JPH11157215A - 相変化書き換え型光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
相変化書き換え型光ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH11157215A JPH11157215A JP9344458A JP34445897A JPH11157215A JP H11157215 A JPH11157215 A JP H11157215A JP 9344458 A JP9344458 A JP 9344458A JP 34445897 A JP34445897 A JP 34445897A JP H11157215 A JPH11157215 A JP H11157215A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録・消去の繰り返しによる記録層へのダメ
ージが小さい相変化書き換え型光ディスクを得る。 【解決手段】 相変化材料からなる記録層を有する相変
化書き換え型光ディスクにおいて、前記記録層がＳｂと
Ｔｅを含み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％以上で、か
つ、Ｓｂ／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜２．４の範囲
にあることを特徴とする相変化書き換え型光ディスク。
ージが小さい相変化書き換え型光ディスクを得る。 【解決手段】 相変化材料からなる記録層を有する相変
化書き換え型光ディスクにおいて、前記記録層がＳｂと
Ｔｅを含み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％以上で、か
つ、Ｓｂ／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜２．４の範囲
にあることを特徴とする相変化書き換え型光ディスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化書き換え型
光ディスク、特にＤＶＤ対応相変化書き換え型光ディス
クに関する。
光ディスク、特にＤＶＤ対応相変化書き換え型光ディス
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え型光ディスクとして、相変化を
利用したものが用いられている。最近ではこの方式を利
用したＤＶＤの書き換え型の開発が盛んに行われてい
る。 図１に一般的な相変化書き換え型光ディスクの概
略構成図を示す。基板１には、任意のピッチで凹凸を形
成した透明プラスチック（主にポリカーボネート）基板
がよく用いられる。誘電体層の材料としては、上部２お
よび下部４の保護層ともＺｎＳ・ＳｉＯ2やＡｌＮ、Ｓ
ｉＮ等が用いられている。また、記録層３の材料として
は、ＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等
が用いられている。反射層としては、主にＡｌ系の合金
やＡｕ、Ａｇ等が用いられる。これらの各層は、通常、
スパッタ法により膜形成が行われる。これに対してＵＶ
硬化樹脂などの保護樹脂層はスピンコート法で形成す
る。そして最後にディスク全体を結晶化して、いわゆる
初期化を行い、ディスクを完成する。
利用したものが用いられている。最近ではこの方式を利
用したＤＶＤの書き換え型の開発が盛んに行われてい
る。 図１に一般的な相変化書き換え型光ディスクの概
略構成図を示す。基板１には、任意のピッチで凹凸を形
成した透明プラスチック（主にポリカーボネート）基板
がよく用いられる。誘電体層の材料としては、上部２お
よび下部４の保護層ともＺｎＳ・ＳｉＯ2やＡｌＮ、Ｓ
ｉＮ等が用いられている。また、記録層３の材料として
は、ＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等
が用いられている。反射層としては、主にＡｌ系の合金
やＡｕ、Ａｇ等が用いられる。これらの各層は、通常、
スパッタ法により膜形成が行われる。これに対してＵＶ
硬化樹脂などの保護樹脂層はスピンコート法で形成す
る。そして最後にディスク全体を結晶化して、いわゆる
初期化を行い、ディスクを完成する。
【０００３】記録の原理は、主にレーザ光により発生す
る熱の制御により、記録層のアモルファス相と結晶相の
変化を利用しており、それぞれの反射率が異なることか
ら２値のデジタル記録が可能となる。
る熱の制御により、記録層のアモルファス相と結晶相の
変化を利用しており、それぞれの反射率が異なることか
ら２値のデジタル記録が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな原理からわかるように記録・消去の繰り返しによる
膜へのダメージが大きく、その結果、繰り返し特性がし
ばしば問題となる。従来、メディアにおける繰り返し特
性の改善方法としては、例えば特開平８−１１５５３６
号公報や特開平８−１２９７７７号公報には層構成の調
整、また、特開平８−１２７１７６号公報等には記録層
材料の改善などが提案されている。なかでも記録層の組
成がディスク特性のほぼ全体を決定付ける重要な要素で
あること、また、繰り返し特性の改善にも大きく寄与す
ることが指摘されている。しかし、従来技術では良好な
繰り返し特性を示し、かつ、他のディスク特性も損なう
ことがない記録層の組成は得られていなかった。
うな原理からわかるように記録・消去の繰り返しによる
膜へのダメージが大きく、その結果、繰り返し特性がし
ばしば問題となる。従来、メディアにおける繰り返し特
性の改善方法としては、例えば特開平８−１１５５３６
号公報や特開平８−１２９７７７号公報には層構成の調
整、また、特開平８−１２７１７６号公報等には記録層
材料の改善などが提案されている。なかでも記録層の組
成がディスク特性のほぼ全体を決定付ける重要な要素で
あること、また、繰り返し特性の改善にも大きく寄与す
ることが指摘されている。しかし、従来技術では良好な
繰り返し特性を示し、かつ、他のディスク特性も損なう
ことがない記録層の組成は得られていなかった。
【０００５】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので記録・消去の繰り返しによるダメージが小さく、
従来より多数回の書き換えを可能にする相変化書き換え
型光ディスクを提供することを目的とする。
もので記録・消去の繰り返しによるダメージが小さく、
従来より多数回の書き換えを可能にする相変化書き換え
型光ディスクを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、相変化材料からなる記録層を有する相変化書き換え
型光ディスクにおいて、前記記録層がＳｂとＴｅを含
み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％以上で、かつ、Ｓｂ
／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜２．４の範囲にあるこ
とを特徴とする相変化書き換え型光ディスクが提供され
る。
に、相変化材料からなる記録層を有する相変化書き換え
型光ディスクにおいて、前記記録層がＳｂとＴｅを含
み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％以上で、かつ、Ｓｂ
／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜２．４の範囲にあるこ
とを特徴とする相変化書き換え型光ディスクが提供され
る。
【０００７】第二に、上記第一に記載した相変化書き換
え型光ディスクにおいて、上記記録層がＳｂおよびＴｅ
以外の材料としてＩ族原子とIII族原子の両方またはい
ずれか一方を含むことを特徴とする相変化書き換え型光
ディスクが提供される。
え型光ディスクにおいて、上記記録層がＳｂおよびＴｅ
以外の材料としてＩ族原子とIII族原子の両方またはい
ずれか一方を含むことを特徴とする相変化書き換え型光
ディスクが提供される。
【０００８】第三に、上記第二に記載した相変化書き換
え型光ディスクにおいて、上記I族原子がＡｇであるこ
とを特徴とする書き換え型光記録ディスクが提供され
る。
え型光ディスクにおいて、上記I族原子がＡｇであるこ
とを特徴とする書き換え型光記録ディスクが提供され
る。
【０００９】第四に、上記第二に記載した相変化書き換
え型光ディスクにおいて、上記III族原子がＩｎである
ことを特徴とする相変化書き換え型光ディスクが提供さ
れる。
え型光ディスクにおいて、上記III族原子がＩｎである
ことを特徴とする相変化書き換え型光ディスクが提供さ
れる。
【００１０】第五に、上記第一に記載した相変化書き換
え型光ディスクにおいて、上記記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂおよびＴｅの４元系を主成分とすることを特徴とする
相変化書き換え型光ディスクが提供される。
え型光ディスクにおいて、上記記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂおよびＴｅの４元系を主成分とすることを特徴とする
相変化書き換え型光ディスクが提供される。
【００１１】第六に、上記第五に記載した相変化書き換
え型光ディスクにおいて、上記記録層が未記録部および
消去時に化学量論組成またはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2
微結晶相が存在することを特徴とする相変化書き換え型
光ディスクが提供される。
え型光ディスクにおいて、上記記録層が未記録部および
消去時に化学量論組成またはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2
微結晶相が存在することを特徴とする相変化書き換え型
光ディスクが提供される。
【００１２】第七に、上記第一〜第六のいずれかに記載
した相変化書き換え型光ディスクにおいて、上記記録層
の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴と
する相変化書き換え型光ディスクが提供される。
した相変化書き換え型光ディスクにおいて、上記記録層
の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴と
する相変化書き換え型光ディスクが提供される。
【００１３】第八に、上記第一〜第七のいずれかに記載
した相変化書き換え型光ディスクの製造方法であって、
上記記録層をスパッタ法で成膜することを特徴とする相
変化書き換え型光ディスクの製造方法が提供される。
した相変化書き換え型光ディスクの製造方法であって、
上記記録層をスパッタ法で成膜することを特徴とする相
変化書き換え型光ディスクの製造方法が提供される。
【００１４】以下に本発明を詳細に説明する。上述のよ
うに本発明の相変化材料からなる記録層は、ＳｂとＴｅ
が全体の８０％以上を占め、なおかつ、Ｓｂ／Ｔｅの組
成比αが２．１＜α＜２．４の範囲にあることを特徴と
する。このような構成によれば良好な繰り返し特性が得
られる。該組成比αがα＞２．４の範囲では保存特性の
劣化を招く。
うに本発明の相変化材料からなる記録層は、ＳｂとＴｅ
が全体の８０％以上を占め、なおかつ、Ｓｂ／Ｔｅの組
成比αが２．１＜α＜２．４の範囲にあることを特徴と
する。このような構成によれば良好な繰り返し特性が得
られる。該組成比αがα＞２．４の範囲では保存特性の
劣化を招く。
【００１５】本発明の効果を最も発揮させるのは、該記
録層がＳｂおよびＴｅとそれ以外の材料としてさらにＩ
原子とIII族原子の両方またはいずれか一方を含むこ
と、そして該Ｉ族原子がＡｇであり、該III族原子がＩ
ｎであることである。なかでも記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅの４元系を主成分とすること、また、未記録部
および消去時に化学量論組成またはそれに近いＡｇＳｂ
Ｔｅ2微結晶相が存在することであり、このような記録
層材料において最も顕著な効果が得られる。即ち、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを結晶化（未記録部や消去時がこれ
に当たる）させると、さまざまな結晶相が現れる。その
中で重要なのはＡｇＳｂＴｅ2の微結晶相（具体的な結
晶サイズは５〜３０ｎｍ）が存在することであり、この
結晶相が存在することにより上記したような本発明の効
果が得られる。
録層がＳｂおよびＴｅとそれ以外の材料としてさらにＩ
原子とIII族原子の両方またはいずれか一方を含むこ
と、そして該Ｉ族原子がＡｇであり、該III族原子がＩ
ｎであることである。なかでも記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅの４元系を主成分とすること、また、未記録部
および消去時に化学量論組成またはそれに近いＡｇＳｂ
Ｔｅ2微結晶相が存在することであり、このような記録
層材料において最も顕著な効果が得られる。即ち、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを結晶化（未記録部や消去時がこれ
に当たる）させると、さまざまな結晶相が現れる。その
中で重要なのはＡｇＳｂＴｅ2の微結晶相（具体的な結
晶サイズは５〜３０ｎｍ）が存在することであり、この
結晶相が存在することにより上記したような本発明の効
果が得られる。
【００１６】また、記録層の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下の範囲とする必要があり、この範囲であれば繰り
返し特性だけでなく、反射率や記録感度等他のディスク
特性が十分に満足される。そしてこれら記録層の成膜は
スパッタ法によることが最も工業生産的に適している。
ｍ以下の範囲とする必要があり、この範囲であれば繰り
返し特性だけでなく、反射率や記録感度等他のディスク
特性が十分に満足される。そしてこれら記録層の成膜は
スパッタ法によることが最も工業生産的に適している。
【００１７】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００１８】〔実施例１〜７および比較例１〜１１〕図
１に示す構造に従い、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ
１．４８μｍ、溝幅０．６８μｍ、溝深さ６０ｎｍのポ
リカーボネートからなる基板を用い、高温で脱水処理し
た後、該基板上にスパッタにより、第１誘電体層として
ＺｎＳ・ＳｉＯ2を用い、膜厚１７０ｎｍ、その上にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を２０ｎｍ積層した。次に
第２誘電体層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を２０ｎｍ、反射
放熱層としてＡｌ合金を１００ｎｍ、順次積層した。そ
の上に紫外線硬化型樹脂膜を保護膜としてつけ相変化書
き換え型光ディスクとした。
１に示す構造に従い、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ
１．４８μｍ、溝幅０．６８μｍ、溝深さ６０ｎｍのポ
リカーボネートからなる基板を用い、高温で脱水処理し
た後、該基板上にスパッタにより、第１誘電体層として
ＺｎＳ・ＳｉＯ2を用い、膜厚１７０ｎｍ、その上にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を２０ｎｍ積層した。次に
第２誘電体層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2を２０ｎｍ、反射
放熱層としてＡｌ合金を１００ｎｍ、順次積層した。そ
の上に紫外線硬化型樹脂膜を保護膜としてつけ相変化書
き換え型光ディスクとした。
【００１９】成膜後の記録層は非晶質であり、結晶化さ
せるための初期化を施した。このような構成で、記録層
の組成が表１に示すようなものをそれぞれ作製した。得
られた各ディスクについて次のような試験を行った。
せるための初期化を施した。このような構成で、記録層
の組成が表１に示すようなものをそれぞれ作製した。得
られた各ディスクについて次のような試験を行った。
【００２０】記録はλ＝６３５ｎｍ、ＮＡ０．６で行
い、記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ
＋（８／１６（２，１０）ＲＬＬ）変調方式で行った。
記録線密度は０．４μｍ／ｂｉｔとし、グルーブに記録
した。記録パワーについては最適な条件を用いた。
い、記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ
＋（８／１６（２，１０）ＲＬＬ）変調方式で行った。
記録線密度は０．４μｍ／ｂｉｔとし、グルーブに記録
した。記録パワーについては最適な条件を用いた。
【００２１】再生はλ＝６５０ｎｍ、ＮＡ０．６で行
い、最もマーク長が短い３Ｔ信号のマーク間のＤａｔａ
ｔｏ Ｃｌｋジッターを測定し、ジッターσ／Ｔｗ
（Ｔｗ：ウィンドウ幅）を評価項目とした。このように
して評価した結果を表１−１〜１−４に示す。なお、繰
り返し回数はジッターが１４％を超えた回数とした。
い、最もマーク長が短い３Ｔ信号のマーク間のＤａｔａ
ｔｏ Ｃｌｋジッターを測定し、ジッターσ／Ｔｗ
（Ｔｗ：ウィンドウ幅）を評価項目とした。このように
して評価した結果を表１−１〜１−４に示す。なお、繰
り返し回数はジッターが１４％を超えた回数とした。
【００２２】
【表１−１】
【００２３】表１−１中、−*は評価できずを表わす。
即ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてし
まったことを意味する。
即ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてし
まったことを意味する。
【００２４】
【表１−２】
【００２５】表１−２中、−*は評価できずを表わす。
即ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてし
まったことを意味する。
即ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてし
まったことを意味する。
【００２６】
【表１−３】
【００２７】表１−３中、−*は評価できずを表わす。
即ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてし
まったことを意味する。
即ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてし
まったことを意味する。
【００２８】
【表１−４】
【００２９】表１−１〜１−４より本発明の構成を用い
たディスクが繰り返し特性が優れていることが分かる。
また、実施例４で作製したディスクの未記録部およびマ
ーク間、即ち消去部を透過型電子顕微鏡で観察した結
果、微結晶相による電子線回折パターンが観察され、そ
れがＡｇＳｂＴｅ2からなることが同定された。
たディスクが繰り返し特性が優れていることが分かる。
また、実施例４で作製したディスクの未記録部およびマ
ーク間、即ち消去部を透過型電子顕微鏡で観察した結
果、微結晶相による電子線回折パターンが観察され、そ
れがＡｇＳｂＴｅ2からなることが同定された。
【００３０】〔実施例８〜１２および比較例１２〜１
３〕記録層の膜厚をそれぞれ７、１０、１５、２０、２
５、３０、３５ｎｍとした以外は実施例４と同様にして
ディスクを作製した。このようにして作製した相変化書
き換え型光ディスクを上記と同様の方法で評価を行っ
た。結果を表２に示す。
３〕記録層の膜厚をそれぞれ７、１０、１５、２０、２
５、３０、３５ｎｍとした以外は実施例４と同様にして
ディスクを作製した。このようにして作製した相変化書
き換え型光ディスクを上記と同様の方法で評価を行っ
た。結果を表２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２中、−*は評価できずを表わす。即
ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてしま
ったことを意味する。表２より実施例の構成によるディ
スクが優れた繰り返し回数を有することが分かる。
ち、一回目の書き込みでジッターが１４％を超えてしま
ったことを意味する。表２より実施例の構成によるディ
スクが優れた繰り返し回数を有することが分かる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、相変化材料からなる記録
層がＳｂとＴｅを含み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％
以上で、かつ、Ｓｂ／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜
２．４の範囲にある相変化書き換え型光ディスクによれ
ば優れた繰り返し回数を有する光ディスクが得られる。
層がＳｂとＴｅを含み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％
以上で、かつ、Ｓｂ／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜
２．４の範囲にある相変化書き換え型光ディスクによれ
ば優れた繰り返し回数を有する光ディスクが得られる。
【図１】相変化書き換え型光ディスクの例を示す概略断
面図である。
面図である。
１ 透明プラスチック基板 ２ 誘電体層（下部保護層） ３ 記録層 ４ 誘電体層（上部保護層） ５ 反射放熱層 ６ ＵＶ硬化樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (8)
- 【請求項１】 相変化材料からなる記録層を有する相変
化書き換え型光ディスクにおいて、前記記録層がＳｂと
Ｔｅを含み、該ＳｂとＴｅの含有量が８０％以上で、か
つ、Ｓｂ／Ｔｅの組成比αが２．１＜α＜２．４の範囲
にあることを特徴とする相変化書き換え型光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の相変化書き換え型光ディ
スクにおいて、前記記録層がＳｂおよびＴｅ以外の材料
としてＩ族原子とIII族原子の両方またはいずれか一方
を含有することを特徴とする相変化書き換え型光ディス
ク。 - 【請求項３】 請求項２記載の相変化相変化書き換え型
光ディスクにおいて、前記I族原子がＡｇであることを
特徴とする相変化書き換え型光記録ディスク。 - 【請求項４】 請求項２記載の相変化書き換え型光ディ
スクにおいて、前記III族原子がＩｎであることを特徴
とする相変化書き換え型光ディスク。 - 【請求項５】 請求項１記載の相変化書き換え型光ディ
スクにおいて、前記記録層がＡｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴ
ｅの４元系を主成分とすることを特徴とする相変化書き
換え型光ディスク。 - 【請求項６】 請求項５記載の相変化書き換え型光ディ
スクにおいて、前記記録層が未記録部および消去時に化
学量論組成またはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶相が
存在することを特徴とする相変化書き換え型光ディス
ク。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の相変化
書き換え型光ディスクにおいて、前記記録層の膜厚が１
０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする相変化
書き換え型光ディスク。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の相変化
書き換え型光ディスクの製造方法であって、前記記録層
をスパッタ法で成膜することを特徴とする相変化書き換
え型光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9344458A JPH11157215A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 相変化書き換え型光ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9344458A JPH11157215A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 相変化書き換え型光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11157215A true JPH11157215A (ja) | 1999-06-15 |
Family
ID=18369431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9344458A Pending JPH11157215A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 相変化書き換え型光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11157215A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP9344458A patent/JPH11157215A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
| EP1426940A4 (en) * | 2001-09-12 | 2006-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND CORRESPONDING RECORDING METHOD |
| US7304930B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20040420 |