JP3854921B2 - パラメータの値を決定する装置および方法、デバイスの製造方法、ならびに露光装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置に設定されるべきパラメータの値を決定する装置および方法、デバイスの製造方法、ならびに露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスを製造する半導体露光装置においては、回路の微細化及び高密度化に伴い、原版（以下、「レチクル」という。）の回路パターンをウエハー上に、より高い解像力で投影露光することが要求されている。回路パターンの投影する際の解像力は投影光学系の開口数（ＮＡ）と露光波長に依存するので、高解像度化の方法としては、投影光学系のＮＡを大きくする方法や露光波長をより短波長化する方法が採用されている。後者の方法に関し、露光波長は、ｇ線からｉ線に移行し、更にｉ線からエキシマレーザの波長に移行しつつある。現に、その発振波長が２４８ｎｍ又は１９３ｎｍのエキシマレーザを光源とした半導体露光装置が既に実用化され使用されている。
【０００３】
更に現在、発振波長を更に短波長化した、波長１５７ｎｍのＶＵＶ（真空紫外線）の露光方式、１３ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）露光方式が次世代の露光方式の候補として検討されている。
【０００４】
一方、回路パターンの微細化に伴い、回路パターンが形成されているレチクルとそれが投影されるウエハーとを高精度にアライメントすることも要求されており、その必要精度は回路線幅の１／３である。例えば、現状、回路線幅の設計値１８０ｎｍである場合に、アライメントの必要精度はその１／３の６０ｎｍである。
【０００５】
また、デバイス構造も多種多様なものが提案され、製品化に向けて検討が行われている。パーソナルコンピュータ等の普及に伴って、微細化の牽引役は、これまでのＤＲＡＭを中心としたメモリからＣＰＵチップに移行してきており、今後、更なるＩＴ化に伴い、家庭内ワイヤレスＬＡＮやＢｌｕｅｔｏｏｔｈと呼ばれる通信システム用デバイス、更に７７ＧＨｚの周波数を利用する自動車用レーダで代表される高速道路交通システム（ＩＴＳ；Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｓｙｓｔｅｍ）や２４〜３８ＧＨｚの周波数を利用する無線アクセスシステム（ＬＭＤＳ；Ｌｏｃａｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｉｎｔ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅ）で使用されるＭＭＩＣ（Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の開発が、微細化を一層進めると考えられる。
【０００６】
また、半導体デバイスの製造プロセスも多種多様であり、半導体露光装置の投影光学系の焦点深度不足の問題を解決する平坦化技術として、既にＷ−ＣＭＰ（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）プロセスは過去のものとなりつつあり、現在はＣｕを使うＤｕａｌ Ｄａｍａｓｃｅｎｅプロセスが注目されている。
【０００７】
また、半導体デバイスの構造や材料も多種多様であり、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物を組み合わせて構成したＰ−ＨＥＭＴ（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｉｃ Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭ−ＨＥＭＴ（Ｍｅｔａｍｏｒｐｈｅ−ＨＥＭＴ）や、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ等を使用したＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような半導体産業の現状において、半導体露光装置等の半導体製造装置を使用する上で、最適化すべき装置パラメータは、各露光方式、各製品に対応して多数存在する。この最適化すべきパラメータの数は膨大であり、しかも、これらのパラメータは互いに独立ではなく相互に密接に関係している。
【０００９】
従来は、デバイスメーカーの装置導入の担当者がこれらのパラメータの最適な値を試行錯誤により決定しており、この最適な値を決定するまでに膨大な時間を要していた。また、一旦パラメータの最適値が決定された後であっても、例えばプロセスエラーが発生した場合には、それに応じた製造プロセスの変更に伴って製造装置のパラメータの最適値を再度変更する必要が生じる場合があり、この場合にも膨大な時間を要していた。
【００１０】
また、半導体デバイスの生産においては、製造装置の立ち上げから量産の開始までに割くことができる時間は限られており、パラメータの最適値の決定のために割くことができる時間も当然に限られている。更に、ＣｏＯ（Ｃｏｓｔ ｏｆＯｗｎｅｒｓｈｉｐ）の観点においても製造装置の稼動時間を向上させる必要があるため、一度決定したパラメータの最適値を変更する際には、それを迅速に行う必要がある。このような状況において、多種多様な半導体デバイスを最適なパラメータ値で製造することは極めて困難であり、本来は高い歩留まりを得ることができる製造装置であっても、パラメータ値の最適化がなされないままに使用されるために、不本意な歩留まりしか得ることができず、目に見えない歩留まりの低下を招いていた。このような歩留まりの低下は、製造コストの増加や出荷量の低下を招き、競争力を低下させるという課題が有った。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する新規かつ有用な技術を提供することを例示的目的とするものである。
【００１２】
本発明にかかる、パラメータの値を決定する装置および方法、デバイスの製造方法、ならびに露光装置は、主として以下の特徴を有する。
【００１３】
すなわち、本発明のうち、第１の発明は、露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する装置であって、
前記検出ユニットにより前記パラメータの第１の値に対応した第１の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第１の情報と、前記検出ユニットにより前記パラメータの第２の値に対応した第２の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第２の情報と、前記物体上のパターンを検査する検査装置により得られた、前記露光装置が前記第１の情報に基づいて前記物体上に投影したパターンの位置に対応した第３の情報とを取得する取得手段と、
前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置に設定されるべき前記パラメータの値を決定する決定手段と
を有することを特徴とする。
【００１４】
第２の発明は、上記第１の発明において、前記決定手段は、前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置が前記第２の情報に基づいて前記物体に前記パターンを投影した場合の前記物体上の前記パターンの位置を推定し、該推定された前記パターンの位置の情報と前記第３の情報とに基づいて、前記パラメータの値を決定することを特徴とする。
【００１５】
第３の発明は、上記第１または第２の発明において、前記第１の情報および前記第２の情報のそれぞれは、前記物体の倍率、回転量およびシフト量の少なくとも１つの情報を含むことを特徴とする。
【００１６】
第４の発明は、上記第１乃至第３の発明のいずれかにおいて、前記パラメータの種類が複数あることを特徴とする。
【００１７】
第５の発明は、上記第１乃至第４の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記物体のグローバルアライメントのためのサンプルショットの配置に関するものであることを特徴とする。
【００１８】
第６の発明は、上記第１乃至第４の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記マークの形状に関するものであることを特徴とする。
【００１９】
第７の発明は、上記第１乃至第４の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記検出ユニットにより得られた、前記マークに対応した信号に対する信号処理条件に関するものであることを特徴とする。
【００２０】
第８の発明は、上記第１乃至第４の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記マークに対する照明条件に関するものであることを特徴とする。
【００２１】
第９の発明は、上記第１乃至第８の発明のいずれかの装置が、ホストコンピュータであることを特徴とする。
【００２２】
第１０の発明は、上記第１乃至第８の発明のいずれかの装置が、前記露光装置、前記検査装置、およびホストコンピュータを含むことを特徴とする。
【００２３】
第１１の発明は、デバイスの製造方法であって、
露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を、請求項１乃至１０のいずれか記載の装置を用いて決定する決定ステップと、
前記決定ステップで決定された前記パラメータの値が設定された前記露光装置を用いて、前記物体に前記パターンを投影する露光ステップと、
前記露光ステップで前記パターンが投影された前記物体を現像する現像ステップと、
前記現像ステップで現像された前記物体を、前記デバイスを製造するために処理する処理ステップと
を含むことを特徴とする。
【００２４】
第１２の発明は、露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する方法であって、
前記検出ユニットにより前記パラメータの第１の値に対応した第１の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第１の情報を取得する第１の取得ステップと、
前記検出ユニットにより前記パラメータの第２の値に対応した第２の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第２の情報を取得する第２の取得ステップと、
前記物体上のパターンを検査する検査装置により得られた、前記露光装置が前記第１の情報に基づいて前記物体上に投影したパターンの位置に対応した第３の情報を取得する第３の取得ステップと、
前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置に設定されるべき前記パラメータの値を決定する決定ステップと
を含むことを特徴とする。
【００２５】
第１３の発明は、上記第１２の発明における前記決定ステップにおいて、前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置が前記第２の情報に基づいて前記物体に前記パターンを投影した場合の前記物体上の前記パターンの位置を推定し、該推定された前記パターンの位置の情報と前記第３の情報とに基づいて、前記パラメータの値を決定することを特徴とする。
【００２６】
第１４の発明は、上記第１２または第１３の発明において、前記第１の情報および前記第２の情報のそれぞれは、前記物体の倍率、回転量およびシフト量の少なくとも１つの情報を含むことを特徴とする。
【００２７】
第１５の発明は、上記第１２乃至第１４の発明のいずれかにおいて、前記パラメータの種類が複数あることを特徴とする。
【００２８】
第１６の発明は、上記第１２乃至第１５の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記物体のグローバルアライメントのためのサンプルショットの配置に関するものであることを特徴とする。
【００２９】
第１７の発明は、上記第１２乃至第１５の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記マークの形状に関するものであることを特徴とする。
【００３０】
第１８の発明は、上記第１２乃至第１５の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記検出ユニットにより得られた、前記マークに対応した信号に対する信号処理条件に関するものであることを特徴とする。
【００３１】
第１９の発明は、上記第１２乃至第１５の発明のいずれかにおいて、前記パラメータは、前記マークに対する照明条件に関するものであることを特徴とする。
【００３２】
第２０の発明は、請求項１２乃至１９の発明のいずれかの方法が、ホストコンピュータにより実行されることを特徴とする。
【００３３】
第２１の発明は、上記第１２乃至第１９の発明のいずれかの方法が、前記露光装置、前記検査装置、およびホストコンピュータにより実行されることを特徴とする。
【００３４】
第２２の発明は、デバイスの製造方法であって、
露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を、請求項１２乃至２１のいずれか記載の方法を用いて決定する決定ステップと、
前記決定ステップで決定された前記パラメータの値が設定された前記露光装置を用いて、前記物体に前記パターンを投影する露光ステップと、
前記露光ステップで前記パターンが投影された前記物体を現像する現像ステップと、
前記現像ステップで現像された前記物体を、前記デバイスを製造するために処理する処理ステップと
を含むことを特徴とする。
【００３５】
第２３の発明は、物体にパターンを投影する露光装置であって、
前記物体の上のマークの位置を検出する検出手段と、
前記マークの位置を前記検出手段により検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する、上記第１乃至第１０の発明のいずれかの装置と
を有することを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００３７】
＜第１実施形態＞
本実施形態にかかる装置管理システムにおいて、管理の対象を半導体露光装置とし、その露光時におけるウエハーとレチクル（マスク）の位置合わせ（アライメント）を最適化する管理方法を図１及び図２を用いて説明する。
【００３８】
尚、本発明にかかる管理システムのうち、半導体露光装置におけるアライメント管理（アライメントパラメータ値の最適化）システムをＯＡＰシステム（Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｉｎ ｖｏｌｕｍｅ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）と呼ぶ。本明細書中においてパラメータとして記載されているものは、一般的なパラメータに限定されるものではなく、サンプルショットの配置、アライメントマークに対する照明方法等の条件といった、直接数値とはならないようなものも包含するものである。
【００３９】
図１は、アライメントパラメータ値を最適化するＯＡＰシステムの構成を示す図であり、半導体露光装置１，２と重ね合せ（アライメント）検査装置３と、データベース５が、ＬＡＮ６によりホストコンピュータ（ＰＣ／ＷＳ）４に接続している。
【００４０】
ホストコンピュータ４は、ＬＡＮ６を介して、半導体露光装置１，２及び重ね合せ検査装置３と双方向にデータの送受が可能であり、半導体露光装置１，２及び重ね合せ検査装置３の装置群をそれぞれ制御することができる（図１では、半導体露光装置は２台であるがもちろん１台でも２台より多い数の半導体露光装置がＬＡＮ６に接続されていてもよい）。データベース５には、例えば、図４のように、アライメント信号、重ね合せ検査結果、アライメントマークに関する情報、照明モード、ショット配置、ウエハー倍率、ウエハーの回転量、シフト量等、アライメントに関する条件とその条件に基づいてアライメントマークの位置検出を行った際の位置検出結果（アライメント結果）とその位置検出に基づいて露光した場合の実際の重ね合わせ検査結果に関するデータが、条件１として格納されている。
【００４１】
データベース５には、アライメント条件（アライメントマークに関する情報、照明モード、ショット配置等）とその条件に基づくアライメント結果（ウエハー倍率、ウエハーの回転量、シフト量等のウエハーに関する情報）の組み合わせ（条件１、２、・・・・ｎ）が複数組格納されており（図５）、これらのデータベースのデータを参照して、所望の重ね合わせ結果を得るために最も適したアライメント条件（パラメータ値）を選択することが可能となる。
【００４２】
ホストコンピュータ４は、パラメータ値の設定とその設定に基づく露光の結果の適否を判断する上で、これらのデータを参照しつつ、機器のアライメントパラメータを最も望ましい露光結果が得られる値に更新していく（アライメントパラメータ値の最適化）。最適化する対象となるアライメントパラメータとしては、例えば、アライメントマークのマーク線幅、アライメントマークのマーク幅、アライメントマークのマーク要素間隔、グローバルアライメントの際のサンプルショット配置、アライメント光学系の照明モード（中心波長、波長幅、σ）、信号処理ウインドウ幅、信号処理ウインドウ中心距離等がある。
【００４３】
図６は、図１の半導体露光装置１の全体的な構成を説明する図である。この半導体露光装置１は、レチクル１０のパターンをウエハー２０に露光するものである。
【００４４】
同図において、６０２はレーザー光源である。ここで発光した露光光としてのレーザー光は、照明光学系６１５により成形されてレチクル１０のパターンを照明する。
【００４５】
レチクル１０は、図６におけるｘｙ平面内をレチクル走査方向に移動可能なステージ６１４上に保持されている。６１３は所定の縮小倍率を有する投影系である。照明光学系６１５を介して照明されたレチクル１０のパターンは、投影系６１３によりウエハー２０の一つのショット領域に投影され、ウエハー２０はそのパターンで露光される。ウエハー２０には、レジスト（感光体）が塗布されており、露光により潜像が形成される。このウエハー２０はウエハーチャック６１２を介してウエハーステージ６１１に載置されている。６１７はアライメントユニット（アライメントスコープ）であり、ウエハー２０に形成された図９に示すようなアライメントマーク３０を検出することができる。
【００４６】
ウエハーステージ６１１は、載置したウエハー２０をステージの面内（ｘ軸、ｙ軸方向）、上下（ｚ軸方向）、及び各軸まわりの傾き、回転の方向に移動し、位置決めの制御が可能である。ウエハーステージ６１１のｚ軸方向における位置決め制御により、ウエハー２０上に投影系６１３の焦点が合わせられる。
【００４７】
なお、レチクルステージ６１４、ウエハーステージ６１１の移動及び位置決めの制御は、ステージの位置、姿勢の情報を不図示のセンサーにより測定し、この位置情報に基づいて行われる。
【００４８】
また、レチクルステージ６１４と、ウエハーステージ６１１とは、それぞれ制御部６４０と接続されており、リアルタイムにデータを授受することで同期制御が可能である。また、レーザー光源６０２も同様に制御部６４０に接続されており、発光のタイミングと各ステージ６１４、６１１の移動と同期した制御が可能である。
【００４９】
以下、図９を参照して、アライメントマークの位置計測の原理について説明する。ここで、図９は、アライメントユニット６１７の主要構成要素を示すブロック図である。光源９１８からの照明光は、ビームスプリッタ９１９で反射し、レンズ９２０を通り、ウエハー２０上のアライメントマーク３０を照明する。アライメントマーク３０からの回折光はレンズ９２０、ビームスプリッタ９１９、レンズ９２１を通り、ビームスプリッタ９２２で分割され、それぞれＣＣＤセンサー９２３、９２４で受光される。ここで、アライメントマーク３０は、レンズ９２０、９２１により１００倍程度の結像倍率で拡大され、ＣＣＤセンサー９２３、９２４に結像される。ＣＣＤセンサー９２３、９２４はそれぞれ、アライメントマーク３０のＸ方向の位置計測用、アライメントマーク３０のＹ方向の位置計測用になっており、一方のセンサーを他方のセンサーに対して、光軸まわりに、９０度回転させて設置している。
【００５０】
Ｘ方向とＹ方向の計測原理は同じなので、以下はＸ方向の位置計測について説明する。まず、位置計測用のアライメントマーク３０について説明する。図１０Ａに示すように、本実施形態のアライメントマーク３０は、アライメント計測方向（Ｘ方向）に４μｍ、非計測方向（Ｙ方向）に３０μｍの短冊型の位置検出用マーク（アライメントマークの「要素」と呼ぶ場合もある。）３２が、Ｘ方向に予め設定された間隔（Ｌ＝２０μｍ）で複数本（図１０Ａにおいては４つ）並んでいる。図１０Ｂに示すように、要素３２の断面構造はエッチング処理によって凹形状をしており、また、要素３２上には図示しないレジストが塗布されている。 この複数の位置検出用マーク３２に照明光を照射して得られる反射光をＣＣＤセンサー９２３及び９２４によって受光し、光電変換したアライメント信号を図１１に示す。図１１に示す４本のマーク信号に適切な信号処理を施し、それぞれの要素位置（図１１の左から順にＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）を検出する。また、それぞれの要素の間隔（図１１の左から順にＬ１、Ｌ２、Ｌ３）を以下「マーク要素間隔」と呼ぶことにする。
【００５１】
次に、レチクル１０とウエハー２０との位置合わせを制御するためのアライメントパラメータ値を最適化する手順を図２に示す。
【００５２】
まず、ステップＳ２００で、レチクルの回路パターンをウエハー上に投影し露光するＪＯＢの準備として、半導体露光装置１内に、露光を行うウエハー２０を搬入し、それに対応するレチクル１０をその装置内に設定する。
【００５３】
次に、このＪＯＢに対してウエハーとレチクルとを位置合わせするためにアライメントパラメータを特定の値に設定し（半導体露光装置１中の不図示の記憶部（メモリ）に記憶させてもよい）、この設定されたパラメータ値によりアライメントユニット６１７及びウエハーを保持するウエハーステージ６１１を駆動して位置等に関する情報を計測する（ステップＳ２０５）。ウエハーステージ６１１の位置計測センサーとして、不図示のレーザー干渉計が備えられ、アライメントユニット６１７からのアライメントマークの位置情報とレーザー干渉計の出力とに基づき、ウエハーステージ上のウエハーの位置（シフト量）、ウエハーの回転量、ウエハー倍率等の計測が行われる。この計測はよく知られているＡＧＡの手法で行われる。ＡＧＡ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｇｌｏｂａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）とは、レーザー干渉計付のＸＹステージ精度頼りでウエハーの位置計測を行うグローバルアライメントのことで、ウエハーのウエハー倍率、ウエハー回転、シフト量を求めるとともに、異常値の取り除き等の統計処理を行うものである。
【００５４】
これらの計測結果と、その計測結果を導出するプロセスにおいて測定される信号群（以下、「アライメント信号」という。）とは、通信ユニット（ＡＤＵＬ）６５０（図６）を介してホストコンピュータ４に転送される（ステップＳ２１０）。半導体露光装置１の本体は、ＡＧＡ計測とアライメント信号の検出を管理し、そのデータをホストコンピュータ４に通信するための通信ユニット（ＡＤＵＬ：Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｄａｔａ Ｕｐ Ｌｏａｄ）を備えるものとする。この通信ユニットを利用することにより、ホストコンピュータ４との間でデータの授受が可能となり、ホストコンピュータ４側で管理された装置を制御するためのパラメータ値を受信して、制御部６４０は装置を制御することが可能である。
【００５５】
次に、ステップＳ２０５で設定された、そのＪＯＢに対するパラメータ値以外のパラメータ値により、再びＡＧＡ計測を行い、ウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量、及びアライメント信号を計測し（ステップＳ２１５）、その計測結果をホストコンピュータ４に転送する（ステップＳ２１０）。
【００５６】
ここで、ＪＯＢに対するパラメータ値以外のパラメータ値とは、不図示のデータ入力インタフェースから個別に入力される変数値でもよく、あらかじめデータベース５に格納されているデータを利用してもよい。
【００５７】
尚、ステップＳ２０５、Ｓ２１５において行ったＡＧＡ計測において、検出されるアライメント信号は、ウエハー倍率、回転量、シフト量の導出のための信号に限られるものではなく、ＡＧＡ計測において付随する他の信号を含むものとする。
【００５８】
ステップＳ２０５、およびＳ２１５においてデータを全て取り終えたら、ステップＳ２０５において得られたアライメント結果（ウエハー倍率、回転量、シフト量）に基づき、ウエハーとレチクルとを位置合わせして、露光を実行する（ステップＳ２２０）。
【００５９】
ステップＳ２２０で露光したウエハーを現像し、その現像されたウエハーを重ね合わせ検査装置３で検査する（ステップＳ２２５）。この重ね合わせ検査装置３による検査結果により、ステップＳ２０５において得られたアライメント結果が、実際のウエハー倍率、回転量、シフト量に近いものか否かが分かる。より具体的には、この検査結果が良好であれば、ステップＳ２０５において得られたアライメント結果は、実際のウエハー倍率、回転量、シフト量に近いことがわかり、ステップＳ２０５で設定されたパラメータ値が良好なものであることがわかる。逆に、この重ね合わせ検査結果が悪いものであれば、ステップＳ２０５において得られたアライメント結果は、実際のウエハー倍率、回転量、シフト量と異なるものであることが分かり、ステップＳ２０５で設定されたパラメータ値が適したものではないことがわかる。
【００６０】
一方、ホストコンピュータ４は、ステップＳ２０５、ステップＳ２１５におけるＡＧＡ計測により得られたウエハー倍率と、ウエハーの回転量、シフト量等のアライメント結果やアライメント信号をデータベース５に格納する（ステップＳ２３０）。
【００６１】
更に、ホストコンピュータ４はステップＳ２０５及び／又はステップＳ２１５におけるＡＧＡ計測で検出したアライメント信号に、ステップＳ２０５で設定されたＪＯＢに対するパラメータ値以外のパラメータ値により、信号処理を行って、疑似的なウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量を得て（ステップＳ２３５）、それをデータベース５に格納する（ステップＳ２４０）。ステップＳ２３５では、アライメント信号を計測する際に使わないパラメータの値を変更しており、そのパラメータとしては、アライメント信号の処理の際に、使用する信号帯域を限定する有効信号処理ウインドウ幅がある。図１２Ｃは、図１１のアライメント信号のＭ１の一部分を拡大したものである。このアライメント信号を処理して、ウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量等のアライメント結果を得るのであるが、その際に、有効な信号として得る部分を表す有効信号処理ウインドウ幅ＷＷやそのウインドウの中心とアライメント信号の中心との距離（処理ウインドウ中心距離）ＷＣなどを変えると得られるウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量が変わってくる。従って、これらの信号処理ウインドウ幅ＷＷや信号処理ウインドウ中心距離ＷＣもアライメントパラメータとなり得るのである。
【００６２】
重ね合わせ検査装置３で検査された結果は、ホストコンピュータ４にデータ転送され（ステップＳ２４５）、先のステップＳ２３０、Ｓ２４０で格納されたデータ及び各々に対応するパラメータ値、と対応した形で、データベース５に格納される（ステップＳ２５０）。
【００６３】
ステップＳ２５５において、ホストコンピュータ４は、ＡＧＡ計測により求められたアライメント結果（ステップＳ２０５およびＳ２１５で得られたウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量）と、アライメント信号から擬似的に求められたアライメント結果（ステップＳ２３５で得られたウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量）、そして、重ね合わせ検査結果との相関関係を判断し、現状設定されているパラメータ値（ステップＳ２０５で設定されたＪＯＢに対するパラメータ値）が最適な露光結果を与えるか否かを判断する。具体的には、ステップＳ２０５で得られたアライメント結果（Ａ）（計測結果）を基準として、ステップＳ２１５で得られたアライメント結果（Ｂ）（計測結果）、ステップＳ２３５で擬似的に得られたアライメント結果（Ｃ）（推定された計測結果）を表し（つまり、結果（Ｂ）から結果（Ａ）を引いたものと結果（Ｃ）から結果（Ａ）を引いたものを計算）、ステップＳ２２５で得られた重ね合わせ検査結果が良ければ現状設定されているパラメータ値が最適であることが分かるし、その重ね合わせ検査結果が結果（Ｂ）から結果（Ａ）を引いたものに一番近ければステップＳ２１５で設定したパラメータが最適であることが分かり、その重ね合わせ検査結果が結果（Ｃ）から結果（Ａ）を引いたものに一番近ければステップＳ２３５で使ったパラメータが最適であることが分かる（なお、これは図２に示しておらず、本実施形態では実行していない）。
【００６４】
また、具体的な、他のやり方としては、ホストコンピュータ４に重ね合わせ検査結果が妥当か否かを判断するために基準閾値を有しておき、（ｉ）アライメント結果（Ａ）に基づきアライメントが実行され、実際に露光された結果としての重ね合わせ検査結果、（ii）アライメント結果（Ｂ）に基づき、もし露光された場合に発生するであろう重ね合わせの誤差、（iii）アライメント結果（Ｃ）に基づき、もし露光された場合に発生するであろう重ね合わせの誤差、の（ｉ）〜（iii）が、閾値としての重ね合わせ許容値内にあるかどうかを判断する。（なお、この（ii）、（iii）は実際に露光された結果としての重ね合わせ検査結果から、結果（Ｂ）から結果（Ａ）を引いたもの、結果（Ｃ）から結果（Ａ）を引いたもの、のそれぞれを引いてやることによっても分かる。）
【００６５】
ホストコンピュータ４は、（ｉ）〜（iii）のうち、この基準閾値を超える（許容値内に収まる）結果を実現するものに対応するアライメントパラメータ値をデータベース５から抽出し、そのパラメータ値を、最適な露光結果を与えるものと判断する。また、ホストコンピュータ４は、基準閾値を超える結果を実現するものが複数ある場合は、その中から最も良い結果（重ね合わせ結果）を与えるものに対応するパラメータ値を最適なパラメータ値として決定し、以降のＪＯＢ（新しいロット若しくは新しいウエハー）に対して、そのパラメータ値を設定する（ステップＳ２６０）。
【００６６】
ステップＳ２５５において、基準閾値を超える結果を実現するものが無い場合は、ホストコンピュータ４は、パラメータ値をステップＳ０２５、ステップＳ２１５、ステップＳ２３５において設定しなかったものに設定して、再度ＡＧＡ計測を行ない、基準閾値を超える結果を実現するものを探索する（ステップＳ２６５）。
【００６７】
以上の手順を繰り返すことで、プロセスの変動、露光条件、露光対象の切り替えが発生する場合においても、初期（あるいは先行する）ロット（あるいは先行するウエハー）でデータが収集され、その収集されたデータに基づき、最適なアライメントパラメータ値を選択することができ、次期ロット（あるいは後続のウエハー）では、この最適化されたパラメータ値を半導体露光装置に逐次反映して使用することが可能となる。
【００６８】
なお、以上のパラメータの最適化作業において、複数のパラメータを最適化の対象にし、ステップＳ２０５とステップＳ２１５（やステップＳ２３５）でその値を変えても良い。また、ステップＳ２１５で、複数の異なるパラメータ値で複数回ＡＧＡ計測を行い、複数のアライメント信号と複数のアライメント結果を得ることとしても良いし、ステップＳ２３５において、複数の異なるパラメータ値でアライメントの信号処理を複数回行い、複数のアライメント結果を得ることとしても良い。
【００６９】
図２に示す処理手順によれば、特別なウエハーを準備して、量産行為と別に検討を行うことなく、量産のプロセスの中で最適なパラメータ値を求め設定することを可能とするものであり、生産性を落とすことなく、半導体露光装置の実効性能を向上させることが可能となる。
【００７０】
以上の説明では、ステップＳ２３５でアライメント信号を計測する際に使わないパラメータ（信号処理ウインドウ幅、信号処理ウインドウ中心距離等）の値を変更してウエハー倍率、ウエハー回転量、シフト量を擬似的に得たが、ステップＳ２１５でそれを行っても良い（その際には、ステップＳ２３５とステップＳ２４０は不必要である）。
【００７１】
また、アライメント信号を計測する際に使うパラメータの値だけを最適化したい場合には、ステップＳ２３５とステップＳ２４０を実行しなくても良い。
また、アライメント信号を計測する際に使わないパラメータの値だけを最適化したい場合には、ステップＳ２１５を実行しなくても良い。
【００７２】
なお、上記のアライメントパラメータは、図１２Ａに示すように、ショットＡからショットＬまでの組み合わせを考慮したグローバルアライメントのサンプルショット配置を含む。ここで、「グローバルアライメント」とは、位置情報による推定計算に基づいてウエハーステージを露光位置に移動するアライメント方式である。図１２Ａは、ウエハー２０上のＡＧＡサンプルショット位置を示す概略図である。
【００７３】
また、アライメントパラメータは、マーク要素３２の幅や線幅も含む。図１０に示すアライメントマーク３０のマーク要素３２は凹んでいるが、最近のプロセスではウエハー表面の凹みをできるだけなくすために、外形線だけを凹ませるマーク要素３２が採用されている。このため、図１２Ｂに示すように、アライメント計測方向におけるマーク要素３２の長さとしてのマーク幅ＭＬや、マーク要素３２の輪郭線の幅としてのマーク線幅ＭＬＷも、アライメントパラメータとなり得る。ここで、図１２Ｂは、マーク要素３２の概略平面図である。
【００７４】
また、上記説明においては産業用装置として半導体露光装置におけるアライメントの最適化を管理の対象として説明してきたが、産業用装置の管理はこれに限定されるものではなく、例えば、ＣＭＰ装置等のポリシング用の装置に対して適用しても良いし、半導体露光装置における種々の構成要素、例えば、ウエハーフォーカス機能に関して適用することも可能である。また、重ね合わせ検査装置に対しても、例えば電子走査顕微鏡ＳＥＭを基準として、その較正を行うための変数の最適化を行うことも同様に可能である。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態にかかる装置管理システム及びその管理の工程によれば、パラメータ値の最適化が容易となり、高い生産性を維持して装置を使用することが可能となり、ＣｏＯ（Ｃｏｓｔ ｏｆ Ｏｗｎｅｒｓｈｉｐ）の優れた装置管理を提供することができる。
【００７６】
装置管理システム及びその管理工程により管理された露光装置は、高い実効性能を発揮することが可能であり、生産性、歩留まり率を向上させることが可能となる。
【００７７】
＜第２実施形態＞
産業用装置からの操作結果を遠隔地において受信して、管理パラメータを最適化して、その機器に設定する第２実施形態を説明する。
【００７８】
図３は、第２実施形態を説明する図である。半導体露光装置は、半導体製造メーカー（図３の場合は、半導体製造メーカーであるＡ社、Ｂ社、Ｃ社）に設置され、生産に使用されるが、装置を管理するパラメータの最適化は、半導体製造メーカー（装置のユーザー）が行ってもよいし、半導体製造装置メーカー、又は、コンサルタントであるベンダーが行っても有効に結果を得ることができる。
【００７９】
ベンダーがパラメータの管理を行った方が、半導体露光装置の情報としてユーザー（半導体製造メーカーであるＡ社、Ｂ社、Ｃ社）に開示されていないものも多々存在する場合もあり、より良い結果を得ることができる場合もある。
【００８０】
もし、ベンダーがパラメータの最適化を行う場合には、そのデータ処理やデータベースの作成は、半導体露光装置の設置されている半導体製造メーカー側で行う必要はなく、むしろインターネット回線、専用回線などデータ通信ネットワークを使用して遠隔地において、機器情報を受信して、ベンダー独自のデータベースを活用して、最適なパラメータにチューニングして、このパラメータを再びデータ通信ネットワークを介して、機器に再設定することも可能である。
【００８１】
図３は、半導体露光装置を含む半導体製造装置を例として、装置管理システムの構築例を示す図であり、半導体露光装置を含む装置群を稼動させて半導体デバイスを製造する複数の工場２１、２２，２３等と、その工場群の遠隔地に位置するベンダー２５とをインターネット又は専用回線等のデータ通信ネットワーク２８を介して接続することにより構成される。
【００８２】
各工場２１、２２、２３には、それぞれ産業用装置２４ａ−ｃ，２４ｄ−ｆ，２４ｇ−ｉとその機器を管理する管理装置２５ａ−ｃ、その管理装置を介して産業用装置を操作する工場側操作装置（第１の操作装置）２６ａ−ｃが設置されている。管理対象の産業用装置としては、例えば、半導体露光装置、ＣＶＤ装置、エッチング装置、ＣＭＰ装置、レジスト塗布装置、現像装置、アッシング装置及び検査装置等の半導体製造装置が含まれるが、本発明の趣旨は、ここで列挙された装置に限定されるものではない。
【００８３】
工場側操作装置２６ａ−ｃは、管理装置２５ａ−ｃを介して産業用装置２４ａ−ｉを操作することができる。
【００８４】
尚、図３においては、産業用装置２４ａ−ｉと工場側操作装置２６ａ−ｃと、管理装置２５ａ−ｃとをそれぞれ別個の構成としているが、産業用装置２４ａ−ｉ、管理装置２５ａ−ｃ及び工場側操作装置２６ａ−ｃの全部又は一部は一体化されていてもよい。工場側操作装置２６は、典型的には、産業用装置２４の各種の動作状態を監視したり、パラメータを確認したりするためのモニタ、産業用装置２４を操作するための情報（例えば、パラメータ、コマンド、プログラム等）を入力するための入力手段として機能し、工場側操作装置の動作を制御する操作プログラム等を実行して機器を制御する。
【００８５】
各工場側には、工場用データベース（３５ａ，３５ｂ，３５ｃ）を備え、例えば、産業用装置の操作の履歴や産業用装置に対して工場側で設定したパラメータ等の各種の情報のうちベンダー２５側に対して秘密にしたい情報を格納するために使用される。通常は、管理装置２６（ａ−ｃ）は、ベンダー２５側（即ち、ベンダー側操作装置３０）による工場側メモリへのアクセスを禁止するが、工場側から与えられる許可に従って、工場側メモリに格納された情報の全部又は一部に対して、ベンダー２５側によるアクセスは許可される。
【００８６】
工場２１、２２、２３の遠隔地に位置するベンダー２５には、ベンダー側操作装置（第２の操作装置）３０が設置されている。ベンダー側操作装置３０は、データ通信ネットワーク２８を介して工場２１の管理装置２６ａ，工場２２の管理装置２６ｂ，工場２３の管理装置２６ｃとに接続されており、各管理装置を介して産業用装置２４ａ−ｉを遠隔的に操作し、その動作状態を示す情報を得ることができる。
【００８７】
ベンダー２５が、データ通信ネットワーク２８を介して受信する情報は、各工場において、個別に管理されている産業用装置を制御するための情報、動作状態を評価するための計測データが含まれる。
【００８８】
ベンダー２５は、例えば、ベンダー２５内において、Ａ社工場２１における産業用装置２４ａ−ｃに関する制御情報や、その制御情報に基づく、装置の稼動結果を示す評価値を受信して、その制御情報が適切なデータであるか否か、判断し、適切でなければ、最も適切な装置の稼動を実現するための制御情報を決定して、その決定した制御情報をデータ通信ネットワーク２８を介してＡ社工場２１に配信して、Ａ社管理装置２６ａ，操作装置２５ａにより変更されたパラメータを産業用装置２４ａ−ｃに設定し、管理することが可能となる。
【００８９】
ベンダー側操作装置３０は、パーソナルコンピュータやワークステーションで構成され、第１実施形態の図２で説明したように、機器パラメータの最適化のための処理を実行することができる。
【００９０】
データ通信ネットワーク２８を利用した通信は、パケット通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）に従うものであり、ある会社内であればＬＡＮの構成となり、社外間の通信の場合にはＩｎｔｅｒｎｅｔを使用する構成となる。例えば半導体露光装置におけるアライメント管理において、アライメント信号は、このデータ通信ネットワーク２８を通してベンダー２５側に転送され、ベンダー側操作装置３０で処理することができる。
【００９１】
ベンダー側操作装置３０は、典型的には、産業用装置２４の動作状態を監視したり、パラメータを確認したりするためのモニタ、産業用装置を操作するための情報（例えば、パラメータ、コマンド、プログラム等）を入力するための入力部と、ベンダー側操作装置３０の動作を制御する操作プログラム等やパラメータの最適化判断のためのデータベース２７を含んでいる。
【００９２】
ベンダー側データベース２７は、例えば、産業用装置２４ａ−ｉの操作の履歴や産業用装置２４に対してベンダー２５側で設定したパラメータ等の各種の情報のうち工場２１側に対して，ノウハウとして開示しない固有の技術情報を格納するために使用される。通常は、工場側から、このベンダーメモリに対するアクセスは禁止されるが、必要に応じてベンダー２５側から与えられる許可に従って、ベンダー側メモリに格納された情報の全部又は一部に対して、工場２５からのアクセスは許可される。
【００９３】
ベンダー側操作装置３０は、産業用装置２４ａ−ｉを管理する者が機器を稼動させるための条件を設定する管理者設定部と、管理システムを制御する管理プログラム、工場側データベース３５ａ−ｃ及びベンダー側データベース２７へのアクセスを制御する情報制御部と、並びに、工場側操作装置２５ａ−ｃ及びベンダー側操作装置３０からの指示に従って産業用装置を動作させ、更に、その動作に基づく、動作情報を収集して、より最適な稼動条件を、データベース２７に格納されている情報に基づき選択して、工場側の機器にこの最適な稼動条件を設定することができる。
【００９４】
以上説明したように、本実施形態にかかる装置管理システム及び方法によれば、遠隔地において、各機器に要求される性能を最も高い水準で満たす条件を決定し、その結果をネットワーク２８を介して各工場に配信し、各機器に設定することにより、機器動作を固定的なパラメータで管理するのではなく、稼動中においてチューニングして、変更の結果を以後の稼動に反映した管理が可能となる。
【００９５】
＜第３実施形態＞
次に上記において説明した露光装置及びその装置管理システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（露光制御データ作製）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作製する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハーを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用いて、リソグラフィ技術によってウエハー上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハーを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。例えば、前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行われてもよく、この場合、これらの工場毎に上記において説明した遠隔における装置管理システムによって装置の管理がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して装置管理のための情報がデータ通信されてもよい。
【００９６】
図８は上記のウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハーの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハーに描画（露光）する。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハー上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記において説明した遠隔地における装置管理システムによって管理がなされているので、種々の生産仕様においても、生産性を落とすことなく、装置管理のパラメータを設定することが可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００９７】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する新規かつ有用な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態にかかり、半導体露光装置のアライメントパラーメータの値を最適化するシステムの構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態にかかり、レチクルとウエハーとの位置合わせを制御するためのアライメントパラメータの値を最適化する手順を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態にかかり、産業用装置の管理をベンダーが遠隔地において行うシステムの構築例を示す図である。
【図４】機器管理用のパラメータを格納するデータベースの構成例を示す図である。
【図５】機器管理用のパラメータを格納するデータベースの構成例を示す図である。
【図６】本発明の実施形態にかかり、産業用装置の管理の対象例である半導体露光装置の全体的な構成を説明する図である。
【図７】本発明の実施形態にかかり、露光装置によるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図８】本発明の実施形態にかかり、露光装置によるウエハプロセスを説明する図である。
【図９】アライメントユニット６１７の主要構成要素を示すブロック図である。
【図１０】アライメントマーク３０の図である。
【図１１】アライメント信号を表す図である。
【図１２】ウエハー２０上のＡＧＡサンプルショット位置を示す概略図、マーク要素３２の概略平面図、及び図１１のアライメント信号の一部分を拡大した図である。
【符号の説明】
１ 半導体露光装置
２ 半導体露光装置
３ 重ね合わせ検査装置
４ 最適化をコントロールするＰＣ
５ データを格納するデータベース
６ ＬＡＮ
１１ Ｊｏｂ設定変数で計測を行う処理部
２１ Ａ社工場
２２ Ｂ社工場
２３ Ｃ社工場
２５ ベンダー
２７ ベンダー側データベース
２８ データ通信ネットワーク
３０ ベンダー側操作装置

Claims (23)

1. 露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する装置であって、
   前記検出ユニットにより前記パラメータの第１の値に対応した第１の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第１の情報と、前記検出ユニットにより前記パラメータの第２の値に対応した第２の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第２の情報と、前記物体上のパターンを検査する検査装置により得られた、前記露光装置が前記第１の情報に基づいて前記物体上に投影したパターンの位置に対応した第３の情報とを取得する取得手段と、
   前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置に設定されるべき前記パラメータの値を決定する決定手段と
   を有することを特徴とする装置。
2. 前記決定手段は、前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置が前記第２の情報に基づいて前記物体に前記パターンを投影した場合の前記物体上の前記パターンの位置を推定し、該推定された前記パターンの位置の情報と前記第３の情報とに基づいて、前記パラメータの値を決定することを特徴とする請求項１記載の装置。
3. 前記第１の情報および前記第２の情報のそれぞれは、前記物体の倍率、回転量およびシフト量の少なくとも１つの情報を含むことを特徴とする請求項１または２記載の装置。
4. 前記パラメータの種類が複数あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の装置。
5. 前記パラメータは、前記物体のグローバルアライメントのためのサンプルショットの配置に関するものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の装置。
6. 前記パラメータは、前記マークの形状に関するものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の装置。
7. 前記パラメータは、前記検出ユニットにより得られた、前記マークに対応した信号に対する信号処理条件に関するものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の装置。
8. 前記パラメータは、前記マークに対する照明条件に関するものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の装置。
9. ホストコンピュータであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の装置。
10. 前記露光装置、前記検査装置、およびホストコンピュータを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の装置。
11. デバイスの製造方法であって、
    露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を、請求項１乃至１０のいずれか記載の装置を用いて決定する決定ステップと、
    前記決定ステップで決定された前記パラメータの値が設定された前記露光装置を用いて、前記物体に前記パターンを投影する露光ステップと、
    前記露光ステップで前記パターンが投影された前記物体を現像する現像ステップと、
    前記現像ステップで現像された前記物体を、前記デバイスを製造するために処理する処理ステップと
    を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
12. 露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する方法であって、
    前記検出ユニットにより前記パラメータの第１の値に対応した第１の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第１の情報を取得する第１の取得ステップと、
    前記検出ユニットにより前記パラメータの第２の値に対応した第２の条件のもとに検出された前記マークの位置に対応した第２の情報を取得する第２の取得ステップと、
    前記物体上のパターンを検査する検査装置により得られた、前記露光装置が前記第１の情報に基づいて前記物体上に投影したパターンの位置に対応した第３の情報を取得する第３の取得ステップと、
    前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置に設定されるべき前記パラメータの値を決定する決定ステップと
    を含むことを特徴とする方法。
13. 前記決定ステップにおいて、前記第１の情報、前記第２の情報および前記第３の情報に基づいて、前記露光装置が前記第２の情報に基づいて前記物体に前記パターンを投影した場合の前記物体上の前記パターンの位置を推定し、該推定された前記パターンの位置の情報と前記第３の情報とに基づいて、前記パラメータの値を決定することを特徴とする請求項１２記載の方法。
14. 前記第１の情報および前記第２の情報のそれぞれは、前記物体の倍率、回転量およびシフト量の少なくとも１つの情報を含むことを特徴とする請求項１２または１３記載の方法。
15. 前記パラメータの種類が複数あることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか記載の方法。
16. 前記パラメータは、前記物体のグローバルアライメントのためのサンプルショットの配置に関するものであることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか記載の方法。
17. 前記パラメータは、前記マークの形状に関するものであることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか記載の方法。
18. 前記パラメータは、前記検出ユニットにより得られた、前記マークに対応した信号に対する信号処理条件に関するものであることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか記載の方法。
19. 前記パラメータは、前記マークに対する照明条件に関するものであることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか記載の方法。
20. ホストコンピュータにより実行されることを特徴とする請求項１２乃至１９のいずれか記載の方法。
21. 前記露光装置、前記検査装置、およびホストコンピュータにより実行されることを特徴とする請求項１２乃至１９のいずれか記載の方法。
22. デバイスの製造方法であって、
    露光装置によりパターンが投影されるべき物体の上のマークの位置を該露光装置の検出ユニットにより検出するときの条件に対応したパラメータの値を、請求項１２乃至２１のいずれか記載の方法を用いて決定する決定ステップと、
    前記決定ステップで決定された前記パラメータの値が設定された前記露光装置を用いて、前記物体に前記パターンを投影する露光ステップと、
    前記露光ステップで前記パターンが投影された前記物体を現像する現像ステップと、
    前記現像ステップで現像された前記物体を、前記デバイスを製造するために処理する処理ステップと
    を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
23. 物体にパターンを投影する露光装置であって、
    前記物体の上のマークの位置を検出する検出手段と、
    前記マークの位置を前記検出手段により検出するときの条件に対応したパラメータの値を決定する、請求項１乃至１０のいずれか記載の装置と
    を有することを特徴とする露光装置。

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