TW588348B

TW588348B - Optical information recording medium and recording method of using the same

Info

Publication number: TW588348B
Application number: TW091116671A
Authority: TW
Inventors: Hideki Kitaura; Noboru Yamada
Original assignee: Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date: 2001-09-12
Filing date: 2002-07-26
Publication date: 2004-05-21
Also published as: EP1426940A1; WO2003025923A1; EP1426940A4; US20040047264A1; US7304930B2; EP1426940B1; CN1248211C; DE60226621D1; CN1476602A; JPWO2003025923A1

Description

588348 A7 _______ B7___ 五、發明說明（J ) 【技術領域】本發明係關於藉由照射雷射光束等之光束能記錄•再生的光學資訊記錄媒體及使用其之記錄方法。【習知技術】習知’如在形成於基板上之硫族材料等之薄膜照射雷射光’作局部性加熱，藉由照射條件之差異，能在光學常數(折射率η，衰減係數k)不同之非晶質相與結晶相間產生相變化。並且，應用此現象的所謂相變化方式之光學資訊記錄媒體之硏究開發則積極進行中。在相變化方式之光學資訊記錄媒體，藉由將在記錄位準與消除位準之2個功率位準之間調變輸出所得之雷射光束，照射在資訊軌道，能邊消除舊訊號，同時邊記錄新訊號。一般，在如上述之記錄媒體’作爲用來記錄資訊之資訊層，係使用包含記錄層以外之層的多層膜。例如，將多層膜(包含電介質材料所_ 成之保護層或金屬所構成之反射層)用來作資訊層。電介質材料所構成之保護層，例如，具有下列功能： (1) 保護記錄層避免來自外部之機械性破壞的功能； (2) 減低熱破壞（重複訊號之重寫時所產生）而提高能婁寫次數的功能； (3) 利用因多重反射所產生之干涉效果來增強光學特性 J變化的功能； (4) 防止因外氣之影響所產生之化學變化的功能。滿足上述目的之保護層材料，習知已提案：氧化物， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ n ϋ n I n n I n n I I I n ϋ I IIIIIIIIIIIIIIIIIIII — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 588348 A7 - --— _B7_ __-— 五、發明說明（χ ) 如AI2O3、Ti〇2、Si〇2 ;氮化物，如Si3N4或A1N ;氧氮化物，如Si - 〇 — N ;硫化物，如ZnS ;碳化物，如SlC。又 ’保護層材料，亦已提案ZnS與Si〇2混合物的ZnS - Si〇2 等之材料。這些材料中，ZnS - Si02，係在電介質中熱傳導率相當低’能將以雷射光束作記錄時所產生之熱擴散抑制爲最低限度。因此，藉由使用ZnS - Si02，能提高記錄感度。又’該材料因內部應力小，故即使形成厚膜亦不容易發生破裂’且與相變化材料層之黏著性高，即使重複雷射照射亦不容易剝落。由於這些理由，使用最多之ZnS -Si〇2作爲保護層材料。再者’已提案在記錄層與電介質層之間設置界面層。界面層，例如具有下列功能： (1) 促進記錄層之結晶化，提高消除特性的功能； (2) 防止記錄層與保護層（電介質層）之間之互相擴散，提高重複記錄之耐久性的功能。再者，該界面層，亦須兼備不發生腐蝕或從記錄層剝落之特性。如上所述之界面層材料，例如已揭示Si或Ge之氮化物(參閱特開平5 - 217211號公報及W0 97/34298公報）。這些材料在上述之結晶核生成促進效果及擴散防止效果方面非常優異。然而，Si - N被報告：因與記錄層之黏著性不充分’故在高溫高濕條件下產生剝離，長期使用之可靠性低(參閱W0 97/34298公報）。對於此，以Ge - N作爲主成分之界面層，即使在高溫高濕條件下亦不容易產生剝離，故係最適合作爲界面層之材料之一。又，在W0 __ί___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線I赢 588348 A7 ____Β7 ____ 五、發明說明（j ) 97/34298公報揭示：作爲對Ge-N之添加物，Cr等係在耐濕性上有效，Si亦被舉爲添加物之一例。然而，在W0 97/34298公報，未揭示對Ge- N之Si添加量或藉由添加 Si所獲得之具體效果。在上述之記錄媒體，爲增加每1片所能儲存之資訊量的基本方法，則有：藉由縮短雷射光之波長’或箱由將聚光雷射光之物鏡之數値孔徑擴大，使雷射光之光點徑縮小，來提高記錄面密度的方法。再者，爲提高周方向之記錄密度，導入以記錄標記之長度爲資訊的標記邊緣記錄。又，爲提高半徑方向之記錄密度，導入記錄於雷射光導引用之槽（groove)及島（land)雙方的島&槽記錄。再者，藉由使用複數之記錄層亦能增加記錄密度。至於具備複數之記錄層的記錄媒體及其記錄•再生方法，已被揭示(參閱特開平 9 - 212917 號公報、W0 96/31875 公報、特開 2000 - 36130 號公報）。又，已揭示層辨識機構及層切換機構，用以從複數之記錄層選擇1個記錄層來進行記錄•再生（參閱WO 96/31875 公報）。在具備複數之資訊層之記錄媒體（多層記錄媒體），因靠近雷射光源側之資訊層會吸收光，故在離遠雷射光源側之資訊層，成爲以衰減之雷射光作記錄•再生。因此，在記錄時，感度降低就成問題，在再生時，反射率及振幅之_ 下降就成問題。從而，在多層記錄媒體，爲使能以有限之雷射功率獲得充分之記錄•再生特性，需要使靠近雷射光源側之資訊層提高透射率，使離遠雷射光源側之資訊層提 ____6_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —f —------Aw--------IT---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 -----BZ__ 五、發明說明（今）高反射率、反射率差(結晶狀態與非晶質狀態間之反射率差 )及感度。近年’波長400nm附近之藍紫色雷射二極體接近於實用化階段。並且，進行藉由將該雷射二極體應用於光學資訊記錄媒體之記錄裝置光源，來提高記錄面密度的試驗。然而’因波長越短雷射光束之光點徑越小，其能量密度就增加’使資訊層之各層在記錄時容易受到熱破壞。其結果，若作多數重複記錄時，容易使記錄•再生特性劣化。一般’電介質材料，係波長越短光吸收越大且透射率越低。因此’右雷射光束之波長短，例如，靠近多層記錄媒體之雷射光源側之資訊層之透射率就變低，不能使充分之功率的雷射光束到達至離遠雷射光源側之資訊層。又，因界面層之光吸收變大，使在記錄層之光吸收變小，故記錄感度就降低。在使用上述之Ge- N作爲主成分之界面層之情形，在使用紅色波長之雷射二極體的記錄•再生，即使多數次重複記錄，特性幾乎不劣化。又，紅色波長之上述界面層之衰減係數k係小到0·05以下，能確保高透射率。然而，在藍紫色波長’因容易受到熱破壞，由於重複記錄而使界面層劣化。又，藍紫色波長之衰減係數k係大到0.2程度，確保高透射率則困難。【發明之揭示】本發明’有鑒於上述狀況，其目的在於提供：即是在 __-___— 7 ________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) IAW--------If---------線. 588348 A7 _ --___ B7__ 五、發明說明（< ) 使用短波長之光束的記錄•再生，或是在對複數之資訊層的記錄·再生，均能高可靠性地記錄•再生的光學資訊記錄媒體及其製造方法，以及其記錄方法。爲要達成上述目的，本發明之光學資訊記錄媒體，係具備：第1基板；平行於前述第1基板而配置的第2基板 :及配置於前述第1基板與第2基板之間的資訊層；前述資訊層，係具備記錄層及鄰接於前述記錄層之無機物層；前述記錄層，係藉由從前述第1基板側射入之光束之照射 ’而在光學上可辨別之2個以上相異狀態間變化的層；前述無機物層，係以SixGei_x(其中，0.3Sx$0.9)之氮化物作爲主成分。該無機物層，因熱安定性高，故能提高重複記錄之耐久性，亦能提高耐濕性等之環境可靠性。特別地，在使用藍紫色雷射等之短波長光來記錄之情形，藉由增多 Si含有量，即設定0.3€χ，來提高耐熱性，能獲得重複記錄之良好耐久性。又，在Si添加一定量以上之Ge，即設定 xS 0.9 〇上述記錄媒體，亦可進一步具備配置於前述第1基板與第2基板之間的1個以上之其他資訊層。依該構成，能獲得特別高密度之記錄。又，上述無機物層，因衰減係數比較小，故能提高透射率，能改善多層記錄媒體之記錄感度。例如，使滿足〇.3$χ之上述無機物層之波長405mn的衰減係數k能設定爲0.15以下。在上述記錄媒體，前述記錄層，可藉由前述光束之照射而在光學上可辨別之2個以上相異狀態間，作可逆變化。 _8_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 .—--------------*訂---------^ i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 B7 —--- " \ 五、發明說明（卜）在上述記錄媒體，前述光束之波長亦可爲500nm以卞〇在上述記錄媒體，前述資訊層，亦可具備配置成比前述記錄層更靠前述第2基板側之反射層。在上述記錄媒體，前述記錄層，亦可由含有Te及Sb 之合金所構成。在上述記錄媒體，前述記錄層之厚度亦可爲18nm以下。在上述記錄媒體，前述記錄層，亦可由Ge- Sb〜Te 系合金、Ge - Sn - Sb - Te系合金、Ag - In - Sb - Te系合金、或Ag _ In _ Ge - Sb - Te系合金所構成。在上述記錄媒體，前述記錄層亦可由Ge-Sb-Te系合金所構成，前述合金中Ge之含有率爲30原子％以上。在上述記錄媒體，前述記錄層亦可由Ge-Sn-Sb-Te系合金所構成，前述合金中Ge與Sn之含有率合計爲 30原子％以上。又，本發明之第1記錄方法，該光學資訊記錄媒體係具備：記錄層；及鄰接於前述記錄層之無機物層；前述無機物層，係以SixGei_x(其中，0.3Sx$0.9)之氮化物作爲主成分；藉由將在功率位準P1與比前述功率位準P1小之功率位準P3之間調變而成的脈衝光照射於前述記錄層，而將前述記錄層變化爲光學性質不同之狀態來形成記錄標記時，前述記錄標記越長，則脈衝光之脈衝數越增加；前述光學資訊記錄媒體之線速度越高，則P3/P1之値越大。 _______9____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;» 訂---------線· 588348 A7 ______B7 ___ 五、發明說明（1 ) 又，本發明之光學資訊記錄媒體之第2記錄方法，該光學資訊記錄媒體係具備：記錄層；及鄰接於前述記錄層之無機物層；前述無機物層，係以SixGei_x(其中，0.3Sx $0.9)之氮化物作爲主成分；藉由將在功率位準P1與比前述功率位準P1小之功率位準P3之間調變而成的脈衝光照射於前述記錄層，將前述記錄層變化爲光學性質不同之狀態來形成記錄標記時，前述記錄標記越長，則脈衝光之脈衝數越增加；藉由將前述功率位準P1與前述功率位準P3 之間的功率位準P2之連續光照射於前述記錄層來消除前述記錄標記時，前述光學資訊記錄媒體之線速度越高，則 P3/P2之値越大。依第1及第2記錄方法，即使在高溫· 高濕條件下保存記錄媒體之情形，亦能防止記錄標記之訊號振幅變小、及記錄標記不容易消除。【圖式之簡單說明】第1圖，係表示本發明之光學資訊記錄媒體之一例的部分截面圖。第2圖，係表示本發明之光學資訊記錄媒體之另一例的部分截面圖。第3圖，係表示用於本發明之光學資訊記錄媒體之記錄•再生的記錄•再生裝置之一例的示意圖。第4圖，係表示用來本發明之光學資訊記錄媒體之記錄的雷射光束之脈衝波形之一例的圖。 ___1〇___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------* 訂---------i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 B7 五、發明說明（【符號說明】 10 、 10a 光學資訊記錄媒體 11 第1基板 12 第2基板 13 物鏡 14 雷射光束 20 資訊層 20a 第1資訊層 20b 第2資訊層 21 下側電介質層 22 下側界面層 23 記錄層 24 上側界面層 25 上側電介質層 26 反射層 27 分離層 30 記錄•再生裝置 31 雷射二極體 32 半反射鏡 33 馬達 34 光電探測器 35 記錄媒體 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 588348 A7 五、發明說明（^ ) 【發明之較佳實施形態】以下，參閱圖式具體說明本發明之實施形態。 (實施形態1) 在實施形態1，說明本發明之光學資訊記錄媒體之一例。將實施形態1之光學資訊記錄媒體10(以下’或稱之記錄媒體)之部分截面圖表示於圖1。如圖1所示，記錄媒體10，具備：第1基板11 ·，第2 基板12，平行配置於第1基板11 ;資訊層20，配置於第1 基板11與第2基板12之間。在記錄媒體10，藉由通過物鏡13從第1基板11側射入之雷射光束14進行記錄及再生。雷射光束14之波長，係例如在300//m〜900//m之範圍內，對高密度記錄，較佳者爲500 //m以下。在資訊層20記錄資訊。資訊層20，係積層複數層之多層膜，從第1基板11側依順序配置，具備：下側電介質層21、下側界面層22、記錄層23、上側界面層24、上側電介質層25、及反射層26。又，所謂「下側」，係意味著比記錄層23靠第1基板11側而言。下側界面層22及上側界面層24均係無機物層。圖1所不之記錄媒體1Q僅係一例，視情形可爲其他構成。例如，因下側界面層22能兼作下側電介質層21，上，側界面層24能兼作上側電介質層25，故能省略下側電介質層21及/或上側電介質層25。又，亦能省略反射層26。又，反射層26，亦可組合複數之層來構成。又，下側界面層22及上側界面層24，能省略任何一方。 -----12_____ 本紙張尺度賴㈣g家標準（CNS)A4規格（210>< 297公釐) "" -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·-------* *5^ · 588348 - A7 B7 — 一五、發明說明（丨0 ) 在記錄媒體10，藉由透射過第1基板n之雷射光束 14進行記錄及再生。因此，第1基板丨丨之材料，較佳者 ;係對雷射光束Η之波長大致透明。第1基板11之材料，能使用：聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲醋樹脂、聚烯烴樹脂、降冰片烯系樹脂、紫外線硬化性樹脂、玻璃、或適當組合此類材料而成者。第1基板11係圓板狀，其厚度雖未特別限定，但例如在0.01mm〜1.5mm之範圍內。爲使用透鏡數値孔徑(NA)高之光學系統來進行更高密度之記錄，第1基板11之厚度較佳者爲〇.3mm以下。下側電介質層21及上側電介質層25之材料，例如，倉旨使用：Y、Ce、Ti、Zr、Nb、Ta、C〇、Zn、Al、Si、Ge 、Sn、Pb、Sb、Bi、Te等元素之氧化物。又，亦能使用·· Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、Al、Ga、in、Si、Ge 、Sn、Pb等元素之氮化物。又，亦能使用：Ti、zr、Nb、 Ta、Cr*、Mo、、Si等元素之碳化物。又，亦會g使用：Zn 或Cd之硫化物’砸化物或碌化物。又，亦能使用：Mg或 Ca之氟化物，或C單體，Si單體，Ge單體。或亦能使用此類之混合物。下側界面層22及上側界面層24，係鄰接於記錄層23 之層，由無機物所構成。從下側界面層22及上側界面層 ^ 24所選出之至少1個界面層(較佳者爲雙方之界面層），係以 SixGei-x(其中，0·3$ X $0.9，較佳者爲〇.5$ χ $ 0.8)之氮化物作爲主成分。在此，所謂主成分，係意味著 Si與Ge與Ν之含有率係合計90原子％以上。爲提高熱安本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公β " ----,---^-----0^----l·---，訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 B7 ~ -----：---^----- 五、發明說明（\\ ) 定性，提高耐濕性等之環境可靠性，減小衰減係數k來增加透射率，Si之含有率較佳者爲30原子％以上9〇原子％以下，更較佳者爲50原子％以上80原子％以下。藉由提高界面層之熱安定性能提高重複記錄之耐久性，藉由提高界面層之透射率能提高記錄媒體（特別係多層記錄媒體）之記錄感度。又，若界面層中之氮不足，促進記錄層23之結晶化之效果就變弱，若氮過剩’就容易產生從記錄層23剝離。因此，較佳者爲對應Si及Ge之含有率便界面層中之氮量爲最合適化。例如，較佳者爲在取得3〇dB以上之、消除率之範圍內，盡量降低氮濃度。下側界面層22及上側界面層24，較佳者爲使Si與Ge與N分別含有Si : Ge .· N = a : b : c (其中，0.33 $ a/(a+b) ‘0.90 且 0·3 g c/(a+b+c) ^〇·6)之原子數比。再者，更較佳者爲0·50 $ a/(a+b) $ 〇·80 且 0.4 S c/(a+b+c) ^0·5。記錄層23，係能重寫任何次資訊之可重寫型，或，在未記錄之領域僅能寫入1次資訊之追記型的記錄層。記錄層22，係藉由從第1基板11側射入之光束(通常係雷射光束）之照射，在光學上可辨別之2個以上相異狀態間變化的層。記錄層23爲可重寫型時，能使用以Te及Sb爲主之硫族化合物薄膜，例如Ge - Sb - Te系合金薄膜或Ge - Sn ;-Sb - Te系合金薄膜。又，亦可使用以Sb - Te之共晶組成作爲主成分，而添加In、Ge、Au、Ag等於此之合金薄膜(侈!J如 Ag - In - Sb - Te 系合金或 Ag - In - Ge — Sb - Te 系合金）。此類材料，以雷射光束之照射，在結晶相與非晶 __14_____ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------Η----费----l·——.訂---------線鲁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 B7______ 五、發明說明（广） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 質相之間作可逆變化。在這情形，因結晶狀態部分之反射率與非晶質狀態部分之反射率不相同’能以照射再生用雷射雷射光束來辨別兩者。在此，所謂Ge — Sb — Te系合金，係意味著將Ge與Sb與Te以使其含有率合計爲90原子 %以上之合金。同樣，所謂Ge - Sn - Sb - Te系合金，係意味著將Ge與Sn與Sb與Te以使其含有率合計爲90原子％以上之合金。對其他合金亦相同。即使是上述之材料中，若使用：雖係Ge - Sb - Te系合金，但Ge之含有率爲30原子％以上(特別係40原子％以上）的合金，或雖係Ge - Sn - Sb - Te系合金，但Ge與Sn 之含有率爲合計30原子％以上(特別係40原子％以上)的合金的情形，結晶-非晶質間之光學對比(contrast)就變大，能獲得大C/N比。另一方面，此類材料，因在結晶與非晶質間體積變化大，故對重複記錄之耐久性會降低。因此，使用此類材料時，若使用以Si _ Ge之氮化物作爲主成分之界面層’來提高對重複記錄之耐久性，可獲得更一層效果。又’記錄層23係可重寫型之情形，爲調整熱傳導率或光學常數’或爲提高耐熱性或環境可靠性，亦可在記錄層 23之材料添加選自〇、N、F、c、s及B之至少丨個元素。此類元素’以成爲記錄層23全體之i〇原子％以下之方式添加。又’記錄層23係可重寫型之情形，記錄層23，亦可具備以上述材料所形成之層，與鄰接於其層之結晶化促進本紙張尺度顧帽國規格⑽χ 297ι|^τ 588348 A7 _______B7__ 五、發明說明（ij ) 記錄層23係可重寫型之情形，藉由使其厚度爲3nm 以上20nm以下，能獲得充分之C/Ν比（Carrier to Noise比）。藉由使其厚度爲3nm以上，獲能得充分之反射率及反射率變化。又，藉由使記錄層23之厚度爲20mn以下，能防止記錄層23層內之熱擴散過大。又，記錄層23係薄之情形，例如在厚度爲18nm以下(特別係14nm以下）之情形 ’記錄時所產生之熱就容易向記錄層23之厚度方向擴散，使保持記錄層23於結晶化溫度附近之時間變短，其結果，消除率降低。因此，在記錄層23係薄之情形，使用以si - Ge之氮化物作爲主成分之界面層，來提高消除率，則更有效果。在記錄層23係追記型之情形，記錄層23之材料，能使用含有1個元素Μ與Te與〇(氧)之材料，所謂丨個材料 Μ 係選自 Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn 、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、RU、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb 、Hf、Ta、W、Re、〇s ' ir、Pt、Au 及 Bi 之至少} f固元素。例如，能使用以Te - 0 - Pd、Te _ 0 - Au等材料所構成之δ己錄層23。由此類材料所構成之記錄層23，藉由照射記錄用雷射光束14，從非晶質相向結晶相作不可逆變化。此類2個狀態，能藉由照射再生用雷射光束14來辨別。又 ,’站在能得充分之結晶化速度及高環境可靠性之觀點，特別佳者係使用Pd或Au作爲元素μ。追記型之記錄層23，較佳者爲氧之含有率係25原子 %以上60原子％以下，元素μ之含有率係1原子％以上35 -—------16_____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4^i· (210 X 297公爱） _ , ,---------^----^ ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 ----------- 五、發明說明（（4) -----,---J-----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 原子％以下。藉由使氧及元素M之含有率在此範圍內，能得充分之C/N比。藉由使記錄層μ中之氧原子之含有率爲25原子％以上，能防止記錄層23之熱傳導率過高％致記錄標記過大。又，藉由使記錄層23中之氧原子之含有率爲6〇原子％以下，能防止記錄層23之熱傳導率過低即趣提升記錄功率亦不能形成充分大之記錄標記。藉由使記錄層23中之元素M之含有率爲1原子％以上，能充分得讀射照射時促進Te之結晶成長之功能。其結果，能使記錄騰 23之結晶化速度爲充分之値，能以高速形成記錄標記。又，藉由使記錄層23中之元素Μ之含有率爲35原子％以卞，能使非晶質-結晶間之反射率變化大，能提高C/N比。又’記錄層23係追記型之情形，爲調整熱傳導率或光學常數，或爲提高耐熱性或環境可靠性，亦可在記錄層23 之材料添加選自Ν、F、C、S及Β之至少1個元素。此類 ··線· 兀素’以使爲記錄層23全體之1〇原子〇/。以下之方式添加〇記錄層23係追記型之情形’藉由使其厚度爲 5nm以上70nm以下’能獲得充分之C/N比。藉由使記錄層23之厚度爲5nm以上，能得充分之反射率及反射率變化。又，藉由使記錄層23之厚度爲7〇nm以下，能使記錄層23之。薄膜面內之熱擴散爲適當量，在高密度記錄^能獲得良好之C/N比。反射層26之材料，例如，能便用Au、Ag、Cu、a卜 Nl、Pd、Ptmb'Sn'Zn、c^、或此類元素之合金。 ______17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公餐) -- 588348 A7 ________B7_____ 五、發明說明（（f ) 又，反射層26，亦可使用以折射率不同之複數之電介質層所組成之多層膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第2基板12之材料，雖可使用與列作第1基板u 之材料相同者，然而亦可使用與第1基板11不同之材料，亦可對雷射光束14之波長不透明。第2基板12之厚度雖未特別限定，然而可取0.01mm〜3.0mm程度。又，本發明之光學資訊記錄媒體，亦可在第1基板11 與第2基板12之間具備2個以上之資訊層。將具備2個資訊層之光學資訊記錄媒體l〇a(以下，或有稱爲記錄媒體 l〇a之情形）之部分截面圖表示於圖2。在圖2，省略第1資訊層20a及第2資訊層20b之影線。 g己錄媒體10 a ’係具備從第1基板11側依順序配置之第1資訊層20a，分離層27及第2資訊層20b。在第2資訊層20b與第2基板12之間，亦可進一步形成1個以上之資訊層，透過追加之分離層所積層而成。此類資訊層，分別具備記錄層，單獨記錄資訊。此類資訊層之至少1個資訊層，係與在圖1所示之資訊層20同樣，具有記錄層23 ，鄰接於記錄層23之下側界面層22及/或上側界面層24 。各資訊層，藉由將物鏡13所聚光之雷射光束14從第1 基板Π側照射，來進行記錄•再生。 , 第1資訊層20a之透射率，至少需要30%程度以上。第1資訊層20a，亦可爲可重寫型，追記型或再生專用型之任何一型。分離層27，以紫外線硬化性樹脂等所組成。當將第1 ____18__ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 588348 A7 __ _B7 ___ 五、發明說明（Μ ) 資訊層20a或第2資訊層20b之任何一層再生時，爲使來自另一層之串訊(cross talk)小，分離層27之厚度，至少需要爲以物鏡13之數値孔徑NA與雷射光束14之波長;I所決定之焦點深度以上的厚度。再者，分離層27之厚度，亦需要爲將全部之資訊層收容於能聚光之範圍的厚度。例如，在λ = 405nm、ΝΑ=0·85之情形，分離層27之厚度就需要5//m以上50//m以下。在具備2個資訊層之記錄媒體10a，因能單獨記錄資訊於2個資訊層，故能使記錄密度2倍。又，準備上述記錄媒體2片，藉由貼合各個之第2基板12，能使每片媒體所能儲存之資訊量爲2倍。本發明之光學資訊記錄媒體，亦能將槽，島(槽間之平坦部），或槽及島雙方之任何1方當作記錄軌道使用。設使用於記錄•再生之雷射光之波長爲λ，透鏡數値孔徑爲 ΝΑ時，藉由使記錄軌道之間隔爲λ/ΝΑ以下，能使記錄媒體高密度化。特別地，較佳者爲記錄軌道之間隔係0.8 λ /ΝΑ以下。 (實施形態2) 在實施形態2，說明在實施形態1所述之光學資訊記錄媒體的製造方法。構成記錄媒體之資訊層之各層(除分離層27外），能以一般氣相沉積法(Vapor Phase Deposition Method)形成，例如’真空蒸鍍法，濺鍍法，離子鍍法，CVD(Chemiul Vapor Deposition)法，MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等本紙張尺度適用f國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐Y -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ύ-ο -線' 588348 A7 --—__ ___E7_______ 五、發明說明（K ) 。又’分離層27，能以下列方法形成：以旋轉塗敷法塗布紫外線硬化性樹脂後，藉由照射紫外線來使樹脂硬化的方法；或，貼上黏著性薄膜的方法等。以下，說明以31〇61^(其中，〇.3$)(^〇.9)之氮化物作爲主成分之界面層(下側界面層22及/或上側界面層24) 形成方法。該界面層，能以通常之濺鑛法或反應性濺鍍法形成。反應性濺鍍法之情況，將含有Si及Ge之靶材，至少在流通惰性氣體及氮氣之濺鍍裝置中（含有惰性氣體及氮氣之環境氣氛中）濺鍍。通常之濺鍍法之情況，將含有Si 及Ge之氮化物之靶材，至少在流通惰性氣體之濺鍍裝置中（含有惰性氣體之環境氣氛中）濺鍍。即是在任何情形時 ’藉由將濺鍍氣壓設爲0.5Pa以上，就能緩和所形成之層之應力。其結果，能使記錄面與界面層之剝離不容易產生。根據該製造方法，能製造耐濕性等環境可靠性高之記錄媒體。 I己錄媒體，係藉由將上述之各層積層於第1基板11上後’將第2基板12形成或貼合於資訊層上來製造。又，記錄媒體，係藉由將上述之各層積層於第2基板12上後，將第1基板11形成或貼合於資訊層上來製造。後者之方法，係適合於第1基板11薄(〇.4mm以下)之情形。在後者之方 ;法，要在第2基板12及分離層27形成凹凸圖案(例如，雷射光束導引用之槽(groove)或位址坑）之情形，需要使用預先形成凹凸圖案之第2基板12及分離層27。如上述之凹凸圖案，能使用注入(injection)法，將形成凹凸圖案之衝模 ----— _20________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------* 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 ____B7____ 五、發明說明（θ ) (stamper)形狀予以轉印來形成。又，因所形成之基板或分離層薄而難以注入法形成時’能使用2P法（photo-polymerization 法）。 (實施形態3) 在實施形態3，說明在實施形態1所述之光學資訊記錄媒體的記錄•再生方法。圖3係表示使用於本發明記錄方法之記錄•再生裝置之一例之構成之示意圖。圖3之記錄•再生裝置30，係具備：雷射二極體31、半反射鏡32、馬達33、光電探測器 34、及物鏡13。以記錄•再生裝置30，進行記錄媒體35 之記錄•再生。記錄媒體35，係以馬達旋轉。記錄媒體35 ，係在實施形態1所說明之本發明之光學資訊記錄媒體。從雷射二極體31射出之雷射光束14,透射過半反射鏡32及物鏡13，聚焦於記錄媒體35。藉由將特定功率之雷射光束14照射於記錄媒體35，來進行資訊之記錄。又 _ ，藉由將特定功率之雷射光束14照射於記錄媒體35，以光電探測器34檢測其反射光，來進行資訊之再生。資訊訊號之記錄，係藉由形成記錄標記於記錄層來進行。例如，藉由將在功率位準P1與比功率位準P1小之功率位準P3之間調變而成的脈衝光照射，將記錄層變成光學 ^性質不同之狀態，來形成記錄標記。雷射強度之調變，能簡單以調變雷射二極體41之驅動電流進行。又，亦能使用光電調變器或音響光學調變器等之機構來調變雷射強度。記錄標記(非晶質相），係藉由將峰値功率P1之單一矩 ________ 21 — --—- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •----^----!-----41^--------"訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 B7 五、發明說明（,γ ) 形脈衝之雷射光束照射於記錄層之結晶相之部分而形成。然而’要形成長記錄標記時，爲防止過熱而使記錄標記寬度均一，較佳者爲使用調變後之複數雷射脈衝列所構成的記錄脈衝列。將如上述之記錄脈衝列之一例表示於圖4。圖4之橫軸係表示時間，縱軸係表示雷射光束之功率。在此脈衝列，首先，藉由將峰値功率P1之雷射脈衝，與谷値功率P3(P3<P1)之雷射脈衝交叉照射，使記錄層之一部分從結晶相變化成非晶質相來形成記錄標記。又，在脈衝列之最後尾，如圖4所示，亦可設置照射冷卻功率 P4(P4<P3)之冷卻區間。在未形成記錄標記之部分或消除記錄標記之部分，照射以偏壓(bias)功率P2(P2<P1)來保持一定功率的雷射光束（連續光）。又，形成記錄標記時，較佳者爲記錄標記越長越增加雷射脈衝之脈衝數。在光學資訊記錄媒體的記錄•再生方法，有以因領域而異之線速度進行記錄•再生之情形。以至少2個以上不同線速度來形成記錄標記時，較佳者爲線速度越高，越使 P3/P1比或P3/P2比變大之方式來設定各功率位準。據此，在高溫環境下保存記錄媒體時，能防止記錄標記之訊號振幅變小，及記錄標記不容易消除。在此，由於記錄圖案(以記錄標記之長度或其前後空間之長度、鄰接之記錄標記之長度等決定)不相同，在標記邊 ;緣位置產生不一致，或成爲顫動增大之原因。在本發明之記錄•再生方法，爲防止標記邊緣位置之不一致來改善顫動，能以使上述脈衝列之各脈衝位置或長度調整爲在每一 _________22____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----卜---訂---------線— 一 588348 A7 _ B7___ 五、發明說明（'）圖案之邊緣位置一致之方式來補償。將如上述所記錄之資訊訊號再生時，將功率位準 Pr(Pr<Pl)之連續光照射於記錄媒體，以光電探測器34檢測該反射光’將反射光量變化當作再生訊號來輸出。 (實施例）以下，雖以實施例更具體說明本發明，但是本發明並不被以下之實施例限定。 (實施例1) 在實施例1，說明僅具備1個資訊層之本發明記錄媒體。在實施例1，製作複數之樣本，改變界面層中之Si及 Ge之比例，主要就重複記錄時之耐久性及環境可靠性加以評價。製作樣本如下。在保護基板(第2基板12)，使用以聚碳酸酯樹脂所構成之基板(直徑約12cm，厚度約1.1mm)，係在單面形成槽(槽間距0.32/z m，槽深度約2〇nm)。在形成該保護基板之槽之表面上，以滕鍍法形成資訊層。首先，使用由Ag - Pd - Cu(原子數比98:1:1)所構成之靶材，邊流通Ar氣體，邊形成Ag - Pd - Cu所構成之反射層(厚度:約160nm)。其次，使用由Si - Ge所構成之祀材，邊流通Ar及N2氣體，邊形成Si - Ge - N所構成之上側界面層(厚度:約15nm)。其次’使用由Ge - Sb - Te (原子數比22:23:55)所構成之靶材，邊流通Ar及n2氣體(流量比 98:2)，邊形成Ge - sb - Te所構成之記錄層(厚度:約1〇nm) 。其次，使用由Si - Ge所構成之靶材，邊流通&及沁氣 ________ 23__ 本紙張尺度賴巾IS S家標準（CNS)A伐格（21G X 297公爱 1 ----,——1----0----l· ——,t--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 _____B7_____ 五、發明說明（) 體，邊形成Si - Ge- N所構成之下側界面層(厚度:約5nm) 。其次，使用由ZnS- Si〇2(分子數比80:20)所構成之革巴材，邊流通Ar氣體，邊形成ZnS- Si02所構成之下側電介質層(厚度:約55nm)。在如此形成之資訊層之表面上’透過紫外線硬化性樹脂，貼合聚碳酸酯樹脂所構成之直徑約12cm的薄膜’照射紫外線，來硬化樹脂。如上述，形成厚度約〇.lmm之第 1基板。在實施例1，爲變化界面層中之Si與Ge之比’將Si -Ge耙材中之Si含有率改變爲1〇〇原子％(以單體）、90 原子％、80原子％、67原子％、50原子％、33原子％、20 原子％、10原子％、〇原子％(Ge單體），來製作光碟A1、 Bl、Cl、Dl、El、FI、Gl、HI及II。又，噴射氣體中之氮之比例(體積％)，在各Si - Ge組成比，以後述之方法所測定之消除率各能得30dB以上之範圍內，以不與記錄層產生剝離之方式盡量取小。又，上側界面層與下側界面層爲相同組成。將最適合化之噴射氣體中之氮含有率及靶材之組成比表示於(表1)。又，以其條件製作Si - Ge - N之單獨膜，測定波長4〇5nm之光學常數(折射率η及衰減係數k)，將其結果亦表示於(表1)。 _-________24 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） „----------·—----_訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 五、發明説明（ (表1)

如表1所示，靶材中之Si含有率越高，折射率η及衰減係數k就〜起越變小。又，所形成之界面層中之Si與

Ge之原子數比，係與靶材之si與Ge之原子數比大致相同〇對上述各光碟群，藉由將以數値孔徑ΝΑ=0.85之透鏡所聚光之波長405nm的雷射光束照射，交替記錄12.2MHz 及3·3ΜΗζ之單一訊號。記錄係將光碟以線速度4.5m/秒旋轉來進行。記錄係藉由將峰値功率P1與偏壓功率P2之間所調變而成之矩形脈衝照射來進行。要記錄12.2MHz之訊號時，照射單一脈衝(脈衝寬：13.7 ns)。要記錄3.3MHz之訊號時，照射由前置脈衝(脈衝寬·· 20.5 ns)與後續之8個副脈衝(寬及間隔均爲6.9ns)所構成的脈衝列。再生功率pr 爲 0.4Mw。 _______ 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

588348 A7 _____B7___ 五、發明說明（乃）以該條件，將12·2ΜΗζ之訊號及3·3ΜΗζ之訊號合計 10次交替記錄。其次，以光譜分析器測定將12·2ΜΗζ之訊號記錄於其上時的C/N比。再者’將3·3ΜΗζ之訊號記錄於其上，以光譜分析器測定消除率，即12·2ΜΗζ之振幅的衰減比。任意變化P1及P2來進行測定，將P1設定爲振幅比最大低3dB之功率的1.3倍之功率，將P2設定爲消除率超過25dB之功率範圍的中心値。任何光碟，P1之設定功率係6.2〜6.8mW，P2之設定功率係2.2〜2.4mW，在此類設定功率之C/N比係53〜54dB ，消除率係30〜32dB程度。此類之初始特性，各光碟亦大致相同。其次，爲調查多數次重複記錄時之耐久性’對各光碟以各設定功率交替重複記錄12·2ΜΗζ及3.3MHZ之訊號’ 以與上述同樣之方法測定C/N比及消除率。並且將C/N比之降低在ldB以內且消除率之降低在3dB以內的記錄次數定義爲可重複記錄次數。表示其結果於(表2)。 ___26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） , ；訂---------^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 -- B7 五、發明說明（所） (表2) 光碟 No. 靶材之組成可重複記錄次數產生剝離時間[小時] Si [at%] Ge [at%] 波長 405nm 波長 660nm A1 100 0 1萬次以上 1萬次以上 $100 B1 90 10 1萬次以上 1萬次以上 200 - 500 Cl 80 20 1萬次以上 1萬次以上 500$ D1 67 33 1萬次以上 1萬次以上 500 € El 50 50 1萬次以上 1萬次以上 500 ^ FI 33 67 約5000次 1萬次以上 500 $ G1 _20 80 約2000次 1萬次以上 200 - 500 HI 10 90 約800次 1萬次以上 200 - 500 11 100 約300次 1萬次以上 200- 500 又’製作9種類的光碟，除設基板之槽間距爲〇·53// m ’槽深度爲35nm，ZnS - Si02下側電介質層之厚度爲 25nm以外，與A1〜II同樣，Si - Ge比不同。並且，就該9 種類的光碟，除設雷射光束之波長爲660nm，記錄訊號之頻率爲9·〇ΜΗζ及2.4MHz，再生功率Pr爲0.7Mw以外，以與上述相同條件調查能重複記錄次數。將其結果一倂表示於(表2)。再者，爲要調查光碟A1〜II之環境可靠性(特別係耐濕性），在溫度90°C ·濕度80%RH之環境下保存長時間，測定產生剝離之時間。將其結果一倂表示於(表2)。又(表2) )中，「$ 1〇〇」係表示100小時以下，「200 - 500」係表示 200小時以上未滿5〇〇小時，「500$」係表示經過500小時亦未產生剝離。如（表2)所示，在以Ge- N所構成之光碟II，波長 ___ 27 ______________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 --------訂---------丨一 588348 A7 ___B7__ 五、發明說明（>5〇 405nm之能重複記錄次數雖爲數100次程度，然隨著S:i之組成比例增加而提高，在Si係50原子％以上，就能作1 萬次以上之重複記錄。對於此，在波長660nm，任一光碟均有1萬次以上之能重複記錄次數。據此，得知由於波長縮短，各層薄膜容易受熱破壞。又，藉由增加界面層中之 Si之組成比例，能改善耐久性。又，在使用Si - N所構成之界面層的光碟A1，100小時以內就產生剝離，在Ge- N所構成之界面層的光碟II 等，200小時以後產生剝離。藉由使Si及Ge爲適當之比例，例如使Si之比例爲80〜30原子％程度，顯著地改善耐濕性，表示得500小時以上安定之耐濕性。如上所述，藉由使用以SixGe^J其中，0.3$ X $0.9) 之氮化物作爲主成分的無機物層，能獲得優異於使用藍紫色雷射光之重複記錄時之耐久性，及環境可靠性的光學資訊記錄媒體。 (實施例2) 在實施例2,說明具有複數資訊層之本發明之光學資訊記錄媒體。在實施例2，製作複數樣本，改變界面層中之Si及Ge之比例，主要就透過度及記錄感度作評價。製作樣本如下。在保護基板(第2基板12)，使用聚碳，酸酯樹脂所構成之基板(直徑約12cm，厚度約.1mm)，係形成槽(槽間距〇.32//m，槽深度約20nm)於單面。在形成槽之該保護基板表面上，以濺鍍法形成第2資訊層。首先，使用Ag - Pd - Cu(原子數比98:1:1)所構成之 —____ 28____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -I I I J .I 1 I-----I----Γ · I--— II--^^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 588348 A7 ___ B7—____ 五、發明說明（) 靶材，邊流通Ar氣體，邊形成Ag — Pd — CU所構成之反射層(厚度:約丨6〇議）。其次’使用Ag— Cr(原子數比98:2)所構成之耙材，邊流通々氣體，邊形成Ag— ^所構成之反射層（厚度：約其次，使用ZnS-Sl〇2(分子數比 8〇:2〇)所構成之耙材，邊流通Ar氣體，邊形成ZnS — Sl〇2 所構成之上側電介質餍(厚度:約i5nm)。其次，使用Sl 一 Ge靶材，邊流通Ar及A氣體，邊形成Sl - Ge — N所構成之上側界面層（厚度:約5nm)。其次，使用Ge — Sb — Te(原子數比22:23:55)所構成之靶材，邊流通Ar及K氣體(流量比98:2)，邊形成Ge - Sb - Te所構成之記錄層(厚度:約 12nm)。其次，使用Si - Ge靶材’邊流通Ar及N2氣體’ 邊形成Si - Ge - N所構成之下側界面層(厚度:約5nm)。其次，使用ZnS - Si〇2(分子數比80··20)所構成之祀材，邊流通Af氣體，邊形成ZnS - Si〇2所構成之下側電介質層(厚度:約 50nm)。在如上述所形成之資訊層之表面上’塗布紫外線硬化性樹脂，以上述之2P法將與保護基板相同之槽圖案轉印來形成。如此，形成分離層(厚度：約20/zm)(形成槽於表面) 〇在該分離層表面上，以濺鍍法形成第1資訊層。首先 ,，使用Ag- Pd - Cu(原子數比98丄1)所構成之靶材，邊流通Ar氣體，邊形成Ag- Pd - Cu所構成之反射層(厚度:約 lOnm)。其次，使用Si - Ge靶材，邊流通Ar及N2氣體，邊形成Si- Ge-N所構成之上側界面層(厚度:約lOnm)。 _ __ _29___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線泰 588348 A7 _______JB7______ 五、發明說明（/[) 其次，使用Ge - Sb - Te (原子數比22:23:55)所構成之靶材，邊流通Ar及N2氣體(流量比98:2)，邊形成Ge - Sb - Te 所構成之記錄層(厚度:約6nm)。其次，使用Si - Ge靶材，邊流通Ar及N2氣體，邊形成Sl_ Ge — N所構成之下側界面層（厚度：約5nm)。其次，使用Zns - Si02(分子數比 80:20)所構成之靶材，邊流通Ar氣體，邊形成ZnS- Si〇2 所構成之下側電介質層(厚度:約45nm)。在如上述所形成之第1資訊層之表面上，透過紫外線硬化性樹脂，貼合聚碳酸酯樹脂所構成之直徑約12cm之薄膜，照射紫外線使樹脂硬化。如上所述，形成厚度約 0.09mm之透明基板(第1基板）。在實施例2，爲要變化界面層中之Si與Ge比，將Si -Ge靶材中之Si含有率改變爲1〇〇原子％(义單體）、9〇原子％、80原子％、67原子％、50原子。/〇、33原子％、2〇原子％、10原子％、0原子％(Ge單體），製作光碟A2、B2 、C2、D2、E2、F2、G2、H2及12。又，噴射氣體中之氮濃度，係與實施例1之情形同樣。又，在各資訊層，上側界面層與下側界面層爲相同之組成。在此，爲調查各光碟之第1資訊層之透射率，在石英基板上形成與第1資訊層相同構成之多層膜，以分光器測定透射率。將波長405nm時之透射率表不於(表3)。 _______1〇 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> -ji5J·. 丨線秦 588348 A7 B7 五、發明說明) (表3) 光碟 No 靶材之組成第1資訊層之透射率 [%] 第2資訊層之設定功率 Si [at%] Ge [at%] PI [mW] P2 [mW] A2 100 0 50 10.2 3.4 B2 90 10 48 10.5 3.5 C2 80 20 47 11.1 3.7 D2 67 33 46 11.4 3.8 E2 50 50 45 11.9 4.0 F2 33 67 44 12.7 4.2 G2 20 80 42 13.5 4.5 H2 10 90 41 14.9 5.0 12 0 100 40 15.5 5.2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 如(表3)所示，Si之組成比例越多，第1資訊層之透射率越高，變成反映(表1)所示之衰減係數k之値的結果。 % 對上述各光碟之第1及第2資訊層之槽，藉由將使用數値孔徑NA=0.85之透鏡所聚光之波長405NM的雷射光束照射，交替記錄12.2MHz及3.3MHz之單一訊號。此時，邊以線速度5m/秒旋轉光碟邊記錄。記錄係藉由將在峰値功率P1與偏壓功率P2之間調變而成之矩形脈衝照射來進行。在12.2MHz之訊號記錄，使用脈衝寬度13.7ns之單一脈衝。在3.3MHz之訊號記錄，使用脈衝列，係以前置脈衝(脈衝寬度:20.5ns)與後續之8個副脈衝(脈衝寬度及脈衝間隔均爲6.9ns)所構成的脈衝列。再生功率Pr爲0.7 Mw。以該條件，將12.2MHz及3.3MHz之訊號合計10次交替記錄於未記錄之軌道。並且，以光譜分析器將 _____ 31_ — 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 588348 A7 _ B7 ___ 五、發明說明（// ) 12.2MHz之訊號記錄於其上時之C/N比測定。再者，記錄 3.3MHz之訊號於其上，以光譜分析器測定消除率，即 12.2MHz之振幅的衰減比。任意變化P1及P2來測定，P1 係設定在振幅比最大低3dB之功率的1.3倍値’ P2係設定在消除率超過25dB的功率範圍之中心値。在任一光碟之第1資訊層，P1之設定功率係 8.8〜9.4mW，P2之設定功率係3.4〜3.6mW。此類設定功率之C/N比係52〜53dB，消除率係30〜32dB程度。此類初始特性，各光碟亦均大致相同。在第2資訊層，設定功率之C/N比係53〜54dB，消除率係30〜32dB程度，各光碟亦均大致相同。然而，第2資訊層之P1及P2之設定功率依光碟別有差異。將第2資訊層之設定功率一倂表不於(表3)。如(表3)所示，在使用Ge-N所構成之界面層之光碟 12，第2資訊層之P1之設定功率係15mW以上。P1之設定功率，係Si之組成比例越增加越降低，在Si爲50原子 %以上時係12mW以下。如上所述，使用藍紫色雷射光在具有複數資訊層的記錄媒體作記錄時，藉由使用以SixGen(其中，0.3$ X S 0.9)之氮化物作爲主成分的無機物層，能以更低功率之光 ^來作記錄。【產業上之可利用性】如以上所說明，依本發明，能提供：即使在使用短波 _______32 _ ._______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------f 訂---------線 ί 588348 A7 _B7_ 五、發明說明（> ) 長之光束的記錄•再生，或對複數資訊層的記錄·再生，均能高可靠性地記錄•再生的光學資訊記錄媒體及使用其之記錄方法。本發明，能適用於各式各樣之光學資訊記錄媒體。 _33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------^訂---------線赢

Claims

588348 截 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種光學資訊記錄媒體，係具備：第1基板；平行於前述第1基板而配置的第2基板；及配置於前述第1基板與第2基板之間的資訊層；前述資訊層，係具備記錄層及鄰接於前述記錄層之無機物層；前述記錄層，係藉由從前述第1基板側射入之光束之照射，而在光學上可辨別之2個以上相異狀態間變化的層；前述無機物層，係以SixGei_x(其中，0.3$χ$0.9)之氮化物作爲主成分。 2_如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中，進一步具備配置於前述第1基板與第2基板之間的1個以上之其他資訊層。 3·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中，前述記錄層，係藉由前述光束之照射而在光學上可辨別之2個以上相異狀態間，作可逆變化。 4·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中，前述光束之波長爲500nm。 5·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中，前述資訊層，係具備配置成比前述記錄層更靠第2基板側之反射層。 ^ 6· __利範’ 1項2光學資訊記錄雜，其中，前述記錄層’以含有Te及Sb之合金所構成。 7·如申請專欄圍第6 I处光學資關軸體，其中，前述記錄層之厚度係Ιδηιη以卞。 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、1T: ¥紙張尺H用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297^^^------ 588348 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 ------------------------管！- (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 8·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 ’則述I己錄層，係由Ge - Sb- Te系合金、Ge-Sn-Sb-Te 系合金、Ag - In - Sb - Te 系合金、或 Ag - In - Ge - Sb - Te系合金所構成。 9. 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中，前述記錄層，係由Ge - Sb - Te系合金所構成；前述合金中Ge之含有率爲30原子％以上。 10. 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中，前述記錄層，係由Ge - Sn- Sb - Te系合金所構成；前述合金中Ge與Sn之含有率合計爲30原子％以上。 11. 一種光學資訊記錄媒體之記錄方法，該光學資訊記錄媒體係具備：記錄層；及鄰接於前述記錄層之無機物層；前述無機物層，係以SixGebX(其中，0·3$χ$0·9)之氮化物作爲主成分；藉由將在功率位準Ρ1與比前述功率位準Ρ1小之功率位準Ρ3之間調變而成的脈衝光照射於前述記錄層，而將前述記錄層變化爲光學性質不同之狀態來形成記錄標記時，前述記錄標記越長，則脈衝光之脈衝數越增加；前述光學資訊記錄媒體之線速度越高，則Ρ3/Ρ1之値〇越大。 12. 一種光學資訊記錄媒體之記錄方法，該光學資訊記錄媒體係具備：記錄層；及鄰接於前述記錄層之無機物層， -_2______ 中國國家標準（CNS)Α4規格(210 X 297公釐) ' 588348 A8B8C8D8 六、申請專利範圍前述無機物層，以SixGeNx(其中，0.3SxS0.9)之氮化物作爲主成分，藉由將在功率位準P1與比前述功率位準P1小之功率位準P3之間調變而成的脈衝光照射於前述記錄層，將前述記錄層變化爲光學性質不同之狀態來形成記錄標記時，前述記錄標記越長，則脈衝光之脈衝數越增加；藉由將前述功率位準P1與前述功率位準P3之間的功率位準P2之連續光照射於前述記錄層來消除前述記錄標記時，前述光學資訊記錄媒體之線速度越高，則P3/P2之値越大。 ---------—-------ΙΜΎ--------—:訂---------------- (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐)