，其中該特性資訊包 含至少音差，球面像差，像散性，影像色移，和遠心率之一 〇 9. 如申請專利範圍第4項之系統，其中，該決定裝置 根據特性資訊加以決定是否使最佳化參數値反映在各剩餘 曝光裝置中。 1 〇.如申請專利範圍第4項之系統，其中 特性資訊與一對位檢測系統之光學特性有關並包含音差 作爲一段特性資訊；以及 該決定裝置決定使最佳化參數値反映在曝光裝置中， 該曝光裝置之音差値不小於其參數値是由該最佳化裝置所 達成最佳化之該曝光裝置之音差値。 Π.如申請專利範圍第4項之系統，其中，該決定裝置 -2- 1228266 並決定一要反映在各 統，其中，該決定裝 參數値，該係數是根 特性資訊關係加以決 根據特性資訊加以變更最佳化參數値， 剩餘曝光裝置中之一參數値。 12.如申請專利範圍第n項之系 置以一係數乘以最佳化參數値加以變更 據該一曝光裝置和剩餘曝光裝置間之 定的。

η.如申請專利範圍第4項之系統，其中，該最佳化裝 置在生產期間’以該曝光裝置，使一参數達最佳化。 14· 一種管理連接至一網路之多數曝光裝置之管理方 法，該方法包含： 一變更步驟，該步驟變更多數曝光裝置之其中一裝置 之相關於曝光操作之參數値；以及 一反映步驟，該步驟反映至少一剩餘執行曝光操作之 曝光裝置中，變更步驟之變更。

1 5 ·如申請專利範圍第1 4項方法，其中該反映步驟根據 多數曝光裝置之特性資訊，在所選擇剩餘曝光裝置中，反映 該曝光裝置參數値變更。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中， 該特性資訊與一對位檢測系統之光學特性有關。 17. —種管理多數曝光裝置之管理設備，該管理設備 包含： 連結裝置，該裝置是用於經由一網路，連接多數曝光 裝置；以及 反映裝置，該裝置用於反映在至少一剩餘執行曝光操作 -3- 1228266 之曝光裝置中，多數曝光裝置之其中一曝光裝置之關於曝 光操作之參數値變更。 18. —種管理連接至一網路之多數曝光裝置之管理設 備之控制方法，包含： 一變更步驟，該步驟變更多數曝光裝置之其中一裝置 之關於曝光操作之參數値；以及 一反映步驟，該步驟經由網路，在至少一剩餘執行曝光 操作之曝光裝置中，反映變更步驟中多數曝光裝置之其中 一曝光裝置之參數値變更。 1 9· 一種電腦可讀取記錄媒體，該記錄媒體儲存一控制 程式，使一電腦執行一控制方法，該控制方法包含： 一變更步驟，該步驟變更多數曝光裝置之其中一裝置 之關於曝光操作之參數値；以及 一反映步驟，該步驟經由網路，在至少一剩餘執行曝光 操作之曝光裝置中，反映變更步驟中多數曝光裝置之其中 一曝光裝置之參數値變更。 20·—種半導體裝置之製造方法，該半導體裝置由連 接至一網路由一管理系統所管理之多數曝光裝置之一製造 ’該管理系包含反映裝置，該裝置用於反映在至少一剩餘 用於執行曝光操作之曝光裝置中，該多數曝光裝置之其 中一曝光裝置之一關於曝光操作之參數値變更。 -4-